NL194848C - Vloeibaar-kristalindicatorinrichting. - Google Patents
Vloeibaar-kristalindicatorinrichting. Download PDFInfo
- Publication number
- NL194848C NL194848C NL9300895A NL9300895A NL194848C NL 194848 C NL194848 C NL 194848C NL 9300895 A NL9300895 A NL 9300895A NL 9300895 A NL9300895 A NL 9300895A NL 194848 C NL194848 C NL 194848C
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- signal lines
- scanning signal
- liquid crystal
- signal line
- electrodes
- Prior art date
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 49
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 66
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 57
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 45
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 34
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- -1 hydride silicon Chemical compound 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1306—Details
- G02F1/1309—Repairing; Testing
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
- G02F1/136263—Line defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
1 194848
Vloeibaar-kristalindicatorinrichting
De uitvinding heeft betrekking op een vloeibaar-kristalindicatorinrichting, bevattende een transparant substraat, een aantal aftastlijnen en afbeeldsignaallijnen in een matrixconfiguratie, gevormd op het 5 oppervlak van het transparante substraat, met een isoleerlaag daartussen geplaatst, een aantal dunne-filmtransistor-(TFT)-inrichtingen, wezenlijk gevormd bij kruispunten van genoemde aftastsignaallijnen met genoemde afbeeldsignaallijnen, een aantal pixelelektroden, elektrisch verbonden met elk van genoemde TFT-inrichtingen, en een aantal eerste elektroden van opslagcondensatoren, elektrisch verbonden met aangrenzende aftastsignaallijnen en overlappend met elk van de pixelelektroden. Het gaat daarbij in het 10 bijzonder om een vloeibaar-kristalindicator (LCD) met een actieve matrix.
Een dergelijke vloeibaar-kristalindicatorinrichting is bekend uit de Europese octrooiaanvrage EP 0.338.822. Hierin wordt een vloeibaar-kristalindicatorinrichting met actieve matrix beschreven, waarbij het randgedeelte van elk van de poortelektroden (eerste elektroden) het randgedeelte overlapt van elk van de pixelelektroden, waardoor een hulpcondensator gevormd wordt, waarbij de poortelektroden gemaakt zijn van 15 tantaal, en een eerste isoleerfilm van tantaalpentoxide en een tweede isoleerfilm van siliciumnitride zijn aangebracht in een spleet tussen elk van de poortelektroden en elk van de pixelelektroden, waardoor extra condensatoren verschaft worden met een grote capaciteit met hoog rendement.
De LCD’s met actieve matrix maken gebruik van een actieve inrichting met een niet-lineaire karakteristiek in elk van een aantal pixels die zijn opgesteld in een matrixconfiguratie, waarbij de schakelkarakteristiek van 20 de inrichting wordt gebruikt om daardoor de beweging van elke pixel te regelen. Eén type van de LCD's met actieve matrix bevat een geheugenfunctie via een elektro-optisch effect van het vloeibaar kristal. Een dunne film-transistor (hierna aangeduid als een ”TFT”), met drie aansluitklemmen wordt doorgaans gebruikt als de actieve inrichting, of bijvoorbeeld een dunne film-diode (TFD), of een metaal-isolatormetaal (MIM) met twee aansluitklemmen. In de LCD met actieve matrix waarin dergelijke actieve inrichtingen worden gebruikt, zijn 25 miljoenen of zelfs miljarden pixels geïntegreerd in een glassubstraat, samen met een pixeladres-bedrading, om daardoor een matrix-aandrijfschakeling te verschaffen, waarbij de TFT’s dienen als schakelelementen.
Echter, bij de LCD met actieve matrix waarvan de indicator een groot scherm heeft en sterk gedefinieerd wordt, neemt het aantal pixels toe. Overeenkomstig wordt de apertuurverhouding van de afzonderlijke pixels gereduceerd, waardoor tegelijkertijd de helderheid van de LCD gereduceerd wordt.
30 Om gelijkvormigheid van een beeld dat op de LCD met actieve matrix wordt vertoond, te verkrijgen, is het noodzakelijk dat de spanning van een eerste signaal dat door een gegevenslijn wordt aangelegd, gedurende een bepaalde periode constant wordt gehouden totdat een tweede signaal wordt ontvangen. Teneinde de beeldkwaliteit van de indicator te verbeteren, is tevens een opslagcondensator gevormd, parallel met een vloeibaar kristal-cel.
35 Om de boven beschreven problemen te verhelpen, is een LCD met actieve matrix voorgesteld, die een aanvullende lichtafschermingslaag en een opslagcondensator met onafhankelijke bedrading bezit ter verbetering van de karakteristieken van een indicator (Zie ”High-Resolution 10.3-in Diagonal Multicolor TFT-LCD”, M. Tsumura, M. Kitajima, K. Funahata et al., SID 91 DIGEST, p. 215-128).
In de LCD met actieve matrix die overeenkomstig het bovenstaande stuk is verbeterd, is ter verkrijging 40 van een goede contrastverhouding en een goede apertuurverhouding, een dubbele lichtafschermingslaag-structuur gevormd, en bestaat de opslagcondensator uit een onafhankelijke draad, afzonderlijk van een poortlijn, teneinde de afbeeldingseigenschappen van de LCD te verbeteren.
Bij de structuur van de bovenstaande dubbele lichtafschermingslaag is een eerste lichtafschermingslaag vervaardigd van een voorste glassubstraat waarop een kleurfilter is aangebracht als bij de standen der 45 techniek, en een tweede lichtafschermingslaag is gevormd op een achterste glassubstraat waarop de TFT is aangebracht. De LCD met een dergelijke dubbele lichtafschermingslaag-structuur, vertoont een apertuurverhouding die met 6-20% is verbeterd ten opzichte van de conventionele LCD die alleen de eerste lichtafschermingslaag bezit. Tevens wordt in een gewone elektrode van de opslagcondensator gebruik gemaakt van een aluminium waarvan de weerstand slechts één tiende bedraagt van die van chroom (Cr) 50 met de poortelektrode. Daardoor worden de eigenschappen van verbreidingsvertraging langs de aftastlijn verbeterd.
Een LCD met de dubbele lichtafschermingslaag-structuur en de gebruikelijke aluminium elektrode, behoeft veel verbetering. Tevens moet een reducering van de apertuurverhouding, veroorzaakt door de toepassing van een ondoorlatend metaal (aluminium) voor het vormen van de elektroden van de opslag-55 condensator verbonden met elke pixel worden goedgemaakt.
Bovendien brengt het proces voor het vervaardigen van de tweede lichtafschermingslaag met zich mee, dat een lichtafschermingslaag moet worden geïnstalleerd voorafgaand aan de vorming van een isolatielaag, 194848 2 alleen voor het atschermen van licht gedurende de vervaardiging van de TFT’s, waardoor extra processtappen noodzakelijk zijn, die een overmatige toename van de kosten en complexiteit van het LCD-
Pr°DeSe ^bestaat de behoefte aan een LCD met actieve matrix die de boven beschreven nadelen van de 5 LCD met actieve matrix zoals beschreven in bovenstaand stuk, verhelpt.
