JP4123245B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及びそのような電気光学装置を具備してなる例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置は、例えば、特許文献１又は２に開示されているように、素子基板と、該素子基板と対向する対向基板との間に液晶等の電気光学物質を挟持してなる。そして、素子基板上には、画素毎に画素電極が形成されると共に、該画素を駆動するための駆動素子及び配線の少なくとも一部を構成する機能膜が、例えば、画素毎に開口領域を規定する内蔵遮光膜として、格子状に形成される。また、対向基板側にも、素子基板上の内臓遮光膜と共に開口領域を規定する遮光膜が形成される。

ここで、電気光学装置の高精細化する際に、高開口率を維持するためには、素子基板側の内臓遮光膜のサイズを小さくし、更には対向基板側の遮光膜のサイズも小さくする必要がある。このように省サイズ化した内蔵遮光膜と対向基板側の遮光膜との位置合わせを行う際、合わせずれが生じ、画素毎に開口率がばらつく恐れがある。

よって、対向基板側に遮光膜を設けないで、素子基板側のみ内蔵遮光膜を形成すれば、前述したような合わせずれの問題を解消し、電気光学装置を高精細化すると共に高開口率を維持することが可能となる。

尚、特許文献１又は２によれば、前述したような内蔵遮光膜と同一層に配置され、内蔵遮光膜とは電気的に分離された、島状の中継層が設けられる構成が開示されている。この構成によれば、中継層によって、画素電極と駆動素子との電気的接続が中継される。例えば、中継層は、内臓遮光膜における開口領域を規定する輪郭部の一部を切り欠いて、内蔵遮光膜に設けられた切り欠き部に島状に配置される。

また、素子基板側から入射する光が、駆動素子である画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下、適宜ＴＦＴと称する）に入射するのを防止するため、素子基板上において、内蔵遮光膜の下側に、下側遮光膜が形成されることもある。

特開２００１−２４９６２５号公報 特開２００４−１７０９０９号公報

上述したように、対向基板側に遮光膜を形成しない場合、素子基板の基板面上に平面的に見て、下側遮光膜を、内蔵遮光膜に重畳的に且つ内臓遮光膜より幅広に形成すると、下側遮光膜の内臓遮光膜に重畳しない部分において、対向基板側から入射した光が反射して、画素スイッチング用のＴＦＴに入射する恐れがある。その結果、ＴＦＴにおいて光リーク電流が生じる。このような事態を防止するためには、下側遮光膜を内蔵遮光膜と重畳的に、且つ素子基板の基板面上に平面的に見て内蔵遮光膜より幅が小さくなるように、形成すればよい。

しかしながら、上述したように、内蔵遮光膜の輪郭部の一部を切り欠いて形成された切り欠き部に、島状に中継層が配置されている場合、素子基板の基板面上に平面的に見て、下側遮光膜に重畳しない内蔵遮光膜の輪郭部と、中継層の輪郭部との間に隙間が生じる。また、このような隙間に加えて、素子基板の基板面上に平面的に見て、下側遮光膜に重畳しない内蔵遮光膜の輪郭部及び中継層の輪郭部の形状に基づく凹凸部が生じる。このように生じた隙間や凹凸部では、電気光学装置の駆動時、光漏れが生じたり光が乱反射したりするため、コントラストが低下して、表示画像の品位が劣化するという問題点を生じる。

本発明は、上記問題点に鑑み成されたものであり、高品質な画像表示を行うことが可能な電気光学装置及び該電気光学装置を備えた各種電子機器を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、素子基板上の画像表示領域に、画素毎に形成された画素電極と、該画素を駆動するための駆動素子又は配線の少なくとも一部を構成し、前記画素毎に開口領域を少なくとも部分的に規定するように形成され、前記素子基板上で平面的に見て前記開口領域から分離された開口部が形成された第１の上側遮光膜と、該第１の上側遮光膜と同一層に、前記第１の上側遮光膜と電気的に分離されて、前記素子基板上で平面的に見て前記開口部内に島状に形成され、前記画素電極と前記駆動素子との電気的接続を中継する第２の上側遮光膜と、前記駆動素子又は前記配線の少なくとも一部を構成し、前記第１の上側遮光膜の下層側に、前記素子基板上で平面的に見て前記開口部を覆うように且つ前記第１の上側遮光膜の幅より小さい幅を持つように形成された下側遮光膜とを備える。

本発明の電気光学装置は、素子基板と、該素子基板に対向して配置される対向基板との間に、例えば液晶が電気光学物質として挟持されることによって構成される。そして、素子基板上の画像表示領域に、画素電極、並びに該画素を駆動するための配線及び駆動素子を夫々構成する複数の導電膜が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造において、複数の導電膜のうち、異なる層に形成された導電膜は、相互に層間絶縁層によって層間絶縁される。或いは、これら複数の導電膜や層間絶縁膜に加えて、散乱膜や反射膜等の機能膜が積層構造に作り込まれることもある。

このような積層構造において、画素毎に開口領域を少なくとも部分的に規定するように第１の上側遮光膜が形成される。第１の上側遮光膜は、配線又は電子素子の少なくとも一部を形成する、例えば遮光性の導電膜として、格子状やストライプ状に形成される。尚、このような第１の上側遮光膜は、それよりも下層側であって下側遮光膜より上層側に形成される他の導電膜と共に、開口領域を規定するように形成されてもよい。

また、第１の上側遮光膜と同一層に、第２の上側遮光膜が形成される。第２の上側遮光膜は、画素電極と駆動素子との電気的接続を中継する、遮光性の中継層である。ここで、第１の上側遮光膜には、素子基板上で平面的に見て、開口領域とは分離された開口部である窓が設けられる。この窓は、第１の上側遮光膜において、開口領域を規定する輪郭部より内部に配置される。この窓内に、第２の上側遮光膜が、素子基板上で平面的に見て島状に形成されることによって、第１の上側遮光膜と第２の上側遮光膜とは電気的に分離される。

加えて、第１の上側遮光膜より下層側に、第１の上側遮光膜と重畳的に下側遮光膜が形成される。下側遮光膜は、配線又は電子素子の少なくとも一部を形成する、例えば遮光性の導電膜である。素子基板の基板面上に平面的に見て、下側遮光膜は、窓を覆うように形成されると共に、第１の上側遮光膜の幅より小さい幅で形成されている。即ち、素子基板上で平面的に見て、下側遮光膜は、第１の上側遮光膜における開口領域を規定する輪郭部の外側にはみ出ないように形成されている。よって、電気光学装置の駆動時、素子基板の上側、即ち対向基板側から入射した光（例えば、投射光などの通常強力である光源光）が、第１の上側遮光膜における開口領域を規定する輪郭部の外側にはみ出した下側遮光膜の一部で反射されるのを防止することができる。従って、入射光が、上側遮光膜におけるはみ出した一部で反射した後、第１の上側遮光膜と下側遮光膜との間で多重反射光、乱反射光或いは迷光となって、駆動素子である、画素スイッチング用のＴＦＴ等に到達することを効果的に防止できる。よって、この駆動素子における光リーク電流の発生をより確実に防止することができる。逆に、素子基板の下側から入射する戻り光（例えば、素子基板の裏面で反射した光）が、第１の上側遮光膜におけるはみ出した一部で反射される可能性はあるが、このような戻り光は、素子基板の裏面反射等による、投射光等の光源光と比べて遥かに弱い光である。よって、第１の上側遮光膜におけるはみ出した一部で戻り光に基づいて多重反射光等が発生しても、その光量は極めて微量であり、その影響は殆ど又は実践上全くなくて済む。

また、素子基板上で平面的に見て、第１の上側遮光膜の窓において、第２の上側遮光膜の輪郭部と、窓の輪郭部との隙間は、下側遮光膜によって覆われた状態にある。従って、このような隙間において、対向基板又は素子基板側から入射する光が、光漏れする事態を防止することが可能となる。

更に、第１の上側遮光膜において、開口領域を規定する輪郭部より内部に窓が形成されるため、この輪郭部には凹凸部や隙間が形成されない。よって、この隙間や凹凸部において、対向基板側から入射した光が、光漏れしたり、乱反射したりするのを防止することができる。

