JPH10104664A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JPH10104664A
JPH10104664A JP9117302A JP11730297A JPH10104664A JP H10104664 A JPH10104664 A JP H10104664A JP 9117302 A JP9117302 A JP 9117302A JP 11730297 A JP11730297 A JP 11730297A JP H10104664 A JPH10104664 A JP H10104664A
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尚幸 島田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 開口率の低下を抑止でき、かつ表示品位の優
れた液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 液晶分子２０の配向方向を設定した場
合、画素電極１１とゲート信号線２との重ね幅は、液晶
分子２０の配向方向に位置する画素電極１１とゲート信
号線２との重ね幅を、逆方向に位置する画素電極１１と
ゲート信号線２との重ね幅より大きくし、液晶分子２０
の配向方向に位置する画素電極１１とソース信号線８と
の重ね幅を、逆方向に位置する画素電極１１とソース信
号線８との重ね幅よりも大きくした。これにより、隣接
する画素電極間に生じる電界によるリバースチルトドメ
インの発生箇所を、ゲート信号線２の画素電極１１との
重なり部分およびソース信号線８の画素電極１１との重
なり部分が遮光する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータやＯ
Ａ機器の表示部などに用いられる液晶表示装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】上述した液晶表示装置として、図１４に
示す構成のアクティブマトリクス基板を用いたものが知
られている。このアクティブマトリクス基板は、薄膜ト
ランジスタ（以下ＴＦＴと略称する）を用いた構成の一
例を示す。
【０００３】この例では、基板上にマトリクス状にスイ
ッチング素子であるＴＦＴ２３及び画素容量２２が形成
されている。ゲート信号線２４はＴＦＴ２３のゲート電
極に接続され、そこへ入力される信号によってＴＦＴ２
３がオンオフ駆動される。ソース信号線２６はＴＦＴ２
３のソース電極に接続され、ビデオ信号が入力される。
ＴＦＴ２３のドレイン電極には画素電極及び画素容量２
２の一方の端子が接続されている。各画素容量２２のも
う一方の端子は画素容量配線２５に接続され、液晶表示
装置を構成した場合には対向基板上に設けられた対向電
極と接続される。
【０００４】図１５は、このような回路構成となってい
るアクティブマトリクス基板の平面構造を示し、図１６
（Ａ）は図１５のＡ−Ａ′線における断面構造を、図１
６（Ｂ）は図１５のＢ−Ｂ′線における断面構造をそれ
ぞれ示す。なお、図１６（Ａ）および図１６（Ｂ）に
は、アクティブマトリクス基板と液晶層１７を挟んで対
向配設された対向基板も表している。
【０００５】ここでは、透明絶縁性基板１上に、ゲート
電極を一部に有するゲート信号線２、ゲート絶縁膜３、
半導体層４、チャネル保護層５、ソース・ドレイン電極
となるｎ+−Ｓｉ層６、ソース信号・ドレイン電極とな
るＩＴＯ膜７、金属層からなるソース信号線８、層間絶
縁膜９、および透明導電層からなる画素電極１１が、基
板１側からこの順に形成されている。画素電極１１は、
層間絶縁膜９を貫くコンタクトホール１０を介してＴＦ
Ｔのドレイン電極と接続されている。この例では、ゲー
ト信号線２やソース信号線８と、画素電極１１との間に
は、層間絶縁膜９が形成されているため、各信号線２、
８に対して画素電極１１の周縁部を重畳させることが可
能となる。
【０００６】この様な構造によって開口率を向上できる
ことや、信号線の電位に起因して起こる電界を画素電極
１１がシールドすることにより液晶の配向不良を抑制で
きるといった効果がある。
【０００７】なお、図１６の中における１７は前記液晶
層であり、この液晶層１７を挟んでアクティブマトリク
ス基板と対向配設された対向基板は、基板１２上にカラ
ーフィルタを構成する遮光層１３と、赤、青、緑の所定
の色層１４とが形成され、このカラーフィルタの上に形
成された対向電極１５の上に配向膜１６が設けられた構
成となっている。この配向膜１６は、対向基板側だけで
なく、アクティブマトリクス基板の液晶層１７と接する
部分にも形成されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図１７（Ａ）は、上述
したゲート信号線２とソース信号線８とが交差する部分
の平面図を示す。また、図１７（Ｂ）は図１７（Ａ）の
Ｃ−Ｃ′線における断面構造、つまり画素電極１１がゲ
ート信号線２、ソース信号線８に対して重畳された断面
構造を示す。
【０００９】図１７（Ａ）中のｄｇ１、ｄｇ２はゲート
信号線２に重畳する２つの画素電極１１の重ね幅を、ｄ
ｓ１、ｄｓ２はソース信号線８に重畳する２つの画素電
極１１の重ね幅をそれぞれ示す。この重ね幅は、通常、
遮光膜となるゲート信号線２およびソース信号線８の加
工精度と、ゲート信号線２およびソース信号線８に対し
て重畳する画素電極１１の重ね合せ精度と、画素電極１
１の加工精度を考慮して決定される。従来技術では、ゲ
ート信号線２と画素電極１１との重ね幅はｄｇ１＝ｄｇ
２とし、また、ソース信号線８と画素電極１１との重ね
幅はｄｓ１＝ｄｓ２としていた。
【００１０】この場合、液晶表示装置の駆動方法をフレ
ーム反転駆動とした場合には問題は生じなかったが、ゲ
ートライン反転駆動、ソースライン反転駆動またはドッ
ト反転駆動を行う場合には、隣接する画素電極間に生じ
る電界により、液晶の配向が乱れ、プレチルト角が逆転
したリバースチルトドメインが発生し、表示品位が著し
く損なわれるという問題があった。
【００１１】そこで、遮光膜となるゲート信号線やソー
ス信号線と画素電極との重ね幅を大きくすることによ
り、液晶の配向乱れによる光漏れを防止するという対策
が採られていた。しかし、この対策による場合は、遮光
膜となるゲート信号線やソース信号線と画素電極との重
