JPH06337421A - 反射型液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 反射率が高く、なおかつ視角依存性の少な
い、広視角の反射型液晶素子を得る。 【構成】 上下基板２１、２６間に誘電異方性が負のネ
マティック液晶からなる液晶層２９を配置し、垂直配向
させる反射型液晶駆動セル２０。上下基板の液晶分子の
配向方位を同じとし、チルト角を異ならせる。このセル
の上基板２１上に、配向方位と直交する方位に光軸２２
ａをもつ位相差板２２を設け、この位相差板上に１枚の
偏光板２３を設ける。位相差板２２のリタデーション値
を１１０乃至１４０ｎｍとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示素子、とくに反
射型液晶表示素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】反射型液晶表示素子はＯＡ機器等の表示
においてバックライトを必要としないため、光源の電力
が必要でなく消費電力の低減が実現でき、携帯用に適し
ている。このような応用分野では、表示素子のコントラ
スト比やその視角依存性らの特性が望まれる他に、高い
反射率が素子の特性上必要不可欠である。前述したコン
トラスト比やその視角依存性の特性に優れるスーパーツ
イスト（ＳＴ）型液晶素子やツイステッドネマティック
（ＴＮ）型液晶素子は偏光板を２枚用いる構成のため、
必然的に反射率が低い。これに対し、偏光板を用いな
い、もしくは１枚のみ用いて、染料を液晶に添加したＧ
Ｈ型液晶素子が開発されてきたが、染料を添加している
ため信頼性に欠け、また染料による光吸収により充分な
反射率は得られないといった問題が有り、あまり応用は
されなかった。これらの背景をもとに近年、偏光板１枚
と反射板を組み合わせたＥＣＢモードの液晶表示素子が
開発されている。

【０００３】その一例としては、ホモジニアス配列させ
た液晶層と１枚の位相差板を反射板（セル内面に配置）
と偏光板（セルと位相差板外面に配置）間に配置した構
成が日本化学会等共催で１９９２年１０月開催の第１８
回液晶討論会（予稿集第２８８頁）にて中村らから提案
されている。この構成では、偏光板を２枚用いる構成に
比べて著しく反射率が高くなるが、正面では優れたコン
トラスト比を得ることができるが、斜めから観察した場
合、コントラスト比が低く表示が反転して見えるといっ
た視角依存性の問題が生じてしまう。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前述したように、近
年、携帯用途を中心に明るい反射型液晶素子の開発が盛
んに行われ、入反射光路として偏光板、基板を１往復し
か通らない構成のものが提案されているが、従来の構成
では、高い反射率は得られる反面、斜めから観察した場
合にコントラスト比が低く、表示が反転して見えるとい
った視角依存性の問題が生じる。

【０００５】本発明はこの問題点を解決し、斜めから観
察した場合の、コントラスト比の低下や表示が反転して
見える視角依存性を改善するものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、前述した問題
点を解決する手段として、所定の方位とチルト角を有す
るよう垂直配向処理され非透過型の電極を有する第１の
基板とこの第１の基板の方位と実質的に同じ方位に前記
チルト角と異なる角度のチルト角を有するように配向処
理され透明電極を有する透明な第２の基板とこれら第１
の基板と第２の基板の間に配置された誘電異方性が負の
ネマティック液晶からなるネマティック液晶層とからな
る液晶駆動セルと、前記第２の基板上に配置され前記配
向処理方位と直交する方位に光軸をもつ位相差板と、こ
の位相差板上に設置される１枚の偏光板とを具備してな
る反射型液晶表示素子にある。

【０００７】また、位相差板のリタデーション値を１１
０乃至１４０ｎｍに設定するものである。

【０００８】

【作用】本発明の原理及び手法について図面を用いて説
明する。

【０００９】図１３は、従来の反射型液晶素子の一例と
してＳＴ型液晶素子の光路を説明したものである。ガラ
スでできた上基板１は外面に上偏光板２を、内面にＩＴ
Ｏの上電極３と上配向膜４を有し、ガラスの下基板５は
外面に下偏光板６と反射板７を積層し、内面にＩＴＯの
下電極８と下配向膜９を形成している。これらを対向さ
せて液晶層１０を挾持する。図から明らかなように、こ
の構成では入射光路ｉと出射光路ｒと合わせて、偏光板
を４回、ガラス基板を４回通過することとなる。

