JP3901902B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

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Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本明細書で開示する発明は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の画素領域の構成に関シ、特に、画素電極と並列に接続される補助容量の構成、および、隣接する画素との境界部における光の漏れを防止するためのブラックマトリクスの構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】
アクティブマトリクス回路を有する液晶表示装置が知られている。これは、画像データを伝達するための複数のソースバスラインと、それに交差するように配置され、スイッチング信号を伝達するための複数のゲイトバスラインと、それらの交差部に設けられた複数の画素を有する構造のもので、スイッチング素子としては通常、トランジスタ（特に薄膜トランジスタ）が用いられる。
【０００３】
画素は、スイッチングのためのトランジスタのみならず、画素電極をも有し、トランジスタのゲイト電極をゲイトバスラインに、ソースをソースバスラインにドレインを画素電極に接続した構造となる。なお、トランジスタの動作上はソース、ドレインの区別は定常のものではなく、通常の電気回路的な定義からすると信号によって変動するものであるが、以下の記述では、トランジスタに設けられた不純物領域のうち、単にソースバスラインに接続する方をソース、画素電極に接続する方をドレインと称する。
【０００４】
各画素にはトランジスタを一つ以上有する。特に２つ以上のトランジスタを直列に接続したものではトランジスタが非選択状態でもリーク電流が低減できるので有効である。このような場合でも上記の定義を適用し、ソースバスライン、画素電極のいずれにも接続しない不純物領域は特に定義しないものとする。
【０００５】
画素電極は液晶を挟んで対向する電極との間で容量（キャパシタ）を形成している。上記のトランジスタは、この容量に電荷を出し入れするスイッチング素子として機能する。
しかし、実際の動作においては、この画素電極部分のみでは、容量が値が小さすぎ、十分な時間、必要な電荷を保持できない。そのため、別に補助の容量を設ける必要がある。
【０００６】
従来は、この補助容量（保持容量ともいう）を金属等の不透明な導電材料を別に設け、これと、画素電極もしくは半導体層との間とで容量を形成していた。通常は、次行のゲイトバスラインが対向電極として用いられた。しかし、画素面積が大きい場合にはゲイトバスラインを用いて形成された容量でも十分であったが、画素面積が小さくなると、本来のゲイトバスラインのみでは容量が不十分となり、補助容量の電極の面積を確保するためにゲイトバスラインを必要以上に拡げることが要求された。このような構造では、画素内に光を遮蔽する部分が存在することとなるので、開口率が低下してしまう。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本明細書で開示する発明は、画素の開口率を下げずに、補助容量を大きくする構成を提供することを課題とする。加えて、隣接する画素との境界部で発生する光の漏れを解決するためのブラックマトリクスの構成をも提供することを課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本明細書で開示する発明は、
画素は、第１の透明導電性被膜よりなる画素電極を有し、
前記画素電極は前記ゲイトバスラインおよびソースバスラインと重なり、
前記ゲイトバスラインおよびソースバスラインと、前記画素電極の間には、前記ゲイトバスラインおよびソースバスラインを覆って、第２の透明導電性被膜によりなるコモン電極の層が設けられ、
該コモン電極は一定の電位に保持されることを特徴とする。
【０００９】
すなわち、コモン電極はバスラインを覆うように配置し、かつ、画素電極はバスラインと重なるように配置される。したがって、コモン電極と画素電極は重なることとなり、この重なりによって補助容量が得られる。しかも、従来の補助容量では、少なくともその一方の電極を不透明な材料で構成していたのに対し、本発明ではいずれの電極も透明な材料で構成されるので、表示を妨げる要因とならず、開口率は維持される。
【００１０】
上記の構成においては、画素電極をソースバスラインおよびゲイトバスラインと重ね、かつ、画素電極の境界をソースバスラインおよびゲイトバスライン上に設けることにより、ソースバスラインおよびゲイトバスラインをブラックマトリクスとすることができる。一般に液晶表示装置においては画素電極の境界部では隣接する電極の電界の影響を受けるため、当該画素の表示せんとする映像とは異なる映像が生じたり、あるいは電界の空白のため光の漏れが生じたりする。
【００１１】
したがって、このような画素電極の境界部は表示に用いることは適当でなく、通常はこの部分をブラックマトリクスによって遮光する構造とする。従来はブラックマトリクスを別の層によって構成することが要求された。例えば、特開平６−２１６４２１等でもバスラインをブラックマトリクスとして使用することが提唱されている。しかし、実際にはバスラインの信号が画素電極に影響することにより表示が不安定となる。
【００１２】
本発明においてはこの問題は解決される。すなわち、バスラインと画素電極の間には、コモン電極が存在するため、バスラインの信号はコモン電極によって遮蔽され、画素電極に影響しないからである。
なお、スイッチングトランジスタとして、トップゲイト型（ゲイト電極が半導体層の上にある構造のトランジスタ）を用いる場合には、主たる光の入射を基板上方、すなわち、画素電極側からおこなうと、ゲイト電極下の半導体層に光が入射することを防止でき、トランジスタの動作を安定にする上で有効である。
