JPH10307292A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH10307292A JPH10307292A JP9120004A JP12000497A JPH10307292A JP H10307292 A JPH10307292 A JP H10307292A JP 9120004 A JP9120004 A JP 9120004A JP 12000497 A JP12000497 A JP 12000497A JP H10307292 A JPH10307292 A JP H10307292A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- electrode
- display device
- crystal display
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Polarising Elements (AREA)
Abstract
外側に1枚ずつ計2枚使用しているため、入射光の反射
率が低く、充分な明るさの表示状態を得ることが困難で
あった。特に、液晶パネル内にマイクロカラーフィルタ
を備えてカラー表示を行なうようにした反射型のカラー
液晶表示装置においては十分な色差が得られず、満足な
表示状態が得られるとは言い難かった。 【解決手段】 偏光板1,透明ガラス基板2, 透明電極
3, 配向膜5, 配向膜8, 反射電極100,透明ガラス基板
11が順に積層され、両配向膜5, 8間に強誘電性液晶物
質が封入された液晶層7を有する。液晶物質の屈折率異
方性が0.05乃至0.17であり、第1及び第2の配向膜間の
ギャップが 0.5乃至4μmである。
Description
中でも反射型液晶表示装置に関し、特にその反射光量を
増大させるための技術に関する。
ンの進展に伴って、ワードプロセッサ,パーソナルコン
ピュータ等に代表されるOA機器が広く使用されるように
なっている。更にこのようなオフィスでのOA機器の普及
は、オフィスでも出先でも使用可能な携帯型のOA機器の
需要を発生しており、それらの小型・軽量化が要望され
るようになっている。そのような目的を達成するための
手段の一つとして液晶表示装置が広く使用されている。
特に、液晶表示装置は単に小型・軽量化のみならず、バ
ッテリ駆動される携帯型のOA機器の低消費電力化のため
には必要不可欠な技術である。
型と透過型とに分類される。反射型は液晶パネルの表面
から入射した光線を液晶パネルの底面で反射させてその
反射光で画像を視認させる構成であり、透過型は液晶パ
ネルの底面に備えられた光源(バックライト) からの透
過光で画像を視認させる構成である。反射型は環境条件
によって反射光量が一定しないため視認性に劣るが安価
であることから、電卓,時計等の単一色(たとえば白/
黒表示等)の表示装置として広く普及しているが、マル
チカラーまたはフルカラー表示を行なうパーソナルコン
ピュータ等の表示装置としては不向きである。このた
め、マルチカラーまたはフルカラー表示を行なう表示装
置としては一般的には透過型が使用される。しかし、透
過型ではバックライトが消費する電力が大きく、バッテ
リ駆動が一般的である携帯型のOA機器に使用する場合に
問題が生じる。
れる表示モードの面からはSTN(Super Twisted Nematic)
タイプとTFT-TN(Thin Film Transistor-Twisted Nemati
c)タイプとが一般的である。 STNタイプは製造コストは
比較的安価であるが、クロストークが発生し易く、また
応答速度が比較的遅いため、動画の表示には適さないと
いう問題がある。一方、TFT-TNタイプは、 STNタイプに
比して表示品質は高品質であるが、液晶パネルの透過率
が現状では4%程度しかないため高輝度のバックライト
が必要になり、このため消費電力が大きくなって携帯型
のOA機器をバッテリ電源で使用する場合には問題があ
る。また、TFT-TNタイプには、応答速度、特に中間調の
応答速度が遅い、視野角が狭い等の問題もある。
要な反射型で印加電界に対する応答速度が高速な強誘電
性液晶物質を使用した反射型液晶表示装置の改善が要望
されている。
数μ秒オーダーの高速応答性、液晶分子が印加電圧の有
無には拘らず基板 (ガラス基板) に対して常時平行であ
ることによる極めて広い視野角等が挙げられる。以下、
強誘電性液晶表示装置に関する従来の技術について、図
1及び図2の模式図を参照して説明する。
ed states:以下SS状態) の強誘電性液晶分子の様子を示
す模式図である。なお、図1において、参照符号Lは個
々の液晶分子を、Pは個々の液晶分子Lの自発分極を、
Eは印加される電場をそれぞれ示している。図2は強誘
電性液晶表示素子の状態変化を示す模式図である。
性液晶の螺旋軸が基板に平行であり且つ層が垂直である
セルにおいては、液晶層の層厚が1〜2μm 程度にまで
薄くなると、図2(a) に示されているような状態から図
2(b) に示されているように、各液晶分子の螺旋がほど
けてスメクティック層構造を示すようになり、図1に示
されているように、層表面で安定化されたSS状態にな
る。
いては、自発分極の反転という強誘電性液晶の強誘電性
たる性質の利用が可能になり、そのような状態を表面安
定化強誘電性液晶(Surface Stabilized Ferroelectric
Liquid Crystal:SSFLC) と称する。
層厚が比較的薄いセルにおいては、強誘電性の液晶分子
Lの自発分極Pの上向き・下向きに対応して、液晶分子
Lの長軸が層法線方向に対して右側・左側にθずつ傾い
ていて双安定状態になっている。このように、最初は右
側に傾いた状態と左側に傾いた状態とが混在していたと
しても、図1に実線にて示されているように、透明電極
により電場Eを上向きに印加すると、図2(c) に示され
ているように、全体の液晶分子Lが右側に傾いた状態と
なる。そして、この状態において電場Eを破線にて示す
ように反転して下向きに印加すれば、図2(d) に示され
ているように、全体の液晶分子Lが左側に傾いた状態に
なる。
の図1に示されているような SSFLC状態のセルを挿入し
た液晶パネルを作成する。この際、例えば全体の液晶分
子Lの長軸が右側に傾いている場合に暗視野になるよう
に、一方の偏光板の偏光軸を液晶分子Lの長軸と一致さ
せておく。そのような状態において電場Eを反転させて
全体の液晶分子Lの長軸を左側に傾かせれば、複屈折に
より光が透過し、明視野になる。その際の透過光量Iは
下記式(1) で表される。
とが一致している場合にはα=0になるので、透過光量
I=0、即ち暗状態になる。電場Eを反転させると、液
晶分子Lがそれまでとは逆に傾いてα=2θとなるの
で、θの値に応じて光が透過して明状態となる。ここ
で、θは強誘電性液晶のチルト角であり、2θは、強誘
電性液晶の開き角である。
晶表示素子は双安定性、即ち層法線に対して左右いずれ
の側に傾いた状態においても安定であり、しかも電場E
の印加によりいずれかの状態になった後に電場Eの印加
が停止されても、図2(e) に示されているように、それ
までの状態を維持し続ける。そのような状態を維持し続
ける性質をメモリ効果と称し、この強誘電性液晶のメモ
リ効果を利用して単純マトリクス方式で表示制御するこ
とにより大容量表示が可能である。また、強誘電性液晶
表示素子は1ライン当たりの走査が 100μsec 程度の極
めて短い時間で可能であり、高速応答である。更に、強
誘電性液晶表示素子では、液晶分子Lの長軸が印加電圧
の有無に拘らず常に基板(ガラス基板)に対して平行で
あるため、実用上は表示特性の視野角に制限がないと言
ってもよい程に視野角が極めて広い。
の断面構造を示す模式的断面図である。図3において、
参照符号2及び11が透明ガラス基板を示している。下側
の透明ガラス基板11の一面 (図3においては上面) には
液晶層7の画素部分に電界を与えるための ITO(Indium
Tin Oxide)製の一方の透明電極10,たとえば SiO2 製の
絶縁膜9,たとえばポリイミド製の配向膜8が積層形成
される。また、上側の透明ガラス基板2の一面 (図3に
おいては下面) には他方の透明電極3,たとえば SiO2
製の絶縁膜4,たとえばポリイミド製の配向膜5が積層
形成される。そして、両配向膜5, 8間に液晶物質が封
入されて液晶層7が形成される。なお、参照符号6はス
ペーサであり、液晶層7の層厚を調整すると共に維持す