Fiquur 1 is een pixel-inrichting van een gebruikelijke vloeibare kristallen-indicator (zoals een voor bijvoorbeeld het verhelpen van bovengenoemde nadelen), waarop de aanvullende opslagcon ensa or oevormd is en figuur 2 is een dwarsdoorsnede langs de lijn ll-ll van figuur 1.
in figuur’1 zijn een enkel pixelgebied en gedeelten van dit omgevende, aangrenzende pixels weergege-10 ven In een gehele LCD zijn rijen bestaande uit een aantal poortlijnen 1 en orthogonale kolommen bestaande uit een aantal gegevenslijnen 5a aangebracht in een matrixconf.gurat.e. Bijgevolg wordt een pixel gevormd in de gebieden die door deze twee soorten lijnen begrensd worden. In elk pixelgebied is een opslagcondensator C, een dunne film-transistor (TFT) als een schakelinrichting, een llchtf °°^"d dee' (apertuurgebied), een transparante pixelelektrode 4 en een kleurfilterlaag 21 aangebracht. Poortlijn 15 gegevenslijn 5a worden aangeduid als respectievelijk aftastsignaallijn en afbeeldsignaallijn.
9 Zoals te zien is in figuur 1, is de eerste elektrode 10 van elke opslagcondensator C gevormd als een lipvormig deel dat steekt in een respectief pixeldeel van de aftastsignaallijnen 1 steekt. Ook de poe> -elektrode G van elke TFT is gevormd als een integraal lipvormig deel dat in een respectief pixeldeel van de aftastsignaallijnen 1 steekt (in de tegenovergestelde richting van de overeenkomstige eerste elektrode van 20 een opslagcondensator). Elk TFT-systeem omvat een halfgeleiderlaag 3 aangebracht over poortelektrode , waarbij een rechter lipvormig uitstekend deel van afbeeldsignaallijn 5a (afvoerelektrode) grenst aan het linker einde van halfgeleiderlaag 3, waarbij een bronelektrode 5b grenst aan het rechter einde van halfgeleiderlaag 3 en transparante pixelelektrode 4. Transparante pixelelektrode 4 bestaat uit een transparant qeleidend materiaal zoals indiumtinoxide (ITO). ...... ...
25 Alle aftastsignaallijnen 1, afbeeldsignaalijnen 5a, condensatoren C, TFTs, en pixelelektroden J gevormd als deel van een meerlagenstructuur die is gevormd op het binnenoppervlak van een achters glassubstraat 100, zoals te zien is in figuur 2. Het proces voor het maken van een LCD met d® aanvul^nde condensator wordt in meer bijzonderheden als volgt toegelicht. Eerst wordt elektrode 10 van elke opslag condensator C en elke aftastsignaallijn 1 gelijktijdig gevormd door het correct leggen van een patroon op 30 een ondoorzichtig, geleidend materiaal (bijvoorbeeld bestaande uit aluminium, chroom, molybdeen of tantaal), en opgedampt op het binnenoppervlak van het achterste glassubstraat 100 via een gangbaar fotolithografieproces. Daarna wordt een isolatielaag 2 gevormd over de aftastsignaallijnen 1 eerste elektrode 10 van condensator 10 en de blootgestelde gebieden van het achterste glassubstraat 100 als weergegeven in figuur 2. Vervolgens worden de afbeeldsignaallijnen 5a en transparante pixelelektroden 35 afzonderlijk gevormd, bijvoorbeeld door middel van successieve fotolithografieprocessen. Daarna wordt een beschermingslaag 6 geiormd over pixelelektroden 4, afbeeldsignaallijnen 5a, en de bloosde gebieden van isolatielaag 2, om daardoor de op het binnenoppervlak van het achterste glassubstraat 100 aangebrachte meerlagenstructuur te voltooien. „looonhetrnat
Onder verwijzing naar figuur 2, bevat de de LCD met actieve matrix verder een voorste glassubstraat 40 101 met een op het binnenoppervlak ervan aangebrachte meerlagenstructuur, en is evenwijdig aan het achterste qlassubstraat 100 geplaatst. Bijvoorbeeld een lichtafschermingslaag- (zwart) matrix 20 voor lichtafscherming is gevormd op het binnenoppervlak van voorste glassubstraat 101. Lichtafschermmgslaag-matrix 20 wordt vervaardigd door het correct leggen van een patroon op een lichtafschermingslaag middel van een gangbaar fotolithografieproces, voor de vorming van een apertuurgebied dat bijna elke op 45 achterste glassubstraat 100 opgestelde pixelelektrode 4 inneemt. Daarna wordt een kleurfilterlaag 21 gevormd over lichtafschermingslaag-matrix 20 en de blootgestelde gebieden van het bmnenopP®^^ het voorste glassubstraat 101. De kleurfilterlaag 21 bevat in het apertuurgebied aanwezige lichtdoorlatende delen 21a Vervolgens wordt een beschermingslaag 22 over de kleurfilterlaag 21 gevormd. Daarna w over beschermingslaag 22 een transparante elektrode 23 gevormd, om daardoor de op het binnenoppervlak 50 van het voorste glassubstraat 101 aangebrachte meerlagenstructuur te voltooien. Er kan worden opgemer dat de gebruikelijke LCD met actieve matrix verder een dunne laag vloeibaar kristal bevat die is ingeWemd tussen het voorste glassubstraat 101 en het achterste glassubstraat 100, en is geplaatst in contact transparante elektrode 23 en beschermingslaag 6. Daarna worden aan deskundigen in de ^reffende techniek bekende volgende processtappen uitgevoerd voor het bevestigen van het voorste glassubst 55 101 en het achterste glassubstraat 100, onder gebruikmaking van een gangbaar afdichtmiddel ("Ie weergegeven), en wordt het vloeibaar kristal ingespoten en ingesloten in de daartussen gevormile hotte.
Bij de LCD met actieve matrix van het aanvullende condensator-type, is vanwege het feit dat eerste 3 194848 elektrode 10 van de opslagcondensator en aftastsignaallijn 1 gelijktijdig van een patroon worden voorzien onder gebruikmaking van hetzelfde materiaal, een aanvullend proces niet nodig. Bijgevolg kan het proces voor vervaardiging van de LCD met actieve matrix worden vereenvoudigd.
Gebaseerd op de bovenstaande beschrijving van de gebruikelijke LCD met actieve matrix, moet men 5 echter ook begrijpen dat deze bepaalde nadelen vertoont, en wel de volgende. Aangezien de eerste elektrode 10 van elke opslagcondensator C bestaat uit een ondoorzichtig metaal, en de eerste elektrode 10 van elke opslagcondensator C verder een belangrijk deel van zijn bijbehorende pixelelektrode 4 overlapt, wordt het apertuurgebied van elke pixel belangrijk verkleind door het corresponderende overlappingsgebied, waardoor de apertuurverhouding ervan gereduceerd wordt.
10 Bovendien is het zo, dat aangezien de afbeeldsignaallijnen 5a en de pixelelektroden 4 tezamen op dezelfde isolatielaag 2 gevormd worden, zij door een vooraf bepaalde afstand van elkaar moeten worden gescheiden om daartussen een elektrische isolatie te verkrijgen. Dit verkleint het apertuurgebied van de LCD en reduceert dus de contrastverhouding en luminantie van de LCD.
Figuur 3 toont een montageopstelling van de pixel van de vloeibare kristallen-indicator die een opslag-15 condensator van het type met onafhankelijke bedrading bezit, als een andere werkwijze van de stand der techniek voor het vormen van de opslagcondensator. Figuur 3 toont een dwarsdoorsnede, genomen langs lijn IV—IV van figuur 3, en toont alleen het onderste deel van het vloeibaar kristal van het vloeibare kristallenindicatorpaneel. Hier vertegenwoordigen verwijzingsgetallen als die van figuren 1 en 2 dezelfde elementen.
