JP2010067879A - 薄膜トランジスタ及び電気光学装置並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】薄膜トランジスタにおいて、光リーク電流の発生を抑制しつつ、サイズの縮小化を図る。
【課題を解決するための手段】薄膜トランジスタは、基板（１０）上に形成されており、チャネル領域（３０ａ２）及びソースドレイン領域（３０ａ１、３０ａ３）を有する半導体層と、チャネル領域にゲート絶縁膜を介して対向配置されたゲート電極（３０ｂ）とを備える。基板は、薄膜トランジスタに電気的に接続された配線等のうち少なくとも一つが形成される主表面（１２´´）、並びに該主表面に対して斜めに傾いた傾斜面（１２´）を有し、半導体層のうち少なくとも前記チャネル領域は、傾斜面に形成されている。
【選択図】図５

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置において素子基板上の画素毎に配置されたスイッチング用薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと呼ぶ）及びその薄膜トランジスタを備えた電気光学装置、並びに電子機器に関する。

この種の薄膜トランジスタの一例である画素スイッチング用ＴＦＴは、直視型ディスプレイのみならず、例えば投射型表示装置の光変調手段（ライトバルブ）として用いられる電気光学装置にも多用されている。投射型表示装置の場合は特に、光源からの強い光が液晶ライトバルブに入射されるため、この光によって液晶ライトバルブ内のＴＦＴにおけるリーク電流の増大や誤動作等を生じないよう、入射光を遮る遮光手段が薄膜トランジスタを含む積層構造に取り込まれている。

例えば、特許文献１及び２では、半導体層の上下層に配置された遮光膜の端部をテーパ形状にすることで、光源からチャネル領域に入射しようとする光を効果的に遮光している。また、特許文献２では、半導体層の側壁部に遮光層を形成することによって、チャネル領域への入射光を遮光する技術が開示されている。

特開２０００−１８０８９９号公報 特開２００４−４５５７６号公報

しかしながら、上述の背景技術によれば、遮光膜の数を増加したり、遮光膜自体の形状を複雑に形成する必要がある。そのため、配線等の配置スペースが制限され、装置設計におけるレイアウトの自由度を大きく狭めてしまう。特に、例えば液晶装置等の電気光学装置のように高精細化が一般的要請として要求される装置においては、装置の小型化や高精細化を実現しようとする際の妨げとなってしまう。また、高精細化の要請の下では、ＴＦＴ自体のサイズを小さくすることも要求されるが、単にＴＦＴのサイズを小さくするとオン電流が減少してしまい、ＴＦＴの性能が低下してしまうという技術的問題点もある。

本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、光リーク電流の発生を抑制しつつ、サイズが小さく高精細化に適した薄膜トランジスタ及びそのような薄膜トランジスタを備える電気光学装置並びに電子機器を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に形成された薄膜トランジスタであって、チャネル領域及びソースドレイン領域を有する半導体層と、前記チャネル領域にゲート絶縁膜を介して対向するように配置されたゲート電極とを備え、前記基板は、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された配線、電極及び電子素子のうち少なくとも一つが形成されている主表面、並びに該主表面に対して斜めに傾いた傾斜面を有し、前記半導体層のうち少なくとも前記チャネル領域は、前記傾斜面に形成されている。

本発明にかかる薄膜トランジスタは、基板上に形成され、半導体層とゲート電極を有している。ここで、基板は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板や、シリコン基板等である。特に、本発明における基板は、基板上に形成される薄膜トランジスタに電気的に接続された配線、電極及び電子素子のうち少なくとも一つが形成されている主表面、並びに該主表面に対して斜めに傾いた傾斜面を有している。

半導体層は、チャネル領域、ソースドレイン領域を有しており、典型的には、チャネル領域はソース領域とドレイン領域によって挟み込まれるように配置されている。尚、チャネル領域と、ソース領域及びドレイン領域との間には、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層に不純物を打ち込んでなる不純物領域であるＬＤＤ領域（Lightly doped drain）領域が形成されていてもよい。半導体層のうちチャネル領域に対向する位置には、ゲート電極が配置されている。ゲート電極は、例えばポリシリコン等の導電性材料から形成されている。

ここで、半導体層のうち少なくともチャネル領域は、基板の主表面に対して所定の角度だけ斜めに傾いた傾斜面上に形成されている。つまり、チャネル領域は斜めな面上に形成されている。ここで、所定の角度は、０度（即ち、主表面と平行な方向）より大きく、９０度（即ち、主表面に対して垂直な方向）より小さい値を取り得る。言い換えれば本発明における「傾斜面」は、「テーパ面」或いは「順テーパ面」ということもでき、主表面に平行な面、主表面に対して垂直に切り立った面、及び主表面に対して逆テーパを有する面を除く意味である。