加えて、本発明の電気光学装置によれば、対向基板側に遮光膜を形成しなくても、第１の上側遮光膜、及び第２の上側遮光膜と、下側遮光膜とによって、対向基板側から入射される光、及び素子基板側から入射される光を、より確実に遮光することが可能となる。従って、以上説明したような、本発明の電気光学装置では、コントラストを向上させると共に高精細化させることができる。

ここで、電気光学物質として液晶を用いて構成される液晶装置では、液晶において、前述のような第１の上側遮光膜の輪郭部の隙間や凹凸部に対応する部分では、ディスクリネーションが生じることにより、光漏れが発生する。よって、この場合、第１の上側遮光膜において、開口領域を規定する輪郭部に隙間や凹凸部が存在していても、していなくても、この隙間や凹凸部において光漏れが生じることとなる。尚、このような光漏れは、対向基板側に遮光膜を、対向基板側から平面的に見て、前述したように形成された第１の上側遮光膜の輪郭部の隙間や凹凸部を覆うようなパターンとして形成することによって、防止することができる。

しかしながら、液晶装置において、各画素電極に、１フレーム期間毎に基準電位に対して異なる極性の電圧を有する画像信号を供給して画像表示を行う際には、即ち、フレーム反転駆動を行う場合には、液晶において、前述したようなディスクリネーションは生じない。よって、本発明の電気光学装置によれば、この場合において、対向基板側の遮光膜を設けなくても、効果的にコントラストを向上させることが可能となる。

以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、高品位な画像表示を行うことが可能となる。

本発明の電気光学装置の一態様では、前記素子基板上の非開口領域に、前記駆動素子として、前記素子基板上で平面的に見て相隣接する前記開口部間の略中央の位置に形成された、前記画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタを更に備える。

この態様によれば、第１の上側遮光膜の窓において、第２の上側遮光膜の輪郭部と、窓の輪郭部との間には隙間が生じる。この態様では、この隙間を介して、対向基板側から入射する光が、画素スイッチング用のＴＦＴに照射されるのを防止することが可能となる。このため、画素スイッチング用のＴＦＴにおける光リーク電流の発生をより確実に防止することができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１の上側遮光膜は、前記画素電極に蓄積容量を付加するための容量電極又は該容量電極に接続された容量配線として形成されている。

この態様によれば、第１の上側遮光膜は、蓄積容量の固定電位側容量電極又はこれに接続された容量配線として形成される。第１の上側遮光膜と第２の上側遮光膜とは電気的に分離されているため、第１の上側遮光膜を、固定電位とすることができる。この際、第１の上側遮光膜を、素子基板上に引き回して、複数の画素電極に共通の配線として、例えば格子状又はストライプ状に形成することにより、対向基板側から入射する光を効率良く遮光することが可能となる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記下側遮光膜は、走査信号が供給される走査線として形成されている。

この態様によれば、各走査線は、画素毎に形成された画素電極のうち複数に共通に配線される。よって、このような走査線として下側遮光膜を形成することにより、素子基板側からＴＦＴに入射する光をより効率良く遮光することが可能となる。尚、各画素電極には、例えば、走査線より供給された走査信号に応じて、画素スイッチング用のＴＦＴを介して、画像信号が供給される。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記素子基板と対向して設けられ、前記素子基板との間に電気光学物質を挟持する対向基板と、該対向基板における前記素子基板と対向する側に、少なくとも前記第１の上側遮光膜の前記開口部と前記第２の上側遮光膜との間の間隔を平面的に全て覆うように形成され、前記第１の上側遮光膜と共に前記開口領域を規定する対向基板側遮光膜とを更に備える。

この態様によれば、対向基板における素子基板と対向する側において、対向基板側遮光膜は、格子状に或いはストライブ状に、第１の上側遮光膜に重畳するようなパターンとして形成されている。よって、この態様によれば、対向基板側から平面的に見て、第１の上側遮光膜の窓において、第２の上側遮光膜の輪郭部と、窓の輪郭部との間に設けられた隙間は、対向基板側遮光膜によって覆われた状態となる。従って、対向基板側から入射する光を、素子基板側に形成された第１の上側遮光膜及び第２の上側遮光膜に加えて、対向基板側遮光膜によってより確実に遮光することが可能となる。

