KR100442489B1 - 액정표시소자 - Google Patents

Abstract

본 발명의 박막 트랜지스터는 소자 특성의 열화 없이 채널 폭을 증가시키기 위한 것으로, 기판 위에 일방향으로 배열하는 데이터라인; 상기 데이터라인에 실질적으로 수직 방향으로 배열하는 게이트전극을 포함하는 게이트라인; 상기 데이터라인과 게이트라인이 교차하여 정의되는 화소영역; 상기 게이트라인과 데이터라인이 중첩되는 영역과 상기 중첩영역으로부터 연장되는 돌출영역으로 구성된 소스전극; 상기 소스전극이 이루는 형상을 따라 절곡되어 일부가 상기 게이트전극과 중첩하는 드레인전극; 및 상기 드레인전극과 전기적으로 접속되며, 상기 화소영역에 형성된 픽셀전극을 포함한다.

Description

액정표시소자{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}

본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 액정표시장치(Liquid Crystal Display; LCD)의 스위칭소자인 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)의 구조를 개선하여 채널 폭을 증가시킴과 아울러 공정마진을 확보하여 그 특성의 열화를 방지하는데 적당하도록 한 액정표시소자에 관한 것이다.이하, 액정표시소자의 제조방법을 상세히 설명한다.

도1a 내지 도1e는 일반적인 액정표시소자의 제조공정을 나타내는 수순단면도이다.

먼저, 도 1a에 도시한 바와 같이, 유리기판(1)의 상부 전면에 금속을 증착한 후, 사진식각(photolithography)공정을 통해 패터닝하여 상기 유리기판(1)의 상부 소정 영역에 위치하는 게이트전극(2)을 형성한다.

그 다음, 도 1b에 도시한 바와 같이, 상기 구조의 상부 전면에 게이트절연막(3)을 증착하고, 상기 게이트절연막(3)의 상부에 비정질실리콘을 증착한다.

그 다음, 사진식각공정을 통해 상기 비정질실리콘을 패터닝하여 상기 게이트전극(2)과 게이트전극(2)의 주변 일부에 대향하는 게이트절연막(3) 위에 액티브 패턴(4)를 형성한다.

그 다음, 도 1c에 도시한 바와 같이, 상기 구조의 상부 전면에 금속을 증착한 후 사진식각공정으로 상기 증착된 금속을 패터닝하여 상기 액티브 패턴(4)의 상부중앙에서 채널영역만큼 이격되며, 상기 액티브 패턴(4)의 측면과 그 측면의 게이트절연막(3) 상부의 소정면적까지 위치하는 소스전극(5)과 드레인전극(6)을 형성한다.

그 다음, 도 1d에 도시한 바와 같이, 상기 구조의 상부 전면에 패시베이션막(passivation layer)(7)을 증착한 후 사진식각공정을 통해 상기 패시베이션막(7)에 상기 드레인전극(6)의 상부 일부를 노출시키는 콘택홀을 형성한다.

그 다음, 도 1e에 도시한 바와 같이, 상기 구조의 상 부전면에 투명한 도전체인 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO)를 증착한 후 사진식각공정으로 패터닝하여 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인전극(6)에 접속하는 픽셀전극(8)을 형성한다.

이하, 상기와 같이 제조된 액정표시소자의 구조를 좀 더 상세히 설명한다.도 2 및 도 3은 종래의 액정표시소자를 나타내는 평면도이다.

먼저, 도 2에 도시한 바와 같이, 상기 액정표시소자는 횡방향으로 배열하며, 상부측의 일부에 홈이 형성된 게이트전극(2)을 포함하는 게이트라인(10)과, 종방향으로 배열하며, 상기 게이트라인(10)과 수직으로 교차하는 데이터라인(9)과, 상기 데이터라인(9)의 일부를 포함하여, 상기 게이트라인(10)의 평면상의 중앙 하부측에서 상기 게이트전극(2)과 중첩됨과 아울러 상기 게이트전극(2)의 홈 부분으로부터 소정거리 이격되어 대향하는 U자의 형상을 이루는 소스전극(5)과, 상기 게이트전극(2)의 홈 부분에서 소정의 면적이 노출되며, 일부가 상기 게이트전극(2)의 홈 부근의 영역과 중첩되는 드레인전극(6) 및 상기 드레인전극(6)에 접속되어 데이터라인(9)과 게이트라인(10)이 이루는 영역의 내측에 위치하는 픽셀전극(8)으로 구성된다.

상기 박막 트랜지스터는 U자형의 채널구조를 가지므로 채널 길이(L) 대 채널 폭(W)의 비(W/L)가 크다는 특징을 나타낸다.

이와 같이 채널 길이 대 채널 폭의 비(W/L)가 크면 채널을 통해 이동하는 전하의 이동도가 우수해지며, 상대적으로 적은 전압의 인가에 의해 데이터라인(9)을 통해 인가되는 비디오신호를 드레인전극(6)에 연결된 픽셀전극(8)에 인가할 수 있게 된다.

특히, 상기의 구조를 형성하기 위해서 종방향으로 배열하는 데이터라인(9)을 형성함과 동시에, 상기 데이터라인(9)으로부터 돌출된 형태를 나타내며, 상기 돌출부의 끝부분이 다시 데이터라인(9)과 평행한 방향으로 절곡되는 소스전극(5)을 형성한다.

이는 소스전극(5)과 데이터라인(9)이 본질적으로는 동일하며, 상기 데이터라인(9)이 소스전극(5)과 동일한 역할을 수행할수 있음을 고려하여 채널영역을 U자로 형성하기 위해 소스전극(5)이 이루는 형상을 U자형이 되도록 한다.

또한, 채널은 소스전극(5) 및 드레인전극(6)과 게이트전극(2)이 이루는 영역으로 상기 U자형의 채널을 형성하기 위해서 횡방향으로 배열된 게이트전극(2)의 상부측, 측 드레인전극(6)과 중첩되는 영역에 사각형의 홈을 형성한다.

이와 같은 상태에서 사각형의 드레인전극(6)을 상기 드레인전극(6)의 중앙부가 상기 게이트전극(2)의 홈에 위치하도록 배치하면, 상기 드레인잔극(6)의 주변영역과 게이트전극(2)은 상기 홈의 주변부에서 중첩되어진다.

상기와 같이 게이트전극(2)에 형성한 홈과, 그 홈의 주변부인 게이트전극(2)의 일부와 중첩되는 드레인전극(6), 상기 드레인전극(6)과 소정거리 이격되어 상기 드레인전극(6)의 좌우측 및 하부를 감싸듯이 위치하는 소스전극(5)에 의해 채널은 U자 형상을 가지게 되어 채널의 폭(W)을 좀더 넓게 형성할 수 있다.

그러나, 상기 U자형 채널의 문제점은 U자형 채널을 형성하기 위해 소스전극(5)를 횡방향으로 긴 형태에서 종방향으로 긴 형태의 절곡부를 가지도록 함으로써, 상기 소스전극(5)의 전체가 게이트전극(2)과 중첩되기 위해 게이트전극(2)의 폭이 상대적으로 넓어야 하며, 이에 따라 동일면적에서 광이 투과되는 면적을 나타내는 액정표시소자의 개구율이 감소하게 되는 문제점이 발생하였다.

즉, 액정표시소자의 특성상 데이터라인(9)과 게이트라인(2), 소스전극(5) 및 드레인전극(6), 액티브 패턴(4)으로 이루어지는 박막 트랜지스터 영역은 광이 투과되지 않는 영역이며, 상기 광이 투과되지 않는 부분의 면적이 김소할수록 백라이트의 광효율은 우수해지며, 휘도 특성등 모든 액정표시소자의 특성이 향상된다. 그러나, 상기의 구조에서는 게이트전극(2)의 폭이 상당히 증가하게 되어, 광이 투과되는 면적을 상대적으로 감소시킴으로써, 액정표시소자의 특성을 열화시키게 한다.

