JPS62161122A - 強誘電性液晶素子 - Google Patents
強誘電性液晶素子Info
- Publication number
- JPS62161122A JPS62161122A JP313986A JP313986A JPS62161122A JP S62161122 A JPS62161122 A JP S62161122A JP 313986 A JP313986 A JP 313986A JP 313986 A JP313986 A JP 313986A JP S62161122 A JPS62161122 A JP S62161122A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- ferroelectric liquid
- substrates
- crystal element
- sio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、強誘電性液晶を用いる液晶表示素子や光シヤ
ツター等の液晶素子に関し、更に詳しくは液晶素子の配
向処理方法により強誘電性液晶素子の特徴の一つである
メモリー性を液晶素子のみで達成する強誘電性液晶素子
に関するものである。
ツター等の液晶素子に関し、更に詳しくは液晶素子の配
向処理方法により強誘電性液晶素子の特徴の一つである
メモリー性を液晶素子のみで達成する強誘電性液晶素子
に関するものである。
強誘電性液晶を用いる液晶表示モードは、Ｍｅｙｅｒ等
（Ｊ、Ｐｈｙｓ、、３６．Ｌ２６９（１９７５））がカ
イラルスメクティックＣ液晶であるＤＱＢＡＭＢＣを合
成し強誘電性を発見して以来、基礎的な研究が始まり、
更にＣ１ａｒｋとＬａｇｅｒｗａｌ １（Ａｐｐｌ、Ｐ
ｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、、３６． ８９９（１９８０）
ン が強誘電性液晶を用いた薄い素子により高速応答
性、メモリー性が得られる事を発表し、実用面からも急
速に認識がされている現状にある。Ｃ１ａｒｋとＬａｇ
ｅｒｗａｌ １が発表した強誘電性液晶を用いた薄い素
子の動作原理を図を用いて簡単に説明する。第１図は、
強誘電性液晶であるカイラルスメクティックＣ（以下Ｓ
ｍＣと略す〕液晶の層構造と分子配列を模式的に素子と
して示したものである。第１図において１０１と１０２
は透明電極が設けられた基板であり、この基板間には液
晶分子層２１が基板面に垂直になるように配向したＳｍ
Ｃ相が封入されている。２０１は液晶分子を示し、この
液晶分子２０１はその分子に直交した方向に双極子モー
メント６０１を有している。液晶分子２０１はスメクテ
ィソク相の垂線からある角度（ティルト角）θ傾いてい
ると共に、液晶分子の長軸方向は層から眉へ角度θを一
定に保ちながら、らせん状に回転している。このような
らせん構造を有するＳｍＣ相の相構造、分子配列は素子
の基板間の間隔が厚い時に見られる。第１図のような構
造の素子をらせんピッチ以下、例えば１〜２μｍ程度に
素子の基板間の間隔を薄くすると第２図に示すように液
晶分子のらせん構造がほどけた非らせん構造となり、液
晶分子は２０２あるいは２０６のどちらかの状態をとる
。この場合双極子モーメントは上向き６０２または下向
き６０６のどちらかの状態となり、このような素子に閾
値以上の極性の異なる電界ＥまたはＥを印加すると双極
子モーメントは、電界ＥまたはＥの電界ベクトルに対応
して上向き６０２または下向き６０６に向きを変え、液
晶分子は２０２あるいは２０３のいずれか一方の状態と
なる。このような液晶分子の状態変化は２枚の基板の外
側にそれぞれ偏光板を設置して複屈折型モードとする、
あるいは、液晶層に２色性色素を添加してゲストホスト
型モードとして光学的スイッチング素子とする事ができ
、表示素子、光シヤツター等に応用する事ができる。
（Ｊ、Ｐｈｙｓ、、３６．Ｌ２６９（１９７５））がカ
イラルスメクティックＣ液晶であるＤＱＢＡＭＢＣを合
成し強誘電性を発見して以来、基礎的な研究が始まり、
更にＣ１ａｒｋとＬａｇｅｒｗａｌ １（Ａｐｐｌ、Ｐ
ｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、、３６． ８９９（１９８０）
ン が強誘電性液晶を用いた薄い素子により高速応答
性、メモリー性が得られる事を発表し、実用面からも急
速に認識がされている現状にある。Ｃ１ａｒｋとＬａｇ
ｅｒｗａｌ １が発表した強誘電性液晶を用いた薄い素
子の動作原理を図を用いて簡単に説明する。第１図は、
強誘電性液晶であるカイラルスメクティックＣ（以下Ｓ
ｍＣと略す〕液晶の層構造と分子配列を模式的に素子と