20 Zoals in figuur 3 is weergegeven, bestaat opslagcondensator C van het type met onafhankelijke bedrading een structuur, waarin een transparant geleidend materiaal zoals een indiumtinoxide (ITO) het ondoorzichtig metaal, bijvoorbeeld het aluminium, in bovengenoemde gebruikelijke TFT LCD vervangt. De rond transparante pixelelektrode 4 gevormde lichtafschermingslaag-structuur is in figuur 3 niet weergegeven, aangezien deze niet essentieel is. Figuur 3 toont alleen een gedeelte van een groot aantal pixeldelen die 25 worden gevormd door een groot aantal aftastsignaallijnen 1 en een groot aantal afbeeldsignaallijnen 5a zoals weergegeven in figuur 1. Opslagcondensator C van het type met onafhankelijke bedrading is gescheiden van aftastsignaallijnen 1, anders dan bij het in figuur 1 getoonde aanvullende condensator-type, om in het aangrenzende pixeldeel te worden aangesloten op condensator C door middel van een onafhankelijke bedrading 11 als een andere geleidende laag.
30 Zoals weergegeven in figuur 4, gebruikt de LCD met condensator van het type met onafhankelijke bedrading de omgekeerd verstemde TFT’s als een schakelinrichting. Wanneer het het vormingsproces bekijkt, wordt poortelektrode G zodanig gevormd dat elk van de aftastsignaallijnen 1 is gevormd als een lipvormig deel dat in elk pixeldeel steekt, waarbij elke eerste elektrode 10a van opslagcondensator C en elke onafhankelijke bedrading 11 die een verlenging van de eerste elektrode is, gevormd worden om 35 evenwijdig te lopen aan het achterste glassubstraat van het vloeibaar kristal-indicatorpaneel. Successievelijk worden, nadat een isolatielaag 2 zoals een siliciumnitride (SiN) op het vooroppervlak gevormd is, een halfgeleiderlaag 3 en een transparante pixelelektrode 4 gevormd in een vooraf bepaald patroon, en worden daarna afbeeldsignaallijnen 5a en een bron 5b daarop gevormd. Daarop volgende bewerkingen worden verricht door middel van een op het terrein van de LCD gebruikelijk toegepaste methode.
40 Aangezien de vloeibare kristallen-indicator van de opslagcondensator van het type met onafhankelijke bedrading als weergegeven in figuren 3 en 4 gebruik maakt van transparante ITO voor de vorming van eerste elektrode 10a van opslagcondensator C, wordt het apertuurgebied niet zo klein als dat van de elektrode. Tegelijkertijd is het zo, dat aangezien de lichtafschermingslaag niet aanwezig is op het achterste glassubstraat van het vloeibare kristallen-indicatorpaneel langs de pixelelektrode, wordt de contrast-45 verhouding van een LCD sterk gereduceerd en is een aanvullende bewerking nodig voor het vormen van de eerste elektrode 10a van opslagcondensator C. (Deze bewerking wordt uitgevoerd door het opdampen van een aanvullend transparant, geleidend materiaal, zoals een ITO, dat verschilt van het ondoorzichtige, geleidend materiaal van de aftastsignaallijnen, en het daarna etsen van het transparante geleidend materiaal.) 50 Om de bij bovengenoemde vloeibare kristallen-indicator van het type met extra condensator (figuur 1) en die van het type met onafhankelijke bedrading (figuur 3) aanwezige problemen te verlichten, wordt een opslagcondensator toegepast die naar een corresponderende transparante pixelelektrode toegekeerd is en de transparante pixelelektrode in een ringvorm omsluit. Dit zal hieronder worden toegelicht onder verwijzing naar figuren 5 en 6. Hier vertegenwoordigen dezelfde verwijzingsgetallen als die van figuren 1 of 4 dezelfde 55 componenten.
Zoals door een vergelijking van figuur 5 met figuren 1 en 3 te zien is, is de in figuur 5 weergegeven LCD met actieve matrix volgens de gebruikelijke werkwijze vervaardigd, behalve dan het feit dat een montage- 194848 4 opstelling van eerste elektrode 10 van opslagcondensator C aangesloten op elke pixelelektrode 4 zodanig veranderd is dat eerste elektrode 10 is aangebracht in het randgebied van pixelelektrode 4 om daardoor de apertuurverhouding en de contrastverhouding van de LCD sterker te verbeteren dan die van de gebruikelijke LCD. In het bijzonder is de ondoorzichtig metaal-laag, waaruit de afbeeldsignaallijnen 5a en de eerste 5 elektroden 10 van opslagcondensatoren C zijn gevormd, op dusdanige wijze van patronen voorzien dat de de eerste elektroden 10 van opslagcondensatoren C in hoofdzaak hun bijbehorende pixelelektroden 4 omgeven, en bij voorkeur alleen een randdeel ervan overlappen. Zoals veel duidelijker te zien is in figuur 6 (genomen langs lijn VI-VI van figuur 5), is eerste elektrode 10 van de condensator C in hoofdzaak geplaatst onder de matrix van lichtafschermingslaag 20 die is aangebracht op het binnenoppervlak van het voorste 10 glassubstraat 101, en zich niet uitstrekt tot in de omhulling van het apertuurgebied, waardoor de apertuurverhouding belangrijk wordt verbeterd in vergelijking tot die van een gebruikelijke LCD met actieve matrix.
Daarbij dient de eerste elektrode 10 van elke condensator C die langs elke bijbehorende pixelelektrode 4 gevormd is, tevens als een aanvullende lichtafschermingslaag, zoals weergegeven in figuur 6. Dat wil zeggen, de eerste elektrode 10 minimaliseert de hoeveelheid leklicht dat door het apertuurgebied van het 15 voorste glassubstraat 101 gaat vanuit het gebied van het vloeibaar kristal dat zich buiten de omhulling van het apertuurgebied bevindt.
In het geval van in figuur 2 afgebeelde gebruikelijke LCD met actieve matrix is te zien, dat licht van buiten, dat het voorste glassubstraat 101 binnenkomt met een invalshoek groter dan Θ1 wordt uitgestraald via het apertuurgebied van het voorste glassubstraat 101. In het geval van de verbeterde LCD volgens 20 figuur 6 wordt alleen licht van buiten, dat het voorste glassubstraat binnenkomt met een invalshoek groter dan Θζ, uitgestraald door het apertuurgebied van het voorste glassubstraat. Overtollig licht (of ’’leklicht”) dat het voorste glassubstraat treft en waarvan de hoek kleiner is dan de invalshoek ©2, wordt door eerste elektrode 10 van de aangrenzende opslagcondensator geblokkeerd. Bijgevolg reduceert de LCD volgens figuur 6 ten opzichte van de bovengenoemde LCD met actieve matrix volgens figuur 2 de hoeveelheid 25 leklicht die wordt uitgestraald door het apertuurgebied van voorste glassubstraat 101 in een hoeveelheid die evenredig is aan het verschil tussen ©2 en ©,, waardoor de contrastverhouding wezenlijk verbeterd wordt.