尚、このような対向基板側遮光膜の幅を狭くして、開口領域を規定するのは、素子基板上の遮光膜に委ねつつ、対向基板側遮光膜を、非開口領域に到達しようとする例えば投射光等の強力な光源光のかなりの部分を遮光することで素子基板側の温度上昇を抑えるという、専ら熱対策用に用いてもよい。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電極には、前記配線及び前記駆動素子を介して、１フレーム期間毎に、基準電位に対して極性が反転された画像信号が供給される。

この態様によれば、フレーム反転駆動を行う場合にも、効果的にコントラストを向上させることが可能となる。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。

本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた装置としてDLP（Digital Light Processing）等を実現することも可能である。

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。

以下では、本発明の実施の形態について図１から図９を参照して説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。

＜１：電気光学装置の全体構成＞
まず、本発明の電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに、図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。

図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、本発明に係る「素子基板」の一例であるＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。

画像表示領域の１０ａの周辺に位置する周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。

また、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。

なお、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

＜２：画素部における構成＞
以下では、本発明の本実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図３から図６を参照して説明する。ここに図３は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路であり、図４及び図５は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。なお、図４及び図５は、それぞれ、後述する積層構造のうち下層部分（図４）と上層部分（図５）とを分かって図示している。また、図６は、図４及び図５を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。なお、図６においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。

図３において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

また、ＴＦＴ３０のゲートにゲート電極３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａ及びゲート電極３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。

画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。

ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。この蓄積容量７０は、走査線１１ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量電極３００を含んでいる。

以下では、上記データ線６ａ、走査線１１ａ及びゲート電極３ａ、ＴＦＴ３０等による、上述のような回路動作が実現される電気光学装置の、具体的の構成について、図４乃至図６を参照して説明する。

まず、図５において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（点線部により輪郭が示されている）、また、図４及び図５に示すように、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線１１ａが設けられている。データ線６ａは、後述するようにアルミニウム膜等を含む積層構造からなり、走査線１１ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線１１ａは、半導体層１ａのうち図４中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向するゲート電極３ａにコンタクトホール１２ｃｖを介して電気的に接続されており、該ゲート電極３ａは該走査線１１ａに含まれる形となっている。すなわち、ゲート電極３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に、走査線１１ａに含まれるゲート電極３ａが対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。これによりＴＦＴ３０（ゲート電極を除く。）は、ゲート電極３ａと走査線１１ａとの間に存在するような形態となっている。

次に、電気光学装置は、図４及び図５のＡ−Ａ´線断面図たる図６に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなるＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０とを備えている。

ＴＦＴアレイ基板１０の側には、図６に示すように、前記の画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０の側には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。

このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、前述のシール材５２（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。

一方、ＴＦＴアレイ基板１０上には、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６の他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。この積層構造は、図６に示すように、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０等を含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、容量配線４００等を含む第５層、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む第６層（最上層）からなる。また、第１層及び第２層間には下地絶縁膜１２が、第２層及び第３層間には第１層間絶縁膜４１が、第３層及び第４層間には第２層間絶縁膜４２が、第４層及び第５層間には第３層間絶縁膜４３が、第５層及び第６層間には第４層間絶縁膜４４が、それぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。また、これら各種の絶縁膜１２、４１、４２、４３及び４４には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール等もまた設けられている。以下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。なお、前述のうち第１層から第３層までが、下層部分として図４に図示されており、第４層から第６層までが上層部分として図５に図示されている。

（積層構造・第１層の構成―走査線等―）
まず、第１層には、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは導電性ポリシリコン等からなる走査線１１ａが設けられている。この走査線１１ａは本発明に係る「下側遮光膜」の一例に相当し、平面的にみて、図４のＸ方向に沿うように、ストライプ状にパターニングされている。より詳しく見ると、ストライプ状の走査線１１ａは、図４のＸ方向に沿うように延びる本線部と、データ線６ａ或いは容量配線４００が延在する図４のＹ方向に延びる突出部とを備えている。なお、隣接する走査線１１ａから延びる突出部は相互に接続されることはなく、したがって、該走査線１１ａは１本１本分断された形となっている。

ここで、図５にも、図４に示す走査線１１ａの構成を示してある。本実施形態では、走査線１１ａは、図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面上で平面的に見て、容量配線４００に重畳的に形成されている。走査線１１ａの詳細な構成については後述する。