して示したものである。第１図において１０１と１０２
は透明電極が設けられた基板であり、この基板間には液
晶分子層２１が基板面に垂直になるように配向したＳｍ
Ｃ相が封入されている。２０１は液晶分子を示し、この
液晶分子２０１はその分子に直交した方向に双極子モー
メント６０１を有している。液晶分子２０１はスメクテ
ィソク相の垂線からある角度（ティルト角）θ傾いてい
ると共に、液晶分子の長軸方向は層から眉へ角度θを一
定に保ちながら、らせん状に回転している。このような
らせん構造を有するＳｍＣ相の相構造、分子配列は素子
の基板間の間隔が厚い時に見られる。第１図のような構
造の素子をらせんピッチ以下、例えば１〜２μｍ程度に
素子の基板間の間隔を薄くすると第２図に示すように液
晶分子のらせん構造がほどけた非らせん構造となり、液
晶分子は２０２あるいは２０６のどちらかの状態をとる
。この場合双極子モーメントは上向き６０２または下向
き６０６のどちらかの状態となり、このような素子に閾
値以上の極性の異なる電界ＥまたはＥを印加すると双極
子モーメントは、電界ＥまたはＥの電界ベクトルに対応
して上向き６０２または下向き６０６に向きを変え、液
晶分子は２０２あるいは２０３のいずれか一方の状態と
なる。このような液晶分子の状態変化は２枚の基板の外
側にそれぞれ偏光板を設置して複屈折型モードとする、
あるいは、液晶層に２色性色素を添加してゲストホスト
型モードとして光学的スイッチング素子とする事ができ
、表示素子、光シヤツター等に応用する事ができる。
このような動作原理に基づ（強誘電性液晶を用いた素子
は、電圧スイッチングに伴なう光学的応答が高速である
と共に、例えば第２図において、電界Ｅを印加すると液
晶分子は２０２の状態で配向するが、電界を切ってもこ
の状態を保持し、さらに、逆の電界Ｅを印加すると液晶
分子は２０６の状態に配向し電界を切ってもこの状態を
保持するという双安定性、メモリー性という特徴を有す
るものである。
は、電圧スイッチングに伴なう光学的応答が高速である
と共に、例えば第２図において、電界Ｅを印加すると液
晶分子は２０２の状態で配向するが、電界を切ってもこ
の状態を保持し、さらに、逆の電界Ｅを印加すると液晶
分子は２０６の状態に配向し電界を切ってもこの状態を
保持するという双安定性、メモリー性という特徴を有す
るものである。
このような強誘電性液晶を用いる液晶素子において５ｒ
ｒｉ！相の層が基板に対して垂直に配列し、かつ液晶分
子が基板に平行に配列したモノドメインの素子を達成す
る配向処理方法としては、１）−軸配向制御法 ２）シェアリング法 ３）磁場印加法 ４）温度勾配法 ５）スペーサーエツジ法 等が知られている。
ｒｉ！相の層が基板に対して垂直に配列し、かつ液晶分
子が基板に平行に配列したモノドメインの素子を達成す
る配向処理方法としては、１）−軸配向制御法 ２）シェアリング法 ３）磁場印加法 ４）温度勾配法 ５）スペーサーエツジ法 等が知られている。
シェアリング法とは基板をずらせてせん断応力をかげ、
これによって配向させる方法であり、磁場印加法は外部
からの磁場印加による方法、温度勾配法とは、強誘電性
液晶の相変化を利用し温度により一種のエピタキシャル
成長でモノドメインを達成する方法、スペーサーエツジ
法とは一軸性フィルムを利用しモノドメインを達成させ
る方法であり、これらの方法を単独であるいは組合せて
モノドメインを達成させた報告はあるが、強誘電性液晶
を用いる液晶素子の製造を考えた場合、素子製造工程の
装置が大規模になる、大面積化が困難である、量産性が
ない等の理由から工業的には望ましいものではない。こ
れに対し、−軸配向制御法とは、従来のＴＮモードで知
られているポリイミド系樹脂、ＰＶＡ等を配向膜として
、綿、ナイロン等の布でラビングする方法や、Ｓ１０を
蒸着する方法であり、従来技術の延長で強誘電性液晶の
モノドメインを形成する方法である。
これによって配向させる方法であり、磁場印加法は外部
からの磁場印加による方法、温度勾配法とは、強誘電性
液晶の相変化を利用し温度により一種のエピタキシャル
成長でモノドメインを達成する方法、スペーサーエツジ
法とは一軸性フィルムを利用しモノドメインを達成させ
る方法であり、これらの方法を単独であるいは組合せて
モノドメインを達成させた報告はあるが、強誘電性液晶
を用いる液晶素子の製造を考えた場合、素子製造工程の
装置が大規模になる、大面積化が困難である、量産性が
ない等の理由から工業的には望ましいものではない。こ
れに対し、−軸配向制御法とは、従来のＴＮモードで知
られているポリイミド系樹脂、ＰＶＡ等を配向膜として
、綿、ナイロン等の布でラビングする方法や、Ｓ１０を
蒸着する方法であり、従来技術の延長で強誘電性液晶の
モノドメインを形成する方法である。
この−軸配向制御法は、製造工程が簡便である、大面積
化も容易である等の理由から工業的に有利と考えられ、
配向膜の材料による配向性、２枚の基板での配向膜を同
一にする、２枚の基板で異なる配向膜を使う等種々の試
みがなされている。
化も容易である等の理由から工業的に有利と考えられ、
配向膜の材料による配向性、２枚の基板での配向膜を同
一にする、２枚の基板で異なる配向膜を使う等種々の試
みがなされている。
然しなから、これらの方法により液晶素子全体でほぼ均
一なモノドメインは得られるものの、強誘電性液晶を用
いる液晶素子の特徴の一つである双安定性、メモリー性
は液晶素子のみでは達成できず駆動方法を改良してＡＣ
バイアス法（Ｊ、Ｍ。
一なモノドメインは得られるものの、強誘電性液晶を用
いる液晶素子の特徴の一つである双安定性、メモリー性
は液晶素子のみでは達成できず駆動方法を改良してＡＣ
バイアス法（Ｊ、Ｍ。
Ｇｅａｒｙ；ＳＩＤ ＤＩＧＥＳＴ、、１２８（１９
８５））と呼ばれる駆動方法を採用する等、液晶素子と
他の技術を組合せて双安定性、メモリー性を実現してい
る状況にある。
８５））と呼ばれる駆動方法を採用する等、液晶素子と
他の技術を組合せて双安定性、メモリー性を実現してい
る状況にある。
強誘電性液晶素子の電気光学特性は双安定性、メモリー
性がある場合は第３図ｔａ＋に示すような＋Ｖ、−Ｖの
電圧印加に対して第３図（ｂｌに示すよ一定レベルを維
持する。これに対し、メモリー性かない場合は第３図（
Ｃ）に示すように＋Ｖあるいは−Ｖ印加後の光量は時間
と共に変化し一定レベルの光量を保持する事ができない
。これは第２図に示したように１．電圧印加後の液晶分
子２０２あるいは２０６が電圧を切った後、その配向状
態を保持できず配向変化が生じるためであり、この結果
、光量を一定レベルに維持できないものである。このよ
うな双安定性、メモリー性が無い素子に対して、駆動方
法を工夫したＡＣバイアス法とは、例えばその駆動波形
を第４図に示すように、ｖＡｃ電圧を印加し、閾値以上
のパルス印加後に交流波形を重畳し、第２図に示したよ
うに液晶分子２０２あるいは２０６の状態を反転パルス
印加後の交流波形でその状態を保持するものである。
性がある場合は第３図ｔａ＋に示すような＋Ｖ、−Ｖの
電圧印加に対して第３図（ｂｌに示すよ一定レベルを維
持する。これに対し、メモリー性かない場合は第３図（
Ｃ）に示すように＋Ｖあるいは−Ｖ印加後の光量は時間
と共に変化し一定レベルの光量を保持する事ができない
。これは第２図に示したように１．電圧印加後の液晶分
子２０２あるいは２０６が電圧を切った後、その配向状
態を保持できず配向変化が生じるためであり、この結果
、光量を一定レベルに維持できないものである。このよ
うな双安定性、メモリー性が無い素子に対して、駆動方
法を工夫したＡＣバイアス法とは、例えばその駆動波形
を第４図に示すように、ｖＡｃ電圧を印加し、閾値以上
のパルス印加後に交流波形を重畳し、第２図に示したよ
うに液晶分子２０２あるいは２０６の状態を反転パルス
印加後の交流波形でその状態を保持するものである。
本発明の強誘電性液晶素子は、上述したようなＡＣバイ
アス法等を用いずに液晶素子のみで強誘電性液晶素子の
特徴であるメモリー性を実現することを目的とするもの
である。
アス法等を用いずに液晶素子のみで強誘電性液晶素子の
特徴であるメモリー性を実現することを目的とするもの
である。
゛ 本発明の強誘電性液晶素子は、ＩＴＱ等の電極が施
こされた基板に配向膜としてＳｉＱを斜方蒸着してなる
斜方蒸着はＳｉＱの入射角αを基板法線に対して５５度
から８８度の任意の角度を設定して行なう。
こされた基板に配向膜としてＳｉＱを斜方蒸着してなる
斜方蒸着はＳｉＱの入射角αを基板法線に対して５５度
から８８度の任意の角度を設定して行なう。
以下図面に基づいて本発明の詳細な説明する。
第５図は本発明に係る斜方蒸着の説明図で、斜方蒸着は
、ＳｉＱの入射角αを基板１０１の法線に対し５５度か
ら８８度の任意の角度をとるようにする。
、ＳｉＱの入射角αを基板１０１の法線に対し５５度か
ら８８度の任意の角度をとるようにする。
第６図は本発明による強誘電性液晶素子の断面図である
。基板１には電極２が形成され、配向膜６はＳｉＱの８
５度斜方蒸着で膜厚として約３０ＯＡの配向膜が形成さ
れ、２枚の基板の間隔は約２．０μｍである。２枚の基
板の間隔は、ガラスファイバー、プラビーズ、 Ａ１２
ｏｓ 粉末、フィルム、樹脂等をスペーサーとして用い
液晶層４は一定の間隔に保たれている。この素子に強誘
電性液晶であるＣ８−１ｏｌｌ（チッソ株式会社製〕を