ね幅を大きくすることは、遮光領域を広げることにな
り、開口率が低下するという別の問題が起こる。
【００１２】一方、従来、液晶表示装置の視野角を広げ
るために、図１８に示すように、液晶層を配向分割した
ものが知られている。図１８（Ａ）はゲート信号線２と
ソース信号線８とが交差する部分の平面図を示し、図１
８（Ｂ）は図１８（Ａ）のＣ−Ｃ′線における断面構造
を示し、図１８（Ｃ）は図１８（Ａ）のＤ−Ｄ´線にお
ける断面構造を示す。
【００１３】この場合、液晶表示装置の駆動方法をフレ
ーム反転駆動とした場合には問題は生じなかったが、ゲ
ート反転駆動、ソースライン反転駆動またはドット反転
駆動を行う場合には、隣接する画素電極間に生じる電界
により、液晶の配向が乱れ、図１８（Ｂ）に示したよう
なプレチルト角が逆転したリバースチルトドメインが発
生し、表示品位が著しく損なわれるという問題があっ
た。また、これを防ぐために、遮光膜となるゲート信号
線やソース信号線と画素電極との重ね幅を大きくする
と、開口率が低下するという別の問題が起こる。
【００１４】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、開口率の低下を抑止で
き、かつ、表示品位の優れた液晶表示装置を提供するこ
とを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、マトリクス状に形成されたスイッチング素子を制御
するゲート信号を供給するゲート信号線及び該スイッチ
ング素子にデータ信号を供給するソース信号線がそれぞ
れ交差するよう形成され、該スイッチング素子、該ゲー
ト信号線および該ソース信号線の上部に層間絶縁膜が形
成されていると共に該層間絶縁膜上に形成された画素電
極が層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介して該スイ
ッチング素子のドレイン電極と接続された液晶表示装置
において、該ソース信号線に沿った方向で隣合う第１の
画素電極および第２の画素電極が一部を両画素電極間の
ゲート信号線に重畳して形成され、該ゲート信号線と該
第１の画素電極との重ね幅と、該ゲート信号線と該第２
の画素電極との重ね幅が異なっており、そのことにより
上記目的が達成される。
【００１６】この本発明の液晶表示装置において、前記
ゲート信号線からみて、プレチルト角に基づいて液晶分
子が基板から離れている方向に前記第１の画素電極が位
置し、前記第２の画素電極がその逆方向に位置してお
り、該ゲート信号線と該第１の画素電極との重ね幅が、
該ゲート信号線と該第２の画素電極との重ね幅より大き
くなっている構成とするのが好ましい。この本発明の液
晶表示装置は、ゲートライン反転駆動にて駆動されるの
が好ましい。
【００１７】本発明の液晶表示装置は、マトリクス状に
形成されたスイッチング素子を制御するゲート信号を供
給するゲート信号線及び該スイッチング素子にデータ信
号を供給するソース信号線がそれぞれ交差するよう形成
され、該スイッチング素子、該ゲート信号線および該ソ
ース信号線の上部に層間絶縁膜が形成されていると共に
該層間絶縁膜上に形成された画素電極が層間絶縁膜を貫
くコンタクトホールを介して該スイッチング素子のドレ
イン電極と接続された液晶表示装置において、該ゲート
信号線に沿った方向で隣合う第３の画素電極および第４
の画素電極が一部を両画素電極間のソース信号線に重畳
して形成され、該ソース信号線と該第３の画素電極との
重ね幅と、該ソース信号線と該第４の画素電極との重ね
幅が異なっており、そのことにより上記目的が達成され
る。
【００１８】この本発明の液晶表示装置において、前記
ソース信号線からみて、プレチルト角に基づいて液晶分
子が基板から離れている方向に前記第３の画素電極が位
置し、前記第４の画素電極がその逆方向に位置してお
り、該ソース信号線と該第３の画素電極との重ね幅が、
該ソース信号線と該第４の画素電極との重ね幅より大き
くなっている構成とするのが好ましい。この本発明の液
晶表示装置は、ソースライン反転駆動にて駆動されるの
が好ましい。
【００１９】本発明の液晶表示装置は、マトリクス状に
形成されたスイッチング素子を制御するゲート信号を供
給するゲート信号線及び該スイッチング素子にデータ信
号を供給するソース信号線がそれぞれ交差するよう形成
され、該スイッチング素子、該ゲート信号線および該ソ
ース信号線の上部に層間絶縁膜が形成されていると共に
該層間絶縁膜上に形成された画素電極が層間絶縁膜を貫
くコンタクトホールを介して該スイッチング素子のドレ
イン電極と接続された液晶表示装置において、該ソース
信号線に沿った方向で隣合う第１の画素電極および第２
の画素電極が一部を両画素電極間のゲート信号線に重畳
して形成され、該ゲート信号線と該第１の画素電極との
重ね幅と、該ゲート信号線と該第２の画素電極との重ね
幅が異なっており、かつ、該ゲート信号線に沿った方向
で隣合う第３の画素電極および第４の画素電極が一部を
両画素電極間のソース信号線に重畳して形成され、該ソ
ース信号線と該第３の画素電極との重ね幅と、該ソース
信号線と該第４の画素電極との重ね幅が異なっており、
そのことにより上記目的が達成される。
【００２０】この本発明の液晶表示装置において、前記
ゲート信号線からみて、プレチルト角に基づいて液晶分
子が基板から離れている方向に前記第１の画素電極が位
置すると共に前記第２の画素電極がその逆方向に位置
し、該ゲート信号線と該第１の画素電極との重ね幅が、
該ゲート信号線と該第２の画素電極との重ね幅より大き
くなっており、かつ、前記ソース信号線からみて、プレ
チルト角に基づいて液晶分子が基板から離れている方向
に前記第３の画素電極が位置すると共に前記第４の画素
電極がその逆方向に位置し、該ソース信号線と該第３の
画素電極との重ね幅が、該ソース信号線と該第４の画素
電極との重ね幅より大きくなっている構成とするのが好
ましい。この本発明の液晶表示装置は、ドット反転駆動
にて駆動されるのが好ましい。
【００２１】本発明の液晶表示装置は、マトリクス状に
形成されたスイッチング素子を制御するゲート信号を供
給するゲート信号線及び該スイッチング素子にデータ信
号を供給するソース信号線がそれぞれ交差するよう形成
され、該スイッチング素子、該ゲート信号線および該ソ
ース信号線の上部に層間絶縁膜が形成されていると共に
該層間絶縁膜上に形成された画素電極が層間絶縁膜を貫