本発明によれば、このような傾斜面にチャネル領域を形成することによって、基板に対して入射或いは、基板の裏側から反射してくる光に対して、チャネル領域の遮光性を向上させることができる。例えば、基板に対して垂直な方向から見た場合、チャネル領域が斜めに形成されているので、見かけ上のチャネル領域の面積が減少する。そのため、仮に基板に対して垂直な方向から光を入射させると、チャネル領域に照射される光の量が減少することになる。言い換えれば、チャネル領域の単位面積当たりに照射される光の量は、傾斜面の傾斜角度に応じて三角関数的に減ずることとなる。チャネル領域に光が照射されると光リーク電流が発生し、ＴＦＴの誤作動等を招くことから、このようにチャネル領域を傾斜面に形成し、チャネル領域の遮光性を高めることで、チャネル領域における光リーク電流の発生を効果的に抑制することが可能となる。

また、主表面に対する傾斜面の角度は、傾斜面の、入射光の進行方向に対する角度ができるだけ小さくなるように設定するとよい。例えば、基板に対して垂直な方向から光を照射した場合、チャネル領域が形成された傾斜面を、基板に対して垂直（即ち、所定の角度が９０度）に近づくように設定するとよい。このように傾斜面を形成することにより、入射光の進行方向から見たチャネル領域の面積をより小さくすることができるので、効果的にチャネル領域の遮光性を向上させ、光リーク電流の発生を抑制することができる。但し、半導体層の成膜、パターニング、不純物ドープ等の各製造工程の容易性も考慮して、光の入射角度に対して光リーク電流を減ずる効果が顕著に得られる程度に傾けるのが実践上好ましい。

尚、チャネル領域に侵入しようとする光に、進行方向の異なる様々な成分が含まれている場合には、最も輝度が大きい光成分の入射方向を基準として、上述のように傾斜面の角度を規定すればよい。このように規定すれば、様々な方向から入射しようとする光に対しても、効率的かつ効果的にチャネル領域の遮光性を高めることができ、光リーク電流の発生を抑制することができる。言い換えれば、小さい面積で効率的に遮光する事が可能となり、高開口率化に有利となる。

また、本発明によれば、実際のチャネル領域の面積を減少させることなく、光リーク電流を減少させることができる。光リーク電流を減少させるために遮光性を向上させる方法として、典型的には、チャネル領域の面積を減少させることによって、チャネル領域に侵入する光の量を減少させることが考えられる。しかしながら、この方法によると、チャネル領域の面積が小さくなるに従い、半導体層の断面積も減少してしまうので、ＴＦＴのオン電流も減少してしまう。その結果、ＴＦＴの性能低下が引き起こされてしまう。その点、本発明では、チャネル領域の面積を変えることなく、単に傾斜面上に形成するだけであるから、オン電流が減少することもない。従って、ＴＦＴの動作性能を低下させることなく、遮光性を向上させることが可能であり、チャネル領域における光リーク電流を効果的に抑制することができるトランジスタを実現することができる。

本発明の薄膜トランジスタの一の態様では、前記ソースドレイン領域のうち、前記ゲート電極に対して電気的に絶縁された導電層と電気的に接続されているコンタクト領域が、前記主表面に形成されている。

この態様によれば、ソースドレイン領域のうちコンタクト領域は、チャネル領域のように傾斜面上に形成されるのではなく、傾いていない主表面上に形成されている。ここで、コンタクト領域とは、ソースドレイン領域のうちＴＦＴと電気的に接続される導電層（例えば、液晶装置におけるデータ線や走査線等）に接続されている領域である。仮にコンタクト領域を傾斜面上に形成してしまうと、異なる層上に導電層をソースドレイン領域に電気的に接続するように形成する際に、導電層のエッチングが技術的に困難になってしまう。つまり、傾斜面上に形成した導電層をエッチングしようとすると、水平な面状に形成した導電層の場合に比べて、エッチングの精度が著しく低下してしまう。そこで、本態様のように、コンタクト部を基板の主表面上に形成することで、導電層のエッチング精度を向上させることができる。

本発明の薄膜トランジスタの他の態様では、前記基板上における前記半導体層より下層側に積層され、前記基板上で平面的に見て少なくとも前記チャネル領域より広く形成された下側遮光膜を更に備える。

この態様によれば、半導体層の下層側には下側遮光膜が積層されている。そして、下側遮光膜は、基板上で平面的に見たときに、光リーク電流が発生しやすいチャネル領域より広い面積を有するように形成されている。このように半導体層の下側に遮光膜を形成することによって、チャネル領域を含んだチャネル領域への光の侵入を効果的に防ぐことができ、チャネル領域における光リーク電流の発生を抑制することができる。特に、半導体層の下層側に遮光膜を設けることによって、基板における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光等に対する遮光性を向上させることができる。

上述の下側遮光膜を有する態様において、前記半導体層は、ＬＤＤ領域を更に有し、前記下側遮光膜は、前記基板上で平面的に見て前記チャネル領域及び前記ＬＤＤ領域より広く形成してもよい。

