JP3312720B2

JP3312720B2 - 液晶表示装置

Info

Publication number: JP3312720B2
Application number: JP31528596A
Authority: JP
Inventors: 裕之大上; 吉祐嶋田
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1996-11-26
Filing date: 1996-11-26
Publication date: 2002-08-12
Anticipated expiration: 2016-11-26
Also published as: JPH10161099A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、文字、図形、画
像等を表示する液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の液晶表示装置の概略構成を図１
１に示す。この図から明らかな様に、各ソース信号線１
０１と各ゲート信号線１０２を直交させ、それぞれの交
差部位に各画素１０３を設け、これらの画素１０３をマ
トリクス状に配列している。各画素１０３は、薄膜トラ
ンジスタ１０４（以下ＴＦＴと称す）と、このＴＦＴ１
０４のドレインに接続された画素容量１０５及び補助容
量１０６を有する。これらの画素１０３の画素容量１０
５は、容量配線１０７を通じて液晶表示装置の対向電極
（図示せず）に接続されている。

【０００３】各ＴＦＴ１０４は、垂直方向の各列に区別
されており、これらの列毎に、１列の各ＴＦＴ１０４の
ソースをソース信号線１０１に接続している。また、各
ＴＦＴ１０４は、水平方向の各列に区別されており、こ
れらの列毎に、１列の各ＴＦＴ１０４のゲートをゲート
信号線１０２に接続している。

【０００４】ここでは、各走査に同期して、各ゲート信
号線１０２を順次アクティブに設定し、その度に、水平
方向１列の各ＴＦＴ１０４をオンにしている。また、１
列の各ＴＦＴ１０４がオンとなる度に、映像信号を各ソ
ース信号線１０１に割り当てて伝送し、この映像信号を
該列の各ＴＦＴ１０４の画素容量１０５に書き込む。こ
れによって、表示画面上の一映像分の映像信号がマトリ
クス状の全ての各画素容量１０５に割り当てて書き込ま
れ、この一映像が表示される。

【０００５】図１２は、従来の液晶表示装置における画
素を拡大して示している。また、図１３は、図１２の
Ａ’−Ａに沿い破断して示す断面図、図１４は、図１２
のＢ’−Ｂに沿い破断して示す断面図である。

【０００６】図１２に示す様に、この液晶表示装置の画
素は、ＴＦＴ１０４、ソース電極１１１、ドレイン電極
１１２、補助容量電極１１３及び矩形の画素電極１１４
等を有する。画素電極１１４の上下両端に沿って、それ
ぞれのゲート信号線１０２を配置し、画素電極１１４の
左右両端に沿って、それぞれのソース信号線１０１を配
置している。また、画素電極１１４の縁に金属膜１１５
（表示画面を縁取る部分であって、ここでは表示画面の
左下角を縁取っている）を配置している。

【０００７】図１３及び図１４から明らかな様に、この
液晶表示装置においては、第１透明基板１１６上に、ゲ
ート信号線１０２並びに補助容量電極１１３を形成し、
この上にゲート絶縁膜１１７を形成している。この後、
半導体層１１８及びチャネル保護層１１９を形成し、Ｔ
ＦＴ１０４のソース及びドレインとなるｎ⁺Ｓｉ層１２
０を形成し、ＩＴＯ膜を成膜してパターニングすること
により、ソース電極１１１及びドレイン電極１１２を形
成し、更に金属層を積層してパターニングすることによ
ってソース信号線１０１を形成している。そして、層間
絶縁膜１２１を積層し、この層間絶縁膜１２１にコンタ
クトホール１２２を形成してから、ＩＴＯ膜をパターニ
ングしてなる画素電極１１４を形成し、この画素電極１
１４をコンタクトホール１２２を介してドレイン電極１
１２に接続している。更に、この画素電極１１４上に配
向膜１２３を形成し、この配向膜１２３にラビング処理
を施す。