半導体層とゲイトバスラインの交差する部分において、ゲイトバスラインの上層に、ソースバスラインと同一の層の材料よりなる被膜を設けると、より遮光の効果が高まり、さらに動作を安定にすることができる。
【００１３】
コモン電極と画素電極の間の絶縁材料としては、無機材料（たとえば、酸化珪素、窒化珪素）以外に、有機樹脂を用いてもよい。特に、スピンコーティング法等によって平坦な絶縁層を形成すると、表面の凹凸を低減し、液晶分子に印加される電界を均一にする上で効果的である。
本明細書に開示する発明における透明導電性被膜としては、ＩＴＯ（インディウム錫酸化物）の他にＳｎＯ2 、さらにはそれらの材料を主成分とする材料を用いることができる。
【００１４】
【実施例】
〔実施例１〕 図１及び図２に本明細書で開示する発明を利用したアクティブマトリクス型の液晶表示装置の画素の構成を示す。図１に本実施例の作製工程断面図の概略を、また、図２に本実施例の各バスライン、コモン電極、画素電極、半導体層等の配置を示す。図２の番号は図１のものと対応する。なお、図１は概念的なものであり、図２の配置とは厳密には同一ではない。
【００１５】
また、図１及び図２に示されているのは、薄膜トランジスタが配置された基板側の構成のみであり、実際には、対向する基板（対向基板）も存在し、対向基板と図１に示す基板との間に液晶が数μｍの間隔を有して保持される。
以下、図１にしたがって、作製工程を説明する。図１（Ａ）に示すように、下地の酸化珪素膜（図示せず）の設けられたガラス基板１１上にはトランジスタの半導体層（活性層）１２が設けられる。
【００１６】
活性層１２は、非晶質珪素膜を加熱またはレーザー光の照射によって、結晶化させた結晶性珪素膜で構成される。活性層１２を覆って、ゲイト絶縁膜１３が形成される。ゲイト絶縁膜１３の材料としては、酸化珪素もしくは窒化珪素が好ましく、例えば、プラズマＣＶＤ法によって形成された酸化珪素膜を用いればよい。ゲイト絶縁膜上には、公知のスパッタ法によりアルミニウム−チタン合金によってゲイトバスライン（ゲイト電極）１４が形成される。（図１（Ａ））
この状態での回路の配置を図２（Ａ）に示す。（図２（Ａ））
【００１７】
次にゲイトバスラインをマスクとして公知のイオンドーピング法によって活性層にＮ型もしくはＰ型の不純物を導入し、ソース１５、ドレイン１６を形成する。不純物導入後、必要によっては、熱アニールもしくはレーザーアニール等によって不純物の活性化（半導体膜の再結晶化）をおこなってもよい。
以上の工程の後，窒化珪素膜（もしくは酸化珪素膜）１７をプラズマＣＶＤ法で堆積する。これは第１の層間絶縁物として機能する。（図１（Ｂ））
【００１８】
次に、第１の層間絶縁物１７にソース１５およびドレイン１６に達するコンタクトホールを形成する。そして、公知のスパッタ法によりチタンとアルミニウムの多層膜を形成し、これをエッチングして、ソースバスライン１８およびドレイン電極１９を形成する。
以上の工程の後，窒化珪素膜（もしくは酸化珪素膜）２０をプラズマＣＶＤ法で堆積する。これは第２の層間絶縁物として機能する。（図１（Ｃ））
この状態での回路の配置を図２（Ｂ）に示す。（図２（Ｂ））
【００１９】
次にスピンコーティング法により第１の有機樹脂層２１を形成する。有機樹脂層の上面は平坦に形成される。そして、公知のスパッタ法により、ＩＴＯ膜を形成し、これをエッチングして、コモン電極２２を形成する。（図１（Ｄ））
この状態での回路の配置を図２（Ｃ）に示す。なお、図においてはコモン電極の位置を分かりやすくするため、網掛けで示す。図からわかるように、コモン電極はソースバスラインとゲイトバスラインを覆うように形成される。（図２（Ｃ））
【００２０】
さらに、スピンコーティング法により第２の有機樹脂層２３を形成する。そして、公知のスパッタ法により、ＩＴＯ膜を形成し、これをエッチングして、画素電極２４ａおよび２４ｂを形成する。画素電極２４ｂは当該トランジスタの画素電極であり、画素電極２４ａは隣接する画素電極である。画素電極２４ａおよび２４ｂがコモン電極２２と重なる部分には、容量２５ａおよび２５ｂが、それぞれ形成される。（図１（Ｅ））
【００２１】
この状態での回路の配置を図２（Ｄ）に示す。なお、図においては画素電極および画素電極とコモン電極の重なりの部分（すなわち、容量の存在する部分）の位置を分かりやすくするため、網掛けで示す。図からわかるように、画素電極はソースバスラインとゲイトバスラインに重なるように形成される。この結果、画素電極の境界部は全てバスライン上に存在し、バスラインがブラックマトリクスとして機能する。（図２（Ｄ））
【００２２】
〔実施例２〕 図３及び図４に本明細書で開示する発明を利用したアクティブマトリクス型の液晶表示装置の画素の構成を示す。図３に本実施例の作製工程断面図の概略を、また、図４に本実施例の各バスライン、コモン電極、画素電極、半導体層等の配置を示す。図４の番号は図３のものと対応する。なお、図３は概念的なものであり、図４の配置とは厳密には同一ではない。
【００２３】
図１（Ａ）に示すように、下地の酸化珪素膜（図示せず）の設けられたガラス基板３１上にトランジスタの半導体層（活性層）３２が設けられる。活性層３２を覆って、ゲイト絶縁膜３３が形成される。ゲイト絶縁膜上には、アルミニウム−チタン合金によってゲイトバスライン（ゲイト電極）３４が形成される。（図３（Ａ））
【００２４】
この状態での回路の配置を図４（Ａ）に示す。実施例１の場合とは異なって、本実施例ではトランジスタのゲイト電極部分のゲイトバスラインの幅の狭い形状とする。（図４（Ａ））
次にＮ型もしくはＰ型の不純物を導入し、ソース３５、ドレイン３６を形成する。以上の工程の後，窒化珪素膜（もしくは酸化珪素膜）の第１の層間絶縁物３７を堆積する。（図３（Ｂ））
【００２５】
