KR100228431B1 - 액정 표시 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 개선된 액정 표시 소자 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 액정 표시 소자는, 화소 전극을 구동시키기 위한 박막 트랜지스터가 구비된 하부 기판과, 상기 하부 기판과 대향하고, 컬러필터 및 컬러필터간을 구분하고, 상기 하부 기판의 박막 트랜지스터의 턴온시 데이타를 전달하는 데이타 라인이 형성된 상부 기판을 포함한다.

Description

액정 표시 소자 및 그 제조방법
본 발명은 액정 표시 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 데이타 라인이 상부 기판에 형성된 액정 표시 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정 표시 소자는 텔레비젼 또는 그래픽 디스플레이 등의 표시소자로서 활발히 이용된다. 그중, 특히 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치는 고속응답성을 지니고, 높은 화소 갯수를 갖는데 알맞으며, 디스플레이 화면의 고 화질화, 대형화, 컬러 화면화등을 실현하는 것으로서 기대되어, 개발 연구가 진전되고 있다.
이 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치에서, 하부 기판상에 게이트 라인과 데이타 라인이 형성되고, 게이트 라인과 드레인 라인이 교차하는 점에서는 다이오드나 트랜지스터와 같은 스위칭 소자와 화소 전극이 각각 배치,설계된다.
화소 전극은 스위칭 소자에 의하여 구동이 독립적으로 제어되므로, 화소전극의 고속 구동이 가능하고, 또 고 화소수화나 대 면적화가 가능하다.
스위칭 소자로는 급준한 온,오프 특성을 지니는 박막 트랜지스터가 주로 이용된다.
이와같은 액티브 매트릭스의 액정 표시 장치는 제1도에 도시된 바와 같이, 게이트 라인(2)은 게이트 전극(2A)과 일체로서, 하부 기판 예를들어, 절연기판 상부에 형성된다. 이때, 게이트 전극(2A)은 게이트 라인(2)로부터 소정 길이만큼 돌출되어져 있다. 게이트 전극(2A) 상부에는 소정 부분 오버랩되도록 박막 트랜지스터의 채널 역할을 하는 비정질 실리콘층(4)이 형성된다.
데이타 라인(8)은 게이트 라인(2)과 수직으로 교차하도록 형성되고, 소오스전극(8A)은 데이타 라인(8)과 일체로 형성되되, 게이트 전극(2A)의 상부에 형성된 비정질 실리콘층(4)과 소정 부분 오버랩되도록 데이타 라인(8)으로부터 돌출되어져 있다.
화소 전극(7)은 게이트 라인(7)과 데이타 라인(8)으로 둘러싸여 있는 공간부에 형성되고, 게이트 라인(2)과 게이트 전극(2A) 및 데이타 라인(8)과 소정 거리를 두고 형성된다.
축적 용량 전극(2B)은 화소 전극(7)과 오버랩되도록 형성되어, 신호 지연을 감소시키는 역할을 한다.
드레인 전극(9)은 화소 전극(7)과 비정질 실리콘층(4)을 콘택시키도록 형성된다.
이와같은 구조를 지닌 종래의 액정 표시 소자의 제조방법은, 제2도에 도시된 바와 같이, 하부 기판(1) 상에 불투명 금속막을 증착하고, 소정 부분 패터닝하여, 게이트 전극(2A)과 축적 용량 전극(2B)을 형성한다.
그후, 하부 기판(1) 상부에는 게이트 절연막(3)과, 비정질 실리콘층(4)을 순차적으로 형성한다. 이어서, 비정질 실리콘층(4) 상부에는 비정질 실리콘층(4)을 보호하기 위한 에치 스톱퍼용 절연막을 증착하고, 소정 부분 패터닝하여, 에치 스톱퍼(5)를 형성한다. 그후, 비정질 실리콘층(4)을 하부의 게이트 전극(2A)을 포함하도록 패터닝한다.
