JP2001100200A - 反射型液晶表示装置 - Google Patents

反射型液晶表示装置

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JP2001100200A JP2000277765A JP2000277765A JP2001100200A JP 2001100200 A JP2001100200 A JP 2001100200A JP 2000277765 A JP2000277765 A JP 2000277765A JP 2000277765 A JP2000277765 A JP 2000277765A JP 2001100200 A JP2001100200 A JP 2001100200A
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ジョングン ユ
S Peiteru J
エス ペイテル ジェイ
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ヨンジン キム
Sonu So
ソンウ ソ
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Samsung SDI Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 強誘電性液晶を利用した反射型液晶表示装置
を提供する。 【解決手段】 内側面と外側面を有して透明な第1基
板,前記第1基板の外側面に付着されていて偏光方向が
第1方向である偏光板,前記第1基板の内側面に形成さ
れていて透明な第1電極,前記第1電極の上に形成され
ていて液晶分子を第2方向に配向する第1配向膜,前記
第1基板の内側面と対向している内側面と外側面を有す
る第2基板,前記第2基板の内側面上に形成されていて
反射板の役割も兼ねる第2電極,前記第2電極上に形成
されていて液晶分子を第2方向と他の第3方向に配向す
る第2配向膜,前記第1配向膜と前記第2配向膜の間に
注入されている強誘電性液晶層を含む反射型液晶表示装
置において,前記強誘電性液晶層の液晶分子はその向か
う方向が前記第1配向膜表面から前記第2配向膜表面に
行くに連れ第2方向から第3方向に捩じれている反射型
液晶表示装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関
し,特に強誘電性液晶物質を使用する反射型液晶表示装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の液晶表示装置はネマチック相の液
晶を使用して製作するのが一般的であるが,応答速度が
遅くて動画像表現に限界がある。このような限界を克服
するために強誘電性のスメクチック相液晶を用いる液晶
表示装置が提案されている。以下に,強誘電性スメクチ
ック相液晶を用いる液晶表示装置について説明する。
【0003】図1は強誘電性スメクチック相液晶を利用
した液晶表示装置の断面図である。
【0004】上下二枚のガラス基板100,120が互
いに対向しており,ITO(indium−tin−o
xide)からなる透明電極140,160が上下基板
100,120の内側面に各々形成されている。上下透
明電極140,160の上には各々配向膜180,20
0が形成されている。この時,上下配向膜180,20
0の配向方向は互いに垂直をなしている。ガラス基板1
00,120の外側面には各々偏光板220,240が
付着されており,この二つの偏光板220,240の偏
光方向は互いに垂直をなしている。上下ガラス基板10
0,120の間には強誘電性液晶物質が注入されて液晶
層260を形成している。この時,液晶層260の両表
面に位置する液晶分子は配向膜180,200の配向方
向にその安定した傾斜角(stable tilt a
ngle)が一致するように配列されている。下部偏光
板220の下には,光源310と光源310からでてき
た光を分散させて,液晶セル内に発散する塗光板320
が配置されている。上下電極140,160には電圧信
号源280が連結されている。
【0005】上下電極140,160に電圧が印加され
ない状態では,液晶分子は徐々に捩じれて液晶層260
の両表面では配向されたとおり互いに90゜をなす。こ
の状態では,下部偏光板220を通過しながら線偏光さ
れた光が液晶層260を通過しながら偏光方向が回転し
て上部偏光板240に至った時は,上部偏光板240と
その偏光方向が一致して上部偏光板240によって遮断