るために挿入されている。このスペーサ6により、両透
明ガラス基板2, 11間のギャップは1乃至2μm程度の
狭ギャップに維持される。
クスの表示制御を行なうための電極である。具体的には
両透明電極3, 10は共に線状の電極が複数並列して配置
されているが、図4にその平面視の模式図が示されてい
るように、一方の電極の延伸方向が他方の電極の延伸方
向と直交するように配置されており、両者でマトリクス
を形成する。そして、両者の交叉部分に電界が印加さ
れ、または印加されないことにより個々の画素が表示さ
れ、または表示されない状態が実現される。
り液晶セルが形成され、偏光板1,12間に挿入される。
なお、一方の偏光板1(又は12) の偏光軸と液晶層7の
液晶分子長軸との方向を一致させて強誘電性液晶表示装
置が構成されている。そして、一方の偏光板 (図3では
参照符号12) の外側に反射板13を取り付けることによ
り、反射型液晶表示装置となる。
型液晶表示装置では、強誘電性液晶を使用した場合のみ
ならずネマティック液晶を使用した場合においても上述
のように偏光板を両外側に1枚ずつ計2枚使用している
ため、入射光の反射率が低く、充分な明るさの表示状態
を得ることが困難であった。特に、液晶パネル内にマイ
クロカラーフィルタを備えてカラー表示を行なうように
した反射型カラー液晶表示装置においては十分な色差が
得られず、満足な表示状態が得られるとは言い難いのが
実情であった。
晶パネルの外側に反射板を備えているため、視差による
二重映りが生じたり、白表示の際には鏡と同様の状態に
なってユーザの顔が映ったりする等の問題もあった。
装置、特に強誘電性液晶を使用した場合に有する問題点
に鑑みてなされたものであり、反射率のより高い反射型
の液晶表示装置を提供することを目的とする。
置は、それぞれに電極と配向膜とが積層された一対の基
板を、それぞれの配向膜間に強誘電性液晶物質を介在さ
せて対向配置した液晶表示装置であって、前面側の基板
上の積層された電極が透明電極であり、背面側の基板上
に積層された電極が光反射性を有する反射電極であり、
液晶物質の屈折率異方性が0.05乃至0.17であり、両配向
膜間のギャップが 0.5乃至4μmであることを特徴とす
る。
晶物質の屈折率異方性が0.05乃至0.17であり、両配向膜
間のギャップが 0.5乃至4μmであることにより、一枚
の偏光板により明暗状態の表示が行なえる。
成において、波長 550nmにおける入射直線偏光が反射電
極に達するまでの光路差、または反射電極での反射光が
偏光板に達するまでの光路差が 100乃至 170nmであるこ
とを特徴とする。
折率異方性が0.05乃至0.17の液晶物質と、 0.5乃至4μ
mの両配向膜間のギャップとの組み合わせの内で、波長
550nmにおける入射直線偏光が反射電極に達するまでの
光路差、または反射電極での反射光が偏光板に達するま
での光路差が 100乃至 170nmとなるように調整すること
により、一枚の偏光板により明瞭な明暗状態の表示が行
なえる。
成において、波長 550nmにおける入射直線偏光が反射電
極に達するまでの光路差、または反射電極での反射光が
偏光板に達するまでの光路差が 110乃至 160nmであるこ
とを特徴とする。
折率異方性が0.05乃至0.17の液晶物質と、 0.5乃至4μ
mの両配向膜間のギャップとの組み合わせの内で、波長
550nmにおける入射直線偏光が反射電極に達するまでの
光路差、または反射電極での反射光が偏光板に達するま
での光路差が 110乃至 160nmとなるように調整すること
により、一枚の偏光板により更に明瞭な明暗状態の表示
が行なえる。
の構成において、入射直線偏光及び反射電極での反射光
に対してλ/4板として機能するように調整されている
ことを特徴とする。
折率異方性が0.05乃至0.17の液晶物質と、 0.5乃至4μ
mの両配向膜間のギャップとの組み合わせの内で、入射
直線偏光及び反射電極での反射光に対してλ/4板とし
て機能するように調整されていることにより、一枚の偏
光板により理想的な明暗状態の表示が行なえる。
極が光の散乱性を有することを特徴とする。
射電極からの反射光が外部へ出射する際に散乱されて白
表示の際に白色が忠実に再現される。
