JP2009069569A - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、表示画像の縁付近における光漏れを低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、複数の画素電極（９ａ）と、複数の画素電極が設けられた画素領域（１０ａ）の周辺に位置する周辺領域に設けられ、層間絶縁膜（４３）を介して互いに異なる層に配置されると共に互いに重なる部分を夫々有する複数の遮光膜（６０ｂ、４００ｂ）とを備える。更に、複数の遮光膜のうち少なくとも一の遮光膜における他の遮光膜に対向する側に、他の遮光膜と重なる部分に少なくとも部分的に重なるように形成されると共に、一の遮光膜に比べて入射される入射光に対する反射率が低い低反射膜（６０ａ、４００ａ）とを備える。
【選択図】図１１

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置として、一対の基板間に電気光学物質の一例としての液晶を挟持してなる液晶装置がある。液晶装置では、画素領域において各画素における透過光を表示光として出射させて例えば画像を表示する。例えば特許文献１や２には、一対の基板のうち、画素領域において画素電極が形成される素子基板と対向する対向基板上に反射膜を設けると共に、これよりも入射光に対する反射率が低い低反射膜を設ける構成が開示されている。特許文献１によれば、反射膜を対向基板の素子基板と対向する側の基板面全体を覆うように形成すると共に、素子基板の、対向基板と対向する側及びこれと反対側の両基板面全体に対して低反射膜を設ける構成が開示されている。また、特許文献２によれば、反射膜及び低反射膜を対向基板の素子基板と対向する側に積層させることにより、画素電極の設けられる開口領域を囲う非開口領域を画素毎に規定する。

ここに、基板上の画素領域の周辺に位置する周辺領域に対しては、表示に寄与する光が周辺領域に入射又は周辺領域から出射されないように、対向基板の側に、画素領域を額縁状に囲う額縁遮光膜を設けたり、一対の基板を収容する実装ケースによって、周辺領域を囲うようにする。或いは、素子基板上の周辺領域において、金属膜を重ねて配置することにより、周辺領域を遮光する。

特開２０００−１９９８９６号公報 特開２００１−３３０８２１号公報

しかしながら、上述したように素子基板上において周辺領域を金属膜により遮光する構成によれば、仮に対向基板上の額縁遮光膜或いは実装ケースにより遮光されずに基板に対して斜めに進行する斜め光が浸入すると、以下のような不具合が生じることがある。即ち、素子基板上の周辺領域に浸入してきた光が、複数層に互いに重ねて配置された金属膜間で乱反射され、表示に寄与する光に紛れ込んで出射されることで、光漏れが生じることがある。このような光漏れが生じると、液晶装置における表示画像の縁付近において表示不良が生じ、表示品位が劣化する不具合が生じる。

本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、表示画像の縁付近における光漏れを低減し、表示品位を向上させることが可能な電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、複数の画素電極と、該複数の画素電極が設けられた画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられ、層間絶縁膜を介して互いに異なる層に配置されると共に互いに重なる部分を夫々有する複数の遮光膜と、該複数の遮光膜のうち少なくとも一の遮光膜における他の遮光膜に対向する側に、前記重なる部分に少なくとも部分的に重なるように形成されると共に、前記一の遮光膜に比べて反射率が低い低反射膜とを備える。

本発明の電気光学装置によれば、複数の画素電極は、それぞれ例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなり、基板上の画素領域或いは画素アレイ領域（又は、「画像表示領域」とも呼ぶ）に、例えば複数のデータ線及び複数の走査線の交差に対応して例えばマトリクス状に配列される。電気光学装置の動作時には、例えば画像信号等に基づいて、画素電極の電位が制御され、複数の画素電極が配列された画素領域において画像表示が行われる。電気光学装置は、例えば光源から入射する入射光に応じて表示光を、画素領域において例えば透過することによって出射する。電気光学装置は、例えば、投射型表示装置におけるライトバルブとして実装される。

本発明では、基板上の画素領域の周辺に位置する周辺領域に、複数の遮光膜が設けられる。複数の遮光膜は夫々互いに、部分的に重なるように層間絶縁膜を介して異なる層に配置される。よって、基板上の周辺領域において、遮光膜を複数設けることでより広い領域を覆うことができる。従って、光源から入射する入射光等の光を、基板上の周辺領域におけるより広い領域で、複数の遮光膜によって遮光することが可能となる。更に、複数の遮光膜を夫々互いに部分的に重ねることで、隙間なく配置することができる。よって、遮光膜間の間隙に光が浸入し、周辺領域より出射されて、光漏れが生じ、画素領域において表示される画像の縁付近に、表示されるべき画像とは関係のない表示が行われるのを防止することが可能となる。

本発明では特に、複数の遮光膜のうち少なくとも一の遮光膜について、他の遮光膜に対向する側には低反射膜が設けられる。低反射膜は、対応する一の遮光膜よりも、一の遮光膜に対する入射光についての反射率が低くなるように形成される。従って、基板上の周辺領域に進行し、更に一の遮光膜における他の遮光膜と対向する側に進行してくる光が、低反射膜に入射されることで、仮に、何らの対策を施さずに、低反射膜が設けられず、入射光が一の遮光膜によって反射される場合と比較して、一の遮光膜における他の遮光膜に対向する側において光が反射されるのを低減することが可能となる。

更に、本発明では特に、低反射膜は、一の遮光膜において、他の遮光膜と重なる部分に対して少なくとも部分的に重なるように形成される。よって、一の遮光膜及び他の遮光膜の重なる部分において、低反射膜により、一の遮光膜における他の遮光膜と対向する側で反射され、他の遮光膜において一の遮光膜と対向する側に進行する光を低減することができる。従って、一の遮光膜及び他の遮光膜の間で、重なる部分で反射される光の量を低減することができる。これにより、一の遮光膜において反射され、他の遮光膜に入射された後、他の遮光膜において反射されて、再び一の遮光膜に対して進行し、乱反射される光を低減し、理想的にはこのような光の乱反射を防止することが可能となる。

以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、一の遮光膜及び他の遮光膜間で乱反射され周辺領域より出射される光を低減することができる、即ち、周辺領域における光漏れを低減することが可能となる。この結果、画素領域における表示画像の縁付近の表示不良が生じるのを防止して、当該電気光学装置における表示品位を向上させることができる。