されずに通過することができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし上下電極14
0,160に電圧が印加されれば,液晶分子は上下配向
方向のある一方向に沿って並んで配列され,光の偏光方
向を回転させる機能を失うようになる。従って下部偏光
板220を通過しながら線偏光された光は上部偏光板2
40によって全て遮断される。
【0007】しかしこのような強誘電性スメクチック相
液晶を利用した透過型液晶表示装置は,自己光源310
を使用するために電力消費が多い。従って携帯用コンピ
ュータや携帯電話など低消費電力を必要とする製品に使
用するには不適である。
【0008】結局,消費電力が少なく応答速度が速い強
誘電性液晶を利用した反射型液晶表示装置の開発が必要
である。
【0009】本発明が解決しようとする技術的課題は強
誘電性液晶を利用した反射型液晶表示装置を提示するこ
とにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために本発明では一つの偏光板,反射板及びこれらの
間に配置される強誘電性液晶物質を含む反射型液晶表示
装置を提案する。具体的には,次のような反射型液晶表
示装置を提案する。
【0011】内側面と外側面を有して透明な第1基板の
外側面に偏光方向が第1方向である偏光板が付着されて
おり,第1基板の内側面に透明な第1電極が形成されて
いて,第1配向膜が第1電極の上に形成されていて液晶
分子を第2方向に配向している。第1基板の内側面と対
向している内側面と外側面を有する第2基板の内側面上
に反射板の役割も兼ねる第2電極が形成されており,第
2電極上に液晶分子を第3方向に配向する第2配向膜が
形成されており,強誘電性液晶層が第1基板と前記第2
基板の間に注入されている。
【0012】この時,強誘電性液晶層の液晶分子はその
向かう方向が第1基板表面から第2基板表面に行けば行
くほど第2方向から第3方向に捩じれているのが好まし
く,液晶層の光学的厚さ(△n・d)は180nmから
400nmの間のある特定の値を有するのが好ましく,
強誘電性液晶物質はスメクチックC*相である時に円錐
傾斜角が20゜から30゜の間のある特定の値を有する
のが良い。また第1方向と液晶分子の誘導された円錐の
中心線がなす角は0゜から40゜の間,80゜から13
0゜の間及び170゜から180゜の間のある特定の角
度を有することができ,第2方向と第3方向がなす角度
は円錐傾斜角の2倍にするのが好ましい。また,液晶層
の光学的厚さは260nmであり,液晶の円錐傾斜角は
25゜から27゜の間であり,第2方向と第3方向がな
す角度は54゜であり,第1方向と前記第2方向は同じ
方向にすることもできる。
【0013】強誘電性液晶物質の光学的厚さ(△n・
d)は700nmから890nmの間のある特定の値を
有することができ,強誘電性液晶物質はスメクチックC
*相である時円錐傾斜角が20゜から44゜の間のある
特定の値を有することができ,第1方向と液晶分子の誘
導された円錐の中心線がなす角は0゜から30゜の間,
65゜から120゜の間及び155゜から180゜の間
のある特定の角度をなすことができ,第2方向と第3方
向がなす角度は前記円錐傾斜角の2倍であるのが好まし
い。
【0014】
【発明の実施の形態】以下,図面を参考として本発明の
実施の一形態による強誘電性液晶を使用する反射型液晶
表示装置用薄膜トランジスタ基板の構造について説明す
る。
【0015】図2は本発明の実施の一形態による反射型
液晶表示装置の断面図である。
【0016】本発明の実施の一形態による反射型液晶表
示装置は上下二枚の基板11,12,一つの偏光板20
及び強誘電性液晶層50からなる。
【0017】図2を見れば,ガラスなどの透明な上部基
板12と下部基板11が平行に配置されている。上部基
板12の上面に偏光板20が付着されており,上部基板
12の下面には電界形成のための第1電極32が形成さ
れており,第1電極32の下には液晶分子の配向のため
の上部配向膜42が形成されている。下部基板11の上
面には第1電極32と共に電界を形成するための第2電
極31が形成されており,第2電極31の上には下部配
向膜41が形成されている。
【0018】この時,第1電極32はITOのような透
明な導電物質で形成し,第2電極31はアルミニウムな
どのように光をよく反射する導電物質で形成して反射板
の役割も兼ねるようにする。
【0019】また,上下部配向膜41,42は一般的に
アルキルフェノール(alkylphenol),ヘキ
