JPS61267028A - 液晶の配向制御法 - Google Patents
液晶の配向制御法Info
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- JPS61267028A JPS61267028A JP10808385A JP10808385A JPS61267028A JP S61267028 A JPS61267028 A JP S61267028A JP 10808385 A JP10808385 A JP 10808385A JP 10808385 A JP10808385 A JP 10808385A JP S61267028 A JPS61267028 A JP S61267028A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/141—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using ferroelectric liquid crystals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は１強誘電性液晶を表示素子として用いる場合の
初期分子配列状態、すなわち配向状態を午える方法に関
するものである。
初期分子配列状態、すなわち配向状態を午える方法に関
するものである。
［従来の技術］
強誘電性液晶分子の屈折率異方性を利用して、偏光素子
との組み合わせにより透過光線を制御する型の表示素子
が、クラークおよびラガバルにより提案されている（特
開昭５８−１０７２１１１号公報、米国特許ＷＳ４３８
７９２４号明細書等）、この強誘電性液晶は、一般に特
定の温度域において、カイラルスメクチックＣ相（Ｓｓ
Ｃ”）又はＨ相（ＳｍＨつを有し、この状態において、
加えられる電界に応答して第１の光学的安定状態と第２
の光学安定状態のいずれかを取り、且つ電界の印加のな
いときはその状態を維持する性質、すなわち双安定性を
有し、また電界の変化に対する応答も速やかであり、高
速ならびに記憶型の表示素子としての広い利用が期待さ
れている。しかしながら、この双安定性を有する液晶を
用いる光学変調素子が所定の駆動特性を発揮するために
は、一対の平行基板間に配置される液晶が、電界の印加
状態とは無関係に、上記２つの安定状態の間での変換が
効果的に起こるような分子配列状態にあることが必要で
ある。たとえばＳ■Ｃ°または５ｓｔＨ”相を有する強
誘電性液晶については、Ｓａｃ中またはＳｍＨ”相を有
する液晶分子層が基板面に対して垂直に、すなわち層の
面に垂直な液晶分子軸が基板面には、ぼ平行に配列した
領域（モノドメイン）が形成される必要がある。しかし
ながら、従来の双安定性を有する液晶を用いる光学変調
素子においては、このようなモノドメイン構造を有する
液晶の配向状態が、必ずしも満足に形成されなかったた
めに、充分な特性が得られなかったのが実情である。
との組み合わせにより透過光線を制御する型の表示素子
が、クラークおよびラガバルにより提案されている（特
開昭５８−１０７２１１１号公報、米国特許ＷＳ４３８
７９２４号明細書等）、この強誘電性液晶は、一般に特
定の温度域において、カイラルスメクチックＣ相（Ｓｓ
Ｃ”）又はＨ相（ＳｍＨつを有し、この状態において、
加えられる電界に応答して第１の光学的安定状態と第２
の光学安定状態のいずれかを取り、且つ電界の印加のな
いときはその状態を維持する性質、すなわち双安定性を
有し、また電界の変化に対する応答も速やかであり、高
速ならびに記憶型の表示素子としての広い利用が期待さ
れている。しかしながら、この双安定性を有する液晶を
用いる光学変調素子が所定の駆動特性を発揮するために
は、一対の平行基板間に配置される液晶が、電界の印加
状態とは無関係に、上記２つの安定状態の間での変換が
効果的に起こるような分子配列状態にあることが必要で
ある。たとえばＳ■Ｃ°または５ｓｔＨ”相を有する強
誘電性液晶については、Ｓａｃ中またはＳｍＨ”相を有
する液晶分子層が基板面に対して垂直に、すなわち層の
面に垂直な液晶分子軸が基板面には、ぼ平行に配列した
領域（モノドメイン）が形成される必要がある。しかし
ながら、従来の双安定性を有する液晶を用いる光学変調
素子においては、このようなモノドメイン構造を有する
液晶の配向状態が、必ずしも満足に形成されなかったた
めに、充分な特性が得られなかったのが実情である。
このような強誘電性液晶の配向方法としては、従来のＴ
Ｎ型液晶表示装置におけると同様に、ラビング法や斜方
蒸着により、液晶セル内の基板面に、物理的なキズ（溝