【００１０】また、前記反射型ＳＴ型液晶素子の光利用
率は一般的に次式で表され、 Ｔ＝{[cos β・cos(Φ＋θ−γ)+ sinβ・sin(Φ＋θ−γ)/(1＋α² ）^1/2 ］² ＋α² ・sin ² β・cos ² （Φ−θ−γ）/(１＋α² )} ² …………………（１） 但し、α＝Δｎ・ｄπ／Φλ β＝Φ（１＋α² ）^1/2 Ｔ：光利用率 Φ：液晶層のツイスト角（ｒａｄ．） θ：上偏光板吸収軸と上基板ラビング方向のなす角（ｒ
ａｄ．） γ：下偏光板吸収軸と上基板ラビング方向のなす角（ｒ
ａｄ．） Δｎ：液晶組成物の屈折率異方性 ｄ：液晶層厚（ｎｍ） λ：入射光波長（ｎｍ） である。

【００１１】これに、一般的なセル構成条件を代入して
計算するとＴ＝１６〜６４％となる。さらに、偏光板の
光透過量（５０％弱）、ガラス基板４枚の光透過量（９
０％の４乗＝６６％）を乗じると５〜２１％となる。

【００１２】これに対し、図１４に示すように前述した
ホモジニアス配列させた液晶層１１と１枚の位相差板１
２を反射板１３（セル内面に配置）と偏光板１４（セル
と位相差板外面に配置）間に配置した構成では、光路が
入射光路と出射光路と合わせて、偏光板１４を２回、セ
ルのガラス基板（上基板）１５を２回しか通過しない。
また、この構成の光学的モードはＥＣＢモードと呼ば
れ、その光利用率は一般的に次式で表される。

【００１３】 Ｔ＝１−sin ² ２θ・sin ² （２Δ・ｄ／λ）………………（２） 但し、Δｎ：（位相差板、液晶組成物の）屈折率異方性 ｄ：（位相差板、液晶組成物の）層厚 θ：偏光板吸収軸と位相差晩、液晶組成物の屈折率異方
性の生じる方位とのなす角 であり、位相差板と液晶層の分子配列方向が直交してい
る場合、リタデーション値Δｎ・ｄ＝（位相差板のΔｎ
・位相差板のｄ）−（液晶組成物のΔｎ・液晶層のｄ）
である。

【００１４】この式にΔｎ・ｄ〜０（電圧印加時）を代
入するとＴ＝１００％となり、これに、偏光板の光透過
量（５０％弱）、ガラス基板２枚の光透過量（９０％の
２乗＝８１％）を乗じると約４０％となる。

【００１５】したがって、このセル構成では高い反射率
を得ることができる。

【００１６】しかしながら、このセル構成では正面では
優れたコントラスト比が得られるが斜めから観察した場
合、コントラスト比が低い、表示が反転して見えるとい
う視角依存性の問題が生じる。前記したように、このセ
ル構成における光利用率は（１）式で表され、表示の明
暗は電界制御による液晶層の実効的なΔｎの変化によっ
ている。例えば正面から観察した場合に、このΔｎを液
晶層のみの変化で０にするには液晶分子を完全に基板方
線方向に傾けなければならず、これを電界制御のみで行
うことは大きな駆動電圧を要するために実用的でなく、
そこで位相差板を挿入し、ある程度の印加電圧でΔｎ・
ｄが０となるようにしているわけであるが、このΔｎ・
ｄは斜めから観察した場合に著しく正面と値が変わって
しまう。

【００１７】（１）式より表示の明暗を最も大きくとる
には、θ＝４５°、Δｎ・ｄ＝１２５ｎｍ（視感度の高
い５５０ｎｍ程度の光波長の場合）とΔｎ・ｄ＝０の制
御をすればよい。この条件で実用上可能な液晶層の実効
的Δｎの変化（液晶分子の平均的傾き角を８５°として
計算すると９％）から、位相差板のΔｎ・ｄを計算する
と約１３ｎｍとなり、液晶組成物のΔｎと液晶層厚ｄを
乗じた値Δｎ・ｄを計算すると１３８ｎｍになる。

【００１８】ここで、全体のΔｎ・ｄが０となる液晶分
子配列を考えると、図６のようになる。図においてαｘ
は液晶分子Ｍの平均傾き角であり、液晶組成物（図は屈
折率楕円体で表す）ＬＣＭのΔｎをぶんしの長軸方向距
離で表すと、この傾きにおける液晶層の実効的Δｎがき
まる。すなわち 液晶層の実効的Δｎ＝（ＬＣＭのΔｎ）・ｃｏｓ（α
ｘ） 図において液晶層厚をｄとし、位相差板の光軸を紙面法
線方向に配置している。

