JP5195455B2 - 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents
電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5195455B2 JP5195455B2 JP2009012683A JP2009012683A JP5195455B2 JP 5195455 B2 JP5195455 B2 JP 5195455B2 JP 2009012683 A JP2009012683 A JP 2009012683A JP 2009012683 A JP2009012683 A JP 2009012683A JP 5195455 B2 JP5195455 B2 JP 5195455B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel electrode
- electrode
- conductive layer
- film
- electro
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 123
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 177
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 125
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 68
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 47
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
先ず、第1実施形態の液晶装置において説明する。本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図1及び図2を参照して説明する。
次に、第2実施形態について説明する。第2実施形態は、画素の積層構造が一部、第1実施形態とは異なっている。以下では第1実施形態と異なる構成についてのみ着目して詳細に説明し、同様の構成については特に図4から図7と同一の符号を付して示すと共に、説明を省略することもある。
次に、図16を参照しながら、上述した液晶装置を、電子機器の一例であるプロジェクタにライトバルブとして適用した例を説明する。図16は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
Claims (8)
- 基板上に、
画素電極と、
該画素電極の下層側に、前記画素電極に誘電体膜を介して対向するように設けられた容量電極と、
前記誘電体膜よりも下層側に配置された導電層と、
少なくとも前記画素電極及び前記誘電体膜を貫通して前記導電層の表面に至るように開孔されたコンタクトホールに、前記基板上で平面的に見て重なるように島状に形成されており、前記画素電極と前記導電層とを互いに電気的に接続する接続部材と
を備えることを特徴とする電気光学装置。 - 前記容量電極は、透明材料により形成されることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記導電層は、前記容量電極と同一膜により形成されることを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。
- 前記接続部材は、透明材料により形成されることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記導電層に電気的に接続されたトランジスタと、
該トランジスタに重なる遮光膜と
を備え、
前記接続部材は、前記遮光膜と少なくとも部分的に重なるように形成される
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 基板上に導電層を形成する工程と、
前記導電層と同層に又は前記導電層よりも上層側に容量電極を形成する工程と、
前記導電層及び前記容量電極を覆うように誘電体膜を形成する工程と、
前記容量電極に前記誘電体膜を介して対向するように画素電極を形成する工程と、
少なくとも前記画素電極及び前記誘電体膜を貫通して前記導電層の表面に至るコンタクトホールを開孔する工程と、
前記画素電極と前記導電層とを互いに電気的に接続するように、前記コンタクトホールと前記基板上で平面的に見て重なるように島状に接続部材を形成する工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 前記コンタクトホールを開孔する工程は、前記画素電極上に所定パターンのレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をマスクとして、少なくとも前記画素電極及び前記誘電体膜に対してエッチング処理を施す工程と、
前記レジスト膜を除去する工程と
を含むことを特徴とする請求項6に記載の電気光学装置の製造方法。 - 請求項1から5のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009012683A JP5195455B2 (ja) | 2009-01-23 | 2009-01-23 | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009012683A JP5195455B2 (ja) | 2009-01-23 | 2009-01-23 | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010169912A JP2010169912A (ja) | 2010-08-05 |
JP5195455B2 true JP5195455B2 (ja) | 2013-05-08 |
Family
ID=42702131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009012683A Expired - Fee Related JP5195455B2 (ja) | 2009-01-23 | 2009-01-23 | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5195455B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102570573B1 (ko) * | 2016-08-08 | 2023-08-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN111627935B (zh) | 2020-06-09 | 2023-02-28 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3941901B2 (ja) * | 1998-04-28 | 2007-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP3838332B2 (ja) * | 2000-01-24 | 2006-10-25 | 日本電気株式会社 | 透過型液晶表示装置及び液晶プロジェクタ装置 |
JP4798907B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2011-10-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP4821183B2 (ja) * | 2005-06-24 | 2011-11-24 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びこれを備えた電子機器 |
JP4306737B2 (ja) * | 2007-02-08 | 2009-08-05 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器 |
JP2010145820A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
-
2009
- 2009-01-23 JP JP2009012683A patent/JP5195455B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010169912A (ja) | 2010-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5589359B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP4306737B2 (ja) | 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器 | |
JP5245333B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP5532568B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
CN100445851C (zh) | 电光装置和电子设备 | |
JP5018336B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP5130763B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2008040399A (ja) | 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器 | |
JP5104140B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP4973024B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP5233618B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP5195455B2 (ja) | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
JP5470894B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2009069247A (ja) | 電気光学装置、その製造方法及び電子機器、並びに配線構造 | |
JP5182116B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP4967556B2 (ja) | 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器 | |
JP4984911B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2010039209A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
JP5028906B2 (ja) | 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器 | |
JP5176852B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2011075773A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP2010160308A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
JP4797453B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器、並びに半導体基板の製造方法 | |
JP2010145820A (ja) | 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
JP5278584B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111125 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121228 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130121 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160215 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |