JP2004240053A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、配向膜をラビング処理することにより発生する削り滓によって画質の劣化を招くことなく高品質な画像表示を可能とする。
【解決手段】ＴＦＴアレイ基板上に、データ線及び走査線（３ａ）と、これらの交差領域に対応して形成されるＴＦＴ及び画素電極と、データ線、走査線、ＴＦＴ及び前記画素電極の上に形成された配向膜とを備えてなり、ＴＦＴアレイ基板は、前記画素電極及び前記スイッチング素子の形成領域として規定される画像表示領域（１０ａ）と、該画像表示領域の周辺を規定する周辺領域（１０Ｄ及び４００Ｒ）とを有し、前記周辺領域には凸部（４０１）が形成されている。
【選択図】 図８

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばアクティブマトリクス駆動の液晶装置、電子ペーパなどの電気泳動装置、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置等の電気光学装置の技術分野に属する。また、本発明は、このような電気光学装置を具備してなる電子機器の技術分野にも属する。
【０００２】
【背景技術】
従来、マトリクス状に配列された画素電極及び該電極の各々に接続された薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；以下適宜、「ＴＦＴ」という。）、該ＴＦＴの各々に接続され、行及び列方向それぞれに平行に設けられたデータ線及び走査線等を備えることで、いわゆるアクティブマトリクス駆動が可能な電気光学装置が知られている。
【０００３】
このような電気光学装置では、上記に加えて更に、画素電極に対向配置される対向電極、画素電極及び対向電極間に挟持される液晶層、更には画素電極及び対向電極それぞれの上に形成される配向膜等を備えることで、画像表示が可能となる。すなわち、配向膜によって所定の配向状態とされた液晶層内の液晶分子は、画素電極及び対向電極間に設定された所定の電位差によって、その配向状態が適当に変更され、これにより、当該液晶層を透過する光の透過率が変化することによって画像の表示が可能となるのである。
【０００４】
この場合特に、前記配向膜は、電界の印加されていない液晶分子を所定の配向状態に維持させるという役割を担っている。これを実現するためには、例えば、配向膜をポリイミド等の高分子有機化合物により構成するとともに、これにラビング処理を実施することが広く行われる。ここでラビング処理とは、回転金属ローラ等に巻き付けたバフ布で、焼成後の配向膜表面を一定方向に擦る処理をいう。これにより、高分子の主鎖が所定の方向に延伸されることになり、該延伸の方向に沿って液晶分子は配列させられることになる。
【０００５】
しかしながら、このラビング処理では、配向膜の削り滓が生成されることになる。このような削り滓が画素電極及び対向電極間に残ってしまうと、両者間にかけられた電位差に対応する所期した配向状態の実現の妨げになる（すなわち、配向不良を生じさせる）ことがあり、画像の品質を貶めてしまう可能性（例えば、光抜けが生じる等）がでてくる。
【０００６】
このような問題点に対処するため、従来においても、例えば特許文献１等のような技術が開示されている。この特許文献１では、画素電極の配列ピッチからみて、その配列ピッチがずらされた非表示ダミー画素パターンを少なくとも１行または１列配置することで、前記削り滓を非表示ダミー画素により捕獲し、もって画質の低下を防止しようとする技術が開示されている。この場合、特許文献１では、非表示ダミー画素の配列ピッチが、画素電極のそれに対してずらされることによって、ラビング処理における摩擦係数が大きくなるから、より少ない非表示ダミー画素行又は画素列によっても、数行分又は数列分の非表示ダミー画素と同等の作用を得ることができるとする。
【０００７】
【特許文献１】
特開平１０−３３３１８２号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記のような電気光学装置においては次のような問題点がある。まず、上記特許文献１では、画素ピッチをずらすという手段によって、より少ない非表示ダミー画素を設けることでも、数行分又は数列分の非表示ダミー画素と同等の作用を得ることができるとはされているものの、それには自ずと限界があると考えられることである。例えば、特許文献１の実施形態では、非表示ダミー画素パターン、或いは非表示ダミー色パターンを、１行ないし２行設ける形態が例示されているが、これのみでは前記の削り滓に係る不具合を十分には解消することができないと考えられる。例えば、本願発明者の研究によると、ダミー画素を４行〜１０行程度設けているにもかかわらず、前記の不具合が散見されることが確認されている。
【０００９】
また、そもそもダミー画素が形成される理由は、本来、表示ムラの発生を抑制する等の駆動上の問題を解決するためである。これによると、ダミー画素の配列数は、一義的にはまず、前記の表示ムラ等の問題を解決するという目的の下に定められるべき事項ということになる。そして、削り滓の不具合を解消するという目的は、このようにして定められたダミー画素の配列数を前提として補充的に定められるということになる。すなわち、表示ムラ等を解消するためのダミー画素の配列数が設定された上で、なお削り滓の問題があるならば、それに加えてダミー画素を設けるという解決策が基本的には求められるということになる。
【００１０】
しかし、このような解決策では、ダミー画素の配列数がむやみに大きくなる可能性があり、このようになると、電気光学装置の大型化を招くこととなる。これでは、近年の電気光学装置の小型化・高精細化の要請に逆行することになる。また、ダミー画素も画素である以上、これを多数配列することになると、それに合わせて駆動回路を延伸させる等の周辺的な対策も必要となるが、このようなことは、製造コストの増加等を招くこととなって好ましくない。したがって、ダミー画素の配列数は、この観点から制約を受けることになる。もっとも、表示ムラ等を解決するのに十分なダミー画素の配列数でもって、削り滓の問題をも同時に解消しようとする道もないではないが、既に特許文献１に対する問題として述べたように、それには限界がある。
【００１１】
以上のような事情を総合的に勘案すると、結局、ダミー画素を設けること自体を否定することはできないものの、さりとて、その「ダミー画素」によって、削り滓の問題を解消しようとすることには限界があり、また、必ずしも有効な対策とはなりえないことがわかる。
【００１２】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、配向膜をラビング処理することにより発生する削り滓によって画質の劣化を招くことなく、高品質な画像を表示することの可能な電気光学装置及び該電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するため、基板上に、一定の方向に延びるデータ線及び該データ線に交差する方向に延びる走査線と、前記走査線により走査信号が供給されるスイッチング素子と、前記データ線により前記スイッチング素子を介して画像信号が供給される画素電極と、前記画素電極の上に形成された配向膜とを備えてなり、前記基板は、前記画素電極及び前記スイッチング素子の形成領域として規定される画像表示領域と、該画像表示領域の周辺を規定する周辺領域とを有し、前記配向膜は、前記画像表示領域及び前記周辺領域に形成され、前記周辺領域の少なくとも一部には凸部が形成されている。