サデシルトリメチルアンモニウムブロマイド(hexa
decyl−trimethyl ammonium
bromide)などの界面活性剤やポリイミド(po
lylmide)樹脂などを塗布したり,酸化ケイ素
(Siox)を四方蒸着したりラングミュア‐ブローゼ
ットフィルム積層方法(Langmuir−Blodg
ett film deposition metho
d)で配向吸着剤を塗布した後,所望の方向にラビング
(rubbing)して,両基板11,12の表面に存
在する液晶分子が基板11,12に水平に配向するよう
にする。本発明の実施の一形態ではPBT(poly
(1,4‐butylene terepbthala
te))を配向膜41,42として使用する場合と,ポ
リイミドを配向膜として使用することを示している。
【0020】また偏光板20は通過する光を線偏光させ
るのが好ましい。
【0021】以上言及した事項以外にも色相を示すため
のカラーフィルタ,光がもれるのを防止するためのブラ
ックマトリックス,第2電極31に電圧を印加したり電
圧印加を遮断するための薄膜トランジスタなど他の要素
が多数含まれるが,これは液晶表示装置分野の通常の知
識を有する者であれば容易に分かる事項であるので,詳
細説明は省略する。
【0022】上下基板11,12の間の空間にはシスコ
(Chisso)社が供給するCS‐1029などのよ
うな強誘電性液晶物質が注入されて液晶層50を形成し
ている。この時,液晶層50は分子層(点線で境界を表
示する)を形成しているが,分子層の境界面は上下基板
11,12に対して垂直をなしている。また上部配向膜
42に隣接した液晶分子は,下部配向膜41に隣接した
液晶分子と約54゜程度の角をなすように配向されてい
る。この時,上下部の配向膜41,42の配向角54゜
は強誘電性液晶物質の円錐傾斜角(cone tilt
angle)の2倍になるように決定された値であっ
て円錐傾斜角が他の液晶物質を使用する場合にはそれに
基づいて配向角も変化する。また,上部配向膜42また
は下部配向膜41に隣接した液晶分子は偏光板20の偏
光軸と平行に配向するのが好ましい。
【0023】このような液晶表示装置で画像を表示する
方法を説明する。
【0024】まず,強誘電性スメクチックC液晶の一般
的性質を説明する。
【0025】まず,強誘電性スメクチックC液晶分子の
配向と電場に対する反応を図3を参考にして説明する。
【0026】図3は本発明の実施の一形態による液晶表
示装置で分子の配列を示した図面であって一つの分子層
だけを拡大して図示しており,他の分子層も同一に配列
される。ここで×軸は分子層の境界面に垂直な軸であ
り,Y軸は基板11,12に平行で×軸に対して反時計
方向に90゜回転した軸であり,Z軸は基板11,12
に垂直してY軸に対して反時計方向に90゜回転した軸
である。
【0027】図3で,液晶分子16,17,18の位置
を次の各変数を使用して説明する。×軸と液晶分子の方
向子がなす角は”傾斜角”Θであり,方向子の×−Y平
面に対する垂線の足が×軸となす角度は”水平角”θで
あり,方向子がY軸からZ軸方向に回転した”回転角”
はΦである。
【0028】下部基板11と上部基板12のラビング
(rubbing)方向が傾斜角(Θ)の2倍ぐらい差
が出るようにすれば,下部基板11と上部基板12の表
面での液晶分子の方向は互いに2Θの角度で開く。
【0029】スメクチック上でスメクチック層は一定の
方向を維持しようとする性質があって他の液晶分子に比
べてねじれや屈曲変形をするのに多くのエネルギーを必
要とする。
【0030】上部基板12と下部基板11のラビング方
向が図3のように互いに異なる場合には,液晶分子が有
することができる配向状態は次の通り三つを仮定するこ
とができる。第1はスメクチック層自体が変形される場
合であり,第2はスメクチック層自体は変形されないが
上下基板11,12の間に互いに方向が異なる小さい領
域を形成して液晶分子の方向が不連続的に変化する場合
であり,第3は下部基板11から上部基板12まで液晶
分子が連続的なねじれ配向をする場合である。この中か
ら第1と第2の場合には,巨視的に多くの欠陥(def
ect)が観察されて,本発明で得ようとする効果が得
られない。第3の場合はスメクチック層が上部基板12
と下部基板11の液晶配向方向と互いに相互作用してエ
ネルギーが最少になる方向に配向された場合で本発明で
要求する配向状態である。
【0031】結局,本発明における液晶分子は×軸とな
す角度がΘである直線が×軸について回転してなる円錐