【００１９】液晶分子の傾いている方向から観察した場
合の液晶層の見掛上のΔｎ・ｄは０となるので、この方
位における全体のΔｎ・ｄは約１３ｎｍになる。したが
ってこの方位ではこの分、光が反射することになる。ま
たこれと基板法線方向に直交する方位では液晶層の見掛
上のΔｎ・ｄは１３８ｎｍであり、全体のΔｎ・ｄは約
１２５ｎｍになる。したがってこの方位では反射率は正
面における電圧無印加の状態の反射率に等しいものとな
る。このようにこの構成では設計上高い反射率は得られ
るものの、著しい視角依存性を生じてしまう。

【００２０】本発明では、この構成と同様、高い反射率
を得て、かつこのような視角依存性が生じにくい反射型
液晶表示素子を得るものであり、以下に説明する。

【００２１】図３および図４は本発明による液晶表示素
子のセル構造を説明するものである。図３（ａ）は光学
的な構成を説明するもので、図３（ｂ）は部材の構成を
説明するもの、図４は駆動セルの電圧無印加時の液晶分
子配列を説明したものである。

【００２２】本発明による液晶表示素子における光学的
な構成はホモジニアス配列させた液晶層２９と１枚の位
相差板２２を反射板２７と偏光板２３間に配置した構成
の液晶セル２０をいわゆるベンド配列にした構成とな
る。光路について説明すると外光による入射光は偏光板
２３を通り、直接偏光となる。電圧無印加時は駆動セル
２０の液晶分子Ｍはほぼ垂直に配向しているので、液晶
表示素子に対して垂直に入射した光に対しては、駆動セ
ル２０内に偏光せず通過する。したがって、前記垂直偏
光は位相差板によってのみ位相をずらして反射板２７に
よって反射され、再び位相差板２２を通過して偏光板２
３に出射される。

【００２３】これにより電圧無印加時は位相差板２２の
リタデーション値（ＲRf）の２倍分のみ位相をずらして
出射される。この場合の出射光量は、（１）式によって
計算でき、図５の曲線になる。図から明らかなように、
青Ｂ、緑Ｇ、赤Ｒの３色の各光波長において光利用率Ｔ
が同時に０になることはないが、ＲRfを１１０乃至１４
０ｎｍにすることによって、電圧無印加時の出射光量は
０に近い値をとることができる。すなわち各曲線は他の
値でも０の場合があるが、可視光全域（λ＝４３０〜６
２０ｎｍ）にわたってＴがほぼ０になるのは、Δｎ・ｄ
＝１１０〜１４０ｎｍである。とくに１２５ｎｍに近い
ほど、０に近い値をとることになる。

【００２４】これに対して、駆動セルに電圧を印加した
場合、駆動セルの液晶組成物は誘電異方性が負のため、
液晶分子は各々の基板のラビング配向処理によるラビン
グ方向に傾きをもってセル平面内に配列する。この場
合、印加電圧が高いほど平面方向に配列する。したがっ
て駆動セルは前述した位相差板と延伸軸と直交した方位
にリタデーションを発生させることになり、駆動セルと
位相差板の全体の位相差は、Δｎ・ｄ＝ＲRF−（駆動セ
ルのΔｎ・ｄ）となり、例えば、ＲRF＝（駆動セルのΔ
ｎ・ｄ）の場合、Δｎ・ｄ＝０となり、図２より、Ｔ＝
１００％となる。したがって、駆動セルの液晶組成物の
Δｎと液晶層厚を乗じた値をＲRf以上とすることによっ
て、本発明の液晶表示素子は電圧無印加時にＴ＝０、電
圧印加時にＴ＝１００％の光制御が可能になる。

【００２５】次に本発明の液晶表示素子の視角依存性に
ついて説明する。本発明の液晶表示素子の駆動セルの液
晶分子配列は、およそ図４のようになっている。上下基
板表面における液晶分子は、どちらかというと垂直配列
に近く（基板に対する液晶分子の傾き角（プレチルト角
αＦ、αＲ）が７５％より大）、基板平面に対してその
傾く方向は上下で逆となり、すなわち上下のラビング方
向がセル平面方向において同じであり、上下基板表面の
液晶分子は対向しあっているので、傾く方向は丁度逆と
なり、さらに上下基板のプレチルト角が異なっている。
このような分子配列は、いわゆるベンド配列と呼ばれる
もので、厳密にいうと上下のプレチルト角の異なったベ
ンド配列ということになる。