次に、第１の層間絶縁物３７にソース３５およびドレイン３６に達するコンタクトホールを形成する。そして、ソースバスライン３８およびドレイン電極３９、さらに、保護膜４０を形成する。以上の工程の後，窒化珪素膜（もしくは酸化珪素膜）の第２の層間絶縁物４１を堆積する。（図３（Ｃ））
この状態での回路の配置を図４（Ｂ）に示す。保護膜４０はソースバスライン３８およびドレイン電極３９、その他の配線・電極と絶縁された浮遊電位とする。このような保護膜４０は上方よりトランジスタに入射する光を遮る上で効果がある。（図４（Ｂ））
【００２６】
次にＩＴＯ膜によりコモン電極４２を形成する。さらに、有機樹脂層４３を形成する。（図３（Ｄ））
この状態での回路の配置を図４（Ｃ）に示す。なお、図においてはコモン電極の位置を分かりやすくするため、網掛けで示す。図からわかるように、コモン電極はソースバスラインとゲイトバスラインを覆うように形成される。なお、厳密には保護膜４０はコモン電極により覆われる必要はない。なぜならば、保護膜は浮遊電位であるので、保護膜が画素電極に何らかの影響を及ぼす可能性は小さいからである。しかしながら、本実施例では図に示すように、保護膜４０もコモン電極４２で覆う。（図４（Ｃ））
【００２７】
そして、ＩＴＯ膜により画素電極４４ａおよび４４ｂを形成する。画素電極４４ｂは当該トランジスタの画素電極であり、画素電極４４ａは隣接する画素電極である。画素電極４４ａおよび４４ｂがコモン電極４２と重なる部分には、容量４５ａおよび４５ｂが、それぞれ形成される。（図３（Ｅ））
この状態での回路の配置を図４（Ｄ）に示す。なお、図においては画素電極および画素電極とコモン電極の重なりの部分（すなわち、容量の存在する部分）の位置を分かりやすくするため、網掛けで示す。図からわかるように、画素電極はソースバスラインとゲイトバスラインに重なるように形成される。この結果、画素電極の境界部は全てバスライン上に存在し、バスラインがブラックマトリクスとして機能する。（図４（Ｄ））
【００２８】
【発明の効果】
補助容量を構成する画素電極に対向する電極を透明導電膜で構成することにより、開溝率の低下を招かずに補助容量を大きなものとすることができる。加えて、ソースバスラインおよびゲイトバスラインをブラックマトリクスとしても機能させることができる。特に本発明は、画素が小さい場合で、なかでも、デザインルールを維持した状態で開口率を向上させる上で効果的である。このように本発明は工業上、有益である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の１実施例の作製工程断面図を示す。（実施例１）
【図２】 実施例１の配線等の配置を示す。
【図３】 本発明の１実施例の作製工程断面図を示す。（実施例２）
【図４】 実施例２の配線等の配置を示す。
【符号の説明】
１１、３１ ガラス基板
１２、３２ 活性層
１３、３３ ゲイト絶縁膜
１４、３４ ゲイトバスライン（ゲイト電極）
１５、３５ ソース
１６、３６ ドレイン
１７、３７ 第１の層間絶縁物
１８、３８ ソースバスライン
１９、３９ ドレイン電極
２０、４１ 第２の層間絶縁物
２１、４３ （第１の）有機樹脂層
２２、４２ コモン電極
２３ 第２の有機樹脂層
２４、４４ 画素電極
２５、４５ 補助容量
４０ 保護膜

Claims (3)

  1. 絶縁表面を有する基板上に、複数のゲイトバスラインと、複数のソースバスラインと、前記複数のゲイトバスライン及び前記複数のソースバスラインから信号が入力される複数の画素とを有し、
    前記複数の画素それぞれは薄膜トランジスタと、
    前記薄膜トランジスタ、前記複数のゲイトバスライン及び前記複数のソースバスラインの上方に形成された平坦な第一の絶縁層と、
    前記第一の絶縁層上に形成された導電膜と、
    前記導電膜上に形成された平坦な第二の絶縁層と、
    前記第二の絶縁層上に形成され、前記導電膜と重なる画素電極とを有し、
    前記複数の画素において隣り合う画素が有する前記画素電極の境界部は、前記複数のゲイトバスライン及び前記複数のソースバスラインの上方にあり、
    前記導電膜は、一定の電位が与えられ、前記複数のゲートバスライン及び前記複数のソースバスラインと前記画素電極との間に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 請求項１において、
    前記薄膜トランジスタのドレインは、前記画素電極と接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
  3. 請求項１または請求項２において、
    前記導電膜は、透明導電性被膜よりなることを特徴とする液晶表示装置。
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Family Applications Before (1)

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Country Status (2)

Country Link
US (6) US5982460A (ja)
JP (2) JP3126661B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111028687A (zh) * 2019-12-16 2020-04-17 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09146108A (ja) * 1995-11-17 1997-06-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置およびその駆動方法
JP3126661B2 (ja) * 1996-06-25 2001-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP3634089B2 (ja) * 1996-09-04 2005-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US6262438B1 (en) * 1996-11-04 2001-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix type display circuit and method of manufacturing the same
US6088070A (en) 1997-01-17 2000-07-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix liquid crystal with capacitor between light blocking film and pixel connecting electrode
JP3784491B2 (ja) * 1997-03-28 2006-06-14 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型の表示装置
KR100251512B1 (ko) 1997-07-12 2000-04-15 구본준 횡전계방식 액정표시장치
US6577368B1 (en) 1997-11-03 2003-06-10 Samsung Electronics Co., Ltd. IPS-LCD having a third electrode having aperture and formed on counter substrate
JP3973787B2 (ja) * 1997-12-31 2007-09-12 三星電子株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
KR100293436B1 (ko) * 1998-01-23 2001-08-07 구본준, 론 위라하디락사 횡전계방식액정표시장치
JP3980156B2 (ja) 1998-02-26 2007-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型表示装置
JP3230664B2 (ja) * 1998-04-23 2001-11-19 日本電気株式会社 液晶表示装置とその製造方法
JP3017712B2 (ja) * 1998-05-15 2000-03-13 松下電送システム株式会社 インターネット・ファクシミリ
US6965422B2 (en) * 1998-07-24 2005-11-15 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
US6313481B1 (en) 1998-08-06 2001-11-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and a method of manufacturing the same
JP3125872B2 (ja) * 1998-09-14 2001-01-22 日本電気株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
US6278502B1 (en) * 1998-09-28 2001-08-21 International Business Machines Corporation Pixel capacitor formed from multiple layers
US6576924B1 (en) * 1999-02-12 2003-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having at least a pixel unit and a driver circuit unit over a same substrate
JP4372943B2 (ja) 1999-02-23 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
US6563482B1 (en) * 1999-07-21 2003-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP3796070B2 (ja) * 1999-07-21 2006-07-12 シャープ株式会社 液晶表示装置
TW478014B (en) * 1999-08-31 2002-03-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing thereof
US6646287B1 (en) * 1999-11-19 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with tapered gate and insulating film
KR100583979B1 (ko) 2000-02-11 2006-05-26 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른액정표시장치
TWI290252B (en) * 2000-02-25 2007-11-21 Sharp Kk Liquid crystal display device
JP2002107743A (ja) * 2000-09-25 2002-04-10 Koninkl Philips Electronics Nv 反射型液晶表示装置
TWI221645B (en) * 2001-01-19 2004-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
TW513604B (en) * 2001-02-14 2002-12-11 Au Optronics Corp A thin film transistor liquid crystal display
