JP5278129B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、例えば素子基板上にスイッチング素子として薄膜トランジスタ（以下、適宜「ＴＦＴ（Thin Film Transistor）」という）が画素毎に配置された液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置は、基板上に、画素電極、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）を備え、アクティブマトリクス駆動可能に構成される。このような電気光学装置では、相隣り合う画素電極間の隙間から光源光が漏れ出ることにより、表示画像のコントラストが低下すること等を抑制又は防止することを目的として、画素電極間の隔たりに遮光膜を形成することにより、非開口領域（即ち、画素毎に表示に寄与する光が出射しない領域）が形成されている。しかしながら、光源光の一部は、電気光学装置内に形成された素子、配線等によって屈折、散乱又は反射されることにより、少なからず非開口領域から漏れ、表示画像のコントラスト比を低下させてしまう。

特許文献１及び２では夫々、位相差フィルム及び光学補償板を設けることによって、表示画像のコントラスト比を向上させる技術が開示されている。また、特許文献３では、基板上の導電パターンの断面を逆テーパ状に形成することで、導電パターンの側壁での反射を防ぎ、表示画像のコントラスト比を向上させる技術が開示されている。

特開平１０−１０５１３号公報 特開２００８−２５６９５６号公報 特開２００９−３１３７３号公報

しかしながら、特許文献１及び２に開示された技術では、液晶パネルに位相差フィルム及び光学補償板を組み込む必要があり、液晶装置の構成が複雑になってしまうため、製造方法が技術的に難しくなったり、製造コストの増大を招いてしまう。また、特許文献３に開示された技術では、基板上の導電性パターンの断面を逆テーパ状に形成する際に技術的な困難を伴う。具体的には、導電パターンを逆テーパ状に形成する際のエッチング角度を、非開口領域からの光漏れを最小に抑えるために最適な値に調整する必要があるが、この値は、個々の電気光学装置によって異なるため、その選定が技術的に難しい。また、導電パターンへのエッチングを逆テーパ状に行おうとすると、エッチング工程が複雑化してしまう。更に、逆テーパ状だと、その上に形成される膜の品質或いは付き回りにも悪影響を与えかねない。このように、上述の技術は実践上の問題点を有している。

本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、表示画像のコントラスト比を向上させることにより、高品位な画像表示が可能な電気光学装置及びそのような電気光学装置を用いた電子機器を提供することを課題とする。

本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、画素が配列された画素領域に、スイッチング素子と、第１方向に沿って延在する走査線と、前記第１方向に交わる第２方向に沿って延在するデータ線と、前記走査線及び前記データ線の各々の端面に形成され、前記走査線及び前記データ線よりも光反射率の低い反射防止膜とを備え、前記スイッチング素子は、前記走査線と前記データ線との間に設けられており、前記スイッチング素子のチャネル領域は、前記走査線と前記データ線とが交差する交差領域に重なるように設けられており、前記反射防止膜は、前記交差領域にのみ形成されている。
また、前記スイッチング素子と電気的に接続された中継層と、前記中継層と対向するように形成された容量電極とを有する蓄積容量と、前記交差領域において、前記中継層及び前記容量電極の各々の端面に形成された反射防止膜とを備える。

本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、例えば基板上に形成されたデータ線から画素電極への画像信号の供給が制御され、所謂アクティブマトリクス方式による画像表示が可能となる。尚、画像信号は、例えば、データ線及び画素電極間に電気的に接続されたスイッチング素子であるトランジスタが走査線から供給される走査信号に応じてオンオフされることによって、所定のタイミングでデータ線からトランジスタを介して画素電極に供給される。画素電極は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる透明電極であり、データ線及び走査線の交差に対応して、基板上において表示領域となるべき領域にマトリクス状に複数設けられる。

走査線、データ線及びトランジスタは、表示の妨げとならないように、各画素の開口領域ではなく、非開口領域内に設けられる。

ここで、「開口領域」とは、画素毎に表示に実際に寄与する光が出射する領域など、各画素において電気光学素子或いは電気光学物質による電気光学動作が実際に行なわれる領域をいう。

また、本発明に係る「非開口領域」は、画素毎の開口領域を互いに隔てる領域であり、画素毎に表示に寄与する光が出射しない領域など、各画素において電気光学素子或いは電気光学物質による電気光学動作が実際に行なわれない領域をいう。非開口領域は、例えば、データ線や走査線の少なくとも一部が遮光性を有する遮光膜から形成され、このような遮光膜により各画素に入射される光を遮光可能な領域として、基板上に開口領域を囲むように規定される。

導電層は、画素が配列された画素領域において、電気光学動作を行うための配線、電極及び電子素子の少なくとも一部を構成する。導電層は、例えばデータ線や走査線であってもよいし、画素電極の電圧保持特性を向上させるための付加容量を構成する一対の容量電極の一方として構成してもよい。導電層は、平面的に見て、少なくともその一部において又はその全部が、非開口領域内に配置されている。導電層は、光を反射又は吸収する遮光膜から構成され、非開口領域を少なくとも部分的に又は冗長的に規定してもよい。

反射防止膜は、交差領域において、前記導電層の端面を前記導電層よりも光反射率の低い材料で覆うように形成されることにより、表示画像のコントラスト比を向上させることができる。

ここで、「非開口領域における交差領域」とは、画素毎の開口領域を互いに隔てる非開口領域のうち、第１方向に沿って延在する第１領域及び第１方向に交わる第２方向に沿って延在する第２領域が互いに交差する領域である。

交差領域では、仮に何らの対策も講じないとすれば、交差領域に配置された導電層の端面によって光源光が反射されることにより、光漏れが生じやすい。このような光漏れが生じると、表示画像のコントラストが低下し、画質の低下を引き起こしてしまう。

しかるに本発明に係る電気光学装置は、交差領域において光源光が導電層の端面によって反射されることを防止又は抑制するべく、導電層の端面を覆うように、光反射率の低い材料から形成された反射防止膜を設けることによって、漏れ光の発生を抑制することができる。

反射防止膜は、導電層よりも光反射率の低い材料から形成される。例えば、導電層がアルミニウムから形成されている場合、ＴｉＮ（チタニウム・ナイトライド）やＷ（タングステン）などのアルミニウムに比べて光反射率の低い材料から反射防止膜を形成するとよい。言い換えれば、導電層を光反射率の高い材料から形成しても、その端面における光源光の反射を、反射防止膜の反射率の低さに応じて低減することが可能となる。

以上説明したように、本発明に係る電気光学装置では、交差領域において導電層の端面を反射防止膜で覆うことによって、表示領域における漏れ光の発生を抑制することができる。その結果、高いコントラスト比を有する高品位な画像表示を実現可能な電気光学装置を実現することができる。

尚、交差領域以外の領域において、導電層の端面を、交差領域におけると同じ又は異なる反射防止膜で覆うことは任意である。或いは、端面以外の面において、導電層を、交差領域における端面と同じ又は異なる反射防止膜で覆うことも任意である。

本発明の電気光学装置の一の態様では、前記導電層は、前記画素電極より下層側に形成された第１導電層と、前記第１導電層より下層側に形成された第２導電層とを含んでなり、前記反射防止膜は、前記交差領域において、前記第１導電層及び前記第２導電層の夫々の端面を覆うように形成されている。

この態様によれば、導電層は第１導電層及び第２導電層を含む、複数の導電層から構成されている。この場合、交差領域における第１導電層及び第２導電層夫々の端面によって光源光が反射されることによって漏れ光が生じることを防ぐために、交差領域において、第１導電層及び第２導電層夫々の端面に反射防止膜が形成されている。即ち、交差領域内において、複数の導電層が立体的に交差している場合には、夫々の導電層の端面に反射防止膜を設けることによって、漏れ光が生じることを防ぎ、コントラスト比を高めることができる。

上述の第１導電層及び第２導電層を含んでなる態様では、前記第１導電層及び前記第２導電層は夫々、前記第１方向及び第２方向に沿って延在するデータ線及び走査線であり、前記非開口領域は、前記データ線及び前記走査線によって少なくとも部分的に規定されていてもよい。

この態様によれば、データ線及び走査線が互いに交差する第１方向及び第２方向に沿って延在することによって、非開口領域を少なくとも部分的に規定している。この場合、データ線及び走査線が互いに交差する交差領域においては、データ線及び走査線が立体的に交差しているため、交差領域におけるデータ線及び走査線の端面には反射防止膜が形成されることにより、漏れ光が生じることを防いでいる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記反射防止膜は、前記交差領域において、前記導電層を上面側から覆うように形成されている。

この態様では、反射防止膜を導電層上に少なくとも導電層より広く形成することによって、反射防止膜の寸法精度や位置精度によらずに導電層の端面における光源光の反射を確実に防ぐことができ、更に導電層の上面における光源光の反射も防ぐことができる。特に、導電層の上面に入射した光源光は、導電層の表面で反射されることによって電気光学装置内で迷光となり、表示面から射出することによって、導電層の端面で反射された漏れ光と同様に表示画像のコントラスト比を低下させる原因となり得る。本態様では、導電層の端面及び上面において光源光が反射されることを防止し、表示画像のコントラスト比を向上させることができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記交差領域を除く前記第１領域及び前記第２領域における前記導電層の端面には、前記交差領域において前記導電層の端面に設けられた前記反射防止膜が延在して設けられている。

上述の各種態様では、反射防止膜は、交差領域のみにおいて導電層の端面に形成されていたが、本態様では、交差領域以外の領域（例えば、非開口領域のうち、第１方向に沿って延在する第１領域や、第２方向に沿って延在する第２領域）における導電層の端面にも反射防止膜が形成されている。表示画像のコントラストの低下をもたらす漏れ光は、主に交差領域において生じやすいが、その他の領域においても少なからず生じる場合がある。本態様では、交差領域以外の非開口領域において生じる漏れ光も、効果的に防ぐことができるので、よりコントラスト比の高い、高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を備える。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像を表示することが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することも可能である。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされる。

本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。 図１のＨ−Ｈ'断面図である。 本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す回路図である。 本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域における、電気光学動作を行うために配置された電極及び配線等の位置関係を透過的に示した平面模式図である。 図４のＡ−Ａ´線断面である。 本実施形態に係る液晶装置において、反射防止膜が形成される領域の、データ線及び走査線に対する位置関係を視覚的に示す立体模式図である。 第１変形例に係る液晶装置において、反射防止膜が形成される領域の、データ線及び走査線に対する位置関係を視覚的に示す立体模式図である。 第２変形例に係る液晶装置における図５と同趣旨の断面図である。 本実施形態に係る液晶装置を適用した電子機器の例である。

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。

＜１．液晶装置＞
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。

図１は、ＴＦＴアレイ基板１０を、その上に形成された各構成要素と共に、対向基板２０の側から見た液晶装置の構成を示す概略的な平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ'断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置は、対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板又はシリコン基板である。対向基板２０も例えばＴＦＴアレイ基板１０と同様の材料からなる基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、電気光学動作の行われる画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、例えばシール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材５６が散布されている。

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。

ＴＦＴアレイ基板１０上における、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域には、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路７、走査線駆動回路１０４及び外部回路接続端子１０２が夫々形成されている。

ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域において、シール領域より外周側に、データ線駆動回路１０１及び複数の外部回路接続端子１０２が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に夫々沿って設けられている。

また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域のうちシール領域より内側に位置する領域には、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿う画像表示領域１０ａの一辺に沿って且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにしてサンプリング回路７が配置されている。

また、走査線駆動回路１０４は、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間を電気的に接続するため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。

また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域において、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、上下導通端子１０６が配置されると共に、このＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には上下導通材が上下導通端子１０６に対応して該端子１０６に電気的に接続されて設けられている。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９がマトリクス状に設けられている。画素電極９は、ＩＴＯ膜からなる透明電極として形成されている。画素電極９上には、配向膜１６が形成されている。

他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上（図２中、遮光膜２３より下側）に、ＩＴＯ膜からなる対向電極２１が複数の画素電極９と対向して例えばベタ状に形成され、更に対向電極２１上（図２中対向電極２１より下側）には配向膜２２が形成されている。