【００２６】上記分子配列をもつ駆動セルに電圧を印加
すると、液晶分子Ｍは図７のようにセル平面方向に傾
く。液晶層の上部分と下部分では傾く方向が逆となって
いるので、屈折率楕円体ＬＣＭも図のように上下で逆の
方向に傾いており、これらの楕円体長軸方向に観察方向
を傾けても、上下に対称的な楕円体の傾きにより、その
リタデーション値はさほど変化しないことになる。これ
に対し、図８のように上下基板２１、２６の液晶分子の
傾きを基板平面方向に対して同一方向とした場合、すな
わち上下基板におけるラビング方向を１８０°逆にした
場合、その屈折率楕円体ＬＣＭは図のように液晶層の上
下で同じ方向に傾くことになり、これら傾く方向に観察
方向を傾けた場合、リタデーション値は著しく変化する
ことになる。

【００２７】また上下基板におけるプレチルト角（上基
板をαＦ、下基板をαＲ）が等しいほど、前述した屈折
率楕円体は液晶層の上下で対称的な形状になるが、αＦ
＝αＲとした場合には、電圧印加時に液晶分子配列が図
９に示すように、αＦに支配的に傾く部分とαＲに支配
的に傾く部分と双方生じてしまい、その境界に配向欠陥
が生じてしまう問題が生じる。そこで、本発明において
は、ある程度、上下の屈折率楕円体の形状が対称的であ
ることを維持しつつこれら配向不良が生じないよう、上
下基板２１、２６のプレチルト角αＦ、αＲを異ならせ
た構造を取っている。実質的にはΔα＝｜αＦ−αＲ｜
≦５°である。

【００２８】このように上下基板のプレチルト角を異な
らせた構造における電圧印加時の液晶分子配列を概略図
示すると、図１０のようになる。セル全域においてプレ
チルト角の低い方に支配的に液晶分子が傾くため、前述
した配向欠陥は生じない。

【００２９】また、図３（ａ）、（ｂ）から明らかなよ
うに、本発明の液晶表示素子は、入射光路、出射光路合
わせて、偏光板を２回、ガラス基板を２回しか通らない
明るい反射型ＥＣＢモードの液晶表示素子である。

【００３０】以上のことから、本発明の液晶表示素子の
構造を用いると、反射率が高く、従来技術に比べて視角
依存性の少ない反射型液晶表示素子を実現することがで
きる。 ところで本発明の液晶表示素子は駆動セルにお
ける液晶分子配列をいわゆるベンド配列にすることによ
って電圧印加時における屈折率楕円体形状を液晶層の上
下でほぼ対称的な形状にすることによって視角依存性を
改善するものである。

【００３１】同様の原理から、本発明に用いる位相差板
においても、これを図１１に示すようなスプレイ配列状
の分子配列からなる液晶セル、もしくはこれと同様の分
子配列からなる高分子液晶フィルムに置き換えると位相
差板におけるリタデーション値の視角依存性も改善さ
れ、さらに視角依存性の少ない液晶表示素子を実現でき
る。この場合の電圧印加時、無印加時の屈折率楕円体の
形状を略図で示すと図１２のようになる。位相差板およ
び駆動セルの液晶層の屈折率をｘｙｚ軸上の楕円体で表
すことができ、電圧印加時と電圧無印加度で図のような
関係になる。位相差板の各軸の屈折率ｎｘ、ｎｙ、ｎｚ
は、ｎｚ＝ｎｘ＞ｎｙの関係にある。

【００３２】一方、駆動セルは電圧印加時はｎｚ＝ｎｙ
＞ｎｘ、電圧無印加時はｎｚ＞ｎｘ＝ｎｙである。電圧
印加時における２つの楕円体を合成した場合、ほぼ球状
にすることが可能であることがわかる。

