JP2008040399A - 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】液晶装置等の電気光学装置の表示性能を高める。
【解決手段】電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板１０上に、複数のデータ線６ａ及び複数の走査線３ａの交差に対応して設けられた画素電極９ａと、Ｙ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ´、データ線側ソースドレイン領域１ｄ、画素電極側ソースドレイン領域１ｅ、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを有する半導体層１ａを含むＴＦＴ３０とを備える。更に、半導体層１ａよりも上層側に配置され、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに沿った長手状の溝８１０が掘られた層間絶縁膜４１と、層間絶縁膜４１上に設けられ、半導体層１ａに部分的に重なると共に溝８１０内に形成された溝内部分７０ｔを有し、導電性遮光膜を含んでなる蓄積容量７０とを備える。
【選択図】図７

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置に用いられる電気光学装置用基板、及び該電気光学装置用基板を備えてなる電気光学装置、並びに該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置の一例である液晶装置は、直視型ディスプレイのみならず、例えば投射型表示装置の光変調手段（ライトバルブ）としても多用されている。特に投射型表示装置の場合、光源からの強い光が液晶ライトバルブに入射されるため、この光によって液晶ライトバルブ内の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）がリーク電流の増大や誤動作等を生じないよう、入射光を遮る遮光手段としての遮光膜が液晶ライトバルブに内蔵されている。このような遮光手段或いは遮光膜について、例えば特許文献１は、ＴＦＴのチャネル領域において、ゲート電極として機能する走査線によって遮光する技術を開示している。特許文献２によれば、チャネル領域上に形成された複数の遮光膜と、内面反射光を吸収する層とを設けることによってＴＦＴのチャネル領域に到達する光を低減している。特許文献３は、ＴＦＴの好適な動作の確保及び走査線の狭小化を可能としつつ、ＴＦＴのチャネル領域に入射する入射光を極力低減する技術を開示している。

他方、この種の電気光学装置では、基板上における遮光膜が形成された領域、即ち基板上において光を透過させない領域に、画素電極に供給される画像信号を一時的に保持することによって画素電極の電位を一定期間保持する保持容量が設けられる。このような保持容量は、当該保持容量の構成要素である電極を遮光膜として兼用し、ＴＦＴを遮光することもできる。

特開２００４−４７２２号公報 特許３７３１４４７号公報 特開２００３−２６２８８３号公報

しかしながら、上述のように保持容量を遮光膜として兼用し、ＴＦＴを遮光する場合、保持容量とＴＦＴとの間は、３次元的に見て例えば層間絶縁膜等を介して離間しており、保持容量の脇から斜めに入射する入射光がＴＦＴに到達してしまい、ＴＦＴにおける光リーク電流が発生してしまうおそれがある。このようなＴＦＴにおける光リーク電流に起因して、フリッカ、画素ムラ等が生じ、表示画像の品質が低下してしまうおそれがあるという技術的問題点がある。

本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、画素スイッチング用のＴＦＴにおける光リーク電流の発生を低減でき、高品質な画像を表示可能な電気光学装置に用いられる電気光学装置用基板、及びそのような電気光学装置用基板を備えた電気光学装置、並びに電子機器を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置用基板は上記課題を解決するために、基板と、前記基板上の表示領域で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応して設けられた画素電極と、前記表示領域における一の方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域と、前記データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域と、前記画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域と、前記チャネル領域及び前記データ線側ソースドレイン領域間に形成された第１の接合領域と、前記チャネル領域及び前記画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第２の接合領域とを有する半導体層を含むトランジスタと、前記半導体層よりも上層側に配置され、前記基板上で平面的に見て前記第１及び第２の接合領域の少なくとも一方に沿った長手状の溝が掘られた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられ、前記基板上で平面的に見て前記半導体層に少なくとも部分的に重なると共に前記溝内の少なくとも一部に形成された溝内部分を有し、導電性遮光膜を含んでなる蓄積容量とを備える。

本発明の電気光学装置用基板によれば、例えば、データ線から画素電極へ画像信号が制御され、所謂アクティブマトリクス方式による画像表示が可能となる。尚、画像信号は、データ線及び画素電極間に電気的に接続されたスイッチング素子であるトランジスタがオンオフされることによって、所定のタイミングでデータ線からトランジスタを介して画素電極に供給される。画素電極は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる透明電極であり、データ線及び走査線の交差に対応して、基板上において表示領域となるべき領域にマトリクス状に複数設けられる。

トランジスタは、チャネル領域、データ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域を有する半導体層を含む。例えば、ゲート電極がチャネル領域に重なるように形成される。