KR100408346B1 (ko) * 2001-07-18 2003-12-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR100380142B1 (ko) * 2001-07-18 2003-04-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판
JP4019697B2 (ja) * 2001-11-15 2007-12-12 株式会社日立製作所 液晶表示装置
CN100412633C (zh) * 2001-11-30 2008-08-20 夏普公司 液晶显示装置
JP2003207794A (ja) * 2002-01-11 2003-07-25 Sanyo Electric Co Ltd アクティブマトリクス型表示装置
JP3989761B2 (ja) 2002-04-09 2007-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置
US7038239B2 (en) 2002-04-09 2006-05-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element and display device using the same
TWI270919B (en) 2002-04-15 2007-01-11 Semiconductor Energy Lab Display device and method of fabricating the same
JP3989763B2 (ja) 2002-04-15 2007-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体表示装置
US7242021B2 (en) * 2002-04-23 2007-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display element using semiconductor device
TWI263339B (en) * 2002-05-15 2006-10-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method for manufacturing the same
US7256421B2 (en) 2002-05-17 2007-08-14 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Display device having a structure for preventing the deterioration of a light emitting device
JP2005164854A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置
TWI226712B (en) * 2003-12-05 2005-01-11 Au Optronics Corp Pixel structure and fabricating method thereof
JP3891995B2 (ja) 2004-04-26 2007-03-14 シャープ株式会社 液晶表示装置
TWI271867B (en) * 2005-06-20 2007-01-21 Au Optronics Corp Pixel structure and fabrication method thereof
TWI292281B (en) * 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
CN100388070C (zh) * 2006-01-27 2008-05-14 友达光电股份有限公司 液晶显示面板及液晶显示装置
JP4747911B2 (ja) * 2006-03-30 2011-08-17 ソニー株式会社 液晶パネル用アレイ基板および液晶パネルならびにこれらの製造方法
TWI752316B (zh) * 2006-05-16 2022-01-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 液晶顯示裝置
US20070296882A1 (en) * 2006-06-23 2007-12-27 Jau-Ching Huang Thin film transistor array
US20090026533A1 (en) * 2007-07-24 2009-01-29 Force-Mos Technology Corporation Trench MOSFET with multiple P-bodies for ruggedness and on-resistance improvements
WO2009055621A1 (en) * 2007-10-26 2009-04-30 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for forming color filter on array flat panel displays
JP5589359B2 (ja) 2009-01-05 2014-09-17 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
US9230994B2 (en) 2010-09-15 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
CN202033561U (zh) * 2011-04-08 2011-11-09 京东方科技集团股份有限公司 一种半透半反式的像素结构及半透半反式液晶显示器
KR101903671B1 (ko) * 2011-10-07 2018-10-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
US8995218B2 (en) 2012-03-07 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102937764B (zh) * 2012-10-17 2015-01-28 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置及其驱动方法

Family Cites Families (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4143266A (en) * 1974-09-13 1979-03-06 Commissariat A L'energie Atomique Method and device for detecting radiatons
FR2284984A1 (fr) * 1974-09-13 1976-04-09 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation de transistors m.o.s. sur isolant pour la detection de rayonnements
US4470060A (en) * 1981-01-09 1984-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display with vertical non-single crystal semiconductor field effect transistors
US5365079A (en) 1982-04-30 1994-11-15 Seiko Epson Corporation Thin film transistor and display device including same
US5677547A (en) 1982-04-30 1997-10-14 Seiko Epson Corporation Thin film transistor and display device including same
JPS5921064A (ja) 1982-04-30 1984-02-02 Seiko Epson Corp 液晶表示装置
US5650637A (en) 1982-04-30 1997-07-22 Seiko Epson Corporation Active matrix assembly
JPS6045219A (ja) * 1983-08-23 1985-03-11 Toshiba Corp アクテイブマトリクス型表示装置
US4598305A (en) * 1984-06-18 1986-07-01 Xerox Corporation Depletion mode thin film semiconductor photodetectors
JPS6329924A (ja) * 1986-07-23 1988-02-08 Komatsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH0210877A (ja) * 1988-06-29 1990-01-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学的パターン検出装置の製造方法
JPH02181419A (ja) * 1989-01-06 1990-07-16 Hitachi Ltd レーザアニール方法
US5051570A (en) * 1989-01-20 1991-09-24 Nec Corporation Liquid crystal light valve showing an improved display contrast
JPH02245742A (ja) 1989-03-17 1990-10-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反射型液晶表示デバイス
JPH039562A (ja) * 1989-06-07 1991-01-17 Sharp Corp 半導体装置
JPH0323671A (ja) * 1989-06-21 1991-01-31 Nippon Sheet Glass Co Ltd 集積化機能デバイス及びその製造方法並びにこのデバイスを用いた機能モジュール
JPH03175430A (ja) 1989-12-05 1991-07-30 Nec Corp 反射型液晶表示装置
JP2538086B2 (ja) * 1990-01-11 1996-09-25 松下電器産業株式会社 液晶表示デバイスおよびその製造方法
JP2622183B2 (ja) 1990-04-05 1997-06-18 シャープ株式会社 アクティブマトリクス表示装置
US5162933A (en) * 1990-05-16 1992-11-10 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Active matrix structure for liquid crystal display elements wherein each of the gate/data lines includes at least a molybdenum-base alloy layer containing 0.5 to 10 wt. % of chromium
DE69125886T2 (de) * 1990-05-29 1997-11-20 Semiconductor Energy Lab Dünnfilmtransistoren
JP2616160B2 (ja) * 1990-06-25 1997-06-04 日本電気株式会社 薄膜電界効果型トランジスタ素子アレイ