この態様では、半導体層の下層側に形成された下側遮光膜は、基板上で平面的に見たときに、チャネル領域及びＬＤＤ領域より広い面積を有するように形成されている。このように下側遮光膜を形成することによって、ＬＤＤ領域やチャネル領域を含んだ半導体層への光の侵入を防ぐことができ、光リーク電流の発生やＴＦＴの誤作動をより効果的に抑制することができる。

また、下側遮光膜は、前記ゲート電極に走査信号を供給する走査線を兼ねる部分を有し、前記走査線を兼ねる部分は、前記ゲート絶縁膜に開口されたコンタクトホールを埋めるように形成された導電性の側壁遮光層を介して前記ゲート電極に電気的に接続されるように形成してもよい。

この態様によれば、下側遮光膜は、例えば画素毎に設けられた画素電極をオン／オフ駆動するためにスイッチング用ＴＦＴのゲート電極に入力される走査信号を供給する走査線を含むように形成されている。従って、下側遮光膜は導電性及び遮光性を有する非透明の金属等、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等の遮光性材料から形成するとよい。即ち、下側遮光膜については、ＴＦＴ完成前に形成する必要があるので、ＴＦＴ製造時における高温処理に耐えられる金属を使うとよい。

本態様では特に、ゲート電極と下側遮光膜とは、ゲート絶縁膜に開口されたコンタクトホールを埋めるように形成された側壁遮光層を介して電気的に接続されている。つまり、ゲート電極と下側遮光膜は、典型的には、ゲート絶縁膜を含む層間絶縁膜を介して上下に積層された異なる層に形成されている。そこで、本態様では、基板に対して垂直な方向に開口されている部分を含むようにコンタクトホールが開口され、コンタクトホールを埋めるように側壁遮光層が形成される。また、側壁遮光膜は、ゲート電極と下側遮光膜とを電気的に接続するため、遮光性を有する導電性材料、例えばポリシリコン等から形成するとよい。

このように、典型的にはチャネル領域の上側に形成されているゲート電極と、チャネル領域の下側に形成されている下側遮光膜とが、基板に対して垂直な方向に形成された側壁遮光層によって接続されているので、基板の横方向（即ち、基板に対して平行な方向）からチャネル領域に侵入しようとする光を、側壁遮光層によって遮光することが可能となる。従って、基板に対して斜めに入射する光に対しても、チャネル領域の遮光性を高めることができる。

更に、前記側壁遮光層は、前記傾斜面に隣接する前記基板との間隔が異なる２つ領域のうち、前記基板との間隔が大きい方に開口された前記コンタクトホールに形成されていることが好ましい。

このように側壁遮光層を形成すれば、傾斜面に隣接する前記基板との間隔が異なる２つ領域のうち、前記基板との間隔が大きい方、即ち、下側遮光膜とチャネル領域との間隔が大きく開口している領域を効果的に遮光することができる。つまり、下側遮光膜とチャネル領域との間隔が大きく開口していると、基板の斜め方向から侵入しようとする光がチャネル領域に侵入しやすくなる。そこで、このように光が侵入しやすい大きく開口した領域に、基板に垂直な方向に側壁遮光層を設けることで、より効果的に光を遮ることができる。

前記下側遮光膜は、前記傾斜面に平行な領域を有するように形成されていてもよい。

この態様では、下側遮光膜はチャネル領域が形成されている傾斜面に平行な領域を有するように形成されている。チャネル領域は上述の通り、基板に対して所定の角度だけ傾いた傾斜面上に形成されている。そのため、仮に下側遮光膜を主表面と平行な面上に形成すると、傾斜面に形成されたチャネル領域の端部のうち、一端は下側遮光膜との間隔が狭くなるため、この一端付近の領域に関しては遮光性を向上させることができるが、もう片方の一端付近の領域では、逆に、チャネル領域と基板との間隔が広がり、下側遮光膜による遮光性が低下してしまう。そこで、本態様では、半導体層の下側に形成する下側遮光膜がチャネル領域に平行な領域を有するように形成することで、チャネル領域と下側遮光膜との間隔が広がることを防ぎ、チャネル領域への光の侵入をより効果的に防止している。このように、下側遮光膜を形成することで、より光リーク電流を抑制することが可能となる。

本発明の薄膜トランジスタの他の態様では、前記基板上における前記半導体層より上層側に積層され、前記基板上で平面的に見て少なくとも前記チャネル領域より広く形成されており、前記傾斜面に平行な領域を有するように形成された上側遮光膜を更に備える。

この態様によれば、半導体層の上層側には、上側遮光膜が積層されている。そして、上側遮光膜は、基板上で平面的に見たときに、少なくともチャネル層より広い面積を有するように形成されている。このように半導体層の上層側に遮光膜を形成することで、チャネル領域の遮光性を更に向上させることができ、チャネル領域における光リーク電流の発生をより効果的に抑制することができる。