封入し、約１００ ’Ｃまで加熱し除冷する事により均
一なモノドメインが得られた。この素子での電気光学特
性を第７図に示す。第７図は＋１０ｖから−１０Ｖの電
圧を掃引した場合の光量変化を示す特性図である。第７
図において電圧印加に対応して光量変化には明確な閾値
が存在すると共に、例えば−１０Ｖの光量は＋Ｖの印加
でも−Ｖでの光量を維持しているというメモリー性のあ
る結果が得られた。比較のために、第８図は配向膜をポ
リイミド系樹脂（ＰＩＸ−５４００日立化成株式会社製
）を用いラビングにより配向膜を形成し前述した方法で
作製した素子の電気光学特性図である。第７図と比較し
、光量変化の閾値は存在せず、また十Ｖ、−Ｖの電圧印
加で光量の維持特性は無くメモリー性が得られない結果
となった。
。基板１には電極２が形成され、配向膜６はＳｉＱの８
５度斜方蒸着で膜厚として約３０ＯＡの配向膜が形成さ
れ、２枚の基板の間隔は約２．０μｍである。２枚の基
板の間隔は、ガラスファイバー、プラビーズ、 Ａ１２
ｏｓ 粉末、フィルム、樹脂等をスペーサーとして用い
液晶層４は一定の間隔に保たれている。この素子に強誘
電性液晶であるＣ８−１ｏｌｌ（チッソ株式会社製〕を
封入し、約１００ ’Ｃまで加熱し除冷する事により均
一なモノドメインが得られた。この素子での電気光学特
性を第７図に示す。第７図は＋１０ｖから−１０Ｖの電
圧を掃引した場合の光量変化を示す特性図である。第７
図において電圧印加に対応して光量変化には明確な閾値
が存在すると共に、例えば−１０Ｖの光量は＋Ｖの印加
でも−Ｖでの光量を維持しているというメモリー性のあ
る結果が得られた。比較のために、第８図は配向膜をポ
リイミド系樹脂（ＰＩＸ−５４００日立化成株式会社製
）を用いラビングにより配向膜を形成し前述した方法で
作製した素子の電気光学特性図である。第７図と比較し
、光量変化の閾値は存在せず、また十Ｖ、−Ｖの電圧印
加で光量の維持特性は無くメモリー性が得られない結果
となった。
本発明の実施例である８５度のＳｉＱ斜方蒸着はネマテ
ィック液晶を用いた場合、約２５度のプレティルト角と
なるものであり、さらに、ネマティック液晶で０度のプ
レティルト角となる６０度のＳｉＱ斜方蒸着を行ない前
述した方法で作製した素子でも第７図と同様のメモリー
性のある電気光学特性が得られろ結果となった。また、
強誘電性液晶材料に関してＣ５−１０１１は誘電率異方
性が負の強誘電性液晶であるが、誘電率異方性が正であ
るＺＬ Ｉ−３０８０（Ｅ、 Ｍｅｒｃｋ製）を用いて
も配向処理をＳｉＯ斜方蒸着とする事でメモリー性を有
する素子を実現できた。このように本発明による配向膜
をＳｉＱ斜方蒸着とした強誘電性液晶素子は、強誘電性
液晶の誘電率異方性の正、負によらず液晶素子のみでメ
モリー性を有するものであり、特にＡＣバイアス法を採
用した場合には誘電率異方性が負の強誘電性液晶のみが
有効であるのに対し、強誘電性液晶の材料選択の幅を広
げるものでもある。
ィック液晶を用いた場合、約２５度のプレティルト角と
なるものであり、さらに、ネマティック液晶で０度のプ
レティルト角となる６０度のＳｉＱ斜方蒸着を行ない前
述した方法で作製した素子でも第７図と同様のメモリー
性のある電気光学特性が得られろ結果となった。また、
強誘電性液晶材料に関してＣ５−１０１１は誘電率異方
性が負の強誘電性液晶であるが、誘電率異方性が正であ
るＺＬ Ｉ−３０８０（Ｅ、 Ｍｅｒｃｋ製）を用いて
も配向処理をＳｉＯ斜方蒸着とする事でメモリー性を有
する素子を実現できた。このように本発明による配向膜
をＳｉＱ斜方蒸着とした強誘電性液晶素子は、強誘電性
液晶の誘電率異方性の正、負によらず液晶素子のみでメ
モリー性を有するものであり、特にＡＣバイアス法を採
用した場合には誘電率異方性が負の強誘電性液晶のみが
有効であるのに対し、強誘電性液晶の材料選択の幅を広
げるものでもある。
上述したように、本発明による強誘電性液晶素子は配向
膜を基板法線に対して５５度から８８度の任意の角度で
のＳｉＱ斜方蒸着とする事で液晶素子のみでメモリー性
を有する結果が得られ、強誘電性液晶を用いる液晶素子
の特徴であるメモＩＪ−性を簡便な方法で達成するもの
であり、本発明の実施例の一つである８５度のＳｉＱ斜
方蒸着を配向膜とした強誘電性液晶素子の場合、電圧除
去後も数週間のメモリー性を有するものであった。さら
にメモリー性により単純マトリクス型液晶素子で駆動デ
ユーティ−比を高くとれる、メモリー性を利用して液晶
素子の全面走査でなく、書き込み、消去を選択して行な
う事ができる等、特に大型液晶表示素子として本発明は
有効なものである。
膜を基板法線に対して５５度から８８度の任意の角度で
のＳｉＱ斜方蒸着とする事で液晶素子のみでメモリー性
