JPH05297374A - 液晶光学素子及びその表示方法 - Google Patents
液晶光学素子及びその表示方法Info
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- JPH05297374A JPH05297374A JP12137092A JP12137092A JPH05297374A JP H05297374 A JPH05297374 A JP H05297374A JP 12137092 A JP12137092 A JP 12137092A JP 12137092 A JP12137092 A JP 12137092A JP H05297374 A JPH05297374 A JP H05297374A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 双安定性を不要にして、比較的厚い液晶素子
でも所望の表示特性を実現すると共に、製造を容易に
し、かつ、駆動信号の波形を簡素化してコスト低減を図
る。 【構成】 強誘電性液晶材料6を一対の電極付き基板
(12,14,16及び22,24,26)間に挟持し
て構成し、スメクチック層法線が電極面内でほぼ一様に
揃うとともに、電圧の非印加時には液晶分子の配向方向
の角度が上下電極間で少なくとも20度以上ねじれた構
造を熱的に安定に保ち、かつ、電圧の印加時には、強誘
電性液晶材料の分子がほぼ一方向に揃うようにする。
でも所望の表示特性を実現すると共に、製造を容易に
し、かつ、駆動信号の波形を簡素化してコスト低減を図
る。 【構成】 強誘電性液晶材料6を一対の電極付き基板
(12,14,16及び22,24,26)間に挟持し
て構成し、スメクチック層法線が電極面内でほぼ一様に
揃うとともに、電圧の非印加時には液晶分子の配向方向
の角度が上下電極間で少なくとも20度以上ねじれた構
造を熱的に安定に保ち、かつ、電圧の印加時には、強誘
電性液晶材料の分子がほぼ一方向に揃うようにする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子機器あるいは各種
情報表示機器等の液晶表示装置などとしてされる液晶光
学素子及びその表示方法に関する。
情報表示機器等の液晶表示装置などとしてされる液晶光
学素子及びその表示方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、強誘電性液晶材料の双安定性を利
用した液晶表示素子を製造するには、良好な双安定性を
実現させるために液晶材料自体の特性が重要となってい
た。そして、液晶素子の液晶層の厚みを1ミクロン近く
に薄くする必要があり、さらに配向制御を精密に行わな
ければならなかった。また、駆動信号は、複雑な波形電
圧を印加しなければならない等の難しさがあった。
用した液晶表示素子を製造するには、良好な双安定性を
実現させるために液晶材料自体の特性が重要となってい
た。そして、液晶素子の液晶層の厚みを1ミクロン近く
に薄くする必要があり、さらに配向制御を精密に行わな
ければならなかった。また、駆動信号は、複雑な波形電
圧を印加しなければならない等の難しさがあった。
【0003】このような課題を改善した例として、特願
平3ー230920号公報に記載された「液晶パネルの
駆動方法」を挙げることが出来る。この特願平3ー23
0920号の「液晶パネルの駆動方法」は、片安定性の
みを有するか、又は双安定性の不良な液晶素子に対し
て、配向緩和時間内に再度書込みパルスを印加して駆動
する方法としてある。
平3ー230920号公報に記載された「液晶パネルの
駆動方法」を挙げることが出来る。この特願平3ー23
0920号の「液晶パネルの駆動方法」は、片安定性の
みを有するか、又は双安定性の不良な液晶素子に対し
て、配向緩和時間内に再度書込みパルスを印加して駆動
する方法としてある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この従来の「液晶パネ
ルの駆動方法」に示す液晶素子では、片安定性のみを有
するか、又は双安定性の不良な液晶素子に対して、配向
緩和時間内に再度書込みパルスを印加して駆動するよう
にしている。しかし、この場合、通常状態で液晶層に内
部電界が存在することが多く、動作の長期安定性を得に
くいことがある。
ルの駆動方法」に示す液晶素子では、片安定性のみを有
するか、又は双安定性の不良な液晶素子に対して、配向
緩和時間内に再度書込みパルスを印加して駆動するよう
にしている。しかし、この場合、通常状態で液晶層に内
部電界が存在することが多く、動作の長期安定性を得に
くいことがある。
【0005】本発明は、上記問題点にかんがみてなされ
たものであり、双安定性を不要にして、比較的厚い液晶