特に本態様では、上側遮光膜はチャネル領域が形成されている傾斜面に平行な領域を有するように形成されている。チャネル領域は上述の通り、基板に対して所定の角度だけ傾いた傾斜面に形成されている。そのため、特定の方向から侵入しようとする光に対しては、チャネル領域への照射量を減少させることによって遮光性を高めることができるものの、その他の方向（特に、傾斜面に形成されたチャネル領域に対して垂直な方向）から侵入しようとする光は、依然としてチャネル領域に光リーク電流を発生させる要因となる可能性がある。そこで、本態様のように、傾斜面に平行な領域を有するように上側遮光膜を設けることによって、チャネル領域に対して垂直に入射しようとする光に対しても遮光性を効果的に向上させ、光リーク電流を更に抑制することができる。

上述の上側遮光膜を有する態様では、前記半導体層は、ＬＤＤ領域を更に有し、前記上側遮光膜は、前記基板上で平面的に見て前記チャネル領域及び前記ＬＤＤ領域より広く形成されてもよい。

この態様では、半導体層の上層側に形成された上側遮光膜は、基板上で平面的に見たときに、チャネル領域及びＬＤＤ領域より広い面積を有するように形成されている。このように上側遮光膜を形成することによって、ＬＤＤ領域やチャネル領域への光の侵入を防ぐことができ、光リーク電流の発生やＴＦＴの誤作動をより効果的に抑制することができる。

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、上述した本発明に係る薄膜トランジスタ（但し、その各種態様も含む）と、前記基板に対向するように配置された他方の基板と、前記基板及び前記他方の基板間に挟持された電気光学物質とを備える。

本発明の電気光学装置によれば、上述した薄膜トランジスタを備えるので、チャネル領域における光リーク電流を効果的に減少させつつ、オン電流の減少等の特性低下を招くこともない。特に、液晶装置のような電気光学装置において画素電極への画像信号のオン／オフのスイッチング用素子として上述の薄膜トランジスタを用いることで、液晶装置の画像処理速度の上昇や誤動作の減少を図ることができ、高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を備える。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像を表示することが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することも可能である。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための最良の形態から明らかにされる。

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。

＜１．電気光学装置＞
以下の実施形態では、本発明に係る薄膜トランジスタを適用した電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。

＜１−１．第１実施形態＞
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’線断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板や、シリコン基板等である。対向基板２０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素電極が設けられた画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。

周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。

ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作りこまれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる画素電極９がマトリクス状に設けられている。画素電極９上には、配向膜（図２において省略）が形成されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、ブラックマトリクス２３が形成されている。ブラックマトリクス２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状、ストライプ状等にパターニングされている。遮光膜２３上には、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９と対向して、対向基板２０の全面に亘って（例えばベタ状に）形成されている。対向電極２１上には配向膜が形成されている。

このように構成され、画素電極９と対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で所定の配向状態をとる。

尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路の他に、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。

次に、第１実施形態に係る液晶装置の画像表示領域の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、第１実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。

図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の
各々には、画素電極９及び本発明に係る「トランジスタ」の一例としての画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９に電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置の動作時に画素電極９をスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６は、ＴＦＴ３０のソース領域に電気的に接続されている。データ線６に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、互いに隣り合う複数のデータ線６同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

ＴＦＴ３０のゲートには走査線１１が電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０（図２参照）に形成された対向電極２１（図２参照）との間で一定期間保持される。

液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。

ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９と対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量に対して電気的に並列に蓄積容量７０が付加されている。

次に、上述の動作を実現するＴＦＴアレイ１０基板上の積層構造の具体的な構成を、図４から図７を参照して説明する。

図４は、本実施形態に係る電気光学装置のＴＦＴ３０周辺の構成を示す平面図であり、図５は図４のＡ−Ａ´線断面図である。尚、図４及び図５では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また、図４では、説明の便宜上、各層を透過的に図示しており、図５で示す部材のいくつかを省略している。

図４に示すように、走査線１１はＸ方向に沿って延在しており、ＴＦＴ３０付近において半導体層３０ａ（即ち、データ線側ソースドレイン領域３０ａ１、チャネル領域３０ａ２及び画素電極側ソースドレイン領域３０ａ３）より広く形成すべく、部分的にＹ方向にも沿って形成されている。また、走査線１１は、ＴＦＴ３０のチャネル幅方向については、図４及び図５に示すように、チャネル領域３０ａ２のチャネル幅よりも広くなるように形成されている。特にチャネル長の方向については、図４に示すように、チャネル領域３０ａ２のチャネル長及び後述のＬＤＤ領域の合計長さよりも広くなるように形成されている。更に、好ましくは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、半導体層３０ａの全域を覆うことで、半導体層３０ａのいずれかの箇所に光が侵入し、半導体層３０ａ内を通ってチャネル領域３０ａ２やＬＤＤ領域まで至る事態を効果的に防止している。

尚、ここでは図示を省略しているが、細長く形成された半導体層３０ａに沿って（即ち、Ｙ方向に沿って）データ線６が延在しており、データ線６や走査線１１の各種配線等によって規定されている開口領域（即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過又は反射される領域）には、画素電極９が画素毎に複数設けられている。