(40)の表面に沿って回転する形になる。
【0032】従って,下部基板11から中央地点までの
液晶分子の回転角は0゜から90゜までの角度をな
し,中央から上部基板12までの液晶分子は90゜から
180゜までの回転角をなす。また,下部基板11から
中央地点までの液晶分子の水平角θは+Θから0゜まで
の角度をなし,中央から上部基板12までの液晶分子は
0゜から−Θまでの回転角をなす。
【0033】結局,二つの基板11,12の表面にある
分子の間の回転角Φは180゜になり,水平角θの差異
は2Θで二つの基板11,12の間の配向角度の差異と
同一である。
【0034】次に,二つの基板11,12の間に高い電
圧を印加した場合の液晶分子配列の変化を説明する。
【0035】二つの基板11,12の間に電圧を印加し
て液晶分子に電場をかけると液晶分子の長さ方向に対し
て垂直をなしている液晶分子の分極べクター(pola
rization vector)が電場に対して平行
になろうとする性質によって液晶分子は電場に対して垂
直に配列しようとする。一方,スメクチック液晶の性質
によって液晶方向子は継続して一定の傾斜角を維持しよ
うとする。従って,液晶分子は誘導された円錐の表面に
沿って電場に垂直方向に配列して,この時経路が近い方
向を選んで配列する。結局全ての液晶分子は上部配向膜
42または下部配向膜41の配向方向と並んで配列され
て液晶層50の下面から上面に行くにつれ形成されてい
た液晶分子のねじれが完全に解かれるようになる。
【0036】ところが電場の強さが弱い場合には,液晶
分子のねじれが一部だけ解かれるようになる。つまり,
ここで液晶分子の配列が変更する程度は印加した電圧の
大きさに依存し,この大きさの変化によって液晶物質は
連続的な電気光学効果を示す。
【0037】次に,このような構造を有する本発明の実
施の一形態による液晶表示装置の作用を図4を参考とし
て詳細に説明する。
【0038】図4は光が液晶セルを通過しながら行われ
るストークスパラメータ(Stokes parame
ter)の変化を示した図である。
【0039】液晶物質に電場が加えられない場合には,
図4に示したように,入射光は偏光板20を通過して入
射して線偏光され,入射偏光は線偏光に対応する赤道上
に位置する。光が液晶物質の中を距離dだけ進行して下
部基板11の反射板31に至る間に,光の偏光は円偏光
に変化して円偏光に対応する下側極に位置する。反射板
31に至った光は反射されて位相が180゜リタデイシ
ョン(retardation)して,光の偏光は球の
反対側極,つまり,上側極に移動する。反射された光は
再び液晶物質の中を距離dだけ進行して上部基板12に
至る間に光の偏光は円偏光から再び線偏光に変化する。
従って,光の偏光は球の赤道上に再び置かれるようにな
るが,その位置は最初に入射する時の位置とは正反対と
なる。これは光の偏光方向が90゜回転したことを意味
するので,光は偏光板20を通過する過程で全て吸収さ
れ,結局出射光はなくなる。
【0040】ところが第1電極32と第2電極31との
間に互いに異なる電位がかかることによって電場が形成
されれば,液晶分子は電場に影響を受けて新たな配列を
する。もし,電場が十分に強くて液晶分子のねじれが完
全に解かれた場合には,光が偏光板20を通じて入射し
ながら偏光された光が液晶物質を通過しながら偏光状態
の変化から殆どない。従って,光は反射板31で反射さ
れる過程で180゜の位相だけが変化し,再び偏光板2
0に到達して偏光板20によって遮断されずに出射す
る。
【0041】電場が十分に強くなくて液晶層50内に形
成されている液晶分子のねじれが完全に解けない場合に
はある程度の偏光状態の変化が起こるのは起こるが,電
場が印加されない場合のように反射されて出る出射光の
偏光が入射光の偏光と90゜にはならないので一定の量
以上の出射光が存在する。
【0042】次に,以上のように電場が印加されない状
態で出射光の量が0になって完全に暗い状態になり,電
場が印加されればその電場の強さによって出射光の量が
順次増加するようにして充分な階調表示をすることがで
きるようにする理想的な条件を見てみる。
【0043】強誘電性液晶物質を使用した反射型液晶表
示装置を具現するための理想的な条件を探すにあたって
多様な変数が存在し得る。つまり,円錐傾斜角(con
etilt angle),配向角,液晶物質の複屈折
程度,偏光板の偏光の種類及び偏光軸の方向などが変数
になる。ここで,偏光板の偏光の種類は線偏光で,偏光
軸の方向は上下配向膜中の一つの配向方向と一致すると
仮定する。また,計算上でスメクチック液晶層は上下基