素子でも所望の表示特性を実現でき、その製造が容易に
なるとともに、双安定性利用方式と比較して駆動信号波
形を簡素化でき、コスト低減を図れる液晶光学素子及び
その表示方法の提供を目的とする。
たものであり、双安定性を不要にして、比較的厚い液晶
素子でも所望の表示特性を実現でき、その製造が容易に
なるとともに、双安定性利用方式と比較して駆動信号波
形を簡素化でき、コスト低減を図れる液晶光学素子及び
その表示方法の提供を目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、強誘電性液晶材料を一対の電極付き基板間に挟持し
てなる本発明の液晶光学素子は、スメクチック層法線が
電極面内でほぼ一様に揃うとともに、電圧の非印加時
は、液晶分子の配向方向の角度が上下電極間で少なくと
も20度ねじれた構造を熱的に安定に保ち、かつ、電圧
の印加時には、強誘電性液晶材料の分子がほぼ一方向に
揃う構成としてあり、好ましくは、電極付き基板を可撓
性を有する材料で形成し、さらに、電極付き基板の少な
くとも一方の電極面上に配向制御膜を備えた構成として
ある。
め、強誘電性液晶材料を一対の電極付き基板間に挟持し
てなる本発明の液晶光学素子は、スメクチック層法線が
電極面内でほぼ一様に揃うとともに、電圧の非印加時
は、液晶分子の配向方向の角度が上下電極間で少なくと
も20度ねじれた構造を熱的に安定に保ち、かつ、電圧
の印加時には、強誘電性液晶材料の分子がほぼ一方向に
揃う構成としてあり、好ましくは、電極付き基板を可撓
性を有する材料で形成し、さらに、電極付き基板の少な
くとも一方の電極面上に配向制御膜を備えた構成として
ある。
【0007】また、本発明の液晶光学素子における表示
方法は、上記液晶光学素子で表示を行う際に、時間平均
がゼロでない電圧を印加したときの強誘電性液晶材料の
分子の平均的方向と、電圧が実質的にゼロであるときの
ねじれ状態との間の光学的な差を用いて表示を行う方法
としてある。
方法は、上記液晶光学素子で表示を行う際に、時間平均
がゼロでない電圧を印加したときの強誘電性液晶材料の
分子の平均的方向と、電圧が実質的にゼロであるときの
ねじれ状態との間の光学的な差を用いて表示を行う方法
としてある。
【0008】以下、本発明の液晶光学素子及びその表示
方法を図面を参照して説明する。液晶素子は、強誘電性
液晶材料を一対の電極付き基板間に挟持した構成とし、
スメクチック層法線が電極面内でほぼ一方向に揃い、カ
イラルスメクチックC相(SmC* )などの強誘電相に
おいて電圧を印加しないときには、液晶分子の向きの角
度が上下基板間で少なくとも20°以上ねじれた構造と
し、かつ、この構造を熱的に安定に保ち、また電圧印加
時にのみ液晶分子がほぼ一方向に揃うようにする。すな
わち、所望のコントラスト比などの特性を得る構成とす
る。
方法を図面を参照して説明する。液晶素子は、強誘電性
液晶材料を一対の電極付き基板間に挟持した構成とし、
スメクチック層法線が電極面内でほぼ一方向に揃い、カ
イラルスメクチックC相(SmC* )などの強誘電相に
おいて電圧を印加しないときには、液晶分子の向きの角
度が上下基板間で少なくとも20°以上ねじれた構造と
し、かつ、この構造を熱的に安定に保ち、また電圧印加
時にのみ液晶分子がほぼ一方向に揃うようにする。すな
わち、所望のコントラスト比などの特性を得る構成とす
る。
【0009】ここで、強誘電性液晶材料としては、強誘
電性低分子液晶、強誘電性高分子液晶、又はこれらの混
合物などが挙げられる。強誘電性低分子液晶としては、
例えば、一種又は二種以上の強誘電性低分子液晶、一種
又は二種以上の強誘電性低分子液晶と他の低分子液晶等
の混合物からなる強誘電性低分子液晶などを挙げること
ができる。また、強誘電性高分子液晶としては、例え
ば、一種又は二種以上の強誘電性高分子液晶、一種又は
二種以上の強誘電性低分子液晶と一種又は二種以上の強
誘電性高分子液晶からなる強誘電性高分子液晶、一種又
は二種以上の強誘電性低分子液晶と一種又は二種以上の
他の高分子液晶等からなる強誘電性高分子液晶などを挙
げることができる。すなわち、前記強誘電性高分子液晶
としては、ポリマー分子自体が強誘電性の液晶特性を示
す強誘電性高分子液晶(ホモポリマーまたはコポリマー
またはそれらの混合物)、強誘電性高分子液晶と他の高
分子液晶及び/又は通常のポリマーとの混合物、強誘電
性高分子液晶と強誘電性低分子液晶との混合物、強誘電
性高分子液晶と強誘電性低分子液晶と高分子液晶及び/
又は通常のポリマーとの混合物、あるいは、これらと通
常の低分子液晶との混合物などの、すべての強誘電性を
示す高分子液晶を使用することができる。前記強誘電性
高分子液晶の中でも、例えば、カイラルスメクチックC
