JP5018336B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
本発明の第2の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、互いに交差するデータ線及び走査線と、前記データ線及び前記走査線の交差に対応して設けられた画素電極と、(i)チャネル領域と、前記データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域と、前記画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域と、前記チャネル領域及び前記データ線側ソースドレイン領域間に形成された第1の接合領域と、前記チャネル領域及び前記画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第2の接合領域とを有する半導体膜と、(ii)前記チャネル領域に重なるゲート電極とを含むトランジスタと、前記半導体膜と同一膜から形成された第1容量電極と、前記ゲート電極よりも上層側に配置されると共に前記第1容量電極に第1誘電体膜を介して対向する第2容量電極とを有する第1蓄積容量とを備え、前記第2容量電極は、前記第1容量電極に対向する第1本体部分と、前記第2の接合領域を少なくとも部分的に覆うように前記第1本体部分から延設され、前記トランジスタと層間絶縁される延設部分とを有し、前記第2容量電極より上層側に、前記第1本体部分と第2誘電体膜を介して対向する第3容量電極を備え、前記第3容量電極より下層側であって前記第2容量電極より上層側に設けられた第2層間絶縁膜を備え、前記第2層間絶縁膜は、前記第2及び第3容量電極が対向する領域に、前記第2容量電極の表面を露出させるように開口された第2開口部を有する。
本発明の第3の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、互いに交差するデータ線及び走査線と、前記データ線及び前記走査線の交差に対応して設けられた画素電極と、(i)チャネル領域と、前記データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域と、前記画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域と、前記チャネル領域及び前記データ線側ソースドレイン領域間に形成された第1の接合領域と、前記チャネル領域及び前記画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第2の接合領域とを有する半導体膜と、(ii)前記チャネル領域に重なるゲート電極とを含むトランジスタと、前記半導体膜と同一膜から形成された第1容量電極と、前記ゲート電極よりも上層側に配置されると共に前記第1容量電極に第1誘電体膜を介して対向する第2容量電極とを有する第1蓄積容量とを備え、前記第2容量電極は、前記第1容量電極に対向する第1本体部分と、前記第2の接合領域を少なくとも部分的に覆うように前記第1本体部分から延設され、前記トランジスタと層間絶縁される延設部分とを有し、前記第2容量電極より上層側に、前記第1本体部分と第2誘電体膜を介して対向する第3容量電極を備え、前記第3容量電極は、前記第2容量電極と対向する第3本体部分と、該第3本体部分から延設され、前記画素電極及び前記画素電極側ソースドレイン領域間の電気的な接続を中継する中継部分とを有する。
本発明の第4の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、互いに交差するデータ線及び走査線と、前記データ線及び前記走査線の交差に対応して設けられた画素電極と、(i)チャネル領域と、前記データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域と、前記画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域と、前記チャネル領域及び前記データ線側ソースドレイン領域間に形成された第1の接合領域と、前記チャネル領域及び前記画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第2の接合領域とを有する半導体膜と、(ii)前記チャネル領域に重なるゲート電極とを含むトランジスタと、前記半導体膜と同一膜から形成された第1容量電極と、前記ゲート電極よりも上層側に配置されると共に前記第1容量電極に第1誘電体膜を介して対向する第2容量電極とを有する第1蓄積容量とを備え、前記第2容量電極は、前記第1容量電極に対向する第1本体部分と、前記第2の接合領域を少なくとも部分的に覆うように前記第1本体部分から延設され、前記トランジスタと層間絶縁される延設部分とを有し、前記第2容量電極より上層側に、前記第1本体部分と第2誘電体膜を介して対向する第3容量電極を備え、前記第3容量電極は、前記データ線と同層に配置される。
<第1実施形態>
本発明の第1実施形態に係る液晶装置について、図1から図6を参照して説明する。
<第2実施形態>
本発明の第2実施形態に係る液晶装置について、図7及び図8を参照して説明する。
<第3実施形態>
本発明の第3実施形態に係る液晶装置について、図10を参照して説明する。
<電子機器>
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図11は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。
Claims (9)
- 基板上に、
互いに交差するデータ線及び走査線と、
前記データ線及び前記走査線の交差に対応して設けられた画素電極と、
(i)チャネル領域と、前記データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域と、前記画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域と、前記チャネル領域及び前記データ線側ソースドレイン領域間に形成された第1の接合領域と、前記チャネル領域及び前記画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第2の接合領域とを有する半導体膜と、(ii)前記チャネル領域に重なるゲート電極とを含むトランジスタと、
前記半導体膜と同一膜から形成された第1容量電極と、前記ゲート電極よりも上層側に配置されると共に前記第1容量電極に第1誘電体膜を介して対向する第2容量電極とを有する第1蓄積容量と
を備え、