射電極が鏡面性を有し、反射電極からの反射光を散乱さ
せる散乱物を更に備えたことを特徴とする。
射電極からの反射光が外部へ出射する際に散乱されて白
表示の際に白色が忠実に再現されると共に、反射電極が
鏡面状態に見えることが防止される。
示す図面に基づいて詳述する。まず最初に本発明の液晶
表示装置の原理について、明状態及び暗状態それぞれの
場合の光の透過状態を示す図5及び図6の模式図を参照
して説明する。
れに電極が形成された二枚の基板によって構成されるサ
ンドイッチ状の液晶パネルの内側に強誘電性液晶物質が
封入されており、従来は二枚必要であった偏光板を一枚
のみで済ますと共に、一方の電極を反射電極にする。但
し、液晶層として屈折率異方性(Δn)が 0.5乃至0.47
の範囲の液晶物質を使用すると共にパネルギャップ
(d)を 0.5乃至4μmの範囲に設定することにより、
液晶層の波長 550nmの光に対する光路差(Δnd)を 1
00乃至 170nmの範囲に、好ましくは 120乃至150nm の範
囲に、より好ましくは入射直線偏光及び反射電極での反
射光に対してλ/4板として機能するように調整する。
の液晶表示装置では、液晶層7がλ/4板として機能す
る最も理想的な場合には図5(a) の模式図に示されてい
るように、電圧印加により偏光板1の偏光軸と液晶パネ
ルの光学軸(液晶分子の長軸方向)とのなす角度が45度
になると、図5(b) に示されているように、偏光板1を
通過した直線偏光は液晶層7を通過して円偏光になる。
このようにして円偏光となった入射光は反射電極100 で
反射されて液晶層7を再度通過するので、入射光とは90
度位相が異なる直線偏光になるため、偏光板1で吸収さ
れて暗状態になる。
うに、印加電圧の極性が逆の場合には、即ち液晶パネル
の光学軸と偏光板1の偏光軸とが一致する場合には、図
6(b) の模式図に示されているように、入射直線偏光は
そのまま液晶層7を通過して反射電極100 で反射され、
液晶層7を再度通過して更に偏光板1を通過するため、
明状態になる。
せることが出来ない場合には、偏光板とガラス基板との
間にリタデーションフィルム等の波長板として機能を有
する光学フィルムを挿入することにより、フィルムと液
晶パネルとでλ/4板として機能させるようにすること
が可能である。
示装置は偏光板を一枚のみとしても、液晶パネルをλ/
4板として機能させることにより、従来同様の表示が可
能であることは勿論のこと、偏光板,基板及び透明電極
による光の吸収がなくなる分だけ入射光の反射率が向上
して明るい表示状態が得られる。また、反射電極を使用
することにより視差による二重映りも解消される。
乱性のものとが考えられる。鏡面性の反射電極を使用す
る場合には、液晶層が透過状態においては鏡面状態にな
ってユーザの顔が映ることになる。このような状態に対
しては、ユーザ側の表面に散乱性のフィルム等を貼り付
けることにより解決可能である。またこの場合には、反
射光が散乱することによりより自然な白色の表示状態が
得られる。
図7に強誘電性液晶を使用した本発明の液晶表示装置の
第1の実施の形態の模式的断面図を示す。
ラス基板を示している。下側の透明ガラス基板11の一面
(図7においては上面) には液晶層7の画素部分に電界
を与えるためのたとえばアルミ製の反射電極100,たとえ
ば SiO2 製の絶縁膜9,たとえばポリイミド製の配向膜
8が積層形成される。また、上側の透明ガラス基板2の
一面 (図7においては下面) には ITO(Indium Tin Oxid
e)製の透明電極3,たとえば SiO2 製の絶縁膜4,たと
えばポリイミド製の配向膜5が積層形成される。そし
て、両配向膜5, 8間に液晶物質が封入されて液晶層7
が形成される。なお、参照符号6はスペーサであり、液
晶層7の層厚を維持するために挿入されている。このス
ペーサ6により、両透明ガラス基板2, 11間のギャップ
は1乃至2μm程度の狭ギャップに維持される。
りセルが形成され、このセルに偏光板1が設置される。
なお、偏光板1の偏光軸と液晶層7の液晶分子長軸との
方向を一致させて強誘電性液晶表示装置が構成されてい
る。図3に示されている従来例では、一方の偏光板 (図
3では参照符号12) の外側に反射板13を取り付けること
により、反射型の液晶表示装置としているが、この図7