【００３３】

【実施例】以下本発明の実施例について詳細に説明す
る。

【００３４】（実施例１）図１に示すように、液晶駆動
セル２０を構成する透明ポリカーボネイト板でできた上
基板２１外面に位相差板２２と偏光板２３とを、位相差
板２２がセル２０と偏光板２３間に配置されるように密
着積層し、上基板２１内面にＩＴＯでできたストライプ
状の上電極２４とポリイミドの上配向膜２５を形成す
る。セル２０を構成する他の基板である下基板２６はポ
リカーボネイト板で形成され一方の面すなわち内面とな
る面を粗面として粗面上にアルミニウム層からなる反射
板兼用の光反射性の下電極２７を被着し、その上に下配
向膜２８を形成する。この上下基板２１、２６を対向さ
せて所定間隔をあけてシール剤によりシールし、基板間
に液晶層２９を充填する。

【００３５】すなわち、下基板２６は図２（ａ）に示す
ように一方の表面に約３０μｍの凹凸のある厚さ１．２
ｍｍの成型されたポリカーボネイト板であり、反射板２
７としてアルミニウムを３００００オングストローム蒸
着し、さらに同図（ｂ）に示すように、これを線幅３０
０μｍ、線間５μｍ、ライン長さ２４０ｍｍ、ライン数
４８０本にてストライプ状にパターニングし、反射板を
兼ねた下電極２７を形成する。

【００３６】図１に示すように、対向する基板として透
明で複屈折性のない厚さ１．２ｍｍのポリカーボネイト
からなる上基板２１を用意し、その内面となる面上に線
幅３００μｍ、線間５μｍ、ライン長さ１５０ｍｍ、ラ
イン数６４０本にてストライプ状にパターニングしたＩ
ＴＯからなる上電極２４を形成し、双方の基板２１、２
６表面に一塩基性クロム錯体を塗布した後、双方の基板
でラビング強度を異ならせてラビング処理をおこない、
双方のストライプ状の電極２４、２７が直交するよう対
向させる。ここでアルミニウムの電極２７を有する基板
２６のプレチルト角は約８９°になるようにしており、
また、ＩＴＯ電極２４を有する基板２１のプレチルト角
は約８７°になるようにしてある。

【００３７】また、上下基板のラビング方向は図３
（ａ）に示す駆動セルの構造に準じたものであり、両基
板２１、２６間に誘電異方性が負のネマティック液晶で
あるＺＬＩ−４８５０（Δｎ：０．２０８、メルクジャ
パン社製）からなる液晶組成物を充填し層厚５．０μｍ
の液晶層２９として挟持し、本発明の駆動用液晶セル２
０を作製した。液晶層２９のΔｎ・ｄは１．０４μｍに
なる。

【００３８】こうして得た駆動セルの上基板２１上にポ
リカーボネイトを一定方向に延伸して光軸として延伸軸
（遅相軸）２２ａとした位相差板２２（Ｒ＝１２５ｎ
ｍ）を図３（ａ）に示す配置（上基板のラビング配向方
向２１ａと直交）で組み合わせ、その上に偏光板２３を
吸収軸２３ａが図３（ａ）に示す配置（延伸軸２２ａと
直交）で組み合わせて本発明の液晶表示素子を作製し
た。

【００３９】このようにして得た液晶表示素子を１／４
８０デューティでマルチプレックス駆動したところ、上
下方向、左右方向ともに入射角４０°以下にてコントラ
スト比が５対１以上と極めて広い視角依存性が得られ
た。また、印加電圧が選択画素に該当する電圧にて反射
率を測定したところ、３９％と極めて高い反射率である
ことがわかった。

【００４０】（実施例２）実施例１同様に作製した本発
明の駆動用液晶セルにおいて位相差板のリタデーション
値を２５０ｎｍとした。本実施例は駆動セルに電圧を印
加しない状態で光を反射し、電圧印加状態で駆動セルと
位相差板の全体のリタデーション値が１２５ｎｍとなる
ようにしたもので、実施例１とは逆の、表示を反転した
ノーマリーホワイトモードとなる。

【００４１】このようにして得た液晶表示素子を１／４
８０デューティマルチプレックス駆動したところ、上下
方向、左右方向ともに入射角３０°以下にてコントラス
ト比が５対１以上と極めて広い視角依存性が得られた。
また、印加電圧が選択画素に該当する電圧にて反射率を
測定したところ、３５％と極めて高い反射率であること
がわかった。