US5245450A (en) * 1990-07-23 1993-09-14 Hosiden Corporation Liquid crystal display device with control capacitors for gray-scale
US5273910A (en) * 1990-08-08 1993-12-28 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of making a solid state electromagnetic radiation detector
US5221365A (en) * 1990-10-22 1993-06-22 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic cell and method of manufacturing polycrystalline semiconductive film
US5849601A (en) * 1990-12-25 1998-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method for manufacturing the same
KR960010723B1 (ko) * 1990-12-20 1996-08-07 가부시끼가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 전기광학장치
JP2935280B2 (ja) 1991-02-08 1999-08-16 富士通株式会社 薄膜トランジスタマトリックス
KR960001611B1 (ko) * 1991-03-06 1996-02-02 가부시끼가이샤 한도다이 에네르기 겐뀨쇼 절연 게이트형 전계 효과 반도체 장치 및 그 제작방법
JP2998255B2 (ja) 1991-04-04 2000-01-11 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタ装置及びその製造方法
JPH04318523A (ja) 1991-04-17 1992-11-10 Oki Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ型液晶表示装置
JPH04318522A (ja) 1991-04-17 1992-11-10 Oki Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ型液晶表示装置
JP3150365B2 (ja) * 1991-07-22 2001-03-26 株式会社東芝 液晶表示装置
DE69230138T2 (de) * 1991-11-29 2000-04-27 Seiko Epson Corp Flüssigkristall-anzeigevorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
US5317433A (en) * 1991-12-02 1994-05-31 Canon Kabushiki Kaisha Image display device with a transistor on one side of insulating layer and liquid crystal on the other side
US5459595A (en) * 1992-02-07 1995-10-17 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix liquid crystal display
US5254480A (en) * 1992-02-20 1993-10-19 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process for producing a large area solid state radiation detector
NL194848C (nl) * 1992-06-01 2003-04-03 Samsung Electronics Co Ltd Vloeibaar-kristalindicatorinrichting.
JP3245959B2 (ja) * 1992-06-05 2002-01-15 松下電器産業株式会社 液晶画像表示装置の製造方法
US5459596A (en) * 1992-09-14 1995-10-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Active matrix liquid crystal display with supplemental capacitor line which overlaps signal line
JP2924506B2 (ja) * 1992-10-27 1999-07-26 日本電気株式会社 アクティブマトリックス型液晶表示装置の画素構造
MY109592A (en) * 1992-11-16 1997-03-31 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for manufacturing a liquid crystal display substrate, and apparatus and method for evaluating semiconductor crystals.
DE69332142T2 (de) * 1992-12-25 2003-03-06 Sony Corp Substrat mit aktiver Matrix
FR2702286B1 (fr) * 1993-03-04 1998-01-30 Samsung Electronics Co Ltd Affichage à cristaux liquides et procédé pour le fabriquer.