그리고나서, 하부 기판(1) 상부에는 화소 전극을 형성하기 위한 ITO층을 소정 두께로 증착하고, 패터닝된 비정질 실리콘층(4)의 일측에 구비되도록 식각하여, 화소 전극(7)이 형성된다.
그후, 결과물 상부에는 소오스, 드레인 전극용 불투명 금속막을 소정 두께로 증착한 다음, 에치 스톱퍼의 소정 부분 및 화소 전극(7)이 노출되도록 패터닝하여, 소오스 및 드레인 전극(8A,9)이 형성된다.
그러나, 상기와 같은 종래의 액정 표시 소자는, 게이트 라인(2)과 데이타 라인(8)이 교차되는 지점(제1도의 A부분)에는, 게이트 라인(2)과 데이타 라인(8) 사이에 게이트 절연막(3)만이 구비되어 있어 쇼트가 발생되기 쉽고, 또한, 게이트 라인이 단차 부위(제2도의 B부분)에도 상대적으로 게이트 절연막의 두께가 얇아, 쇼트가 발생되는 문제점이 존재하였다.
또한, 상기 데이타 라인(8)과 게이트 라인(2), 데이타 라인(8)과, 축적 용량 전극(2B)과 같이, 교차되는 배선의 수가 증가됨에 따라, 기생 캐패시턴스가 증가되고, 이로 인하여, 신호 지연 시간이 길어지게 되는 문제점이 존재하였다.
더구나, 상기의 축적 용량 전극(2B)이 액정 표시 소자의 빛이 투과되는 화소전극(7)면에 형성되어 있어, 액정 표시 소자의 개구율이 감소되는 문제점 또한 발생되었다.
따라서, 본 발명의 목적은, 액정 표시 소자의 게이트 라인과 데이타 라인간의 쇼트를 방지할 수 있는 액정 표시 소자 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 목적은, 액정 표시 소자의 금속 라인간의 교차 부위를 최소화하여 기생 캐패시턴스를 감소시킬 수 있는 액정 표시 소자 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 목적은, 액정 표시 소자의 개구율을 향상시킬 수 있는 액정 표시 소자 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
제1도는 종래의 액정 표시 소자의 평면도.
제2도는 제1도를 II-II'선으로 절단하여 나타낸 종래의 액정 표시 소자의 단면도.
제3도는 본 발명에 따른 액정 표시 소자의 하부 기판의 평면도.
제4도는 본 발명에 따른 액정 표시 소자의 상부 기판의 평면도.
제5도는 제3도의 V-V'선을 따라 절단하여 나타낸 본 발명에 따른 액정 표시 소자의 하부 기판의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.
제6도는 제4도의 VI-VI'선을 따라 절단하여 나타낸 본 발명에 따른 액정 표시 소자의 상부 기판의 제조방법을 설명하기 위한 단면도.
제7도는 본 발명에 따른 상·하부 기판의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 하부 기판 12 : 게이트 라인
13 : 축적 용량 전극 14 : 비정질 실리콘층
18 : 화소 전극 19 : 소오스 전극
20 : 드레인 전극 21 : 상부 기판
22 : 데이타 라인 23 : 컬러필터
24 : 공통 전극
상기한 본 발명의 목적을 달서하기 위하여, 본 발명의 액정 표시 소자는, 화소 전극을 구동시키기 위한 박막 트랜지스터 구비된 하부 기판과, 상기 하부 기판과 대향하고, 컬러필터 및 컬러필터간을 구분하고, 상기 하부 기판의 박막 트랜지스터의 턴온시 데이타를 전달하는 데이타 라인이 형성된 상부 기판을 포함한다.