走査線１１は、半導体層３０ａの下層側に形成されている（図５参照）。走査線１１は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等の遮光性材料からなる。即ち、本実施形態において、走査線１１は下側遮光膜として機能し、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などである、ＴＦＴアレイ基板１０側から装置内に入射する戻り光から、ＴＦＴ３０のチャネル領域３０ａ２及びその周辺を遮光する。

図４に示すように、走査線１１の幅は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見たときに、半導体層３０ａを全て含むように幅広に形成されている。このように下側遮光膜として機能する走査線１１を広く形成することにより、ＴＦＴアレイ基板１０に対して垂直に半導体層３０ａに入射しようとする光だけでなく、斜め又は側方から入射しようとする光をも効率的に遮光することが可能となる。

ＴＦＴ３０は、走査線１１及びデータ線６の交差に対応して配置されている。ＴＦＴ３０は、半導体層３０ａと、チャネル領域３０ａ２にゲート絶縁膜１３を介して対向配置されたゲート電極３０ｂとを含んで構成されている。ゲート電極３０ｂは、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された走査線１１に、コンタクトホール３１を介して電気的に接続されている。

ＴＦＴ３０を構成する半導体層３０ａは、データ線側ソースドレイン領域３０ａ１、チャネル領域３０ａ２、及び画素電極側ソースドレイン領域３０ａ３を有している。データ線側ソースドレイン領域３０ａ１、チャネル領域３０ａ２、画素電極側ソースドレイン領域３０ａ３は、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって、半導体層３０ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。ここで、ソースドレイン領域３０ａ１及び３０ａ３と、チャネル領域３０ａ２との間には、ソースドレイン領域３０ａ１及び３０ａ３よりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成されるＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域を設けてもよい。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、データ線側ソースドレイン領域３０ａ１及び画素電極側ソースドレイン領域３０ａ３間に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。

データ線側ソースドレイン領域３０ａ１は、コンタクトホール３２を介して、画像信号を供給するデータ線６に電気的に接続されている。また、画素電極側ソースドレイン領域３０ａ３は、コンタクトホール３３を介して、画素電極（図４において図示省略）に電気的に接続されている。

続いて、図５を参照して、ＴＦＴ３０付近の断面構造について詳細に説明する。ＴＦＴアレイ基板１０上には、下側遮光膜として機能する走査線１１が、半導体層３０ａよりも幅広に形成されている。

走査線１１は下地絶縁膜１２によって覆われており、表面には半導体層３０ａ（図５においてはチャネル領域３０ａ２）が形成されている。ここで、下地絶縁膜１２は、チャネル領域３０ａ２が形成される面がＴＦＴアレイ基板１０の表面に対してθだけ傾くように、その表面に傾斜面１２´を有している。尚、主表面１２´´は、傾斜面１２´以外の領域であって、ＴＦＴアレイ基板１０の表面に平行な面である。

ここで、再び図４を参照して、ＴＦＴ３０付近の領域における傾斜面１２´の位置関係について説明する。図４に示すように、内側の点線１２ａで囲まれた領域は、外側の点線１２ｂより外側の領域に比べて、下地絶縁膜１２の膜厚が厚く形成されている。内側の点線１２ａと外側の点線１２ｂとによって囲まれた領域は、ＴＦＴアレイ基板１０の面に対してθの勾配角を有する傾斜面１２´である。つまり、下地絶縁膜１２は、内側の点線１２ａで囲まれた領域を頂上とする山なりの形状の表面を有するように形成されている。一方、主表面１２´´は、外側の点線１２ｂより外側の領域、及び内側の点線１２ａより内側の領域である。

図４に示すように、下地絶縁膜１２上の傾斜面１２´には、半導体層３０ａのうち少なくともチャネル領域３０ａ２が配置される。尚、本実施形態のように、データ線側ソースドレイン領域３０ａ１及び画素電極側ソースドレイン領域３０ａ３についても、部分的に傾斜面１２´上に形成されていてもよい。

再び、図５に戻って、下地絶縁膜１２の傾斜面１２´上には、半導体層３０ａのチャネル領域３０ａ２が形成されている。傾斜面１２´はＴＦＴアレイ基板１０の表面に対してθだけ傾いており、その表面に形成されたチャネル領域３０ａ２もθだけ傾いている。このように、チャネル領域３０ａ２を傾けて形成することによって、例えば図５において太い矢印で示したように、ＴＦＴアレイ基板１０に対して垂直に入射する光に対して、チャネル領域３０ａ２の遮光性を向上させることができる。

ここで、図６に示す比較例を参照にしながら、本発明によるチャネル領域３０ａ２が形成されている傾斜面１２´の役割について説明する。図６は、本実施形態において、チャネル領域３０ａ２をＴＦＴアレイ基板１０の表面と平行な面上に形成した場合の比較例を示す模式図である。比較例において、その他の構成については、本実施形態の場合と同様である。

図６では、図中の矢印で示すように、ＴＦＴアレイ基板１０に垂直な方向から入射する光は、チャネル領域３０ａ２に対しても垂直に入射する。そのため、入射光は、チャネル領域３０ａ２の実際の幅Ｗ２に渡って照射する。また、上層遮光膜８が全く光を透過しない完全な遮光体であったとしても、回り込み光を避けるためには、Ｗ２に対して十分な幅を設ける必要がある。

一方、図５に示す本実施形態においては、チャネル領域ａ２がθだけ傾いているので、光が照射すチャネル領域３０ａ２の幅は、Ｗ２ではなくＷ１（＝ｃｏｓＷ２）となる。つまり、本来のチャネル領域３０ａ２の幅であるＷ２よりも、狭い幅Ｗ１にしか光は照射しない。そのため、同条件下において、図６に示す比較例に比べて、チャネル領域３０ａ２に照射される光量が減少する。従って、その分、光リーク電流の発生量も少なくなる。このようにして、チャネル領域３０ａ２を傾斜面上に形成することによって、チャネル領域３０ａ２の遮光性を向上させることができる。回り込み光に対しても、Ｗ２ではなく、Ｗ１に対して幅を確保するため遮光幅を狭くする事ができ、即ち高開口率化に有利となる。

ここで、θの値は、チャネル領域３０ａ２が形成されている傾斜面１２´と、入射光の進行方向との角度ができるだけ小さくなるように、０度（即ち、基板と平行な方向）から９０度（即ち、基板の面に対して垂直な方向）の範囲の値を取るように設定するとよい。例えば、図５において矢印で示したようなＴＦＴアレイ基板１０に対して垂直に入射する光に対しては、θを９０度に近くなるように設定すると、よりＷ１の値が小さくなり、効率的かつ効果的にチャネル領域３０ａ２の遮光性を向上させることができる。尚、ＴＦＴアレイ基板１０への入射光に、進行方向の異なる様々な成分が含まれている場合には、最も輝度が大きい光成分の入射方向を基準として、同様の方法でθを規定すれば、より効率的に遮光性を向上させることができる。

また、本実施形態によれば、実際のチャネル領域３０ａ２の幅（即ち、Ｗ２）を小さくすることなく、入射光に対する照射面積を減少させることができる。仮に、照射面積を減少させるために、実際にチャネル領域３０ａ２の幅（即ち、Ｗ２）を小さくしてしまうと、ＴＦＴ３０がオン駆動されたときに流れるオン電流の値も小さくなってしまい、ＴＦＴ３０の特性が低下する。それに対し、本実施形態では、チャネル領域３０ａ２をＴＦＴアレイ基板１０に対してθだけ傾けた傾斜面に形成するだけで、実際にチャネル領域３０ａ２の幅（即ち、Ｗ２）を変更することはないので、オン電流が小さくなってしまうことはない。従って、ＴＦＴ３０の特性低下も生じない。

半導体層３０ａ１は、ゲート絶縁膜１３によって覆われており、ゲート絶縁膜１３上にはゲート電極３０ｂが形成されている。ゲート電極３０ｂは、下地絶縁膜１２及びゲート絶縁膜１３に開口されたコンタクトホール３１に形成された側壁遮光層１８を介して、走査線１１に電気的に接続されている。ゲート電極３０ｂは、遮光性を有する導電性材料、例えばポリシリコンから形成されている。

図５に示すように、ゲート絶縁膜１３を介して、チャネル領域３０ａ２の上面を覆うようにゲート電極３０ｂを形成することによって、ＴＦＴアレイ基板１０の上方から入射する光に対して遮光性を、更に向上させることができる。その結果、チャネル領域３０ａ２に光が照射されることによって生じる光リーク電流をより効率的に抑制することが可能となる。

本実施形態では特に、ゲート電極３０ｂは側壁遮光層１８を介して走査線１１に接続されている。側壁遮光層１８はＴＦＴアレイ基板１０に対して垂直な方向に開口されたコンタクトホール３１に形成されているので、図５の右側からチャネル領域３０ａ２に向かって斜めに入射しようとする光を遮光することができる。このように側壁遮光層１８を設けることによって、より多方向から入射する光に対して、チャネル領域３０ａ２を効果的に遮光することができる。

ゲート電極３０ｂは層間絶縁膜１４によって覆われており、層間絶縁膜１４上には上側遮光膜８が形成されている。上側遮光膜８は、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成するとよい。

本実施形態では特に、上側遮光膜８は、チャネル領域３０ａ２よりも幅広に設けられており、ＴＦＴアレイ基板１０の上方から半導体層３０ａ入射しようとする光を遮光する役割を果たしている。このように上側遮光膜８を幅広に形成することにより、ＴＦＴアレイ基板１０に対して垂直に半導体層３０ａに入射しようとする光だけでなく、斜め又は側方から入射しようとする光をも効率的に遮光することが可能となる。