【００１４】
本発明の電気光学装置によれば、スイッチング素子の一例たる薄膜トランジスタに対し走査線を通じて走査信号が供給されることで、そのＯＮ・ＯＦＦが制御される。他方、画素電極に対しては、データ線を通じて画像信号が供給されることで、前記薄膜トランジスタのＯＮ・ＯＦＦに応じて、画素電極に当該画像信号の印加・非印加が行われる。これにより、本発明に係る電気光学装置は、いわゆるアクティブマトリクス駆動が可能とされている。
【００１５】
そして、本発明では特に、前記基板は、画像表示領域及び周辺領域を有し、このうち周辺領域の少なくとも一部には凸部が形成されている。これにより、以下のような作用効果が得られる。すなわち、まず、画素電極の上に形成された配向膜に対するラビング処理を実施する際においては、該ラビング処理が一定方向に沿って行われることからして、画像表示領域上の配向膜に対するラビング処理を実施する前に、周辺領域上の配向膜に対するラビング処理が実施されることになる。このラビング処理によると、必然的に配向膜の削り滓を発生させることになる。そして、この削り滓は、主に、前記ラビング処理に典型的に利用されることとなる回転ローラに付着することになる。そのため、例えば、当該電気光学装置を複数形成したガラス基板に対して、一挙にラビング処理を実施するような場合を考えると、前記回転ローラに付着した削り滓が、画像表示領域上に振り落とされるなどという事態が生じることになるのである。
【００１６】
しかるに、本発明においては、該周辺領域には凸部が形成されていることから、前述のようなラビング処理に利用される回転ローラに付着した削り滓は、当該凸部によって削ぎ落とすことが可能となる。これによると、該ラビング処理によって発生する削り滓を、当該凸部の周囲のみに集中させるという状態を実現することができる。
【００１７】
その理由は、比喩的にいえば、比較的平坦な「地平」から凸状の「山脈」が続くという「地形」に対してラビング処理を実施する等という場合を想定するとわかりやすい。すなわち、この場合において、まず、「地平」上をラビング処理する場合には、前記回転ローラ等は大きな抵抗は受けないから、前記回転ローラに付着した削り滓が、配向膜上に振り落とされるという現象は殆ど生じない。しかし、該回転ローラが、その「地平」に面した「山脈」の先頭の「山」に達すると、そこでは、従前に比べて極めて大きな抵抗を受けることになる。したがって、前記回転ローラに付着した削り滓は、まず、この「山」の部分において比較的大量に削ぎ落とされることになる。その後、前記回転ローラが、「山脈」上を進むと、回転ローラに付着した削り滓は次第次第に削ぎ落とされることになり、当該回転ローラが画像表示領域に至った後には、もはや削り滓が多量に削ぎ落とされるということはない。
【００１８】
以上の結果、本発明によれば、ラビング処理によって発生する削り滓は、主に、周辺領域上の凸部の周囲にのみ存在することとなり、該削り滓を画像表示領域にまでは至らせないということを実現することができる。これにより、画像表示領域において、削り滓に起因する配向不良等が発生するという事態を未然に防止することができることになるから、より高品質な画像を表示することが可能となる。
【００１９】
また、本発明は、ダミー画素の存在によって、削り滓の問題を解消しようとするものではないから、これに付随する電気光学装置の大型化等の不具合を被るおそれもない。逆にいえば、本発明によれば、電気光学装置の小型化・高精細化をよりよく達成することが可能であるということができる。なお、ダミー画素それ自体は、表示ムラ発生を防止する等の駆動上の問題を解決するため、これを設けてよいことは言うまでもない。
【００２０】
なお、前記の説明において、「山脈」とあるのは、典型的には、複数の凸部によって構成されている場合を想定することができるが、場合により、一つの「山」しか存在しない「山脈」を想定してもよい。前記の、或いは後に用いる「山脈」という用語には、そのような場合が含まれる。
【００２１】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記配向膜には前記データ線及び前記走査線の少なくとも一方の高さに起因する凸状部が形成されており、前記凸部の高さは、前記凸状部の高さと同等である。
【００２２】
この態様によれば、画像表示領域内における配向膜には、データ線或いは走査線の高さに起因する凸状部が形成されている。この場合、この凸状部と本発明に係る凸部とによって、前述した「山脈」をよりよく形作ることができることになるから、配向膜の削り滓を主に凸部の周囲のみに存在させ、画像表示領域に至らせないという作用効果（以下、「本発明に係る作用効果」ということがある。）をよりよく享受することができる。
【００２３】
また、本態様では特に、凸部の高さが、凸状部の高さと同等となるようにされていることから、本発明に係る作用効果をより確実に享受することができる。この点仮に、凸部の高さが、凸状部の高さに比べてあまりに大きいと、ラビング処理そのものに大きな支障を及ぼす可能性がある。本態様では、このような不具合を被ることがない。
【００２４】
なお、本態様にいう「同等」には、凸部の高さが凸状部の高さと全く同一であるという場合が含まれるのは勿論、前者が後者よりも若干程度大きい又は小さいという場合も含まれる。そのような場合であっても、凸部の高さが「あまりに」大きくならない限り、前述の不都合を被りはしないからである。ちなみに、「若干程度大きい」、或いは「あまりに」大きいという場合の具体的値であるが、これは本質的に設計事項であり、電気光学装置の大きさ、画像表示領域或いは周辺領域の大きさ、データ線或いは走査線や凸状部の形成態様によって適宜好適な値が自ずと決定される。
【００２５】
また、本態様の記載から逆に明らかとなるように、本発明においては、必ずしも、データ線或いは走査線の高さに起因した凸状部の存在が前提とされているわけではない。仮に、凸状部が存在しないとしても（すなわち、例えば画像表示領域上の配向膜が平坦化されているとしても）、「凸部」のみによって、前述した「山脈」を形作ることは可能だからである（後述の「線状凸部」に関する構成等参照。）。
【００２６】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記配向膜には前記データ線及び前記走査線の少なくとも一方の高さに起因する凸状部が形成されており、前記凸部は、前記凸状部の方向に沿うように形成されている。
【００２７】
この態様によれば、まず、凸状部が存在することにより、本発明に係る作用効果をよりよく享受できることは、前述の態様と変わりない。
【００２８】
本態様では特に、凸部は、凸状部の方向に沿うように形成されている。すなわち、凸状部が走査線の高さに起因して形成されているのであれば、凸部は、この走査線の方向に沿うようにして形成されているということになる。これによると、前述した「山脈」が、よりよく形作られることになるから、本発明に係る作用効果は更に効果的に享受されることになる。
【００２９】
この態様では、前記凸部は、前記凸状部の方向に連続するように形成されているように構成してもよい。
【００３０】
このような構成によれば、凸状部がデータ線或いは走査線の高さに起因して形成されていることからして、ある一定の方向或いはこれに交差する方向に連続して形成されているのに対応するように、凸部もまた、連続して形成されていることになる。これによると、前述した「山脈」がよりよく形作られるということができるから、本発明に係る作用効果をより効果的に享受することができる。
【００３１】
また、凸部が凸状部の方向に沿うように形成されている態様では、前記凸部は、前記凸状部の方向に沿って複数形成された線状凸部を含んでいるように構成してもよい。
【００３２】
このような構成によれば、データ線或いは走査線上の複数列又は複数行の凸状部に併せて、複数列又は複数行の線状凸部が形成されることにより、前述した「山脈」がよりよく形作られるということができるから、本発明に係る作用効果をより効果的に享受することができる。
【００３３】
なお、本態様にいう「線状凸部」とは、平面視して、その線状に沿う方向の長さに比べて、これに交差する方向に沿う長さが比較的短い平面形状を有するものを含む意味であるから、前述の「連続」する凸部のほか、断続する凸部についても、「線状凸部」に含まれ得る。
【００３４】
この構成では、前記線状凸部間のピッチは、前記凸状部間のピッチと同じであるように構成してもよい。
【００３５】
このような構成によれば、線状凸部間のピッチは、各データ線間或いは各走査線間のピッチと同じとされていることにより、周辺領域から画像表示領域へとラビング処理が進行する際、特に周辺領域と画像表示領域との変わり目において、その処理の態様に大きな変更を生じさせないことが可能となる。つまり、本態様では、そのような意味において、前述した「山脈」がよりよく形作られるということができるから、本発明に係る作用効果をより効果的に享受することができる。
【００３６】
或いは、前記線状凸部間のピッチは、前記画像表示領域に近い場所における該ピッチから該画像表示領域を離れるにつれて漸次大きく又は小さくなるように構成してもよい。
【００３７】
このような構成によれば、線状凸部間のピッチは、画像表示領域から離れるにつれて、漸次大きく又は小さくなるようにされていることにより、周辺領域から画像表示領域へとラビング処理が進行する際、特に周辺領域及び画像表示領域間や、更には周辺領域内においても、その処理の態様にドラステッィクな変化を生じさせないことが可能となる。つまり、本態様では、そのような意味において、前述した「山脈」がよりよく形作られるということができるから、本発明に係る作用効果をより効果的に享受することができる。
【００３８】
なお、本発明においては、上述した、線状凸部間のピッチが凸状部間のピッチと同じ、或いは漸次大きく又は小さくなるという構成の他、ランダムであるというような場合を含む。
【００３９】
また、以上述べた各種態様のうち、凸部が、凸状部の方向に沿うように形成されている態様、連続するように形成されている態様、線状凸部が複数形成されている態様（該線状凸部のピッチが凸状部間のピッチに同じ又は漸次大きく若しくは小さくなる構成を含む。）については、次のような言い替えを実施して特定される構成も、本発明の範囲内にある。すなわち、当該電気光学装置の画像表示領域が平坦化されており、凸状部が存在しないなどという場合においては、「前記凸状部の方向」とあるのは、「前記データ線及び前記走査線の少なくとも一方の方向」と、「前記凸状部間のピッチ」とあるのは、「前記データ線間及び前記走査線間の少なくとも一方のピッチ」と、それぞれ読み替え得る。これは、既述のように、本発明に係る電気光学装置が、凸状部の存在を必ずしも前提しないということに基づく。
【００４０】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記凸部は、前記配向膜に対するラビング処理の方向に対向する前記画像表示領域の辺縁部に沿うようにして形成されている。
【００４１】
この態様によれば、ラビング処理の方向に沿ってみると、画像表示領域に至る前には必ず凸部が存在することとなる。或いは本態様を別の観点からみると、ラビング処理の方向に沿わない部分には凸部を形成する必要がないということを意味している。このように、本態様によれば、必要最小限の凸部を設けるのみで、本発明に係る作用効果を享受することができる。
【００４２】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板の外形形状は平面視して矩形状とされており、前記画像表示領域は前記基板の外形形状と相似する形状を有しており、前記凸部は、前記画像表示領域の一辺又は隣接する二辺に沿って形成されている。
【００４３】
この態様によれば、矩形状を有する画像表示領域の一辺又は二辺に沿うようにして凸部が形成されている。まず、画像表示領域の一辺に沿うようにして凸部が形成されている場合では、ラビング処理の方向を、当該一辺に対向するように設定することで、本発明に係る作用効果をえることができる。また、画像表示領域の隣接する二辺に沿うようにして凸部が形成されている場合には、ラビング処理の方向が、たとえ斜めであっても、本発明に係る作用効果をえることができる。
【００４４】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記凸部は、前記データ線、前記走査線及び前記スイッチング素子の少なくとも一部と同一膜として形成されたパターンの高さに起因して形成されている。
【００４５】
この態様によれば、凸部の形成を比較的容易にすることができる。すなわち、本態様によれば、まず、基板上に、データ線、走査線及びスイッチング素子の少なくとも一部と同一膜のパターンが形成される。このパターンは、データ線、走査線又はスイッチング素子とは、平面的に見て離間された状態で形成されることが典型的には想定される。そして、この上に、各種の層間絶縁膜等を重ね形成していくことで、該パターンの高さに起因した凸部を、配向膜上に形成することが可能となる。すなわち、本態様によれば、凸部を形成するために、特別な工程が必要となるわけではなく、該凸部を比較的容易に形成することが可能となるのである。
【００４６】
なお、本態様にいう「少なくとも一部」とは、例えば、スイッチング素子が半導体層（活性層）、ゲート絶縁膜、ゲート電極等の複数の要素からなる場合においては、当該複数の要素の少なくとも一部という意味合いを含む。その他、データ線が二層構造からなる場合におけるいずれか一方の層という場合も含むし、更には、データ線又はその一部と走査線などという場合も含む。
【００４７】
また、本発明においては、当該電気光学装置に、データ線、走査線、スイッチング素子に加えて、画素電極の電位保持特性を向上させるための蓄積容量や遮光膜等が形成される場合もあるが、そのような場合においては、本態様に係る「パターン」を、これらの各種要素と同一膜として形成してもよい。
【００４８】
本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述の本発明の電気光学装置（ただし、その各種態様を含む。）を具備してなる。
【００４９】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、配向膜の削り滓に起因した画質の劣化を招くことがなく、したがって、表示品質に優れた画像を表示可能な、プロジェクタ、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００５０】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００５１】
【発明の実施の形態】
以下では、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００５２】
（第１実施形態）
まず、本発明の電気光学装置に係る第１の実施形態の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに、図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００５３】
図１及び図２において、第１実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００５４】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。即ち、第１実施形態の電気光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。
【００５５】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。なお、第１実施形態においては、前記の画像表示領域１０ａの周辺を規定する周辺領域が存在する。言い換えれば、第１実施形態においては特に、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、この額縁遮光膜５３より以遠が周辺領域として規定されている。
【００５６】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には特に、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００５７】
また、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナーに対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００５８】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００５９】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００６０】
そして、第１実施形態においては特に、前記周辺領域のうちデータ線駆動回路１０１と画像表示領域１０ａとの間の所定の領域において、凸部４０１が形成されていることに特徴がある。この点については、後に詳しく説明することとする。
【００６１】
次に、第１実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域１０ａ内の構成について、図３を参照しながら説明する。ここに図３は、電気光学装置の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
【００６２】
図３において、マトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００６３】
また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００６４】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０に形成された対向電極２１（図２参照）との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加される。この蓄積容量７０は、走査線３ａに並んで設けられ、定電位に固定された固定電位側容量電極としての容量線３００を含んでいる。
【００６５】
次に、上記データ線６ａ、走査線３ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の、より具体的な構成について、図４及び図５を参照して説明する。ここに図４は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図５は、図４のＡ−Ａ´断面図である。なお、図５においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００６６】
まず、第１実施形態に係る電気光学装置は、図４のＡ−Ａ´線断面図たる図５に示すように、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。
【００６７】
図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０には、その全面にわたって対向電極２１が設けられており、その図中下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。このうち対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。なお、前記の配向膜１６及び２２は、例えばポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００６８】
一方、図４において、前記画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（点線部９ａ´により輪郭が示されている）、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。データ線６ａは、例えばアルミニウム膜等の金属膜あるいは合金膜からなり、走査線３ａは、例えば導電性のポリシリコン膜からなる。このうち走査線３ａは、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向するように配置されており、該走査線３ａはゲート電極として機能する。すなわち、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に走査線３ａの本線部がゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００６９】
ＴＦＴ３０は、図５に示すように、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造を有しており、その構成要素としては、上述したようにゲート電極として機能する走査線３ａ、例えばポリシリコン膜からなり走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００７０】
なお、ＴＦＴ３０は、好ましくは図５に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また、第１実施形態では、画素スイッチング用ＴＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート、あるいはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。さらに、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａは非単結晶層でも単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層１ａを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化を図ることができる。
【００７１】
一方、図５においては、蓄積容量７０が、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての中継層７１と、固定電位側容量電極としての容量線３００の一部とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。
【００７２】
