CN102937764B - 阵列基板及其制造方法、显示装置及其驱动方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置及其驱动方法，涉及显示领域，无需公共电极线布线，也不需要公共电压输入信号，因此不仅可增加像素开口率，提高显示效果，还可大大降低面板功耗。本发明所述阵列基板，包括：第一栅线和与所述第一栅线相连的像素单元，还包括：正温度系数热敏电阻，所述像素单元的公共电极通过所述正温度系数热敏电阻连接至第二栅线，所述第二栅线为任一不与所述第一栅线同时输出开启电压的栅线。

Description

阵列基板及其制造方法、显示装置及其驱动方法

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置及其驱动方法。

背景技术

在液晶显示领域，目前随着技术的不断更新，液晶显示面板正向大型化、高质量化发展，但液晶面板的大型化容易造成阵列基板的布线电阻增加，尤其当公共电极线布线电阻太大时，容易造成显示屏偏绿、闪烁及残像等显示不良。

如图1所示，为一种典型的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板的结构示意图。公共电极线11与栅线12相互平行排列，经同一工序制备而成。由于在垂直基板方向存在栅线，为了实现公共电极线11垂直方向的导通从而形成图中所示的矩阵结构，就需设置过孔，公共电极线11在垂直方向经过孔，经透明导电(ITO)层14与各公共电极161相连接。

现有阵列基板的结构设计存在如下问题：现有公共电极线布线繁琐，一方面降低了像素开口率，影响显示效果，另一方面布线电阻大，增加了液晶面板，尤其是大尺寸的液晶面板的功耗。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置及其驱动方法，不仅可增加像素开口率，提高显示效果，还可大大降低面板功耗。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，本发明提供一种阵列基板，包括：第一栅线和与所述第一栅线相连的像素单元，还包括：

正温度系数热敏电阻，所述像素单元的公共电极通过所述正温度系数热敏电阻连接至第二栅线，所述第二栅线为任一不与所述第一栅线同时输出开启电压的栅线。

优选地，所述第二栅线与所述第一栅线相邻，为所述第一栅线的上一行栅线或下一行栅线。

可选地，所述正温度系数热敏电阻至少有部分区域重叠设置在所述公共电极上；

所述第二栅线设置在所述正温度系数热敏电阻之上，所述公共电极通过所述正温度系数热敏电阻与所述第二栅线相连接。

可选地，所述正温度系数热敏电阻设置在所述第二栅线上；

所述公共电极至少有部分区域重叠设置在所述正温度系数热敏电阻之上，所述公共电极通过所述正温度系数热敏电阻与所述第二栅线相连接。

优选地，所述正温度系数热敏电阻与所述栅线具有相同的图形。

优选地，所述正温度系数热敏电阻的材质为有机高分子正温度系数导电材料。

本发明还提供一种显示装置，包括：所述的任一阵列基板。

另一方面，本发明还提供一种阵列基板的制造方法，适用于平面场模式的阵列基板，所述方法包括：

沉积透明导电层，采用构图工艺形成公共电极，

沉积正温度系数热敏电阻层，采用构图工艺在所述公共电极上形成一正温度系数热敏电阻，且保证所述正温度系数热敏电阻至少有部分区域重叠设置在对应的所述公共电极上，

沉积栅金属层，采用构图工艺形成栅线，且保证每一行所述栅线通过所述正温度系数热敏电阻与一相邻行的所述公共电极相连接；

然后依次形成栅绝缘层、半导体层、数据线层、表面保护层和像素电极层；或者，

沉积栅金属层，采用构图工艺形成栅线，

沉积正温度系数热敏电阻层，采用构图工艺在栅线上形成正温度系数热敏电阻；

沉积透明导电层，采用构图工艺在预设位置形成公共电极，且保证每一行所述公共电极至少有部分区域重叠设置在所述正温度系数热敏电阻之上，所述公共电极均通过所述正温度系数热敏电阻与一相邻行栅线相连接；

然后依次形成栅绝缘层、半导体层、数据线层、表面保护层和像素电极层。

可选地，所述正温度系数热敏电阻与所述栅线具有相同的图形。

另一方面，本发明还提供一种所述阵列基板的驱动方法，包括：

所述第一栅线输出开启电压时，与所述第一栅线相连的像素单元打开，同时所述第二栅线输出关闭电压，所述第二栅线通过所述正温度系数热敏电阻，向所述公共电极提供关闭电压作为所述公共电极的公共电压；

所述第一栅线输出关闭电压时，与所述第一栅线相连的像素单元关闭，同时所述第二栅线输出开启电压，所述正温度系数热敏电阻随温度剧增，使所述第二栅线和所述公共电极断开。

本发明提供的阵列基板及其制造方法、显示装置及其驱动方法中，任一行像素单元的公共电极均通过正温度系数热敏电阻连接至另一行栅线，当某一行像素单元打开时，与该行像素单元的公共电极相连的另一行栅线处于低压状态(输出关闭电压)，正温度系数热敏电阻导通，另一行栅线输出的关闭电压作为公共电压输入该行像素单元的公共电极；当另一行栅线处于高压状态(输出开启电压)时，正温度系数热敏电阻随温度剧增，使第二栅线与像素单元的公共电极断开，所以无需公共电极线布线，也不需要公共电压输入信号，从而不仅可增加像素开口率，提高显示效果，还可大大降低面板功耗。

附图说明

图1为现有阵列基板的结构示意图；

图2本发明实施例一提供的阵列基板的结构正视示意图；

图3为本发明实施例一阵列基板沿a-a’方向的一结构示意图；

图4为本发明实施例一阵列基板沿a-a’方向的另一结构示意图；

图5为本发明实施例二阵列基板制造方法流程图；

图6(a)和(b)为本发明实施例二中公共电极的截面结构示意图和正视示意图；

图7(a)和(b)为本发明实施例二中正温度系数热敏电阻的截面结构示意图和正视示意图；

图8(a)和(b)为本发明实施例二中栅线的截面结构示意图和正视示意图；

图9为本发明实施例二中另一阵列基板制造方法的示意图；

图10为本发明实施例三中阵列基板的驱动方法的示意图。

附图标记说明

11-公共电极线，12-栅线，122-第二栅线，121-第一栅线，

13-数据线层，14-透明导电层，15-正温度系数热敏电阻，

16-像素单元，161-公共电极，17-栅绝缘层，18-半导体层，

19-像素电极层，20-表面保护层。

具体实施方式

本发明实施例提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置及其驱动方法，不仅可增加像素开口率，提高显示效果，还可大大降低面板功耗。

现有显示装置大多采用逐行扫描的方式，以下以薄膜晶体管显示器(TFT-LCD)为例进行说明。在一帧的时间内，驱动电路向第一行栅线输出高压(即开启电压，为便于理解以下叙述中也称高压)，向其它行则输出低压(即关闭电压)，从而控制第一行TFT打开，通过数据线向第一行像素单元加载显示数据；随后，关闭第一行，向第二行栅线输出高压打开第二行TFT，此时包括第一行在内的其它行则输入低压，处于关闭状态，数据线向第二行像素单元加载显示数据；以此类推，逐行打开并加载显示数据完成一帧图像的显示，这个过程时间很短，由于视觉暂留特性，人眼看到的是完整图像。

每一行TFT只有在打开以便向像素单元加载显示数据时，该行栅线才输出高压，而其余时间处于低压状态，因此，本发明设计思想是：当栅线输出关闭电压时，将关闭电压作为公共电压输入像素单元中的公共电极。这样，即可省去公共电极线，也不再需要公共电压输入信号。

下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

实施例一

本发明实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括：多个像素单元，像素单元与第一栅线相连，还包括：

正温度系数热敏电阻，像素单元的公共电极通过正温度系数热敏电阻连接至第二栅线，第二栅线为任一不与第一栅线同时输出开启电压的栅线。

本实施例中的第一栅线，用于泛指阵列基板上的某条栅线，并不用于限定；所述像素单元为与第一栅线相连，受第一栅线控制的所有像素单元；而所述第二栅线特指不与第一栅线同时输出开启电压的任一栅线。

具体地，本发明在栅线与公共电极之间沉积正温度系数热敏电阻(Positive Temperature Coefficient，PTC)，作为控制栅线与公共电极接通或断开的介质。

本发明实施例中的正温度系数热敏电阻(PTC)，泛指正温度系数很大的半导体材料或元器件(以下简称PTC热敏电阻)，是一种典型具有温度敏感性的半导体电阻，超过一定的温度(居里温度)时，它的电阻值随着温度的升高呈阶跃性的增高。PTC热敏电阻的可设计性好，具体实施中可通过改变自身的开关温度(Ts)来调节其对温度的敏感程度，从而控制栅线与公共电极低压时接通，高压时断开。

第二栅线输出关闭电压(低压)时，热敏电阻温度与室温相近，PTC热敏电阻阻值很小，串联在电路中不会阻碍电流通过，第二栅线通过PTC热敏电阻与像素单元的公共电极导通；当第二栅线输出开启电压(高压)时，PTC热敏电阻由于发热功率增加导致温度上升，当温度超过开关温度(居里温度)时，PTC热敏电阻的电阻随温度瞬间剧增，使得第二栅线与像素单元的公共电极断开。

具体实施中，根据栅线输出的开启电压和关闭电压的具体大小，选择合适的PTC热敏电阻，开启电压和关闭电压一般相差二十伏左右，现有正温度系数热敏导电材料即可满足低压时接通，高压时断开的要求。例如，可选地，具体实施中可选择自恢复保险丝的材料制备本发明实施例中的PTC热敏电阻。

PTC热敏电阻的材料一般有：有机高分子正温度系数导电材料和无机陶瓷钛酸钡导电材料，但优选地，采用便于成膜的有机高分子正温度系数导电材料。

本发明实施例所述的阵列基板，当栅线处于低压时，栅线与公共电极之间的PTC热敏电阻阻值较小，可以实现良好的导通；当栅线处于高压时，栅线与公共电极之间的PTC热敏电阻阻值较大，可以阻止栅线的高压信号对公共电极的输入，合理利用同一帧时间内处于非导通状态栅线输出的关闭电压作为公共电压，因此，本实施例所述阵列基板，无需公共电极线布线，也不需要公共电压输入信号，因此不仅可增加像素开口率，提高显示效果，还可大大降低面板功耗。

优选地，第二栅线与第一栅线相邻，为第一栅线的上一行栅线或下一行栅线。

对于采用逐行扫描方式的显示装置，某一时刻，只有一条栅线输出开启电压，其余栅线均输出关闭电压，但出于制备工艺方面的考虑，第一栅线控制的像素单元的公共电极，通过正温度系数热敏电阻连接至与第一栅线相邻的栅线，即第二栅线为与第一栅线相邻的，第一栅线的上一行栅线或下一行栅线。这样，只要将现有制备工艺稍作改动即可制备本发明实施例中的阵列基板，具体见实施例二中所述。

如图2和图3所示，为符合本实施例阵列基板的第一种具体结构，其中，正温度系数热敏电阻15至少有部分区域重叠设置在公共电极161上，第二栅线122设置在正温度系数热敏电阻15之上，公共电极161通过正温度系数热敏电阻15与第二栅线122相连接。除此之外，还包括：栅绝缘层17、半导体层18、数据线层13、像素电极层19及表面保护层20。

需要说明的是，图3所示为平面场模式的阵列基板，仅为符合本实施例的一种示例性具体实施方式，并不用于限定本实施例。

其中，图中所示的第一栅线121用于泛指阵列基板上的某条栅线，而第二栅线122特指与第一栅线121相邻的下一行栅线。具体实施中，第一条栅线不设置正温度系数热敏电阻15，也不与任何公共电极161相连，最下端还需要增加一条设置有热敏电阻的冗余栅线；每一行像素单元16的公共电极161都通过正温度系数热敏电阻15与下一行栅线相连，最后一行像素单元16的公共电极161通过正温度系数热敏电阻15与冗余栅线相连。

当然，第二栅线122也可为与第一栅线121相邻的上一行栅线，这时，最上端需增加一条设置有热敏电阻的冗余栅线；每一行像素单元16的公共电极161都通过正温度系数热敏电阻15与上一行栅线相连，第一行像素单元的公共电极161都通过正温度系数热敏电阻15与冗余栅线相连，最后一行栅线不设置正温度系数热敏电阻15。

优选地，正温度系数热敏电阻与栅线具有相同的图形，制备时可通过一次光刻过程完成，无需额外增加制备工艺步骤。如图4所示，为符合本实施例阵列基板的第二种具体结构，与图3所示第一种具体结构的不同之处在于：正温度系数热敏电阻15设置在第二栅线122上；公共电极161至少有部分区域重叠设置在正温度系数热敏电阻15之上，公共电极161同样可通过正温度系数热敏电阻15与第二栅线122相连接。

本实施例所述阵列基板，无需设置公共电极线布线，也不需要公共电压输入信号，因而不仅可增加像素开口率，还可大大降低面板功耗；并且正温度系数热敏电阻与栅线具有相同的图形，制备时可通过一次光刻过程完成，不会增加现有的制备工艺步骤。

本发明实施例叙述中以多维电场(Advanced Super Dimension Switch，AD-SDS，简称ADS)模式阵列基板为例，多维电场技术根据改进有高透过率I-ADS技术、高开口率H-ADS和高分辨率S-ADS技术等。其中，I-ADS模式和S-ADS模式的阵列基板如本发明实施例中所述，而H-ADS模式的阵列基板与本发明实施例中的阵列基板的不同之处在于：本发明的阵列基板的公共电极是做在玻璃基板上，而HADS模式的阵列基板的公共电极做在像素电极上，因此，对于HADS模式阵列基板中，正温度系数热敏电阻设置在栅线上，公共电极通过过孔连接至正温度系数热敏电阻上，除此之外阵列基板的具体结构、制备工艺大致相同。

但实际上本发明的应用不限于此，本发明同样可应用于IPS(In-PlaneSwitching，平面转换)模式的阵列基板。

对于IPS模式的阵列基板中，其公共电极和像素电极是同层设置，除此之外阵列基板的具体结构、制备工艺也大致相同，在此不再赘述。

本发明实施例还提供了一种显示装置，其包括上述任意一种阵列基板。所述显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

本发明实施例提供的显示装置，采用了无需设置公共电压线的阵列基板，因而具有更高的透过率，更低的功耗，同时还可避免公共电压线布线电阻太大导致的显示屏偏绿、闪烁及残像等显示不良，提高显示效果。

实施例二

本发明实施例还提供一种阵列基板的制造方法，适用于平面场模式的阵列基板，如图5所示，该方法包括：

步骤101、在玻璃基板上沉积透明导电层，采用构图工艺形成公共电极161，其剖面和正面俯视图分别如图6(a)和(b)所示。本步骤与现有制备过程一样，在此不再详述。

步骤102、沉积正温度系数热敏电阻层，采用构图工艺在公共电极161上形成正温度系数热敏电阻15，且保证正温度系数热敏电阻15至少有部分区域重叠设置在对应的公共电极161上，具体图形如图7(a)和(b)所示。

步骤103、沉积栅金属层，采用构图工艺形成栅线12，且保证每一行栅线12通过正温度系数热敏电阻15与一相邻行的公共电极161相连接，具体图形如图8(a)和(b)所示。

现有技术中，栅线直接位于阵列基板的任意两个公共电极间的基板上，而本发明实施例中，先在任一公共电极161的边缘形成一正温度系数热敏电阻15，且保证每一正温度系数热敏电阻15至少有部分区域重叠设置在对应的公共电极161上；再在正温度系数热敏电阻15上形成栅线12，栅线12的位置向下一行(或上一行)栅线偏移。如图7所示，栅线12隔着正温度系数热敏电阻15设置在公共电极161的边缘，最终使某一栅线12控制的像素单元16中的公共电极161，通过正温度系数热敏电阻15，与该栅线的下一行(或上一行)栅线12相连。

其中，优选地，正温度系数热敏电阻15与栅线12具有相同的图形，制备时可通过一次光刻过程完成，不会因此额外增加制备工艺步骤。

或者，如图9所示，上述过程也可以先形成栅线12，再制备正温度系数热敏电阻15，最后形成公共电极161，具体如下：

步骤201、沉积栅金属层，采用构图工艺形成栅线12；

步骤202、沉积正温度系数热敏电阻层，采用构图工艺在栅线12上形成正温度系数热敏电阻15；

步骤203、沉积透明导电层，采用构图工艺在预设位置形成公共电极161，且保证每一行所述公共电极161至少有部分区域重叠设置在所述正温度系数热敏电阻15之上，所述公共电极161通过所述正温度系数热敏电阻15与一相邻行栅线12相连接。

其中，优选地，正温度系数热敏电阻15与栅线12具有相同的图形，制备时可通过一次光刻过程完成，无需另外增加额外的制备工序。

然后按制造平面场模式的阵列基板的常规流程，形成栅绝缘层17、半导体层18、数据线层13、像素电极层19及表面保护层20，完成阵列基板的制造。

本发明实施例所述的阵列基板制造方法，在栅线与公共电极之间沉积正温度系数热敏电阻，作为控制栅线与公共电极接通或断开的介质。当栅线处于低压时，栅线与公共电极之间的PTC阻值较小，可以实现良好的导通；当栅线处于高压时，栅线与公共电极之间的PTC阻值较大，可以阻止栅线的高压信号对公共电极的输入，合理利用同一帧时间内处于非导通状态栅线输出的关闭电压作为公共电压，因此，本实施例所述阵列基板制造方法，无需公共电极线布线，也不需要公共电压输入信号，因此不仅可增加像素开口率，提高显示效果，还可大大降低面板功耗，并且不会因此增加额外工序。

实施例三

本发明实施例提供一种阵列基板的驱动方法，适用于实施例一所述的任一阵列基板，如图10所示，该驱动方法包括：

步骤301、第一栅线输出开启电压时，与第一栅线相连的像素单元打开，同时第二栅线输出关闭电压，第二栅线通过正温度系数热敏电阻，向公共电极提供关闭电压作为公共电极的公共电压；

步骤302、第一栅线输出关闭电压时，与第一栅线相连的像素单元关闭，同时第二栅线输出开启电压，正温度系数热敏电阻随温度剧增，使第二栅线和公共电极断开。

具体地，以采用逐行扫描方式，且第二栅线为第一栅线的下一行栅线的阵列基板为例，则具体的所述阵列基板驱动方法如下：

第一行栅线输出开启电压控制第一行像素单元打开时，第二行的栅线处于关闭状态，第二行栅线与第一行的公共电极通过PCT热敏电阻相接触，由于PCT热敏电阻在低压时电阻较小，第二行栅线和第一行公共电极导通，此时由第二行栅线的低压(关闭电压)为第一行的公共电极提供公共电压，数据线为第一行像素单元加载显示数据；当第二行栅线打开时，由于PCT热敏电阻在高压时电阻较大，处于高压状态的栅线和与公共电极断开，不影响上一行的正常显示，同时由第三行栅线的低压(关闭电压)为第二行的公共电极提供公共电压，数据线为第二行像素单元加载显示数据；以此类推依次进行直至最后一行，完成一帧的扫描画面。

需要说明的是，数据线上的代表显示数据的数据线电压是相对公共电压而言的，由于本发明实施例利用栅线输出的关闭电压作为公共电压，因此数据线电压与现有技术相比较也需要调整。假设栅线输出的关闭电压为-8V，公共电极电压也为8V，数据线电压为0～16V，则采用本发明所述的驱动方法，公共电压相应的变为-8V，数据线电压需相应的调整为0～-16V。