チャネル領域は、表示領域における一の方向に沿ったチャネル長を有する。本発明に係る「一の方向」とは、例えば基板上でマトリクス状に規定された複数の画素の行方向、即ち複数のデータ線が配列される配列方向或いは複数の走査線の各々が延びる方向（即ちＸ方向）、又は例えば基板上でマトリクス状に規定された複数の画素の列方向、即ち複数の走査線が配列される配列方向或いは複数のデータ線の各々が延びる方向（即ちＹ方向）を意味する。

データ線側ソースドレイン領域はデータ線と互いに電気的に接続され、画素電極側ソースドレイン領域は画素電極と互いに電気的に接続される。更に、半導体層のチャネル領域とデータ線側ソースドレイン領域との間には第１の接合領域が形成され、半導体層のチャネル領域と画素電極側ソースドレイン領域との間には第２の接合領域が形成される。第１の接合領域は、チャネル領域とデータ線側ソースドレイン領域との接合部に形成される領域であり、第２の接合領域は、チャネル領域と画素電極側ソースドレイン領域との接合部に形成される領域である。即ち、第１及び第２の接合領域は、例えば、トランジスタが例えばＮＰＮ型或いはＰＮＰ型トランジスタ（即ち、Ｎチャネル型或いはＰチャネル型トランジスタ）として形成された場合におけるＰＮ接合領域や、トランジスタがＬＤＤ構造を有する場合におけるＬＤＤ領域（即ち、例えばイオンプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層に不純物を打ち込んでなる不純物領域）を意味する。

蓄積容量は、基板上の積層構造においてトランジスタ上に形成された絶縁膜上に形成される。蓄積容量は、画素電位側ソースドレイン領域及び画素電極に電気的に接続されており、画素電極の電位を一時的に保持する保持容量として機能する。これにより、画素電極を画像信号に応じた電位に保持する電位保持特性を向上させることが可能となる。蓄積容量は、半導体層に少なくとも部分的に重なるように、典型的には、半導体層のチャネル領域、第１及び第２の接合領域を覆うように形成される。蓄積容量は、導電性遮光膜を含んでおり（より具体的には、蓄積容量を構成する一対の容量電極の少なくとも一方は、例えば金属膜等の導電性遮光膜から形成されており）、トランジスタに上層側から入射する光を遮光する内蔵遮光膜として機能する。よって、トランジスタにおける光リーク電流の発生を低減できる。

本発明では特に、積層構造においてトランジスタと蓄積容量との間に配置された絶縁膜（言い換えれば、蓄積容量の直下に配置された絶縁膜）には、基板上で平面的に見て第１及び第２の接合領域の少なくとも一方に沿った長手状の溝が掘られている。即ち、絶縁膜には、溝が、一の方向に沿って延びるように形成された半導体層における第１及び第２の接合領域の少なくとも一方に沿った両側又は片側に、所定距離だけ離れて、一の方向に沿って長手状に形成されている。更に、蓄積容量は、前述の溝内の少なくとも一部に形成された溝内部分を有する。溝内部分は、蓄積容量のうち半導体層と重なる平面状に形成された部分から延在して、典型的には、溝における壁部及び底部に沿って形成される。即ち、蓄積容量は、いわゆるトレンチ（Trench）構造を有する。よって、溝内部分は、３次元的に見て、半導体層における第１及び第２の接合領域の少なくとも一方に沿った、壁状の遮光体として形成される。従って、半導体層における第１及び第２の接合領域の少なくとも一方に対して斜めに入射する光（即ち、基板面に沿った成分を有する光）を、溝内部分によって遮ることができる。つまり、半導体層の近傍に配置された壁状の遮光体として形成される溝内部分によって、半導体層に対して斜めに入射する光を遮る遮光性を強化できる。この結果、画像表示におけるフリッカや画素ムラを低減できる。

更に、蓄積容量は、溝内部分を有する分だけ容量値が増加する。よって、画素電極における電位保持特性を高めることができる。言い換えれば、蓄積容量が溝内部分を有さない場合（即ち、蓄積容量が平面的にのみ形成される場合）と比較して、製品に要求される表示性能を実現する容量値を有する蓄積容量を、基板上の狭い領域に作り込むことができる。従って、画像表示におけるフリッカや画素ムラを低減でき、更には、装置の小型化を実現できる。

以上説明したように、本発明の電気光学装置用基板によれば、画素電極に電気的に接続されたトランジスタにおける光リーク電流を低減できると共に、画素電極における電位保持特性を高めることができ、フリッカや画素ムラが低減された高品質な画像を表示可能な電気光学装置を提供することが可能である。