Intussen vertegenwoordigt de vloeibare kristallenindicator een verbetering in indicator-eigenschappen, d.w.z. een betere apertuurverhouding, een verbeterde contrastverhouding, enzovoorts. Door inleiding van vreemde materie of een zwakke isolatiefilm bij draadkruisingen (de kruising van aftastsignaallijnen 1 en 30 afbeeldsignaallijnen 5a), treden echter draadbreuken in aftastsignaallijnen 1 en/of kortsluitingen tussen aftastsignaallijnen 1 en afbeeldsignaallijnen 5a op, waardoor het rendement van vervaardigde vloeibare kristallen-indicatoren wezenlijk wordt verlaagd.
Het is nu het doel van de uitvinding de problemen van de stand der techniek op te lossen en een vloeibaar-kristalindicatorinrichting te verschaffen waarbij draadbreuken van een aftastsignaallijn bij de 35 kruising van aftastlijnsignalen en afbeeldsignaallijnen alsook bij het optreden van kortsluitingen bij dergelijke kruisingen doelmatig kunnen worden verholpen, en waarbij de apertuurverhouding en de contrastverhouding opmerkelijk kunnen worden verbeterd.
Daartoe voorziet de uitvinding in een vloeibaar-kristalindicatorinrichting, zoals omschreven in de aanhef, met het kenmerk, dat een redundantieaansluitdeel aangrenzende eerste elektroden van opslag-40 condensatoren elektrisch verbindt. Deze redundantieaansluitdelen zijn doelmatig in staat de gevolgen van kortsluitingen bij de kruispunten op te vangen, en maken eenvoudige reparaties bij optreden van defecten tijdens de vervaardiging doelmatig mogelijk.
Verdere kenmerken en voordelen zullen duidelijk worden uit de volgende en meer specifieke beschrijving 45 van de voorkeuruitvoeringsvorm van de uitvinding zoals weergegeven in de tekeningen, waarin dezelfde verwijzingsgetallen in het algemeen betrekking hebben op gelijke onderdelen in alle aanzichten, en waarin: figuur 1 een pixel-montageopstelling is van de gebruikelijke vloeibare kristallen-indicator die is vervaardigd onder toepassing van een werkwijze van het type met aanvullende condensator; figuur 2 een dwarsdoorsnede toont, genomen langs de lijn ll-ll van figuur 1; 50 figuur 3 een pixel-montageopstelling is van de gebruikelijke vloeibare kristallen-indicator waarin een opslagcondensator van het type met onafhankelijke bedrading gevormd is; figuur 4 een dwarsdoorsnede toont, genomen langs de lijn IV-IV van figuur 3; figuur 5 een pixel-montageopstelling is van de vloeibare kristallen-indicator waarin de opslagcondensator van het type aanvullende condensator is gevormd in een ringconfiguratie; 55 figuur 6 een dwarsdoorsnede toont, genomen langs de lijn VI-VI van figuur 5; figuur 7 een pixel-montageopstelling is van de vloeibare kristallen-indicator waarin een opslagcondensator van het ring-type met een redundantieaansluitdeel gevormd is; 5 194848 figuur 8 een pixel-montageopstelling is van de vloeibare kristallen-indicator waarin een opslagcondensator is gevormd als een met dubbele bedrading en van een ring-type; figuur 9 een schematische voorstelling is die een werkingsprincipe toont ter toelichting van het effect van de aangebrachte verbeteringen.
5
Verwijzend naar figuur 7, bezit de vloeibare kristallenindicator volgens één uitvoeringsvorm een redundantie-aansluitdeel 12 tussen een eerste elektrode van de opslagcondensator, in elk pixelgebied, vergeleken met de pixelmontageopstelling van de in figuur 5 weergegeven vloeibare kristallen-indicator zoals boven vermeld. In meer bijzonderheden is een ondoorzichtig metaal-laag, waaruit de afbeeldsignaallijn 5a en de 10 eerste elektroden 10 van opslagcondensatoren C zijn gevormd, in een patroon gelegd op een zodanige wijze, dat de eerste elektroden 10 van opslagcondensatoren C hun bijbehorende pixelelektroden 4 in hoofdzaak omgeven, en bij voorkeur slechts een omtreksranddeel ervan overlappen.
Bovendien bevinden de eerste elektroden 10 van de opslagcondensator zich onder de matrix van lichtafschermingslaag 20 die is aangebracht op voorste glassubstraat 101 om zich niet uit te strekken tot in 15 het apertuurgebied, en daardoor de apertuurverhouding te verbeteren in vergelijking tot de conventionele LCD.
Daarbij is eerste elektrode 10 van elke condensator op een zodanige wijze gevormd dat hij elke respectieve pixelelektrode 4 in hoofdzaak omgeeft, en dient als een aanvullende lichtafschermingslaag, zoals weergegeven in figuur 6. Dat wil zeggen, hij is bestemd voor het minimaliseren van de hoeveelheid 20 leklicht die door het apertuurgebied van het voorste glassubstraat 101 gaat vanuit de gebieden van het vloeibare kristal dat zich buiten de omhulling van het apertuurgebied bevindt.
Een redundantieaansluitdeel 12, dat is aangesloten tussen eerste elektroden 10 van elk van de opslagcondensatoren, is gelijktijdig gevormd met een patroon van eerste elektroden 10 en kruist afbeeld-signaallijnen 5a door de diëlektrische films daarin te leggen.
25 Wanneer de vloeibare kristallen-indicator met de bovengenoemde constructie tussen twee bedradingen een kortsluiting vertoont bij het draadkruisingsdeel van aftastsignaallijn 1 en afbeeldsignaallijn 5a, worden de aftastsignaallijnen door een laserstraal afgesneden aan beide zijden van het kruisingsdeel waar de kortsluiting is opgetreden, om zo de kortsluiting te verhelpen. Dat wil zeggen, het signaal dat door aftastsignaallijnen 1 wordt verzonden, gaat niet door de afgesneden aftastsignaallijnen, maar door 30 redundantieaansluitdeel 12. Bovendien is het zo, dat aangezien het signaal via redundantieaansluitdeel wordt verzonden door hetzelfde principe als wanneer draadbreuken van de aftastsignaallijnen 1 optreden bij het kruisingsdeel, dit gebrek wordt verholpen.
Figuur 8 toont een pixel-montageopstelling van de vloeibare kristallen-indicator volgens een andere uitvoeringsvorm.
35 Verwijzend naar figuur 8, bevat de vloeibare kristallenindicator aftastsignaallijnen 1 die zijn gedupliceerd als eerste signaalelektroden 1a en tweede signaalelektroden 1b vergeleken met de in figuur 5 weergegeven pixel-montageopstelling van de vloeibare kristallen-indicator zoals hierboven vermeld. Een aantal van de aftastsignaallijnen dat wordt gevormd door een elektrodenpaar van eerste aftastsignaallijn 1a en tweede aftastsignaallijn 1b is met vooraf bepaalde tussenruimten opgesteld. Hier vormt het door eerste en tweede 40 aftastsignaallijnen 1a en 1b en afbeeldsignaallijn 5a gedefinieerde deel het pixeldeel.
Bovendien is vergeleken met figuur 5 de dunne film-transistor als een schakelinrichting niet gevormd op een integraal lipvormig deel van een bijbehorende aftastsignaallijn 1a, maar op eerste aftastsignaallijn 1a.
Dat wil zeggen, een poortelektrode van de dunne film-transistor is over 90° verdraaid om consistent te zijn met eerste aftastsignaallijn 1a, en daardoor de apertuurverhouding van de vloeibare kristallen-indicator te 45 maximaliseren.