液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。そして、液晶装置の駆動時、夫々に電圧が印加されることで、画素電極９と対向電極２１との間には液晶保持容量が形成されている。

尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。

次に、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。

図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の各々には、画素電極９及び画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９に電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置の動作時に画素電極９をスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６は、ＴＦＴ３０のソース領域に電気的に接続されている。データ線６に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、互いに隣り合う複数のデータ線６同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

ＴＦＴ３０のゲートには走査線１１が電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０（図２参照）に形成された対向電極２１（図２参照）との間で一定期間保持される。

液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。

ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９と対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量に対して電気的に並列に、蓄積容量７０が付加されている。

次に、図４及び図５を参照して、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａにおける具体的な積層構造について詳しく説明する。

図４は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａにおける、電気光学動作を行うために配置された電極及び配線等の位置関係を透過的に示した平面模式図である。図５は、図４のＡ−Ａ´線断面である。尚、図４及び図５では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また、後述するように、非開口領域を規定するデータ線６及び走査線１１の交差領域では、データ線６、走査線１１、中継層７の端面に反射防止膜８０が形成されているが、図４では、夫々の電極及び配線等の位置関係をわかりやすく表示するために、反射防止膜８０の表示を省略している。尚、詳細な反射防止膜８０の構造及び配置については、図５を参照されたい。

図４及び図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上には、走査線１１及びデータ線６が、夫々Ｘ方向及びＹ方向に沿って配置されており、データ線６と走査線１１の交差付近にＴＦＴ３０（即ち、半導体層３０ａ及びゲート電極３０ｂ）が形成されている。

走査線１１は、遮光性の導電材料、例えば、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（チタニウム・ナイトライド）等から形成されており、ＴＦＴ３０の半導体層３０aを含むように半導体層３０ａより幅広に形成されている。走査線１１は半導体層３０ａより下層側に配置されているので、このように走査線１１をＴＦＴ３０の半導体層３０ａよりも幅広に形成することによって、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域３０ｂを殆ど或いは完全に遮光できる。その結果、液晶装置の動作時に、ＴＦＴ３０における光リーク電流は低減され、コントラスト比を向上させることができ、高品位の画像表示が可能となる。

本実施形態では特に、画像表示領域１０ａにおける非開口領域（即ち、表示光が透過しない領域）は、走査線１１及びデータ線６によって規定されている。しかしながら、単にＸ方向及びＹ方向に沿って走査線１１及びデータ線６を配置することによって画像表示領域１０ａにおける非開口領域を規定しただけでは、少なからず光源光が漏れ出し、表示画像のコントラスト比が悪化する場合がある。特に、走査線１１及びデータ線６が直角に交差する領域６０（図４において、一点鎖線で囲んだ領域）の近傍では、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された電極及び配線等の端面によって光源光が反射されることにより、漏れ光が生じやすい。このような漏れ光は、液晶装置の画像表示面から射出されることによって、表示画像のコントラスト比を悪化させる要因となるため問題となる。そこで、本実施形態では、後述するように、交差領域におけるデータ線６、走査線１１、中継層７の端面（即ち、データ線６の端面６´、走査線１１の端面１１´、中継層７の端面７´及び容量電極７１の端面７１´）に反射防止膜８０を形成することによって光源光が反射されることを防ぎ、コントラスト比を高く確保することができるように構成されている。

非開口領域は、対向基板２０又はＴＦＴアレイ基板１０に形成された、一般にブラックマトリクス或いはブラックマスクと称される、遮光膜２３により、冗長的に規定されていてもよい。或いは、平面的に見た場合における、このような遮光膜２３により規定される非開口領域部分が、データ線、走査線１１等により規定される非開口領域部分よりも一回り大きくてもよいし又は一回り小さくてもよい。

走査線１１は、下地絶縁膜１２によって覆われることにより、表面が平坦化されている。尚、下地絶縁膜１２は、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能も有している。

下地絶縁膜１２上にはＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、半導体層３０ａと、ゲート電極３０ｂとを有して構成されている。半導体層３０ａは、ソース領域３０ａ１、チャネル領域３０ａ２、ドレイン領域３０ａ３含んで形成されている。チャネル領域３０ａ２とソース領域３０ａ１、又は、チャネル領域３０ａ２とドレイン領域３０ａ３との界面にはＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域が形成されていてもよい。

尚、ＴＦＴ３０のゲート電極は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、半導体層３０ａのチャネル領域３０ａ２に重なる領域において、ゲート絶縁膜１３を介して設けられている。尚、ゲート電極３０ｂは、下層側に配置された走査線１１にコンタクトホール３５を介して電気的に接続されており、走査信号が印加されることによってＴＦＴ３０をオン／オフ制御する。ゲート電極３０ｂは、例えば導電性ポリシリコンから形成されている。

半導体層３０ａのうちソース領域３０ａ１は、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１４及び第２層間絶縁膜１５に開孔されたコンタクトホール３１を介して、画像信号が供給されるデータ線６に電気的に接続されている。一方、ドレイン領域３０ａ３は、上層側に形成された画素電極９に、中継層７を介して、電気的に接続されている。ここで、中継層７は、ゲート絶縁膜１３及び第１層間絶縁膜１４に開孔されたコンタクトホール３２に形成されており、ドレイン領域３０ａ３及び画素電極９間を電気的に接続している。画素電極９は、中継層７の上層側に配置されており、第２層間絶縁膜１５及び第３層間絶縁膜１６に形成されたコンタクトホール１６を介して、中継層７に電気的に接続されている。

中継層７の上層側には、中継層７に対向するように容量電極７１が形成されている。容量電極７１及び中継層７間には容量絶縁膜７２が挟持されており、蓄積容量７０が形成されている。このように蓄積容量７０を設けることによって、画素電極９のドレイン領域３０ａ３から印加された駆動電圧に対する保持特性を向上させることができる。

図５に示すように、本発明における「導電層」の一例である、データ線６、走査線１１、中継層７及び容量電極７１の夫々の端面（即ち、データ線６の端面６´、走査線１１の端面１１´、中継層７の端面７´及び容量電極７１の端面７１´）には、光反射率の低い材料で覆うように反射防止膜８０が形成されている。反射防止膜８０は、例えばＴｉＮ（窒化チタン）やＷ（タングステン）などの光反射率の低い材料から形成される。ＴｉＮ（窒化チタン）やＷ（タングステン）は、データ線６、走査線１１及び中継層７を構成しているアルミニウムや、容量電極７１を構成しているポリシリコン等に比べて低い光反射率を有しているため、反射防止膜８０に照射する光は、その大部分が反射されることなく、反射防止膜８０に吸収されることとなる。

ここで、図５に加え図６を参照して、データ線６及び走査線１１における反射防止膜８０が形成されている領域について、より具体的に説明する。図６は、本実施形態に係る液晶装置において、反射防止膜８０が形成される領域の、データ線６及び走査線１１に対する位置関係を視覚的に示す立体模式図である。尚、図６では、データ線６及び走査線１１以外の種々の構成要素は、説明の便宜上、表示を省略している。

図６に示すように、走査線１１及びデータ線６は、夫々Ｘ方向及びＹ方向に沿って延在している。図６においてハッチパターンで示した領域は、反射防止膜８０が形成されている領域である。

尚、ここでは説明の便宜上から、データ線６及び走査線１１について反射防止膜８０が形成されている領域を説明しているが、中継層７及び容量電極７１についても、同様に、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見たときに、交差領域に重なる領域における端面に反射防止膜８０が形成されている。

このように、本実施形態に係る液晶装置では、交差領域における、データ線６、走査線１１、中継層７及び容量電極７１の夫々の端面に反射防止膜８０を形成することにより、非開口領域からの漏れ光の発生を効果的に防ぎ、表示画像のコントラスト比を向上させることができる。
＜第１変形例＞
続いて、図７を参照して第１変形例に係る液晶装置について説明する。図７は、第１変形例に係る液晶装置において、反射防止膜８０が形成される領域の、データ線６及び走査線１１に対する位置関係を視覚的に示す立体模式図である。尚、図７では、データ線６及び走査線１１以外の種々の構成要素は、説明の便宜上、表示を省略している。

図７に示すように、本変形例に係る液晶装置では、データ線６及び走査線１１の全体に渡って、その端面に反射防止膜８０が形成される点において、上述の実施形態と異なっている。尚、この点以外については、上述の実施形態の場合と同様であるので、ここでは説明を省略する。

表示画像のコントラストの低下をもたらす漏れ光は、上述の通り、主にデータ線６及び走査線１１の交差領域において生じるが、その他の非開口領域におけるデータ線６、走査線１１、中継層７及び容量電極７１の夫々の端面においても少なからず生じる。そこで、本変形例のように、データ線６、走査線１１、中継層７及び容量電極７１の全体に渡って、その端面に反射防止膜８０が形成することによって、より効果的に非開口領域において生じる漏れ光を軽減することができるので、よりコントラスト比の高い、高品位な画像表示が可能となる（図７において中継層７及び容量電極７１については図示省略）。
＜第２変形例＞
続いて、図８を参照して第２変形例に係る液晶装置について説明する。図８は、第２変形例に係る液晶装置において、図５と同様の趣旨に基づく断面図である。尚、反射防止膜８０以外の点については、上述の実施形態の場合と同様であるので、ここでは説明を省略する。

図８に示すように、本変形例に係る液晶装置では、反射防止膜８０が、交差領域において、データ線６、走査線１１、中継層７及び容量電極７１を上面側から覆うように形成されている点において、上述の形態とは異なっている。即ち、本変形例では、反射防止膜８０は、データ線６、走査線１１、中継層７及び容量電極７１の端面（即ち、データ線６の端面６´、走査線１１の端面１１´、中継層７の端面７´及び容量電極７１の端面７１´）だけでなく、夫々の上面にも形成されている。

上述の各種態様では、データ線６、走査線１１、中継層７及び容量電極７１の端面によって光源光が反射されることによって生じる漏れ光を防ぐために、反射防止膜８０を設けているが、実際の液晶装置では、データ線６、走査線１１、中継層７及び容量電極７１の表面で反射された光源光が液晶装置内で迷光となり、表示面から射出することによって、同様に表示画像のコントラスト比を低下させる原因となってしまう。その点、本変形例のように、データ線６、走査線１１、中継層７及び容量電極７１の表面を覆うように反射防止膜８０を形成することによって、よりコントラスト比の高い、高品位な画像表示が可能となる。

＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。

図１０は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。

図１０に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

尚、図１０を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

６ データ線、 ７ 中継層、 ９ 画素電極、 １０ ＴＦＴアレイ基板、 １０ａ 画像表示領域、 １１ 走査線、 １３ ゲート絶縁膜、 ２０ 対向基板、 ３０ ＴＦＴ、 ３０ａ 半導体層、 ３０ａ１ ソース領域、 ３０ａ２ チャネル領域、 ３０ａ３ ドレイン領域、 ３０ｂ ゲート電極、 ７０ 蓄積容量、 ７１ 容量電極、 ７２ 容量絶縁膜、 ８０ 反射防止膜

Claims (4)

1. 画素が配列された画素領域に、
   スイッチング素子と、
   第１方向に沿って延在する走査線と、
   前記第１方向に交わる第２方向に沿って延在するデータ線と、
   前記走査線及び前記データ線の各々の端面に形成され、前記走査線及び前記データ線よりも光反射率の低い反射防止膜とを備え、
   前記スイッチング素子は、前記走査線と前記データ線との間に設けられており、前記スイッチング素子のチャネル領域は、前記走査線と前記データ線とが交差する交差領域に重なるように設けられており、
   前記反射防止膜は、前記交差領域にのみ形成されていることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記スイッチング素子と電気的に接続された中継層と、前記中継層と対向するように形成された容量電極とを有する蓄積容量と、
   前記交差領域において、前記中継層及び前記容量電極の各々の端面に形成された反射防止膜とを備えることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記反射防止膜は、前記交差領域において、前記走査線及び前記データ線を上面側から覆うように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
4. 請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。

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