）を付した有機９膜、無機蒸着膜を形成して分子の配列
方向性を与えるものであった０例えば、ラビング法は、
ガラス基板上に透明電極を形成した後、有機高分子膜を
形成して゛それをビロードなどの布で一方向へこすり、
膜表面についた微細なキズによって液晶分子を整列させ
るものである。
Ｎ型液晶表示装置におけると同様に、ラビング法や斜方
蒸着により、液晶セル内の基板面に、物理的なキズ（溝
）を付した有機９膜、無機蒸着膜を形成して分子の配列
方向性を与えるものであった０例えば、ラビング法は、
ガラス基板上に透明電極を形成した後、有機高分子膜を
形成して゛それをビロードなどの布で一方向へこすり、
膜表面についた微細なキズによって液晶分子を整列させ
るものである。
【発明が解決しようとする問題点］
ラビング法は、生産性等の点から工業的にも有力な配向
方法であるが、複数のストライプ状のスペーサーを有す
る液晶セルを用いて強誘電性液晶を配向させようとする
と、ラビング処理だけでは充分な配向状態が得られず、
液晶分子の配列が乱れた部分（欠陥）を生じることがし
ばしば起こる。
方法であるが、複数のストライプ状のスペーサーを有す
る液晶セルを用いて強誘電性液晶を配向させようとする
と、ラビング処理だけでは充分な配向状態が得られず、
液晶分子の配列が乱れた部分（欠陥）を生じることがし
ばしば起こる。
本発明者は、上記欠陥が形成される原因を調べた結果、
液晶セルに封入した強誘電性液晶を、一度等方相となる
温度まで昇温し、その後、強誘電性を示す相（Ｓａｃ”
またはＳ■Ｈ・相）をとる温度まで徐冷する過程（クー
リング過程）において、相界面が前記スペーサー（すな
わちラビング方向）と平行になっていない部分において
欠陥が発生しやすいことを見いだした。
液晶セルに封入した強誘電性液晶を、一度等方相となる
温度まで昇温し、その後、強誘電性を示す相（Ｓａｃ”
またはＳ■Ｈ・相）をとる温度まで徐冷する過程（クー
リング過程）において、相界面が前記スペーサー（すな
わちラビング方向）と平行になっていない部分において
欠陥が発生しやすいことを見いだした。
このような現象が起こる原因としては、一般的に高温側
の相からスメクチック相のごとく層構造をもつ液晶相へ
と相変化が行われる際に、層は相界面に対して垂直に形
成されることが知られている。一方、ラビング処理がス
ペーサーに平行な方向に施されると、液晶分子はスペー
サーに平行に揃って配列し、層はスペーサーに対して垂
直に形成される。この時、相界面がスペーサーに対して
平行でなければ、相界面に垂直に層を形成させる作用と
、ラビング処理により層をスペーサーに対して垂直に形
成させる作用が競合し、その結果、液晶分子の配列の乱
れた領域が出現するものと考えられる。
の相からスメクチック相のごとく層構造をもつ液晶相へ
と相変化が行われる際に、層は相界面に対して垂直に形
成されることが知られている。一方、ラビング処理がス
ペーサーに平行な方向に施されると、液晶分子はスペー
サーに平行に揃って配列し、層はスペーサーに対して垂
直に形成される。この時、相界面がスペーサーに対して
平行でなければ、相界面に垂直に層を形成させる作用と
、ラビング処理により層をスペーサーに対して垂直に形
成させる作用が競合し、その結果、液晶分子の配列の乱
れた領域が出現するものと考えられる。
本発明は、上述した従来の液晶分子配向方法の欠点に鑑
みなされたもので、温度勾配下で形成されるスメクチッ
ク相とコレステリック相、ネマチック相又は等方相との
相界面を、一軸性配向処理方向（例えばラビング方向）
に平行となるよう制御することによって、強誘電性液晶
の特性を充分に活すことの可能なスメクチック液晶分子
の配向制御法を提供することを目的とするものである。
みなされたもので、温度勾配下で形成されるスメクチッ
ク相とコレステリック相、ネマチック相又は等方相との
相界面を、一軸性配向処理方向（例えばラビング方向）
に平行となるよう制御することによって、強誘電性液晶
の特性を充分に活すことの可能なスメクチック液晶分子
の配向制御法を提供することを目的とするものである。
ｃ問題点を解決するための手段］
本発明は、高温側の相から強誘電性を示す相へ徐冷する
際に、相界面が液晶核発生部材となるスペーサーと平行
、すなわちラビング方向と平行となるようスペーサーに
対して垂直な方向に一方向の温度勾配を与えるもので、
特に少なくとも一方に一軸性配向処理を施した２枚の基
板間に配置したところのクーリング過程の低温側でスメ
クチック相を呈する液状物質に、該液状物質の面内一方
向に沿った方向に温度勾配をもつ温度分布を付与する工
程と、前記温度勾配をもつ温度分ａ′Ｆで前記液状物を