EP0642179B1 (en) * 1993-03-23 1999-02-03 TDK Corporation Solid state imaging device and process for production thereof
US5483366A (en) * 1994-07-20 1996-01-09 David Sarnoff Research Center Inc LCD with hige capacitance pixel having an ITO active region/poly SI pixel region electrical connection and having poly SI selection line extensions along pixel edges
JP3339190B2 (ja) 1994-07-27 2002-10-28 ソニー株式会社 液晶表示装置
TW289097B (ja) * 1994-08-24 1996-10-21 Hitachi Ltd
JP3240858B2 (ja) * 1994-10-19 2001-12-25 ソニー株式会社 カラー表示装置
JPH08306926A (ja) * 1995-05-07 1996-11-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶電気光学装置
JPH0926603A (ja) * 1995-05-08 1997-01-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US5641974A (en) * 1995-06-06 1997-06-24 Ois Optical Imaging Systems, Inc. LCD with bus lines overlapped by pixel electrodes and photo-imageable insulating layer therebetween
JP3307181B2 (ja) * 1995-07-31 2002-07-24 ソニー株式会社 透過型表示装置
JP2990046B2 (ja) * 1995-08-16 1999-12-13 日本電気株式会社 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JP3209317B2 (ja) * 1995-10-31 2001-09-17 シャープ株式会社 透過型液晶表示装置およびその製造方法
US6800875B1 (en) * 1995-11-17 2004-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix electro-luminescent display device with an organic leveling layer
TWI228625B (en) * 1995-11-17 2005-03-01 Semiconductor Energy Lab Display device
KR0158260B1 (ko) * 1995-11-25 1998-12-15 구자홍 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이 및 제조방법
US5940732A (en) * 1995-11-27 1999-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Method of fabricating semiconductor device
TW309633B (ja) * 1995-12-14 1997-07-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
US6449024B1 (en) * 1996-01-26 2002-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Inc. Liquid crystal electro-optical device utilizing a polymer with an anisotropic refractive index
US6055028A (en) * 1996-02-14 2000-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal electro-optical device
JP3696687B2 (ja) * 1996-02-29 2005-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置およびその作製方法
KR100386203B1 (ko) * 1996-02-29 2003-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전기광학장치및그제조방법
JP3597305B2 (ja) * 1996-03-05 2004-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置およびその作製方法
US5652637A (en) * 1996-03-11 1997-07-29 Marini; Martin A. Eyeglasses with detachable temples
TW364275B (en) * 1996-03-12 1999-07-11 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device
DE19712233C2 (de) * 1996-03-26 2003-12-11 Lg Philips Lcd Co Flüssigkristallanzeige und Herstellungsverfahren dafür
KR100516316B1 (ko) * 1996-05-15 2005-09-23 세이코 엡슨 가부시키가이샤 디바이스 제조 방법 및 전자 디바이스 제조 방법
JP3126661B2 (ja) 1996-06-25 2001-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US6005648A (en) * 1996-06-25 1999-12-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR100249187B1 (ko) * 1996-07-13 2000-03-15 구본준 박막액정표시장치(tft-lcd)및그제조방법
US6262438B1 (en) * 1996-11-04 2001-07-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix type display circuit and method of manufacturing the same
CN1148600C (zh) * 1996-11-26 2004-05-05 三星电子株式会社 薄膜晶体管基片及其制造方法
JPH10268360A (ja) * 1997-03-26 1998-10-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP3784491B2 (ja) * 1997-03-28 2006-06-14 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型の表示装置
JP3738530B2 (ja) * 1997-06-30 2006-01-25 ソニー株式会社 カラー表示装置
JPH1131590A (ja) * 1997-07-09 1999-02-02 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP3919900B2 (ja) * 1997-09-19 2007-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置およびその作製方法
JP3980156B2 (ja) * 1998-02-26 2007-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型表示装置
KR100280889B1 (ko) * 1998-06-30 2001-02-01 구본준, 론 위라하디락사 액정 표시 장치의 패드부 제조 방법 및 그 방법에 의한 액정 표시 장치
US6489952B1 (en) * 1998-11-17 2002-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix type semiconductor display device
US6531993B1 (en) * 1999-03-05 2003-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix type display device
TWI245950B (en) * 1999-03-19 2005-12-21 Sharp Kk Liquid crystal display apparatus
US6515648B1 (en) * 1999-08-31 2003-02-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register circuit, driving circuit of display device, and display device using the driving circuit
JP4727029B2 (ja) * 1999-11-29 2011-07-20 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置、電気器具及びｅｌ表示装置用の半導体素子基板
JP4434411B2 (ja) * 2000-02-16 2010-03-17 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機ｅｌ発光装置およびその製造方法
TW521303B (en) * 2000-02-28 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Electronic device
JP2001257350A (ja) * 2000-03-08 2001-09-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US6646284B2 (en) * 2000-12-12 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
SG179310A1 (en) * 2001-02-28 2012-04-27 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6791648B2 (en) * 2001-03-15 2004-09-14 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device, projection display device and, manufacturing method for substrate for liquid crystal device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111028687A (zh) * 2019-12-16 2020-04-17 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN111028687B (zh) * 2019-12-16 2021-10-15 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

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