JP5104140B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置は、基板上の画像表示領域にデータ線及び走査線が互いに交差して配線され、両配線の交差に対応して画素電極がマトリクス状に設けられると共に、画素電極は画素毎にスイッチング制御される。各画素には、画素電極をスイッチング制御する画素スイッチング素子として、例えばＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有するトランジスタが設けられる。

このような電気光学装置について、特許文献１において、基板上には、トランジスタより下層側に、トランジスタの半導体膜に対して下層側から進行する光を遮光するため、下部遮光膜が設けられる。特許文献２によれば、トランジスタより上層側から半導体膜に向かって進行する光を遮光するための上部遮光膜が設けられる。しかしながら、特許文献１又は２の構成によれば、半導体膜のＬＤＤ領域について、その側面側に向かって進行する光に対する遮光が不十分であり、かかる光により光リーク電流が生じるおそれがある。

これに対して、特許文献３から６においては、ＬＤＤ構造のトランジスタのＬＤＤ領域の側面側に進行する光を遮光する技術が開示されている。特許文献３から６によれば、平面的に見て、半導体膜の両脇には、チャネル領域からＬＤＤ領域に沿ってコンタクトホールが開口される。かかるコンタクトホール内には遮光性を有する導電膜（例えばゲート電極と同一膜）が成膜される。そして、コンタクトホール内に成膜された導電膜により、半導体膜においてチャネル領域からＬＤＤ領域に至る領域に、その側面側から進行してくる光を遮光する。

尚、半導体膜において、チャネル領域を挟んで、その両側にはＬＤＤ領域に隣接する高濃度不純物領域が形成される。チャネル領域の両側の高濃度不純物領域のうち一方はデータ線と電気的に接続され、他方は画素電極と電気的に接続される。

特開２００５−４５０１７号公報 特許３３０７１４４号 特開２０００−３５６７８７号公報 特開２００４−１７０６５６号公報 特開２００６−１７１１３６号公報 特開２００３−３０７７２５号公報

しかしながら、特許文献３から５に記載されたトランジスタの遮光構造によれば、半導体膜の高濃度不純物領域において、データ線及び画素電極と電気的に接続される部分の側面について、この側面の側から進行してくる光を遮光することは困難であるという技術的問題点がある。ここに、半導体膜において、特に画素電極と電気的に接続される側のＬＤＤ領域は、データ線と電気的に接続される側のＬＤＤ領域と比較して、相対的に光リーク電流が発生し易い傾向にある。従って、画素電極と電気的に接続される側において、高濃度不純物領域における画素電極との電気的な接続部分の側から、その側面に向かって進行してくる光がＬＤＤ領域に照射されることにより、光リーク電流が発生し易くなり、トランジスタの誤動作等の不具合が生じ得る。

ここに、特許文献６に開示された遮光構造によれば、半導体膜の高濃度不純物領域において、データ線及び画素電極と電気的に接続される部分の側面について、この側面の側から進行してくる光を遮光する。しかしながら、かかる側面側の遮光は、走査線とは別層に設けられ、コンタクトホール内にまで延設された遮光膜による。従って、かかる遮光構造を形成するための製造プロセスがより煩雑となるおそれがあるという技術的問題点がある。

本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、ＬＤＤ構造を有するトランジスタにおける光リーク電流をより有効に且つより簡易な構成により低減することが可能な遮光構造を有する電気光学装置、及びこのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、前記基板上の表示領域で互いに交差するデータ線及び走査線と、前記データ線及び前記走査線の交差に対応して設けられた画素電極と、（i）前記走査線より第１絶縁膜を介して上層側に配置され、前記表示領域における一の方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域と、前記データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域と、前記画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域と、前記チャネル領域及び前記データ線側ソースドレイン領域間に形成された第１の接合領域と、前記チャネル領域及び前記画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第２の接合領域とを有する半導体膜と、（ii）該半導体膜より上層側に配置され、前記チャネル領域に重なるゲート電極とを含むトランジスタと、前記ゲート電極より第２絶縁膜を介して上層側に配置され、前記基板上で平面的に見て、前記ゲート電極及び前記第２の接合領域と少なくとも部分的に重なるように形成されると共に前記ゲート電極と電気的に接続された遮光部とを備え、前記第１及び第２絶縁膜には、前記遮光部と前記ゲート電極とを電気的に接続する第１部分と、該第１部分から前記一の方向に交わる他の方向に沿って延在し、前記半導体膜の脇で前記遮光部と前記走査線とを電気的に接続する第２部分とを有するコンタクトホールが形成される。

本発明の電気光学装置では、例えば、データ線から画素電極への画像信号の供給が画素毎に制御され、所謂アクティブマトリクス方式による画像表示が可能となる。画像信号は、データ線及び画素電極間に電気的に接続されたスイッチング素子であるトランジスタが、走査線から供給される走査信号に基づいてオンオフされることによって、所定のタイミングでデータ線からトランジスタを介して画素電極に供給される。画素電極は、データ線及び走査線の交差に対応して、基板上において表示領域となるべき領域にマトリクス状に複数設けられる。

トランジスタは、チャネル領域、データ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域を有する半導体膜、及びチャネル領域に重なるゲート電極を含む。

チャネル領域は、表示領域における一の方向に沿ったチャネル長を有する。本発明に係る「一の方向」とは、例えば基板上でマトリクス状に規定された複数の画素の行方向、即ち複数のデータ線が配列される配列方向或いは複数の走査線の各々が延びる方向（即ちＸ方向）、又は例えば基板上でマトリクス状に規定された複数の画素の列方向、即ち複数の走査線が配列される配列方向或いは複数のデータ線の各々が延びる方向（即ちＹ方向）を意味する。

データ線側ソースドレイン領域はデータ線と互いに電気的に接続され、画素電極側ソースドレイン領域は画素電極と互いに電気的に接続される。更に、半導体膜のチャネル領域とデータ線側ソースドレイン領域との間には第１の接合領域が形成され、半導体膜のチャネル領域と画素電極側ソースドレイン領域との間には第２の接合領域が形成される。第１及び第２の接合領域は、例えば、トランジスタがＬＤＤ構造を有する場合におけるＬＤＤ領域（即ち、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体膜にソースドレイン領域よりも少量の不純物を打ち込んでなる領域）を意味する。また、この場合、データ線側及び画素電極側ソースドレイン領域は夫々、ＬＤＤ領域よりも高濃度の不純物領域として形成される。