また、図５に示すように、上側遮光膜８はチャネル領域３０が形成されているθだけ傾いている傾斜面１２´と平行な部分を有するように形成されている。このように上側遮光膜８を形成すれば、その端部において下層側に形成した遮光膜（即ち、ゲート電極３０ｂや走査線１１）と、上側遮光膜８との間隔を狭く形成することができる。仮に、遮光膜間の間隔が広いと、ＴＦＴアレイ基板１０の上下方向から斜めに入射する光がチャネル領域３０ａ２に多く侵入しようとするので、チャネル領域３０ａ２の遮光性が低下してしまう。従って、このように上側遮光膜８を形成することで、斜め方向からの入射光に対する遮光性を、更に向上させることが可能となる。

上側遮光膜８上には層間絶縁膜１５が積層される。尚、層間絶縁膜１５より上層側には、図５では図示を省略しているが、画素電極９や配向膜が形成されている。

次に、図７を参照して、図４のＢ−Ｂ´線断面における積層構造について、詳細に説明する。

ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された下地絶縁膜１２上に、画素電極側ソースドレイン領域３０ａ３が、ＴＦＴアレイ基板１０の表面と平行な面、即ち主表面１２´´上に形成されている。このように、画素電極側ソースドレイン領域３０ａ３は、図５に示したチャネル領域のように傾斜面１２´上に形成されているのではなく、主表面１２´´上に形成される。そして、画素電極側ソースドレイン領域３０ａ３上には、ゲート絶縁膜１３及び層間絶縁膜１４が積層されており、コンタクトホール３３を介して上側遮光膜８が画素電極側ソースドレイン領域３０ａ３に電気的に接続されている。

ここで、上側遮光膜８は上述の通り、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、画素電極９（図７において省略）と画素電極側ソースドレイン領域３０ａ３とを電気的に中継する中継配線としても機能している。

本実施形態では、図７に示すようにコンタクトホール３３を開口することで、上側遮光膜８と画素電極側ソースドレイン領域３０ａ３とを電気的に接続している。仮に、画素電極側ソースドレイン領域３０ａ３が傾斜面１２´上に傾いて形成されていると、コンタクトホール３３に上側遮光膜８を形成する際に、接触不良が生じやすいという技術的問題点がある。そこで、半導体層３０ａのうち、少なくともコンタクトホールが設けられるソースドレイン領域の一部は、ＴＦＴアレイ基板１０の表面に対して平行な面上に形成されている。尚、ここでは図示を省略するが、データ線側ソースドレイン領域３０ａ１に開口されたコンタクトホール３１についても、同様に主表面１２´´上に形成されている（図４参照）。

このようにソースドレイン領域３０ａ３のうち、コンタクトホールが形成される領域については主表面１２´´上に形成することによって、画素電極９への中継配線（即ち、上側遮光膜）と、ソースドレイン領域との接続状態を良好に確保することができる。その結果、画像信号の乱れが少なく、高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。

＜１−２．変形例＞
続いて、図８及び図９を参照して、本実施形態に係る液晶装置の変形例について説明する。

＜１−２−１．第１変形例＞
図８は、第１変形例におけるＴＦＴ３０付近の階層構造の断面図を示した図である。本変形例では、ゲート電極３０ｂと走査線１１とを電気的に接続している側壁遮光層１８が、傾斜面１２´に隣接する２つ領域（即ち、下地絶縁膜１２の表面において傾斜面１２´の両側に平坦に形成された２つの領域）のうち、ＴＦＴアレイ基板１０との間隔が大きい方に開口されたコンタクトホール３１に形成されている点において、上述の実施形態（図５参照）と異なっている。その他の構成については、上述の実施形態と同様である。

図５に示すように第１変形例では、側壁遮光層１８が、傾斜面１２´に隣接する２つ領域（即ち、下地絶縁膜１２の表面において傾斜面１２´の両側に平坦に形成された２つの領域）のうち、ＴＦＴアレイ基板１０との間隔が小さい方に形成されているので、上側遮光膜８及びゲート電極３０ｂと、走査線１１（即ち、下側遮光膜）との間隔が大きく開いている。そのため、外部からチャネル領域３０ａ２に光が侵入しやすい構造となっている。一方、本変形例においては、下地絶縁膜１２が厚く形成されている側に側壁遮光層１８を形成しているので、よりチャネル領域３０ａ２に光が侵入しにくい構造となっている。従って、本変形例によれば、より効果的にチャネル領域３０ａ２の遮光性を向上させることができる。

尚、傾斜面１２´に隣接する２つ領域（即ち、下地絶縁膜１２の表面において傾斜面１２´の両側に平坦に形成された２つの領域）の双方に側壁遮光層１８を設けることによって、チャネル領域３０ａ２を囲むようにゲート電極３０ｂを形成してもよい。

＜１−２−２．第２変形例＞
図９は、第２変形例におけるＴＦＴ３０付近の階層構造の断面図を示した図である。本変形例は、下側遮光膜として機能する走査線１１の一部が、ＴＦＴアレイ基板１０の表面に対してθの勾配を持つ傾斜面１２´と平行な面上に形成されている点で上述の実施形態と異なっている。その他の構成については、上述の実施形態と同様である。