또한, 본 발명의 액정 표시 소자는, 소정 방향으로 연장되는 게이트 라인, 상기 게이트 라인과 소정 간격을 두고 동일 선상에 평행하게 배치되며 상기 게이트 라인과 수직인 방향으로 돌출되는 브렌치 영역을 포함하는 축적 용량 전극, 상기 게이트 라인의 소정 부분 상에 형성되는 비정질 실리콘층, 상기 게이트 라인과, 축적 용량 전극으로 둘러싸여진 공간부에 상기 축적 용량 전극의 브렌치 영역과 소정 부분 오버랩되도록 형성되는 화소 전극, 축적 용량 전극의 브렌치와 소정 부분 콘택되고 비정질 실리콘층과 소정 부분 오버랩되는 소오스 전극 및 상기 화소 전극과 콘택되고 비정질 실리콘층과 소정 부분 오버랩되는 드레인 전극을 구비하는 하부 기판과, 상기 하부 기판과 대향하고, 그물망 형태로 형성되는 데이타 라인과, 데이타 라인으로 둘러싸여진 공간부에 데이타 라인의 가장자리 면과 오버랩되도록 형성되는 컬러필터 및 컬러필터 상부에 형성되고, 상기 데이타 라인과 콘택되는 공통 전극을 구비하는 상부 기판을 포함한다.
또한, 본 발명에 따른 액정 표시 소자의 제조방법은, 하부 기판상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터와 콘택되도록 화소 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 기판과 대향하는 상부 기판에 그물망 형태로 데이타 라인을 형성하는 단계; 상기 데이타 라인으로 둘러싸여진 공간부 및 데이타 라인 상부의 소정부분에 컬러필터를 형성하는 단계; 상기 데이타 라인의 소정 부분이 노출되도록 컬러필터를 식각하는 단계; 및 상기 노출된 데이타 라인과 콘택되도록 컬러필터 상부에 공통 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 게이트 라인과 데이타 라인이 각기 다른 기판에 형성됨에 따라, 교차점의 쇼트가 발생되지 않고,이로서 기생 캐패시턴스가 감소된다.
그리고, 상기 데이타 라인은 상부 공통 전극과 콘택되어 있어, 액정 표시 소자의 전계의 인가시, 하부 기판에서 공통 전극의 역할을 하는 축적 용량 전극을 통하여, 박막 트랜지스터로 용이하게 신호를 전달할 수 있게 된다.
또한, 본 발명에서는 축적 용량 전극이 화소 전극이 형성되는 면을 가리지 않으므로, 개구율이 향상되고, 데이타 라인이 상부 기판에 형성되어, 별도의 블랙 매트릭스 형성 공정이 배제되어, 공정 스텝이 감소된다.
[실시예]
이하 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명하도록 한다.
첨부한 도면 제3도는 본 발명에 따른 액정 표시 소자의 하부 기판의 평면도이고, 제4도는 본 발명에 따른 액정 표시 소자의 상부 기판의 평면도이며, 제5도는 본 발명에 따른 액정 표시 소자의 하부 기판의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이고, 제6도는 본 발명에 따른 액정 표시 소자의 상부 기판의 제조방법을 설명하기 위한 단면도이고, 제7도는 본 발명에 따른 상·하부 기판의 단면도이다.
본 발명의 액정 표시 소자는, 게이트 라인과, 데이타 라인이 교차되는 부분에 발생되는 쇼트 현상을 방지하기 위하여, 본 발명에서는 데이타 라인을 하부 기판이 아닌 상부 기판에 형성하도록 한다.
먼저, 제3도를 참조하여, 본 발명에 따른 액정 표시 소자의 하부 기판 구조를 설명하면, 게이트 라인(12)은 하부 기판 상에 소정 방향으로 형성되고, 그 방향과 직교되는 방향으로 소정 부분이 돌출되도록 게이트 전극(12A)이 형성된다.
축적 용량 전극(13)은, 게이트 라인(12)과 소정 간격을 두고 동일 선상에 평행하게 배치되고, 게이트 전극(12A)이 돌출되어진 방향과 동일한 방향으로 게이트 전극(12A)에 인접·배치되는 브렌치(13A)을 포함한다. 여기서, 브렌치(13A)은 게이트 전극(12A)과 일직선상에 위치되고, 브렌치(13A)를 포함하는 축적 용량 전극(13)은 액정 표시 소자의 신호 지연 시간을 감소시키는 축적 용량 전극과 더불어, 액정 표시 소자의 공통 전극의 역할도 겸한다.