또한, 상기 구조는 드레인전극(6)측의 채널부분을 U자로 형성하기 위해 게이트전극(2)에 사각의 홈을 형성하고 드레인전극(6) 또한 사각의 형상으로 형성하며, 상기 드레인전극(6)의 주변부가 홈의 주변에 위치하는 게이트전극(2)과 중첩되어야 하기 때문에, 공정의 변화 등의 이유로 게이트전극(3)의 위치 또는 드레인전극(6)의 위치가 예상과는 다르게 좌우 또는 상하로 치우쳐 형성되는 경우, 결과적으로 상기 드레인전극(6)과 게이트전극(2)이 중첩되지 않거나, 홈의 좌우 또는 하측으로의 중첩부분이 생기지 않게 될 수 있으며, 이때는 상기 박막 트랜지스터가 동작되지 않는 심각한 문제를 나타낼 수도 있다.

상기와 같이 심한 위치의 변동이 아니더라도, 상기 드레인전극(6)과 게이트전극(2)의 중첩되는 면적의 변화에 의해 게이트전극(2)과 드레인전극(6) 사이의 기생 커패시턴스(parasitic capacitance) 값은 변화하게 되며, 그 변화 값의 차이에 의한 소자의 특성 변화로 정확한 애정표시소자의 동작을 기대하기는 어렵게 된다.

상기의 문제점인 박막 트랜지스터를 이루는 각 영역의 위치변화에 따라 커패시턴스가 변화되는 것을 감안하여, 각 영역의 위치변화에 관계없이 게이트전극과 드레인전극간에 동일한 커패시턴스를 유지하는 종래 다른 구조의 액정표시소자를 도 3에 도시하였다.

도 3에 도시한 바와 같이, 상기 액정표시소는 횡방향으로 배열하며, 게이트전극(2)을 포함하는 게이트라인(10)과, 종방향으로 배열하며, 상기 게이트라인(10)과 수직으로 교차하여 중첩되는 소스전극(5)을 포함하는 데이터라인(9)과, 상기 데이터라인(9)과 평행한 방향으로 배열하며, 상기 게이트전극(2)의 폭보다는 긴 형태를 가지는 드레인전극(6)과, 상기 드레인전극(6)의 일부에 접속되며, 상기 데이터라인(9)과 게이트라인(10)이 이루는 영역의 내측에 위치하는 픽셀전극(8)으로 구성된다.

상기 박막 트랜지스터는 게이트전극(2)의 상하 또는 좌우측으로의 오정렬에 의한 게이트전극(2)과 소스전극(5) 또는 게이트전극(2)과 드레인전극(6)이 중첩되는 면적의 변화가 없기 때문에 커패시턴스가 일정하다는 것이다.

이와 같은 구조를 구현하기 위해서 소스전극(5)을 포함하는 데이터라인(9)은 일정한 폭으로 종방향으로 길게 위치하며, 게이트전극(2) 또한 일정한 폭으로 횡방향으로 길게 위치하여 상기 게이트전극(2)과 데이터라인(9)이 중첩되는 면적은 항상 일정하며, 상기 중첩되는 부분이 소스전극(5)으로서 작용한다.

이 때 중첩되는 면적은 게이트전극(2) 또는 데이터라인(9)이 공정상의 변화에 의해 상하 또는 좌우로 이동되어 형성될 경우에도 항상 일정하게 되며, 이에 따라 소스전극(5)과 게이트존극(2) 사이의 커패시턴스는 변화가 없게 된다.