（積層構造・第２層の構成―ＴＦＴ等―）
次に、第２層として、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、図６に示すように、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、上述したゲート電極３ａ、例えばポリシリコン膜からなりゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、ゲート電極３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。

また、本実施形態では、この第２層に、上述のゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。この中継電極７１９は、平面的に見て、図４に示すように、各画素電極９ａのＸ方向に延びる一辺の略中央に位置するように、島状に形成されている。中継電極７１９とゲート電極３ａとは同一膜として形成されているから、後者が例えば導電性ポリシリコン膜等からなる場合においては、前者もまた、導電性ポリシリコン膜等からなる。

なお、上述のＴＦＴ３０は、好ましくは図６に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、ゲート電極３ａをマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。

（積層構造・第１層及び第２層間の構成―下地絶縁膜―）
以上説明した走査線１１ａの上、かつ、ＴＦＴ３０の下には、例えばシリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、走査線１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。

この下地絶縁膜１２には、平面的にみて半導体層１ａの両脇に、後述するデータ線６ａに沿って延びる半導体層１ａのチャネル長の方向に沿った溝状のコンタクトホール１２ｃｖが掘られており、このコンタクトホール１２ｃｖに対応して、その上方に積層されるゲート電極３ａは下側に凹状に形成された部分を含んでいる。また、このコンタクトホール１２ｃｖ全体を埋めるようにして、ゲート電極３ａが形成されていることにより、該ゲート電極３ａには、これと一体的に形成された側壁部３ｂが延設されるようになっている。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａは、図４によく示されているように、平面的にみて側方から覆われるようになっており、少なくともこの部分からの光の入射が抑制されるようになっている。

また、この側壁部３ｂは、前記のコンタクトホール１２ｃｖを埋めるように形成されているとともに、その下端が前記の走査線１１ａと接するようにされている。ここで走査線１１ａは、上述のようにストライプ状に形成されていることから、ある行に存在するゲート電極３ａ及び走査線１１ａは、当該行に着目する限り、常に同電位となる。

（積層構造・第３層の構成―蓄積容量等―）
さて、前述の第２層に続けて第３層には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての下部電極７１と、固定電位側容量電極としての容量電極３００とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。また、本実施形態に係る蓄積容量７０は、図４の平面図を見るとわかるように、画素電極９ａの形成領域にほぼ対応する光透過領域には至らないように形成されているため（換言すれば、遮光領域内に収まるように形成されているため）、電気光学装置全体の画素開口率は比較的大きく維持され、これにより、より明るい画像を表示することが可能となる。

より詳細には、下部電極７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。ただし、下部電極７１は、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。また、この下部電極７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。ちなみに、ここにいう中継接続は、前記の中継電極７１９を介して行われている。

容量電極３００は、蓄積容量７０の固定電位側容量電極として機能する。本実施形態において、容量電極３００を固定電位とするためには、固定電位とされた容量配線４００（後述する。）と電気的接続が図られることによりなされている。また、容量電極３００は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは好ましくはタングステンシリサイドからなる。これにより、容量電極３００は、ＴＦＴ３０に上側から入射しようとする光を遮る機能を有している。

誘電体膜７５は、図６に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、あるいは窒化シリコン膜等から構成される。

本実施形態において、この誘電体膜７５は、図６に示すように、下層に酸化シリコン膜７５ａ、上層に窒化シリコン膜７５ｂというように二層構造を有するものとなっている。上層の窒化シリコン膜７５ｂは画素電位側容量電極の下部電極７１より少し大きなサイズにパターニングされ、遮光領域（非開口領域）内で収まるように形成されている。

なお、本実施形態では、誘電体膜７５は、二層構造を有するものとなっているが、場合によっては、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜等というような三層構造や、あるいはそれ以上の積層構造を有するように構成してもよい。むろん単層構造としてもよい。

（積層構造、第２層及び第３層間の構成―第１層間絶縁膜―）
以上説明したＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａ及び中継電極７１９の上、かつ、蓄積容量７０の下には、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。