中継層７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただし、中継層７１は、後に述べる容量線３００と同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。中継層７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホール８３及び８５を介して、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。
【００７３】
容量線３００は、例えば金属又は合金を含む導電膜からなり固定電位側容量電極として機能する。この容量線３００は、平面的に見ると、図４に示すように、走査線３ａの形成領域に重ねて形成されている。より具体的には容量線３００は、走査線３ａに沿って延びる本線部と、図中、データ線６ａと交差する各個所からデータ線６ａに沿って上方に夫々突出した突出部と、コンタクトホール８５に対応する個所が僅かに括れた括れ部とを備えている。このうち突出部は、走査線３ａ上の領域及びデータ線６ａ下の領域を利用して、蓄積容量７０の形成領域の増大に貢献する。このような容量線３００は、好ましくは高融点金属又はその合金を含む導電性遮光膜からなり、蓄積容量７０の固定電位側容量電極としての機能のほか、ＴＦＴ３０の上側において入射光からＴＦＴ３０を遮光する遮光層としての機能をもつ。
【００７４】
誘電体膜７５は、図５に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｏｘｉｄｅ）膜、ＬＴＯ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｏｘｉｄｅ）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。
【００７５】
図４及び図５においては、上記のほか、ＴＦＴ３０の下側に、下側遮光膜１１ａが設けられている。下側遮光膜１１ａは、格子状又はストライプ状にパターニングされており、これにより各画素の開口領域を規定している。なお、開口領域の規定は、図４中のデータ線６ａと、これに交差するよう形成された容量線３００とによっても、なされている。
【００７６】
また、ＴＦＴ３０下には、下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００７７】
加えて、走査線３ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３がそれぞれ開孔された第１層間絶縁膜４１が形成されている。第１層間絶縁膜４１上には、中継層７１及び容量線３００が形成されており、これらの上には高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８１及び中継層７１へ通じるコンタクトホール８５がそれぞれ開孔された第２層間絶縁膜４２が形成されている。第２層間絶縁膜４２上には、データ線６ａが形成されており、これらの上には中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。なお、第１実施形態では、第１層間絶縁膜４１に対しては、約１０００℃の焼成を行うことにより、半導体層１ａや走査線３ａを構成するポリシリコン膜に注入したイオンの活性化を図ってもよい。他方、第２層間絶縁膜４２に対しては、このような焼成を行わないことにより、容量線３００の界面付近に生じるストレスの緩和を図るようにしてもよい。
【００７８】
（周辺領域上の凸部の構成）
以下では、上述のような構成となる電気光学装置において、その周辺領域に形成される凸部の構成について、図６乃至図８を参照しながら説明する。ここに図６は、図１のうちＴＦＴアレイ基板１０の構成についてのみ図示した電気光学装置の平面図、図７は、図６に符号Ａで示した円内部分に形成されたデータ線及び走査線等のみに着目して描いた平面図、図８は、図７のＷ−Ｗ´線の断面図である。なお、図８においては、本発明に特に関連のある凸部及び走査線等のみ図示し、その他の構成は適宜省略している。また、図８においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００７９】
これら図６乃至図８において、電気光学装置には、その周辺領域のうち、画像表示領域１０ａとデータ線駆動回路１０１との間における所定の領域４００Ｒには凸部４０１が形成されている。より詳細には、この凸部４０１は、平面的には、図７及び図８に示すように、画像表示領域１０ａの外側に位置するダミー画素形成領域１０Ｄの更に外側に形成されている。ここでダミー画素形成領域１０Ｄには、図７に示すように、走査線３ａと同一膜として形成されるダミー走査線３Ｄが形成されているほか、図示しないダミーＴＦＴ及びダミー画素電極その他画素として備えるべきすべての構成が形成されている。これにより、ダミー画素が構成されることになる。第１実施形態では、これを適当に駆動することによって、表示ムラの発生等を抑制することが可能となる。なお、図７及び図８においては、ダミー画素が、３行分形成されている態様が図示されているが、これは単なる一例に過ぎない。また、ダミー画素は、データ線６ａの方向に沿って、数列分形成されるようにしてもよい（後述の図１２参照）。
【００８０】
他方、凸部４０１は、走査線３ａ、或いはダミー走査線３Ｄと同一膜として形成されたパターン４３０の高さに起因して形成されるようになっている。すなわち、ＴＦＴアレイ基板１０上にパターン４３０を形成すると、該パターン４３０の形成領域とそれ以外の領域との間には段差が生じることになるが、凸部４０１は、これら両領域の上に形成される第１〜第３層間絶縁膜４１、４２及び４３、更には配向膜１６等（図５参照）の各層に、前記の段差がいわば「伝達」されることで形成されるようになっている。凸部４０１は、このようにして最上層に位置する配向膜１６上に形成されることになる。ちなみに、全く同じ理由により、走査線３ａ及びダミー走査線３Ｄのそれぞれについても、凸状部３ａＰ及び３ＤＰが形成されることになる。
【００８１】
ここでパターン４３０は、図７に示すように、走査線３ａ、或いはダミー走査線３Ｄと同様な平面形状（図４も参照）を有するように形成されている。すなわち、パターン４３０は、ＴＦＴアレイ基板１０の図７中左右方向（行方向）に延び、且つ、データ線６ａに直交する直線状のパターンとして形成されている。また、第１実施形態では特に、このパターン４３０は、３行分形成されるようになっている。さらに、これら３行分のパターン４３０間の各ピッチＰ１は、図８に示すように、走査線３ａ間の各ピッチＰ２と同一になるようにされている（その他、第１実施形態では、ダミー走査線３Ｄ間のピッチ、更には走査線３ａ及びダミー走査線３Ｄ間並びにダミー走査線３Ｄ及びパターン４３０間それぞれのピッチも同一になるようにされている。）。
【００８２】
これにより、第１実施形態に係る凸部４０１は、以下の各特徴を備える。まず、パターン４３０は、走査線３ａ、或いはダミー走査線３Ｄと同様な平面形状を有するように形成されていることから、凸部４０１と凸状部３ａＰ或いは３ＤＰとは、ほぼ同一の高さｈ（図８参照）を有する。また、同じ理由から、凸部４０１は、凸状部３ａＰ或いは３ＤＰの方向に沿うようにして形成されているとともに、該凸部４０１は、当該方向に連続するように形成されている。さらに、パターン４３０が、３行分形成されていることにより、凸部４０１も同じように３条形成されることになる。すなわち、第１実施形態に係る凸部４０１は、線状凸部を含むように形成されている。ちなみに、前記の高さｈは、凸状部３ａＰ或いは３ＤＰの高さが４００ｎｍ程度であるとすれば、１００〜５００ｎｍ程度になるように調整するのが好ましい。
【００８３】
以上の結果、第１実施形態においては、凸部４０１及び前記の凸状部３ａＰ及び３ＤＰとを併せてみると、配向膜１６上に、いわば「山脈」が形成されているかのような外観が呈されることになる（図８参照）。
【００８４】
このような構成となる第１実施形態の電気光学装置においては、次のような作用効果が奏されることになる。以下ではまず、その前提として、当該電気光学装置を構成するＴＦＴアレイ基板１０の製造方法について簡単に説明しておく。
【００８５】
図６に示すＴＦＴアレイ基板１０は、図９に示すように、一枚の比較的大面積となるガラス基板上に、その複数が一挙に構築されるようになっている。すなわち、図４及び図５に示すような構成は、ガラス基板上の各領域（各ＴＦＴアレイ基板１０の形成領域）に対応しつつ個別に形成されながらも、当該ガラス基板上全面において一挙に成膜されていくのである。この場合、図７及び図８を参照して説明したパターン４３０も前記の各領域に対応するように形成されることになり、したがって、最上層に位置する配向膜１６には、当該パターン４３０に対応した凸部４０１が前記の各領域に対応するように形成されることになる。なお、配向膜１６は、通常、ガラス基板全面を覆うようにして形成される。
【００８６】
そして、第１実施形態においては、このように形成された配向膜１６に対するラビング処理を実施する際に特有の効果がみられることになる。まず、配向膜１６に対するラビング処理を図９に示す矢印の方向ＲＤに沿って行うとすると（即ち、当該方向ＲＤに沿ってバフ布を巻きつけた回転ローラ等を進行させるとすると）、図９では上下方向に並ぶ複数のＴＦＴアレイ基板１０が、順次ラビング処理を受けていくことになる。これを詳細に見ると、次のようである。すなわち、第一に、最前のＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａを越えた後暫くは構成要素が特別形成されていない（即ち、走査線３ａ、データ線６ａ、蓄積容量７０等が形成されていない）こともあって、ラビング処理は、比較的平坦な面に対して行われることになる。第二に、次なるＴＦＴアレイ基板１０に対するラビング処理に移行すると、前記回転ローラ等は、当該ＴＦＴアレイ基板１０上に形成されたデータ線駆動回路１０１及び凸部４０１から始まる「山脈」（ここで山脈とは、上述のように、凸部４０１、凸状部３ａＰ及び３ＤＰを含む。）を迎える。第三に、その後暫くは、当該山脈上、すなわち画像表示領域１０ａに対するラビング処理が続くことになる。最後に第四に、前記の山脈が連続する画像表示領域１０ａを越えると、前記の回転ローラ等は、再び比較的平坦な部分を進行することになる。後は、前記の第一ないし第四が繰り返し行われることになる。
【００８７】
この際、前記のラビング処理によると、配向膜１６の削り滓が発生すること自体は回避することができず、また、該削り滓は、主に、前記回転ローラに付着することになる。そうすると、前記のような複数のＴＦＴアレイ基板１０に対するラビング処理を行っている最中においては、回転ローラに付着した削り滓が所々で振り落とされることによって、各ＴＦＴアレイ基板１０の画像表示領域１０ａ上に当該削り滓を残存させるなどという事態を生じさせることになるのである。
【００８８】
しかるに、本実施形態においては、ある一つのＴＦＴアレイ基板１０に着目すると、前記回転ローラ等は、前記の凸部４０１によって最初に大きな抵抗を受けることになるのがわかる。すなわち、前記の場合において、まず、比較的平坦な「地平」上をラビング処理する場合（前記の第一又は第四の場合）には、前記回転ローラ等は大きな抵抗は受けない。しかし、該回転ローラ等が、その「地平」に面した「山脈」の先頭の凸部４０１に達すると（前記の第二の場合）、そこでは、従前に比べて極めて大きな抵抗を受けることになる。したがって、前記回転ローラに付着した削り滓は、まず、この「山」の部分において比較的大量に削ぎ落とされることになる。その後、前記回転ローラ等が、「山脈」上を進む過程に至った後は（前記の第三の場合）、回転ローラに付着した削り滓は次第次第に削ぎ落とされることになり、当該回転ローラが画像表示領域１０ａに至った後には、もはや削り滓が多量に削ぎ落とされるということは殆ど生じないことになるのである。
【００８９】
このような態様となるラビング処理によると、それによって発生する削り滓は、前記の凸部４０１の周囲のみという状態を実現することができる。したがって、第１実施形態によれば、ラビング処理によって発生する削り滓は、主に、領域４００Ｒ上の凸部４０１の周囲にのみ存在することとなり、該削り滓を画像表示領域１０ａにまでは至らせないということを実現することができる。
【００９０】
以上の結果、第１実施形態によれば、画像表示領域１０ａにおいて、削り滓に起因する配向不良等が発生するという事態を未然に防止することができることになるから、より高品質な画像を表示することが可能となる。
【００９１】
また、第１実施形態によれば、ダミー画素を含むダミー画素領域１０Ｄの存在によって、削り滓の問題を解消しようとするものではないから、これに付随する電気光学装置の大型化等の不具合を被るおそれもない。逆にいえば、第１実施形態に係る電気光学装置においては、その小型化・高精細化をよりよく達成することが可能ということができる。
【００９２】
加えて、第１実施形態に係る凸部４０１は、上述のように、凸状部３ａＰ或いは３ＤＰとほぼ同一の高さｈを有すること、また、凸状部３ａＰ或いは３ＤＰの方向に沿うようにして形成されているとともに当該方向に連続するように形成されていること、さらには、凸状部３ａＰ或いは３ＤＰに沿って３条平行に形成されていることから、前述した「山脈」は、よりよく形作られるということができる。したがって、第１実施形態によれば、配向膜１６の削り滓を主に凸部４０１の周囲のみに存在させ、画像表示領域１０ａに至らせないという作用効果をよりよく享受することができる。
【００９３】
ちなみに、凸部４０１の高さｈは、凸状部３ａＰ或いは３ＤＰのそれに比較して、同等か或いはそれ以下となるように形成されるのが好ましい（即ち、前述のように、後者の高さが４００ｎｍ程度だとすれば、前者の高さｈは１００〜５００ｎｍ程度にするとよい。）。というのも、凸部４０１の高さｈが、凸状部の高さに比べてあまりに大きいと、ラビング処理そのものに大きな支障を及ぼす可能性があるからである。
【００９４】
なお、上記第１実施形態においては、凸部４０１を形成するために、走査線３ａ、或いはダミー走査線３Ｄと同一膜として形成されたパターン４３０を利用していたが、本発明は、このような形態に限定されるものではない。例えば、走査線３ａ、或いはダミー走査線３Ｄと同一膜としてパターン４３０を形成するのではなくて、凸部４０１を形成するためのパターンを、図５を参照して説明した蓄積容量７０を構成する容量線３００と同一膜として形成してもよい（容量線３００も、走査線３ａの方向に延在する構成要素である（図４参照）。）。また、その他の要素、例えば中継層７１、下側遮光膜１１ａ及びデータ線６ａ等と同一膜として、走査線３ａに平行なパターンを領域４００Ｒ上に形成し、当該パターンの高さに起因して凸部４０１を形成するようにしてもよい。なお、これらの形態を併用すれば、パターンの高さ、ひいては凸部４０１の高さの調整を好ましく行うことができる。
【００９５】