또한, 드레인전극(6)도 상기 데이터라인(9)과 마찬가지로 종방향으로 배열하여 게이트전극(2)의 위치변화에 관계없이 항상 일정한 면적이 상기 게이트전극(2)과 중첩되어 일정한 커패시턴스를 가지게 된다.

물론, 상기 데이터라인(9)은 픽셀간에 공통으로 사용하는 것이고, 드레인전극(6)은 각 픽셀에서 독립적으로 위치하는 것으로, 그 길이의 차이에 의해 드레인전극(6)의 하측 또는 상측으로 게이트전극(2)의 위치가 과도하게 변경될 경우에는 상기 드레인전극(6)과 게이트전극(2)이 중첩되지 않을 수도 있으나, 그 정도의 위치변화라면 액정표시소자 전체를 사용할 수 없게 되는 정도이며, 공정의 마진여유가 상기 도 2에 나타낸 실시예에 비하여 상당히 증가하게 된다.

그러나, 이와 같은 구조 또한 채널의 폭(W)이 게이트전극(2)의 폭과 동일하게 나타나는 구조이며, 이에 따라 보다 넓은 채널의 폭(W)을 확보하기 위해서는 게이트전극(2)의 폭이 증가해야 하며, 이에 따라 광효율, 개구율 및 기타 액정표시소자 특성의 열화라는 문제점이 발생하게 된다.

상기한 바와 같이 종래 액정표시소자는 채널의 폭을 넓게 하기 위해서 게이트전극의 폭을 증가시켜야 하며, 상기 게이트전극의 폭의 증가에 의해 광효율이 저하되는 문제점과 아울러 액정표시소자의 개구율이 줄어들어 휘도 특성 등이 열화되는 문제점이 발생하였다. 또한, U자형 구조에서와 같이 채널의 폭을 현저하게 증가시킬 수 있는 구조에서는 공정마진의 여유도가 낮아서 박막 트랜지스터를 이루는 각 영역이 조금만 위치가 변경되어 배치되어도, 소스전극과 드레인전극 사이의 커패시턴스가 변화되어 각 픽셀마다 다른 동작특성을 나타내어, 액정표시소자 전체의 신뢰성을 저하시키며, 그 구동이 용이하지 않고, 액정표시소자의 특성이 열화되는 문제점이 있었다.

이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 채널의 폭을 확보함과 아울러 공정마진의 여유도를 향상시켜, 커패시턴스의 변화를 방지할 수 있는 액정표시소자를 제공함에 그 목적이 있다.

도 1a 내지 도 1e는 일반적인 액정표시소자의 제조공정을 나타내는 수순단면도.

도 2은 종래의 액정표시소자를 나타내는 평면도.

도 3은 종래의 다른 액정표시소자를 나타내는 평면도.

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시소자를 나타내는 평면도.

도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시소자를 나타내는 평면도.

** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **

2,102,202 : 게이트전극 5,105,205 : 소스전극

6,106,206 : 드레인전극 8,108,208 : 픽셀전극

9,109,209 : 데이터라인 10,110,210 : 게이트라인

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 액정표시소자는 기판 위에 일방향으로 배열하는 데이터라인과 상기 데이터라인에 실질적으로 수직 방향으로 배열하는 게이트전극을 포함하는 게이트라인과 상기 데이터라인과 게이트라인이 교차하여 정의되는 화소영역과 상기 게이트라인과 데이트라인이 중첩되는 영역과 상기 중첩영역으로부터 연장되는 돌출영역으로 구성된 소스전극과 상기 소스전극이 이루는 형상을 따라 절곡되어 일부가 상기 게이트전극과 중첩하는 드레인전극 및 상기 드레인전극과 전기적으로 접속되며, 상기 화소영역에 형성된 픽셀전극을 포함하여 구성된다.이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 액정표시소에 대한 바람직한 실시예를 설명한다.