本発明の電気光学装置用基板の一態様では、前記溝は、前記基板上で平面的に見て前記少なくとも一方の両側に設けられ、前記溝内部分は、前記両側に設けられた溝の両方に形成される。

この態様によれば、蓄積容量の溝内部分が、半導体層における第１及び第２の接合領域の少なくとも一方の両側に、壁状の遮光体として形成される。即ち、蓄積容量は、例えば、少なくとも一方の接合領域に向かって凹状の断面形状を有するように形成される。よって、少なくとも一方の接合領域に対して両側から斜めに入射される光を遮光できる。従って、トランジスタにおける光リーク電流を、より一層、低減できる。

本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記溝は、前記基板上で平面的に見て前記第２の接合領域に沿って設けられる。

この態様によれば、蓄積容量の溝内部分は、第２の接合領域に沿って、例えば、壁状の遮光体として形成される。ここで、本願発明者の研究によれば、経験的に、トランジスタの動作時に、第２の接合領域では、第１の接合領域に比べて光リーク電流が相対的に発生しやすい傾向にある。本態様では、蓄積容量の溝内部分によって、半導体層の第２の接合領域に入射する光をより確実に遮光することにより、半導体層の第２の接合領域に入射する光の量をより低減することが可能となる。その結果、より効果的にトランジスタにおける光リーク電流の発生を低減することが可能となる。

本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記溝の深さは、前記絶縁膜の上側表面から前記半導体層の上側表面までの層間距離よりも大きい。

この態様によれば、蓄積容量の溝内部分は、例えば、絶縁膜の上側表面から半導体層よりも下層側まで掘られた溝の壁部及び底部に沿って形成される。よって、半導体層に対して斜めに入射する光を遮る遮光性を、より一層、高めることができる。

本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記溝内部分は、前記溝における、前記半導体層側の内側壁部と底部の一部とに形成される。

この態様によれば、溝内部分は、溝における半導体層側の内側壁部と該内側壁部に対向する外側壁部のうち、内側壁部に沿って壁状に沿って形成されると共に溝における底部の一部に形成される。よって、半導体層に対して斜めに入射する光を確実に遮ることができる。

本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記蓄積容量は、前記基板上で平面的に見て、少なくとも前記溝と重なる。

この態様によれば、蓄積容量の溝内部分は、溝における半導体層側の内側壁部に沿って壁状に形成された部分、溝における底部上に形成された部分、及び溝における内側壁部に対向する外側壁部に沿って壁状に形成された部分として形成される。よって、半導体層に対して斜めに入射する光を確実に遮ることができる。更に、仮に溝内部分を溝内に部分的に形成した場合と比較して、蓄積容量の容量値を大きくすることができる。よって、画素電極における電位保持特性を、より一層、高めることができる。

本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記蓄積容量は、前記基板上で平面的に見て、少なくとも前記第２の接合領域と重なる。

この態様によれば、第１の接合領域に比べて光リーク電流が相対的に発生しやすい傾向にある第２の接合領域を、より確実に遮光できる。よって、より効果的にトランジスタにおける光リーク電流の発生を低減することが可能となる。

本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記第１及び第２の接合領域は、ＬＤＤ領域である。

この態様によれば、トランジスタは、ＬＤＤ構造を有する。よって、トランジスタの非動作時において、データ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域に流れるオフ電流を低減し、且つトランジスタの動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。

本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記蓄積容量は、前記一の方向に沿って延びると共に、前記第１の接合領域を覆う第１部分と、前記第２の接合領域を覆うと共に前記第１部分より前記一の方向に交わる他の方向の幅が広い第２部分とを有し、前記溝は、前記基板上で平面的に見て前記第２部分が形成された領域内に設けられる。

この態様によれば、蓄積容量における、第２の接合領域を覆う第２部分は、第１の接合領域を覆う第１部分よりも一の方向に交わる他の方向の幅が広くなるように構成される。即ち、第２部分は、例えばＹ方向に沿って延びる半導体層に対して、例えばＸ方向の幅が、第１部分よりも広くなるように構成される。言い換えれば、第２部分は、他の方向に沿って、第１部分よりも長く延びる延在部を有する。よって、第２の接合領域に入射する光を、第１の接合領域に入射する光よりも確実に遮光できる。即ち、第２の接合領域に到達する光を遮る遮光性を、第１の接合領域に到達する光を遮る遮光性よりも高める（即ち、強化する）ことができる。更に、溝は、第１部分より幅の広い第２部分が形成された領域内に設けられるので、溝の形成が容易であると共に、該溝内に形成された蓄積容量の溝内部分によって、第１の接合領域に比べて光リーク電流が相対的に発生しやすい傾向にある第２の接合領域を、より確実に遮光できる。