【０００８】一方、第２透明基板１２５の下側面には、
カラーフィルター１２６、対向電極１２７及び配向膜１
２８を順次積層する。

【０００９】最後に、第１及び第２透明基板１１６,１
２５を対向配置し、これらの間に液晶（図示せず）を注
入して、液晶層１２４を保持する。

【００１０】ところで、図１３に示す様にコンタクトホ
ール１２２の近傍では、各液晶分子１２４ｂがリバース
ティルトドメイン状態となり、リバースティルトドメイ
ン領域１２９が発生する。これは、特にコンタクトホー
ル１２２内側面の傾斜角が４５゜を越えると、強く発生
し易い。液晶層１２４を透光状態から遮光状態に切り換
えても、このリバースティルトドメイン領域１２９で
は、光漏れを生じる。

【００１１】この光漏れを解決するには、例えばコンタ
クトホール１２２下方の補助容量電極１１３に遮光性の
材質を適用し、この補助容量電極１１３によってコンタ
クトホール１２２の周辺を遮光すれば良い。ところが、
この遮光を完全に行うには、この補助容量電極１１３を
十分に大きくせねばならず、これによって画素における
表示を果たし得る表示面積が実施的に減少し、画素の開
口率が低下した。

【００１２】一方、この様なリバースティルトドメイン
を抑制する方法が特開平５−２４９４９４号公報に開示
されている。ここでは、画素電極や配線ライン等の周囲
に形成された傾斜角度を４５゜以下に設定し、これによ
ってリバースティルトドメインを抑制し、表示画面上の
ディスクリネーションラインを消滅させている。

【００１３】しかしながら、この方法においては、上記
公報に記載されている通り、傾斜面の段差が２μｍを越
えると、十分な効果を得ることができない。例えば、図
１３に示すコンタクトホール１２２の場合、その傾斜面
の段差（層間絶縁膜１２１の厚みに略相当する）が２μ
ｍを越えると、リバースティルトドメインが発生するこ
とになる。したがって、この方法を図１３のコンタクト
ホール１２２に適用するには、層間絶縁膜１２１の厚み
を２μｍ以下にせねばならない。

【００１４】ところが、液晶層１２４に接する配向膜１
２３を平坦化するには、層間絶縁膜１２１を十分な厚み
のものとし、この層間絶縁膜１２１下方の凹凸を包み込
む必要がある。このため、この厚みを２μｍ以下にする
ことは困難であり、この方法のコンタクトホール１２２
への適用は不可能であった。

【００１５】また、層間絶縁膜１２１を厚くした状態
で、コンタクトホール１２２の傾斜面を６０゜以下に設
定すると、このコンタクトホール１２２が非常に大きく
なるので、リバースティルトドメイン領域（光漏れ領
域）が広がって、更に悪い結果を招くことになる。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】この様に従来は、遮光
性を有する補助容量電極１１３によってコンタクトホー
ル１２２の周辺を遮光していたが、この遮光を完全に行
うために、この補助容量電極１１３を大きくしていたの
で、画素の開口率が低下すると言う問題点があった。

【００１７】また、層間絶縁膜１２１を薄くして、コン
タクトホール１２２の段差を減少させることができない
ので、特開平５−２４９４９４号公報の方法をコンタク
トホール１２２に適用することは不可能であった。

【００１８】そこで、この発明は、この様な従来技術の
課題を解決するものであって、配向膜の大きな段差の部
位に生じる光漏れを最小限度の面積の遮光膜によって遮
光し、画素の開口率の低下を極力抑えることが可能な液
晶表示装置を提供することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の液晶表示装置は、２枚の基板の間に、マト
リクス状に配置された複数の画素に対応して液晶層が設
けられており、該２枚の基板のうちの一方に遮光性を有
するゲート信号線及び補助容量電極、ゲート絶縁膜、各
画素毎のスイッチング素子並びにソース信号線、層間絶
縁膜、各画素毎の画素電極及び配向膜が順次積層され、
該画素電極は該層間絶縁膜に形成されたコンタクトホー
ルを介して該スイッチング素子に接続された液晶表示装
置であって、該コンタクトホールは、遮光性を有する該
補助容量電極の中心から外れて、該コンタクトホールが
形成されているために生ずる配向膜の凹部の近傍に発生
するリバースティルトドメイン領域と遮光性を有する補
助容量電極とが重なり合うように形成されていると共
に、該遮光性を有する補助容量電極上で、各画素毎に画
素電極が分離され、該スイッチング素子が有するゲート
電極が該各画素電極の中央に配置された構造を有し、該
遮光性を有する補助容量電極は、該配向膜によって傾斜
された液晶層の液晶分子の傾斜方向とは反対の方向に在
る他の画素の画素電極に隣接して配置されていることを
特徴としている。