另外，对于图2中第N行而言，当该行扫描完毕，处于关闭状态时，此时栅线处于低压状态，通过PTC热敏电阻与公共电极接通，为公共电极提供电压。但对于TFT而言，按上述假设，由于此时数据线电压为0～-16V之间，所以TFT的源极为0～-16V之间的某一值，栅极为-8V，则栅极与源漏极之间的电压差为：+8V～-8V之间，而现有技术使用的TFT开启电压Vth在0～3V之间，所以此时的TFT可能处于打开状态，影响正常显示。因此，在上述假设电压下，本发明实施例中应选用开启电压Vth大于8V的TFT，才能保证正常显示。综上所述，本发明实施例中的TFT开启电压Vth必须大于数据线电压的最高电压和栅极的低压之差，而TFT开启电压Vth的大小可以通过TFT的制备工艺和材料来调整。

本发明实施例所述的阵列基板驱动方法，合理利用同一帧时间内处于非导通状态栅线输出的关闭电压作为公共电压，无需公共电压输入信号，因而也无需公共电极线布线，所以不仅可增加像素开口率，提高显示效果，还可大大降低面板功耗。

本发明实施例中虽然以LCD显示屏为例，但实际上本发明的应用不限于此，本发明同样可应用于LED显示屏，这时栅线应理解为控制像素单元打开的线路，公共电极理解为LED灯的不输入显示数据的另一端，一般为低压端或接地端。

本发明实施例所述的技术特征，在不冲突的情况下，可任意相互组合使用。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括：多个像素单元，所述像素单元与第一栅线相连，其特征在于，还包括：

正温度系数热敏电阻，所述像素单元的公共电极通过所述正温度系数热敏电阻连接至第二栅线，所述第二栅线为任一不与所述第一栅线同时输出开启电压的栅线。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第二栅线与所述第一栅线相邻，为所述第一栅线的上一行栅线或下一行栅线。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，

所述正温度系数热敏电阻至少有部分区域重叠设置在所述公共电极上；

所述第二栅线设置在所述正温度系数热敏电阻之上，所述公共电极通过所述正温度系数热敏电阻与所述第二栅线相连接。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，

所述正温度系数热敏电阻设置在所述第二栅线上；

所述公共电极至少有部分区域重叠设置在所述正温度系数热敏电阻之上，所述公共电极通过所述正温度系数热敏电阻与所述第二栅线相连接。

5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，

所述正温度系数热敏电阻与所述第二栅线具有相同的图形。

6.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，

所述正温度系数热敏电阻的材质为有机高分子正温度系数导电材料。

7.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1-6任一项所述的阵列基板。

8.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

沉积透明导电层，采用构图工艺形成公共电极；

沉积正温度系数热敏电阻层，采用构图工艺在所述公共电极上形成正温度系数热敏电阻，且保证所述正温度系数热敏电阻至少有部分区域重叠设置在对应的所述公共电极上；

沉积栅金属层，采用构图工艺形成栅线，且保证每一行所述栅线通过所述正温度系数热敏电阻与一相邻行的所述公共电极相连接；

然后依次形成栅绝缘层、半导体层、数据线层、表面保护层和像素电极层；或者，

沉积栅金属层，采用构图工艺形成栅线；

沉积正温度系数热敏电阻层，采用构图工艺在栅线上形成正温度系数热敏电阻；

沉积透明导电层，采用构图工艺在预设位置形成公共电极，且保证每一行所述公共电极至少有部分区域重叠设置在所述正温度系数热敏电阻之上，所述公共电极通过所述正温度系数热敏电阻与一相邻行栅线相连接；

然后依次形成栅绝缘层、半导体层、数据线层、表面保护层和像素电极层。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，

所述正温度系数热敏电阻与所述栅线具有相同的图形。

10.一种显示装置的驱动方法，其特征在于，包括：

第一栅线输出开启电压时，与所述第一栅线相连的像素单元打开，同时第二栅线输出关闭电压，所述第二栅线通过正温度系数热敏电阻，向公共电极提供关闭电压作为所述公共电极的公共电压；

所述第一栅线输出关闭电压时，与所述第一栅线相连的像素单元关闭，同时所述第二栅线输出开启电压，所述正温度系数热敏电阻随温度剧增，使所述第二栅线和所述公共电极断开。