JP2011075773A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】電気光学装置において、保持特性及び信頼性を向上させることによって、表示画像の高品位化を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、画素電極（９）と、画素電極の下層側に容量絶縁膜（７２）を介して配置され蓄積容量（７０）を形成すると共に、表面に段差を有する容量電極（７１）と、画素電極より下層側に形成され、当該段差に重なる領域（ａ、ｂ）において表面がテーパ状に形成された絶縁膜（１７）とを備える。
【選択図】図５

Description

本発明は、例えば素子基板上にスイッチング素子として薄膜トランジスタが画素毎に配置された液晶装置等の電気光学装置及びこのような電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置では、基板上に、画素電極と、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）とを備えることにより、アクティブマトリクス駆動可能に構成されている。ここで、アクティブマトリクス駆動では、走査線に走査信号を供給することで前記ＴＦＴの動作を制御すると共に、ＴＦＴがＯＮ（オン）駆動されるタイミングでデータ線に画像信号を供給することによって、画像表示が実現される。このような電気光学装置では、表示画像の高コントラスト化等を目的として、ＴＦＴと画素電極との間に蓄積容量が設けられることがある。

例えば特許文献１には、蓄積容量を構成する一方の容量電極の表面に生じた段差を平坦化すべく、当該容量電極上に有機樹脂膜を形成する技術が開示されている。また、特許文献２には、容量電極の端部を、表面がテーパ状に形成された絶縁膜に乗り上げるように形成することによって、端面リークが生じにくい蓄積容量を形成できるとされている。

特許第３１２６６６１号公報 特開２００６−２７６１１８号公報

画素電極の保持特性を向上させるために、容量電極は、基板上の広い面積に渡って形成されることが好ましい。そのため、容量電極は、基板上における積層構造に関してレイアウトの自由度の高い、画素電極の付近（例えば、液晶装置の場合、配向膜や液晶層の付近）に形成されることが考えられる。

しかしながら、このように画素電極の付近に蓄積容量を形成すると、容量電極の表面に存在する段差に起因して、上層側に形成された画素電極や配向膜の表面にも当該段差に対応する凹凸が生じることによって、液晶分子の配向不良を誘発し、表示特性が低下してしまうおそれがある。これに対し、特許文献１のように有機樹脂膜によって容量電極の表面における段差を軽減することも考えられるが、この場合、段差を十分軽減するために有機樹脂膜を厚く積層させる必要がある。その結果、容量絶縁膜が有機樹脂膜の分だけ厚くなるので、蓄積容量の容量値が低下してしまい、十分な保持特性を得ることが難しくなってしまうという問題点がある。

本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、蓄積容量を備えることによって良好な保持特性を有すると共に、信頼性の高い電気光学装置及びそのような電気光学装置を備える電子機器を提供することを課題とする。

本発明に係る電気光学装置は上述の課題を解決するために、基板上に、画素電極と、前記画素電極の下層側に容量絶縁膜を介して配置されることにより蓄積容量を形成すると共に、表面に段差を有する容量電極と、前記画素電極より下層側に形成され、前記基板上で平面的に見て、前記段差に重なる領域において表面がテーパ状に形成された絶縁膜とを備える。

本発明の電気光学装置では、基板上に、例えば、走査線、データ線等の配線や画素スイッチング用のトランジスタ等の電子素子が、絶縁膜を介して相互に絶縁されつつ必要に応じて積層されることで画素電極を駆動するための回路が構成され、その上層側に画素電極が配置されている。電気光学装置の動作時には、例えば、走査線を通じて、画素電極に電気的に接続された画素スイッチング用のＴＦＴのスイッチング動作が制御されると共に、データ線を通じて画像信号が供給されることで、該ＴＦＴを介して画素電極に対し、画像信号に応じた電圧を印加する。これにより、複数の画素電極が配列された表示領域（又は「画像表示領域」とも呼ぶ）における画像表示が可能となる。尚、表示領域は「画素領域」若しくは「画素アレイ領域」と呼ばれることもある。