비정질 실리콘층(15)은 게이트 전극(12A)의 소정 부분상에 형성되고, 이것은 박막 트랜지스터의 채널 역할을 한다.
화소 전극(18)은 게이트 라인(12)과, 축적 용량 전극(13)으로 둘러싸여진 공간부에 상기 축적 용량 전극(13)의 브렌치 영역(13A)과 소정 부분 오버랩되도록 형성되어, 축적 용량 캐패시터의 역할을 하도록 한다.
소오스 전극(19)은 축적 용량 전극(13)의 브렌치(13A)와 콘택(C)되고, 비정질 실리콘층(15)과 소정 부분 오버랩되며, 드레인 전극(20)은 화소 전극(18)과 콘택되고, 상기 소오스 전극(19)와 오버랩되지 않은 비정질 실리콘층(15)과 소정 부분 오버랩된다.
이 하부 기판과 대향하는 상부 기판 구조는 제4도에 도시된 바와 같이, 데이타 라인(22)은 하부 기판의 화소 전극과 대응하는 부분이 노출되도록 그물망 형태로 상부 기판상에 형성되어 있다. 이때, 데이타 라인(22)은 인접하는 데이타 라인(22A)과 소정 부분 이격되어 있다. 컬러필터(23)는 데이타 라인(22,22A)들로 이루어진 공간부에 데이타 라인(22,22A)과 소정 부분 오버랩되도록 형성되어 있고, ITO 물질로 이루어진 상부 공통 전극(24)은 컬러필터(23) 상부에 형성되고, 상기 데이타 라인(22)과 소정 부분 콘택되어 진다. 즉, 컬러필터(23)는 하부 기판(도시되지 않음)의 화소 전극(제3도의 18)과 대응되는 위치에 형성되어 있다.
이때, 데이타 라인은 데이타를 전달하는 본연의 역할 이외에도 컬러필터(23)간을 분할하고, 하부 기판의 박막 트랜지스터의 광열화를 방지하는 액정 표시 소자의 블랙 매트릭스의 역할을 겸한다.
이하 본 발명에 따른 하부 기판 및 상부 기판에 액정 표시 소자를 제조하는 방법에 대하여 설명하도록 한다.
제5도는 제3도의 V-V'의 선으로 절단한 하부 기판의 단면도로서, 하부 기판(11) 상부에 불투명 금속막 예를들어, 알루미늄, 탄탈륨과 같은 금속막을 증착하고, 소정 부분 패터닝하여, 제3도의 게이트 전극(12A)과 일체인 게이트 라인(12)와 축적 용량 전극(13)의 형태로 패터닝한다.
그후, 하부 기판(11)상에는 게이트 절연막(14)과, 비정질 실리콘층(15)을 순차적으로 형성한다. 이때, 게이트 절연막(14)은 비교적 절연 특성이 우수한 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막의 적층막으로 형성한다. 그다음, 비정질 실리콘층(15) 상부에는 비정질 실리콘층(15)을 보호하기 위한 에치 스톱퍼용 절연막을 증착하고, 게이트 전극(12A)이 형성된 부분에만 존재하도록 소정 부분 패터닝하여, 에치 스톱퍼(16)를 형성한다. 그후, 비정질 실리콘층(15)과 에치스톱퍼 상부에 오믹층(16)을 소정 두께로 형성한 다음, 오믹층(16)과 비정질 실리콘층(15)은 게이트 전극(12A) 영역을 포함하도록 소정 부분 패터닝한다.
그리고나서, 하부 기판(11) 상부에는 화소 전극을 형성하기 위한 ITO층을 소정 두께로 증착하고, 패터닝된 비정질 실리콘층(15)의 일측에 구비되도록 식각하여, 화소 전극(7)을 형성한다.