【００２０】また、本発明の他の液晶表示装置は、２枚
の基板の間に、マトリクス状に配置された複数の画素に
対応して液晶層が設けられており、該２枚の基板のうち
の一方に遮光性を有するゲート信号線、ゲート絶縁膜、
各画素毎のスイッチング素子並びにソース信号線、層間
絶縁膜、各画素毎の画素電極及び配向膜が順次積層さ
れ、該画素電極は該層間絶縁膜に形成されたコンタクト
ホールを介して該スイッチング素子に接続された液晶表
示装置であって、該コンタクトホールは、遮光性を有す
る該ゲート信号線の中心から外れて、該コンタクトホー
ルが形成されているために生ずる配向膜の凹部の近傍に
発生するリバースティルトドメイン領域と遮光性を有す
るゲート信号線とが重なり合うように形成されていると
共に、該遮光性を有するゲート信号線上で、各画素毎の
画素電極が分離された構造を有し、該ゲート信号線は、
該配向膜によって傾斜された液晶層の液晶分子の傾斜方
向とは反対の方向に在る他の画素の画素電極に隣接して
配置されていることを特徴とするしている。

【００２１】

【００２２】

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態を添付
図面を参照して説明する。

【００２４】図１は、この発明の液晶表示装置の第１実
施形態における画素を拡大して示している。また、図２
は、図１のＡ’−Ａに沿い破断して示す断面図、図３
は、図１のＢ’−Ｂに沿い破断して示す断面図である。

【００２５】なお、これらの図において、図１１乃至図
１３に示す装置と同様の作用を果たす部位には同じ符号
を付す。

【００２６】図１に示す様に、この液晶表示装置の画素
においては、コンタクトホール１１を層間絶縁膜１２１
に形成しており、このコンタクトホール１１の位置を補
助容量電極１２の縦方向の中心１２ａから矢印Ｐで示す
方向、つまり配向膜１２３によって傾斜された液晶層１
２４の各液晶分子１２４ａの傾斜方向（プレティルトの
方向）にずらしている。

【００２７】一方、リバースティルトドメイン領域１３
は、コンタクトホール１１から矢印Ｐとは逆方向にずれ
て発生している。このため、リバースティルトドメイン
領域１３の中心が補助容量電極１２の中心１２ａと縦方
向で略一致し、リバースティルトドメイン領域１３と補
助容量電極１２が重なり合い、この補助容量電極１２に
よって、リバースティルトドメイン領域１３の光漏れを
効果的に防ぐことができる。

【００２８】また、リバースティルトドメイン領域１３
の中心が補助容量電極１２の中心１２ａと縦方向で一致
するので、補助容量電極１２の縦幅をリバースティルト
ドメイン領域１３のものに一致させても、この補助容量
電極１２によってリバースティルトドメイン領域１３の
光漏れを防止することができる。このため、補助容量電
極１２の縦幅を必要最小限度のものにして、画素の開口
率を向上させることができる。この様な画素の開口率の
向上は、ビデオカメラのビューファインダーやプロジェ
クション装置等に用いられる比較的小型の液晶表示装置
にとっては、その効果が著しいものとなる。