本発明の電気光学装置の一態様では、前記低反射膜は、前記基板上で平面的に見て、前記一の遮光膜の前記重なる部分の側に位置する一端側から該一端側と反対側に位置する他端側に向かう方向に沿う幅が、前記一の遮光膜の前記重なる部分に対する入射光のうち入射角が最大となる光が入射可能なように、該光の入射角及び前記重なる部分における前記一の遮光膜及び前記他の遮光膜間の前記層間絶縁膜の膜厚によって規定される値として形成される。

この態様では、一の遮光膜に対して部分的に低反射膜が設けられる。低反射膜は、基板上で平面的に見て、一の遮光膜が他の遮光膜と重なる部分の側に位置する、一の遮光膜の一端側から他端側に向かって、所定の幅を有するように形成される。より具体的には、低反射膜の幅は、一の遮光膜の他の遮光膜と重なる部分に対する入射光のうち入射角が最大となる光が低反射膜に入射可能な値に調整される。低反射膜の幅は、一の遮光膜と、これに対向して重なる他の遮光膜との間の層間絶縁膜の膜厚、及び一の遮光膜の他の遮光膜と重なる部分に対する入射光のうち入射角が最大となる光の、該入射角の値により規定される。即ち、層間絶縁膜の膜厚をｄ[ｎｍ]とし、光の入射角をθ[°]とすれば、式（１）により低反射膜の幅Ｈ [ｎｍ]が規定される。

Ｈ＝ｄ×ｔａｎθ・・・（１）
従って、一の遮光膜における他の遮光膜と重なる部分に対して、他の遮光膜と対向する側に向かって進行し、一の遮光膜に対する入射角が最大値以下となる光を低反射膜に入射させることができる。これにより、一の遮光膜において、他の遮光膜と重なる部分に対して進行してくる光が入射される箇所に対してのみ、低反射膜を必要最小限の配置面積で設けることが可能となる。

よって、一の遮光膜及び他の遮光膜の重なる部分において、低反射膜により、一の遮光膜における他の遮光膜と対向する側で反射され、他の遮光膜において一の遮光膜と対向する側に進行する光を低減することができる。また、一の遮光膜に対して部分的に必要最小限の配置面積で低反射膜が設けられることで、一の遮光膜の他の遮光膜と対向する側の表面を例えば概ね全体に亘って低反射膜により覆う構成と比較して、光が吸収されることで低反射膜において生じる発熱量を低減することが可能となる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記一の遮光膜は、前記画素電極を駆動するための各種信号又は電源が供給される第１の配線の少なくとも一部として形成される。

この態様では、基板上の周辺領域において、複数の遮光膜のうち少なくとも一の遮光膜は、少なくとも部分的に第１の配線を構成する。従って、第１の配線の少なくとも一部によって周辺領域を遮光することが可能となる。また、このように少なくとも一の遮光膜が第１の配線を兼ねることにより、第１の配線及び遮光膜の配置について、配置面積をより小さくし、構成をより簡略化することができる。

尚、この態様では、少なくとも一の遮光膜は、アルミニウムを含む導電材料又はポリシリコン等の導電材料により形成されるのが好ましい。また、低反射膜は、遮光膜がアルミニウム（Ａｌ）を含む導電材料により形成される場合には、チタンナイトライド（ＴｉＮ）により形成するとよい。加えて、低反射膜は、遮光膜がポリシリコンにより形成される場合には、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）により形成するとよい。前者の低反射膜及び遮光膜の組み合わせは、後者と比較して、より低反射膜及び遮光膜の各々の遮光性を向上させることができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記一の遮光膜は、金属膜により形成される。

この態様では、例えば遮光膜がポリシリコンにより形成される場合と比較して、例えばＡｌを含む金属膜により形成される場合は、入射光に対する反射率をより大きくすることができる。従って、遮光膜における遮光性をより向上させることが可能となる。

この、一の遮光膜が金属膜により形成される態様では、前記金属膜は、アルミニウムを含む導電材料により形成されるように構成してもよい。

このように構成すれば、比較的に、入射光に対する反射率をより大きくすることができ、遮光膜における遮光性をより向上させることが可能となる。

この、金属膜がアルミニウムを含む導電材料により形成される態様では、前記低反射膜は、チタンナイトライドにより形成されるように構成してもよい。

このように構成すれば、例えば低反射膜をＷＳｉにより形成する場合と比較して、低反射膜における遮光性をより向上させることができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電極を駆動するために前記画素領域に設けられる第２の配線及び各種電子素子を備えており、前記一の遮光膜は、前記第２の配線及び前記電子素子を少なくとも部分的に構成する導電膜と同一膜により形成される。

この態様では、基板上の周辺領域における複数の遮光膜のうち、少なくとも一の遮光膜を、画素領域における第２の配線又は電子素子と同一機会に形成することが可能となる。従って、より製造プロセスを簡略化させることができる。

ここで、本発明に係る「同一膜」とは、製造工程における同一機会に成膜される膜を意味し、同一種類の膜である。本発明に係る「同一膜から形成される」とは、一枚の膜として連続して形成されていることまでも要求する趣旨ではなく、基本的に、同一膜のうち相互に分断されている膜部分であれば足りる趣旨である。

この、一の遮光膜が画素領域における導電膜と同一膜により形成される態様では、前記低反射膜は、対応する前記遮光膜と同一膜からなる前記導電膜に対しても形成されるように構成する。

このように構成すれば、各画素で導電膜における光の反射を低減することができ、画素領域におけるフリッカ等の表示不良をより低減することが可能となる。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備してなる。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品位な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。

以下図面を参照しながら、本発明の電気光学装置及び電子機器の各実施形態を説明する。尚、本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。

先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置の平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’線断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板である。対向基板２０も好ましくはＴＦＴアレイ基板１０と同様に透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。尚、本発明に係る「画素領域」の一例が、画像表示領域１０ａに相当する。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。本実施形態に係る液晶装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。

周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿い、シール材５２よりも内側には、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。