容量電極は、画素電極の下層側に容量絶縁膜を介して配置されることにより蓄積容量を形成する。つまり、容量電極は、画素電極との間に容量絶縁膜を挟持することにより蓄積容量を構築するように形成される。蓄積容量は、画素電極を一方の電極として構成されており、画素電極の保持特性の向上に貢献している。例えば、画素スイッチング用のＴＦＴの切り替えタイミングに応じて画像信号が画素電極に印加される場合、蓄積容量を備えることによって、ＴＦＴがオフ状態になった際に画素電極に、ＴＦＴがオン駆動されていた際に印加されていた画像信号を好適に保持することができる。

本発明に係る電気光学装置では特に、容量電極の表面には段差が存在する。ここで、本発明において「表面に段差を有する」とは、表面上の任意の２点において膜厚が異なることにより、容量電極の表面上に段差がある場合だけでなく、容量電極が分割されることにより、平面的に見て分割された夫々の容量電極の輪郭を規定する端部或いは縁部分において、容量電極が形成されている面と容量電極が形成されていない面との間の段差を有する場合も含む意味である。

本発明に係る絶縁膜は、前記画素電極より下層側に形成され、前記基板上で平面的に見て、前記段差に重なる領域において表面がテーパ状に形成されている。例えば、このような絶縁膜は、前記画素電極より下層側且つ容量電極の上層側に、平面的に見て前記段差付近の領域を含む一部の領域にのみ形成され、該絶縁膜が形成されていない平面領域における容量絶縁膜を介して画素電極及び容量電極が相対向することで、主たる蓄積容量が構築される。或いは、このような絶縁膜は、前記画素電極より下層側且つ容量絶縁膜の上層側に、平面的に見て前記段差付近の領域を含む一部の領域にのみ形成されてもよい。

なお、絶縁膜及び容量絶縁膜が積層されてなる誘電体膜を介して画素電極及び容量電極が相対向することでも、大なり小なり蓄積容量が構築されるが、この大きさは、前述の主たる蓄積容量と比べると、絶縁膜の存在によって顕著に小さくなる。

絶縁膜の表面がこのようにテーパ状に形成されることによって、下層側に形成された容量電極の表面における段差を軽減することができる。容量電極の表面に段差があると、その上層側に形成された積層構造の表面にも、対応する段差が形成されてしまう。容量電極の上層側に形成された画素電極の表面に段差が生じてしまうと、例えば基板間に液晶を挟持する液晶装置の場合、画素電極上に形成される配向膜の表面に段差が生じることによって、液晶分子に配向不良が生じやすくなってしまう。またこの場合、配向膜にラビング処理を施す際に配向膜が破損するリスクが増大してしまう。この点、本発明に係る電気光学装置では、絶縁膜の表面をテーパ状に形成することによって、下層側に形成された容量電極の段差によって、上層側に段差を生じにくくすることができる（即ち、上層側の積層構造の表面に凹凸が生じることを効果的に抑制することができる）。その結果、動作時における液晶分子の配向不良や、製造時において不良の発生確率を効果的に抑制することが可能となり、表示画像の高品位化を図ることができる。

以上説明したように、本発明によれば、高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することが可能となる。

本発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記絶縁膜のうちテーパ状に形成された表面の前記基板に対する角度は、前記段差の前記基板に対する角度に比べて小さい。

この態様によれば、容量電極の段差に比べて、テーパ状に形成された絶縁膜の表面の角度が滑らかになるように（即ち、容量電極の段差の角度に比べて、基板の表面方向に近づくように）、絶縁膜の表面は形成されている。このように絶縁膜の表面をテーパ状に形成することによって、絶縁膜より上層側に形成される積層構造の表面における凹凸を、より効果的に軽減することができる。

本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記絶縁膜は、前記容量電極及び前記容量絶縁膜間に形成されている。

この態様によれば、容量電極の上層側、且つ、容量絶縁膜の下層側に形成されている。この場合、例えば、エッチング等によって容量電極の表面を加工したり、容量電極を部分的に除去することにより容量電極を分割する際に、エッチングストッパー膜（即ち、エッチングを行う際に下層側がダメージを受けないように保護するために形成される膜）として機能させることができる。つまり、本態様に係る絶縁膜は、例えば、容量電極を加工又は分割する際に、容量電極より下層側に形成されている他の積層構造を保護する膜として機能させることができる。

本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記絶縁膜は、前記画素電極及び前記容量絶縁膜間に形成されている。

この態様によれば、容量絶縁膜の上層側、且つ、画素電極の下層側に形成されている。この場合、例えば、エッチング等によって容量絶縁膜の表面を加工したり、容量絶縁膜を部分的に除去することにより容量絶縁膜を分割する際に、エッチングストッパー膜として機能させることができる。つまり、本態様に係る絶縁膜は、容量絶縁膜を加工又は分割する際に、容量絶縁膜より下層側に形成されている他の積層構造（例えば容量電極等）を保護する膜として効果的に機能させることができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記容量電極及び前記画素電極はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）である。

この態様によれば、ＩＴＯは透明な導電性材料であるので、画素電極及び容量電極を表示光の透過又は反射可能な画像表示領域に広く形成することができる。つまり、電気光学装置の透過率を低下させることなく、蓄積容量の容量値を増大させ、画素電極の画像信号に対する保持特性を向上させることが可能となる。その結果、透過率が高く、高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む）を備える。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を備えてなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。

本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。 図１のＨ−Ｈ´断面図である。 本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す回路図である。 本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域における配線等の位置関係を透過的に示す模式図である。 図４のＡ−Ａ´断面図である。 本実施形態に係る液晶装置のＴＦＴアレイ基板上における容量電極及び第２中継層配線の位置関係を周辺配線と共に透過的に示した模式図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。

＜液晶装置＞
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。

図１は、ＴＦＴアレイ基板１０を、その上に形成された各構成要素と共に、対向基板２０の側から見た液晶装置の構成を示す概略的な平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置は、対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板である。対向基板２０も例えばＴＦＴアレイ基板１０と同様の材料からなる基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、電気光学動作の行われる画像表示領域１０ａの周囲に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、例えばシール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材５６が散布されている。

シール材５２の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。

ＴＦＴアレイ基板１０上における、画像表示領域１０ａの周辺には、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路７、走査線駆動回路１０４及び外部回路接続端子１０２が夫々形成されている。

ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見てシール材５２より外周側には、データ線駆動回路１０１及び複数の外部回路接続端子１０２が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に夫々沿って設けられている。

また、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見てシール領域材５２より内側には、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿う画像表示領域１０ａの一辺に沿って且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにしてサンプリング回路７が配置されている。

また、走査線駆動回路１０４は、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間を電気的に接続するため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。

また、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、上下導通端子１０６が配置されると共に、このＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には上下導通材が上下導通端子１０６に対応して該端子１０６に電気的に接続されて設けられている。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層側に画素電極９がマトリクス状に設けられている。本実施形態では特に、画素電極９は、ＩＴＯ膜からなる透明電極として形成されている。画素電極９上には、配向膜１６が形成されている。

他方、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の対向面上には、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性を有する金属膜或いは樹脂等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上（図２において遮光膜２３より下側）に、ＩＴＯ膜からなる対向電極２１が複数の画素電極９と対向して例えばベタ状に形成され、更に対向電極２１上（図２において対向電極２１より下側）には配向膜２２が形成されている。

液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜（即ち配向膜１６及び２２）間で、所定の配向状態をとる。そして、液晶装置の駆動時、夫々に電圧が印加されることで、画素電極９と対向電極２１との間には液晶保持容量が形成される。

尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。

次に、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。

図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の
各々には、画素電極９及び画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９に電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置の動作時に画素電極９をスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６は、ＴＦＴ３０のソース領域に電気的に接続されている。データ線６に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、互いに隣り合う複数のデータ線６同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

ＴＦＴ３０のゲートには走査線１１が電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０（図２参照）に形成された対向電極２１（図２参照）との間で一定期間保持される。

液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。

ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９と対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量に対して電気的に並列に蓄積容量７０が付加されている。

次に、図４及び図５を参照して、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａにおいて、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された積層構造について詳しく説明する。

図４は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａにおける、電気光学動作を行うために配置された電極及び配線等の位置関係を透過的に示した模式図である。図５は、図４のＡ−Ａ´線における断面図である。尚、図４及び図５では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。尚、図示された内容の理解を容易にするために、図４では図５に表された構造の一部を部分的に省略している。

ＴＦＴアレイ基板１０上には、走査線１１が形成されている。ここで、走査線１１は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見てＸ方向に延在するように形成されている。走査線１１は、遮光性の導電材料、例えば、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）等から形成されており、ＴＦＴアレイ基板１０の裏側（即ち図５において下方側から）から入射しようとする光を遮光することにより、走査線１１より上層側に形成された配線、素子等が光に曝されることを防止する。本実施形態では特に、ＴＦＴの半導体層（即ち、第１半導体層３０ａ及び第２半導体層３１ａ）が光に曝されることにより、リーク電流が発生し、ＴＦＴの保持特性が低下することを抑制するために、走査線１１はＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、第１ＴＦＴ３０及び第２ＴＦＴ３１が形成されている領域よりも幅広に形成されている。このように走査線１１を幅広に形成することにより、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光に対してＴＦＴの半導体層を殆ど或いは完全に遮光できる。その結果、液晶装置の動作時に、発生する光リーク電流は低減され、表示画像のコントラスト比を向上させることによって、高品位の画像表示が可能となる。

走査線１１の上層側には、第１層間絶縁膜１２を介して、ＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、Ｘ方向に延在するように形成された走査線１１と、Ｙ方向に延在するように形成されたデータ線６との交差に対応するように、画素毎に配置されている。

ＴＦＴ３０は、半導体層３０ａと、その上層側にゲート絶縁膜１３を介して配置されたゲート電極３０ｂとを含んで構成されている。ここで、半導体層３０ａは、ソース領域３０ａ１、チャネル領域３０ａ２及びドレイン領域３０ａ３から構成されている（図５参照）。尚、チャネル領域３０ａ２とソース領域３０ａ１、又は、チャネル領域３０ａ２とドレイン領域３０ａ３との界面にはＬＤＤ（ＬｉｇｈｔｌＹ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域が形成されていてもよい。

ゲート電極３０ｂは、ゲート絶縁膜１３を介して半導体層３０ａの上層側に、チャネル領域３０ａ２に対向するように形成されている。そして、ゲート電極３０ｂは、層間絶縁膜１２及びゲート絶縁膜１３に開孔されたコンタクトホール３５を介して、走査線に電気的に接続されている（図４参照）。

ソース領域３０ａ１は、ゲート絶縁膜１３及び第２層間絶縁膜１４に開孔されたコンタクトホール３１を介して、上層側に形成されたデータ線６に電気的に接続されている。データ線６は、遮光性の導電材料、例えば、Ａｌ（アルミニウム）等から形成されており、ＴＦＴアレイ基板１０の表側（即ち図５において上方側から）から入射しようとする光を遮光することにより、データ線６より下層側に形成された配線、素子等が光に曝されることを防止することができる。その結果、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光に対してＴＦＴ３０を殆ど或いは完全に遮光でき、高品位の画像表示が可能となる。

ドレイン領域３０ａ３は、ゲート絶縁膜１３及び第２層間絶縁膜１４に開孔されたコンタクトホール３２介して、第１中継層７に電気的に接続されている。ここで第１中継層７は、データ線６と同層に形成されている。第１中継層７はデータ線６と同種の材料から形成されており、例えば第２層間絶縁膜１４上にベタ状に形成された導電層をパターニングすることにより、データ線６と同機会且つ同層に形成されている。

第１中継層７は、第３層間絶縁膜１５に開孔されたコンタクトホール３３を介して第２中継層８に電気的に接続されている。ここで、第２中継層８は、後述する容量電極７１と同層に形成されている。第２中継層７は容量電極７１と同種の材料から形成されており、例えば第３層間絶縁膜１５上にベタ状に形成された導電層をパターニングすることにより、容量電極７１と同機会且つ同層に形成されている。

第２中継層７１は、保護絶縁膜１７及び容量絶縁膜７２に開孔されたコンタクトホール３４を介して画素電極９に電気的に接続されている。このように、画素電極９は、第１中継層７及び第２中継層８を介して、ドレイン領域３０ａ３に電気的に接続されている。その結果、ＴＦＴ３０がオン駆動されるタイミングで、第１電極層９には、ドレイン領域３０ａ３から出力された画像信号が供給される。

第２中継層８と同層には容量電極７１が形成されている。容量電極７１は、前述の画素電極９との間に容量絶縁膜７１を有することにより、蓄積容量７０を形成している。ここで、容量電極７１は固定電位供給線３００（図３参照）に電気的に接続されることによって電位が一定に保たれ、蓄積容量７０を構成する一対の容量電極の一方として機能する。

ここで、図６を参照して、画像表示領域１０ａにおける容量電極の平面構造について説明する。図６は、ＴＦＴアレイ基板１０上における、容量電極７１及び第２中継層８が配置された様子をデータ線６及び走査線１１と共に示した模式図である。図６では、説明の便宜上、容量電極７１及び第２中継層８の下層側に形成されているデータ線６及び走査線１１を透過的に示しており、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。

データ線６及び走査線１１は夫々、Ｙ方向及びＸ方向に延在している。各画素は、データ線６及び走査線１１によって区分けされている。容量電極７１は画素電極９（図６において図示省略）より下層側に形成されており、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素毎に開口領域５ａを有している。そして、開口領域５ａの内側には、画素電極９及び第１中継層７間を電気的に接続する第２中継層８が配置されている。図６では、第２中継層８と共に、コンタクトホール３４の位置を図示している。即ち、このように画素毎に設けた開口領域５ａに第２中継層８を形成することによって、画素電極９を容量電極７１の下層側に形成されたドレイン領域３０ａ３に電気的に接続できるように構成されている。つまり、第２中継層８を開口領域５ａに設けることによって、画素電極９の下層側に形成された容量電極７１に電気的に短絡することなく、画素電極９にドレイン領域３０ａ３から出力される画像信号電位を供給することができる。その結果、画素電極９の下層側に容量電極７１を設けつつ、画素電極９をオン／オフ駆動することができるので、極めて効率的な配線レイアウトを有する液晶装置を実現することができる。

尚、本実施形態では、容量電極７１及び第２中継層８は、画素電極９の下層側に形成されるため、液晶装置の透過率の低下の原因とならないように、透明な導電性材料であるＩＴＯから形成されている。

再び図５に戻って、容量電極７１及び容量絶縁膜７２間には、保護絶縁膜１７が形成されている。保護絶縁膜１７は、例えばベタ状に形成された導電膜をエッチング等の手法によってパターニングすることによって容量電極７１を形成する際に、容量電極７１より下層側に形成された他の積層構造にダメージを与えないように、下層側の積層構造を保護するために設けられている。即ち、容量電極７１がエッチングによってパターニングされて形成される場合には、保護絶縁膜１７はエッチングストッパー膜として機能する絶縁膜である。

図５において点線で囲った領域ａでは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、容量電極７１の端部に重なる領域における保護絶縁膜１７の表面がテーパ状になるように形成されている。このような保護絶縁膜１７の表面形状は、保護絶縁膜１７をパターニングする際にエッチバックを行うことによって容易に実現することができる。

このように、領域ａにおける保護絶縁膜１７の表面をテーパ状に加工することによって、保護絶縁膜１７上に形成される容量絶縁膜７２及び配向膜１６の表面もまたテーパ状に形成される。配向膜１６上には、基板間に挟持される液晶５０が接触するが（図２参照）、このように液晶５０に接触する配向膜１６の表面に凹凸が少なくなるように保護絶縁膜１６の表面をテーパ状に形成することによって、液晶５０に含まれる液晶分子の配向不良を抑制することができる。仮に保護絶縁膜１６の表面をテーパ状に加工しないと、配向膜１６の表面にも容量電極７２及び第３層間絶縁膜１５の表面間の段差に対応する大きな凹凸が生じるため、液晶装置の動作時に液晶分子に配向不良が生じやすくなってしまう。

また、配向膜１６にはラビング処理を施されているが、仮に保護絶縁膜１６の表面をテーパ状に加工せずに配向膜１６の表面に大きな凹凸が存在してしまうと、ラビング処理を施す際に、当該凹凸付近において配向膜１６がはがれてしまうなど、製造時に不良が生じやすくなってしまう。

図５において点線で囲った領域ｂでは、上述の領域ａと同様に、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、容量電極７１の端部に重なる領域における保護絶縁膜１７の表面がテーパ状になるように形成されることによって、上層側の配向膜１６の表面に大きな凹凸が生じることを抑制している。領域ｂでは領域ａと異なり、保護絶縁膜１７の上層側に画素電極９が存在しているが、領域ａと同様に、保護絶縁膜１７の表面をテーパ状に加工することによって、配向膜１６の表面における凹凸を軽減している。

図５において点線で囲った領域ｃでは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見た場合に、容量電極７１の端部は存在していないものの、保護絶縁膜１６の端部が存在している。領域ｃでは、保護絶縁膜１６の端部の形状をテーパ状に形成することによって、上層側に形成される配向膜１６の表面における凹凸を軽減している。

図５において点線で囲った領域ｄにおいてもまた、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見た場合に、容量電極７１の端部は存在していないものの、保護絶縁膜１６の端部が存在している。そのため、領域ｄにおいても、保護絶縁膜１６の端部の形状をテーパ状に形成することによって、上層側に形成される画素電極９及び配向膜１６の表面における凹凸を軽減している。

このように、本実施形態に係る液晶装置では、保護絶縁膜１６の表面における段差をテーパ状に加工することにより、上層側に形成される積層構造の表面における凹凸を軽減することができる。その結果、動作時における液晶分子の配向不良や、製造時において不良の発生確率を効果的に抑制することが可能となり、より高品位な画像表示を行うことのできる液晶装置を実現することができる。

＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。

図７は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。

図７に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

尚、図７を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

６ データ線、 ７ 第１中継層、 ８ 第２中継層、 ９ 画素電極、 １０ ＴＦＴアレイ基板、 １０ａ 画像表示領域、 １１ 走査線、 ３０ ＴＦＴ、 ３０ａ 半導体層、 ３０ｂ ゲート電極、 ５０ 液晶、 ７０ 蓄積容量、 ７１ 容量電極、 ７２ 容量絶縁膜

Claims (6)

1. 基板上に、
   画素電極と、
   前記画素電極の下層側に容量絶縁膜を介して配置されることにより蓄積容量を形成すると共に、表面に段差を有する容量電極と、
   前記画素電極より下層側に形成され、前記基板上で平面的に見て、前記段差に重なる領域において表面がテーパ状に形成された絶縁膜と
   を備えることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記絶縁膜のうちテーパ状に形成された表面の前記基板に対する角度は、前記段差の前記基板に対する角度に比べて小さいことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記絶縁膜は、前記容量電極及び前記容量絶縁膜間に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記絶縁膜は、前記画素電極及び前記容量絶縁膜間に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
5. 前記容量電極及び前記画素電極はＩＴＯであることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備する電子機器。

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