Intussen wordt een ondoorzichtige, geleidend materiaallaag waaruit de eerste elektroden 10 van opslagcondensatoren C gevormd zijn, op een zodanige wijze in een patroon gelegd, dat de eerste elektroden 10 van opslagcondensatoren C hun bijbehorende pixelelektroden 4 in hoofdzaak omgeven, een omtreksranddeel ervan overlappen, en zijn aangesloten op corresponderende eerste en tweede aftast-50 signaallijnen 1a en 1b op dezelfde plaats. Wanneer eerste elektrode 10 is gemaakt van aluminium, is het oppervlak van de aftastsignaallijnen en de eerste elektrode 10 door middel van een anodiseermethode bedekt met aluminiumoxide (Al203).
Intussen zijn, zoals in figuur 6 is weergegeven, alle elektroden 10 aangebracht onder de matrix van lichtafschermingslaag 20 die zich bevindt op voorste glassubstraat 101, om te dienen als een extra 55 lichtafschermingslaag voor het direct onderbreken van de doorlating van licht van achteren, dat invallend leklicht interumpeert, teneinde de contrastverhouding te verbeteren. Gedurende de periode dat de afbeeldsignaalspanning wordt toegevoerd aan pixelelektrode 4, wanneer het vloeibare kristallen- 194848 6 indicatorpaneel wordt aangestuurd, wordt tevens een vooraf bepaalde spanning gevoerd tussen de transparante gemeenschappelijke elektrode, die over het vloeibare kristal is aangebracht, en eerste elektrode 10 van de opslagcondensator, zodat de vloeibaar kristal-moleculen verticaal ten opzichte van het subtraat worden gerangschikt. Daardoor wordt leklicht onderschept teneinde de contrastverhouding te 5 verbeteren wanneer het vloeibaar kristal zodanig opgesteld is dat het wordt bewogen bij een gewoonlijk ^HeUransparant substraat voor gebruik als een onderste paneel van de vloeibare indicator is een qlassubstraat, bijvoorbeeld Corning 7059 (handelsnaam), met een dikte van ongeveer 1 mm. De aftast-siqnaallijn is verdubbeld door eerste aftastsignaallijn 1a en tweede aftastsignaallijn 1b en is rond e 10 stuurschakeling aangesloten door een enkelvoudige bedrading. Hierbij is het zo, dat wanneer de totale lijnbreedte van de verdubbelde aftastlijn gelijk is aan die van de aftastsignaallijn bij de conventionele methode met enkelvoudige bedrading, het gebied van elk kruisingsdeel van de aftastsignaallijn en afbeeldsignaallijn niet alleen consistent is, maar treedt er ook geen verandering op in de draadweerstand van de aftastsignaallijn. . ,, . .
15 Intussen wordt de schakelinrichting voor het verzenden van een elektronisch signaal door afbeeldsignaa -lijn 5a bijvoorbeeld de dunne film-transistor, gevormd in een omgekeerd verstemde configuratie, waar ij aftastsignaallijn 1 dient als de poortelektrode voor het maximaliseren van het pixelgebied Er kan echter^ook een dunne film-diode (TFD) worden toegepast, bijvoorbeeld een metalen isolator-metaal (MIM) met tw aansluitklemmen die dienen als de schakelfunctie. . .
20 Thans zal het proces van één werkwijze voor het vervaardigen van de vloeibare kristallen-indicator hieronder worden toegelicht. , ,
Eerst wordt aluminium tot een dikte van niet meer dan 4000A opgedampt op het vooroppervlak van het achterste glassubstraat van de vloeibare khstallen-indicator, en daarna worden aftastsignaallijn 1 en eerste elektrode 10 van de opslagcondensator gelijktijdig gevormd. Eerste elektrode 10 van de opslagcondensa or, 25 zoals weergegeven in figuren 7 en 8, is gevormd in de ringvormige structuur waar de eerste elektrode zich voldoende uitstrekt naar de rand van het pixelgebied om het maximale pixelgebied te benutten. In figuur 7 is redundantieaansluitdeel 12 in een patroon gelegd om te worden aangesloten tussen aangrenzende eerste elektroden TO van de condensatoren, en in figuur 8 om op elkaar te worden aangesloten door middel van de gedoubleerde aftastsignaallijn. u ... ..
30 Aangezien eerste elektrode 10 van de condensator dient als een hierna te beschrijven lichta schermings laaq behoort deze hierbij te bestaan uit een ondoorzichtig, geleidend materiaal. Een eerste elektrode kan worden gevormd in een meerlaags structuur of door toepassing van een legering, zo lang dit een ondoor- zichtiq qeleidend materiaal is. .
Wanneer aftastsignaallijnen 1 of eerste elektroden 10 worden gemaakt van aluminium, onder toepassing 35 van een anodisch-oxide methode, kunnen successievelijk oppervlakken van elektroden worden bedekt me de aluminiumoxide film (Al203), waarvan de dikte niet meer dan 2000A bedraagt, om de elektrische eigenschap te versterken.
Daarna wordt daarop een contactpunt gevormd om afbeeldsignaallijn 5a en aftastsignaallijn 1 te verbinden met de stuurschakeling. Hierbij wordt bijvoorbeeld chroom als het contactpuntmetaal gebruikt, 40 waarvan de dikte ongeveer 2000A bedraagt.
Volgens een andere uitvoeringsvorm kunnen, na een contactpunt op het glassubstraat te hebben gevormd, aftastsignaallijn 1 en eerste elektrode 10 daarop worden gevormd wanneer een ander ondoorzichtig, geleidend materiaal dan aluminium wordt gebruikt.
Daarna worden onder toepassing van een chemische neerslag uit dampfase-methode (CVD), een 45 isolatielaag bestaande uit een siliciumnitride (SiNx) en een halfgeleiderlaag bestaande uit een amort hydridesilicium (a-Si:H) opgedampt tot dikten van respectievelijk ongeveer 3000A of minder en 2000A o minder Op dat moment wordt de a-Si:H, gedoteerd in een N-type (n' a-Si:H) als een ohmsche laag opqedampt op het a-Si:H tot een dikte van ongeveer 500A. Daarna, zoals weergegeven in figuren 7 en 8, wordt de halfgeleiderlaag in een patroon gelegd om een gebied te defmieren waarin de schakelinrichting za 50 worden geplaatst op aftastsignaallijn 1 of het er vlakbij gelegen deel.
Successievelijk wordt de isolatielaag op het aansluitdeel van de stuur-IC verwijderd, en wordt een transparant, geleidend materiaal, bijvoorbeeld een ITO, opgedampt tot een dikte van ongeveer 500A of minder door middel van een verstuivingsmethode, en in een patroon gelegd om daardoor pixelelektrode e vormen. Op dat moment wordt pixelelektrode 4 in een patroon gelegd voor het over een vooraf bepaalde 55 breedte overlappen van in de voorgaande stap gevormde eerste elektrode 10 van de opslagcondensator, waarbij de isolatielaag ertussen geplaatst wordt. Hier is een condensator gevormd tussen eerste elektrode 10 van de opslagcondensator en pixelelektrode 4 op het pixelgebied door tussenplaatsmg van een
Claims (6)
1. Vloeibaar-kristalindicatorinrichting, bevattende een transparant substraat (100), een aantal aftastlijnen (1) en afbeeldsignaallijnen (5) in een matrixconfiguratie, gevormd op het oppervlak van het transparante 50 substraat (100), met een isoleerlaag daartussen geplaatst, een aantal dunne-filmtransistor-(TFT)-inrichtingen, wezenlijk gevormd bij kruispunten van genoemde aftastsignaallijnen (1) met genoemde afbeeldsignaallijnen (5), een aantal pixelelektroden (4), elektrisch verbonden met elk van genoemde TFT-inrichtingen, en een aantal eerste elektroden (10) van opslagcondensatoren, elektrisch verbonden met aangrenzende aftastsignaallijnen (1) en overlappend met elk van de pixelelektroden (4), met het kenmerk, 55 dat een redundantieaansluitdeel (12) aangrenzende eerste elektroden (10) van opslagcondensatoren elektrisch verbindt.