【００２９】次に、図２及び図３を参照して、この液晶
表示装置の製造手順を述べる。まず、第１透明基板１１
６上に、ゲート信号線１０２並びに補助容量電極１２を
形成し、この上にゲート絶縁膜１１７を形成している。
この後、半導体層１１８及びチャネル保護層１１９を形
成し、ＴＦＴ１０４のソース及びドレインとなるｎ⁺Ｓ
ｉ層１２０を形成し、スパッタ法によってＩＴＯ膜を形
成してパターニングすることにより、ソース電極１１１
及びドレイン電極１１２を形成し、更にソース信号線１
０１を形成している。

【００３０】ソース信号線１０１は、ソース電極１１１
及びドレイン電極１１２にもなる先のＩＴＯ膜と、この
ＩＴＯ膜と同様に、スパッタ法によって形成される金属
層を積層してなる２層構造となっている。これによっ
て、ＩＴＯ膜及び金属層のうちの一方に欠損が有ったと
しても、他方によってソース信号線１０１の導電性が確
保されるので、このソース信号線１０１の断線の発生率
を低減することができる。

【００３１】更に、層間絶縁膜１２１となるアクリル樹
脂を３μｍの厚さに塗布してから、このアクリル樹脂に
対する露光及びアルカリ現像によって、パターニングを
行い、コンタクトホール１１を形成する。更に、アクリ
ル樹脂を２００℃で１時間焼成して熱硬化させる。

【００３２】この後、層間絶縁膜１２１上に、配向膜１
２３を形成し、この配向膜１２３にラビング処理を施
す。

【００３３】一方、第２透明電極１２５の下側面には、
スパッタ法並びにパターニングによって金属膜１１５
（表示画面を縁取る部分であって、ここでは表示画面の
左下角を縁取っている）を形成し、この後に感光性カラ
ーレジストを塗布し、露光及び現像によって、カラーフ
ィルター１２６を形成する。このカラーフィルター１２
６は、赤、緑、青のうちのいずれかであり、マトリクス
状に配列された各画素がそれぞれの色に着色される。

【００３４】この後、スパッタ法によってＩＴＯ膜を形
成してパターニングすることにより、対向電極１２７を
形成し、更に配向膜１２８を形成して、この配向膜１２
８にラビング処理を施す。

【００３５】最後に、第１及び第２透明基板１１６,１
２５を対向配置し、これらの間に液晶層１２４を注入し
て、この液晶層１２４を保持する。

【００３６】さて、ここでは、層間絶縁膜１２１の厚み
ｄを３μｍとしている（ｄ＝３μｍ）。また、アクリル
樹脂の塗布及び露光条件、あるいは２００℃で１時間の
焼成と言う条件によって、コンタクトホール１１の内側
の傾斜面の角度θを４５゜以上６５゜未満の範囲に収め
（４５゜≦θ＜６５゜）、コンタクトホール１１の直径φ
を４μｍ程度に設定している。

【００３７】この様な条件において、コンタクトホール
１１からのリバースティルトドメイン領域１３のずれ
は、０.５〜１.５μｍ程度となるので、補助容量電極１
２の中心１２ａからのコンタクトホール１１のずれを
１.５μｍに設定する。

【００３８】これによって、先に述べた様にリバーステ
ィルトドメイン領域１３が補助容量電極１２に重なり、
この補助容量電極１２によってリバースティルトドメイ
ン領域１３の光漏れを効果的に防ぐことができ、また補
助容量電極１２の縦幅を必要最小限度のものとして、画
素の開口率を向上させることができる。

【００３９】この補助容量電極１２の縦幅Ｌは、層間絶
縁膜１２１の厚みをｄ、コンタクトホール１１の内側の
傾斜面の角度をθ、コンタクトホール１１の直径をφ、
リバースティルトドメインによる最小の光漏れを遮光す
るのに必要な遮光膜の最小幅をｎとすると、次式（１）
で表すことができる。

