JP2702319B2 - アクティブマトリクス基板 - Google Patents
アクティブマトリクス基板Info
- Publication number
- JP2702319B2 JP2702319B2 JP18661891A JP18661891A JP2702319B2 JP 2702319 B2 JP2702319 B2 JP 2702319B2 JP 18661891 A JP18661891 A JP 18661891A JP 18661891 A JP18661891 A JP 18661891A JP 2702319 B2 JP2702319 B2 JP 2702319B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active matrix
- matrix substrate
- film
- picture element
- bus line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
成するために使用されるアクティブマトリクス基板に関
する。
は、従来、図8及び図9(図8のD−D´線による断面
図)に示す構造のものが知られている。この基板は、ゲ
ートバスライン501とソースバスライン502とが交
差して配線され、両バスライン501、502で包囲さ
れた領域に絵素電極504が配設され、更にスイッチン
グ素子として薄膜トランジスタ(以下TFTと略称す
る)503を備えている。
1によってオン・オフ制御される。TFT503の一端
側に設けられたソース電極(図示せず)は、コンタクト
ホール505を介してソースバスライン502に接続さ
れ、ソースバスライン502を通じて映像信号が供給さ
れる。TFT503の他端側に設けられたドレイン電極
(図示せず)は、コンタクトホール506を介して絵素
電極504と接続されている。
示すように基板11上に設けたSi膜12の所定部分に
形成され、このSi膜12には他に半導体層も形成され
る。このSi膜12の上には、TFTのゲート絶縁膜1
3と、ゲートバスライン501を構成するSi層と、層
間絶縁膜16と、ソースバスライン502となるAl等
の金属膜(図示せず)と、絵素電極504となるITO
膜とが順次形成されている。絵素電極504とSi膜1
2とはゲート絶縁膜13及び層間絶縁膜16を貫通する
コンタクトホール506を介して接続されている。
用した液晶表示装置は、図10に示すように間に液晶5
13を挟んで透明な対向基板512を対向配設し、かつ
対向基板512の液晶側表面にITO等の透明導電性薄
膜からなる対向電極509を形成した基本構造をとる。
なお、図10は図8のE−E´線による断面部分を示
す。
られる電位によってTFT503がオン状態となってい
るとき、ソースバスライン502より送られる映像信号
はコンタクトホール506を通じて絵素電極504に供
給される。逆に、TFT503がオフ状態のとき、この
映像信号は絵素電極504と前記対向電極509との間
で構成される容量によって保持される。なお、上記対向
基板512と対向電極509との間には、映像信号に応
じた電界が印加されていない部分より透過する光を遮る
ための遮光膜510及び絶縁膜511が形成されてい
る。
アクティブマトリクス基板においては、上述したように
ゲートバスライン501、ソースバスライン502上に
は層間絶縁膜16しかなく、その上にある液晶513に
はバスライン501、502に印加される電位に応じた
電界が生じることになる。このため、絵素電極504と
ゲートバスライン501との間、或は絵素電極504と
ソースバスライン502との間の電位差に起因して、絵
素電極504の周辺部で以下のような問題が招来され
る。
隣合う2つの絵素電極504、504には映像信号に応
じて各々5V、−5V程度の電圧を印加すると、これに
よって生じる電界に基づいて液晶513が配向して光の
透過率が制御され、表示装置として機能する。また、ゲ
ートバスライン501には映像信号の保持状態において
はTFT503をオフ状態とすべく−10V程度の電圧
が加えられ、ソースバスライン502には極性の反転す
る映像信号が加えられている。
トバスライン501を挟んだ2つの絵素電極504と5
04上の電界が、ゲートバスライン501からの横方向
の電界成分によって乱され、ゲートバスライン501の
上方にある液晶の領域514において矢印で示すように
液晶513の配向が乱れ、良好な表示を行えずにいた。
この乱れは、上記領域514のみでなく、ゲートバスラ
イン501に沿った全領域において、また極性の反転す
る映像信号を送るためのソースバスライン502に沿っ
た全領域において同様に生じる。
を遮るためには、遮光膜510を広くすることが必要と
なるが、その結果、表示に寄与しない領域が増える。特
に、高密度表示をするために個々の絵素電極504のサ
イズを小さくした場合には、遮光膜510にて覆われて
いない部分の開口率が著しく低下するという別の問題が
ある。
決するものであり、走査線や信号線を送られる信号によ
る液晶の配向乱れの発生箇所を少なくして良好な表示と
することが可能であり、かつ遮光膜の開口率を大きくで
きるアクティブマトリクス基板を提供することを目的と
する。
リクス基板は、走査線及び信号線が交差して配線され、
該走査線及び信号線で仕切られる部分に絵素電極が設け
られたアクティブマトリクス基板において、該走査線及
び信号線の少なくとも一方の上方に、該当する走査線及
び/又は信号線を挟んで隣合う2つの絵素電極の一方と
電気的に接続し、かつ該2つの絵素電極それぞれと一部
を重畳してシールド膜が設けられており、そのことによ
り上記目的を達成することができる。
う2つの絵素電極に極性の異なる電圧が印加されるよう
にしてもよい。
属からなるようにしてもよい。
絵素電極の重畳幅は、該シールド膜を接続した絵素電極
側の値を他方の絵素電極側の値よりも小さくし、かつ共
に0.5μm以上、5μm以下としてもよい。
も一方の上方に設けられたシールド膜が、該当する走査
線及び/又は信号線を挟んで隣合う2つの絵素電極の一
方と接続し、かつ重畳してあるので、シールド膜と接続
した絵素電極上に液晶が配設されても、その絵素電極と
シールド膜とが接続により同電位となっているので、液
晶の配向に乱れが生じるのを防止できる。また、シール
ド膜の一部を該2つの絵素電極の他方とも重畳している
ので、同電位でない他方の絵素電極上に液晶が配設され
てその液晶部分に乱れが生じても、それをシールド膜に
て覆うことができる。
板を示す平面図であり、図2は図1のA−A´線による
断面図、図3は図1のB−B´線による断面図である。
この基板は、横方向に配線された走査線としてのゲート
バスライン101と、このゲートバスライン101と交
差して縦方向に配線されたソースバスライン102と、
両バスライン101、102にて包囲された領域に設け
られた絵素電極104と、前記ソースバスライン102
に一端側を接続し、他端側を絵素電極104と接続した
TFT103と、ゲートバスライン101の上方に設け
たハッチングにて示すシールド膜108を有する構成と
なっている。
02より送られる映像信号を絵素電極104に供給する
スイッチング素子であり、そのスイッチング動作の制御
はゲートバスライン101を送られる信号により行われ
る。TFT103のドレイン電極を一部に有するSi薄
膜12部分は、コンタクトホール106を通じてシール
ド膜108に接続され(図2参照)、またシールド膜1
08は別のコンタクトホール107を通じて絵素電極1
04に接続されている(図3参照)。
細な構成を、図2及び図3に基づき作製手順に従って説
明する。先ず、透明絶縁性基板11上にTFT103の
半導体層となるSi薄膜12を形成し、パターニングす
る。
と、ゲート電極となるドープトSi膜とをこの順に形成
し、上側のドープトSi膜をパターニングする。その
後、イオン注入法によりドーピングを行ってTFTのソ
ース、ドレイン電極を形成した後、更に層間絶縁膜14
を形成する。次いで、絶縁膜13、14を貫通するコン
タクトホール106を開口する。
ルド膜108となる金属膜を形成し、パターニングす
る。本実施例におけるシールド膜108は、ゲートバス
ライン101の上方に設けると共に、そのゲートバスラ
イン101を挟んで上下に存在する2つの絵素電極10
4(説明の便宜上、図1の中央にある絵素電極を104
´という。)それぞれと一部重畳するように形成してあ
る。また、金属膜の材料としてはAlを用い、厚みは4
000オングストロームとした。
を形成し、その後これを貫くコンタクトホール107を
形成した後に、絵素電極104となるITO膜を形成
し、パターニングした。この結果として、シールド膜1
08はコンタクトホール107を介して絵素電極104
´と接続され、同電位となっている。なお、この同電位
となっている絵素電極104´とシールド膜108との
重畳幅W1は、他方の絵素電極104とシールド膜10
8との重畳幅W2よりも小さくし、かつ両重畳幅W1、
W2は0.5μm以上で5μm以下とした。
ィブマトリクス基板を使用した液晶表示装置を示す断面
図である。なお、図4は図1のC−C´線による断面部
分を示す。この液晶表示装置は、本実施例のアクティブ
マトリクス基板との間に液晶113を挟んで対向基板1
12を対向配設した構造となっており、対向基板112
の液晶113側表面には、映像信号に応じた電界が印加
されていない部分より透過する光及びTFTのチャネル
に入射する光を遮るための遮光膜110、及び絶縁膜1
11がこの順に形成され、更にその上にITOなどの透
明導電性薄膜よりなる対向電極109が形成されてい
る。
置においては、上述したように本実施例のアクティブマ
トリクス基板がシールド膜108を有し、このシールド
膜108がゲートバスライン101を挟んで隣合う2つ
の絵素電極104、104´の一方の絵素電極104´
と同電位となしてある。このため、絵素電極104上で
は横方向電界による配向乱れが起こるものの絵素電極1
04´の周辺部においては殆ど横方向の電界は生じな
い。よって、液晶113の配向乱れが、従来の両側から
片側のみとなり、表示に寄与する領域が増加する。
いては、上記シールド膜108の材料に遮光性を有する
Alを用いているので、これによって開口率向上の効果
は一層上がる。また、開口率向上の効果は、対向基板1
12との重ね合わせ精度よりもアクティブマトリクス基
板側の絵素電極104とシールド膜108との重ね合わ
せ精度の方が高いことによっても得られる。
0.5μm以上で5μm以下としたのは、作製時の重ね
合わせ精度より0.5μm以上が好ましく、また開口率
を確保するためには5μm以下が好ましいからである。
2つの絵素電極のうち、シールド膜108と同電位の絵
素電極側での重畳幅W1を、他方の絵素電極側での重畳
幅W2よりも小さくするのは次の理由に依る。即ち、同
電位の絵素電極側では液晶の配向に乱れが発生せず、表
示不良部分を覆い隠す必要がなく小さくてもよい。逆
に、他方の絵素電極側では液晶の配向に乱れが生じるた
め、それを覆い隠すのに十分大きいことが好ましい。
ートバスライン101及びソースバスライン102で包
囲された領域に形成しているが、絵素電極104の端部
はゲートバスライン102の上部まで伸びていてもよ
い。つまり、ゲートバスライン102で仕切られる部分
に達するまで伸長させて形成してもよい。
シールド膜108とは同一材料を使用して同時に形成し
たが、そのようにする必要はなく、別々に形成したり別
の材料を用いてもよい。
あり、図6は図5のF−F´による断面図である。この
アクティブマトリクス基板においては、前述と異なりゲ
ートバスライン801に代えてソースバスライン802
上にシールド膜808(ハッチングで示す)を形成する