2. Vloeibaar-kristalindicatorinrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat elk van genoemde eerste 194848 8 elektroden van opslagcondensatoren gedeeltelijk één van genoemde pixelelektroden overlapt over de omtrek van één pixelelektrode. . .
3. Vloeibaar-kristalindicatorinrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat genoemde TFT-inrichting een invers verschoven type transistor is. .
4. Vloeibaar-kristaiindicatorinrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de redundantieaansluitdelen de afbeeldsignaallijnen kruisen. .
5. Vloeibaar-kristalindicatorinrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de aftastsignaallijnen en de redundantieaansluitdelen gemaakt zijn van hetzelfde soort materiaal.
6. Vloeibaar-kristalindicatorinrichting volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de redundantieaansluitdelen 10 bestaan uit materiaal, gekozen uit ten minste één van aluminium, chroom, molybdeen, en tantaal. Hierbij 7 bladen tekening
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019920009510A KR950008938B1 (ko) | 1992-06-01 | 1992-06-01 | 액정 표시장치 |
KR920009510 | 1992-06-01 | ||
KR920016300 | 1992-09-07 | ||
KR1019920016300A KR100265751B1 (ko) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR1019920017901A KR940007574A (ko) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | 액정 표시장치 |
KR920017901 | 1992-09-30 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL9300895A NL9300895A (nl) | 1994-01-03 |
NL194848B NL194848B (nl) | 2002-12-02 |
NL194848C true NL194848C (nl) | 2003-04-03 |
Family
ID=27348829
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL9300895A NL194848C (nl) | 1992-06-01 | 1993-05-26 | Vloeibaar-kristalindicatorinrichting. |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US5517341A (nl) |
JP (1) | JP2537329B2 (nl) |
DE (1) | DE4318028B4 (nl) |
NL (1) | NL194848C (nl) |
Families Citing this family (114)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3307150B2 (ja) * | 1995-03-20 | 2002-07-24 | ソニー株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
US6262784B1 (en) | 1993-06-01 | 2001-07-17 | Samsung Electronics Co., Ltd | Active matrix display devices having improved opening and contrast ratios and methods of forming same and a storage electrode line |
KR100242438B1 (ko) * | 1996-08-30 | 2000-02-01 | 윤종용 | 능동 행렬형 액정 표시 장치 |
US6313889B1 (en) * | 1993-03-04 | 2001-11-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Matrix-type display device capable of being repaired in pixel unit |
FR2702286B1 (fr) * | 1993-03-04 | 1998-01-30 | Samsung Electronics Co Ltd | Affichage à cristaux liquides et procédé pour le fabriquer. |
TW313582B (nl) * | 1994-03-25 | 1997-08-21 | Chisso Corp | |
TW321731B (nl) * | 1994-07-27 | 1997-12-01 | Hitachi Ltd | |
JP3081474B2 (ja) * | 1994-11-11 | 2000-08-28 | 三洋電機株式会社 | 液晶表示装置 |
KR0139319B1 (ko) * | 1994-11-14 | 1998-06-15 | 김광호 | 한 화소에 이중배선과 복수의 트랜지스터를 구비한 액정 표시 장치 |
JPH0926603A (ja) * | 1995-05-08 | 1997-01-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
US5990492A (en) * | 1995-05-30 | 1999-11-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Self-aligned thin-film transistor for a liquid crystal display having source and drain electrodes of different material |
US6040183A (en) * | 1995-06-07 | 2000-03-21 | University Of North Carloina At Chapel Hill | Helper virus-free AAV production |
US6069370A (en) * | 1997-03-26 | 2000-05-30 | Nec Corporation | Field-effect transistor and fabrication method thereof and image display apparatus |
JPH09236826A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-09-09 | Sharp Corp | 液晶表示素子およびその製造方法 |
JP3418653B2 (ja) * | 1995-09-28 | 2003-06-23 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
TW463068B (en) * | 1995-10-12 | 2001-11-11 | Toshiba Corp | Liquid crystal display device |
TW317629B (nl) | 1995-11-01 | 1997-10-11 | Samsung Electronics Co Ltd | |
KR0158260B1 (ko) * | 1995-11-25 | 1998-12-15 | 구자홍 | 엑티브 매트릭스 액정표시장치의 매트릭스 어레이 및 제조방법 |
US5657101A (en) * | 1995-12-15 | 1997-08-12 | Industrial Technology Research Institute | LCD having a thin film capacitor with two lower capacitor electrodes and a pixel electrode serving as an upper electrode |
US5782665A (en) * | 1995-12-29 | 1998-07-21 | Xerox Corporation | Fabricating array with storage capacitor between cell electrode and dark matrix |
KR100234402B1 (ko) * | 1996-01-19 | 1999-12-15 | 윤종용 | 액정 표시 장치의 구동 방법 및 장치 |
JP3126661B2 (ja) * | 1996-06-25 | 2001-01-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
US6005648A (en) * | 1996-06-25 | 1999-12-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US6014191A (en) * | 1996-07-16 | 2000-01-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display having repair lines that cross data lines twice and cross gate lines in the active area and related repairing methods |
JP3634089B2 (ja) | 1996-09-04 | 2005-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
KR100247628B1 (ko) * | 1996-10-16 | 2000-03-15 | 김영환 | 액정 표시 소자 및 그 제조방법 |
KR100209281B1 (ko) * | 1996-10-16 | 1999-07-15 | 김영환 | 액정 표시 소자 및 그 제조방법 |
KR100228431B1 (ko) * | 1996-12-30 | 1999-11-01 | 김영환 | 액정 표시 소자 및 그 제조방법 |
US6433764B1 (en) * | 1997-01-23 | 2002-08-13 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display |
JP3680527B2 (ja) * | 1997-01-31 | 2005-08-10 | 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 | 薄膜トランジスタマトリクス基板及びその製造方法 |
JP3376379B2 (ja) * | 1997-02-20 | 2003-02-10 | 富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 | 液晶表示パネル、液晶表示装置及びその製造方法 |
US6774966B1 (en) | 1997-06-10 | 2004-08-10 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display with wide viewing angle and method for making it |
KR100537882B1 (ko) * | 1997-08-25 | 2006-03-14 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치및그제조방법 |
JP4643774B2 (ja) * | 1997-10-18 | 2011-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
US5986391A (en) * | 1998-03-09 | 1999-11-16 | Feldman Technology Corporation | Transparent electrodes |
US6335776B1 (en) | 1998-05-30 | 2002-01-01 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Multi-domain liquid crystal display device having an auxiliary electrode formed on the same layer as the pixel electrode |
KR100357213B1 (ko) | 1998-07-23 | 2002-10-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티도메인 액정표시소자 |
KR20000009518A (ko) | 1998-07-25 | 2000-02-15 | 노봉규 | 광시야각을 갖는 수직배향 액정표시소자 |
AU9247398A (en) * | 1998-08-06 | 2000-02-28 | Victor A. Konovalov | Liquid-cristal display and the method of its fabrication |
KR100313952B1 (ko) * | 1998-08-20 | 2002-11-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티도메인 액정표시소자 |
US6558986B1 (en) * | 1998-09-03 | 2003-05-06 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd | Method of crystallizing amorphous silicon thin film and method of fabricating polysilicon thin film transistor using the crystallization method |
US6654090B1 (en) | 1998-09-18 | 2003-11-25 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Multi-domain liquid crystal display device and method of manufacturing thereof |