対向基板２０の４つのコーナー部に対して、両基板間において上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａがマトリクス状に設けられている。画素電極９ａ上には、配向膜（図２中、図示省略）が形成されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上（図２中、遮光膜２３より下側）に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向してベタ状に形成されている。対向電極２１上（図２中、対向電極２１より下側）には配向膜が形成されている（図２中、図示省略）。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。

尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

本実施形態では、上述したような液晶装置は実装ケース内に収容される。

図３は、実装ケースを液晶装置と共に示す分解斜視図であり、図４は、液晶装置が実装ケースに収容された状態での、図２に対応する断面部分の構成を示す断面図である。尚、図３及び図４においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。この点については、後述する各図についても同様である。また、図４には、対向基板及び実装ケースにおける周辺領域の遮光について、ＴＦＴアレイ基板をも含めた互いの配置関係に着目して、主要な構成のみを図示してある。

図３及び図４において、液晶装置は、実装ケース６０１内に収容されて、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器に実装される。

図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上の外部回路接続端子１０２には、フレキシブルプリント配線板（以下「ＦＰＣ」と略称する）５０１が接続されている。ＦＰＣ５０１上には、データ線駆動回路１０１等の内蔵回路とは別に、外部回路が形成されている。また、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の各々について、外側表面には、反射防止板等の光学部材が付設されている。但し、偏光板や位相差板等は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の外側表面に付設されてもよいが、液晶装置が実装される、例えば液晶プロジェクタの光学系が備えていてもよい。

図３に示すように、実装ケース６０１は、液晶装置を収容するフレーム６１０と、フレーム６１０に被さるカバー部材６２０とからなる。液晶装置は、フレーム６１０に対向基板２０側が面する向きに収容され、ＴＦＴアレイ基板１０側の外側表面をカバー部材６２０で覆われている。

図３及び図４において、液晶装置は、その周縁部側からフレーム６１０によって包囲された状態で、該フレーム６１０に接着剤によって接着されることによって固定されて、該フレーム６１０内に収容される。よって、液晶装置は、フレーム６１０によって、その周縁部側から包囲される状態となる。

フレーム６１０及びカバー部材６２０には、これらの部材に開口された窓部６１０ｈ及び６２０ｈが設けられている。窓部６１０ｈ及び６２０ｈは、実装ケース６０１内に液晶装置が収容された状態における画像表示領域１０ａの位置に対応して、フレーム６１０及びカバー部材６２０に配置される。これにより、液晶装置において、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域は、フレーム６１０及びカバー部材６２０によって額縁状に覆われる。

図４において、液晶装置が実装ケース６０１に収容されて例えば液晶プロジェクタに実装されて液晶ライトバルブとして用いられる際には、同図中下向きの矢印で示すように、フレーム６１０の側から例えば投射光が入射され、液晶装置の画像表示領域１０ａを透過して、カバー部材６２０の側から出射される。この場合、液晶装置における周辺領域は、実装ケース６０１及び対向基板２０上に設けられた額縁遮光膜５３によって覆われているため、周辺領域に対して投射光は入射され難くなっている。

一方、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光が、図４中上向きの矢印で示されるように、液晶装置に対して入射される場合がある。このような戻り光についても、実装ケース６０１によって遮光することができ、液晶装置の周辺領域に対しては入射され難くなっている。

従って、実装ケース６０１及び額縁遮光膜５３によって、液晶装置の周辺領域における光抜けを防止したり或いは周辺領域から画像表示領域１０ａ内に迷光が進入したりするのを防止することができる。

次に、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成について、図５を参照して説明する。ここに図５は、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を概略的に示すブロック図である。

図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上における画像表示領域１０ａには、複数の走査線１１ａ及び複数のデータ線６ａが互いに交差して配線され、これら交差に対応して画素に対応する画素部９がマトリクス状に設けられている。画素部９は、走査線１１ａ及びデータ線６ａの各々に電気的に接続されている。

図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域には、データ線駆動回路１０１及びサンプリング回路７、並びに走査線駆動回路１０４が設けられている。

走査線駆動回路１０４には、例えば外部回路（図示省略）より外部回路接続端子１０２（図１参照）を介して、Ｙクロック信号ＣＬＹ（及びその反転信号である反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ）、ＹスタートパルスＤＹが供給される。走査線駆動回路１０４は、ＹスタートパルスＤＹが入力されると、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖに基づくタイミングで走査信号を順次生成して走査線１１ａに出力する。

データ線駆動回路１０１には、外部回路より外部回路接続端子１０２を介して、Ｘクロック信号ＣＬＸ（及びその反転信号である反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ）、ＸスタートパルスＤＸが供給される。そして、データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖに基づくタイミングで、サンプリング信号Ｓ１、…、Ｓｎを順次生成してサンプリング信号線１１４に出力する。

サンプリング回路７は、画像信号線６から画像信号が供給されるデータ線６ａを選択するためにデータ線６ａ毎に設けられたスイッチング素子（即ち、サンプリングスイッチ）からなり、そのスイッチング動作は、データ線駆動回路１０１からのサンプリング信号Ｓ１、…、Ｓｎによってタイミング制御されるように構成されている。

サンプリング回路７には、例えば外部回路により６相にシリアル−パラレル変換、即ち相展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が、６本の画像信号線６を介して供給される。６本の画像信号線６は夫々、外部回路接続端子１０２から、データ線駆動回路１０１の周囲を迂回して引き回され、データ線６ａの配列方向（即ち、Ｘ方向）に沿って配線されている。

尚、画像信号の相展開数（即ち、シリアル−パラレル展開される画像信号の系列数）に関しては、６相に限られるものでなく、例えば９相、１２相、２４相、４８相、９６相…などとすることができる。また、クロック信号ＣＬＸやＣＬＹ等の各種タイミング信号は、例えば図示しない外部回路にて生成され、ＴＦＴアレイ基板１０上の各回路に外部回路接続端子１０２を介して供給される。また、各駆動回路の駆動に必要な電源等もまた例えば外部回路から供給される。

図５において、外部回路からの対向電極電位ＬＣＣが、外部回路接続端子１０２から上下導通端子１０６までの配線を介して供給され、対向電極２１に供給される。対向電極電位ＬＣＣは、画素電極９ａとの電位差を適正に保持して液晶保持容量を形成するための対向電極２１の基準電位となる。

加えて、走査線駆動回路１０４に供給される電源の一種として、接地（グランド）電位ＧＮＤを供給するグランド電位線６０５が、外部回路接続端子１０２から２種の走査線駆動回路１０４に夫々別個に配線される。そして、画像表示領域１０ａの両側に位置する２種の走査線駆動回路１０４に個別に設けられた２種のグランド電位線６０５間を電気的に接続する分岐配線６０６が、データ線６ａの配列方向（即ち、Ｘ方向）に沿って配線されている。分岐配線６０６は、サンプリング回路７に対して複数個所で分岐された部分を有しており、該部分が間隙遮光膜２１０として形成される。

ここで、図５に示す画素部９の電気的な構成について、図６を参照して説明する。ここに図６は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。

図６において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素部９の夫々には、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。

ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａに走査線駆動回路１０４からの走査信号が、パルス的に線順次で印加される。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。

液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。

ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線３００に接続されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。

尚、本発明に係る「第２の配線」は、例えばデータ線６ａ、走査線１１ａ或いは容量線３００に相当する。

次に、上述の動作を実現する画素部の具体的な構成について、図７を参照して説明する。ここに図７は、画素部の断面部分の構成の一例について、概略的に示す断面図である。尚、図７では、説明の便宜上、画素電極９ａより上側に位置する部分の図示を省略している。

図７において、走査線１１ａ、データ線６ａ、蓄積容量７０、ＴＦＴ３０、シールド層４００及び中継層６ａ１等は、ＴＦＴアレイ基板１０上に、画素電極９ａに対応する各画素の開口領域（即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過又は反射される領域）を囲む非開口領域内に配置されている。即ち、これらの走査線１１a、データ線６ａ、蓄積容量７０、ＴＦＴ３０、シールド層４００及び中継層６ａ１等は、表示の妨げとならないように、各画素の開口領域ではなく、非開口領域内に配置されている。

以下、ＴＦＴアレイ基板１０上の画素部の積層構造について第１層から順に、説明する。

第１層には、走査線１１ａが設けられている。走査線１１ａは、例えばＷ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（チタンナイトライド）等の高融点金属等の遮光性導電材料を含んでなる。尚、走査線１１ａは、高融点金属とシリコンを含む合金、若しくは、高融点金属とシリコンとの積層構造を有する二層膜又は多層膜からなるようにしてもよい。走査線１１ａは、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅに対向する領域を含むように、好ましくは形成される。よって、走査線１１ａによって、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’を殆ど或いは完全に遮光できる。即ち、走査線１１ａは、走査信号を供給する配線として機能すると共に戻り光に対するＴＦＴ３０の遮光膜として機能することが可能である。

第１層の走査線１１ａ及び第２層のＴＦＴ３０間は、下地絶縁膜１２によって絶縁されている。

第２層には、半導体膜１ａ及びゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。半導体膜１ａは、例えばポリシリコンより形成され、チャネル領域１ａ'、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅからなる。

ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、例えばイオンプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体膜１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃはそれぞれ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅよりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成される。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極をマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。

ゲート電極３ａは、半導体膜１ａとゲート絶縁膜２によって絶縁されている。下地絶縁膜１２において、半導体膜１ａの脇にはコンタクトホール８０１が開口される。ゲート電極３ａは、コンタクトホール８０１内に連続的に延設される部分３ｂを有し、コンタクトホール８０１内において走査線１１ａと電気的に接続される。

図７において、ＴＦＴ３０より上層側には、第２層及び第３層間を層間絶縁する、層間絶縁膜４１が設けられている。層間絶縁膜４１には、画素電極側ソースドレイン領域１ｅと蓄積容量７０の下部容量電極７１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８３が開口されている。また、データ線側ソースドレイン領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するためのコンタクトホール８１も、開口されている。

層間絶縁膜４１より上層側の第３層には、下部容量電極７１、及び誘電体膜７５を介して下部容量電極７１と対向する上部容量電極３００を有する蓄積容量７０が形成されている。

上部容量電極は、容量線３００と例えば一体的に形成される。容量線３００は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を含む導電材料又はポリシリコン等から形成される。容量線３００は、その詳細な構成については図示を省略してあるが、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持される。よって、上部容量電極は固定電位に維持される、固定電位側容量電極として機能する。

下部容量電極７１は、例えば導電性ポリシリコンより形成され、画素電極側ソースドレイン領域１ｅとコンタクトホール８３を介して電気的に接続される。また、下部容量電極７１は、コンタクトホール８８１を介して第４層目の中継層６ａ１と電気的に接続される。中継層６ａ１はコンタクトホール８８２を介して第５層目の中継層４０２と電気的に接続される。更に、中継層４０２は、コンタクトホール８９を介して画素電極９ａと電気的に接続される。従って、下部容量電極７１は、画素電位に維持される、画素電位側容量電極として機能する。

誘電体膜７５は、例えばＨＴＯ膜及び窒化シリコン（ＳｉＮ）膜を積層してなる２層構造を有している。

図７において、蓄積容量７０より上層側には、第３層及び第４層間を層間絶縁する層間絶縁膜４２が形成されている。また、層間絶縁膜４１及び４２間には、部分的に絶縁膜６１が介在している。コンタクトホール８８１は層間絶縁膜４２及び絶縁膜６１を貫通して、下部容量電極７１の表面に達するように開口され、コンタクトホール８１は、層間絶縁膜４２、絶縁膜６１及び層間絶縁膜４１、更にはゲート絶縁膜２を貫通して開口され、半導体膜１ａの表面に達する。

図７において、第４層には、データ線６ａ及び中継層６ａ１が設けられている。データ線６ａは、コンタクトホール８１を介して、半導体膜１ａのデータ線側ソースドレイン領域１ｄと電気的に接続されている。また、中継層６ａ１は、コンタクトホール８８１を介して下部容量電極７１と電気的に接続されている。データ線６ａ及び中継層６ａ１は、例えば金属膜等の導電材料で構成される薄膜を層間絶縁膜４２上に薄膜形成法を用いて形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。従って、データ線６ａ及び中継層６ａ１を同一工程で形成できるため、装置の製造プロセスを簡便にできる。尚、例えばデータ線６ａ及び中継層６ａ１は夫々、窒化チタン（ＴｉＮ）により形成され第１の遮光膜６０ｂより入射光に対する反射率が低くなるように形成される第１の低反射膜６０ａ、Ａｌを含む導電材料からなり遮光性を有する第１の遮光膜６０ｂを積層してなる２層構造を有する。

図７において、データ線６ａ及び中継層６ａ１より上層側には、第４層及び第５層間を層間絶縁する層間絶縁膜４３が形成されている。コンタクトホール８８２は、層間絶縁膜４３を貫通して開口され、中継層６ａ１の表面に達する。

第５層には、シールド層４００及び中継層４０２が設けられている。中継層４０２は好ましくはシールド層４００と同一膜により形成される。中継層４０２は、既に説明したように、画素電極９ａと電気的に接続され、画素電極９ａ及び中継層６ａ１間の電気的接続を中継する。尚、シールド層４００及び中継層４０２は夫々、例えば、ＴｉＮにより形成され第２の遮光膜４００ｂより入射光に対する反射率が低くなるように形成される第２の低反射膜４００ａ、及びＡｌを含む導電材料からなり遮光性を有する第２の遮光膜４００ｂを積層してなる２層構造を有する。

図７において、シールド層４００及び中継層４０２より上層側には、第５層及び第６層間を層間絶縁する層間絶縁膜４４が形成されている。コンタクトホール８９は、層間絶縁膜４４を貫通して開口され、中継層４０２の表面に達する。

図７において、第６層には、画素電極９ａが形成される。画素電極９ａは、中継層４０２及び６ａ１と、下部容量電極７１とによって、コンタクトホール８９、８８２、８８１及び８３を介して中継されつつ、半導体膜１ａの画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。図２を参照して既に説明したように、画素電極９ａの上側表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。

次に、図５を参照して説明したサンプリング回路７及びその周辺に設けられた各種信号線の構成について、図８を参照してより詳細に説明する。ここに図８は、図５に示すサンプリング回路及びその周辺に設けられた各種信号線の構成を拡大して示すブロック図である。

図８に示すように、サンプリング回路７のスイッチング素子は、具体的にはサンプリング用ＴＦＴ７１として構成されている。尚、図８では、簡便のため、サンプリング回路７に含まれる複数のサンプリング用ＴＦＴ７１のうち、第ｉデータ線群に属するデータ線６ａに対応するサンプリング用ＴＦＴ７１についてのみ代表的に表している。以下では、第ｉデータ線群に属するデータ線６ａに対応するサンプリング用ＴＦＴ７１について説明するが、他のデータ線群に関しても同様に構成されている。

各サンプリング用ＴＦＴ７１（即ち、第ｉデータ線群に属する６本のデータ線６ａに対応する６つのサンプリング用ＴＦＴ７１の各々）のソース配線７１Ｓは、６本の画像信号線のうち対応する一本に電気的に接続されている。

各サンプリング用ＴＦＴ７１のドレイン配線７１Ｄは、第ｉデータ線群に属する６本のデータ線６ａのうち対応する一本に電気的に接続されている。

各サンプリング用ＴＦＴ７１のゲート電極を含むゲート配線７１Ｇは、サンプリング信号線１１４と電気的に接続されており、データ線駆動回路１０１（図５参照）から出力された第ｉ番目のサンプリング信号Ｓｉが供給される。

このように構成されているので、各サンプリング用ＴＦＴ７１は、サンプリング信号Ｓｉに応じて、６本のデータ線６ａを１群とするデータ線群（或いはブロック）毎に、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を供給する。従って、複数のデータ線６ａをデータ線群毎に駆動するため、駆動周波数が抑えられる。

ここに、図５を参照して既に説明したように、グランド電位線６０５から分岐する分岐配線６０６の複数の部分は、サンプリング回路７に対して配置された間隙遮光膜２１０として形成されている。間隙遮光膜２１０は、図８に示すように、相隣接するサンプリング用ＴＦＴ７１間の間隙毎に設けられている。間隙遮光膜２１０は、データ線６ａ或いはドレイン配線７１Ｄに沿って（即ち、Ｙ方向に沿って）延びるように設けられている。

次に、本実施形態におけるサンプリング用ＴＦＴ及び間隙遮光膜の具体的な構成について、図９及び図１０を参照して説明する。ここに図９は、相隣接する二つのサンプリング用ＴＦＴ及び該相隣接する二つのサンプリング用ＴＦＴ間に設けられた間隙遮光膜の構成を示す平面図である。図１０は、図９のＡ−Ａ’線断面図である。

図９及び図１０において、各サンプリング用ＴＦＴ７１は、ＴＦＴアレイ基板１０上に設けられた下地絶縁膜１２上に形成されている。サンプリング用ＴＦＴ７１は、半導体層７４、ソース配線７１Ｓ、ドレイン配線７１Ｄ、ゲート配線７１Ｇ及びゲート絶縁膜７５を備えている。

半導体層７４及びゲート配線７１Ｇは、図７を参照して説明した画素部における、ＴＦＴ３０の半導体膜１ａ及びゲート電極３ａと同層の第２層目に配置されている。半導体層７４は、ゲート配線７１Ｇからの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域７４Ｃと、ソース領域７４Ｓとドレイン領域７４Ｄとを有している。

ゲート配線７１Ｇは、半導体層７４よりゲート絶縁膜７５を介して上層側に、例えば導電性ポリシリコン膜等から形成されている。ゲート配線７１Ｇは、図９に示すように、半導体層７４のチャネル領域７４Ｃとゲート絶縁膜７５を介して重なるゲート電極を含むと共に、データ線６ａが延びる方向（即ち、Ｙ方向）に沿って延びるように形成されている。ゲート配線７１Ｇは、図示しないコンタクトホール及び中継配線などを介して、サンプリング信号線１１４と電気的に接続されている（図８参照）。