また、本発明は、凸部４０１をパターンの高さに起因して形成する形態に限定されない。例えば、当該凸部４０１を形成すべき領域において、図７及び図８に示すようなパターン４３０を形成することなく、図５に示す第３層間絶縁膜４３の上に、個別に突起部を設ける工程を加えることによって、凸部４０１を形成する態様を採用してもよい。この場合、前記突起部は、第３層間絶縁膜４３の上に新たな膜を形成した上で、フォトリソグラフィ及びエッチング工程を実施すること、或いは第３層間絶縁膜４３それ自体に対してフォトリソグラフィ及びエッチング工程を実施すること等によって形成することができる。
【００９６】
（第２実施形態）
以下では、本発明の第２の実施形態について、図１０を参照しながら説明する。ここに図１０は、図７と同趣旨の図であって、第２実施形態に係るデータ線及び走査線等のみを描いた平面図である。なお、第２実施形態では、上述した「電気光学装置」の構成及び作用については全く同様である。したがって、以下では、これらの説明については省略することとし、主に第２実施形態において特徴的な部分についてのみ説明を加えることとする。
【００９７】
第２実施形態では、図１０に示すように、パターン４３１が、走査線３ａ、或いはダミー走査線３Ｄの方向に沿って断続して形成されている。断続点は、データ線６ａが延在する部分である。なお、走査線３ａ及びダミー走査線３Ｄについては、図７と全く同様に形成されている。
【００９８】
このような形態であっても、前記の第１実施形態と略同様な作用効果が得られることが明白である。特に、第２実施形態によれば、データ線６ａとパターン４３１の交差する部分が存在しないことにより、当該部分における凸部の高さに変位が生じない（第１実施形態の図７では、データ線６ａが延在する部分について、凸部４０１の高さは、パターン４３０の高さに該データ線６ａの高さも加味したものとなる。）ことから、より好適なラビング処理の実施可能性を高めるとができるという利点が得られる。すなわち、ある一条の凸部において、高さが変わる部分が存在しないから、ラビング処理をよりスムースに行うことができるのである。
【００９９】
（第３実施形態）
以下では、本発明の第３の実施形態について、図１１を参照しながら説明する。ここに図１１は、図７と同趣旨の図であって、第３実施形態に係るデータ線及び走査線等のみを描いた平面図である。なお、第３実施形態では、上述した「電気光学装置」の構成及び作用については全く同様である。したがって、以下では、これらの説明については省略することとし、主に第３実施形態において特徴的な部分についてのみ説明を加えることとする。
【０１００】
第３実施形態では、図１１に示すように、パターン４３２間のピッチが、画像表示領域１０ａに近い場所から離れるにつれて漸次大きくされている。すなわち、画像表示領域１０ａに最も近いパターン４３２間のピッチａ１、その隣のピッチａ２、更にその隣のピッチａ３について、ａ１＜ａ２＜ａ３が成立している。これにより、該パターン４３２上に形成される凸部間のピッチも、画像表示領域１０ａから漸次大きくなることになる。
【０１０１】
このような形態であっても、前記の第１実施形態と略同様な作用効果が得られることが明白である。特に、第３実施形態によれば、パターン４３２間、ひいては該パターン４３２の高さに起因して形成される凸部間のピッチが、画像表示領域１０ａから離れるにつれて漸次大きくなっていくことから、より好適なラビング処理の実施可能性を高めることができるという利点が得られる。すなわち、第３実施形態では、パターン４３２の形成領域、即ち凸部の形成領域において、ラビング処理の態様にドラスティックな変化を生じさせないことが可能となる。より具体的には、第３実施形態では、回転ローラ等は、「山脈」の先頭に位置する凸部において比較的大きな抵抗を受け、当該凸部上を進行するにつれて次第にその抵抗が減じていくような形となるから、回転ローラに付着した配向膜１６の削り滓の削ぎ落としを前記の先頭に位置する凸部において生じさせる可能性を高めるのである。
【０１０２】
以上のように、第３実施形態においては、上記のような意味において、前述した「山脈」がよりよく形作られるということができるから、第１実施形態で述べた作用効果をより効果的に享受することができる。
【０１０３】
なお、図１１においては、画像表示領域１０ａに最も近いパターン４３２間のピッチａ１は、走査線３ａ間及びダミー走査線３Ｄ間のピッチよりも狭くなるように形成されているが、好ましくは、両者を同一にするとよい。このようにすると、周辺領域から画像表示領域１０ａへの移行の際においても、ラビング処理の態様にドラスティックな変化を生じさせないことができる。
【０１０４】
また、図１１のような形態に代えて、パターン間のピッチが、画像表示領域１０ａから離れるにつれて漸次小さくなるような形態としてもよい。
【０１０５】
（第４実施形態）
以下では、本発明の第４の実施形態について、図１２を参照しながら説明する。ここに図１２は、図７と同趣旨の図であって、図６に符号Ｂで示した円内部分に形成されたデータ線等及び走査線等のみに着目して描いた平面図である。なお、第４実施形態では、上述した「電気光学装置」の構成及び作用については全く同様である。したがって、以下では、これらの説明については省略することとし、主に第４実施形態において特徴的な部分についてのみ説明を加えることとする。
【０１０６】
第４実施形態では、図１２に示すように、図７では示されなかったダミー画素形成領域１０Ｄ´が図示されている。このダミー画素形成領域１０Ｄ´には、走査線３ａに平行に形成されたダミー走査線３Ｄに加えて、データ線６ａに平行に形成されたダミーデータ線６Ｄ等も含まれている。これにより、ダミー画素は、画像表示領域１０ａの角部を囲むように形成されていることになる。
【０１０７】
そして、第４実施形態では特に、ダミーデータ線６Ｄの外側に更に、データ線６ａ、或いはダミーデータ線６Ｄに沿う領域４００Ｒ２上にパターン４４０が形成されている。他方、走査線３ａ、或いはダミー走査線３Ｄに沿う領域４００Ｒ１上にパターン４３０が形成されていることは、図７と変わりはない。これにより、第４実施形態においては、矩形状の外形形状を有する画像表示領域１０ａの二辺に沿うようにして、凸部（不図示）が形成されることになる。
【０１０８】
このような形態によれば、図１２に示す矢印の方向ＲＤ´のように、ラビング処理が斜め方向に沿って行われる場合においても、前記の第１実施形態と略同様な作用効果が得られることになる。
【０１０９】
（第５実施形態）
以下では、本発明の第５の実施形態について、図１３を参照しながら説明する。ここに図１３は、図８と同趣旨の図であって、凸状部が存在しない形態を示すものである。なお、第５実施形態では、上述した「電気光学装置」の構成及び作用については全く同様である。したがって、以下では、これらの説明については省略することとし、主に第５実施形態において特徴的な部分についてのみ説明を加えることとする。
【０１１０】
第５実施形態では、図１３に示すように、走査線３ａ、或いはダミー走査線３Ｄの高さに起因して形成される凸状部３ａＰ及び３ＤＰ（図８参照）が形成されていない。このような形態は、例えば、第３層間絶縁膜４３の表面に対して、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｒａｓｓ）処理、或いはエッチバック処理等の適当な平坦化処理を実施することによって実現することが可能である。また、当該形態は、このような平坦化処理に代えて又は加えて、ＴＦＴアレイ基板１０、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２のうち少なくとも一つに溝を掘って、走査線３ａ等の配線やＴＦＴ３０等を該溝内に埋め込むことによっても実現可能である。このように第３層間絶縁膜４３、ひいては配向膜１６の平坦化を実現すれば、凸状部３ａＰ或いは３ＤＰといった段差に起因した液晶層５０内の液晶分子の配列の乱れ等を生じさせないという利点が得られる。