クーリングすることによってスメクチック相まで相転移
させる工程とを有している点に特徴を有している。
際に、相界面が液晶核発生部材となるスペーサーと平行
、すなわちラビング方向と平行となるようスペーサーに
対して垂直な方向に一方向の温度勾配を与えるもので、
特に少なくとも一方に一軸性配向処理を施した２枚の基
板間に配置したところのクーリング過程の低温側でスメ
クチック相を呈する液状物質に、該液状物質の面内一方
向に沿った方向に温度勾配をもつ温度分布を付与する工
程と、前記温度勾配をもつ温度分ａ′Ｆで前記液状物を
クーリングすることによってスメクチック相まで相転移
させる工程とを有している点に特徴を有している。
具体的な方法としては、複数のスペーサーのうち、少な
くとも一つを液晶層の発生を促す部材。
くとも一つを液晶層の発生を促す部材。
すなわち液晶核発生部材とし、前記スペーサーを有する
基板側の透明電極のうち、少なくとも１つに直流電流を
流し１発熱体として液晶層を昇温させるものである。
基板側の透明電極のうち、少なくとも１つに直流電流を
流し１発熱体として液晶層を昇温させるものである。
［作 用］
第３図は相界面の発生状態を示す概略図である０図にお
いて、５は液晶核発生部材、６は等方相（又はコレステ
リック相、ネマチック相であってもよい）とスメクティ
７り相との相界面を示す、前記方法によ３て液晶層を昇
温させると、液晶核発生部材５は液晶相が発生する際の
核となる核発生部材として作用し、液晶相は第３図に示
したように液晶核発生部材５に平行な相界面６をもって
、垂直方向に成長していく、このようにスメクチック相
を成長させることによって、相界面に垂直に配列しよう
とする抑制力と、ラビング処理によりラビング方向と垂
直に配列しようとする抑制力とが重畳し、スメクチック
相の層の方向は、液晶核発生部材と垂直となる方向に形
成される。
いて、５は液晶核発生部材、６は等方相（又はコレステ
リック相、ネマチック相であってもよい）とスメクティ
７り相との相界面を示す、前記方法によ３て液晶層を昇
温させると、液晶核発生部材５は液晶相が発生する際の
核となる核発生部材として作用し、液晶相は第３図に示
したように液晶核発生部材５に平行な相界面６をもって
、垂直方向に成長していく、このようにスメクチック相
を成長させることによって、相界面に垂直に配列しよう
とする抑制力と、ラビング処理によりラビング方向と垂
直に配列しようとする抑制力とが重畳し、スメクチック
相の層の方向は、液晶核発生部材と垂直となる方向に形
成される。
［実施例］
第１図及び第２図は本発明の一実施例を示す図である。
第２図において、１は液晶セル、２及び２ｄはガラス板
からなる上、下基板である。この上基板２及び下基板２
ａには、それぞれ複数のストライプ状の透明電極３及び
３ａが設けられており、さらにこの透明電極の上にはポ
リイミド等の配向膜４が形成されている。そしてこの２
枚の基板は。
からなる上、下基板である。この上基板２及び下基板２
ａには、それぞれ複数のストライプ状の透明電極３及び
３ａが設けられており、さらにこの透明電極の上にはポ
リイミド等の配向膜４が形成されている。そしてこの２
枚の基板は。
第１図に示すように上下の透明電極が互いに直交してマ
トリックス状に配置されている。また、上基板２と下基
板２ａの間隔は、少なくとも一方の基板（この場合下基
板）に、ポリイミド等の液晶核発生部材５をスペーサー
とし、これをフォトリソグラフィー等の手法によって透
明電極３，３ａの間隔をほぼ埋めるように形成すること
によって保持され、液晶の初期配列を学えるラビング処
理は。
トリックス状に配置されている。また、上基板２と下基
板２ａの間隔は、少なくとも一方の基板（この場合下基
板）に、ポリイミド等の液晶核発生部材５をスペーサー
とし、これをフォトリソグラフィー等の手法によって透
明電極３，３ａの間隔をほぼ埋めるように形成すること
によって保持され、液晶の初期配列を学えるラビング処
理は。
ｈ下の透明電極と同一方向に施されている。この上Ｆ基
板には強誘電性液晶１０が対人されている。
板には強誘電性液晶１０が対人されている。
なお、この上下基板の周１７Ｉｆｆ部には、前記強誘電
性液晶ＩＯを刺入するためのシール材９が設けられてい
る。
性液晶ＩＯを刺入するためのシール材９が設けられてい
る。
このような液晶セルを等方相からスメクチック相へ徐冷
すると同時に、下基板２ａ側の少なくとも１本の透明電
極に、第１図に示すように直流電源８によって直流電流
を流し、前記透明電極を発熱源とすることによって、ラ
ビング方向と垂直な方向に一様な温度勾配をもつ温度分