くコンタクトホールを介して該スイッチング素子のドレ
イン電極と接続された液晶表示装置において、各画素電
極上に液晶分子の配向方向が互いに異なる第１領域と第
２領域とを有し、該第１領域と該第２領域との境界部分
を覆って該画素電極を横切るように遮光体が設けられ、
該ゲート信号線および該ソース信号線のうちの少なくと
も一方の信号線が一部を該画素電極の第１領域部分およ
び第２領域部分にわたって重畳して形成され、該当する
信号線と該画素電極の第１領域部分の重ね幅と、該当す
る信号線と該画素電極の第２領域部分との重ね幅が異な
っており、そのことにより上記目的が達成される。
【００２２】この本発明の液晶表示装置において、前記
ソース信号線が一部を前記画素電極の第１領域部分と第
２領域部分とにわたって重畳して形成され、該画素電極
の第１領域部分から見て、該第１領域の液晶分子がプレ
チルト角に基づいて基板から離れている方向に該ソース
信号線が位置すると共に、該画素電極の第２領域部分か
ら見て、該第２領域の液晶分子がプレチルト角に基づい
て基板から離れている方向と逆方向に該ソース信号線が
位置し、該ソース信号線と該画素電極の第１領域部分と
の重ね幅に対して、該ソース信号線と該画素電極の第２
領域部分との重ね幅が大きくなっている構成とするのが
好ましい。
【００２３】この本発明の液晶表示装置において、前記
ソース信号線がほぼ直線状であり、前記画素電極が、前
記第１領域部分と前記第２領域部分とを該ソース信号線
側の端部で該ソース信号線との重ね幅の差だけずらした
形状になっている構成としてもよい。
【００２４】この本発明の液晶表示装置において、前記
画素電極が、前記第１領域部分と前記第２領域部分とを
前記ソース信号線側の端部でほぼ揃えた形状であり、該
ソース信号線が該画素電極の第１領域部分と重なる部分
と、該画素電極の第２領域部分と重なる部分とを両部分
との重ね幅の差だけ蛇行した形状になっている構成とし
てもよい。
【００２５】この本発明の液晶表示装置は、ソースライ
ン反転駆動またはドット反転駆動にて駆動されるもので
あってもよい。
【００２６】請求項１乃至９のいずれか一つに記載の液
晶表示装置において、画素電極の各々の上に液晶分子の
配向方向が互いに異なる第１領域と第２領域とを有し、
該第１領域と該第２領域との境界部分を覆って該画素電
極を横切るように遮光体が設けられ、該ゲート信号線お
よび該ソース信号線のうちの少なくとも一方の信号線が
一部を該画素電極の第１領域部分および第２領域部分に
わたって重畳して形成され、該当する信号線と該画素電
極の第１領域部分の重ね幅と、該当する信号線と該画素
電極の第２領域部分との重ね幅が異なっている構成とし
てもよい。
【００２７】以下、本発明の作用について説明する。
【００２８】本発明にあっては、ゲートライン反転駆動
を用いた液晶表示装置に対して、ゲート信号線に重畳さ
れる、第１の画素電極とゲート信号線との重ね幅と、第
１の画素電極に隣接する第２の画素電極とゲート信号線
との重ね幅が異なるようにする。たとえば、前記液晶表
示装置のゲート信号線からみて、前記第１の画素電極が
プレチルト角に基づいて基板から離れている方向（液晶
分子の配向方向）に位置し、前記第２の画素電極がその
逆方向に位置する場合に、該ゲート信号線と該第１の画
素電極との重ね幅が、該ゲート信号線と該第２の画素電
極との重ね幅より大きくなるようにする。つまり、液晶
分子の配向方向に位置する画素電極においてリバースチ
ルトドメインが発生し易く、それを覆うべく液晶分子の
配向方向に位置する画素電極との重ね幅を大きくするの
である。これにより、隣接する画素電極間に生じる電界
によるリバースチルトドメインの発生箇所が、重ね幅の
大きくしたゲート信号線部分にて遮光される。よって、
表示品位が低下することなく、高開口率の液晶表示装置
を実現することができる。
【００２９】上記ゲートライン反転駆動は、図１１に示
すように横方向がゲートラインであり、画素信号を１水
平期間（１Ｈ）毎に反転する駆動方式である。
【００３０】本発明にあっては、ソースライン反転駆動
を用いた液晶表示装置に対して、ソース信号線に重畳さ
れる、第３の画素電極とソース信号線との重ね幅と、第
３の画素電極に隣接する第４の画素電極とソース信号線
との重ね幅が異なるようにする。たとえば、前記液晶表
示装置のソース信号線からみて、前記第３の画素電極が
プレチルト角に基づいて基板から離れている方向（液晶
分子の配向方向）に位置し、前記第４の画素電極がその
逆方向に位置する場合に、該ソース信号線と該第３の画
素電極との重ね幅が、該ソース信号線と該第４の画素電
極との重ね幅より大きくなるようにする。これにより、
隣接する画素電極間に生じる電界によるリバースチルト
ドメインの発生箇所が、重ね幅の大きくしたソース信号
線部分にて遮光される。よって、表示品位が低下するこ
となく、高開口率の液晶表示装置を実現することができ
る。
【００３１】上記ソースライン反転駆動は、図１２に示
すように縦方向がソースラインであり、隣合うソースラ
イン同士に別極性の信号（つまり画素に書き込まれた電
圧極性も横方向で違う）を入力する駆動方式である。
【００３２】本発明にあっては、ドット反転駆動を用い
た液晶表示装置に対して、ゲート信号線に重畳される、
第１の画素電極とゲート信号線との重ね幅と、第１の画
素電極に隣接する第２の画素電極とゲート信号線との重
ね幅が異なるようにし、かつ、ソース信号線に重畳され
る、第３の画素電極とソース信号線との重ね幅と、第３
の画素電極に隣接する第４の画素電極とソース信号線と
の重ね幅が異なるようにする。たとえば、前記液晶表示
装置のゲート信号線からみて、前記第１の画素電極がプ
レチルト角に基づいて基板から離れている方向（液晶分
子の配向方向）に位置し、前記第２の画素電極がその逆
方向に位置する場合に、該ゲート信号線と該第１の画素
電極との重ね幅が、該ゲート信号線と該第２の画素電極
との重ね幅より大きくなるようにし、かつ、前記液晶表
示装置のソース信号線からみて、前記第３の画素電極が
プレチルト角に基づいて基板から離れている方向（液晶
分子の配向方向）に位置し、前記第４の画素電極がその
逆方向に位置する場合に、該ソース信号線と該第３の画
素電極との重ね幅が、該ソース信号線と該第４の画素電
極との重ね幅より大きくなるようにする。これにより、
ゲート信号線やソース信号線を挟んで隣接する画素電極
間に生じる電界によるリバースチルトドメインの発生箇
所が、重ね幅の大きくしたゲート信号線部分やソース信
号線部分にて遮光される。よって、表示品位が低下する
ことなく、高開口率の液晶表示装置を実現することがで
きる。
【００３３】上記ドット反転駆動は、図１３に示すよう
に横方向がゲートライン、縦方向がソースラインであ
り、ゲートライン反転駆動とソースライン反転駆動とを
組み合わせた駆動方式である。
【００３４】本発明にあっては、各画素電極上に液晶分
子の配向方向が互いに異なる第１領域と第２領域とを有
し、第１領域と第２領域との境界部分を覆って画素電極
を横切るように遮光体を設けた液晶表示装置に対して、
ゲート信号線およびソース信号線のうちの少なくとも一
方の信号線を、画素電極の第１領域部分および第２領域
部分にわたって重畳し、その信号線と第１領域部分の重
ね幅と、第２領域部分との重ね幅が異なるようにする。
例えば、ソース信号線が画素電極の第１領域部分および
第２領域部分にわたって重畳されている場合、画素電極
の第１領域部分から見て、第１領域の液晶分子がプレチ
ルト角に基づいて基板から離れている方向にソース信号
線が位置すると共に、画素電極の第２領域部分から見
て、第２領域の液晶分子がプレチルト角に基づいて基板
から離れている方向と逆方向にソース信号線が位置する
とすれば、ソース信号線と画素電極の第１領域部分との
重ね幅に対して、ソース信号線と画素電極の第２領域部
分との重ね幅が大きくなるようにする。この液晶表示装
置をソースライン反転駆動またはドット反転駆動で駆動
する場合、液晶分子の配向方向に位置する画素電極の第
２領域部分にリバースチルトドメインが発生しやすいの
で、それを覆うべく第２領域部分とソース信号線との重
ね幅を大きくするのである。これにより、隣接する画素
電極間に生じる電界によるリバースチルトドメインの発
生箇所が、重ね幅を大きくしたソース信号線部分にて遮
光される。よって、表示品位が低下することなく、高開
口率の液晶表示装置を実現することができる。また、同
じ画素電極の第１領域部分と第２領域部分との間のリバ
ースチルトドメインは、画素電極を横切る遮光体により
遮光されるので、表示品位が低下することはない。
【００３５】ソース信号線をほぼ直線状に設けた場合、
画素電極の第１領域部分と第２領域部分とで重ね幅を異
ならせるためには、画素電極の第１領域部分と第２領域
部分とで、ソース信号線側の端部をソース信号線との重
ね幅の差だけずらせばよい。
【００３６】また、画素電極の第１領域部分と第２領域
部分とでソース信号線側の端部をほぼ揃えた場合、ソー
ス信号線との重ね幅を異ならせるためには、ソース信号
線の第１領域部分と重なる部分と第２領域部分と重なる
部分とを、両部分との重ね幅の差だけ蛇行させればよ
い。
【００３７】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態について説明す
る。
【００３８】（実施形態１）図１は本実施形態における
液晶表示装置の１画素分の平面構成を示す。図２（Ａ）
は図１のＡ−Ａ′線による断面構成を示し、図２（Ｂ）
は図１のＢ−Ｂ′線による断面構成を示す。更に、図３
（Ａ）は、図１においてＸで示したゲート信号線２とソ
ース信号線８とが交差する部分の平面図を示し、図３
（Ｂ）は図３（Ａ）のＣ−Ｃ′線における断面構造、つ
まり画素電極１１がゲート信号線２、ソース信号線８に
対して重畳された断面構造を示す。
【００３９】本実施形態の液晶表示装置の構成を、以下
に述べる液晶表示装置の作製工程に基づいて説明する。
【００４０】まず、アクティブマトリクス基板の作製工
程を述べる。透明絶縁性基板１上に、ゲート電極及びゲ
ート信号線２、補助容量信号線１９、ゲート絶縁膜３、
半導体層４、チャネル保護層５、ソース・ドレイン電極
となるｎ+−Ｓｉ層６を順に形成した。
【００４１】次に、ソース信号線を構成する透明導電膜
であるＩＴＯ膜７及び金属層８を順にスパッタ法によっ
て形成し、パターニングした。本実施形態においては、
ソース信号線を構成する層を、金属層８と透明導電膜で
あるＩＴＯ膜７との２層構造とした。この構成の場合に
は、仮にソース信号線を構成する金属層８の一部に膜の
欠損があったとしても、ＩＴＯ膜７によって電気的に接
続されるため、ソース信号線の断線を少なくすることが
出来るという利点がある。
【００４２】次に、層間絶縁膜９を形成し、層間絶縁膜
９を貫通するコンタクトホール１０を形成した。
【００４３】次に、画素電極となる透明導電膜を、たと
えばスパッタ法によって形成してパターニングし、画素
電極１１を得た。この画素電極１１は、層間絶縁膜９を
貫くコンタクトホール１０を介して、ＴＦＴのドレイン
電極、つまりｎ+−Ｓｉ層６と接続されている下層のＩ
ＴＯ膜７と接続される。
【００４４】次に、対向基板側の作製工程を述べる。こ
の作製は、上述したアクティブマトリクス基板よりも先
に行ってもよい。
【００４５】透明絶縁性基板１２上に、遮光層１３とな
る金属膜をスパッタ法によって形成しパターニングし
た。
【００４６】次に、感光性カラーレジストを塗布し、露
光、現像することにより、赤、緑、青の各色層１４を形
成した。上記遮光層１３は、赤、緑、青の各色層１４の
境界と、これらの最外部の外周縁とを覆うように形成さ
れる。
【００４７】次に、透明導電膜であるＩＴＯにて対向電
極１５を、たとえばスパッタ法によって形成した。
【００４８】次に、以上のようにして作製されたアクテ
ィブマトリクス基板と対向基板との双方に配向膜１６を
形成し、双方の基板を配向膜１６を内側に向けて貼り合
わせ、アクティブマトリクス基板の画素電極と対向基板
の対向電極との間隔を４．５μｍとした。
【００４９】最後に、両基板の空隙に液晶を注入して液
晶層１７を配設した。これにより、本実施形態の液晶表
示装置の基本構成が作製される。
【００５０】ところで、本実施形態においては、図３
（Ａ）に示すように液晶分子２０の配向方向を設定した
場合、層間絶縁膜９を挟んでゲート信号線２及びソース
信号線８上に重畳させる画素電極１１とゲート信号線２
との重ね幅は、液晶分子２０の配向方向に位置する画素
電極１１とゲート信号線２との重ね幅をｄｇ１＝３μｍ
とし、逆方向に位置する画素電極１１とゲート信号線２
との重ね幅をｄｇ２＝１μｍとした。また、画素電極１
１とソース信号線８との重ね幅は、液晶分子２０の配向
方向に位置する画素電極１１とソース信号線８との重ね
幅をｄｓ１＝３μｍとし、逆方向に位置する画素電極１