本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記蓄積容量を構成する一対の容量電極の各々は、金属膜から形成される。

この態様によれば、蓄積容量は、金属膜−誘電体膜（絶縁膜）−金属膜が積層されてなる、所謂ＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）構造を有する。このような蓄積容量によれば、一対の容量電極に供給される各種信号に応じて該一対の容量電極で消費される消費電力を低減できる。加えて、一対の容量電極のいずれか一方を半導体層により形成する場合と比べて、この一方の電極における導電率を高め、蓄積容量の保持容量としての機能をより向上させることが可能となる。

尚、本発明に係る「金属膜」とは、例えばアルミニウム等の比較的低抵抗な導電材料を含んで形成される単層の導電膜、又はこのような導電膜を含んで形成される多層膜を意味する。

本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記蓄積容量を構成する一対の容量電極の一方は、金属膜から形成され、前記一対の容量電極の他方は、半導体膜から形成される。

この態様によれば、蓄積容量は、金属膜−誘電体膜（絶縁膜）−半導体膜が積層されてなる、所謂ＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconductor）構造を有する。このような構成によれば、蓄積容量を、所謂ＭＩＭ構造を有するように形成する場合と比較して、安価な製造装置により容易に作製することが可能となり、その結果、電気光学装置用基板の製造に要する製造コストを低減できる。

尚、本発明に係る「半導体膜」とは、ポリシリコン等の半導体材料により形成される導電膜を意味する。

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置用基板を備える。

本発明の電気光学装置によれば、上述した本発明の電気光学装置用基板を備えているため、フリッカや画素ムラが低減された高品質な画像を表示可能な電気光学装置を提供することができる。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を具備してなる。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。

以下図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器の各実施形態を説明する。尚、本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。
＜第１実施形態＞
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置の平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素部が設けられる、本発明に係る「表示領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。本実施形態に係る液晶装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。

周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。

対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。

ＴＦＴアレイ基板１０は例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板である。対向基板２０もＴＦＴアレイ基板１０と同様に透明基板である。

ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。例えば、画素電極９ａはＩＴＯ膜などの透明導電膜からなり、配向膜は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。

対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は例えば、ＩＴＯ膜などの透明導電膜からなる。配向膜２２は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。

このように構成され、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜により所定の配向状態をとる。

尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。

図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の夫々には、画素電極９ａ及び本発明に係る「トランジスタ」の一例としてのＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置は、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。

液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。

ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線３００に接続されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。尚、蓄積容量７０は、後述するように、ＴＦＴ３０へ入射する光を遮る内蔵遮光膜としても機能する。

次に、上述の動作を実現する画素部の具体的な構成について、図４及び図５を参照して説明する。ここに図４は、相隣接する複数の画素部の平面図である。図５は、図４のＡ−Ａ´線断面図である。尚、図４及び図５では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。この点については、後述する図６から図１０についても同様である。図４及び図５では、説明の便宜上、画素電極９ａより上側に位置する部分の図示を省略している。図５において、ＴＦＴアレイ基板１０から画素電極９ａまでの部分が、本発明に係る「電気光学装置用基板」の一例を構成している。

図４において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられている。画素電極９ａの縦横の境界にそれぞれ沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。即ち、走査線３ａは、Ｘ方向に沿って延びており、データ線６ａは、走査線３ａと交差するように、Ｙ方向に沿って延びている。走査線３ａ及びデータ線６ａが互いに交差する個所の各々には画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。

走査線３ａ、データ線６ａ、蓄積容量７０、下側遮光膜１１ａ、中継層９３及びＴＦＴ３０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極９ａに対応する各画素の開口領域（即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過又は反射される領域）を囲む非開口領域内に配置されている。即ち、これらの走査線３ａ、蓄積容量７０、データ線６ａ、下側遮光膜１１ａ、及びＴＦＴ３０は、表示の妨げとならないように、各画素の開口領域ではなく、非開口領域内に配置されている。

図４及び図５において、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａ、及び走査線３ａの一部として形成されたゲート電極３ｂを含んで構成されている。

半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、Ｙ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ´、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。尚、データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、本発明に係る「第１の接合領域」の一例であり、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、本発明に係る「第２の接合領域」の一例である。

データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、チャネル領域１ａ´を基準として、Ｙ方向に沿ってほぼミラー対称に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、チャネル領域１ａ´及びデータ線側ソースドレイン領域１ｄ間に形成されている。画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、チャネル領域１ａ´及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ間に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、例えばイオンプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃはそれぞれ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅよりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成される。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極をマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。

図４に示すように、ゲート電極３ｂは、走査線３ａの一部として形成されており、例えば導電性ポリシリコンから形成されている。走査線３ａは、Ｘ方向に沿って延びる本線部分と共に、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´のうち該本線部分が重ならない領域と重なるようにＹ方向に沿って延在する部分を有している。このような走査線３ａのうちチャネル領域１ａ´と重なる部分がゲート電極３ｂとして機能する。ゲート電極３ｂ及び半導体層１ａ間は、ゲート絶縁膜２（より具体的には、２層の絶縁膜２ａ及び２ｂ）によって絶縁されている。

図４及び図５において、ＴＦＴ３０の下側に下地絶縁膜１２を介して格子状に設けられた下側遮光膜１１ａは、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などである、ＴＦＴアレイ基板１０側から装置内に入射する戻り光からＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´及びその周辺を遮光する。下側遮光膜１１ａは、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。

図５において、下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。

図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも層間絶縁膜４１を介して上層側には、蓄積容量７０が設けられている。

蓄積容量７０は、下部容量電極７１と上部容量電極３００ａが誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。

上部容量電極３００ａは、容量線３００の一部として形成されている。容量線３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設されている。上部容量電極３００ａは、容量線３００を介して定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持された固定電位側容量電極である。上部容量電極３００ａは、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、ＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜（内蔵遮光膜）としても機能する。尚、上部容量電極３００ａは、本発明に係る「導電性遮光膜」として、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から構成されていてもよい。

下部容量電極７１は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された画素電位側容量電極である。より具体的には、下部容量電極７１は、コンタクトホール８３を介して画素電極側ソースドレイン領域１ｅと電気的に接続されると共に、コンタクトホール８４を介して中継層９３に電気的に接続されている。更に、中継層９３は、コンタクトホール８５を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。即ち、下部容量電極７１は、中継層９３と共に画素電極側ソースドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する。下部容量電極７１は、導電性のポリシリコンから形成されている。よって、蓄積容量７０は、所謂ＭＩＳ構造を有している。尚、下部容量電極７１は、画素電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜としての上部容量電極３００ａとＴＦＴ３０との間に配置される、光吸収層或いは遮光膜としての機能も有する。

誘電体膜７５は、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、或いは窒化シリコン膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。

尚、図６及び図７を参照して後に詳細に説明するが、層間絶縁膜４１には、ここでは図示しない溝８１０が設けられており、蓄積容量７０は、溝８１０内に形成された溝内部分７０ｔを有している。

尚、下部容量電極７１を、上部容量電極３００ａと同様に金属膜から形成してもよい。即ち、蓄積容量７０を、金属膜−誘電体膜（絶縁膜）−金属膜の３層構造を有する、所謂ＭＩＭ構造を有するように形成してもよい。この場合には、ポリシリコン等を用いて下部容量電極７１を構成する場合に比べて、液晶装置の駆動時に、当該液晶装置全体で消費される消費電力を低減でき、且つ各画素部における素子の高速動作が可能になる。

図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上の蓄積容量７０よりも層間絶縁膜４２を介して上層側には、データ線６ａ及び中継層９３が設けられている。層間絶縁膜４１及び４２間には、部分的に絶縁膜６１が介在している。

データ線６ａは、半導体層１ａのデータ線側ソースドレイン領域１ｄに、層間絶縁膜４１、絶縁膜６１及び層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８１を介して電気的に接続されている。データ線６ａ及びコンタクトホール８１内部は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニウム）含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。データ線６ａは、ＴＦＴ３０を遮光する機能も有している。

中継層９３は、層間絶縁膜４２上においてデータ線６ａと同層に形成されている。データ線６ａ及び中継層９３は、例えば金属膜等の導電材料で構成される薄膜を層間絶縁膜４２上に薄膜形成法を用いて形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。従って、データ線６ａ及び中継層９３を同一工程で形成できるため、装置の製造プロセスを簡便にできる。

図５において、画素電極９ａは、データ線６ａよりも層間絶縁膜４３を介して上層側に形成されている。画素電極９ａは、下部容量電極７１、コンタクトホール８３、８４及び８５、並びに中継層９３を介して半導体層１ａの画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。コンタクトホール８５は、層間絶縁層４３を貫通するように形成された孔部の内壁にＩＴＯ等の画素電極９ａを構成する導電材料が成膜されることによって形成されている。画素電極９ａの上側表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。

以上に説明した画素部の構成は、図４に示すように、各画素部に共通である。画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されている。