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정표시소자를 나타내는 평면도로써, 실제의 액정표시소자에서는 N개의 게이트라인과 M개의 데이터라인이 교차하여 NxM개의 화소가 존재하지만 설명을 간단하게 하기 위해 도면에는 단지 한 화소만을 나타내었다.도면에 도시한 바와 같이, 상기 액정표시소는 종방향으로 배열하며, 일측에서 수직으로 돌출된 영역을 가지는 소스전극(105)을 포함하는 데이터라인(109)과, 상기 데이터라인(109)의 횡방향으로 돌출된 영역이 중앙하부측에 위치하도록 중첩되며, 상기 데이터라인(109)의 돌출영역과 주변의 종방향으로 긴 형태의 일부가 소스전극(105)을 이루도록 중첩하는 횡방향으로 배열된 게이트전극(102)을 포함하는 게이트라인(110)과, 상기 게이트전극(102)과 중첩되는 부분이 상기 데이터라인(109)의 종방향으로 긴 영역과 돌출영역에 소정거리 이격되어 2회 절곡된 드레인전극(106) 및 상기 드레인전극(106)의 연장된 영역에 접속되어 상기 데이터라인(109)과 게이트전극(110)이 이루는 영역의 내측에 위치하는 픽셀전극(108)으로 구성된다.

이하, 상기와 같은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 특징을 좀 더 상세히 설명한다.

상기 박막 트랜지스터는 게이트전극(102)의 상하 또는 좌우 방향의 위치변화에 관계없으며, 상기 종래의 박막 트랜지스터인 도 3의 구조에 비하여 채널의 폭(W)을 증가시킬 수 있는 것이며, 이를 구현하기 위해서 소스전극(105)의 구조를 종방향으로 배열된 데이터라인(109)의 일부와 상기 데이터라인(109)에 수직하게 연장된 돌출영역을 포함하도록 형성한다.

이는 소스전극(105)과 게이트전극(102)이 중첩되는 채널의 폭(W)을 증가시킬 수 있도록 하기 위함이며, 상기 소스전극(105)의 돌출영역은 게이트전극(102)과 평행한 방향이므로 상기 게이트전극(102)의 폭을 증가시키지 않아도 상기 돌출영역을 길게 형성하면 채널의 폭(W)도 효과적으로 길게 할 수 있다.

또한, 상기 게이트전극(102)은 소스전극(105)의 돌출된 부분과 평행한 방향인 횡방향으로 배열하며, 상기 소스전극(105)의 돌출영역이 게이트전극(102)의 중앙하부측에서 중첩되어 소스전극(105)의 형상이 'ㅏ'의 형태를 나타내도록 한다.

그리고, 상기 드레인전극(106)의 구조는 상기 데이터라인(109)과 소정거리 이격되어 평행하게 배열하며, 상기 데이터라인(109)의 횡방향으로 절곡되는 부분, 즉 소스전극(105)의 돌출영역의 상부측에서 1회 절곡되어 횡방향으로 긴 형태의 패턴부분을 가지도록 형성하고, 상기 소스전극(105)의 돌출영역이 끝나는 지점에서 다시 종방향으로 긴 형태로 절곡되어 게이트전극(102)보다 더 하부측으로 길게 형성한다.

즉, 상기 드레인전극(106)은 연속적으로 종, 횡, 종 방향으로 긴 패턴이 연결된 형상을 가지게 되며, 상기 소스전극(109)과 대응하는 면의 길이, 즉 채널의 폭(W)이 증가하게 된다.

상기 구조에서 게이트전극(102)의 위치가 상하 또는 좌우로 변화하는 경우에도 채널의 폭(W)의 변화가 없으며, 특히 게이트전극(102)과 소스전극(105)이 중첩되는 부분의 면적과 게이트전극(102)과 드레인전극(106)이 중첩되는 부분의 면적은 변화되지 않는다.