布を与えることができる。この結果、セル全体にわたっ
て均一に配向したモノドメインが形成される。
すると同時に、下基板２ａ側の少なくとも１本の透明電
極に、第１図に示すように直流電源８によって直流電流
を流し、前記透明電極を発熱源とすることによって、ラ
ビング方向と垂直な方向に一様な温度勾配をもつ温度分
布を与えることができる。この結果、セル全体にわたっ
て均一に配向したモノドメインが形成される。
この際１本発明ではクーリング過程で順次等方相→コレ
ステリック相→スメクチックＡ相→カイラルスメクチッ
ク相１等方相→スメクチックＡ相→カイラルスメクチ７
り相、等方相→コレステリック相→カイチルスメクチッ
ク相あるいは等方相→カイラルスメクチック相と相転移
を生じる液晶物質が用いられる。カイラルスメクチック
相としては、Ｃ相、Ｈ相、１相、Ｊ相、Ｋ相を用いるこ
とができる。
ステリック相→スメクチックＡ相→カイラルスメクチッ
ク相１等方相→スメクチックＡ相→カイラルスメクチ７
り相、等方相→コレステリック相→カイチルスメクチッ
ク相あるいは等方相→カイラルスメクチック相と相転移
を生じる液晶物質が用いられる。カイラルスメクチック
相としては、Ｃ相、Ｈ相、１相、Ｊ相、Ｋ相を用いるこ
とができる。
第４図は本発明の他の実施例を示す図である。
前記の実施例では、液晶を駆動するための透明電極を、
温度勾配を与えるためのヒーター電極として使用したが
、第４図に示すように新たにヒーター電極７を液晶核発
生部材５とモ行に設けることもできる。このように他の
発熱体を用いることによっても前記実施例同様に均一に
配向したモノドメインを得ることができる。なお、この
場合でも前記液晶核発生部材５は液晶核発生部材として
併用することができる。
温度勾配を与えるためのヒーター電極として使用したが
、第４図に示すように新たにヒーター電極７を液晶核発
生部材５とモ行に設けることもできる。このように他の
発熱体を用いることによっても前記実施例同様に均一に
配向したモノドメインを得ることができる。なお、この
場合でも前記液晶核発生部材５は液晶核発生部材として
併用することができる。
また、液晶核発生部材５としては、前述のポリイミドの
他、ポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイ
ミド、ポリエステルイミド、ポリパラキシリレン、ポリ
エステル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、
ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリス
チレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、
アクリル樹脂などの樹脂類、あるいは感光性ポリイミド
、感光性ポリアミド、環化ゴム系フォトレジスト、フェ
ノールノボラック系フォトレジストあるいは電子線フォ
トレジスト（ポリメチルメタクリレート、エポキシ化−
１，４−ポリブタジェンなど）を用いることができる。
他、ポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミドイ
ミド、ポリエステルイミド、ポリパラキシリレン、ポリ
エステル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタール、
ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリス
チレン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂、
アクリル樹脂などの樹脂類、あるいは感光性ポリイミド
、感光性ポリアミド、環化ゴム系フォトレジスト、フェ
ノールノボラック系フォトレジストあるいは電子線フォ
トレジスト（ポリメチルメタクリレート、エポキシ化−
１，４−ポリブタジェンなど）を用いることができる。
第５図は１強誘電性液晶の動作説明のためにセルの例を
模式的に描いたものである。
模式的に描いたものである。
５１ａ ト５１ｂは、Ｉｎ２ｏ３． ＳｎＯ？ＪＦ＋
ルＩｔ’ ハＩＴＯ（Ｉｎｄ ｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘ
１ｄｅ）等の薄膜からなる透明電極で被覆された基板（
ガラス板）であり、その間に液晶分子層２２がガラス面
に垂直になるよう配向した５ｔｓＣ”相又はＳｍＨ”相
の液晶が封入されている。
ルＩｔ’ ハＩＴＯ（Ｉｎｄ ｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘ
１ｄｅ）等の薄膜からなる透明電極で被覆された基板（
ガラス板）であり、その間に液晶分子層２２がガラス面
に垂直になるよう配向した５ｔｓＣ”相又はＳｍＨ”相
の液晶が封入されている。
太線で示した線５３が液晶分子を表わしており、この液
晶層％５３はその分子に直交した方向に双極子モーメン
ト（Ｐよ）５４を有している。基板５１ａと５１ｂ上の
電極間に一定の閾（ｆｆ以上の電圧を印加すると、液晶
分子５３のらせん構造がほどけ、双極子モーメン） （
Ｐよ）５４がすべて電界方向に向くよう、液晶分子５３
は配向方向を変えることができる。液晶分子５３は、細
長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折
率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互いに
クロスニコルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって
光学特性が変わる液晶光学変調素子となることは容易に
理解される。
晶層％５３はその分子に直交した方向に双極子モーメン
ト（Ｐよ）５４を有している。基板５１ａと５１ｂ上の
電極間に一定の閾（ｆｆ以上の電圧を印加すると、液晶
分子５３のらせん構造がほどけ、双極子モーメン） （
Ｐよ）５４がすべて電界方向に向くよう、液晶分子５３
は配向方向を変えることができる。液晶分子５３は、細
長い形状を有しており、その長袖方向と短軸方向で屈折
率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互いに
クロスニコルの偏光子を置けば、電圧印加極性によって
光学特性が変わる液晶光学変調素子となることは容易に
理解される。
本発明の液晶素子で好ましく用いられる液晶セルは、そ
の厚さを充分に薄く（例えば１０ｇ以下）す名ことがで
きる。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第６図
に示すように電界を印加していない状態でも液晶分子の
らせん構造がほどけ非らせん構造を採り、その双極子モ
ーメン）Ｐａまたはｐｂは土向き（８４ａ ）又は下向
き（８４ｂ ）のどちらかの状態をとる。このようなセ
ルに、第６図に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる
電界Ｅａ又はＥｂを電圧印加手段［１１ａとＢｌｂによ
り付与すると、双極子モーメントは、電界Ｅａ又はＥｂ
の電界ベクトルに対応してＬ向き６４ａ又は下向きｅ４
ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は、第１の安定
状７ｇ８３ａかあるいは第２の安定状態６３ｂの何れか
−・方に配向する。
の厚さを充分に薄く（例えば１０ｇ以下）す名ことがで
きる。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第６図
に示すように電界を印加していない状態でも液晶分子の
らせん構造がほどけ非らせん構造を採り、その双極子モ
ーメン）Ｐａまたはｐｂは土向き（８４ａ ）又は下向
き（８４ｂ ）のどちらかの状態をとる。このようなセ
ルに、第６図に示す如く一定の閾値以上の極性の異なる
電界Ｅａ又はＥｂを電圧印加手段［１１ａとＢｌｂによ
り付与すると、双極子モーメントは、電界Ｅａ又はＥｂ
の電界ベクトルに対応してＬ向き６４ａ又は下向きｅ４
ｂと向きを変え、それに応じて液晶分子は、第１の安定
状７ｇ８３ａかあるいは第２の安定状態６３ｂの何れか
−・方に配向する。
このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は、先にも述べたが２つある。その第１は、応答速
度が極めて速いことであり、第２は液晶分子の配向が双
安定性を有することである。第２の点を、例えば第６図
によって更に説明すると、電界Ｅａを印加すると液晶分
子は第１の安定状態８３ａに配向するが、この状態は電
界を切っても安定である。又、逆向きの電界Ｅｂを印゛
加すると、液晶分子は第２の安定状７９８３ｂに配向し
てその分子の向きを変えるが、やはり電界を切ってもこ
の状態に留っている。又、芋える電界Ｅａが一定の闇値
を越えない限り、それぞれの配向状態にやはり維持され
ている。このような応答速度の速さと、双安定性が有効
に実現されるにはセルとしては出来るだけ薄い方が好ま
しい。
利点は、先にも述べたが２つある。その第１は、応答速
度が極めて速いことであり、第２は液晶分子の配向が双
安定性を有することである。第２の点を、例えば第６図
によって更に説明すると、電界Ｅａを印加すると液晶分
子は第１の安定状態８３ａに配向するが、この状態は電
界を切っても安定である。又、逆向きの電界Ｅｂを印゛
加すると、液晶分子は第２の安定状７９８３ｂに配向し
てその分子の向きを変えるが、やはり電界を切ってもこ
の状態に留っている。又、芋える電界Ｅａが一定の闇値
を越えない限り、それぞれの配向状態にやはり維持され
ている。このような応答速度の速さと、双安定性が有効
に実現されるにはセルとしては出来るだけ薄い方が好ま
しい。
［発明の効果］
以上説明したように１本発明においては複数のストライ
プ状のスペーサー（液晶核発生部材）と透明電極とを有
する液晶セルにおいて、ラビング処理と温度の勾配によ
る配向抑制力を併用することにより、均一なモノドメイ
ンの配向を得ることができる。また本発明は、温度の勾
配を与えるために液晶駆動用電極をヒーター電極として
兼用し、液晶セルの間隔を保持するためのスペーサーを
、液晶核発生部材として兼用しているため、特別な装置
を用いることな〈実施することができる。
プ状のスペーサー（液晶核発生部材）と透明電極とを有
する液晶セルにおいて、ラビング処理と温度の勾配によ
る配向抑制力を併用することにより、均一なモノドメイ
ンの配向を得ることができる。また本発明は、温度の勾
配を与えるために液晶駆動用電極をヒーター電極として
兼用し、液晶セルの間隔を保持するためのスペーサーを
、液晶核発生部材として兼用しているため、特別な装置
を用いることな〈実施することができる。
第１図及び第２図は本発明の一実施例を示す図、８３図
は相界面の発生状態を示す概略図、第４図は本発明の他
の実施例を示す図、第５図及び第６図は本発明で用いた
強誘電性液晶素子を模式的に表わした斜視図である。 １・・・液晶セル、２・・・上基板、−２ａ・・・下基
板。 ３．３ａ・・・透明電極、４・・・配向膜。 ５・・・液晶核発生部材、６・・・相界面、７・・・ヒ
ーター電極、８・・・直流電源。 ９・・・シール材、１０・・・強誘電性液晶。 第１図 第２図 第３図 第４図 ７ヒーター電木欽
は相界面の発生状態を示す概略図、第４図は本発明の他
の実施例を示す図、第５図及び第６図は本発明で用いた
強誘電性液晶素子を模式的に表わした斜視図である。 １・・・液晶セル、２・・・上基板、−２ａ・・・下基
板。 ３．３ａ・・・透明電極、４・・・配向膜。 ５・・・液晶核発生部材、６・・・相界面、７・・・ヒ
ーター電極、８・・・直流電源。 ９・・・シール材、１０・・・強誘電性液晶。 第１図 第２図 第３図 第４図 ７ヒーター電木欽
Claims (10)
- （１）少なくとも一方に一軸性配向処理を施した２枚の
基板間に配置したところの、クーリング過程の低温側で
スメクチック相を呈する液状物質に、該液状物質の面内
一方向に沿った方向に温度勾配をもつ温度分布を付与す
る工程と、前記温度勾配をもつ温度分布下で前記液状物
質をクーリングすることによってスメクチック相まで相
転移させる工程とを有することを特徴とする液晶の配向
制御法。 - （２）前記一軸性配向処理がラビング処理である特許請
求の範囲第１項記載の液晶の配向制御法。 - （３）前記液状物質がクーリング過程で等方相、コレス
テリック相、スメクチックＡ相又はＮ相及びカイラルス
メクチック相に順次相転移する物質である特許請求の範
囲第１項記載の液晶の配向制御法。 - （４）前記液状物質がクーリング過程で等方相、スメク
チックＡ相又はＮ相及びカイラルスメクチック相に順次
相転移する物質である特許請求の範囲第１項記載の液晶
の配向制御法。 - （５）前記液状物質がクーリング過程で等方相、コレス
テリック相及びカイラルスメクチック相に順次相転移す
る物質である特許請求の範囲第１項記載の液晶の配向制
御法。 - （６）前記液状物質がクーリング過程で等方相及びカイ
ラルスメクチック相に順次相転移する物質である特許請
求の範囲第１項記載の液晶の配向制御法。 - （７）前記カイラルスメクチック相がＣ相、Ｈ相、Ｉ相
、Ｊ相又はＫ相である特許請求の範囲第２項ないし第６
項のうちの何れかに記載の液晶の配向制御法。 - （８）前記カイラルスメクチック相が非らせん構造を呈
している特許請求の範囲第２項ないし第７項のうちの何
れかに記載の液晶の配向制御法。 - （９）前記２枚の基板の間に液晶核発生部材が配置され
、前記液晶核発生部材の軸が前記温度勾配をもつ方向に
対して垂直の方向に配置されている特許請求の範囲第１
項記載の液晶の配向制御法。 - （１０）前記一軸性配向処理の軸方向が前記温勾配をも