図９に示すように第２変形例では、ＴＦＴアレイ基板１０上には第２下地絶縁膜１６が形成されている。特に、この第２下地絶縁膜１６は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見たときにチャネル領域３０ａ２に重なる領域において、θの勾配角を有する傾斜面を表面に有するように形成されている。

図５に示すように前述の実施形態では、チャネル領域３０ａ２が傾斜面１２´に形成されることによって、チャネル領域３０ａ２の裏側（即ち、走査線１１に面している側）が大きく開口されているために、外光が侵入しやすい構造になっている。一方、本変形例では、図９に示すように、チャネル領域３０ａ２の下層側において、走査線１１もＴＦＴアレイ基板１０に対してθの角度の勾配を有しているので、図５の場合に比べて外光が侵入しにくいように走査線１１が配置されている。このように走査線１１（即ち、下側遮光膜）を形成することによって、より効率よくチャネル領域３０ａ２の遮光性を向上させることが可能となる。

＜２：電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図１０は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。

図１０に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

尚、図１０を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

本実施形態に係る液晶装置の平面図である。 図１のＨ−Ｈ´断面図である。 本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。 本実施形態に係る液晶装置のＴＦＴ周辺の構成を示す平面図である。 図４のＡ−Ａ´線断面図である。 本実施形態の比較例に係る液晶装置のＴＦＴ周辺の構成を示す平面図である。 図４のＢ−Ｂ´線断面図である。 第１変形例におけるＴＦＴ３０付近の階層構造の断面図である。 第２変形例におけるＴＦＴ３０付近の階層構造の断面図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。

符号の説明

６ データ線、 ８ 上側遮光膜、 ９ 画素電極、 １０ ＴＦＴアレイ基板、 １０ａ 画像表示領域、 １１ 走査線、 １２ 下地絶縁膜、 １２´ 傾斜面、 １２´´ 主表面、 １８ 側壁遮光層、 ２０ 対向基板、 ２１ 対向電極、 ３０ ＴＦＴ、 ３０ａ 半導体層、 ３０ａ１ データ線側ソースドレイン領域、 ３０ａ２ チャネル領域、 ３０ａ３ 画素電極側ソースドレイン領域、 ３０ｂ ゲート電極、 ５０ 液晶

Claims (11)

1. 基板上に形成された薄膜トランジスタであって、
   チャネル領域及びソースドレイン領域を有する半導体層と、
   前記チャネル領域にゲート絶縁膜を介して対向するように配置されたゲート電極と
   を備え、
   前記基板は、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された配線、電極及び電子素子のうち少なくとも一つが形成されている主表面、並びに該主表面に対して斜めに傾いた傾斜面を有し、
   前記半導体層のうち少なくとも前記チャネル領域は、前記傾斜面に形成されている
   ことを特徴とする薄膜トランジスタ。
2. 前記ソースドレイン領域のうち、前記ゲート電極に対して電気的に絶縁された導電層と電気的に接続されているコンタクト領域が、前記主表面に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
3. 前記基板上における前記半導体層より下層側に積層され、前記基板上で平面的に見て少なくとも前記チャネル領域より広く形成された下側遮光膜を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜トランジスタ。
4. 前記半導体層は、ＬＤＤ領域を更に有し、
   前記下側遮光膜は、前記基板上で平面的に見て前記チャネル領域及び前記ＬＤＤ領域より広く形成されたことを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ。
5. 前記下側遮光膜は、前記ゲート電極に走査信号を供給する走査線を兼ねる部分を有し、
   前記走査線を兼ねる部分は、前記ゲート絶縁膜に開口されたコンタクトホールを埋めるように形成された導電性の側壁遮光層を介して前記ゲート電極に電気的に接続されている
   ことを特徴とする請求項３又は４に記載の薄膜トランジスタ。
6. 前記側壁遮光層は、前記傾斜面に隣接する前記基板との間隔が異なる２つ領域のうち、前記基板との間隔が大きい方に開口された前記コンタクトホールに形成されていることを特徴とする請求項５に記載の薄膜トランジスタ。
7. 前記下側遮光膜は、前記傾斜面に平行な領域を有するように形成されていることを特徴とする請求項３から６のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
8. 前記基板上における前記半導体層より上層側に積層され、前記基板上で平面的に見て少なくとも前記チャネル領域より広く形成されており、前記傾斜面に平行な領域を有するように形成された上側遮光膜を更に備えることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
9. 前記半導体層は、ＬＤＤ領域を更に有し、
   前記上側遮光膜は、前記基板上で平面的に見て前記チャネル領域及び前記ＬＤＤ領域より広く形成されたことを特徴とする請求項８に記載の薄膜トランジスタ。
10. 請求項１から９のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタと、
    前記基板に対向するように配置された他方の基板と、
    前記基板及び前記他方の基板間に挟持された電気光学物質と
    を備えることを特徴とする電気光学装置。
11. 請求項１０に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。

Images