【００４０】Ｌ＝２（ｄ／tanθ）＋φ＋ｎ ……（１）この式（１）から明らかな様に、補助容量電極１２の縦
幅Ｌを小さくして、画素の開口率を向上させるには、層
間絶縁膜１２１の厚みｄを小さくし、コンタクトホール
１１の傾斜面の角度θを大きくし、コンタクトホール１
１の直径φを小さくし、リバースティルトドメインによ
る最小の光漏れを遮光するのに必要な遮光膜の最小幅ｎ
を小さくすれば良いことは明らかである。

【００４１】これらのうちの厚みｄ、直径φ、最小幅ｎ
には、自ずと限界があり、また角度θについては、画素
電極１１４となるＩＴＯ膜の成膜に際し、コンタクトホ
ール１１での成膜が良好になされる様に６５゜未満と
し、かつコンタクトホール１１の直径が大きくなり過ぎ
ない様に４５゜以上とした。

【００４２】図４は、この発明の液晶表示装置の第２実
施形態における画素を拡大して示している。また、図５
は、図４のＡ’−Ａに沿い破断して示す断面図、図６
は、図４のＢ’−Ｂに沿い破断して示す断面図である。

【００４３】なお、これらの図において、図１乃至図３
に示す装置と同様の作用を果たす部位には同じ符号を付
す。

【００４４】この第２実施形態では、液晶層１２４の各
液晶分子１２４aの傾斜方向（矢印Ｑで示す）が図１乃
至図３に示す装置における矢印Ｐで示す傾斜方向とは逆
になっている。また、補助容量電極２１を各画素の間に
配置すると共に、ゲート信号線２３を画素の略中央に配
置し、ドレイン電極２２を上方の他の画素の下端まで引
き延ばして補助容量電極２１と重ねている。

【００４５】ここでも、コンタクトホール２４の位置を
補助容量電極２１の縦方向の中心２１ａから矢印Ｑで示
すプレティルトの方向に適宜の距離だけずらしている。
これによって、リバースティルトドメイン領域２５と補
助容量電極２１が重なり合い、この補助容量電極２１に
よって、リバースティルトドメイン領域２５の光漏れを
効果的に防ぐことができる。また、補助容量電極２１の
縦幅を必要最小限度のものにして、画素の開口率を向上
させることができる。更に、各液晶分子１２４aの傾斜
方向を矢印Ｑの方向に設定しているので、リバースティ
ルトドメイン領域２５は、上方に移動して、その少なく
ともその一部分が画素電極１１４から外れるので、これ
によってもリバースティルトドメイン領域２５の影響を
排除することができる。

【００４６】図７は、この発明の液晶表示装置の第３実
施形態における画素を拡大して示している。また、図８
は、図７のＡ’−Ａに沿い破断して示す断面図、図９
は、図７のＢ’−Ｂに沿い破断して示す断面図である。

【００４７】なお、これらの図において、図１乃至図３
に示す装置と同様の作用を果たす部位には同じ符号を付
す。

【００４８】この第３実施形態では、液晶層１２４の各
液晶分子１２４aの傾斜方向（矢印Ｑで示す）が図１乃
至図３に示す装置における矢印Ｐで示す傾斜方向とは逆
になっている。また、補助容量電極を削除し、ゲート信
号線３１の幅を図１に示すゲート信号線１０２よりも広
くし、ドレイン電極３２を上方の他の画素のゲート信号
線３１の部位まで引き延ばしている。

【００４９】コンタクトホール３３は、上方に引き延ば
されたドレイン電極３２の部分３２ａに設けられてい
る。このコンタクトホール３３の位置をドレイン電極３
２の部分３２ａの縦方向の中心３２ｂから矢印Ｑで示す
プレティルトの方向に適宜の距離だけずらし、これによ
ってリバースティルトドメイン領域３４とドレイン電極
３２の部分３２ａを重ね、このドレイン電極３２の部分
３２ａによってリバースティルトドメイン領域３４の光
漏れを効果的に防いでいる。また、ドレイン電極３２の
部分３２ａの縦幅を必要最小限度のものにして、画素の
開口率を向上させている。更に、各液晶分子１２４aの
傾斜方向を矢印Ｑの方向に設定しているので、リバース
ティルトドメイン領域３４は、上方に移動して、その少
なくとも一部分が画素電極１１４から外れるので、これ
によってもリバースティルトドメイン領域３４の影響を
排除することができる。

【００５０】図１０は、この発明の液晶表示装置の第４
実施形態を示している。

【００５１】この第４実施形態では、透明電極（図示せ
ず）上に、ゲート信号線４１並びに補助容量信号線４２
を形成し、更にゲート絶縁膜（図示せず）を形成し、こ
の上に、ＴＦＴ４３、ソース信号線４４及び補助容量電
極４５等を形成して、層間絶縁膜（図示せず）を形成
し、この後、画素電極１１４を形成している。

【００５２】ＴＦＴ４３のソース電極４６（遮光性を有
する）は、層間絶縁膜のコンタクトホール４７を介して
画素電極１１４に接続されている。また、補助容量電極
４５（遮光性を有する）は、層間絶縁膜のコンタクトホ
ール４８を介して画素電極１１４に接続されている。

【００５３】コンタクトホール４７の位置は、ＴＦＴ４
３のソース電極４６の縦方向の中心から矢印Ｑで示すプ
レティルトの方向に適宜の距離だけずらし、これによっ
て該コンタクトホール４７に基づくリバースティルトド
メイン領域とソース電極４６を重ね、このソース電極４
６によってリバースティルトドメイン領域の光漏れを効
果的に防いでいる。同様に、コンタクトホール４８の位
置は、補助容量電極４５の縦方向の中心から矢印Ｑで示
すプレティルトの方向に適宜の距離だけずらし、これに
よって該コンタクトホール４８に基づくリバースティル
トドメイン領域と補助容量電極４５を重ね、この補助容
量電極４５によってリバースティルトドメイン領域の光
漏れを効果的に防いでいる。

【００５４】なお、この発明は、上記各実施形態に限定
されるものでなく、多様な変形が可能である。例えば、
ここではコンタクトホールの内側の傾斜を原因とする配
向膜の凹凸部位を示しているが、他の電極やＴＦＴを原
因として配向膜に凹凸部位が生じ、この配向膜の凹凸部
位の近傍に発生したリバースティルトドメインに基づく
光漏れを遮光膜によって遮光する場合であっても、この
発明を適用することができる。また、透過型の液晶表示
装置だけでなく、反射型の液晶表示装置にも、この発明
を適用することができる。この反射型の場合は、光を透
過する基板側に遮光膜を設ける。

【００５５】

【発明の効果】以上説明した様に、この発明によれば、
配向膜の凹凸部位と遮光膜の中心をずらしているので、
リバースティルトドメイン領域と遮光膜を完全に重ね合
わせることができ、これに伴って遮光膜の面積を必要最
小限度に抑えて、画素の開口率の低下を極力抑えること
ができる。リバースティルトドメイン領域のずれは、配
向膜によって傾斜された液晶層の各液晶分子の傾斜方向
とは逆方向に発生するので、配向膜の凹凸部位を遮光膜
の中心から各液晶分子の傾斜方向に沿ってずらせば、リ
バースティルトドメイン領域と遮光膜を確実に重ね合わ
せることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の液晶表示装置の第１実施形態におけ
る画素を拡大して示す平面図