を有する結果が得られ、強誘電性液晶を用いる液晶素子
の特徴であるメモＩＪ−性を簡便な方法で達成するもの
であり、本発明の実施例の一つである８５度のＳｉＱ斜
方蒸着を配向膜とした強誘電性液晶素子の場合、電圧除
去後も数週間のメモリー性を有するものであった。さら
にメモリー性により単純マトリクス型液晶素子で駆動デ
ユーティ−比を高くとれる、メモリー性を利用して液晶
素子の全面走査でなく、書き込み、消去を選択して行な
う事ができる等、特に大型液晶表示素子として本発明は
有効なものである。
第１図は一般的な強誘電性液晶のＳｍ♂の相構造と分子
構造を示す説明図、第２図は第１図の基板間の間隔を薄
くした場合の強誘電性液晶の配列を示す説明図、第３図
、第４図は従来技術に係り、第３図は電圧印加に対する
光量変化を示し、第３図（ａ）の印加電圧（＋Ｖ、−Ｖ
）に対し、第３図（ｂ）第５図は本発明に係る斜方蒸着
の説明図、第６図は本発明による強誘電性液晶素子の断
面図であり第７図は実施例によるメモリー性が有る場合
の電圧印加に対する光量変化を示す特性図であり、第８
図はメモリー性が無い場合の光量変化を示す特性図であ
る。 １・・・・・・基板、２・・・・・・電極、６・・・・
・・配向膜、４・・・・・・液晶層、５・・・・・・偏
光板、 ２０１．２０２．２０６・・・・・・液晶分子、６０１
．６０２．６０６・・・・・・電気双極子モーメント。 第６図 第７図 −１０−１０ＥＶ） 第８図
構造を示す説明図、第２図は第１図の基板間の間隔を薄
くした場合の強誘電性液晶の配列を示す説明図、第３図
、第４図は従来技術に係り、第３図は電圧印加に対する
光量変化を示し、第３図（ａ）の印加電圧（＋Ｖ、−Ｖ
）に対し、第３図（ｂ）第５図は本発明に係る斜方蒸着
の説明図、第６図は本発明による強誘電性液晶素子の断
面図であり第７図は実施例によるメモリー性が有る場合
の電圧印加に対する光量変化を示す特性図であり、第８
図はメモリー性が無い場合の光量変化を示す特性図であ
る。 １・・・・・・基板、２・・・・・・電極、６・・・・
・・配向膜、４・・・・・・液晶層、５・・・・・・偏
光板、 ２０１．２０２．２０６・・・・・・液晶分子、６０１
．６０２．６０６・・・・・・電気双極子モーメント。 第６図 第７図 −１０−１０ＥＶ） 第８図
Claims (1)
- 電極を備えた少なくとも一方が透明である２枚の基板間
に強誘電性液晶を挾み、前記２枚の基板間の前記強誘電
性液晶を非らせん構造として用いる強誘電性液晶素子に
おいて、前記２枚の基板に施される配向処理が前記基板
の法線に対して５５度から８８度の角度でなされるＳｉ
Ｏ斜方蒸着である事を特徴とする強誘電性液晶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP313986A JPS62161122A (ja) | 1986-01-10 | 1986-01-10 | 強誘電性液晶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP313986A JPS62161122A (ja) | 1986-01-10 | 1986-01-10 | 強誘電性液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62161122A true JPS62161122A (ja) | 1987-07-17 |
Family
ID=11549015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP313986A Pending JPS62161122A (ja) | 1986-01-10 | 1986-01-10 | 強誘電性液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62161122A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6366533A (ja) * | 1986-09-09 | 1988-03-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電性液晶パネル |
| JPS6478234A (en) * | 1987-09-19 | 1989-03-23 | Nippon Denso Co | Matrix type liquid crystal display device |