前記第2容量電極は、前記第1容量電極に対向する第1本体部分と、前記第2の接合領域を少なくとも部分的に覆うように前記第1本体部分から延設され、前記トランジスタと層間絶縁される延設部分とを有し、
前記第2容量電極より上層側に、前記第1本体部分と第2誘電体膜を介して対向する第3容量電極を備え、
前記第3容量電極より下層側であって前記第2容量電極より上層側に設けられた第2層間絶縁膜を備え、
前記第2層間絶縁膜は、前記第2及び第3容量電極が対向する領域に配置された部分における膜厚が、該部分を除いた他の部分と比較して相対的に小さくなるように形成される
ことを特徴とする電気光学装置。 - 基板上に、
互いに交差するデータ線及び走査線と、
前記データ線及び前記走査線の交差に対応して設けられた画素電極と、
(i)チャネル領域と、前記データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域と、前記画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域と、前記チャネル領域及び前記データ線側ソースドレイン領域間に形成された第1の接合領域と、前記チャネル領域及び前記画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第2の接合領域とを有する半導体膜と、(ii)前記チャネル領域に重なるゲート電極とを含むトランジスタと、
前記半導体膜と同一膜から形成された第1容量電極と、前記ゲート電極よりも上層側に配置されると共に前記第1容量電極に第1誘電体膜を介して対向する第2容量電極とを有する第1蓄積容量と
を備え、
前記第2容量電極は、前記第1容量電極に対向する第1本体部分と、前記第2の接合領域を少なくとも部分的に覆うように前記第1本体部分から延設され、前記トランジスタと層間絶縁される延設部分とを有し、
前記第2容量電極より上層側に、前記第1本体部分と第2誘電体膜を介して対向する第3容量電極を備え、
前記第3容量電極より下層側であって前記第2容量電極より上層側に設けられた第2層間絶縁膜を備え、
前記第2層間絶縁膜は、前記第2及び第3容量電極が対向する領域に、前記第2容量電極の表面を露出させるように開口された第2開口部を有する
ことを特徴とする電気光学装置。 - 基板上に、
互いに交差するデータ線及び走査線と、
前記データ線及び前記走査線の交差に対応して設けられた画素電極と、
(i)チャネル領域と、前記データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域と、前記画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域と、前記チャネル領域及び前記データ線側ソースドレイン領域間に形成された第1の接合領域と、前記チャネル領域及び前記画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第2の接合領域とを有する半導体膜と、(ii)前記チャネル領域に重なるゲート電極とを含むトランジスタと、
前記半導体膜と同一膜から形成された第1容量電極と、前記ゲート電極よりも上層側に配置されると共に前記第1容量電極に第1誘電体膜を介して対向する第2容量電極とを有する第1蓄積容量と
を備え、
前記第2容量電極は、前記第1容量電極に対向する第1本体部分と、前記第2の接合領域を少なくとも部分的に覆うように前記第1本体部分から延設され、前記トランジスタと層間絶縁される延設部分とを有し、
前記第2容量電極より上層側に、前記第1本体部分と第2誘電体膜を介して対向する第3容量電極を備え、
前記第3容量電極は、前記第2容量電極と対向する第3本体部分と、該第3本体部分から延設され、前記画素電極及び前記画素電極側ソースドレイン領域間の電気的な接続を中継する中継部分とを有する
ことを特徴とする電気光学装置。 - 基板上に、
互いに交差するデータ線及び走査線と、
前記データ線及び前記走査線の交差に対応して設けられた画素電極と、
(i)チャネル領域と、前記データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域と、前記画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域と、前記チャネル領域及び前記データ線側ソースドレイン領域間に形成された第1の接合領域と、前記チャネル領域及び前記画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第2の接合領域とを有する半導体膜と、(ii)前記チャネル領域に重なるゲート電極とを含むトランジスタと、
前記半導体膜と同一膜から形成された第1容量電極と、前記ゲート電極よりも上層側に配置されると共に前記第1容量電極に第1誘電体膜を介して対向する第2容量電極とを有する第1蓄積容量と
を備え、
前記第2容量電極は、前記第1容量電極に対向する第1本体部分と、前記第2の接合領域を少なくとも部分的に覆うように前記第1本体部分から延設され、前記トランジスタと層間絶縁される延設部分とを有し、
前記第2容量電極より上層側に、前記第1本体部分と第2誘電体膜を介して対向する第3容量電極を備え、
前記第3容量電極は、前記データ線と同層に配置される
ことを特徴とする電気光学装置。 - 前記トランジスタより上層側であって前記第2容量電極より下層側に、前記第2容量電極のうち前記延設部分を、前記トランジスタから層間絶縁する第1層間絶縁膜を備え、
前記第1層間絶縁膜は、前記第1本体部分が形成される領域に開口された第1開口部を有する
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記第2容量電極において、前記第1本体部分は複数設けられていることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記第2容量電極より上層側に、前記第2容量電極と第2誘電体膜を介して対向する第3容量電極を有する第2蓄積容量を備え、
前記第2容量電極は、前記第1本体部分から延設された第2本体部分において前記第3容量電極と対向する
ことを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の電気光学装置。 - 前記第3容量電極より下層側であって前記第2容量電極より上層側に設けられた第2層間絶縁膜を備えることを特徴とする請求項3又は4に記載の電気光学装置。
- 請求項1から8のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
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