【図２】図１のＡ’−Ａに沿い破断して示す断面図

【図３】図１のＢ’−Ｂに沿い破断して示す断面図

【図４】この発明の液晶表示装置の第２実施形態におけ
る画素を拡大して示す平面図

【図５】図４のＡ’−Ａに沿い破断して示す断面図

【図６】図４のＢ’−Ｂに沿い破断して示す断面図

【図７】この発明の液晶表示装置の第３実施形態におけ
る画素を拡大して示す平面図

【図８】図７のＡ’−Ａに沿い破断して示す断面図

【図９】図７のＢ’−Ｂに沿い破断して示す断面図

【図１０】この発明の液晶表示装置の第４実施形態にお
ける画素を拡大して示す平面図

【図１１】液晶表示装置の概略構成を示す回路図

【図１２】従来の液晶表示装置における画素を拡大して
示す平面図

【図１３】図１２のＡ’−Ａに沿い破断して示す断面図

【図１４】図１２のＢ’−Ｂに沿い破断して示す断面図

【符号の説明】

１１,２４,３３,１２２コンタクトホール１２,２１,１１３補助容量電極１３,２５,３４リバースティルトドメイン領域２２,３２,１１２ドレイン電極２３,３１,１０２ゲート信号線１０１ソース信号線１０３画素１０４薄膜トランジスタ１０５画素容量１０６補助容量１０７容量配線１１１ソース電極１１４画素電極１１５金属膜１１６第１透明基板１１７ゲート絶縁膜１１８半導体層１１９チャネル保護層１２０ｎ⁺Ｓｉ層１２１層間絶縁膜１２３,１２８配向膜１２４液晶層１２５第２透明基板１２６カラーフィルター１２７対向電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平３−96919（ＪＰ，Ａ) 特開平５−265046（ＪＰ，Ａ) 特開平４−322218（ＪＰ，Ａ) 特開平５−34679（ＪＰ，Ａ) 特開平６−130415（ＪＰ，Ａ) 特開平３−150532（ＪＰ，Ａ) 特開平10−123573（ＪＰ，Ａ) 特開平８−101389（ＪＰ，Ａ) 特開平６−294971（ＪＰ，Ａ) 特開平９−15642（ＪＰ，Ａ) 特開平９−230387（ＪＰ，Ａ) 特開平９−281497（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1335 G02F 1/1368

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】２枚の基板の間に、マトリクス状に配置
された複数の画素に対応して液晶層が設けられており、
該２枚の基板のうちの一方に遮光性を有するゲート信号
線及び補助容量電極、ゲート絶縁膜、各画素毎のスイッ
チング素子並びにソース信号線、層間絶縁膜、各画素毎
の画素電極及び配向膜が順次積層され、該画素電極は該
層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して該ス
イッチング素子に接続された液晶表示装置であって、該コンタクトホールは、遮光性を有する該補助容量電極
の中心から外れて、該コンタクトホールが形成されてい
るために生ずる配向膜の凹部の近傍に発生するリバース
ティルトドメイン領域と遮光性を有する補助容量電極と
が重なり合うように形成されていると共に、該遮光性を有する補助容量電極上で、各画素毎に画素電
極が分離され、該スイッチング素子が有するゲート電極
が該各画素電極の中央に配置された構造を有し、該遮光性を有する補助容量電極は、該配向膜によって傾
斜された液晶層の液晶分子の傾斜方向とは反対の方向に
在る他の画素の画素電極に隣接して配置されていること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】２枚の基板の間に、マトリクス状に配置
された複数の画素に対応して液晶層が設けられており、
該２枚の基板のうちの一方に遮光性を有するゲート信号
線、ゲート絶縁膜、各画素毎のスイッチング素子並びに
ソース信号線、層間絶縁膜、各画素毎の画素電極及び配
向膜が順次積層され、該画素電極は該層間絶縁膜に形成
されたコンタクトホールを介して該スイッチング素子に
接続された液晶表示装置であって、該コンタクトホールは、遮光性を有する該ゲート信号線
の中心から外れて、該コンタクトホールが形成されてい
るために生ずる配向膜の凹部の近傍に発生するリバース
ティルトドメイン領域と遮光性を有するゲート信号線と
が重なり合うように形成されていると共に、該遮光性を有するゲート信号線上で、各画素毎の画素電
極が分離された構造を有し、該ゲート信号線は、該配向膜によって傾斜された液晶層
の液晶分子の傾斜方向とは反対の方向に在る他の画素の
画素電極に隣接して配置されていることを特徴とする液
晶表示装置。