１とゲート信号線２との重ね幅をｄｓ２＝１μｍとし、
それぞれの画素電極間の分離領域幅を５μｍとなるよう
に形成した。
【００５１】これにより、隣接する画素電極間に生じる
電界によるリバースチルトドメインの発生箇所を、ゲー
ト信号線２の画素電極１１との重なり部分およびソース
信号線８の画素電極１１との重なり部分が遮光すること
となり、表示品位が低下することなく、高開口率の液晶
表示装置を実現することができた。
【００５２】なお、上述した実施形態においてはリバー
スチルトドメインの発生する側の重ね幅を、ｄｇ１＝３
μｍ、ｄｓ１＝３μｍとしている理由は、隣接する画素
電極間に生じる電界によるリバースチルトドメインが発
生する箇所がｄｇ１とｄｓ１の部分で、１μｍ〜２μｍ
の範囲で起こるからであり、この１μｍ〜２μｍの値
に、ｄｇ２やｄｓ２の部分での前記３つの精度を考慮し
た１μｍを加えているからである。しかしながら、本発
明は、上述した種々の重ね幅の値、特にｄｇ１やｄｓ１
の値はリバースチルトドメインが発生する大きさに応じ
て変えるのが好ましい。たとえば、上述した実施形態に
おいては画素電極間の分離領域幅を５μｍとしている
が、その分離領域幅を変えた場合には、当然のことなが
ら、隣接する画素電極間に生じる電界の大きさが変化し
てリバースチルトドメインが発生する箇所の幅が変わる
ため、それを覆うことが可能なような寸法にすべきであ
る。また、このことは、画素電極に与える電位が変わる
場合にも同様に対処すべきである。たとえば、反転駆動
において５Ｖと−５Ｖの電位を画素電極に与える場合
は、１μｍ〜１．５μｍの幅でリバースチルトドメイン
が発生するが、それよりも大きい電位の場合はより大き
い幅でリバースチルトドメインが発生し、それよりも小
さい電位の場合はより小さい幅でリバースチルトドメイ
ンが発生する。
【００５３】また、前記３つの精度を考慮した１μｍに
ついては、厳密には０．７５μｍ〜１μｍの幅が存在す
るが、安全度を考慮した値を採用している。よって、ゲ
ート信号線やソース信号線の加工精度、画素電極の重ね
合わせ精度、および画素電極の加工精度の向上に伴っ
て、１μｍより小さくすることが可能となる。
【００５４】本実施形態においては、ドット反転駆動を
用いた液晶表示装置に対して行ったが、ゲートライン反
転駆動を用いた液晶表示装置に対しては、画素電極１１
とゲート信号線２との重ね幅ｄｇ１、ｄｇ２を同様に設
定することにより、同様の効果が得られる。また、ソー
スライン反転駆動を用いた液晶表示装置に対しては、画
素電極１１とソース信号線８との重ね幅ｄｓ１、ｄｓ２
を同様に設定することにより、同様の効果が得られる。
【００５５】このとき、各駆動方法に対する信号線と画
素電極との位置配置におけるリバースチルトドメインの
発生箇所について、図４に基づいて説明する。図４
（Ａ）はゲートライン反転駆動の場合、（Ｂ）はソース
ライン反転駆動の場合、（Ｃ）はドット反転駆動の場合
をそれぞれ示す。したがって、本実施形態は（Ｃ）に示
すリバースチルトドメインの発生箇所を覆うべく、ｄｇ
１やｄｓ１の値を大きくしている。
【００５６】ところで、１２．１”ＸＧＡにおいて、ア
クティブマトリクス基板の画素電極と対向基板の対向電
極との間隔（セルギャップ）を上述と同じ４．５μｍに
したまま、ゲート信号線の幅を１８μｍ、ゲート信号線
を挟む画素電極間の離隔間隔を１４μｍ、ソース信号線
の幅を８μｍ、ソース信号線を挟む画素電極間の離隔間
隔を４μｍと変化させた場合、セルギャップの方がゲー
ト信号線を挾む画素電極間の離隔間隔よりも狭くてもリ
バースチルトドメインが発生するが、本発明はその場合
にもリバースチルトドメインの発生箇所を遮光できる。
【００５７】また、上述した説明では、ある一定方向に
均一な視角方向を持った液晶表示装置につき言及してき
たが、本発明の特徴は、液晶分子の配向に対して、各信
号線と画素電極との重なり部分の配置を決定するもので
あるため、液晶表示装置の視角方向の変化や、広視野角
化のために配向分割を行う場合には、画素電極周辺の液
晶分子の配向方向に従い、各信号線と画素電極との重な
り部分の配置を変える必要が生じる。
【００５８】（実施形態２）図５は本実施形態における
液晶表示装置の１画素分の平面構成を示す。図６（Ａ）
は図５のＡ−Ａ′線による断面構成を示し、図６（Ｂ）
は図５のＢ−Ｂ′線による断面構成を示す。更に、図７
（Ａ）は、図５にＹで示した補助容量信号線１９とソー
ス信号線８とが交差する部分の平面図を示し、図７
（Ｂ）は図７（Ａ）のＣ−Ｃ′線における断面構造を示
し、図７（Ｃ）は図７（Ａ）のＤ−Ｄ´線における断面
構造、つまり画素電極１１がソース信号線８に対して重
畳された断面構造を示す。
【００５９】この液晶表示装置は、補助容量信号線１９
を挟んで上の部分と下の部分とで、画素電極１１上の液
晶分子２０の配向方向が異なっており、その境界部分が
補助容量信号線１９により遮光されている。この液晶分
子２０の配向方向が異なる各画素電極部分は、ソース信
号線８との重ね幅が異なっている。
【００６０】なお、補助容量信号線１９はゲート信号線
２に沿った一列分の画素全体にわたって各１本が設けら
れている。このことは実施形態１および実施形態３とも
同様である。
【００６１】液晶分子２０の配向方向を図７（Ａ）に示
すような方向に設定した場合、層間絶縁膜９を挟んでソ
ース信号線８上に重畳させる画素電極１１とソース信号
線８との重ね幅は、ソース信号線８が液晶分子２０の配
向方向に位置する画素電極１１部分とソース信号線８と
の重ね幅をｄ２＝ｄ４＝１μｍとし、逆方向に位置する
画素電極１１部分とソース信号線８との重ね幅をｄ１＝
ｄ３＝３μｍとし、それぞれの画素電極間の分離領域幅
を５μｍとなるようにした。このとき、ソース信号線８
はほぼ直線状に形成し、画素電極１１はソース信号線８
側の端部で配向方向が異なる部分同士をソース信号線と
の重ね幅の差だけずらした形状とした。
【００６２】この液晶表示装置をドット反転駆動で駆動
すると、図７（Ｂ）および図７（Ｃ）に示すように、ソ
ース信号線８を挟んで隣り合う画素電極間に生じる電界
によりリバースチルトドメインが発生する。しかし、こ
のリバースチルトドメインの発生箇所をソース信号線８
と画素電極１１との重なり部分で遮光することができる
ので、表示品位が低下することなく、高開口率の液晶表
示装置を実現することができた。このことは、図５にＸ
で示したゲート信号線２とソース信号線８との交差部近