JP4796221B2 (ja) * | 1998-11-26 | 2011-10-19 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
US6900854B1 (en) | 1998-11-26 | 2005-05-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panel for a liquid crystal display |
TW413844B (en) * | 1998-11-26 | 2000-12-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Manufacturing methods of thin film transistor array panels for liquid crystal displays and photolithography method of thin films |
TW413949B (en) * | 1998-12-12 | 2000-12-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Thin film transistor array panels for liquid crystal displays and methods of manufacturing the same |
JP4482949B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2010-06-16 | ソニー株式会社 | 平面表示素子及びその配線方法 |
US6714269B1 (en) * | 1999-03-22 | 2004-03-30 | Industrial Technology Research Institute | Front-side repairable TFT-LCD and method for making |
US6228438B1 (en) * | 1999-08-10 | 2001-05-08 | Unakis Balzers Aktiengesellschaft | Plasma reactor for the treatment of large size substrates |
KR100686224B1 (ko) * | 2000-01-07 | 2007-02-22 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및그 수리 방법 |
KR100382456B1 (ko) * | 2000-05-01 | 2003-05-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 리페어 패턴 형성방법 |
KR100595295B1 (ko) * | 2000-06-27 | 2006-07-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티 도메인 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR100595296B1 (ko) | 2000-06-27 | 2006-07-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 멀티 도메인 액정표시소자 및 그 제조방법 |
JP2002091342A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-03-27 | Toshiba Corp | マトリクスアレイ基板 |
JP2002040480A (ja) * | 2000-07-24 | 2002-02-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2002162644A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
KR100796749B1 (ko) | 2001-05-16 | 2008-01-22 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 |
JP4728507B2 (ja) * | 2001-06-08 | 2011-07-20 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法 |
JP3932833B2 (ja) * | 2001-06-21 | 2007-06-20 | セイコーエプソン株式会社 | コンデンサ付き電気光学装置および電子機器 |
KR100437825B1 (ko) * | 2001-07-06 | 2004-06-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판 |
KR20030035219A (ko) * | 2001-10-30 | 2003-05-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 능동행렬 유기 전기발광소자 및 그의 제조 방법 |
JP4011344B2 (ja) | 2001-12-28 | 2007-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2003204067A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置およびそれを用いた電子機器 |
US6933527B2 (en) * | 2001-12-28 | 2005-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor device production system |
EP1326273B1 (en) * | 2001-12-28 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TW594156B (en) * | 2002-01-04 | 2004-06-21 | Fujitsu Display Tech | Substrate for display device and display device equipped therewith |
US6841797B2 (en) | 2002-01-17 | 2005-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device formed over a surface with a drepession portion and a projection portion |
US6910159B2 (en) * | 2002-02-20 | 2005-06-21 | Microsoft Corporation | System and method for gathering and automatically processing user and debug data for mobile devices |
US6847050B2 (en) * | 2002-03-15 | 2005-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element and semiconductor device comprising the same |
US6930326B2 (en) | 2002-03-26 | 2005-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor circuit and method of fabricating the same |
KR100870016B1 (ko) * | 2002-08-21 | 2008-11-21 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 액정 표시장치 |
US20040135939A1 (en) * | 2003-01-14 | 2004-07-15 | Fang-Chen Luo | Liquid crystal display device with light shielding structure and method for forming the same |
US7250930B2 (en) * | 2003-02-07 | 2007-07-31 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transparent active-matrix display |
KR100598737B1 (ko) * | 2003-05-06 | 2006-07-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
TWI366054B (en) * | 2003-06-27 | 2012-06-11 | Samsung Electronics Co Ltd | Contact structure of conductive films and thin film transistor array panel including the same |
US7187536B2 (en) * | 2003-08-28 | 2007-03-06 | Tessera, Inc. | Structure and method of making a capacitor having low equivalent series resistance |
KR100556702B1 (ko) * | 2003-10-14 | 2006-03-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101030545B1 (ko) * | 2004-03-30 | 2011-04-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 |
TWI255940B (en) * | 2004-09-13 | 2006-06-01 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Liquid crystal display and TFT substrate therefor |
US20060054889A1 (en) * | 2004-09-16 | 2006-03-16 | Jang-Soo Kim | Thin film transistor array panel |
KR101090253B1 (ko) * | 2004-10-06 | 2011-12-06 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
TWI292076B (en) * | 2004-12-24 | 2008-01-01 | Au Optronics Corp | Pixel structure and thin film transistor and fabricating methods thereof |
US8482496B2 (en) | 2006-01-06 | 2013-07-09 | Pixtronix, Inc. | Circuits for controlling MEMS display apparatus on a transparent substrate |
US9158106B2 (en) | 2005-02-23 | 2015-10-13 | Pixtronix, Inc. | Display methods and apparatus |
US9082353B2 (en) | 2010-01-05 | 2015-07-14 | Pixtronix, Inc. | Circuits for controlling display apparatus |
US8519945B2 (en) | 2006-01-06 | 2013-08-27 | Pixtronix, Inc. | Circuits for controlling display apparatus |
US9229222B2 (en) | 2005-02-23 | 2016-01-05 | Pixtronix, Inc. | Alignment methods in fluid-filled MEMS displays |
US7999994B2 (en) | 2005-02-23 | 2011-08-16 | Pixtronix, Inc. | Display apparatus and methods for manufacture thereof |
US8159428B2 (en) | 2005-02-23 | 2012-04-17 | Pixtronix, Inc. | Display methods and apparatus |
US20070205969A1 (en) | 2005-02-23 | 2007-09-06 | Pixtronix, Incorporated | Direct-view MEMS display devices and methods for generating images thereon |
US9261694B2 (en) | 2005-02-23 | 2016-02-16 | Pixtronix, Inc. | Display apparatus and methods for manufacture thereof |
US8310442B2 (en) * | 2005-02-23 | 2012-11-13 | Pixtronix, Inc. | Circuits for controlling display apparatus |
US7755582B2 (en) | 2005-02-23 | 2010-07-13 | Pixtronix, Incorporated | Display methods and apparatus |
CN100381930C (zh) * | 2005-08-05 | 2008-04-16 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示装置 |
US8526096B2 (en) | 2006-02-23 | 2013-09-03 | Pixtronix, Inc. | Mechanical light modulators with stressed beams |
KR101293950B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-08-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시기판 및 이를 갖는 표시패널 |
US8400599B2 (en) * | 2006-08-16 | 2013-03-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display panel having a light blocking electrode |
KR20080015696A (ko) * | 2006-08-16 | 2008-02-20 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
KR20080056805A (ko) * | 2006-12-19 | 2008-06-24 | 삼성전자주식회사 | 표시 기판과, 이의 제조 방법 및 표시 장치 |