相をとる側鎖型強誘電性高分子液晶が好適に使用され
る。
電性低分子液晶、強誘電性高分子液晶、又はこれらの混
合物などが挙げられる。強誘電性低分子液晶としては、
例えば、一種又は二種以上の強誘電性低分子液晶、一種
又は二種以上の強誘電性低分子液晶と他の低分子液晶等
の混合物からなる強誘電性低分子液晶などを挙げること
ができる。また、強誘電性高分子液晶としては、例え
ば、一種又は二種以上の強誘電性高分子液晶、一種又は
二種以上の強誘電性低分子液晶と一種又は二種以上の強
誘電性高分子液晶からなる強誘電性高分子液晶、一種又
は二種以上の強誘電性低分子液晶と一種又は二種以上の
他の高分子液晶等からなる強誘電性高分子液晶などを挙
げることができる。すなわち、前記強誘電性高分子液晶
としては、ポリマー分子自体が強誘電性の液晶特性を示
す強誘電性高分子液晶(ホモポリマーまたはコポリマー
またはそれらの混合物)、強誘電性高分子液晶と他の高
分子液晶及び/又は通常のポリマーとの混合物、強誘電
性高分子液晶と強誘電性低分子液晶との混合物、強誘電
性高分子液晶と強誘電性低分子液晶と高分子液晶及び/
又は通常のポリマーとの混合物、あるいは、これらと通
常の低分子液晶との混合物などの、すべての強誘電性を
示す高分子液晶を使用することができる。前記強誘電性
高分子液晶の中でも、例えば、カイラルスメクチックC
相をとる側鎖型強誘電性高分子液晶が好適に使用され
る。
【0010】強誘電性液晶化合物の例としては、デシロ
キシベンジリデン−P’−アミノ−2−メチルブチルシ
ンナメート(DOBAMBC)、ヘキシルオキシベンジ
リデン−P’−アミノ−2−クロロプロピルシンナメー
ト(HOBACPC)および4−o−(2−メチル)−
ブチルレゾルシリデン−4’−オクチルアニリン(MB
RA8)等が挙げられる。これらの材料を用いて、素子
を構成する場合、液晶化合物が、SmC* 相又はSmH
* 相となるような温度状態に保持する、必要に応じて素
子をヒーターが埋め込まれた銅ブロック等により支持す
ることができる。また、本発明では前述のSmC* ,S
mH*の他にカイラルスメクチックF相,I相,J相,
G相やK相で現われる強誘電性液晶を用いることも可能
である。さらに、強誘電性液晶組成物には、必要に応じ
て、接着剤,減粘剤,非液晶カイラル化合物,色素等が
含まれる。上述のように、強誘電性液晶材料であれば制
限されないが、コーン角2θは20°以上のものとする
必要がある。コーン角2θが20°よりも小さいとコン
トラストが低下することがある。
キシベンジリデン−P’−アミノ−2−メチルブチルシ
ンナメート(DOBAMBC)、ヘキシルオキシベンジ
リデン−P’−アミノ−2−クロロプロピルシンナメー
ト(HOBACPC)および4−o−(2−メチル)−
ブチルレゾルシリデン−4’−オクチルアニリン(MB
RA8)等が挙げられる。これらの材料を用いて、素子
を構成する場合、液晶化合物が、SmC* 相又はSmH
* 相となるような温度状態に保持する、必要に応じて素
子をヒーターが埋め込まれた銅ブロック等により支持す
ることができる。また、本発明では前述のSmC* ,S
mH*の他にカイラルスメクチックF相,I相,J相,
G相やK相で現われる強誘電性液晶を用いることも可能
である。さらに、強誘電性液晶組成物には、必要に応じ
て、接着剤,減粘剤,非液晶カイラル化合物,色素等が
含まれる。上述のように、強誘電性液晶材料であれば制
限されないが、コーン角2θは20°以上のものとする
必要がある。コーン角2θが20°よりも小さいとコン
トラストが低下することがある。
【0011】電極付可撓性電極基板としては、例えば、
一軸又は二軸延伸ポリエチレンテレフタレートなどの結
晶性ポリマー、ポリスルホン、ポリエーテルスルホンな
どの非結晶性ポリマー、ポリエチレン、ポリプロピレン
などのポリオレフィン、ポリカーボネット、ナイロンな
どのポリアミド等を挙げることができる。これらの中で
も、特に一軸又は二軸延伸ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエーテルスルホンなどが好ましい。本発明にお
いて、前記二枚の可撓性基板は、互いに同じ材質のもの
であってもよく、又は相違する材質のものであってもよ
いが、通常、上記の二枚の基板のうち少なくとも一方の
基板を光学的に透明なものとし、透明な電極を設けて使
用する。
一軸又は二軸延伸ポリエチレンテレフタレートなどの結
晶性ポリマー、ポリスルホン、ポリエーテルスルホンな
どの非結晶性ポリマー、ポリエチレン、ポリプロピレン
などのポリオレフィン、ポリカーボネット、ナイロンな
どのポリアミド等を挙げることができる。これらの中で
も、特に一軸又は二軸延伸ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエーテルスルホンなどが好ましい。本発明にお