상기에 설명한 바와 같이 게이트전극(102)의 위치변화에 따라 소스전극(105) 및 드레인전극(106)의 면적변화가 없어 게이트전극(102)과 소스전극(105), 게이트전극(102)과 드레인전극(106) 사이의 커패시턴스는 항상 일정하게 유지된다.

그리고, 상기 드레인전극(106)의 절곡부는 게이트전극(102)의 길이방향으로 평행하며, 상기 소스전극(105)의 돌출영역도 게이트전극(102)과 길이방향으로 평행하게 위치하여, 특별히 게이트전극(102)의 폭을 증가시키지 않고도 상기의 구조를 실현할 수 있게 된다.

즉, 게이트라인(110)의 폭을 증가시키지 않고도 채널의 폭을 증가시킴으로써, 액정표시소자의 개구율 감소, 광효율 감소 등의 문제점을 발생시키지 않고 보다 넓은 채널 폭(W)을 확보할 수 있게 된다.도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정표시소자를 나타내는 평면도이다.

도면에 도시한 바와 같이, 상기 액정표시소자는 종방향으로 배열하며, 일측에서 수직으로 돌출된 영역을 가지는 소스전극(205)을 포함하는 데이터라인(209)과, 상기 데이터라인(209)의 횡방향으로 돌출된 영역이 중앙에서 중첩되며, 상기 데이터라인(209)의 돌출영역과 주변의 종방향으로 긴 형태의 일부가 소스전극(205)를 이루도록 중첩하는 횡방향으로 배열된 게이트전극(202)을 포함하는 게이트라인(210)과, 상기 게이트전극(202)과 중첩되는 부분이 상기 데이터라인(209)의 종방향으로 긴 영역과 돌출영역에 소정거리 이격되어 4회 절곡된 드레인전극(206) 및 상기 드레인전극(206)의 연장된 영역에 접속되어 상기 데이터라인(209)과 게이트라인(210)이 이루는 영역의 내측에 위치하는 픽셀전극(8)으로 구성된다.

이하, 상기와 같은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 박막 트랜지스터의 특징을 좀 더 상세히 설명한다.

상기 박막 트랜지스터는 도 4에 도시된 박막 트랜지스터에 비해 채널의 폭(W)을 더욱 증가시키기 위해 드레인전극(206)을 게이트전극(202)의 중첩영역 내에서 소스전극(205)과 대응하는 형상으로 변경한 것이다.

이는 역시 상기 도 4의 설명부분에서 설명한 특징인 소스전극(205)과 게이트전극(202)이 중첩되는 채널의 폭(W)을 증가시킬 수 있도록 하기 위함이며, 상기 채널의 폭(W)을 증가시키는 수단인 소스전극(205)의 돌출영역이 상기 게이트전극(202)과 평행한 방향이 되도록 하여 게이트전극(202)의 폭을 증가시키지 않아도 상기 돌출영역을 길게 형성하면 채널의 폭(W)을 효과적으로 길게 할 수 있다.

또한, 게이트전극(202)은 상기 소스전극(205)의 돌출된 영역과 평행한 방향인 횡방향으로 긴 형태를 나타내며, 상기 소스전극(205)의 돌출영역이 게이트전극(202)의 중앙에서 중첩되어 소스전극(205)의 형상이 'ㅏ'의 형태를 나타내도록 하며, 드레인전극(206)의 구조는 상기 데이터라인(209)과 소정거리 이격되며, 평행하게 위치하도록 하고, 상기 소스전극(205)의 형상이 횡방향으로 절곡되는 부분, 즉 돌출영역의 상부측에서 1회 절곡되어 횡방향으로 긴 형태의 패턴부분을 가지도록 위치하고, 상기 소스전극(205)의 돌출부가 끝나는 지점에서 다시 종방향으로 긴형태로 절곡되며, 다시 상기 소스전극(205)의 돌출부 하부측에서 횡방향으로 절곡되고, 다시 데이터라인(209)의 종방향으로 긴 형태와 평행하도록 종방향으로 절곡되어 게이트전극(202)보다 더 하부측으로 길게 위치하도록 한다.