に示されている本発明の液晶表示装置の第1の実施の形
態では、電極そのものをたとえばアルミ等の反射電極10
0 とすることにより、反射型の液晶表示装置となる。
液晶表示装置では、液晶分子の長軸方向と偏光板1の偏
光軸とがほぼ45°にある場合には、上方から入射した直
線偏光が液晶層7を通過して円偏光となって反射電極10
0 で反射された後に再度液晶層7を通過するので、入射
光とは90°位相が異なる直線偏光になるため偏光板1で
吸収されて暗状態になる。一方、液晶分子の長軸方向と
偏光板1の偏光軸とがほぼ一致している場合には、上方
から入射した直線偏光はそのまま液晶層7を通過して反
射電極100 で反射された後に再度そのまま液晶層7を通
過するので明状態になる。これらの状態の組み合わせに
より、人の目に画像が認識される。
装置は具体的には以下にようにして作成した。透明ガラ
ス基板2としてのガラス板上に透明電極3として ITOを
電極幅が0.30mm, ピッチが0.33mmとなるように、またそ
の上に絶縁膜4とし SiO2 を約1000Å積層し、同様に透
明ガラス基板11としてのガラス板上に反射電極100 とし
てアルミを電極幅が0.30mm, ピッチが0.33mmとなるよう
に、またその上に絶縁膜9として SiO2 を約1000Å積層
し、それぞれを洗浄した後にポリイミドをスピンコータ
で塗布し、 200℃で1時間焼成することにより配向膜
5, 8としての約200Åのポリイミド膜を成膜した。
の布でラビングした後に両基板を貼り合わせた間に、液
晶層7としてΔn(屈折率異方性)が異なる4種類の液
晶物質(Δnが0.05, 0.08, 0.13, 0.17) を封入した。
この際、異なる径のスペーサ6を使用してパネルギャッ
プを変えることにより、Δnd(光路差)が80乃至 200
nmの範囲の強誘電性液晶表示装置を作成した。
液晶表示装置の表面(透明ガラス基板2側)のみに偏光
板1(日東電工社製NPF-EG1225DU) を貼り付けて液晶表
示装置を作成した。なお、偏光板1の偏光軸と液晶層7
の液晶分子長軸との関係は、液晶分子の双安定状態の一
方の安定状態において一致するようにした。
示装置の明状態,暗状態それぞれの標準白色板を基準(1
00%) とした場合の反射率 (相対反射率) を測定し、両
者の比率(反射率比)を計算した。結果を、相対反射率
を図8のグラフに、相対反射率から計算した反射率比を
図9のグラフに示す。なお、上述の測定は人の目の視感
度が最も高いとされる 550nm波長の光で行なった。
囲において反射率比5以上が得られていることが判る。
一例として、新聞用紙の反射率比が5程度であることか
ら、この結果は反射型の液晶表示装置としては十分な結
果と言える。更に、Δndが110乃至 160nmの範囲にお
いては反射率比10以上が得られていることが判る。
偏光板を二枚使用する反射型の液晶表示装置の明状態に
おける相対反射率は約80%であった。それに対して本発
明の液晶表示装置は約5倍の高い反射率比を示し、非常
に明るい表示状態であることが判る。
る。図10に強誘電性液晶を使用した本発明の液晶表示装
置の第2の実施の形態の模式的断面図を示す。
と前述の図7に示されている第1の実施の形態との構造
上の相違点は、反射電極が第2の実施の形態では鏡面性
を有するアルミ製の反射電極101 で構成されている点
と、偏光板1の更に外面に散乱板14が積層されている点
である。なお、散乱板14は、コントラスト比の低下を防
ぐ目的で、後方散乱を極力抑制し得るようにした。具体
的には、アルミ反射電極上に積層した場合の反射率が89
%に、黒色レジスト上に積層した場合の反射率が5%以
下になるような物質を散乱板14として使用した。
を使用し、Δndが135nm になるようにした。上述以外
の構成は図7に示されている第1の実施の形態と同様で
あり、作成方法も同様である。具体的には、透明ガラス
基板2としてのガラス板上に透明電極3として ITOを電
極幅が0.30mm, ピッチが0.33mmとなるように、またその
上に絶縁膜4とし SiO2 を約1000Å積層し、同様に透明
ガラス基板11としてのガラス板上に鏡面製を有するアル
ミ製の反射電極101 として電極幅が0.30mm, ピッチが0.