그후, 도면에 도시되지는 않았지만, 상기 게이트 전극(12A)과 인접한 축적 용량 전극(13)의 소정 부분이 노출되도록 게이트 절연막(14)을 식각하여 콘택홀을 형성한다.
이어서, 결과물 상부에는 소오스, 드레인 전극용 불투명 금속막을 소정 두께로 증착한 다음, 소정 부분 식각하여 소오스 및 드레인 전극(19,20)을 형성한다.
이때, 소오스 전극(19)는 비정질 실리콘층(15)의 소정 부분과 오버랩되고, 상기 노출된 축적 용량 전극(13)과 콘택된다. 드레인 전극(20)은 소오스 전극과 오버랩되지 않은 비정질 실리콘층(15)의 다른 소정 부분과 오버랩되고, 화소 전극(18)과 콘택된다.
여기서, 상기 드레인 전극을 먼저 형성한 후에, 드레인 전극과 콘택되도록 화소 전극을 나중에 형성할 수 있다.
제6도는 제4도의 VI-VI'선을 따라 절단한 액정 표시 소자의 상부 기판의 단면도로서, 상부 기판(21) 상부에 불투명 금속막 예를들어, 알루미늄 또는 탄탈륨과 같은 금속막을 소정 두께로 증착한 다음, 상기 제3도의 데이타 라인(22)의 형태로 패터닝한다. 상부 기판(21)이 상부에 컬러필터용 레진을 소정 두께로 증착한 다음, 하부기판의 화소 전극의 형태와 대응되도록 패터닝하여, 컬리필터(23)을 형성한다. 그후, 컬러필터(23)는 데이타 라인의 소정 부분이 노출되도록 패터닝하여, 콘택홀(도시되지 않음)을 형성한다. 그후, 결과물 상부에 콘택홀을 통하여, 데이타 라인(22)과 콘택되도록 ITO 물질을 소정 두께로 증착한 다음, 소정 부분 패터닝하여, 상부 공통 전극(24)을 형성한다.
제7도는 상기 하부 기판과 상부 기판이 대향된 단면으로, 하부 기판의 박막 트랜지스터와 데이타 라인(22)이 대응하고, 화소 전극(18)과 컬러필터가 대응하도록 상부 기판과 하부 기판이 대향되어 있다.
이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 이와같은 방법에 의하여 제조된 액정 표시 소자는, 게이트 라인은 하부 기판에 형성하고, 데이타 라인은 상부기판에 형성함으로서, 금속의 교차 부위가 발생되지 않는다. 따라서, 배선간의 쇼트가 발생되지 않고, 이로서 기생 캐패시턴스가 감소된다.
또한, 본 발명에서는 축적 용량 전극이 화소 전극이 형성되는 면을 가리지 않으므로, 개구율이 향상되고, 데이타 라인이 상부 기판에 형성되어, 별도의 블랙 매트릭스 형성 공정이 배제되어, 공정 스텝이 감소된다.
그리고, 상기 데이타 라인은 상부 공통 전극과 콘택되어 있어, 액정 표시 소자의 전계의 인가시, 하부 기판에서 공통 전극의 역할을 하는 축적 용량 전극을 통하여, 박막 트랜지스터로 용이하게 신호를 전달할 수 있게 된다.