いて、前記二枚の可撓性基板は、互いに同じ材質のもの
であってもよく、又は相違する材質のものであってもよ
いが、通常、上記の二枚の基板のうち少なくとも一方の
基板を光学的に透明なものとし、透明な電極を設けて使
用する。
【0012】可撓性基板上に形成される液晶駆動用電極
群の形成材料としては、導電性を有する材料であれば特
に制限されないが、少なくとも一方の電極には、導電性
及び透明性の両性質を有する材料を用いることが好まし
い。具体的には、例えば、酸化インジウム又は酸化イン
ジウムと酸化錫との混合物からなるITO ( IndiumTin
Oxide ) 膜等の透明電極が好適に使用される。可撓性
基板上に液晶駆動用電極を形成する方法は特に制限され
ず、従来より公知の蒸着、スパッタリング等の方法によ
って形成される。強誘電性液晶材料の挟持方法は、特に
限定されず、また、挟持方法によっては強誘電性液晶材
料は配向しなくてもよい。
群の形成材料としては、導電性を有する材料であれば特
に制限されないが、少なくとも一方の電極には、導電性
及び透明性の両性質を有する材料を用いることが好まし
い。具体的には、例えば、酸化インジウム又は酸化イン
ジウムと酸化錫との混合物からなるITO ( IndiumTin
Oxide ) 膜等の透明電極が好適に使用される。可撓性
基板上に液晶駆動用電極を形成する方法は特に制限され
ず、従来より公知の蒸着、スパッタリング等の方法によ
って形成される。強誘電性液晶材料の挟持方法は、特に
限定されず、また、挟持方法によっては強誘電性液晶材
料は配向しなくてもよい。
【0013】配向方法、すなわち、スメクチック層法線
の揃え方は、周知の配向法、例えば、ラビング法、斜方
蒸着法、温度勾配法、剪断法などを用いることができ
る。好ましくはプラスチック基板を用い、曲げ配向法な
どを利用する。
の揃え方は、周知の配向法、例えば、ラビング法、斜方
蒸着法、温度勾配法、剪断法などを用いることができ
る。好ましくはプラスチック基板を用い、曲げ配向法な
どを利用する。
【0014】ねじれ構造の作り方は、以下の作製方法
(1),(2),(3)を用いる。作製方法(1)で
は、従来のTN(ツイステッドネマチック)型、STN
(スーパーツイステッドネマチック)型と同様に上下電
極面にそれぞれ方向の異なる配向制御膜を設ける。図1
(a)は、この上下電極面にそれぞれ方向の異なる配向
制御膜を設けた構成を示している。図1(a)におい
て、液晶材料6は上側配向制御膜12と、下側配向制御
膜22との間に配置される。上側配向制御膜12には上
側電極14が接合し、さらに上側電極14に上側基板1
6を接合している。同様に、下側配向制御膜22には下
側電極24が接合し、さらに下側電極24に下側基板2
6が接合して液晶光学素子が構成されている。上側電極
14と下側電極24には配向制御能を付与する。具体的
には有機膜を設けてラビング処理し、あるいは無機の有
機物を斜方蒸着して作製する。この構成の液晶素子で
は、図1(b)に示すように配向処理方向を上下基板で
相互に逆向きにねじれた方向とし、スメクチック層法線
からの角度をそれぞれ−α、+α又は+α、−αとす
る。この角度αは液晶材料のチルト角θに近いことが好
ましい。このように上下基板の配向制御能によって液晶
材料を配向させる。この場合、セル厚は1〜10μmと
する。
(1),(2),(3)を用いる。作製方法(1)で
は、従来のTN(ツイステッドネマチック)型、STN
(スーパーツイステッドネマチック)型と同様に上下電
極面にそれぞれ方向の異なる配向制御膜を設ける。図1
(a)は、この上下電極面にそれぞれ方向の異なる配向
制御膜を設けた構成を示している。図1(a)におい
て、液晶材料6は上側配向制御膜12と、下側配向制御
膜22との間に配置される。上側配向制御膜12には上
側電極14が接合し、さらに上側電極14に上側基板1
6を接合している。同様に、下側配向制御膜22には下
側電極24が接合し、さらに下側電極24に下側基板2
6が接合して液晶光学素子が構成されている。上側電極
14と下側電極24には配向制御能を付与する。具体的
には有機膜を設けてラビング処理し、あるいは無機の有
機物を斜方蒸着して作製する。この構成の液晶素子で
は、図1(b)に示すように配向処理方向を上下基板で
相互に逆向きにねじれた方向とし、スメクチック層法線
からの角度をそれぞれ−α、+α又は+α、−αとす
る。この角度αは液晶材料のチルト角θに近いことが好
ましい。このように上下基板の配向制御能によって液晶
材料を配向させる。この場合、セル厚は1〜10μmと
する。
【0015】作製方法(2)では、図1(a)に示す構
成の上下基板の一方のみに、スメクチック層法線から+
α又は−α角度の方向に配向制御能を持たせ、配向制御
自体は剪断法で行う。図2に示すように、配向処理方向
αに剪断を与えることでスメクチック層法線は、それと
直角な方向に揃う。セル厚を3μm以上とする、これに
よって一般には双安定性がくずれてねじれ状態が安定な
液晶素子を形成できる。
成の上下基板の一方のみに、スメクチック層法線から+
α又は−α角度の方向に配向制御能を持たせ、配向制御
自体は剪断法で行う。図2に示すように、配向処理方向
αに剪断を与えることでスメクチック層法線は、それと
直角な方向に揃う。セル厚を3μm以上とする、これに
よって一般には双安定性がくずれてねじれ状態が安定な
液晶素子を形成できる。
【0016】作製方法(3)では、上記作製方法
(1),(2)に対して上下基板ともに配向制御能を付
与せずに、剪断のみによって配向させる(図示せず)。
セル厚は3μm以上とする。なお、これらの作製方法
(1),(2),(3)に限定されない。すなわち、ね
じれ構造を準安定ではなく熱的安定に保持できれば良
い。
(1),(2)に対して上下基板ともに配向制御能を付
与せずに、剪断のみによって配向させる(図示せず)。
セル厚は3μm以上とする。なお、これらの作製方法
(1),(2),(3)に限定されない。すなわち、ね
じれ構造を準安定ではなく熱的安定に保持できれば良
い。
【0017】次に、液晶光学素子の表示方法について説
明する。前記液晶素子に電圧が印加されない場合、ねじ
れ構造を有し、電圧を印加したときは、通常の強誘電性
液晶素子と同様にスメクチック層法線から+θまたは−
θの角度だけ傾いた方向に傾斜させ、これらの状態間の
光学的差異を開いて表示を行う。この表示方法は限定さ
れないが以下、二つの例を挙げて説明する。例(1)で
は、複屈析効果を用いる場合に一枚の偏光板を用いて反
射型として表示を行う。図3は、この一枚の偏光板を用
いた反射型液晶光学素子の分解構成を示している。図3
における反射型液晶光学素子例は偏光板30と、液晶セ
ル32、この液晶セル32の下側に配置される反射板3
4とを有している。図4(a)(b)は、図3に示す液
晶光学素子の動作状態を示している。図4(a)におい
て、電圧がゼロのときに液晶材料がねじれ構造を偏光軸
を上基板側の液晶分子の配向方向に合わせておくと入射
光の偏光面は、液晶材料の配向方向に応じて、ねじれな
がら下基板に到達する。同様にして反射光が元の方向に
ねじれながら上基板及び偏光板30を通じて返ってく
る。したがって、このときの表示は明状態となる。図4
(b)において、電圧を印加して偏光軸と逆向きに傾い
た一様構造にすると、この液晶セルの複屈折の大きさに
応じた着色が生じる。したがって、これらの二つの状態
によってオン又はオフ表示が可能になる。
明する。前記液晶素子に電圧が印加されない場合、ねじ
れ構造を有し、電圧を印加したときは、通常の強誘電性
液晶素子と同様にスメクチック層法線から+θまたは−
θの角度だけ傾いた方向に傾斜させ、これらの状態間の
光学的差異を開いて表示を行う。この表示方法は限定さ
れないが以下、二つの例を挙げて説明する。例(1)で
は、複屈析効果を用いる場合に一枚の偏光板を用いて反
射型として表示を行う。図3は、この一枚の偏光板を用
いた反射型液晶光学素子の分解構成を示している。図3
における反射型液晶光学素子例は偏光板30と、液晶セ
ル32、この液晶セル32の下側に配置される反射板3
4とを有している。図4(a)(b)は、図3に示す液
晶光学素子の動作状態を示している。図4(a)におい
て、電圧がゼロのときに液晶材料がねじれ構造を偏光軸
を上基板側の液晶分子の配向方向に合わせておくと入射
光の偏光面は、液晶材料の配向方向に応じて、ねじれな
がら下基板に到達する。同様にして反射光が元の方向に
ねじれながら上基板及び偏光板30を通じて返ってく
る。したがって、このときの表示は明状態となる。図4
(b)において、電圧を印加して偏光軸と逆向きに傾い
た一様構造にすると、この液晶セルの複屈折の大きさに
応じた着色が生じる。したがって、これらの二つの状態
によってオン又はオフ表示が可能になる。
【0018】次に、複屈析効果を用いる際に、二枚の偏
光板を用いた透過型として表示を行なう。図5は、この
二枚の偏光板を用いた透過型液晶光学素子の構成を示し
ている。図5において、この例は、偏光板40,42間
に、液晶セル44を設けている。図6(a)(b)は、
図5に示す液晶光学素子の動作状態を示している。図6
(a)において、電圧ゼロのときはTN型液晶と同様
に、明状態の表示となる。また、図6(b)において、
電圧印加時には偏光軸の一方方向にほぼ揃うため暗状態
の表示となる。なお、必要に応じて反射板を偏光板の外
側に設けて反射型としてもよい。
光板を用いた透過型として表示を行なう。図5は、この
二枚の偏光板を用いた透過型液晶光学素子の構成を示し
ている。図5において、この例は、偏光板40,42間
に、液晶セル44を設けている。図6(a)(b)は、
図5に示す液晶光学素子の動作状態を示している。図6
(a)において、電圧ゼロのときはTN型液晶と同様
に、明状態の表示となる。また、図6(b)において、
電圧印加時には偏光軸の一方方向にほぼ揃うため暗状態
の表示となる。なお、必要に応じて反射板を偏光板の外
側に設けて反射型としてもよい。
【0019】次に、例(2)では、ゲストホスト効果を
用いる場合、液晶材料に2色性色素を混合して液晶材料
自体に吸光能を持たせることで偏光板を一枚にしても透
過型液晶素子を作製できる。例えば、図3に示す構成に
あって、反射板34のみを除いた構成を挙げることが出
来る。この場合も電圧を印加しないときには明表示状態
となり、また電圧印加時には2色性色素の色に対応する
着色状態となる。
用いる場合、液晶材料に2色性色素を混合して液晶材料
自体に吸光能を持たせることで偏光板を一枚にしても透
過型液晶素子を作製できる。例えば、図3に示す構成に
あって、反射板34のみを除いた構成を挙げることが出
来る。この場合も電圧を印加しないときには明表示状態
となり、また電圧印加時には2色性色素の色に対応する
着色状態となる。
【0020】
【作用】上記構成からなる液晶光学素子によれば、スメ
クチック層法線が電極面内でほぼ一様に揃うとともに、
電圧の非印加時は、液晶分子の配向方向の角度が上下電
極間で少なくとも20度ねじれた構造を熱的に安定に保
ち、かつ、電圧の印加時には、強誘電性液晶材料の分子
がほぼ一方向に揃う。すなわち、所望のコントラスト比
などの特性を得られる。
クチック層法線が電極面内でほぼ一様に揃うとともに、
電圧の非印加時は、液晶分子の配向方向の角度が上下電
極間で少なくとも20度ねじれた構造を熱的に安定に保
ち、かつ、電圧の印加時には、強誘電性液晶材料の分子
がほぼ一方向に揃う。すなわち、所望のコントラスト比
などの特性を得られる。
【0021】
【実施例】以下、本発明の液晶光学素子及びその表示方
法を実施例によってさらに詳細に説明するが、本発明は
これに限定されるものではない。 実施例1 長尺のITO電極付きポリエーテルスルホン(PES)
基板(厚み100μm、幅150mm、長さ20m)の
ITO電極面にポリスチレン(分子量Mw=2×10
5 )の2重量%トルエン溶液をグラビアコーターを用い
て塗布製膜した。溶媒蒸発後ローラを用いてラビング処
理を行った。図7は、このラビング処理の状態を示し、
図8は、図7を側面から見た状態を示している。図7に
おいて、この例は、鉄製ボビンなどにラビング用布を巻
いたローラ52で基板54にラビング処理を行う。この
場合のローラ52は直径φ100mm、その全長を30
0mmとし、さらに回転数を100rpmとした。基板
54のライン速度Vを10m/minとした。また、ロ
ーラ52の中心軸線と基板54の移動方向線との角度θ
を20°とした。さらに、図8に示すようにローラ52
の押圧力を0.5Kgとし、基板54の張力を3Kgと
した。
法を実施例によってさらに詳細に説明するが、本発明は
これに限定されるものではない。 実施例1 長尺のITO電極付きポリエーテルスルホン(PES)
基板(厚み100μm、幅150mm、長さ20m)の
ITO電極面にポリスチレン(分子量Mw=2×10
5 )の2重量%トルエン溶液をグラビアコーターを用い
て塗布製膜した。溶媒蒸発後ローラを用いてラビング処
理を行った。図7は、このラビング処理の状態を示し、
図8は、図7を側面から見た状態を示している。図7に
おいて、この例は、鉄製ボビンなどにラビング用布を巻
いたローラ52で基板54にラビング処理を行う。この
場合のローラ52は直径φ100mm、その全長を30
0mmとし、さらに回転数を100rpmとした。基板
54のライン速度Vを10m/minとした。また、ロ
ーラ52の中心軸線と基板54の移動方向線との角度θ
を20°とした。さらに、図8に示すようにローラ52
の押圧力を0.5Kgとし、基板54の張力を3Kgと
した。
【0022】このようにしてラビング処理した基板54
を20mずつ用意して、その中の一方の電極側の面に、
メルクジャパン製の強誘電性液晶組成物ZLI−465
5−100とポリメチルメタクリレート(PMMA:分
子量Mw=1×104 )の95:5(重量比)の混合物
のジクロルメタンの30重量%溶液をダイレクトグラビ
アコータで塗布製膜して溶媒蒸発後約4μmの膜厚を得
た。次に、上記対向基板をラミネート後、長さ500m
m分を切出して150mm×500mmの液晶素子とし
た。上下電極間に室温で直流40Vを印加しながら全体