US9176318B2 (en) | 2007-05-18 | 2015-11-03 | Pixtronix, Inc. | Methods for manufacturing fluid-filled MEMS displays |
KR101041618B1 (ko) | 2008-04-24 | 2011-06-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법 |
JP2009288373A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、および電子機器 |
JP2009288372A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Seiko Epson Corp | 液晶装置、および電子機器 |
US8169679B2 (en) | 2008-10-27 | 2012-05-01 | Pixtronix, Inc. | MEMS anchors |
KR20120132680A (ko) | 2010-02-02 | 2012-12-07 | 픽스트로닉스 인코포레이티드 | 저온 실 유체 충전된 디스플레이 장치의 제조 방법 |
BR112012019383A2 (pt) | 2010-02-02 | 2017-09-12 | Pixtronix Inc | Circuitos para controlar aparelho de exibição |
KR101113345B1 (ko) * | 2010-03-24 | 2012-02-29 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 평판 표시장치 및 그의 제조방법 |
JP5736895B2 (ja) | 2011-03-28 | 2015-06-17 | 三菱電機株式会社 | 横電界方式の液晶表示装置 |
US9020463B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-04-28 | The Nielsen Company (Us), Llc | Systems, methods, apparatus, and articles of manufacture to measure mobile device usage |
US9134552B2 (en) | 2013-03-13 | 2015-09-15 | Pixtronix, Inc. | Display apparatus with narrow gap electrostatic actuators |
CN104166289B (zh) * | 2014-08-29 | 2017-03-29 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | Tft‑lcd阵列基板及其制造方法 |
KR102431348B1 (ko) * | 2016-05-25 | 2022-08-11 | 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 표시 장치 |
TWI751737B (zh) | 2020-10-15 | 2022-01-01 | 元太科技工業股份有限公司 | 顯示裝置 |
JP2022161707A (ja) * | 2021-04-09 | 2022-10-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5838922A (ja) * | 1981-09-01 | 1983-03-07 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
JPS6073617A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-25 | Toshiba Corp | 表示装置 |
US4820222A (en) * | 1986-12-31 | 1989-04-11 | Alphasil, Inc. | Method of manufacturing flat panel backplanes including improved testing and yields thereof and displays made thereby |
JPH01109327A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示装置 |
JPH01216321A (ja) * | 1988-02-24 | 1989-08-30 | Fuji Electric Co Ltd | アクティブマトリックス形表示パネル |
JPH0814669B2 (ja) * | 1988-04-20 | 1996-02-14 | シャープ株式会社 | マトリクス型表示装置 |
JPH0222392A (ja) * | 1988-07-12 | 1990-01-25 | Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd | 金属冷間圧延油用添加剤 |
JP2693513B2 (ja) * | 1988-08-30 | 1997-12-24 | 株式会社東芝 | アクティブマトリクス型液晶表示素子 |
GB2227349A (en) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Philips Electronic Associated | Display devices |
JPH02223929A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-06 | Hitachi Ltd | 液晶デイスプレイ装置 |
JP2703328B2 (ja) * | 1989-04-19 | 1998-01-26 | 三洋電機株式会社 | 液晶表示装置 |
JP2845487B2 (ja) * | 1989-04-20 | 1999-01-13 | 株式会社東芝 | アクティブマトリックス型液晶表示素子 |
JPH0359543A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-14 | Hitachi Ltd | カラー液晶表示装置の製造方法 |
JPH03114028A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-05-15 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタマトリクスとその製造方法 |
JPH03239229A (ja) * | 1990-02-16 | 1991-10-24 | Sharp Corp | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
JPH0467020A (ja) * | 1990-07-05 | 1992-03-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ |
JPH07113731B2 (ja) * | 1990-08-03 | 1995-12-06 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示素子 |
KR960014823B1 (ko) * | 1991-03-15 | 1996-10-21 | 가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼 | 액정표시장치 |
KR940004322B1 (ko) * | 1991-09-05 | 1994-05-19 | 삼성전자 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
JPH05257165A (ja) * | 1992-03-10 | 1993-10-08 | Fujitsu Ltd | 液晶表示パネル |
US5260818A (en) * | 1992-05-11 | 1993-11-09 | Industrial Technology Research Institute | Display panel provided with repair capability of defective elements |
EP0592063A3 (en) * | 1992-09-14 | 1994-07-13 | Toshiba Kk | Active matrix liquid crystal display device |
-
1993
- 1993-05-26 NL NL9300895A patent/NL194848C/nl not_active IP Right Cessation
- 1993-05-29 DE DE4318028A patent/DE4318028B4/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-05-31 JP JP12928293A patent/JP2537329B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1993-06-01 US US08/070,717 patent/US5517341A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-02-23 US US08/606,345 patent/US5686977A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-02-23 US US08/602,104 patent/US5696566A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-08-06 US US08/906,961 patent/US5847780A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL9300895A (nl) | 1994-01-03 |
US5847780A (en) | 1998-12-08 |
JP2537329B2 (ja) | 1996-09-25 |
DE4318028A1 (de) | 1993-12-02 |
JPH0651348A (ja) | 1994-02-25 |
US5517341A (en) | 1996-05-14 |
US5696566A (en) | 1997-12-09 |
DE4318028B4 (de) | 2004-08-19 |
US5686977A (en) | 1997-11-11 |
NL194848B (nl) | 2002-12-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL194848C (nl) | Vloeibaar-kristalindicatorinrichting. | |
US9268187B2 (en) | Liquid crystal display device and method of repairing bad pixels therein | |
US5517342A (en) | Liquid crystal display having additional capacitors formed from pixel electrodes and a method for manufacturing the same | |
US5923390A (en) | Liquid crystal display with high aperture ratio and method for manufacturing the same | |
JP4813164B2 (ja) | 薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む液晶表示装置 | |
US5844641A (en) | Liquid crystal display device having storage capacitors and additional opaque electrodes | |
US6208390B1 (en) | Electrode substrate resistant to wire breakage for an active matrix display device | |
US20010046003A1 (en) | Thin film transistor substrate for a liquid crystal display and a method for repairing the substrate | |
KR100348288B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치 | |
KR20040062119A (ko) | 횡전계방식 액정표시소자 | |
CN100399120C (zh) | 反射-透射型液晶显示装置 | |
US7936424B2 (en) | Liquid crystal display panel with light leakage prevention film and method for manufacturing the same | |
CN112305822A (zh) | 液晶显示器 | |
JP3748137B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
KR20080044050A (ko) | 박막 트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및 이를 구비하는액정 표시 장치 | |
KR101398641B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
JPH11295760A (ja) | 表示装置用アレイ基板及びその製造方法 | |
JP2003270654A (ja) | 液晶表示装置 | |
KR970004882B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR100257813B1 (ko) | 액정 표시 장치의 패드부 보완 회로의 구조 및 그 제조 방법 | |
JP3987889B2 (ja) | 電極基板および平面表示装置 | |
GB2308218A (en) | Liquid crystal display | |
KR20060090420A (ko) | 어레이 기판 및 이를 갖는 액정표시장치 | |
KR20060020893A (ko) | 다중 도메인 박막 트랜지스터 표시판 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A1A | A request for search or an international-type search has been filed | ||
BB | A search report has been drawn up | ||
BC | A request for examination has been filed | ||
V4 | Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent |
Effective date: 20130526 |