板と垂直をなすと仮定する。
【0044】このような仮定の下で円錐傾斜角とセルの
複屈折量(d△n)を変数として計算を行う。計算上で
ストークスパラメータ(Stokes paramet
er)は|S3|=1とする。
【0045】まず,ストークスパラメータを|s3|=
1にきめた理由について見てみる。ストークスパラメー
タは次のような四つの時間平均値からなる。 S0=《(Ax)十(Ay)》, S1=《(Ax)−(Ay)》, S2=2《AxAycosδ》, S3=2《AxAysinδ》。
【0046】ここでAx,Ayは光の進行方向をz軸方
向とする時各々x軸成分とy軸成分の振幅であり,δは
x軸成分とy軸成分の位相差であり,二重括弧(《》)
は時間平均値であることを示す。
【0047】ストークスパラメータが意味することを知
るためにいくつかの場合を見てみる。
【0048】まず,偏光されていない光の場合にはAx
とAyは無作為の値を有するS0は2《(Ax)》に
なり,S1は0になる。これを正規化(normali
ze)するとS0=1になる。またδが時間に対して無
作為値を有するので,S2とS3も0になる。つまり,
ストークスベクター(1,0,0,0)は偏光されない
光を示す。
【0049】x軸に線偏光された光の場合には,Ayが
0であるので正規化したストークスベクターは(1,
1,0,0)になり,y軸に線偏光された光の場合に
は,Axが0であるので正規化したストークスベクター
は(1,−1,0,0)になる。
【0050】右手(righthand)円偏光された
光の場合にはδ=−(1/2)πであるので正規化した
ストークスベクターは(1,0,0,−1)であり,左
手(lefthand)円偏光された光の場合にはδ=
(1/2)πであるので正規化したストークスベクター
は(1,0,0,1)がになる。
【0051】結局,|s3|=1である場合は,光が完
全に円偏光される場合である。また,ジョーンズ(Jo
nes)行列を用いて|s3|=1±xになる多様な場
合を光学的な厚さ(d△n),円錐傾斜角及び偏光板の
角(誘導された円錐の中心線と偏光板の偏光方向がなす
角度)を変数として計算する。
【0052】この時,計算はセルを多数の層(laye
r)に分けて各層で傾き角(tilt angle)と
ねじれ角(twist angle)を求め,Jone
s行列を使用して数値的に計算する。この場合に回転角
(Φ)は0゜から180゜まで一定に変わると仮定す
る。
【0053】このような計算の結果が図5に示されてい
る。図5は変数S3を円錐傾斜角に対する関数で光学的
な厚さ(d△n)が異なる多数の場合について示してい
る。
【0054】図5によれば,最適条件|s3|=1は円
錐傾斜角が27゜になる液晶物質を使用する時に得るこ
とができ,最適条件での光学的厚さ(d△n)は260
nmである。
【0055】上記の計算結果を土台として,図2に示し
た構造の反射型液晶表示装置を製造して実験を進行し
た。つまり,表1に示された物質常数を有する強誘電性
液晶物質CS−1029を使用して液晶表示装置を製造
して実験を進行した。
【0056】
【表1】
【0057】表1に示されているように,CS−102
9は円錐傾斜角が25゜であるので計算上の最適条件2
7゜とは少しの差が出る。光学異方性(optical
anisotropy)が0.16であるから光学的
厚さ(d△n)が260nmが最適になるためには,セ
ル間隔が1.62μmになるべきであるが,実験では
1.4μmの間隔で製造した。これは適切なスベーサの
不存在によってスベーサを使用せずに液晶表示装置を製
造した関係で,正確な間隔の調節が難しかったためであ
る。一方,これとは違って次適条件を使用することによ
って画面が多少彩られて現れることを甘受して,より実
際に適用可能な条件を得ることができ,また光学異方性
値がさらに小さい液晶物質を使用することによってもよ
り具現しやすいセル間隔を有する液晶表示装置を作るこ
とができる。
【0058】また,上下配向膜の配向は54゜になるよ
うにした。この時,配向方向は図6に示したように四つ
の場合があり得,この四つの場合を全て製作して実験し
た。実験の結果,図6のA1とA2の場合にはコレステ
イック相(cholesteic phase)が温度
を順次に低くしてスメクチック相(smecticph
ase)にいたって,ねじれ構造(twisted s
tructure)を有する一つの領域が現れ,B1と
B2の場合にはコレステイック相で二つの領域が現れて
SmC*相(強誘電性smectic C phas