トランジスタは、走査線より上層側に配置され、第１絶縁膜により層間絶縁される。走査線は、基板上で平面的に見て半導体膜に重なるように配置されることにより、半導体膜に対して下層側から進行してくる光を遮光することが可能となる。

また、遮光部は、トランジスタより上層側に配置され、第２絶縁膜により層間絶縁される。遮光部は、基板上で平面的に見て、トランジスタに対して、ゲート電極及び半導体膜の第２の接合領域の一例である画素電極側ＬＤＤ領域と少なくとも部分的に重なるように配置される。従って、第２の接合領域に対して、走査線によって下層側から進行してくる光を遮光すると共に、遮光部によって上層側から進行してくる光を遮光することが可能となる。遮光部はゲート電極と重なる部分において、ゲート電極と電気的に接続される。

第１及び第２絶縁膜には、ゲート電極及び遮光部ならびに遮光部及び走査線を電気的に接続するコンタクトホールが開口される。コンタクトホールの一部は、第１部分として第２絶縁膜に開口され、コンタクトホールの他部には第１及び第２絶縁膜に開口される第２部分が含まれる。第１部分は、半導体膜のチャネル領域上においてゲート電極と重なるように開口される。遮光部は、ゲート電極と、第１部分を介して電気的に接続される。第２部分は、第１部分から、表示領域における一の方向に交わる他の方向に沿って延在する。遮光部は、半導体膜の脇において走査線と第２部分を介して電気的に接続される。遮光部は、典型的には、半導体膜よりも下層側の走査線を第１の走査線とし、これに対して第２部分を介して電気的に接続されると共に一の方向に沿って延在する第２の走査線の一部として形成される。

ここに、第２部分は、チャネル領域上の第１部分からその脇に延設され、更に、第２の接合領域から画素電極側ソースドレイン領域の画素電極と接続される部分にまで、半導体膜に沿って延設されるのが好ましい。このように構成すれば、第２部分内に導電膜（例えば、遮光部の一部）が成膜されることで、チャネル領域の少なくとも一部から、第２の接合領域及び画素電極側ソースドレイン領域の画素電極と電気的に接続される部分を含む領域において、半導体膜の側面に向かって進行してくる光を少なくとも部分的に遮光することができる。

従って、本発明の電気光学装置では、遮光部を、ゲート電極及び走査線の各々に対して、共通のコンタクトホールを介して電気的に接続することができる。よって、遮光部を、ゲート電極及び走査線の各々と、別個のコンタクトホールを介して電気的に接続する構成と比較して、製造プロセスをより簡略化させることができる。

また、本発明の電気光学装置では、半導体膜において、第１の接合領域より相対的に光リーク電流の生じ易い傾向にある第２の接合領域に向かって、走査線及び遮光部によって下層側及び上層側から進行してくる光を遮光すると共に、第２部分の存在により、側面側から進行してくる光を遮光することもできる。更には、第２部分において、画素電極側ソースドレイン領域及び該領域の画素電極と電気的に接続される部分の側から、その側面に向かって進行してくる光を遮光することができる。これにより、第２の接合領域に向かって、画素電極側ソースドレイン領域、特に当該領域の画素電極と電気的に接続される部分の側から進行し、その側面に照射される光をより低減できる。よって、第２の接合領域に対する遮光性をより向上させることが可能となる。

従って、以上説明したような本発明の電気光学装置においては、トランジスタにおける光リーク電流をより確実に低減することができ、トランジスタの誤動作やフリッカ等の表示不良を防止して、電気光学装置における表示品位を向上させることが可能となる。また、第２部分内に、遮光部として例えば下層側の第１の走査線に対して二重配線された上層側の走査線の一部が延設される。この場合、第２の走査線とは別途に、上述したような半導体膜の側面側を遮光するための遮光膜を形成なくてもよいため、より簡易な構成でトランジスタに対する遮光構造を設けることができる。

本発明の電気光学装置の一態様では、前記ゲート電極は、前記第１及び第２絶縁膜より、前記コンタクトホールを形成する際のエッチング処理におけるエッチングレートが小さくなるような導電材料により形成される。

この態様では、電気光学装置の製造プロセスにおいて、コンタクトホールは、第１及び第２絶縁膜に対して例えばエッチング処理を施すことにより開口される。この場合、ゲート電極は、第１及び第２絶縁膜よりエッチング処理におけるエッチングレートが小さくなるような導電材料により形成するとよい。これにより、ゲート電極上にコンタクトホールの第１部分を開口する際に、ゲート電極がエッチング処理により損傷し、更には半導体膜のチャネル領域まで損傷する事態を防止することができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第２部分は、前記基板上で平面的に見て、前記半導体膜における、前記第２の接合領域と、前記画素電極側ソースドレイン領域のうち前記画素電極と電気的に接続される第１接続部分とを含む第１部分領域に対して、前記半導体膜に沿って延在する第１延在部分を有する。

この態様によれば、第２部分の第１延在部分において、半導体膜における第１部分領域に対してその側面に向かって進行してくる光を少なくとも部分的に遮光することができる。第１延在部分は、第２部分における、半導体膜の第１部分領域に沿って延在する一部を構成する。第１部分領域には、第２の接合領域、更には画素電極側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域の第１接続部分が含まれる。尚、第１接続部分において、画素電極側ソースドレイン領域は画素電極と電気的に接続される。

特に、第１延在部分が、画素電極側ソースドレイン領域に沿い、第１接続部分の脇にまで延設されることで、第１接続部分の側から、その側面に向かって進行してくる光を少なくとも部分的に遮光することができ、かかる光を低減して、第２の接合領域に照射されるのをより確実に防止することができる。

この、第２部分が第１延在部分を有する態様では、前記第１延在部分は、前記基板上で平面的に見て、前記半導体膜の両脇のうち一方から他方へ前記第１部分領域を囲うように、前記半導体膜の周囲に部分的且つ連続的に形成されるように構成してもよい。

このように構成すれば、コンタクトホールにおいて、基板上で平面的に見て、半導体膜の両脇に第２部分が形成される。第２部分において、第１延在部分は、半導体膜の両脇のうち一方から他方へ、基板上で平面的に見て、半導体膜の周囲に部分的且つ連続的に形成される。よって、基板上で平面的に見て、半導体膜の第１部分領域に対して、その両脇の一方から他方へ連続的に第１延在部分が当該領域を囲うように形成される。