に一様なたわみ変形を与えてスメクチック層法線を液晶
素子の短手方向に揃えた。本液晶素子を偏光顕微鏡で観
察したところ、電圧を印加しないときには、約40°の
ねじれ構造となっており、電圧を+5Vまたは−5V印
加したときには、液晶素子の光学的主軸がスメクチック
層法線に対してそれぞれ+20°又は−20°に一様に
配向した。
を20mずつ用意して、その中の一方の電極側の面に、
メルクジャパン製の強誘電性液晶組成物ZLI−465
5−100とポリメチルメタクリレート(PMMA:分
子量Mw=1×104 )の95:5(重量比)の混合物
のジクロルメタンの30重量%溶液をダイレクトグラビ
アコータで塗布製膜して溶媒蒸発後約4μmの膜厚を得
た。次に、上記対向基板をラミネート後、長さ500m
m分を切出して150mm×500mmの液晶素子とし
た。上下電極間に室温で直流40Vを印加しながら全体
に一様なたわみ変形を与えてスメクチック層法線を液晶
素子の短手方向に揃えた。本液晶素子を偏光顕微鏡で観
察したところ、電圧を印加しないときには、約40°の
ねじれ構造となっており、電圧を+5Vまたは−5V印
加したときには、液晶素子の光学的主軸がスメクチック
層法線に対してそれぞれ+20°又は−20°に一様に
配向した。
【0023】本液晶素子を図5、図6のように偏光軸の
角度をスメクチック層法線に対して±20°傾けた配置
とし、その間に上記液晶素子を挟んだところ、電圧を印
加しないときには透明状態となり、また電圧を2V以上
印加したときに表示が暗状態となった。この場合のコン
トラスト比は約20であった。 実施例2
角度をスメクチック層法線に対して±20°傾けた配置
とし、その間に上記液晶素子を挟んだところ、電圧を印
加しないときには透明状態となり、また電圧を2V以上
印加したときに表示が暗状態となった。この場合のコン
トラスト比は約20であった。 実施例2
【0024】
【化1】
【0025】上記液晶材料を、20重量%アセトン溶液
とし、実施例1で用いたと同じ基板(ただし、ポリスチ
レンを塗布していない)の電極面にグラビアコーターを
用いて塗布製膜し、膜厚5μmの液晶膜を得た。対向基
板を電極面が直接液晶層に接するようにラミネートして
液晶素子を作製した。その後、長さ500mmを切出し
て室温で電圧±60V、周波数10Hzの交流矩形波電
圧を印加しながら曲げ変形を与えて、スメクチック層法
線が液晶素子の短手方向になるように配向処理した。本
液晶素子に電圧を印加しないときには、上下基板間で分
子の方向角度が約50°のねじれ構造になっていた。そ
して、図9に示すように、角度が素子62のスメクチッ
ク層法線から25°だけ傾いた偏光板64を一枚積層し
て液晶素子を完成させた。電圧を印加しないときには明
状態、5Vの直流を印加したときには表示は黒色とな
り、そのときのコントラスト比は15であった。
とし、実施例1で用いたと同じ基板(ただし、ポリスチ
レンを塗布していない)の電極面にグラビアコーターを
用いて塗布製膜し、膜厚5μmの液晶膜を得た。対向基
板を電極面が直接液晶層に接するようにラミネートして
液晶素子を作製した。その後、長さ500mmを切出し
て室温で電圧±60V、周波数10Hzの交流矩形波電
圧を印加しながら曲げ変形を与えて、スメクチック層法
線が液晶素子の短手方向になるように配向処理した。本
液晶素子に電圧を印加しないときには、上下基板間で分
子の方向角度が約50°のねじれ構造になっていた。そ
して、図9に示すように、角度が素子62のスメクチッ
ク層法線から25°だけ傾いた偏光板64を一枚積層し
て液晶素子を完成させた。電圧を印加しないときには明
状態、5Vの直流を印加したときには表示は黒色とな
り、そのときのコントラスト比は15であった。
【0026】
【発明の効果】以上のように、本発明の液晶光学素子及
びその表示方法によれば、双安定性を不要にして、比較
的厚い液晶素子でも所望の表示特性を実現でき、さら
に、双安定性の利用方式と比較した場合の駆動信号の波
形を簡素化できるという効果を有する。
びその表示方法によれば、双安定性を不要にして、比較
的厚い液晶素子でも所望の表示特性を実現でき、さら
に、双安定性の利用方式と比較した場合の駆動信号の波
形を簡素化できるという効果を有する。
【図1】(a)は本発明の一例に係る液晶光学素子の作
製方法を説明するための断面図である。(b)は、
(a)に示す液晶光学素子の動作を説明するための斜視
図である。
製方法を説明するための断面図である。(b)は、
(a)に示す液晶光学素子の動作を説明するための斜視
図である。
【図2】本発明の一例に係る液晶光学素子の作製方法を
説明するための斜視図である。
説明するための斜視図である。
【図3】本発明の一例である反射型液晶光学素子を説明
するための分解構成断面図である。