33mmとなるように、またその上に絶縁膜9として SiO2
を約1000Å積層し、それぞれを洗浄した後にポリイミド
をスピンコータで塗布し、 200℃で1時間焼成すること
により配向膜5, 8としての約 200Åのポリイミド膜を
成膜した。
の布でラビングした後に両基板を貼り合わせた間に、液
晶層7としてΔnが0.13の液晶物質を封入した。この
際、スペーサ6の径を調整することにより、Δndが 1
35nmとなるようにして強誘電性液晶表示装置を作成し
た。
液晶表示装置の表面(透明ガラス基板2側)のみに偏光
板1(日東電工社製NPF-EG1225DU) を貼り付け、その上
に上述のような散乱板14を積層して液晶表示装置を作成
した。なお、偏光板1の偏光軸と液晶層7の液晶分子長
軸との関係は、液晶分子の双安定状態の一方の安定状態
において一致するようにしたことは第1の実施の形態と
同様である。
示装置の明状態,暗状態それぞれの反射率及び表示状態
を目視で確認したところ、反射率比がほぼ20程度と認め
られる程度の明瞭な明暗状態が得られた。更に、明状態
における鏡面状態も解消されており、また更に二重映り
の状態も見られなかった。
る。図11に強誘電性液晶を使用した本発明の液晶表示装
置の第3の実施の形態の模式的断面図を示す。この図11
に示されている第3の実施の形態と前述の図7に示され
ている第1の実施の形態との構造上の相違点は、反射電
極が第3の実施の形態では散乱性を有する反射電極102
で構成されている点である。また、この図11に示されて
いる第3の実施の形態と前述の図10に示されている第2
の実施の形態との構造上の相違点は、反射電極102 が鏡
面性を有するか散乱性を有するかという点と、液晶層7
のΔndが第2の実施の形態では 135nmであったがこの
第3の実施の形態では 150nmである点である。
ラス板上に透明電極3として ITOを電極幅が0.30mm, ピ
ッチが0.33mmとなるように、またその上に絶縁膜4とし
SiO 2 を約1000Å積層し、同様に透明ガラス基板11とし
てのガラス板上に散乱製を有するアルミ製の反射電極10
2 として電極幅が0.30mm, ピッチが0.33mmとなるよう
に、またその上に絶縁膜9として SiO2 を約1000Å積層
し、それぞれを洗浄した後にポリイミドをスピンコータ
で塗布し、 200℃で1時間焼成することにより配向膜
5, 8としての約 200Åのポリイミド膜を成膜した。
の布でラビングした後に両基板を貼り合わせた間に、液
晶層7としてΔnが0.13の液晶物質を封入した。この
際、スペーサ6の径を調整することにより、Δndが 1
50nmとなるようにして強誘電性液晶表示装置を作成し
た。
液晶表示装置の表面(透明ガラス基板2側)のみに偏光
板1(日東電工社製NPF-EG1225DU) を貼り付けて液晶表
示装置を作成した。なお、偏光板1の偏光軸と液晶層7
の液晶分子長軸との関係は、液晶分子の双安定状態の一
方の安定状態において一致するようにしたことは前述の
各実施の形態と同様である。
を有する反射電極102 は、ガラスの表面にサンドブラス
トを施し、フッ酸により凹凸を滑らかにすると共に 0.5
μm以下の凹凸に抑え、その表面にアルミを蒸着した。
示装置の明状態,暗状態それぞれの反射率及び表示状態
を目視で確認したところ、反射率比がほぼ8程度と認め
られる程度の明瞭な明暗状態が得られた。更に、明状態
における鏡面状態も解消されており、また更に二重映り
の状態も見られなかった。
ルミ反射電極に 0.5μm以下の凹凸を形成することによ
り散乱性を付与したが、散乱性を付与したアルミ板上に
透明な平坦化膜を形成して更にその上に透明電極を形成
する構成としてもよく、基本的には同様の効果が得られ
る。
装置によれば、液晶物質の屈折率異方性が0.05乃至0.17
の範囲であり、両配向膜間のギャップが 0.5乃至4μm
であることにより、液晶層がもう一枚の偏光板として機
能するため偏光板が一枚で済む。これにより、反射電極
からの反射光量が増大し、より明るい表示状態が得られ
る。
反射電極に達するまでの光路差、または反射電極での反
射光が偏光板に達するまでの光路差が 100乃至 170nmと
なるように調整されている場合には、一枚の偏光板によ
り明瞭な明暗状態が得られる。
反射電極に達するまでの光路差、または反射電極での反
射光が偏光板に達するまでの光路差が 110乃至 160nmと
なるように調整されている場合には、一枚の偏光板によ
り更に明瞭な明暗状態が得られる。
光及び反射電極での反射光に対してλ/4板として機能
するように調整されている場合には、一枚の偏光板によ
り理想的な明瞭な明暗状態が得られる。
場合には、反射電極からの反射光が外部へ出射する際に
散乱されて白表示の際に白色が忠実に再現される。
電極からの反射光を散乱させる散乱物を更に備えた場合
には、反射電極からの反射光が外部へ出射する際に散乱
されて白表示の際に白色が忠実に再現されると共に、反
射電極が鏡面状態に見えることが防止される。
る。
面図である。
る。
の透過状態を示す模式図である。
の透過状態を示す模式図である。
式的断面図である。
反射率を示すグラフである。
率比を示すグラフである。
模式的断面図である。
模式的断面図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 それぞれに電極と配向膜とが積層された
一対の基板を、それぞれの配向膜間に強誘電性液晶物質
を介在させて対向配置した液晶表示装置において、 前面側の基板上の積層された前記電極が透明電極であ
り、背面側の基板上に積層された前記電極が光反射性を
有する反射電極であり、 前記液晶物質の屈折率異方性が0.05乃至0.17であり、 前記両配向膜間のギャップが 0.5乃至4μmであること
を特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項2】 波長 550nmにおける入射直線偏光が前記
反射電極に達するまでの光路差、または前記反射電極で
の反射光が前記偏光板に達するまでの光路差が 100乃至
170nmであることを特徴とする請求項1に記載の液晶表
示装置。 - 【請求項3】 波長 550nmにおける入射直線偏光が前記
反射電極に達するまでの光路差、または前記反射電極で
の反射光が前記偏光板に達するまでの光路差が 110乃至
160nmであることを特徴とする請求項1に記載の液晶表
示装置。 - 【請求項4】 入射直線偏光及び前記反射電極での反射
光に対してλ/4板として機能するように調整されてい
ることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 - 【請求項5】 前記反射電極は光の散乱性を有すること
を特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 - 【請求項6】 前記反射電極は鏡面性を有し、前記反射
電極からの反射光を散乱させる散乱物を更に備えたこと
を特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9120004A JPH10307292A (ja) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9120004A JPH10307292A (ja) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10307292A true JPH10307292A (ja) | 1998-11-17 |
Family
ID=14775523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9120004A Pending JPH10307292A (ja) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10307292A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001100200A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-04-13 | Samsung Sdi Co Ltd | 反射型液晶表示装置 |
US9063384B2 (en) | 2012-06-26 | 2015-06-23 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
-
1997
- 1997-05-09 JP JP9120004A patent/JPH10307292A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001100200A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-04-13 | Samsung Sdi Co Ltd | 反射型液晶表示装置 |
US9063384B2 (en) | 2012-06-26 | 2015-06-23 | Japan Display Inc. | Liquid crystal display device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3912369A (en) | Single polarizer reflective liquid crystal display | |
JP3410666B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JPH03223715A (ja) | 反射型液晶表示素子 | |
JPH041330B2 (ja) | ||
US20020180913A1 (en) | Reverse reflectance mode direct-view liquid crystal display employing a liquid crystal having a characteristic wavelength in the non-visible spectrum | |
JP2000029010A (ja) | 液晶表示装置 | |
US6469768B1 (en) | Bistable twisted nematic mode reflective liquid crystal display | |
JP2003149682A (ja) | 液晶表示素子 | |
JPH06337421A (ja) | 反射型液晶表示素子 | |
JP2892913B2 (ja) | 反射型液晶表示装置 | |
JP2000047194A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2001311969A (ja) | 調光装置 | |
JP3482737B2 (ja) | 反射型液晶表示装置 | |
JPH10307292A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP3586779B2 (ja) | 強誘電性液晶表示素子 | |
JP3628094B2 (ja) | 液晶表示素子および光学異方素子 | |
JP2850404B2 (ja) | 液晶電気光学素子 | |
KR100446375B1 (ko) | 프린지 필드 스위칭 모드를 이용한 반투과형 액정표시장치 | |
JPH05107534A (ja) | 液晶表示素子 | |
JP3103223B2 (ja) | カラー液晶表示装置 | |
KR100224699B1 (ko) | 액정표시소자 | |
JP3643439B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
JP2003161944A (ja) | 液晶表示装置 | |
JPH09133930A (ja) | 液晶表示素子 | |
KR100294483B1 (ko) | 액정표시소자 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040109 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040723 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040803 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041001 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041102 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041227 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050111 |
|
A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20050225 |