従って、半導体膜の両脇において、チャネル領域に対して側面側から進行してくる光を少なくとも部分的に遮光すると共に、第１延在部分によって、第２の接合領域に対して側面側から進行してくる光を遮光することが可能となる。また、画素電極側ソースドレイン領域については、その両脇の一方から他方に向かって連続的に、側面側から進行してくる光を遮光することが可能となる。よって、第１延在部分は、半導体膜の周囲における、画素電極側ソースドレイン領域の第１接続部分を囲う一部にまで形成される。従って、第１接続部分の側面に向かって進行してくる光を、より広い領域で遮光することができるため、かかる光をより確実に低減することが可能となる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第２部分は、前記基板上で平面的に見て、前記半導体膜における、前記第１の接合領域と、前記データ線側ソースドレイン領域のうち前記データ線と電気的に接続される第２接続部分とを含む第２部分領域に対して、前記半導体膜に沿って延在する第２延在部分を有する。

この態様では、基板上で平面的に見て、コンタクトホールの第２部分は、チャネル領域上の第１部分からその脇に延設され、更に、データ線と電気的に接続される側にまで半導体膜に沿って延設される。より具体的には、第２部分は第２延在部分を有し、第２延在部分は、半導体膜において第２部分領域に対して沿うように延設される。第２部分領域には、第１の接合領域の一例としてデータ線側ＬＤＤ領域、更にはデータ線側ソースドレイン領域及びデータ線側ソースドレイン領域の第２接続部分が含まれる。第２接続部分において、データ線側ソースドレイン領域はデータ線と電気的に接続される。

従って、この態様では、第２延在部分が、半導体膜における第２部分領域の脇に延設され、導電膜が第２延在部分内に形成されることで、第２部分領域に対して、その側面側から進行してくる光を少なくとも部分的に遮光することができる。よって、第１の接合領域について、その側面側から進行してくる光を遮光することが可能となる。また、データ線側ソースドレイン領域の第２接続部分の脇にまで第２延在部分が延設されることで、第２接続部分について、その側面に向かって進行してくる光を少なくとも部分的に遮光することができる。

ここに、基板上で平面的に見て、半導体膜の周囲において、第２部分に第１延在部分に加えて第２延在部分が形成されるようにすれば、半導体膜の側面に向かって進行する光を、より広い領域で遮光することが可能となる。よって、半導体膜の側面に向かって進行し、その側面側から照射される光をより低減できる。

この、第２部分が第２延在部分を有する態様では、前記第２延在部分は、前記基板上で平面的に見て、前記半導体膜の両脇に形成されるように構成してもよい。

このように構成すれば、基板上で平面的に見て第２部分領域の両脇において、側面側から進行してくる光を遮光することが可能となる。よって、第１の接合領域の両脇に加えて、データ線側ソースドレイン領域の第２接続部分の両脇においても、側面側から進行してくる光を遮光することが可能となる。従って、第１の接合領域からデータ線側ソースドレイン領域の第２接続部分にかけて、その側面に向かって進行し、側面側から照射される光をより低減することが可能となる。

この、第２延在部分が半導体膜の両脇に形成される態様では、前記第２延在部分は、前記基板上で平面的に見て、前記半導体膜の両脇のうち一方から他方へ前記第２部分領域を囲うように、前記半導体膜の周囲に部分的且つ連続的に形成されるように構成してもよい。

このように構成すれば、データ側ソースドレイン領域について、その両脇の一方から他方に向かって連続的に、側面側から進行してくる光を遮光することが可能となる。この場合、第２延在部分は、半導体膜の周囲における、データ線側ソースドレイン領域の第２接続部分を囲う一部にまで形成される。従って、第２接続部分の側面に向かって進行してくる光を、より広い領域で遮光することができるため、かかる光をより確実に低減することが可能となる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記遮光部は、前記ゲート電極と少なくとも部分的に重なると共に、前記コンタクトホールにおける前記第１部分内にまで連続的に形成され、前記ゲート電極と電気的に接続される第３接続部分と、該第３接続部分から延設され、前記コンタクトホールにおける前記第２部分内にまで連続的に形成され、前記走査線と電気的に接続される第４接続部分とを有する。

この態様では、コンタクトホール内には遮光部の第３及び第４接続部分が連続的に延設されることで、遮光部とは別途、上述したような半導体膜の側面側を遮光するための遮光膜を形成しなくてもよいため、より簡易な構成でトランジスタに対する遮光構造を設けることができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記遮光部より上層側に、下部容量電極と、該下部容量電極に誘電体膜を介して対向する上部容量電極とを有する蓄積容量を備える。

この態様では、蓄積容量は、トランジスタ及び画素電極間に、画素電極と電気的に並列に接続されて形成される。これにより、蓄積容量は、画像信号の供給に応じて各画素電極の電位を一時的に保持する保持容量として機能し得る。従って、画素電極における電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。

また、蓄積容量は、トランジスタの上層側に遮光部と共に配置される。よって、下部容量電極又は上部容量電極が少なくとも部分的に遮光性を有する導電材料により形成されることで、トランジスタの半導体膜に対して上層側から進行してくる光を遮光することが可能となる。

この、蓄積容量を備える態様では、前記下部容量電極及び前記上部容量電極のうちの少なくとも一方の電極は遮光性を有する導電材料により形成されるように構成してもよい。

このように構成すれば、トランジスタの半導体膜に対して上層側から進行してくる光を遮光することが可能となる。従って、半導体膜において、チャネル領域に加えて、第２の接合領域から画素電極側ソースドレイン領域の第１接続部分、更には第１の接合領域からデータ線側ソースドレイン領域の第２接続部分に対して、それよりも上層側から進行してくる光を遮光し、かかる光をより低減できる。

この、下部又は上部容量電極が遮光性を有する態様では、前記少なくとも一方の電極は、前記第１部分領域を少なくとも部分的に覆うように形成されるように構成してもよい。

このように構成すれば、半導体膜において、第２の接合領域から画素電極側ソースドレイン領域の第１接続部分に対して、それよりも上層側から進行してくる光をより確実に低減できる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記遮光部は、遮光性を有する導電材料により形成されており、前記走査線を第１の走査線とし、該第１の走査線に対して前記他の方向に沿って並走する第２の走査線として形成される。

この態様では、第１及び第２の走査線が表示領域において他の方向に沿って二重配線されるため、走査線の電気的な抵抗を全体的に低くすることが可能となる。また、第１及び第２の走査線の一方に断線等の不具合が生じても、他方を冗長的に機能させることができるため、電気光学装置の信頼性を向上させることができる。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備してなる。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品位な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。

以下図面を参照しながら、本発明の電気光学装置及び電子機器の各実施形態を説明する。尚、本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。
＜第１実施形態＞
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置の平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’線断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板である。対向基板２０も好ましくはＴＦＴアレイ基板１０と同様に透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。尚、本発明に係る「表示領域」の一例が、画像表示領域１０ａに相当する。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。本実施形態に係る液晶装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。

周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。

対向基板２０の４つのコーナー部に対して、両基板間において上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａがマトリクス状に設けられている。画素電極９ａ上には、配向膜（図２中、図示省略）が形成されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上（図２中、遮光膜２３より下側）に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向してベタ状に形成されている。対向電極２１上（図２中、対向電極２１より下側）には配向膜が形成されている（図２中、図示省略）。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。

尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。

図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の夫々には、画素電極９ａ及び本発明に係る「トランジスタ」の一例としてのＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１が電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。

液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。

ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線３００に接続されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。尚、蓄積容量７０は、後述するように、ＴＦＴ３０へ入射する光を遮る内蔵遮光膜としても機能する。

次に、上述の動作を実現する画素部の具体的な構成について、図４及び図５を参照して説明する。ここに図４は、相隣接する複数の画素部の平面図であり、図５は、図４のＡ−Ａ’線断面図である。尚、図４及び図５では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。この点については、後述する各図についても同様である。図４及び図５では、説明の便宜上、画素電極９ａより上側に位置する部分の図示を省略している。

図４において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられている。尚、図４中には、任意の一画素に着目して、かかる画素における画素電極９ａの構成を概略的に図示してある。画素電極９ａの縦横の境界にそれぞれ沿って、データ線６ａ及び走査線１１が設けられている。即ち、走査線１１は、Ｘ方向に沿って延びており、データ線６ａは、走査線１１と交差するように、Ｙ方向に沿って延びている。尚、走査線１１は、下側遮光膜を兼ねる第１の走査線１１ａと、第１の走査線１１ａの上層側に形成された第２の走査線１１ｂとを含み、Ｘ方向に沿って二重配線されてなる。走査線１１及びデータ線６ａが互いに交差する個所の各々には画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。このように、第１の走査線１１ａ及び第２の走査線１１ｂが二重配線されるため、走査線１１の電気的な抵抗を全体的に低くすることが可能となる。また、第１の走査線１１ａ及び第２の走査線１１ｂの一方に断線等の不具合が生じても、他方を冗長的に機能させることができるため、液晶装置の信頼性を向上させることができる。

走査線１１、データ線６ａ、蓄積容量７０、ＴＦＴ３０、及び中継層９３は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極９ａに対応する各画素の開口領域（即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過又は反射される領域）を囲む非開口領域内に配置されている。即ち、これらの走査線１１、データ線６ａ、蓄積容量７０、ＴＦＴ３０、及び中継層９３は、表示の妨げとならないように、各画素の開口領域ではなく、非開口領域内に配置されている。

以下、ＴＦＴアレイ基板１０上の画素部の積層構造について第１層から順に、説明する。

第１層には、導電性ポリシリコン等により、例えば２００ｎｍの膜厚で第１の走査線１１ａが設けられている。第１の走査線１１ａは、図４に示すようにＸ方向に沿って延びる部分と共に、該部分からＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'と重なるようにＹ方向に沿って延在する部分を有している。

第１の走査線１１ａは、図４に示すように、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅに対向する領域を含むように、好ましくは形成される。よって、第１の走査線１１ａによって、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'を殆ど或いは完全に遮光できる。即ち、第１の走査線１１ａは、走査信号を供給する配線として機能すると共に戻り光に対するＴＦＴ３０の下側遮光膜として機能することが可能である。

図５において、第１層の第１の走査線１１ａ及び第２層のＴＦＴ３０間は、下地絶縁膜１２によって絶縁されている。下地絶縁膜１２は、本発明に係る「第１絶縁膜」の一例である。下地絶縁膜１２は、第１の走査線１１ａからＴＦＴ３０を絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。

第２層は、２層構造となっている。第２層の１層目に、半導体膜１ａ及びゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられると共に、第２層の２層目には、第２の走査線１１ｂが設けられている。

まず、第２層の１層目のＴＦＴ３０の構成について説明する。図４又は図５に示すように、半導体膜１ａは、例えばポリシリコンから膜厚が５５ｎｍとして形成され、Ｙ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ'、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。尚、データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、本発明に係る「第１の接合領域」の一例であり、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、本発明に係る「第２の接合領域」の一例である。

データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、チャネル領域１ａ'を基準として、Ｙ方向に沿ってほぼミラー対称に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、チャネル領域１ａ'及びデータ線側ソースドレイン領域１ｄ間に形成されている。画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、チャネル領域１ａ'及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ間に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体膜１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃはそれぞれ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅよりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成される。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅに流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極をマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。

ゲート電極３ａは、半導体膜１ａより上層側に平面的に見てチャネル領域１ａ'に重なるように配置され、半導体膜１ａとゲート絶縁膜２によって絶縁されている。ゲート電極３ａは、例えば膜厚が５０ｎｍとして形成される。

第２層の２層目には、本発明に係る「遮光部」の一例である第２の走査線１１ｂが設けられている。第２の走査線１１ｂは、例えば導電性ポリシリコンとタングステンシリサイド（ＷＳｉ）とを夫々膜厚が６０ｎｍとして積層することにより形成される。第２の走査線１１ｂは、図４に示すように、平面的に見てチャネル領域１ａ'上にゲート電極３ａと重なってＹ方向に沿って延在する部分と、該部分から第１の走査線１１ａに並走してＸ方向に延在する部分とを有している。第２の走査線１１ｂにおいて、平面的に見て、Ｙ方向に沿って延在する部分は、ゲート電極３ａ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃと少なくとも部分的に重なるように形成される。

図５において、第２層及び第３層間には、互いを層間絶縁する層間絶縁膜４１が設けられる。層間絶縁膜４１は、第２層の１層目及び２層目間を層間絶縁する、下層側の絶縁膜４１ａと、第２層の２層目及び第３層間を層間絶縁する、上層側の絶縁膜４１ｂとから構成される。

層間絶縁膜４１のうち、下層側の絶縁膜４１ａは、本発明に係る「第２絶縁膜」の一例に相当し、膜厚が例えば３００ｎｍ程度として形成される。下層側の絶縁膜４１ａ及び下地絶縁膜１２には、コンタクトホール８０１が開口されている。図５において、コンタクトホール８０１は、平面的に見てゲート電極３ａに重なり、下層側の絶縁膜４１ａに開口される第１部分８０１ａと、該第１部分８０１ａから図４に示すＸ方向に沿って半導体膜１ａの脇に延設され、下層側の絶縁膜４１ａを貫通して下地絶縁膜１２にまで開口される第２部分８０１ｂとを有する。

図４又は図５に示すように、第２の走査線１１ｂにおいて、ゲート電極３ａと少なくとも部分的に重なる一部が第３接続部分１１１ａとして第１部分８０１ａ内にまで連続的に形成され、ゲート電極３ａと電気的に接続される。また、第２の走査線１１ｂにおいて、第３接続部分１１１ａから連続的に第４接続部分１１１ｂが第２部分８０１ｂ内にまで連続的に形成され、第２部分８０１ｂ内で第１の走査線１１ａと電気的に接続される。

また、層間絶縁膜４１のうち、上層側の絶縁膜４１ｂは、膜厚が例えば３００ｎｍ程度として形成される。尚、下層側及び上層側の絶縁膜４１ａ及び４１ｂには、画素電極側ソースドレイン領域１ｅと蓄積容量７０の下部容量電極７１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８３が開口されると共に、データ線側ソースドレイン領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するためのコンタクトホール８１も、開口される。

層間絶縁膜４１より上層側の第３層には、下部容量電極７１、及び誘電体膜７５を介して下部容量電極７１と対向する上部容量電極３００を有する蓄積容量７０が形成される。

上部容量電極は、容量線３００と一体的に形成される。容量線３００は、例えば、膜厚が夫々５０ｎｍの２層の窒化チタン（ＴｉＮ）膜間に、膜厚が１５０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）膜が挟持されてなる３層構造を有している。尚、２層の窒化チタン（ＴｉＮ）膜のうち一方は、膜厚が例えば１００ｎｍとして形成されてもよい。

容量線３００は、その詳細な構成については図示を省略してあるが、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持される。容量線３００は、図４において、半導体膜１ａ上において、チャネル領域１ａ'と、データ線側及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｂ及び１ｃと、画素電極側ソースドレイン領域１ｅとに重なるように、Ｙ方向に沿って延在する部分と、該部分からＸ方向に沿って延在する部分を有する。容量線３００において、Ｙ方向に沿って延在する部分と、下部容量電極７１と重なる、Ｘ方向に沿って延在する一部が上部容量電極として機能する。よって、上部容量電極は固定電位に維持される、固定電位側容量電極として機能する。

下部容量電極７１は、図４において、Ｙ方向及びＸ方向の各々に、上部容量電極３００と重なるように延在する部分を有している。そして、Ｙ方向に延在する部分において、画素電極側ソースドレイン領域１ｅと重なると共に、コンタクトホール８３を介して電気的に接続される。また、下部容量電極７１は、Ｘ方向に延在する部分において、容量線３００の配置を避けて、Ｙ方向に延在し、容量線３００より露出する部分を有する。下部容量電極７１は、このように容量線３００より露出する部分において、コンタクトホール８４を介して第４層目の中継層９３と電気的に接続される。中継層９３は、コンタクトホール８５を介して画素電極９ａと電気的に接続される。従って、下部容量電極７１は、画素電位に維持される、画素電位側容量電極として機能する。

誘電体膜７５は、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、或いは窒化シリコン膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。

図５において、蓄積容量７０より上層側には、第３層及び第４層間を層間絶縁する層間絶縁膜４２が形成される。コンタクトホール８４は層間絶縁膜４２を貫通して、下部容量電極７１の表面に達するように開口され、コンタクトホール８１は、層間絶縁膜４２及び４１、更にはゲート絶縁膜２を貫通して開口され、半導体膜１ａの表面に達する。

図４及び図５において、第４層には、データ線６ａ及び中継層９３が設けられている。

図５において、データ線６ａは、コンタクトホール８１を介して、半導体膜１ａのデータ線側ソースドレイン領域１ｄと電気的に接続されている。また、中継層９３は、コンタクトホール８４を介して下部容量電極７１と電気的に接続されている。データ線６ａ及び中継層９３は、例えば金属膜等の導電材料で構成される薄膜を層間絶縁膜４２上に薄膜形成法を用いて形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。従って、データ線６ａ及び中継層９３を同一工程で形成できるため、装置の製造プロセスを簡便にできる。尚、例えばデータ線６ａ及び中継層９３は夫々、膜厚が２０ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜、膜厚が５０ｎｍのＴｉＮ膜、膜厚が３５０ｎｍのＡｌ膜、膜厚が１５０ｎｍのＴｉＮ膜を積層してなる４層構造を有する。

ここに、半導体膜１ａにおいてチャネル領域１ａ'、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅに対向する領域に、Ｙ方向に沿ってデータ線６ａが配線されている。よって、半導体膜１ａにおける、これらの各領域に対して上層側から進行する光を、データ線６ａによって遮光することが可能となる。

図５において、データ線６ａ及び中継層９３より上層側には、第４層及び第５層間を層間絶縁する層間絶縁膜４３が形成されている。コンタクトホール８５は、層間絶縁膜４３を貫通して開口され、中継層９３の表面に達する。

図４及び図５において、第５層には、画素電極９ａが形成されている。図５に示すように、画素電極９ａは、中継層９３及び下部容量電極７１によって、コンタクトホール８５、８４及び８３を介して中継されつつ、半導体膜１ａの画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。図２を参照して既に説明したように、画素電極９ａの上側表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。

以上に説明した画素部の構成は、図４に示すように、各画素部に共通である。画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されている。

