JPS62223727A - 液晶パネル - Google Patents

液晶パネル

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JPS62223727A
JPS62223727A JP61066418A JP6641886A JPS62223727A JP S62223727 A JPS62223727 A JP S62223727A JP 61066418 A JP61066418 A JP 61066418A JP 6641886 A JP6641886 A JP 6641886A JP S62223727 A JPS62223727 A JP S62223727A
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liquid crystal
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forming
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亮輔 荒木
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はトランジスタを格子状に形成し之いわゆるアク
ティブマトリクス基板を用いた液晶パネルの電極構造に
関する。
〔従来技術〕
従来のアクティブマトリクス基板Ｈ，５ＩＤ８３　　Ｄ
ＩＧＥＳＴ　　Ｐ２Ｓ５の様に画素電極１４とデータ線
１３とを同時に形成し、第２図に平面図を示し友ように
データ線１３と画素電極１４は平面的に隙間を有してい
る。
また、第３図に示すようにタイミング線１２と画素電極
１４？同時に形成していｆｉ、ｏ＠３図はアモルファス
シリコントランジスタの一般的な構造。
であり、ゲート２２上にゲート絶縁膜２３、アモルファ
ス３ｉ２１の順に形成しである。画素電極１４とトラン
ジスタとはメタル２４で接続されておりメタル２４及び
データｆｆ１ａ１５がそ１．ぞれドレイン、ソースを形
成している。
以上のようなアクティブマトリクス基板と透明導電膜に
よるｔｆ形収した基板とをそれぞれ配向処理し之のち所
定の間隙を保持して、その隙間に液晶を封入して液晶パ
ネルとなしていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし前述の従来技術でに画素電極とタイミング線やデ
ータ線との間に形成式れ几間隙のため、画素電極の占有
率が低下し、この定めに液晶パネルのコントラスト比が
低下し之り、透過率が低下し友りする。また画素電極と
タイミング線やデータ線が小さな間隙を有し、これらの
間で電界を生じ、この電界が、液晶を制御している画素
電極と対向ｔ′ｆ？ｊ！、の間の電界に比べ無視出来な
い強さになったり、あるいけ部分的に支配的になったり
する。
この電界によって画素電極周辺の液晶はその影響？受け
、制御性ケ失う。これらの影！！＃？受ける領域Ｋｌ光
する方法が１つの方法として考えられるが、画素電極の
占有率がてらに低下してしまう。
そこで本発明にこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、画素占有率を高め、データ線や
タイミング線から液晶が影響を受けない、高コントラス
トかつ高透過率の液晶パネルを提供することにある。
〔問題全解決するための手段〕 本発明の液晶パネルは、液晶パネルを構成するアクティ
ブマトリクスの画素電極をデータ線及びタイミング線の
上ｌ−に絶縁膜をはさんで形成されかつ各画素電極間の
分離のための画素電極の間隙は平面的に見てタイミング
線上あるいはデータ線上もしくはその両刃の上に形成こ
れていることを特徴とする。
〔作用〕
本発明の上記のＷ１１成によｎ、ば、タイミング線やデ
ータ線との分離のために平面的な間隙を必要とせず、タ
イミング線やデータ線の配線部とトランジスタの素子領
域以外は全て画素有効領域となる。
嘔らにまた配線からの電界の影響け、画素電極の分離を
配線上で行うことで電界の横への拡がりをおさえること
が出来る。
〔実施例〕
第１図は本発明の実施例における液晶パネルのアクティ
ブマトリクス基板の主要平面因と主要断面図を示す。
絶縁基板上にＳｉ薄膜１を所定の形状にした後、ゲート
絶縁膜、ゲート電極配線を行う。ゲート電極全マスクと
してイオン注入によりソース・ドレイン形成４行つｔ後
、層間絶縁膜形成し所定の位置に開口部を形成し、ざら
にソース線３を形成する。ゲート電極配線２及びソース
線３はそれぞれタイミング線２、データ線３であり、タ
イミング線２及びデータ線３が格子状に形成され、その
交点にトランジスタを形成したいわゆるアクティブマト
リクス基板となる。なおソース線及びゲート電極配線は
遮光性を有する導電性物質（Ｔ　ａ　１Ｍ　ｏ　＋Ｗ、
ＴｉＩ　Ａｌといつ念金属もしくにそれらにＳｉを含む
金属ざらには不純物により抵抗ケ下げ友Ｓｔ等）にすれ
ばざらに効果がある。このアクティブマトリクス基板上
に層間絶縁膜を形成し所定の位置に開口を形成し、Ｉ　
Ｔ　Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ　−Ｔｉｎ　−０ｘｉｄｅ　）等
の透明導電膜により画素電極４を形成する。このとき各
画素電極間の絶縁のゼめのスペースｓｈゲート電極配ａ
（タイミング線２）及びソース線（データ線３）上に形
成する。この後必要に応じてＤＣＩＮ、分？除去する絶
縁膜を形成する。
以上の基板を液晶パネルのパネル組立てで行われる通常
の工程に従って、配向処理を行い、対向基板として透明
導電膜による電極形成し几絶縁基板（場合によってはカ
ラーフィルタ金形成した基ｆ）ｆｒ配向処理して、液晶
を封入して液晶パネルとなす。
〔発明の効果〕
以上述べ友ように本発明にょｊば、液晶パネルの性能を
大巾に向上できる。＠１図及び第２図を比較して見れば
、従来の構造では第２図のように画素電極の隙間１６か
ら光がもれるためコントラストは大巾に低下する。第２
図の場合１９．７％のもれ光がある。これを防ぐため対
向基板に隙間１６に相当する部分に遮光すると透過率は
４１．５チとなる。この構造の場合、ゲート線やソース
線の影響で画素市原の周辺の液晶が制御出来なくなりコ
ントラストの低下等画質の劣下の原因となる、また対向
基板とアクティブマトリクス基板との位置合せを考慮す
ると第２図の破線領域まで遮光を必要とする。このため
液晶パネルの透過率は２８７チと大巾に低下する。−万
本発明の構造によれば第１図の例の場合６１．７　％の
透過率を有ししかもアクティブマトリクス基板のデータ
線及びゲ−ト線？遮光膜として利用していることから、
合せずれもなくもれ光はない。またさらにデータ線やタ
イミング線の電界の影響も画素電極を第４図のように絶
縁膜４３をはさんでデータ線３（タイミング線の場合も
同様）上に画素電極４を１部重なるようにすることで液
晶４１へのデータ線の影響？おさえるとともに画素を極
スペースＳからの電界による液晶の乱れはデータ線によ
り遮光され画質への影響ケ防いでいる。第４図中の破線
はソース線５による電界が画素！、極４と対向電極４２
による電界への影響を示す例である。
以上のように本発明により液晶パネルの透過率？大巾に
改善出来るとともにもれ光を防ぐことが出来コントラス
ト比？ｔ−ｊじめ液晶パネルの性能を大巾に改善出来る
。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による液晶パネルのアクティブマトリク
ス基板の一実施例を示す主要平面図。 第２図は従来の液晶パネルのアクティブマトリクス基板
の主要平面図。 第３図げ従来の液晶パネルのアクティブマドＩＪクスの
一例を示す主要断面図。 第４図は本発明の構造によるデータ線の電界への影響を
示す断面図。 ３．１３・・団・データ線、　　　２．１２・・・タイ
ミング線４．１４・・・・・・画素電極 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社 １１　　図 第４図 第２図 第３図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. データ線とタイミング線が格子状に配置され、データ線
    とタイミング線の交点に１対の画素電極とトランジスタ
    が配置された基板を一方の基板とした液晶パネルにおい
    て、各画素電極はタイミング線及びデータ線の上層に形
    成され、かつ各画素電極間の分離が平面的に見て少なく
    ともタイミング線上あるいはデータ線上、もしくは両方
    の上で行われていることを特徴とする液晶パネル。
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