e)でも維持できる。このうちの一つの領域は複屈折構
造(birefringent structure)
を示し,他の一つは捩じれた構造を示す。コレステイッ
ク相の状態で交差偏光子(cross polariz
ers)を通じて見る時,暗く現れる領域はSmC*相
では明るい島の形態で現れて捩じれた構造を有する。コ
レステイック相で明るい領域で現れる領域はSmC*相
では暗い領域で現れて複屈折構造を有する。
【0059】電気光学的特性を偏光板の偏光方向を誘導
された円錐の中心と一致させた状態に配列した液晶表示
装置を対象にして偏光顕微鏡(polarizing
microscope)と光検出器(optical
detector)を使用して測定した結果が図7に示
されている。
【0060】図7に示されているように,電圧の変化に
よる反射光の量の変化を示すグラフは二つの曲線で現れ
る。第1曲線(A)は電圧が約OVになる時反射光の量
が最低になり,第2曲線(B)は電圧が約2Vになる時
反射光の量が最低になる。このように二つの曲線が現れ
る原因は明確ではないが,一種のヒステリシス(his
terisis)であるように思われる。
【0061】図7に現れた二つの曲線(A,B)は全て
電圧の変化によって反射光量が変化するのを示してい
る。結論的に電圧の調節を通じた階調表示が可能である
ことを示す。ただし,実際的な駆動電圧の波形を設計す
る時は二つの曲線が現れるという点を考慮しなければな
らない。
【0062】以上の実験では偏光板の偏光方向を液晶分
子の方向子(director axis)と一致させ
た場合だけを考慮したが,これは実験の便宜のためのも
のであって他の配置も可能である。それだけでなく光学
的厚さ(d△n)と円錐傾斜角も変化させることができ
る。このような多様な変化の可能性を図8と図9を通じ
て説明する。
【0063】図8は偏光方向と液晶分子の誘導された円
錐の中心線がなす角(偏光板の角)とセルの光学的厚さ
を共に考慮して階調表示が可能な領域を示したグラフで
あり,図9は強誘電性液晶分子の円錐傾斜角とセルの光
学的厚さとを共に考慮して階調表示が可能な領域を示し
たグラフである。
【0064】図8を見れば,光学的厚さが約180nm
から400nmの間である時の偏光板の角は0゜から約
40゜の間,約80゜から130゜の間及び約170゜
から180゜の間の特定の角度で階調表示が可能であ
り,光学的厚さが約700nmから890nmの間であ
る時の偏光板の角は0゜から約30゜の間,約65゜か
ら120゜の間及び約155゜から180゜の間の特定
の角度で階調表示が可能であることが示される。
【0065】図9を見れば,光学的厚さが約180nm
から400nmの間である時円錐傾斜角は20゜から3
0゜の間の特定の角度を有する時及び光学的厚さが約7
00nmから890nmの間である時の円錐傾斜角は2
0゜から44゜の間の特定の角度を有する時の階調表示
が可能であることが示される。
【0066】この時,光学的厚さと偏光板の角度及び円
錐傾斜角の全てを同時に考慮しなければならない。
【0067】前記図7の電気光学的効果を示した例の場
合,光学的厚さが260nm,円錐傾斜角が25゜,偏
光板の角度が25゜(液晶の方向子と偏光方向を一致さ
せたので誘導された円錐の中心とは円錐傾斜角程度の角
をなす)である。このような条件は図8と図9に黒い点
で表示されたように階調表示が可能な幾多の条件中の一
つであることが分かる。
【0068】以上,添付図面を参照しながら本発明にか
かる液晶表示装置の好適な実施形態について説明した
が,本発明はかかる例に限定されない。当業者であれ
ば,特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内に
おいて各種の変更例または修正例に想到し得ることは明
らかであり,それらについても当然に本発明の技術的範
囲に属するものと了解される。
【0069】
【発明の効果】本発明によれば強誘電性液晶物質を使用
した反射型液晶表示装置を具現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の技術による強誘電性液晶物質を使用する
透過型液晶表示装置の断面図である。
【図2】本発明の実施の一形態による強誘電性液晶物質
を使用する反射型液晶表示装置の断面図である。
【図3】本発明の実施の一形態による液晶表示装置で分
子の配列を示した図面として一つの分子層だけを拡大し
て示した斜視図である。
【図4】光が液晶セルを通過する過程でのストークスパ
ラメータが変化することを示した概念図である。