次に、本実施形態において特徴的なＴＦＴ３０の半導体膜１ａに対する遮光構造について、図６から図９を参照してより詳細に説明する。ここに図６は、画素部の積層構造における第１層から第３層までに着目して、その配置関係を示す平面図である。図７は、図６におけるＢ０−Ｂ０'線の断面部分の構成を示す断面図であり、図８は、図６におけるＢ１−Ｂ１'線の断面部分の構成を示す断面図であり、図９は、図６におけるＢ２−Ｂ２'線の断面部分の構成を示す断面図である。

図５を参照して説明したように、層間絶縁膜４１のうち下層側の絶縁膜４１ａ及び下地絶縁膜１２には、第１部分８０１ａ及び第２部分８０１ｂを有するコンタクトホール８０１が開口されている。

図５及び図６に示すように、コンタクトホール８０１の第１部分８０１ａは、平面的に見て、ゲート電極３ａと重なる。

図６において、コンタクトホール８０１の第２部分８０１ｂは、平面的に見て、第１部分８０１ａからＸ方向に沿って半導体膜１ａの脇に延設され、更には第１部分領域１１０ｄに対して半導体膜１ａに沿って延在している。第２部分８０１ｂにおいて、第１部分領域１１０ｄに対して半導体膜１ａに沿って延在する部分が、第１延在部分８１１として形成されている。第１部分領域１１０ｄには、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、更には画素電極側ソースドレイン領域１ｅの第１接続部分１ｅｃが含まれる。第１接続部分１ｅｃでは、コンタクトホール８３を介して下部容量電極７１に、画素電極側ソースドレイン領域１ｅが電気的に接続される。上述したように、下部容量電極７１は画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ間の電気的接続を中継する。

図６において、本実施形態では、コンタクトホール８０１の第２部分８０１ｂは、平面的に見て半導体膜１ａの両脇に形成されている。第２部分８０１ｂにおいて、第１延在部分８１１は、半導体膜１ａの両脇のうち一方から他方へ、半導体膜１ａの周囲に部分的且つ連続的に形成されている。よって、半導体膜１ａの第１部分領域１１０ｄに対して、その両脇の一方から他方へ連続的に第１延在部分８１１が当該領域を囲うように形成されている。

図６及び図７において、第２の走査線１１ｂにおいて、第３接続部分１１１ａが第１部分８０１ａ内にまで連続的に形成され、ゲート電極３ａと電気的に接続されている。また、第２の走査線１１ｂにおいて、第４接続部分１１１ｂは、図６から図９に示すように、第３接続部分１１１ａと連続的に、第２部分８０１ｂの第１延在部分８１１内にまで連続的に形成され、第１の走査線１１ａと電気的に接続される。従って、第２部分８０１ｂでは、半導体膜１ａの両脇において、チャネル領域１ａ'の少なくとも一部から、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅの第１接続部分１ｅｃを含む領域において、半導体膜１ａの側面に向かって進行してくる光を少なくとも部分的に遮光することができる。

よって、図７において、半導体膜１ａの両脇において、同図中、例えば矢印Ｐ２で示される方向から、チャネル領域１ａ'の側面に向かって進行してくる光を、第２部分８０１ｂにおいて少なくとも部分的に遮光することが可能となる。更に、図８において、半導体膜１ａの両脇において、例えば矢印Ｐ２で示される方向に沿い、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃの側面に向かって進行してくる光を、第１延在部分８１１において少なくとも部分的に遮光することが可能となる。

加えて、図４及び図５を参照して説明したように、第２の走査線１１ｂのＹ方向に延在する部分は、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃと少なくとも部分的に重なるように形成されている。従って、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対して、図８中、例えば矢印Ｐ０で示される方向に沿い、上層側から進行してくる光を、第２の走査線１１ｂによって遮光することができる。

また、図６において、半導体膜１ａの第１部分領域１１０ｄにおける、画素電極側ソースドレイン領域１ｅについては、その両脇の一方から他方に向かって連続的に、第１延在部分８１１によって、側面側から進行してくる光を遮光することが可能となる。よって、第１延在部分８１１は、半導体膜１ａの周囲における、第１接続部分１ｅｃを囲う一部にまで形成される。これにより、図９において、例えば矢印Ｐ２で示される方向に沿って、第１接続部分１ｅｃの側面に向かって進行してくる光を、第１延在部分８１１において、第１接続部分１ｅｃの周囲のより広い領域で遮光することができる。

また、図６から図９において、第１の走査線１ａは、既に説明したように、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅに対して、図７から図９中に示すように、例えば矢印Ｐ１で示される方向に沿って、下層側から進行してくる光を遮光することができる。

本実施形態では、蓄積容量７０において、下部容量電極７１及び容量線３００のうち少なくとも上部容量電極を構成する一部の一方が、遮光性を有する導電材料により、少なくとも部分的に形成されるのが好ましい。この場合、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ'、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、並びに画素電極側ソースドレイン領域１ｅに対して、例えば図７中に矢印Ｐ０で示す方向に沿って、それよりも上層側から進行してくる光を遮光することが可能となる。尚、下部及び上部容量電極７１及び３００のうち、少なくとも一方は、第１部分領域１１０ｄを平面的に見て少なくとも部分的に覆うように形成されるのが好ましい。このように構成すれば、図８又は図９中に示すように、例えば矢印Ｐ０で示される方向に沿って、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃから画素電極側ソースドレイン領域１ｅの第１接続部分１ｅｃを含む領域に、それよりも上層側から進行してくる光をより確実に低減できる。

従って、本実施形態では、図７において、半導体膜１ａのチャネル領域１ａ'に対して、下層側、上層側及び側面側から進行してくる光を低減できる。また、図８において、データ線側ＬＤＤ領域１ｂよりも相対的に光リーク電流の生じ易い傾向にある画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに向かって、下層側、上層側及び側面側から進行してくる光を低減できる。更には、図９において、画素電極側ソースドレイン領域１ｅに向かって、下層側、上層側及び側面側から進行してくる光を低減できる。特には、画素電極側ソースドレイン領域１ｅを第１接続部分１ｅｃの周囲まで、第１延在部分８１１によって囲うようにすることで、第１接続部分１ｅｃの側から、その側面に向かって進行してくる光を低減して、かかる光が画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに照射されるのをより確実に防止することができる。尚、第１延在部分８１１は、第１接続部分１ｅｃの周囲の全部又は一部を囲うように形成されてもよいし、第１接続部分１ｅｃの側面に向かって進行してくる光を低減するために必要な部分だけに留めるように形成されてもよい。言い換えれば、第１延在部分８１１は、少なくとも第１接続部分１ｅｃの側面の全部又は一部に沿うように形成された部分を有していればよく、半導体膜１ａの両脇のうち一方から他方へ、第１接続部分１ｅｃを囲うように部分的且つ連続的に形成されていないように構成してもよい。

よって、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対する遮光性をより向上させることができ、ＴＦＴ３０における光リーク電流をより確実に低減することが可能となる。これにより、トランジスタの誤動作やフリッカ等の表示不良を防止して、液晶装置における表示品位を向上させることが可能となる。

また、第２部分８０１ｂ内に、第２の走査線１１ｂの第４接続部分１１１ｂが延設されることで、これとは別に、上述したような半導体膜１ａの側面側を遮光するための遮光膜を形成しなくてもよいため、より簡易な構成でＴＦＴ３０に対する遮光構造を設けることができる。従って、例えば特許文献６に開示された遮光構造と比較して、液晶装置の製造プロセスをより簡略化することが可能となる。

更に、本実施形態では、第２の走査線１１ｂにおいて、第３接続部分１１１ａ及び第４接続部分１１１ｂを、ゲート電極３ａ及び第１の走査線１１ａの各々に対して、共通のコンタクトホール８０１を介して電気的に接続することができる。よって、第３接続部分１１１ａ及び第４接続部分１１１ｂを夫々、ゲート電極３ａ及び第１の走査線１１ａの各々と、別個のコンタクトホールを介して電気的に接続する構成と比較して、製造プロセスをより簡略化させることができる。

尚、液晶装置の製造プロセスにおいて、コンタクトホール８０１は、下地絶縁膜１２及び層間絶縁膜４１の下層側の絶縁膜４１ａに対して夫々例えばエッチング処理を施すことにより開口される。ゲート電極３ａは、下地絶縁膜１２及び層間絶縁膜４１の下層側の絶縁膜４１ａより、エッチング処理におけるエッチングレートが小さくなるような導電材料により形成されるのが好ましい。これにより、ゲート電極３ａ上にコンタクトホール８０１の第１部分８０１ａを開口する際に、ゲート電極３ａがエッチング処理により損傷し、更には半導体膜１ａのチャネル領域１ａ'まで損傷する事態を防止することができる。
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について、図１０から図１２を参照して説明する。

第２実施形態では、コンタクトホールの第２部分は第２延在部分を有する点が、第１実施形態とは異なっている。従って、以下では、第１実施形態と異なる点についてのみ図を参照して説明し、第１実施形態と同様の構成については、図１から図９を参照して説明すると共に、図１０から図１２において同一の符号を付して示し、重複する説明を省略することもある。

図１０は、第２実施形態について、画素部の積層構造における第１層から第３層までに着目して、その配置関係を示す平面図である。また、図１１は、図１０におけるＣ０−Ｃ０'線の断面部分の構成を示す断面図であり、図１２は、図１０におけるＣ１−Ｃ１'線の断面部分の構成を示す断面図である。

図１０において、下地絶縁膜１２及び層間絶縁膜４１の下層側の絶縁膜４１ａにおいて、コンタクトホール８０１の第２部分８０１ｂは、平面的に見て、第１延在部分８１１とは反対側に、半導体膜１ａにおいてデータ線６ａと電気的に接続される側にまで延設されている。より具体的には、第２部分８０１ｂは、第１延在部分８１１とは反対側に、半導体膜１ａに沿って延在する第２延在部分８１２を有している。第２延在部分８１２は、半導体膜１ａの両脇において第２部分領域１１０ｓに対して沿うように延設される。第２部分領域１１０ｓには、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、更にはデータ線側ソースドレイン領域１ｄの第２接続部分１ｄｃが含まれる。第２接続部分１ｄｃにおいて、データ線側ソースドレイン領域１ｄは、コンタクトホール８１を介してデータ線６ａと電気的に接続される。

ここに、第２の走査線１１ｂにおいて、第４接続部分１１１ｂは、第３接続部分１１１ａから連続的に、コンタクトホール８０１の第２延在部分８１２内にまで延設される。従って、半導体膜１ａの両脇において、第２部分領域１１０ｓに対してその側面側から進行してくる光を、第２延在部分８１２において少なくとも部分的に遮光することができる。

よって、図１１において、データ線側ＬＤＤ領域１ｂの両脇において、同図中、例えば矢印Ｐ２で示される方向に沿って、その側面側から進行してくる光を、第２延在部分８１２において遮光することができる。尚、第２の走査線１１ｂにおける第４接続部分１１１ｂがＹ方向に沿って、データ線側ＬＤＤ領域１ｂと少なくとも部分的に重なるように形成されることで、図１１中、例えば矢印Ｐ０で示される方向に沿い、データ線側ＬＤＤ領域１ｂの上層側から進行してくる光を、第４接続部分１１１ｂによって遮光することが可能となる。

更に、図１２において、データ線側ソースドレイン領域１ｄの両脇において、同図中、例えば矢印Ｐ２で示される方向に沿って、その側面側から進行してくる光を、第２延在部分８１２において遮光することができる。特に、第２延在部分８１２が、第２接続部分１ｄｃの脇にまで延設されることで、第２接続部分１ｄｃに向かって、側面側から進行してくる光を少なくとも部分的に遮光することができる。

従って、第２実施形態では、第２延在部分８１２が形成されることで、半導体膜１ａにおいて、データ線側ＬＤＤ領域１ｂからデータ線側ソースドレイン領域１ｄの第２接続部分１ｄｃを含む領域にまで、その側面に向かって進行し、側面側から照射される光をより低減することが可能となる。

また、コンタクトホール８０１の第２部分８０１ｂにおいて、第１延在部分８１１、及び平面的に見て第１延在部分８１１とは反対側に第２延在部分８１２が形成されることで、半導体膜１ａの側面に向かって進行する光を、半導体膜１ａの周囲におけるより広い領域で遮光することが可能となる。よって、半導体膜１ａの側面に向かって進行し、その側面側から照射される光をより低減できる。