Claims (15)

  1. 화소 전극을 구동시키기 위한 박막 트랜지스터가 구비된 하부 기판과, 상기 하부 기판과 대향하고, 컬러필터 및 컬러필터간을 구분하며, 상기 하부기판의 박막 트랜지스터의 턴온시 데이타를 전달하는 데이타 라인이 형성된 상부기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 하부 기판은, 소정 방향으로 연장되는 게이트 라인, 상기 게이트 라인과 소정 간격을 두고 동일 선상에 평행하게 배치되며 상기 게이트 라인과 수직인 방향으로 돌출되는 브렌치 영역을 포함하는 축적 용량 전극과, 상기 게이트 라인의 소정 부분 상에 형성되는 비정질 실리콘층과, 상기 게이트 라인과, 축적 용량 전극으로 둘러싸여진 공간부에 상기 축적 용량 전극의 브렌치 영역과 소정 부분 오버랩되도록 형성되는 화소 전극과, 상기 축적 용량 전극의 브렌치와 소정 부분 콘택되고 비정질 실리콘층과 소정 부분 오버랩되는 소오스 전극 및 상기 화소 전극과 콘택되고 비정질 실리콘층과 소정 부분 오버랩되는 드레인 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 상부 기판은, "ㅑ"자 형태로 형성되는 데이타 라인과, 데이타 라인으로 둘러싸여진 공간부에 데이타 라인의 가장자리 면과 오버랩되도록 형성되는 컬러필터 및 컬러필터 상부에 형성되고, 상기 데이타 라인과 콘택되는 공통 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  4. 제2항에 있어서, 상기 하부 기판의 게이트 라인은, 상기 게이트 라인의 진행 방향과 직교되는 방향으로 소정 부분 돌출된 게이트 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  5. 제4항에 있어서, 상기 축적 용량 전극의 브렌치는 상기 게이트 전극과 일직선상에 위치하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  6. 제2항에 있어서, 상기 하부 기판의 축적 용량 전극은, 하부 기판의 공통 전극의 역할을 하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  7. 제2항에 있어서, 상기 하부 기판의 화소 전극과, 상기 상부 기판의 컬러필터는 서로 대응되는 위치에 있도록 배치되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  8. 제2항에 있어서, 상기 화소 전극과 상기 축적 용량 전극이 오버랩되는 부분은 액정 표시 소자의 용량 캐패시터의 역할을 하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자.
  9. 제2항에 있어서, 상기 공통 전극은 ITO 물질인 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법.
  10. 하부 기판상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터와 콘택되도록 화소 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 기판과 대향하는 상부 기판에 그물망 형태로 데이타 라인을 형성하는 단계; 상기 데이타 라인으로 둘러싸여진 공간부 및 데이타 라인 상부의 소정 부분에 컬러필터를 형성하는 단계; 상기 데이타 라인의 소정 부분이 노출되도록 컬러필터를 식각하는 단계; 및 상기 노출된 데이타 라인과 콘택되도록 컬러필터 상부에 공통 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 하부 기판에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계는, 하부 기판상에 게이트 라인 및 축적 용량 전극을 형성하는 단계; 상기 하부 기판상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막 상부에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계; 상기 비정질 실리콘층 상부에 오믹층을 형성하는 단계; 상기 비정질 실리콘층과 오믹층을 소정 부분 패터닝하는 단계; 상기 축적 용량 전극의 소정 부분이 노출되도록 게이트 절연막을 식각하는 단계; 및 상기 노출된 축적 용량 전극과 콘택되는 소오스 전극과, 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 비정질 실리콘층을 형성하는 단계와, 오믹층을 형성하는 단계 사이에 비정질 실리콘층의 소정 부분 상부에 에치 스톱퍼를 형성하는 단계를 부가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 소오스, 드레인 전극을 형성하는 단계는, 축적 용량 전극의 소정 부분이 노출된 하부 기판 상부에 금속막을 증착하는 단계; 상기 축적 용량 전극과 콘택되고, 비정질 실리콘층의 소정 부분과 오버랩되도록 금속막을 패터닝하여, 소오스 전극을 형성함과 동시에, 소오스 전극과 오버랩되지 않는 부분과 소정 부분 오버랩되도록 금속막을 패터닝하여 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법.
  14. 제10항에 있어서, 상기 화소 전극을 형성하는 단계는, 하부 기판상에 ITO막을 증착하는 단계; 상기 ITO막을 상기 드레인 전극과 콘택되도록 패터닝하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법.
  15. 제10항에 있어서, 상기 공통 전극은 ITO물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조방법.
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