ソース配線７１Ｓは、半導体層７４及びゲート配線７１Ｇより層間絶縁膜４１及び４２を介して上層側に、図７を参照して説明したデータ線６ａと同層の第４層目に配置されている。ソース配線７１Ｓは、層間絶縁膜４１及び４２を貫通して開孔されたコンタクトホール８ｓを介してソース領域７４Ｓに電気的に接続されている。ソース配線７１Ｓは、図９に示すように、データ線６ａが延びる方向（即ち、Ｙ方向）に沿って延びるように形成されている。ソース配線７１Ｓは、図示しないコンタクトホール及び中継配線などを介して、画像信号線６と電気的に接続されている（図８参照）。

ドレイン配線７１Ｄは、ソース配線７１Ｓと同一膜により、半導体層７４より層間絶縁膜４１及び４２を介して上層側に形成されている。ドレイン配線７１Ｄは、層間絶縁膜４１及び４２を貫通して開孔されたコンタクトホール８ｄを介してドレイン領域７４Ｄに電気的に接続されている。ドレイン配線７１Ｄは、図９に示すように、データ線６ａが延びる方向（即ち、Ｙ方向）に沿って延びるように形成されている。ドレイン配線７１Ｄは、図示しないコンタクトホール及び中継配線などを介して、これと同層に配置されるデータ線６ａと電気的に接続されている（図８参照）。

ソース配線７１Ｓ及びドレイン配線７１Ｄは、好ましくは、画素部において同層に配置されるデータ線６ａと同一膜により形成される。即ち、ソース配線７１Ｓ及びドレイン配線７１Ｄは夫々、データ線６ａと同様に、第１の遮光膜６０ｂ及び第１の低反射膜６０ａが下層側からこの順に積層された２層構造を有する。

間隙遮光膜２１０は、図９及び図１０に示すように、相隣接する二つのサンプリング用ＴＦＴ７１間の間隙を覆うように、ドレイン配線７１Ｄが延びる方向（即ち、Ｙ方向）に沿って延在させて形成されている。間隙遮光膜２１０は、図７を参照して説明したシールド層４００と同層の第５層目に配置されている。間隙遮光膜２１０は、図示しないコンタクトホール及び中継配線などを介して、分岐配線６０６と電気的に接続されている（図８参照）。

間隙遮光膜２１０は、好ましくは、画素部におけるシールド層４００と同一膜により形成される。即ち、間隙遮光膜２１０は、シールド層４００と同様に、第２の低反射膜４００ａ及び第２の遮光膜４００ｂが下層側からこの順に積層された２層構造を有する。

次に、図９又は図１０に加えて図１１を参照して、図１０における点線Ｑ０で囲まれた部分に着目して、その構成をより詳細に説明する。ここに図１１（ａ）は、図１０における点線Ｑ０で囲まれた部分の構成を拡大して示す部分拡大断面図であり、図１１（ｂ）は、比較例について、図１１（ａ）に対応する部分の構成を拡大して示す部分拡大断面図である。

図９から図１１（ａ）において、分岐配線６０６の一部にあたる間隙遮光膜２１０は、これより層間絶縁膜４３を介して下層側に位置するドレイン配線７１Ｄと、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、部分的に重なるように配置されている。尚、本発明における「第１の配線」の一例として、ドレイン配線７１Ｄ又は分岐配線６０６が相当する。

即ち、間隙遮光膜２１０における第２の遮光膜４００ｂは、相隣接する２つのサンプリング用ＴＦＴ７１のうち少なくとも一方のドレイン配線７１Ｄの第１の遮光膜６０ｂと、部分的に重なるように配置されている。よって、相隣接する２つのサンプリング用ＴＦＴ７１間の間隙において、第１及び第２の遮光膜６０ｂ及び４００ｂを隙間なく配置して、より広い領域を覆うことができる。

ここに、図３及び図４を参照して説明したように、実装ケース６０１及び額縁遮光膜５３によって、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０上の周辺領域は、額縁状に遮光される。しかしながら、ＴＦＴアレイ基板１０に向かって、投射光や戻り光の一部が、実装ケース６０１又は額縁遮光膜５３に遮光されずに、当該基板１０に対して斜めに進行する斜め光として、例えば図１１（ａ）中の矢印Ｐ０によって示すように進行して、浸入することがある。この場合において、第１の遮光膜６０ｂ及び第２の遮光膜４００ｂによって、これらの第１の遮光膜６０ｂ及び第２の遮光膜４００ｂ間の間隙に浸入する光を低減、或いは理想的には防止しつつ、相隣接する２つのサンプリング用ＴＦＴ７１間のより広い領域で斜め光を遮光することが可能となる。

従って、相隣接する２つのサンプリング用ＴＦＴ７１間の間隙に光が浸入し、周辺領域より出射されて、光漏れが生じ、画像表示領域１０ａにおいて表示される画像の縁付近に、表示されるべき画像とは関係のない表示が行われるのを防止することが可能となる。

また、上述したように、間隙遮光膜２１０及びドレイン配線７１Ｄは夫々遮光膜６０ｂ若しくは４００ｂと、低反射膜６０ａ若しくは４００ａからなる２層構造を有している。より具体的には、図１１（ａ）によく示されるように、第１及び第２の遮光膜６０ｂ及び４００ｂの各々の対向する側に、互いに層間絶縁膜４３を介して対向するように第１の低反射膜６０ａ及び第２の低反射膜４００ａが設けられている。尚、第１の遮光膜６０ｂ及び第２の遮光膜４００ｂのいずれか一方における、他方と対向する側に、第１の低反射膜６０ａ及び第２の低反射膜４００ａの一方のみが設けられるようにしてもよい。

既に説明したように、第１の低反射膜６０ａ及び第２の低反射膜４００ａは夫々、対応する第１の遮光膜６０ｂ若しくは第２の遮光膜４００ｂより入射光に対する反射率が低くなるように形成されている。ここに、第１の遮光膜６０ｂ及び第２の遮光膜４００ｂは、上述したようにＡｌを含む導電材料により金属膜として形成されている。従って、第１の遮光膜６０ｂ及び第２の遮光膜４００ｂが金属材料以外の材料、例えばポリシリコン等により形成される場合と比較して、入射光に対する反射率をより大きくすることができる。従って、第１の遮光膜６０ｂ及び第２の遮光膜４００ｂにおける遮光性をより向上させることが可能となる。また、第１の低反射膜６０ａ及び第２の低反射膜４００ａは夫々、上述したように好ましくはＴｉＮにより形成される。この場合、第１の低反射膜６０ａ及び第２の低反射膜４００ａを夫々ＴｉＮと異なる材料、例えばＷＳｉにより形成する場合と比較して、遮光性をより向上させることができる。

ここで、図１１（ｂ）を参照して、本実施形態に対する比較例について、本発明と異なる点についてのみ説明する。比較例においては、平面的に見て、互いに重なり合って配置される間隙遮光膜２１０及びドレイン配線７１Ｄに対して、第１の低反射膜６０ａ及び第２の低反射膜４００ａは設けられない。この場合、間隙遮光膜２１０及びドレイン配線７１Ｄは夫々、本実施形態における第１の遮光膜６０ｂ若しくは第２の遮光膜４００ｂのみから構成される、即ち例えばＡｌを含む導電材料により形成される。

図１１（ｂ）において、実装ケース６０１又は額縁遮光膜５３によって遮光されずに、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域に向かって進行してきた光が、例えば同図中の矢印Ｐ１に示すように進行し、間隙遮光膜２１０及びドレイン配線７１Ｄ間で乱反射されるおそれがある。比較例によれば、間隙遮光膜２１０及びドレイン配線７１Ｄは夫々、比較的高反射率の例えばＡｌを含む材料より形成される。従って、ドレイン配線７１Ｄ及び間隙遮光膜２１０の互いに重なる部分において、これらの遮光膜のうち一方の遮光膜に進行して、他方の遮光膜と対向する側で反射された後、他方の遮光膜に進行し、他方の遮光膜における一方の遮光膜と対向する側で反射され、ドレイン配線７１Ｄ及び間隙遮光膜２１０間で光の乱反射が生じ易くなる。

これに対して図１１（ａ）において、本実施形態では、第１の遮光膜６０ｂ及び第２の遮光膜４００ｂのうちいずれか一方の遮光膜における他方の遮光膜と対向する側に進行してくる光が、対応する第１の低反射膜６０ａ若しくは第２の低反射膜４００ａに入射されることで、図１１（ｂ）に示す比較例の構成と比較して、第１の遮光膜６０ｂ及び第２の遮光膜４００ｂについて、反射光を低減することが可能となる。

また、第１の低反射膜６０ａ及び第２の低反射膜４００ａは夫々、第１の遮光膜６０ｂ及び第２の遮光膜４００ｂの互いに重なる部分に対して少なくとも部分的に重なるように形成される。第１の遮光膜６０ｂ及び第２の遮光膜４００ｂの互いに重なる部分において、実装ケース６０１又は額縁遮光膜５３によって遮光されずに、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域に向かって進行してきて、例えば同図中の矢印Ｐ０で示されるように、第１の遮光膜６０ｂ及び第２の遮光膜４００ｂのうち一方の遮光膜における他方の遮光膜と対向する側に入射された後に反射され、他方の遮光膜において一方の遮光膜と対向する側に進行する光を、第１の低反射膜６０ａ及び第２の低反射膜４００ａによって低減することができる。

従って、第１の遮光膜６０ｂ及び第２の遮光膜４００ｂの間で、重なる部分で反射される光の量を低減することができる。これにより、第１の遮光膜６０ｂ及び第２の遮光膜４００ｂの間で、一方の遮光膜において反射され、他方の遮光膜に入射された後、他方の遮光膜において反射されて、再び一方の遮光膜に対して進行し、乱反射される光を低減し、理想的にはこのような光の乱反射を防止することが可能となる。

よって、第１の遮光膜６０ｂ及び第２の遮光膜４００ｂの間で乱反射され、周辺領域より出射される光を低減することができ、その結果光漏れを低減することが可能となる。よって、画像表示領域１０ａにおける表示画像の縁付近の表示不良が生じるのを防止して、液晶装置における表示品位を向上させることができる。

更に、本実施形態では特に、第１の遮光膜６０ｂ及び第２の遮光膜４００ｂは夫々、ドレイン配線７１Ｄ及び分岐配線６０６の一部である間隙遮光膜２１０の各々を構成する。従って、ドレイン配線７１Ｄ及び分岐配線６０６とは別に、第１の遮光膜６０ｂ及び第２の遮光膜４００ｂを設ける場合と比較して、周辺領域における、これらの配線及び遮光膜の配置面積を小さくし、その構成をより簡略化することができる。

加えて、本実施形態では特に、間隙遮光膜２１０及びドレイン配線７１Ｄは夫々、データ線６ａ及びシールド層４００の各々と同一膜により形成されることで、画素部におけるデータ線６ａ及びシールド層４００の各々と同一機会に形成することが可能となる。従って、より液晶装置の製造プロセスを簡略化させることができる。また、このような構成によれば、画素部においてもデータ線６ａ及びシールド層４００の各々について、第１の低反射膜６０ａ及び第２の低反射膜４００ａによって、第４層及び第５層間において、非開口領域に進行してきた光の乱反射を防止することが可能となる。その結果、画像表示領域１０ａにおけるフリッカ等の表示不良をより低減することができる。

尚、以上説明した本実施形態では、画素部の第４層及び第５層の各々に対応させて、間隙遮光膜２１０及びドレイン配線７１Ｄを異なる層に配置させる構成としたが、これらは、例えば画素部の第３層及び第４層の各々に対応させて配置されるようにしてもよい。この場合、ドレイン配線７１Ｄは、画素部における容量線３００と同層の第３層目に配置され、同一膜により形成される。また、間隙遮光膜２１０は、データ線６ａと同層の第４層目に配置され、同一膜により形成される。ドレイン配線７１Ｄ及び間隙遮光膜２１０の各々は、遮光膜及び低反射膜を含み、例えばドレイン配線７１Ｄについて、遮光膜がポリシリコンにより形成される場合は、低反射膜はＷＳｉにより形成するようにしてもよい。

次に、本実施形態の変形例について、図１２を参照して説明する。ここに図１２は、本変形例について、図１１（ａ）に対応する部分の構成を拡大して示す部分拡大断面図である。