尚、第２実施形態では、コンタクトホール８０１の第２部分８０１ｂにおける第２延在部分８１２は次のように形成されてもよい。図１３は、第２実施形態の変形例について、画素部の積層構造における第１層から第３層までに着目して、その配置関係を示す平面図である。

図１３において、第２延在部分８１２は、平面的に見て、半導体膜１ａの両脇のうち一方から他方へ第２部分領域１１０ｓを囲うように、半導体膜１ａの周囲に部分的且つ連続的に形成されている。よって、データ側ソースドレイン領域１ｄについて、その両脇の一方から他方に向かって連続的に、側面側から進行してくる光を遮光することが可能となる。この場合、第２延在部分８１２は、半導体膜１ａの周囲における、データ線側ソースドレイン領域１ｄの第２接続部分１ｄｃを囲う一部にまで形成されている。従って、第２接続部分１ｄｃの側面に向かって進行してくる光を、より広い領域で遮光することができるため、かかる光をより確実に低減することが可能となる。
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図１４は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。

図１４に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

尚、図１４を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）等にも適用可能である。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

第１実施形態に係る液晶装置の概略的な平面図である。 図１のＨ−Ｈ’線断面図である。 第１実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。 相隣接する複数の画素部の平面図である。 図４のＡ−Ａ'線断面図である。 画素部の積層構造における第１層から第３層までに着目して、その配置関係を示す平面図である。 図６におけるＢ０−Ｂ０'線の断面部分の構成を示す断面図である。 図６におけるＢ１−Ｂ１'線の断面部分の構成を示す断面図である。 図６におけるＢ２−Ｂ２'線の断面部分の構成を示す断面図である。 第２実施形態について、画素部の積層構造における第１層から第３層までに着目して、その配置関係を示す平面図である。 図１０におけるＣ０−Ｃ０'線の断面部分の構成を示す断面図である。 図１０におけるＣ１−Ｃ１'線の断面部分の構成を示す断面図である。 第２実施形態の変形例について、画素部の積層構造における第１層から第３層までに着目して、その配置関係を示す平面図である。 液晶装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。

符号の説明

１ａ…半導体膜、１ａ'…チャネル領域、１ｂ…データ線側ＬＤＤ領域、１ｃ…画素電極側ＬＤＤ領域、１ｄ…データ線側ソースドレイン領域、１ｅ…画素電極側ソースドレイン領域、１ｅｃ…第１接続部分、３ａ…ゲート電極、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１ａ…第１の走査線、１１ｂ…第２の走査線、１２…下地絶縁膜、１１０ｄ…第１部分領域、４１ａ…層間絶縁膜４１の下層側の絶縁膜、８０１…コンタクトホール、８０１ａ…第１部分、８０１ｂ…第２部分

Claims (13)

1. 基板と、
   前記基板上の表示領域で互いに交差するデータ線及び走査線と、
   前記データ線及び前記走査線の交差に対応して設けられた画素電極と、
   （i）前記走査線より第１絶縁膜を介して上層側に配置され、前記表示領域における一の方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域と、前記データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域と、前記画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域と、前記チャネル領域及び前記データ線側ソースドレイン領域間に形成された第１の接合領域と、前記チャネル領域及び前記画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第２の接合領域とを有する半導体膜と、（ii）該半導体膜より上層側に配置され、前記チャネル領域に重なるゲート電極とを含むトランジスタと、
   前記ゲート電極より第２絶縁膜を介して上層側に配置され、前記基板上で平面的に見て、前記ゲート電極及び前記第２の接合領域と少なくとも部分的に重なるように形成されると共に前記ゲート電極と電気的に接続された遮光部と
   を備え、
   前記第１及び第２絶縁膜には、前記遮光部と前記ゲート電極とを電気的に接続する第１部分と、該第１部分から前記一の方向に交わる他の方向に沿って延在し、前記半導体膜の脇で前記遮光部と前記走査線とを電気的に接続する第２部分とを有するコンタクトホールが形成される
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記ゲート電極は、前記第１及び第２絶縁膜より、前記コンタクトホールを形成する際のエッチング処理におけるエッチングレートが小さくなるような導電材料により形成されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第２部分は、前記基板上で平面的に見て、前記半導体膜における、前記第２の接合領域と、前記画素電極側ソースドレイン領域のうち前記画素電極と電気的に接続される第１接続部分とを含む第１部分領域に対して、前記半導体膜に沿って延在する第１延在部分を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記第１延在部分は、前記基板上で平面的に見て、前記半導体膜の両脇のうち一方から他方へ前記第１部分領域を囲うように、前記半導体膜の周囲に部分的且つ連続的に形成されることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
5. 前記第２部分は、前記基板上で平面的に見て、前記半導体膜における、前記第１の接合領域と、前記データ線側ソースドレイン領域のうち前記データ線と電気的に接続される第２接続部分とを含む第２部分領域に対して、前記半導体膜に沿って延在する第２延在部分を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記第２延在部分は、前記基板上で平面的に見て、前記半導体膜の両脇に形成されることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
7. 前記第２延在部分は、前記基板上で平面的に見て、前記半導体膜の両脇のうち一方から他方へ前記第２部分領域を囲うように、前記半導体膜の周囲に部分的且つ連続的に形成されることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
8. 前記遮光部は、前記ゲート電極と少なくとも部分的に重なると共に、前記コンタクトホールにおける前記第１部分内にまで連続的に形成され、前記ゲート電極と電気的に接続される第３接続部分と、該第３接続部分から延設され、前記コンタクトホールにおける前記第２部分内にまで連続的に形成され、前記走査線と電気的に接続される第４接続部分とを有することを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
9. 前記遮光部より上層側に、下部容量電極と、該下部容量電極に誘電体膜を介して対向する上部容量電極とを有する蓄積容量を備えることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
10. 前記下部容量電極及び前記上部容量電極のうちの少なくとも一方の電極は遮光性を有する導電材料により形成されることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
11. 前記画素電極側ソースドレイン領域は、前記画素電極と電気的に接続される第１接続部分を有し、
    前記少なくとも一方の電極は、前記半導体膜の前記第２の接合領域と前記第１接続部分とを含む第１部分領域を少なくとも部分的に覆うように形成されることを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置。
12. 前記遮光部は、遮光性を有する導電材料により形成されており、前記走査線を第１の走査線とし、該第１の走査線に対して前記他の方向に沿って並走する第２の走査線として形成されることを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
13. 請求項１から１２のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。

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