傍において、ソース信号線８を挟んで隣り合う画素電極
電極間に生じる電界によるリバースチルトドメインにつ
いても同様である。
【００６３】本実施形態においては、液晶表示装置をド
ット反転駆動で駆動した場合について説明したが、ソー
スライン反転駆動で駆動した場合についても同様の効果
が得られる。
【００６４】（実施形態３）図８は本実施形態における
液晶表示装置の１画素分の平面構成を示す。図９（Ａ）
は図８のＡ−Ａ′線による断面構成を示し、図９（Ｂ）
は図８のＢ−Ｂ′線による断面構成を示す。更に、図１
０（Ａ）は、図８にＹで示した補助容量信号線１９とソ
ース信号線８とが交差する部分の平面図を示し、図１０
（Ｂ）は図１０（Ａ）のＣ−Ｃ′線における断面構造を
示し、図１０（Ｃ）は図１０（Ａ）のＤ−Ｄ´線におけ
る断面構造、つまり画素電極１１がソース信号線８に対
して重畳された断面構造を示す。
【００６５】この液晶表示装置は、補助容量信号線１９
を挟んで上の部分と下の部分とで、画素電極１１上の液
晶分子２０の配向方向が異なっており、その境界部分が
補助容量信号線１９により遮光されている。この液晶分
子２０の配向方向が異なる各画素電極部分は、ソース信
号線８との重ね幅が異なっている。
【００６６】液晶分子２０の配向方向を図１０（Ａ）に
示すように設定した場合、層間絶縁膜９を挟んでソース
信号線８上に重畳させる画素電極１１とソース信号線８
との重ね幅は、ソース信号線８が液晶分子２０の配向方
向に位置する画素電極１１部分とソース信号線８との重
ね幅をｄ２＝ｄ４＝１μｍとし、逆方向に位置する画素
電極１１部分とソース信号線８との重ね幅をｄ１＝ｄ３
＝３μｍとし、それぞれの画素電極間の分離領域幅を５
μｍとなるようにした。このとき、画素電極１１はソー
ス信号線側の端部をほぼ直線状に形成し、配向方向が異
なる画素電極部分とソース信号線８とが必要な分だけ重
なり、かつ、ソース信号線８の幅が最小になるようにソ
ース信号線８を蛇行させた。
【００６７】この液晶表示装置をドット反転駆動で駆動
すると、図１０（Ｂ）および図１０（Ｃ）に示すよう
に、ソース信号線８を挟んで隣り合う画素電極間に生じ
る電界によりリバースチルトドメインが発生する。しか
し、このリバースチルトドメインの発生箇所をソース信
号線８と画素電極１１との重なり部分で遮光することが
できるので、表示品位が低下することなく、高開口率の
液晶表示装置を実現することができた。このことは、図
８にＸで示したゲート信号線２とソース信号線８との交
差部近傍において、ソース信号線８を挟んで隣り合う画
素電極電極間に生じる電界によるリバースチルトドメイ
ンについても同様である。
【００６８】本実施形態においては、液晶表示装置をド
ット反転駆動で駆動した場合について説明したが、ソー
スライン反転駆動で駆動した場合についても同様の効果
が得られる。
【００６９】なお、上記実施形態２および３において
は、ソース信号線に沿って第１領域と第２領域とに配向
分割し、第１領域および第２領域にわたってソース信号
線を重畳させた液晶表示装置について説明したが、異な
る方向に配向分割を行ってもよく、例えばゲート信号線
に沿って配向分割した液晶表示装置についても本発明は
適用可能である。その場合には、各領域の液晶分子の配
向方向に従って該当する信号線と画素電極の第１領域部
分および第２領域部分との重なり部分の配置を変える必
要がある。また、上記実施形態２および３においては、
液晶分子の配向方向が互いに異なる第１領域と第２領域
との境界部分を補助容量信号線１９で遮光したが、第１
領域と第２領域との境界部分が異なる位置にある場合に
は、その境界領域を遮光するために別の遮光体を設けて
もよい。例えば、ゲート信号線に沿って配向分割した液
晶表示装置においては、ソース信号線に沿った方向で画
素電極を横切る遮光体を設けることができる。また、実
施形態２および３において、フレーム反転駆動、ゲート
ライン反転駆動、ソースライン反転駆動およびドット反
転駆動の各々について、リバースチルトドメインの発生
箇所に応じて重ね幅を変化させればよく、実施形態１の
液晶表示装置における各信号線と画素電極との重なり部
分と組み合わせて用いてもよい。
【００７０】また、上記実施形態１〜３では液晶表示装
置の画素電極の構造が、ソース信号線やゲート信号線と
画素電極とが、層間絶縁膜により絶縁されていると共に
層間絶縁膜に設けたコンタクトホールを介して画素電極
がＴＦＴのドレイン電極と接続された、いわゆるＰＯＰ
構造であるが、本発明は、このＰＯＰ構造で画素電極が
設けられた液晶表示装置以外のものにも適用できること
はもちろんである。たとえば、上述のような厚みのある
層間絶縁膜を使用せず、単にソース信号線やゲート信号
線と画素電極との間での絶縁性を確保するために、前記
層間絶縁膜よりももっと薄い絶縁膜を設け、かつ、コン
タクトホールを介さずに画素電極がＴＦＴのドレイン電
極と接続された液晶表示装置にも適用できる。
【００７１】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明による場合
は、ゲートライン反転駆動を用いるとき、隣接する画素
電極間に生じる電界によるリバースチルトドメインの発
生箇所を、重ね幅の大きくしたゲート信号線部分にて遮
光できるので、表示品位が低下することなく、高開口率
の液晶表示装置を実現することができる。
【００７２】また、本発明による場合は、ソースライン
反転駆動を用いるとき、隣接する画素電極間に生じる電
界によるリバースチルトドメインの発生箇所を、重ね幅
の大きくしたソース信号線部分にて遮光できるので、表
示品位が低下することなく、高開口率の液晶表示装置を
実現することができる。
【００７３】また、本発明による場合は、ドット反転駆
動を用いるとき、ゲート信号線およびソース信号線の各
々を挟んで隣接する画素電極間に生じる電界によるリバ
ースチルトドメインの発生箇所を、重ね幅の大きくした
ゲート信号線部分およびソース信号線部分にて遮光でき
るので、表示品位が低下することなく、高開口率の液晶
表示装置を実現することができる。
【００７４】また、本発明による場合は、配向分割を行
った液晶表示装置において、隣接する画素電極間に生じ
る電界によるリバースチルトドメインの発生箇所を、重
ね幅を大きくしたゲート信号線部分またはソース信号線
部分にて遮光できるので、広視野角化を図ることができ