次に、本実施形態に係る液晶装置の蓄積容量の形状について、図６及び図７を参照して詳細に説明する。ここに図６は、本実施形態に係る液晶装置の蓄積容量を構成する一対の容量電極の平面形状を示す平面図である。図７は、図６のＢ−Ｂ´線断面図である。尚、図６では、図４に示した画素部を構成する構成要素のうち、ＴＦＴ３０、走査線３ａ及び蓄積容量７０を拡大して示し、その他の構成要素については図示を省略している。また、図７では、層間絶縁膜４２より上層側の構成要素については図示を省略している。

図６に示すように、蓄積容量７０を構成する上部容量電極３００ａは、データ線側ＬＤＤ領域１ｂを覆う第１部分３０１と、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを覆う第２部分３０２とを有している。よって、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに上層側から入射する光を、第１部分３０１及び第２部分３０２の各々によって遮光できる。従って、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃにおける光リーク電流の発生を低減できる。

更に、本実施形態では、上部容量電極３００ａにおける第２部分３０２は、第１部分３０１よりもＸ方向の幅が広くなるように構成されている。即ち、第２部分３０２のＸ方向の幅Ｗ２は、第１部分３０１のＸ方向の幅Ｗ１よりも広くなっている。よって、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに入射する光を、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに入射する光よりも確実に遮光できる。即ち、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに到達する光を遮る遮光性を、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに到達する光を遮る遮光性よりも高める或いは強化することができる。ここで、本願発明者は、ＴＦＴ３０の動作時に、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃにおいて、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに比べて光リーク電流が相対的に発生しやすいと推察している。即ち、ＴＦＴ３０の動作時に、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに光が照射された場合には、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに光が照射された場合よりも、ＴＦＴ３０における光リーク電流が発生しやすいと推察している。従って、第２部分３０２が第１部分３０１の幅Ｗ１よりも広い幅Ｗ２を有するように形成されることによって、光リーク電流が相対的に生じ易い画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対する遮光性を高めることができ、ＴＦＴ３０に流れる光リーク電流を効果的に低減できる。逆に言えば、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに比べて光リーク電流が相対的に発生しにくいデータ線側ＬＤＤ領域１ｂを覆う第１部分３０１が、第２部分３０２よりも狭い幅Ｗ１を有するように形成されることによって、開口率の無駄な低下を防止できる。尚、ここで「開口率」とは、開口領域及び非開口領域を加えた画素のサイズにおける開口領域の割合を意味し、開口率が大きいほど、液晶装置の表示性能が向上する。

図６及び図７に示すように、本実施形態では特に、層間絶縁膜４１の表面には、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに沿った長手状の溝８１０が掘られている。溝８１０は、Ｙ方向に沿って延びるように形成された半導体層１ａにおける画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに沿った両側に、所定距離Ｌ１だけ離れて、Ｙ方向に沿って長手状に形成されている。溝８１０は、層間絶縁膜４１の表面に、例えばエッチングを施すことによって形成できる。更に、蓄積容量７０は、溝８１０内に形成された溝内部分７０ｔを有している。溝内部分７０ｔは、上部容量電極３００ａのうち溝８１０内に形成された溝内部分３００ｔと、誘電体膜７５のうち溝８１０内に形成された溝内部分７５ｔと、下部容量電極７１のうち溝８１０内に形成された溝内部分７１ｔとから構成されている。溝内部分７０ｔは、蓄積容量７０のうち半導体層１ａと重なる平面状に形成された部分７０ｓから延在して、溝８１０における半導体層１ａ側の内側壁部８１０ａ及び該内側壁部８１０ａに対向する外側壁部８１０ｃ並びに底部８１０ｂに沿って形成されている。即ち、蓄積容量７０は、いわゆるトレンチ構造を有している。よって、溝内部分８１０は、３次元的に見て、半導体層１ａにおける画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに沿った、壁状の遮光体として形成されている。従って、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対して斜めに入射する光（即ち、Ｘ方向或いはＹ方向に沿った成分を有する光、例えば、図７中、矢印Ｐ１或いはＰ２で示す方向に沿って入射する光）を、溝内部分７０ｔ（特に、金属膜からなる上部容量電極３００ａが延在されてなる溝内部分３００ｔ）によって遮ることができる。つまり、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃの近傍に配置された壁状の遮光体として形成される溝内部分７０ｔによって、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対して斜めに入射する光を遮る遮光性を強化できる。この結果、画像表示におけるフリッカや画素ムラを低減できる。

図７において、本実施形態では特に、溝内部分７０ｔは、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃの両側に形成されている。即ち、蓄積容量７０は、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに向かって凹状の断面形状を有している。よって、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに比べて光リーク電流が相対的に発生しやすい傾向にある画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対して両側から斜めに入射される光を遮光できる。つまり、溝内部分７０ｔによって、光リーク電流が相対的に発生しやすい画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対して、図７中、左右いずれの側から入射される光も確実に遮断できる。従って、ＴＦＴ３０における光リーク電流を効率的に且つ確実に低減できる。