| US5781266A (en) * | 1993-09-27 | 1998-07-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ferroelectric liquid crystal display device and method for producing the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60156043A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-16 | Canon Inc | カイラルスメクティック液晶素子 |
-
1986
- 1986-01-10 JP JP313986A patent/JPS62161122A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60156043A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-16 | Canon Inc | カイラルスメクティック液晶素子 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6366533A (ja) * | 1986-09-09 | 1988-03-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電性液晶パネル |
| JPS6478234A (en) * | 1987-09-19 | 1989-03-23 | Nippon Denso Co | Matrix type liquid crystal display device |
| US5781266A (en) * | 1993-09-27 | 1998-07-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ferroelectric liquid crystal display device and method for producing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2647828B2 (ja) | 液晶素子の製造法 | |
| JPH01177016A (ja) | 強誘電性液晶シャッタ | |
| EP0645662B1 (en) | A liquid crystal display device | |
| JPS62161122A (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JPH0743476B2 (ja) | 液晶光変調素子 | |
| JPH05297402A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2880807B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR0161377B1 (ko) | 강유전성 액정표시소자 | |
| JPH0210323A (ja) | 強誘電性液晶表示素子 | |
| JPH07306421A (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JPS61205920A (ja) | 液晶素子 | |
| JPH07181495A (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JP3062978B2 (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JP2704821B2 (ja) | 液晶素子 | |
| JPH01137237A (ja) | 強誘電性液晶表示素子 | |
| JPH02247616A (ja) | 高分子液晶素子 | |
| JPS62295021A (ja) | 液晶素子の製造方法 | |
| JPH05297374A (ja) | 液晶光学素子及びその表示方法 | |
| JPS63159825A (ja) | 液晶電気光学素子の製造方法 | |
| JPS61267028A (ja) | 液晶の配向制御法 | |
| JPS61208030A (ja) | 液晶素子 | |
| JPH0195187A (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| JPH0261616A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPH04142514A (ja) | 強誘電性液晶装置 | |
| JPS6361234A (ja) | 液晶電気光学装置 |