と共に、このソースバスライン802を挟んで隣合う2
つの絵素電極804、804(説明の便宜上、図5の中
央よりも1つ右寄りにある絵素電極を804´とい
う。)各々とシールド膜808の一部を重畳した構成と
している。
にコンタクトホール806を通じてTFT803のドレ
イン電極が一部に形成されたSi薄膜12と、また別の
コンタクトホール807を通じて絵素電極804´と接
続されており、この絵素電極804´との重畳幅は、図
5の中央にある絵素電極804とシールド膜808との
重畳幅よりも小さくし、かつ、両重畳幅を共に前同様に
0.5μm以上で5μm以下としている。また、シール
ド膜808はソースバスライン802上に形成された絶
縁膜16の上に形成され、ソースバスライン802をシ
ールドしている。この例ではシールド膜808の材料に
TiとWの合金を用い、膜厚は2000オングストロー
ムとした。更に、この基板11上に絶縁膜17及び絵素
電極804となるITO膜をこの順に形成している。
を用いて形成した液晶表示装置を示す断面図であり、図
5のG−G´線による断面部分を示す。この場合にも、
前同様にシールド膜808がソースバスライン802を
挟んだ2つの絵素電極804、804´の一方の絵素電
極804´と同電位となしてある。このため、絵素電極
804上では横方向電界による配向乱れが起こるものの
絵素電極804´の周辺部においては殆ど横方向の電界
は生じない。よって、液晶813の配向乱れが、従来の
両側から片側のみとなり、表示に寄与する領域が増加す
る。なお、この実施例においてもシールド膜808が遮
光性を有するTiとWの合金を用いて形成されており、
開口率は一層向上する。
ルド膜108、808にAl、TiとWの合金を使用し
たが、シールド膜の材料はこれらに限られるわけではな
く、他の金属や導電性を有する樹脂を用いてもよいこと
はもちろんである。
ートバスラインとソースバスラインの一方の上にシール
ド膜を設けているが、本発明はこれに限らず、ゲートバ
スラインとソースバスラインの両方の上にシールド膜を
同様にして設けるようにしてもよい。
イッチング素子として薄膜トランジスタを用いている
が、本発明は他種類のスイッチング素子を使用するアク
ティブマトリクス基板に対しても適用できる。
は、走査線及び信号線を送られる信号による液晶の配向
乱れが発生する箇所を少なくでき、これにより良好な表
示が可能となり、また遮光膜の開口率を高めることがで
き、特に高密度表示を行うべく絵素電極のサイズを小型
化しても開口率を向上できるという効果がある。
面図である。
した液晶表示装置を示す断面図であり、図1のC−C´
線による断面部分を示す。
平面図である。
した液晶表示装置を示す断面図であり、図5のG−G´
線による断面部分を示す。
である。
成した液晶表示装置を示す断面図であり、図8のE−E
´線による断面部分を示す。
Claims (4)
- 【請求項1】走査線及び信号線が交差して配線され、該
走査線及び信号線で仕切られる部分に絵素電極が設けら
れたアクティブマトリクス基板において、 該走査線及び信号線の少なくとも一方の上方に、該当す
る走査線及び/又は信号線を挟んで隣合う2つの絵素電
極の一方と電気的に接続し、かつ該2つの絵素電極それ
ぞれと一部を重畳してシールド膜が設けられたアクティ
ブマトリクス基板。 - 【請求項2】前記走査線又は信号線を挟んで隣合う2つ
の絵素電極に極性の異なる電圧が印加される請求項1記
載のアクティブマトリクス基板。 - 【請求項3】前記シールド膜が遮光性を有する金属から
なる請求項1記載のアクティブマトリクス基板。 - 【請求項4】前記シールド膜に対する前記2つの絵素電
極の重畳幅は、該シールド膜を接続した絵素電極側の値
を他方の絵素電極側の値よりも小さくし、かつ共に0.
5μm以上、5μm以下としてある請求項1記載のアク
ティブマトリクス基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18661891A JP2702319B2 (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | アクティブマトリクス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18661891A JP2702319B2 (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | アクティブマトリクス基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0527249A JPH0527249A (ja) | 1993-02-05 |
JP2702319B2 true JP2702319B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=16191734
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18661891A Expired - Lifetime JP2702319B2 (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | アクティブマトリクス基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2702319B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1146056C (zh) | 1994-06-02 | 2004-04-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 有源矩阵显示器 |
JP2777545B2 (ja) * | 1994-12-05 | 1998-07-16 | 株式会社フロンテック | アクティブマトリクス液晶表示素子 |