尚、溝８１０を画素電極側ＬＤＤ領域１ｃの片側（即ち、図６中、左側又は右側）のみに設けて、溝内部分７０ｔを画素電極側ＬＤＤ領域１ｃの片側のみに形成してもよい。この場合にも画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対して斜めに入射する光を遮る遮光性を相応に強化できる。但し、遮光性を強化するという観点からは、本実施形態のように、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃの両側に溝内部分７０ｔを形成することが好ましい。

更に、本実施形態では特に、蓄積容量７０は、溝内部分７０ｔを有する分だけ容量値が大きくなっている。よって、画素電極９ａにおける電位保持特性をより一層高めることができる。言い換えれば、蓄積容量７０が溝内部分７０ｔを有さない場合（即ち、蓄積容量７０が平面的にのみ形成される場合）と比較して、蓄積容量７０を、製品に要求される表示性能を実現する容量値を有するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の狭い領域に作り込むことができる。従って、画像表示におけるフリッカや画素ムラを低減でき、更には、開口率の向上或いは装置の小型化を実現できる。

尚、溝８１０を、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃの両側又は片側に設けるのに加えて、データ線側ＬＤＤ領域１ｂの片側又は両側に設けてもよい。そして、溝内部分７０ｔを、データ線側ＬＤＤ領域１ｂの片側又は両側に設けてもよい。この場合には、蓄積容量７０の容量値をより一層大きくすることができる。よって、画素電極９ａにおける電位保持特性をより一層高めることができる。また、データ線側ＬＤＤ領域１ｂに対して斜めに入射する光を遮る遮光性を高めることができる。

図７に示すように、本実施形態では特に、溝８１０の深さＤ１は、層間絶縁膜４１の上側表面から半導体層１ａの上側表面までの層間距離Ｄ２よりも大きい。より具体的には、溝８１０は、層間絶縁膜４１の表面から、層間絶縁膜４１、絶縁膜２ａ及び下地絶縁膜１２を貫通して、ＴＦＴアレイ基板１０における上層側の一部まで掘られている。そして、溝内部分７０ｔは、層間絶縁膜４１の上側表面から半導体層１ａよりも下層側に配置された下側遮光膜１１ａの両側にまで達するように、壁状に形成されている。よって、半導体層１ａに対して斜め上側から入射する光（即ち、例えば、図７中、矢印Ｐ１で示す方向に沿って入射する光、つまり、入射光のうちＸ方向或いはＹ方向成分を有する光）を確実に遮ることができると共に、半導体層１ａに対して斜め下側から入射する光（即ち、例えば、図７中、矢印Ｐ２で示す方向に沿って入射する光、つまり、戻り光のうちＸ方向或いはＹ方向成分を有する光）を遮ることができる。

尚、図７に示すように、蓄積容量７０における部分７０ｓ及び溝内部分７０ｔは、下側遮光膜１１ａと共に、積層構造において（或いは断面的に見て）画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを囲むように形成されている。このため、蓄積容量７０或いは下側遮光膜１１ａによって、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに向かう光の大部分を遮ることができる。

図８に第１変形例として示すように、ゲート電極３ｂを、Ｘ方向に沿って延びる本線部３ｂｘと、本線部３ｂｘからＹ方向に沿って画素電極側ＬＤＤ領域１ｃの側に突出した凸部３ｂｙを有するように構成してもよい。ここに図８は、第１変形例における図６と同趣旨の平面図である。この場合には、チャネル領域１ａ´にゲート電極３ｂを重ねつつ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを、溝８１０及び溝内部分７０ｔにおけるＹ方向に沿った中央寄りに配置できる。よって、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対して斜めに入射する光をより一層確実に遮ることができる。

更に、図９及び図１０に第２変形例として示すように、上述した第１変形例における溝８１０に代えて、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て蓄積容量７０と互いに重ならない部分を有する溝８２０を形成し、溝内部分７０ｔに代えて溝内部分７０ｆを、溝８２０における半導体層１ａ側の内側壁部８２０ａと底部８２０ｂの一部とに形成してもよい。ここに図９は、第２変形例における図６と同趣旨の平面図であり、図１０は、図９のＣ−Ｃ´線断面図である。この場合には、内側壁部８２０ａと底部８２０の一部とに沿って形成された溝内部分７０ｆ（特に、溝内部分７０ｆのうち内側壁部８２０ａに沿って壁状に形成された部分）によって半導体層１ａに対して斜めに入射する光を遮光できる。更に、蓄積容量７０は、溝内部分７０ｆの分だけ容量値が大きくなっているので、画素電極における電位保持特性を高めることができる。