ると共に、表示品位が低下することなく、高開口率の液
晶表示装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１における液晶表示装置の平面構成を
示す平面図である。
【図２】（Ａ）は図１のＡ−Ａ′線による断面構成を示
す断面図、（Ｂ）は図１のＢ−Ｂ′線による断面構成を
示す断面図である。
【図３】（Ａ）はゲート信号線とソース信号線とが交差
する部分の平面図を示す図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＣ
−Ｃ′線における断面構造を示す断面図である。
【図４】実施形態１の信号線と画素電極との位置配置に
おけるリバースチルトドメインの発生箇所について説明
する図であり、（Ａ）はゲートライン反転駆動の場合、
（Ｂ）はソースライン反転駆動の場合、（Ｃ）はドット
反転駆動の場合をそれぞれ示す。
【図５】実施形態２における液晶表示装置の平面構成を
示す平面図である。
【図６】（Ａ）は図５のＡ−Ａ′線による断面構成を示
す断面図であり、（Ｂ）は図５のＢ−Ｂ′線による断面
構成を示す断面図である。
【図７】（Ａ）は補助容量信号線とソース信号線とが交
差する部分の平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＣ−Ｃ′
線における断面構造を示す断面図であり、（Ｃ）は
（Ａ）のＤ−Ｄ´線における断面構造を示す断面図であ
る。
【図８】実施形態３における液晶表示装置の平面構成を
示す平面図である。
【図９】（Ａ）は図８のＡ−Ａ′線による断面構成を示
す断面図であり、（Ｂ）は図８のＢ−Ｂ′線による断面
構成を示す断面図である。
【図１０】（Ａ）は、補助容量信号線とソース信号線と
が交差する部分の平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＣ−
Ｃ′線における断面構造を示す断面図であり、（Ｃ）は
（Ａ）のＤ−Ｄ´線における断面構造を示す断面図であ
る。
【図１１】本発明の液晶表示装置の駆動に用いられるゲ
ートライン反転駆動を説明する図である。
【図１２】本発明の液晶表示装置の駆動に用いられるソ
ースライン反転駆動を説明する図である。
【図１３】本発明の液晶表示装置の駆動に用いられるド
ット反転駆動を説明する図である。
【図１４】従来のアクティブマトリクス基板の構成を示
す等価回路図である。
【図１５】従来のアクティブマトリクス基板の平面構造
を示す図である。
【図１６】（Ａ）は図１５のＡ−Ａ′線における断面構
造を示す断面図であり、（Ｂ）は図１５のＢ−Ｂ′線に
おける断面構造を示す断面図である。
【図１７】（Ａ）はゲート信号線とソース信号線とが交
差する部分の平面図を示し、（Ｂ）は（Ａ）のＣ−Ｃ′
線における断面構造を示す断面図である。
【図１８】（Ａ）はゲート信号線２とソース信号線８と
が交差する部分の平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＣ−
Ｃ′線における断面構造を示す断面図であり、（Ｃ）は
（Ａ）のＤ−Ｄ´線における断面構造を示す断面図であ
る。
【符号の説明】
１ 透明絶縁性基板 ２ ゲート電極及びゲート信号線 ３ ゲート絶縁膜 ４ 半導体層 ５ チャネル保護層 ６ ｎ+−Ｓｉ層 ７ ＩＴＯ膜 ８ 金属層（ソース信号線） ９ 層間絶縁膜 １０ コンタクトホール １１ 画素電極 １２ 透明絶縁性基板 １３ 遮光層 １４ 色層 １５ 対向電極 １６ 配向膜 １７ 液晶層 １９ 補助容量信号線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大上 裕之 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マトリクス状に形成されたスイッチング
    素子を制御するゲート信号を供給するゲート信号線及び
    該スイッチング素子にデータ信号を供給するソース信号
    線がそれぞれ交差するよう形成され、該スイッチング素
    子、該ゲート信号線および該ソース信号線の上部に層間
    絶縁膜が形成されていると共に該層間絶縁膜上に形成さ
    れた画素電極が層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介
    して該スイッチング素子のドレイン電極と接続された液
    晶表示装置において、 該ソース信号線に沿った方向で隣合う第１の画素電極お
    よび第２の画素電極が一部を両画素電極間のゲート信号
    線に重畳して形成され、該ゲート信号線と該第１の画素
    電極との重ね幅と、該ゲート信号線と該第２の画素電極
    との重ね幅が異なっている液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 前記ゲート信号線からみて、プレチルト
    角に基づいて液晶分子が基板から離れている方向に前記
    第１の画素電極が位置し、前記第２の画素電極がその逆
    方向に位置しており、該ゲート信号線と該第１の画素電
    極との重ね幅が、該ゲート信号線と該第２の画素電極と
    の重ね幅より大きくなっている請求項１に記載の液晶表
    示装置。
  3. 【請求項３】 ゲートライン反転駆動にて駆動される請
    求項１または２に記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 マトリクス状に形成されたスイッチング
    素子を制御するゲート信号を供給するゲート信号線及び
    該スイッチング素子にデータ信号を供給するソース信号
    線がそれぞれ交差するよう形成され、該スイッチング素
    子、該ゲート信号線および該ソース信号線の上部に層間
    絶縁膜が形成されていると共に該層間絶縁膜上に形成さ
    れた画素電極が層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介
    して該スイッチング素子のドレイン電極と接続された液
    晶表示装置において、 該ゲート信号線に沿った方向で隣合う第３の画素電極お
    よび第４の画素電極が一部を両画素電極間のソース信号
    線に重畳して形成され、該ソース信号線と該第３の画素
    電極との重ね幅と、該ソース信号線と該第４の画素電極
    との重ね幅が異なっている液晶表示装置。
  5. 【請求項５】 前記ソース信号線からみて、プレチルト
    角に基づいて液晶分子が基板から離れている方向に前記
    第３の画素電極が位置し、前記第４の画素電極がその逆
    方向に位置しており、該ソース信号線と該第３の画素電
    極との重ね幅が、該ソース信号線と該第４の画素電極と
    の重ね幅より大きくなっている請求項４に記載の液晶表
    示装置。
  6. 【請求項６】 ソースライン反転駆動にて駆動される請
    求項４または５に記載の液晶表示装置。
  7. 【請求項７】 マトリクス状に形成されたスイッチング
    素子を制御するゲート信号を供給するゲート信号線及び
    該スイッチング素子にデータ信号を供給するソース信号
    線がそれぞれ交差するよう形成され、該スイッチング素
    子、該ゲート信号線および該ソース信号線の上部に層間
    絶縁膜が形成されていると共に該層間絶縁膜上に形成さ
    れた画素電極が層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを介
    して該スイッチング素子のドレイン電極と接続された液
    晶表示装置において、 該ソース信号線に沿った方向で隣合う第１の画素電極お
    よび第２の画素電極が一部を両画素電極間のゲート信号
    線に重畳して形成され、該ゲート信号線と該第１の画素
    電極との重ね幅と、該ゲート信号線と該第２の画素電極
    との重ね幅が異なっており、かつ、該ゲート信号線に沿
    った方向で隣合う第３の画素電極および第４の画素電極
    が一部を両画素電極間のソース信号線に重畳して形成さ
    れ、該ソース信号線と該第３の画素電極との重ね幅と、
    該ソース信号線と該第４の画素電極との重ね幅が異なっ
    ている液晶表示装置。
  8. 【請求項８】 前記ゲート信号線からみて、プレチルト
    角に基づいて液晶分子が基板から離れている方向に前記
    第１の画素電極が位置すると共に前記第２の画素電極が
    その逆方向に位置し、該ゲート信号線と該第１の画素電
    極との重ね幅が、該ゲート信号線と該第２の画素電極と
    の重ね幅より大きくなっており、かつ、前記ソース信号
    線からみて、プレチルト角に基づいて液晶分子が基板か
    ら離れている方向に前記第３の画素電極が位置すると共
    に前記第４の画素電極がその逆方向に位置し、該ソース
    信号線と該第３の画素電極との重ね幅が、該ソース信号
    線と該第４の画素電極との重ね幅より大きくなっている
    請求項７に記載の液晶表示装置。
  9. 【請求項９】 ドット反転駆動にて駆動される請求項７
    または８に記載の液晶表示装置。
  10. 【請求項１０】 マトリクス状に形成されたスイッチン
    グ素子を制御するゲート信号を供給するゲート信号線及
    び該スイッチング素子にデータ信号を供給するソース信
    号線がそれぞれ交差するよう形成され、該スイッチング
    素子、該ゲート信号線および該ソース信号線の上部に層
    間絶縁膜が形成されていると共に該層間絶縁膜上に形成
    された画素電極が層間絶縁膜を貫くコンタクトホールを
    介して該スイッチング素子のドレイン電極と接続された
    液晶表示装置において、 各画素電極上に液晶分子の配向方向が互いに異なる第１
    領域と第２領域とを有し、該第１領域と該第２領域との
    境界部分を覆って該画素電極を横切るように遮光体が設
    けられ、該ゲート信号線および該ソース信号線のうちの
    少なくとも一方の信号線が一部を該画素電極の第１領域
    部分および第２領域部分にわたって重畳して形成され、
    該当する信号線と該画素電極の第１領域部分の重ね幅
    と、該当する信号線と該画素電極の第２領域部分との重
    ね幅が異なっている液晶表示装置。
  11. 【請求項１１】 前記ソース信号線が一部を前記画素電
    極の第１領域部分と第２領域部分とにわたって重畳して
    形成され、該画素電極の第１領域部分から見て、該第１
    領域の液晶分子がプレチルト角に基づいて基板から離れ
    ている方向に該ソース信号線が位置すると共に、該画素
    電極の第２領域部分から見て、該第２領域の液晶分子が
    プレチルト角に基づいて基板から離れている方向と逆方
    向に該ソース信号線が位置し、該ソース信号線と該画素
    電極の第１領域部分との重ね幅に対して、該ソース信号
    線と該画素電極の第２領域部分との重ね幅が大きくなっ
    ている請求項１０に記載の液晶表示装置。
  12. 【請求項１２】 前記ソース信号線がほぼ直線状であ
    り、前記画素電極が、前記第１領域部分と前記第２領域
    部分とを該ソース信号線側の端部で該ソース信号線との
    重ね幅の差だけずらした形状になっている請求項１０ま
    たは１１に記載の液晶表示装置。
  13. 【請求項１３】 前記画素電極が、前記第１領域部分と
    前記第２領域部分とを前記ソース信号線側の端部でほぼ
    揃えた形状であり、該ソース信号線が該画素電極の第１
    領域部分と重なる部分と、該画素電極の第２領域部分と
    重なる部分とを両部分との重ね幅の差だけ蛇行した形状
    になっている請求項１０または１１に記載の液晶表示装
    置。
  14. 【請求項１４】 ソースライン反転駆動またはドット反
    転駆動にて駆動される請求項１０乃至１３のいずれか１
    つに記載の液晶表示装置。
  15. 【請求項１５】 前記画素電極の各々の上に液晶分子の
    配向方向が互いに異なる第１領域と第２領域とを有し、
    該第１領域と該第２領域との境界部分を覆って該画素電
    極を横切るように遮光体が設けられ、該ゲート信号線お
    よび該ソース信号線のうちの少なくとも一方の信号線が
    一部を該画素電極の第１領域部分および第２領域部分に
    わたって重畳して形成され、該当する信号線と該画素電
    極の第１領域部分の重ね幅と、該当する信号線と該画素
    電極の第２領域部分との重ね幅が異なっている請求項１
    乃至９のいずれか一つに記載の液晶表示装置。
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