JP3763728B2 (ja) | 1999-09-30 | 2006-04-05 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びプロジェクタ |
JP2002258320A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
JP4855855B2 (ja) * | 2006-07-12 | 2012-01-18 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 表示装置 |
WO2009157157A1 (ja) * | 2008-06-24 | 2009-12-30 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
-
1991
- 1991-07-25 JP JP18661891A patent/JP2702319B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0527249A (ja) | 1993-02-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3901902B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
KR100266189B1 (ko) | 액티브매트릭스액정디스플레이패널및그것을위한배선설계방법 | |
JP2907629B2 (ja) | 液晶表示パネル | |
US6259200B1 (en) | Active-matrix display apparatus | |
JP3269787B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
US5844641A (en) | Liquid crystal display device having storage capacitors and additional opaque electrodes | |
US5426523A (en) | Liquid crystal display having a light blocking film on stepped portions | |
JP3604106B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
US6326641B1 (en) | Liquid crystal display device having a high aperture ratio | |
US5907376A (en) | Liquid crystal display having an active matrix substrate with thermosetting inter-layer insulating film with a thickness of greater than 2 μm | |
KR100314200B1 (ko) | 액정표시장치 | |
JPH10104664A (ja) | 液晶表示装置 | |
JP3543131B2 (ja) | アクティブマトリックスパネル及びその製造方法 | |
KR100302281B1 (ko) | 액정표시소자의 어레이기판과 어레이기판을 갖춘 액정표시소자및어레이기판의 제조방법 | |
JPH06130418A (ja) | アクティブマトリクス基板 | |
JP2702319B2 (ja) | アクティブマトリクス基板 | |
JP4099324B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JPH1010581A (ja) | 表示装置 | |
JP2870075B2 (ja) | 薄膜トランジスタパネル及び液晶表示装置 | |
JPH1010580A (ja) | 表示装置 | |
JP3196378B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP3591674B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
JP2000267130A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
JP3776187B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
JP3312720B2 (ja) | 液晶表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970911 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071003 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081003 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081003 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091003 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091003 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101003 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111003 Year of fee payment: 14 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |