JP5707970B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
上記の本発明に係る電気光学装置は、基板上に設けられた画素電極と、前記基板と前記画素電極との間に設けられ、互いに交差するデータ線及び走査線と、前記基板と前記データ線との間に設けられ、前記データ線に電気的に接続された第1ソースドレイン領域、及び前記画素電極に電気的に接続された第2ソースドレイン領域を有する半導体層と、前記データ線と前記半導体層との間に設けられた第1絶縁膜と、前記データ線と前記画素電極との間に設けられた第2絶縁膜と、前記半導体層と前記画素電極との間に設けられ、前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜を貫通するように設けられた溝内の少なくとも一部に設けられた溝内部分を有する蓄積容量とを備える。
第1実施形態に係る液晶装置について、図1から図6を参照して説明する。
図4及び図6において、第1層は、走査線11で構成されている。走査線11は、図4のX方向に沿って延びる本線部と、データ線6が延在する図4のY方向に延びる突出部とからなる形状にパターニングされている。走査線11は、遮光性の導電材料、例えば、W(タングステン)、Ti(チタン)、TiN(窒化チタン)等から形成されている。
第2層は、TFT30で構成されている。TFT30は、半導体層30a及びゲート電極30bを備えている。半導体層30aは、例えばポリシリコンからなり、ソース領域30a1、チャネル領域30a2及びドレイン領域30a3を有している(図4参照)。なお、チャネル領域30a2とソース領域30a1との界面、又は、チャネル領域30a2とドレイン領域30a3との界面にはLDD(Lightly Doped Drain)領域が形成されていてもよい。半導体層30aは、TFTアレイ基板10上で平面的に見て、後述するデータ線6に沿って延びるように(即ち、図4のY方向に沿って延びるように)、且つ、データ線6の一部に重なるように形成されている。ソース領域30a1は本発明に係る「第1ソースドレイン領域」の一例であり、ドレイン領域30a3は本発明に係る「第2ソースドレイン領域」の一例である。
第3層は、中継層81で構成されている。
第4層は、データ線6で構成されている。
図5及び図6において、第5層は、蓄積容量70で構成されている。蓄積容量70は、容量電極71、誘電体膜72及び容量電極73から構成されている。蓄積容量70は、いわゆるトレンチ構造を有しており、第3層間絶縁膜43及び第2層間絶縁膜42に形成されたトレンチ91内に形成されたトレンチ内部分70aを有している。トレンチ91は、第3層間絶縁膜43及び第2層間絶縁膜42を貫通するように設けられている。なお、トレンチ91は本発明に係る「溝」の一例であり、トレンチ内部分70aは本発明に係る「溝内部分」の一例である。第2層間絶縁膜42は本発明に係る「第1絶縁膜」の一例であり、第3層間絶縁膜43は本発明に係る「第2層間絶縁膜」の一例である。
第5層の全面には第4層間絶縁膜44が形成され、更にその上に、第6層として画素電極9が形成されている。第4層間絶縁膜44は、例えばNSGによって形成されている。その他、第4層間絶縁膜44には、PSG、BSG、BPSG等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。第4層間絶縁膜44の表面は、第2層間絶縁膜42と同様にCMP等の平坦化処理がなされている。
次に、前述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
Claims (7)
- 基板と、
画素電極と、
前記基板と前記画素電極との間に配置されたデータ線と、
前記基板と前記画素電極との間に配置された走査線と、
前記データ線に電気的に接続された第1ソースドレイン領域、及び前記画素電極に電気的に接続された第2ソースドレイン領域を有し、前記基板と前記データ線との間に配置された半導体層と、
前記画素電極と前記半導体層との間に配置された第1絶縁膜と、
前記画素電極と前記半導体層との間に配置された第2絶縁膜と、
前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜を貫通するように設けられた溝と、
前記溝の内側に配置された蓄積容量と、を含み、
前記蓄積容量は、前記画素電極の側から前記基板の側を見たとき、全部が前記走査線と重なるように配置されていることを特徴とする電気光学装置。 - 前記第1絶縁膜は、前記データ線と前記半導体層との間に配置され、
前記第2絶縁膜は、前記データ線と前記画素電極との間に配置されたことを特徴とする
請求項1に記載の電気光学装置。 - 前記蓄積容量は、前記半導体層と前記画素電極との間に配置されることを特徴とする請
求項1または2に記載の電気光学装置。 - 前記半導体層は、前記第1ソースドレイン領域と前記第2ソースドレイン領域との間に
チャネル領域を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の電気光学装置。 - 前記第2ソースドレイン領域に電気的に接続され、前記データ線と前記半導体層との間
に配置された中継層をさらに含み、
前記蓄積容量が含む画素電位側容量電極は、前記画素電極に電気的に接続され、前記中
継層に電気的に接続されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の電気
光学装置。 - 前記半導体層は、前記画素電極の側から前記基板の側を見たとき、前記データ線に沿っ
て延びるように、且つ、前記データ線の一部に重なるように配置されることを特徴とする
請求項1乃至5のいずれかに記載の電気光学装置。 - 請求項1乃至6のいずれかに記載の電気光学装置を含むことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011013750A JP5707970B2 (ja) | 2011-01-26 | 2011-01-26 | 電気光学装置及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2011013750A JP5707970B2 (ja) | 2011-01-26 | 2011-01-26 | 電気光学装置及び電子機器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
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JP2012155118A JP2012155118A (ja) | 2012-08-16 |
JP2012155118A5 JP2012155118A5 (ja) | 2014-03-13 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011013750A Active JP5707970B2 (ja) | 2011-01-26 | 2011-01-26 | 電気光学装置及び電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5707970B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7048292B2 (ja) * | 2017-12-14 | 2022-04-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
JP6696548B2 (ja) | 2018-10-16 | 2020-05-20 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電子機器 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2653572B2 (ja) * | 1991-06-17 | 1997-09-17 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
JP3153938B2 (ja) * | 1992-07-07 | 2001-04-09 | ソニー株式会社 | アクティブマトリクス基板 |
JP3214202B2 (ja) * | 1993-11-24 | 2001-10-02 | ソニー株式会社 | 表示素子基板用半導体装置 |
JP2005045017A (ja) * | 2003-07-22 | 2005-02-17 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびそれを備えた表示装置 |
JP4225348B2 (ja) * | 2006-12-15 | 2009-02-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP4730407B2 (ja) * | 2008-07-17 | 2011-07-20 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
-
2011
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012155118A (ja) | 2012-08-16 |
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A521 | Written amendment |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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