つ方向に対して垂直となっている特許請求の範囲第１項
記載の液晶の配向制御法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10808385A JPS61267028A (ja) | 1985-05-22 | 1985-05-22 | 液晶の配向制御法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10808385A JPS61267028A (ja) | 1985-05-22 | 1985-05-22 | 液晶の配向制御法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61267028A true JPS61267028A (ja) | 1986-11-26 |
Family
ID=14475440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10808385A Pending JPS61267028A (ja) | 1985-05-22 | 1985-05-22 | 液晶の配向制御法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61267028A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2628224A1 (fr) * | 1988-03-07 | 1989-09-08 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif et procede de regeneration d'alignement de couches d'un cristal/ferroelectrique a phase smectique liquide |
| EP0635749A2 (en) * | 1993-07-22 | 1995-01-25 | Toppan Printing Co. Ltd. | Liquid crystal panel frame, liquid crystal panel assembly, liquid crystal display and method and apparatus of manufacturing the liquid crystal panel assembly |
-
1985
- 1985-05-22 JP JP10808385A patent/JPS61267028A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2628224A1 (fr) * | 1988-03-07 | 1989-09-08 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif et procede de regeneration d'alignement de couches d'un cristal/ferroelectrique a phase smectique liquide |
| EP0635749A2 (en) * | 1993-07-22 | 1995-01-25 | Toppan Printing Co. Ltd. | Liquid crystal panel frame, liquid crystal panel assembly, liquid crystal display and method and apparatus of manufacturing the liquid crystal panel assembly |
| EP0635749A3 (en) * | 1993-07-22 | 1995-03-08 | Toppan Printing Co Ltd | Housing for liquid crystal, liquid crystal arrangement, liquid crystal display and method and apparatus for producing the liquid crystal arrangement. |
| US5559621A (en) * | 1993-07-22 | 1996-09-24 | Toppan Printing Co., Ltd. | Liquid crystal having a plurality of rectilinear barrier members |
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