図１２において、間隙遮光膜２１０及びドレイン配線７１Ｄの少なくとも一方において、第１及び第２の低反射膜６０ａ及び４００ａのうち対応する一方は、部分的に設けられるようにしてもよい。即ち、第１及び第２の遮光膜６０ｂ及び４００ｂの重なる部分において、これらの遮光膜６０ｂ及び４００ｂのうち少なくとも一方の遮光膜、例えば第１の遮光膜６０ｂについて、第２の遮光膜４００ｂと重なる部分の側に位置する、一端側から他端側に向かって、幅Ｈ［ｎｍ］を有するように、第１の低反射膜６０ａが形成される。

より具体的には、第１の低反射膜６０ａの幅Ｈ［ｎｍ］は、例えば図１２中の矢印Ｐ２で示されるように、第１及び第２の遮光膜６０ｂ及び４００ｂの重なる部分において、第１の遮光膜６０ｂに対して進行する入射光のうち、入射角θ［°］が最大となる光が入射可能な値に調整される。第１の低反射膜６０ａの幅Ｈ［ｎｍ］は、第１の遮光膜６０ｂ及び第２の遮光膜４００ｂの重なる部分における、これらの遮光膜６０ｂ及び４００ｂ間の層間絶縁膜４３の膜厚ｄ［ｎｍ］と、第１の遮光膜６０ｂ及び第１の遮光膜４００ｂの重なる部分に対する入射光のうち入射角θ［°］が最大となる光の、該入射角θ［°］との値に基づいて、次式（１）により規定される。

Ｈ＝ｄ×ｔａｎθ・・・（１）
従って、第１の遮光膜６０ｂにおける第２の遮光膜４００ｂと重なる部分に対して、第２の遮光膜４００ｂと対向する側に向かって進行し、第１の遮光膜６０ｂに対する入射角θ［°］が最大値以下となる光を第１の低反射膜６０ａに入射させることができる。これにより、第１の遮光膜６０ｂにおいて、第２の遮光膜４００ｂと重なる部分に対して進行してくる光が入射される箇所に対してのみ、第１の低反射膜６０ａを必要最小限の配置面積で設けることが可能となる。

よって、第１の遮光膜６０ｂ及び第２の遮光膜４００ｂの重なる部分において、第１の低反射膜６０ａ、及び第１の低反射膜６０ａと同様に第２の低反射膜４００ａを設けることで、第１の遮光膜６０ｂ及び第２の遮光膜４００ｂのうち、一方の遮光膜における他方の遮光膜と対向する側で反射され、他方の遮光膜において一方の遮光膜と対向する側に進行する光を低減することができる。また、第１の遮光膜６０ｂ及び第２の遮光膜４００ｂのうち、一方の遮光膜に対して部分的に必要最小限の配置面積で低反射膜が設けられることで、一方の遮光膜の他方の遮光膜と対向する側の表面を例えば概ね全体に亘って低反射膜により覆う構成と比較して、光が吸収されることで低反射膜において生じる発熱量を低減することが可能となる。

次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図１３は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。

図１３に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

尚、図１３を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）等にも適用可能である。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

液晶装置の概略的な平面図である。 図１のＨ−Ｈ’線断面図である。 実装ケースを液晶装置と共に示す分解斜視図である。 液晶装置が実装ケースに収容された状態での、図２に対応する断面部分の構成を示す断面図である。 液晶装置の電気的な構成を概略的に示すブロック図である。 液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。 画素部の断面部分の構成の一例について、概略的に示す断面図である。 図５に示すサンプリング回路及びその周辺に設けられた各種信号線の構成を拡大して示すブロック図である。 相隣接する二つのサンプリング用ＴＦＴ及び該相隣接する二つのサンプリング用ＴＦＴ間に設けられた間隙遮光膜の構成を示す平面図である。 図９のＡ−Ａ’線断面図である。 図１１（ａ）は、図１０における点線Ｑ０で囲まれた部分の構成を拡大して示す部分拡大断面図であり、図１１（ｂ）は、比較例について、図１１（ａ）に対応する部分の構成を拡大して示す部分拡大断面図である。 変形例について、図１１（ａ）に対応する部分の構成を拡大して示す部分拡大断面図である。 本発明の電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。

符号の説明

９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、４３…層間絶縁膜、６０ａ…第１の低反射膜、６０ｂ…第１の遮光膜、４００ａ…第２の低反射膜、４００ｂ…第２の遮光膜

Claims (9)

1. 基板上に、
   複数の画素電極と、
   該複数の画素電極が設けられた画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられ、層間絶縁膜を介して互いに異なる層に配置されると共に互いに重なる部分を夫々有する複数の遮光膜と、
   該複数の遮光膜のうち少なくとも一の遮光膜における他の遮光膜に対向する側に、前記重なる部分に少なくとも部分的に重なるように形成されると共に、前記一の遮光膜に比べて反射率が低い低反射膜と
   を備えたことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記低反射膜は、前記基板上で平面的に見て、前記一の遮光膜の前記重なる部分の側に位置する一端側から該一端側と反対側に位置する他端側に向かう方向に沿う幅が、前記一の遮光膜の前記重なる部分に対する入射光のうち入射角が最大となる光が入射可能なように、該光の入射角及び前記重なる部分における前記一の遮光膜及び前記他の遮光膜間の前記層間絶縁膜の膜厚によって規定される値として形成されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記一の遮光膜は、前記画素電極を駆動するための各種信号又は電源が供給される第１の配線の少なくとも一部として形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記一の遮光膜は、金属膜により形成されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記金属膜は、アルミニウムを含む導電材料により形成されることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
6. 前記低反射膜は、チタンナイトライドにより形成されることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
7. 前記画素電極を駆動するために前記画素領域に設けられる第２の配線及び各種電子素子を備えており、
   前記一の遮光膜は、前記第２の配線及び前記電子素子を少なくとも部分的に構成する導電膜と同一膜により形成される
   ことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
8. 前記低反射膜は、対応する前記遮光膜と同一膜からなる前記導電膜に対しても形成されることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
9. 請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。

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