즉, 드레인전극(206)은 연속적으로 종, 우횡, 종, 좌횡, 종 방향으로 긴 패턴이 연결된 형상을 가지며, 상기 소스전극(205)과 대응하는 면의 길이, 즉 채널의 폭(W)이 증가하게 된다.

상기 구조에서도 역시 게이트전극(202)의 위치가 상하 또는 좌우로 변화하는 경우에도 채널의 폭의 변화가 없으며, 특히 게이트전극(202)과 소스전극(205)이 중첩되는 부분의 면적과 게이트전극(202)과 드레인전극(206)이 중첩되는 부분의 면적은 변화되지 않는다.

상기 설명과 같이 게이트전극(202)의 위치변화에 따라 소스전극(205) 및 드레인전극(206)의 면적변화가 없어 게이트전극(202)과 소스전극(205), 게이트전극(202)과 드레인전극(206) 사이의 커패시턴스는 항상 일정하게 유지된다.

그리고, 상기 드레인전극(206)의 절곡부는 게이트전극(202)의 길이 방향으로 평행하며, 상기 소스전극(205)의 돌출영역도 게이트전극(202)과 길이방향으로 평행하게 위치하여, 특별히 게이트전극(202)의 폭을 증가시키지 않고도 상기의 구조를 실현할 수 있게 된다.

즉, 게이트라인(210)의 폭을 증가시키지 않고, 채널의 폭(W)을 증가시킴으로써, 액정표시소자의 개구율 감소, 광효율 감소등의 문제점을 발생시키지 않고 보다 넓은 채널 폭(W)을 확보할 수 있게 된다.

상기한 바와 같이 본 발명의 액정표시소자는 데이터라인으로부터 게이트전극과 평행한 방향으로 돌출된 소스전극과, 상기 소스전극의 형상에 따라 절곡된 드레인전극을 구비함으로써, 게이트전극의 폭을 증가시키지 않고도 보다 넓은 채널의 폭을 확보할 수 있게 되어, 액정표시소자의 광효율, 개구율 등의 특성 열화가 방지되는 동시에 소자의 특성이 향상되는 효과를 제공한다.

Claims (7)

1. 기판 위에 일방향으로 배열하는 데이터라인;

   상기 데이터라인에 실질적으로 수직 방향으로 배열하는 게이트전극을 포함하는 게이트라인;

   상기 데이터라인과 게이트라인이 교차하여 정의되는 화소영역;

   상기 데이터라인의 일부와 상기 데이터라인으로부터 연장되어 상기 게이트라인과 중첩하는 돌출영역으로 구성된 소스전극;

   상기 소스전극을 형성하는 데이터라인의 일부와 평행하게 배치된 제1영역과, 소스전극을 중심으로 상부영역에 게이트라인을 따라 상기 소스전극의 돌출영역과 평행하게 배치된 제2영역과, 상기 소스전극의 돌출영역의 단면과 평행하게 배치된 제3영역으로 이루어진 드레인전극; 및

   상기 화소영역에 형성되어 드레인전극과 전기적으로 접속되는 픽셀전극을 포함하는 액정표시소자.
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 제1항에 있어서, 상기 드레인전극은 소스전극을 중심으로 하부영역에서 게이트라인을 따라 상기 소스전극의 돌출영역과 평행하게 배치된 제4영역고, 상기 하부영역에서 소스전극을 형성하는 데이터라인의 일부와 평행하게 배치된 제5영역을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
6. 제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 소스전극과 드레인전극은 각 영역에서 일정한 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
7. 제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 게이트전극은 상하 방향으로 오정렬이 발생하는 경우에도, 상기 소스전극 및 드레인전극과 중첩되는 영역의 면적은 일정한 것을 특징으로 하는 액정표시소자.