以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置によれば、画素スイッチング用のＴＦＴ３０の画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに対する遮光性を強化でき、ＴＦＴ３０における光リーク電流を低減できる。更に、蓄積容量７０の容量値を大きくすることができ、画素電極９ａにおける電位保持特性を高めることができる。これらの結果、本実施形態に係る液晶装置によれば、フリッカや画素ムラが低減された高品質な画像を表示可能である。
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図１１は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。

図１１に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

尚、図１１を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置用基板、該電気光学装置用基板を備えた電気光学装置、及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。 図１のＨ−Ｈ´線断面図である。 第１実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の等価回路図である。 第１実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の平面図である。 図４のＡ−Ａ´線断面図である。 第１実施形態に係る液晶装置の蓄積容量の平面図である。 図６のＢ−Ｂ´線断面図である。 第１変形例における図６と同趣旨の平面図である。 第２変形例における図６と同趣旨の平面図である。 図９のＣ−Ｃ´線断面図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。

符号の説明

１ａ…半導体層、１ａ´…チャネル領域、１ｂ…データ線側ＬＤＤ領域、１ｃ…画素電極側ＬＤＤ領域、１ｄ…データ線側ソースドレイン領域、１ｅ…画素電極側ソースドレイン領域、２、２ａ、２ｂ…絶縁膜、３ａ…走査線、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１２…下地絶縁膜、２０…対向基板、２１…対向電極、２３…遮光膜、４１、４２、４３…層間絶縁膜、５０…液晶層、５２…シール材、５３…額縁遮光膜、７０…蓄積容量、７０ｔ、７０ｆ…溝内部分、７１…下部容量電極、７５…誘電体膜、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、１０６…上下導通端子、１０７…上下導通材、３００…容量線、３００ａ…上部容量電極、３０１…第１部分、３０２…第２部分、８１０、８２０…溝、８１０ａ、８２０ａ…内側壁部、８１０ｂ、８２０ｂ…底部、８１０ｃ、８２０ｃ…外側壁部

Claims (13)

1. 基板と、
   前記基板上の表示領域で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、
   前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応して設けられた画素電極と、
   前記表示領域における一の方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域と、前記データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域と、前記画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域と、前記チャネル領域及び前記データ線側ソースドレイン領域間に形成された第１の接合領域と、前記チャネル領域及び前記画素電極側ソースドレイン領域間に形成された第２の接合領域とを有する半導体層を含むトランジスタと、
   前記半導体層よりも上層側に配置され、前記基板上で平面的に見て前記第１及び第２の接合領域の少なくとも一方に沿った長手状の溝が掘られた絶縁膜と、
   前記絶縁膜上に設けられ、前記基板上で平面的に見て前記半導体層に少なくとも部分的に重なると共に前記溝内の少なくとも一部に形成された溝内部分を有し、導電性遮光膜を含んでなる蓄積容量と
   を備えたことを特徴とする電気光学装置用基板。
2. 前記溝は、前記基板上で平面的に見て前記少なくとも一方の両側に設けられ、
   前記溝内部分は、前記両側に設けられた溝の両方に形成される
   ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
3. 前記溝は、前記基板上で平面的に見て前記第２の接合領域に沿って設けられることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置用基板。
4. 前記溝の深さは、前記絶縁膜の上側表面から前記半導体層の上側表面までの層間距離よりも大きいことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
5. 前記溝内部分は、前記溝における、前記半導体層側の内側壁部と底部の一部とに形成されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
6. 前記蓄積容量は、前記基板上で平面的に見て、少なくとも前記溝と重なることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
7. 前記蓄積容量は、前記基板上で平面的に見て、少なくとも前記第２の接合領域と重なることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
8. 前記第１及び第２の接合領域は、ＬＤＤ領域であることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
9. 前記蓄積容量は、前記一の方向に沿って延びると共に、前記第１の接合領域を覆う第１部分と、前記第２の接合領域を覆うと共に前記第１部分より前記一の方向に交わる他の方向の幅が広い第２部分とを有し、
   前記溝は、前記基板上で平面的に見て前記第２部分が形成された領域内に設けられることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
10. 前記蓄積容量を構成する一対の容量電極の各々は、金属膜から形成されることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
11. 前記蓄積容量を構成する一対の容量電極の一方は、金属膜から形成され、前記一対の容量電極の他方は、半導体膜から形成されることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
12. 請求項１から１１のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板を備えたことを特徴とする電気光学装置。
13. 請求項１２に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。

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