するための分解構成断面図である。
【図4】(a)(b)は、図3に示す構成の動作状態を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図5】本発明の一例である透過型液晶光学素子を説明
するための分解構成断面図である。
するための分解構成断面図である。
【図6】(a)(b)は、図5に示す構成の動作状態を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図7】実施例1におけるラビング処理を説明するため
の斜視図である。
の斜視図である。
【図8】図7における側面構成を示す側面図である。
【図9】実施例2における液晶光学素子を説明するため
の斜視図である。
の斜視図である。
6…液晶材料 12…上側配向制御膜 14…上側電極 16…上側基板 22…下側配向制御膜 24…下側電極 26…下側基板
Claims (4)
- 【請求項1】 強誘電性液晶材料を一対の電極付き基板
間に挟持してなる液晶光学素子において、 スメクチック層法線が電極面内でほぼ一様に揃うととも
に、電圧の非印加時は、液晶分子の配向方向の角度が上
下電極間で少なくとも20度ねじれた構造を熱的に安定
に保ち、かつ、電圧の印加時には、前記強誘電性液晶材
料の分子がほぼ一方向に揃うことを特徴とする液晶光学
素子。 - 【請求項2】 請求項1記載の電極付き基板を、可撓性
を有する材料で形成した液晶光学素子。 - 【請求項3】 請求項1又は2記載の電極付き基板の少
なくとも一方の電極面上に、配向制御膜を備えた液晶光
学素子。 - 【請求項4】 請求項1,2又は3記載の液晶光学素子
で表示を行う際に、時間平均がゼロでない電圧を印加し
たときの強誘電性液晶材料の分子の平均的方向と、電圧
が実質的にゼロであるときのねじれ状態との間の光学的
な差を用いて表示を行うことを特徴とする液晶光学素子
表示方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12137092A JPH05297374A (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | 液晶光学素子及びその表示方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12137092A JPH05297374A (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | 液晶光学素子及びその表示方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05297374A true JPH05297374A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14809560
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12137092A Pending JPH05297374A (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | 液晶光学素子及びその表示方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05297374A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07333616A (ja) * | 1994-05-31 | 1995-12-22 | Samsung Electron Devices Co Ltd | 強誘電性液晶表示素子 |
JP2001100200A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-04-13 | Samsung Sdi Co Ltd | 反射型液晶表示装置 |
-
1992
- 1992-04-15 JP JP12137092A patent/JPH05297374A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07333616A (ja) * | 1994-05-31 | 1995-12-22 | Samsung Electron Devices Co Ltd | 強誘電性液晶表示素子 |
JP2001100200A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-04-13 | Samsung Sdi Co Ltd | 反射型液晶表示装置 |
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