【０１１１】
そして、第５実施形態においては、このように画像表示領域１０ａが平坦化されている場合において、凸部４０１が形成されていることに特徴がある。つまり、当該領域においては前述したような処理を実施しないか、或いは当該領域のみに凸部４０１を形成することを目的として前述したような第３層間絶縁膜４３上の突起部の形成工程を実施するか等により、凸部４０１を形成するのである。
【０１１２】
ちなみに、この場合、凸部４０１は、凸状部の方向に沿って存在するということは言えないが、走査線３ａ、或いはダミー走査線３Ｄの方向に沿って存在するということが言え、また、凸部４０１間のピッチは、走査線３ａ間或いはダミー走査線３Ｄ間のピッチに同じということが言える。
【０１１３】
このような形態であっても、前記の第１実施形態と略同様な作用効果が得られることが明白である。このように、本発明においては、必ずしも、走査線３ａ或いはデータ線６ａの高さに起因した凸状部の存在が前提とされているわけではない。また仮に、凸状部が存在しないとしても（すなわち、画像表示領域１０ａ上の配向膜１６が平坦化されているとしても）、「凸部４０１」のみによって、前述した「山脈」を形作ることは可能である（図１３参照）。
【０１１４】
以上、上記した各実施形態では凸部と表現したが、段差部を形成する形態、または、凸部との間に窪みを形成してなる形態も本発明に含まれるものである。
【０１１５】
（電子機器）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図１４は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【０１１６】
図１４において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【０１１７】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び電子機器もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態の電気光学装置における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路を示す回路図である。
【図４】本発明の第１実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ´断面図である。
【図６】図１のうちＴＦＴアレイ基板１０の構成についてのみ図示した電気光学装置の平面図である。
【図７】図６に符号Ａで示した円内部分に形成されたデータ線及び走査線等のみに着目して描いた平面図である。
【図８】図７のＷ−Ｗ´線の断面図である（ただし、本発明に特に関連のある凸部及び走査線等のみ図示し、その他の構成は適宜省略している。）。
【図９】ガラス基板上に複数構築されたＴＦＴアレイ基板を示す平面図である。
【図１０】図７と同趣旨の図であって、第２実施形態に係るデータ線及び走査線等のみを描いた平面図である。
【図１１】図７と同趣旨の図であって、第３実施形態に係るデータ線及び走査線等のみを描いた平面図である。
【図１２】図７と同趣旨の図であって、図６に符号Ｂで示した円内部分に形成されたデータ線等及び走査線等のみに着目して描いた平面図である。
【図１３】図８と同趣旨の図であって、凸状部が存在しない形態を示すものである。
【図１４】本発明の実施形態に係る投射型液晶装置の平面図である。
【符号の説明】
１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１６…配向膜
３ａ…走査線、３Ｄ…ダミー走査線、６ａ…データ線、６Ｄ…ダミーデータ線
３ａＰ、３ＤＰ…凸状部、９ａ…画素電極、３０…ＴＦＴ
４００Ｒ、４００Ｒ１、４００Ｒ２…（凸部が形成される）領域
４０１…凸部、
４３０、４３１、４３２、４４０…パターン

Claims (11)

1. 基板上に、
   一定の方向に延びるデータ線及び該データ線に交差する方向に延びる走査線と、
   前記走査線により走査信号が供給されるスイッチング素子と、
   前記データ線により前記スイッチング素子を介して画像信号が供給される画素電極と、
   前記画素電極の上に形成された配向膜とを備えてなり、
   前記基板は、前記画素電極及び前記スイッチング素子の形成領域として規定される画像表示領域と、該画像表示領域の周辺を規定する周辺領域とを有し、
   前記配向膜は、前記画像表示領域及び前記周辺領域に形成され、
   前記周辺領域の少なくとも一部には凸部が形成されていることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記配向膜には前記データ線及び前記走査線の少なくとも一方の高さに起因する凸状部が形成されており、
   前記凸部の高さは、前記凸状部の高さと同等であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記配向膜には前記データ線及び前記走査線の少なくとも一方の高さに起因する凸状部が形成されており、
   前記凸部は、前記凸状部の方向に沿うように形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記凸部は、前記凸状部の方向に連続するように形成されていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
5. 前記凸部は、前記凸状部の方向に沿って複数形成された線状凸部を含んでいることを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
6. 前記線状凸部間のピッチは、前記凸状部間のピッチと同じであることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
7. 前記線状凸部間のピッチは、前記画像表示領域に近い場所におけるそれから該画像表示領域を離れるにつれて漸次大きく又は小さくなることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
8. 前記凸部は、前記配向膜に対するラビング処理の方向に対向する前記画像表示領域の辺縁部に沿うようにして形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
9. 前記基板の外形形状は平面視して矩形状とされており、前記画像表示領域は前記基板の外形形状と相似する形状を有しており、
   前記凸部は、前記画像表示領域の一辺又は隣接する二辺に沿って形成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
10. 前記凸部は、前記データ線、前記走査線又は前記スイッチング素子と同一膜として形成されたパターンの高さに起因して形成されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電気光学装置。
11. 請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。

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