JP5182116B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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先ず、第1実施形態の液晶装置について説明する。本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図1及び図2を参照して説明する。
次に、第2実施形態について説明する。第2実施形態は、画素の積層構造が一部、第1実施形態とは異なっている。以下では第1実施形態と異なる構成についてのみ着目して詳細に説明し、同様の構成については特に図4から図7と同一の符号を付して示すと共に、説明を省略することもある。
次に、図9を参照しながら、上述した液晶装置を、電子機器の一例であるプロジェクタにライトバルブとして適用した例を説明する。図9は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
Claims (4)
- 基板上に、
画素電極と、該画素電極の下層側に、前記画素電極に誘電体膜を介して対向するように設けられた容量電極とを有する蓄積容量と、
前記蓄積容量よりも下層側に形成された層間絶縁膜と
を備え、
前記層間絶縁膜は、100〜200℃の範囲内の温度でプラズマCVD法により成膜されることにより、前記蓄積容量側の表面に凹凸形状部分が形成されており、前記蓄積容量は、前記凹凸形状部分に少なくとも部分的に重なる
ことを特徴とする電気光学装置。 - 前記層間絶縁膜より下層側に形成されており、前記画素電極及び前記容量電極の少なくとも一方に電気的に接続された配線及び電子素子を備え、
前記層間絶縁膜は、
前記配線及び電子素子の少なくとも一部に基づいて表面に生じる段差形状が緩和するように平坦化された第1絶縁膜と、
該第1絶縁膜より上層側に形成され前記凹凸形状部分を有する第2絶縁膜とを含むことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - 前記容量電極は、透明材料により形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。
- 請求項1から3のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
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