【図5】S3を円錐傾斜角に対する関数で光学的な厚さ
が異なる多数の場合について示しているグラフである。
【図6】上下配向膜の可能な配向方向を示す図面であ
る。
【図7】本発明の実施の一形態による反射型液晶表示装
置において電圧の変化による反射光量の変化を示すグラ
フである。
【図8】本発明の実施の一形態による反射型液晶表示装
置における偏光板の角とセルの光学的厚さを共に考慮し
て階調表示が可能な領域を示したグラフである。
【図9】本発明の実施の一形態による反射型液晶表示装
置において強誘電性液晶分子の円錐傾斜角とセルの光学
的厚さを共に考慮して階調表示が可能な領域を示したグ
ラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ユ ジョングン 大韓民国京畿道軍浦市山本洞(番地なし) 雪岳アパート859棟2403号 (72)発明者 ジェイ エス ペイテル アメリカ合衆国ペンシルベニア州,ステー ト カレッジ,サウス プー ストリート 1316 (72)発明者 キム ヨンジン 大韓民国大邱市壽城区晩村洞995−3番地 エイアイディアパート2棟408号 (72)発明者 ソ ソンウ 大韓民国釜山市水營区望美洞(番地なし) 三星アパート2棟1407号

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 内側面と外側面を有して透明な第1基板
    と,前記第1基板の外側面に付着され偏光方向が第1方
    向である偏光板と,前記第1基板の内側面に形成され透
    明な第1電極と,前記第1電極の上に形成され液晶分子
    を第2方向に配向する第1配向膜と,前記第1基板の内
    側面と対向する内側面と外側面を有する第2基板と,前
    記第2基板の内側面上に形成され反射板としても機能す
    る第2電極と,前記第2電極上に形成され液晶分子を第
    2方向と他の第3方向に配向する第2配向膜と,前記第
    1配向膜と前記第2配向膜の間に注入されている強誘電
    性液晶層とを含む反射型液晶表示装置において,前記強
    誘電性液晶層の液晶分子はその向かう方向が前記第1配
    向膜表面から前記第2配向膜表面に行けば行くほど第2
    方向から第3方向に捩じれていることを特徴とする,反
    射型液晶表示装置。
  2. 【請求項2】 前記液晶層の光学的厚さ(△n・d)は
    180nmから400nmの間のある特定の値を有する
    請求項1に記載の反射型液晶表示装置。
  3. 【請求項3】 前記強誘電性液晶物質はスメクチックC
    *相である時円錐傾斜角が20゜から30゜の間のある
    特定の値を有する請求項2に記載の反射型液晶表示装
    置。
  4. 【請求項4】 前記第1方向と前記液晶分子の誘導され
    た円錐の中心線がなす角は0゜から40゜の間,80゜
    から130゜の間及び170゜から180゜の間のある
    特定の角度をなす請求項3に記載の反射型液晶表示装
    置。
  5. 【請求項5】 前記第2方向と前記第3方向がなす角度
    は前記円錐傾斜角の2倍である請求項4に記載の反射型
    液晶表示装置。
  6. 【請求項6】 前記液晶層の光学的厚さは260nmで
    あり,前記液晶の円錐傾斜角は25゜から27゜の間で
    あり,前記第2方向と前記第3方向がなす角度は54゜
    であり,前記第1方向と前記第2方向は同じ方向である
    請求項4に記載の反射型液晶表示装置。
  7. 【請求項7】 前記強誘電性液晶物質の光学的厚さ(△
    n・d)は700nmから890nmの間のある特定の
    値を有する請求項1に記載の反射型液晶表示装置。
  8. 【請求項8】 前記強談電性液晶物質はスメクチックC
    *相である時円錐傾斜角が20゜から44゜の間のある
    特定の値を有する請求項7に記載の反射型液晶表示装
    置。
  9. 【請求項9】 前記第1方向と前記液晶分子の誘導され
    た円錐の中心線がなす角は0゜から30゜の間,65゜
    から120゜の間及び155゜から180゜の間のある
    特定の角度をなす請求項8に記載の反射型液晶表示装
    置。
  10. 【請求項10】 前記第2方向と前記第3方向がなす角
    度は前記円錐傾斜角の2倍である請求項9に記載の反射
    型液晶表示装置。
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