【００４２】（実施例３）実施例１におけるポリカーボ
ネート位相差板２２のかわりに、液晶分子をスプレイ状
に配列させたネマティック補償用液晶セルを位相差板と
して用いて本発明の液晶表示素子を作製した。ここで用
いた補償用液晶セルはガラスの上下基板にＳｉＯを斜方
蒸着して配向膜としたもので、上下基板のプレチルト角
はともに４５°であり、上下基板のチルト方向（基板平
面方向）は、上下で１８０°異ならせており、ここに、
液晶層として誘電異方性が正のネマティック液晶である
ＺＬＩ−２８０６（メルクジャパン製）を挟持したもの
である。液晶層厚は約５．７μｍである。また、この補
償用液晶セルのセル法線方向に対するリタデーション値
をスペクトル法を用いて測定したところ、１２５ｎｍで
あった。また、この補償用液晶セル、駆動セルはそれぞ
れ液晶分子のチルト方位（基板平面方位）が直交するよ
うに配置した。

【００４３】実施例１同様、１／４８０デューティマル
チプレックス駆動したところ、上下方向、左右方向とも
に入射角５０°以下にてコントラスト比が５対１以上と
極めて広い視角依存性が得られた。また、印加電圧が選
択画素に該当する電圧にて反射率を測定したところ、３
７％と高い反射率であることがわかった。

【００４４】

【発明の効果】本発明によれば、反射率が高く、なおか
つ視角依存性の少ない、極めて広視角の液晶素子を実現
できる。

【００４５】また、実施例では、単純マトリクス型素子
について説明したが，本発明はＭＩＭや、ＴＦＴからな
るスイッチング素子を用いたマトリクス素子ても同様の
効果を得ることは言うまでもなく、また、３原色のカラ
ーフィルターを用いての表示のカラー化をしてもの同様
の効果を得ることは言うまでもない。特にＭＩＭや、Ｔ
ＦＴからなるスイッチング素子を設けた構造の液晶素子
とする場合、画素電極が透明である必要性がなくなるた
め、一般的にゲート線等の材料として用いる金属材料を
画素電極にも用いることが可能になり、同時に成膜、パ
ターニングが可能となり、製造コストの低減が実現す
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の一部断面図。

【図２】（ａ）、（ｂ）は本発明の実施例に用いる基板
の概略と製造プロセスの概略を説明する図。

【図３】本発明の原理を説明するもので、（ａ）は各部
分の配置を示す分解斜視図、（ｂ）は構成を示す略図。

【図４】図３における液晶分子配列を説明する略図。

【図５】青Ｂ、緑Ｇ、赤Ｒ３色の光波長のリタデーショ
ン値に対する光利用率Ｔを示す曲線図。

【図６】液晶分子の傾き角と液晶層の実効的Δｎを説明
する略図。

【図７】電圧印加時の液晶分子のベンド配列を説明する
略図。

【図８】図７の配列と対比させた液晶分子配列を説明す
る略図。

【図９】上下基板のプレチルト角が同じ場合のベンド配
列の振るまいを説明する略図。

【図１０】上下基板のプレチルト角が異なる場合のベン
ド配列の振るまいを説明する略図。

【図１１】位相差板の液晶分子のスプレイ配列を説明す
る略図。

【図１２】位相差板と駆動用液晶セルの電圧印加時と電
圧無印加時に組み合わせる屈折率楕円体を示す図。

【図１３】従来の反射型ＳＴ型液晶素子の部材構成と光
路を説明する一部断面図。

【図１４】従来のホモジニアス配列させた液晶層と１枚
の位相差板を反射板と偏光板間に配置した構成の液晶素
子を説明する略図。

【符号の説明】

２０…液晶駆動セル ２１…上基板 ２２…位相差板 ２３…偏光板 ２４…上電極 ２５…上配向膜 ２６…下基板 ２７…下電極 ２８…下配向膜 ２９…液晶層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村山 昭夫 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】所定の方位とチルト角を有するよう垂直配
   向処理され非透過型の電極を有する第１の基板と前記第
   １の基板の方位と実質的に同じ方位に前記チルト角と異
   なる角度のチルト角を有するように垂直配向処理され透
   明電極を有する透明な第２の基板とこれら第１の基板と
   第２の基板の間に配置された誘電異方性が負のネマティ
   ック液晶からなる液晶層とからなる液晶駆動セルと、前
   記第２の基板上に配置され前記配向処理方位と直交する
   方位に光軸をもつ位相差板と、この位相差板上に設置さ
   れる１枚の偏光板とを具備してなる反射型液晶表示素
   子。
2. 【請求項２】 位相差板のリタデーション値が１１０乃
   至１４０ｎｍである請求項１記載の反射型液晶表示素
   子。