そして、この第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと後述するデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が、後記第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。また、第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下部電極７１とを電気的に接続するコンタクトホール８３が開孔されている。さらに、この第１層間絶縁膜４１には、蓄積容量７０を構成する画素電位側容量電極としての下部電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８１が開孔されている。更に加えて、第１層間絶縁膜４１には、中継電極７１９と後述する第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８２が、後記第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。

（積層構造・第４層の構成―データ線等―）
さて、前述の第３層に続けて第４層には、データ線６ａが設けられている。このデータ線６ａは、図６に示すように、下層より順に、アルミニウムからなる層（図６における符号４１Ａ参照）、窒化チタンからなる層（図６における符号４１ＴＮ参照）、窒化シリコン膜からなる層(図６における符号４０１参照)の三層構造を有する膜として形成されている。窒化シリコン膜は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。

また、この第４層には、データ線６ａと同一膜として、容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２が形成されている。これらは、図５に示すように、平面的に見ると、データ線６ａと連続した平面形状を有するように形成されているのではなく、各者間はパターニング上分断されるように形成されている。

ちなみに、これら容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２は、データ線６ａと同一膜として形成されていることから、下層より順に、アルミニウムからなる層、窒化チタンからなる層、プラズマ窒化膜からなる層の三層構造を有する。

（積層構造・第３層及び第４層間の構成―第２層間絶縁膜―）
以上説明した蓄積容量７０の上、かつ、データ線６ａの下には、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ，ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された第２層間絶縁膜４２が形成されている。この第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続する、前記のコンタクトホール８１が開孔されているとともに、前記容量配線用中継層６ａ１と蓄積容量７０の上部電極たる容量電極３００とを電気的に接続するコンタクトホール８０１が開孔されている。さらに、第２層間絶縁膜４２には、第２中継電極６ａ２と中継電極７１９とを電気的に接続するための、前記のコンタクトホール８８２が形成されている。

（積層構造・第５層の構成―容量配線等―）
さて、前述の第４層に続けて第５層には、本発明に係る「第１の上側遮光膜」の一例として容量配線４００が形成されている。この容量配線４００は、平面的にみると、図５に示すように、図中Ｘ方向及びＹ方向それぞれに延在するように、格子状に形成されている。そして、このような容量配線４００によって、画素毎に開口領域が規定される。

容量配線４００のうち図５中Ｙ方向に延在する部分については特に、データ線６ａを覆うように、且つ、該データ線６ａよりも幅広に形成されている。また、図６中Ｘ方向に延在する部分については、後述の第３中継電極４０２を形成する領域を確保するために、各画素電極９ａの一辺の中央付近に、開口領域とは分離されて形成された開口部である窓４００ａが設けられている。

さらには、図５中、ＸＹ方向それぞれに延在する容量配線４００の交差部分の隅部においては、該隅部を埋めるようにして、略三角形状の部分が設けられている。容量配線４００に、この略三角形状の部分が設けられていることにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する光の遮蔽を効果的に行うことができる。すなわち、半導体層１ａに対して、斜め上から進入しようとする光は、この三角形状の部分で反射又は吸収されることになり半導体層１ａには至らないことになる。したがって、光リーク電流の発生を抑制し、フリッカ等のない高品質な画像を表示することが可能となる。この容量配線４００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。

また、第５層には、このような容量配線４００と同一膜として、本発明に係る「第２の上側遮光膜」の一例として第３中継電極４０２が、容量配線４００の窓４００ａ内に島状に形成されている。より具体的には、容量配線４００及び第３中継電極４０２間は、平面形状的に連続して形成されているのではなく、両者間はパターニング上分断されるように形成されている。これにより、第３中継電極４０２は、容量配線４００と電気的に分離される。また、第３中継電極４０２は、後述のコンタクトホール８０４及び８９を介して、第２中継電極６ａ２及び画素電極９ａ間の電気的接続を中継する機能を有する。

本実施形態では、上述の容量配線４００及び第３中継電極４０２は、下層にアルミニウムからなる層、上層に窒化チタンからなる層の二層構造を有している。尚、容量配線４００及び第３中継電極４０２の詳細な構成は後述する。

（積層構造・第４層及び第５層間の構成―第３層間絶縁膜―）
以上説明した前述のデータ線６ａの上、かつ、容量配線４００の下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。この第３層間絶縁膜４３には、前記の容量配線４００と容量配線用中継層６ａ１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０３、及び、第３中継電極４０２と第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。

（積層構造・第６層並びに第５層及び第６層間の構成―画素電極等―）
最後に、第６層には、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、該画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９ａ下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第４層間絶縁膜４４が形成されている。この第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａ及び前記の第３中継電極４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。画素電極９ａとＴＦＴ３０との間は、このコンタクトホール８９及び第３中継層４０２並びに前述したコンタクトホール８０４、第２中継層６ａ２、コンタクトホール８８２、中継電極７１９、コンタクトホール８８１、下部電極７１及びコンタクトホール８３を介して、電気的に接続されることとなる。

＜３：容量配線及び第３中継電極の詳細な構成＞
以下、図１から図６に加えて、図７から図９を参照して、容量配線４００及び第３中継電極４０２の詳細な構成について説明する。図７は、図４及び図５に示す任意の画素部において、容量配線４００及び第３中継電極４０２、並びに走査線１１ａに着目して、これらの配置関係を示す平面図であり、図８は、対向基板２０上に形成される遮光膜２３の構成例を示す平面図である。また、図９（ａ）は、比較例における、容量配線４００及び第３中継電極４０２、並びに走査線１１ａの構成を示す平面図であって、図９（ｂ）は、比較例における、容量配線４００及び第３中継電極４０２、並びに遮光膜２３の構成を示す平面図である。

図７に示すように、容量配線４００のうちＸ方向に延在する部分において、開口領域を規定する輪郭部より内側に窓４００ａが形成されている。そして、この窓４００ａ内には、第３中継電極４０２が島状に形成されている。よって、容量配線４００において、開口領域を規定する輪郭部には凹凸部や隙間が形成されない。

また、走査線１１ａにおいて、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、Ｘ方向に延在する部分は、窓４００ａを覆うように形成されている。また、ＴＦＴアレイ基板１０の基板上で平面的に見て、走査線１１ａは、Ｘ方向に延在する部分の幅ｄ１１が、容量配線４００のうちＸ方向に延在する部分の幅ｄ２１より小さくなるように形成されている。また、Ｘ方向と同様に、ＴＦＴアレイ基板１０の基板上で平面的に見て、走査線１１ａにおいてＹ方向に延在する部分の幅ｄ１２も、容量配線４００のうちＹ方向に延在する部分の幅ｄ２２より小さくなっている。即ち、ＴＦＴアレイ基板１０の基板上で平面的に見て、走査線１１ａは、容量配線４００における開口領域を規定する輪郭部の外側にはみ出ないように形成されている。

よって、電気光学装置の駆動時、対向基板２０側から入射した光が、容量配線４００における開口領域を規定する輪郭部の外側にはみ出した走査線１１ａの一部で反射されるのを防止することができる。

加えて、図７において、走査線１１ａの幅ｄ１１は、窓４００ａの幅ｄ３１よりも大きくなっており、走査線１１によって窓４００ａは覆われていることになる。

また、本実施形態では、図４から図６に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の基板上で平面的に見て、ＴＦＴ３０は、非開口領域において、相隣接する容量配線４００の窓４００ａ間の略中央の位置に形成されている。よって、容量配線４００の窓４００ａにおいて、第３中継電極４０２の輪郭部と、窓４００ａの輪郭部との隙間を介して、ＴＦＴ３０に、対向基板２０側から入射した光が照射されるのを防止することができる。従って、ＴＦＴ３０における光リーク電流の発生をより確実に防止することができる。

また、ＴＦＴアレイ基板１０の基板上で平面的に見て、容量配線４００の窓４００ａにおいて、第３中継電極４０２の輪郭部と、窓４００ａの輪郭部との隙間は、走査線１１ａによって覆われた状態にある。従って、このような隙間において、対向基板２０又はＴＦＴアレイ基板１０側から入射する光が、光漏れする事態を防止することが可能となる。

ところで、図９（ａ）に示す比較例によれば、容量配線４００のうちＸ方向に延在する部分において、開口領域を規定する輪郭部を切り欠いて、第３中継電極４０２が、容量配線４００とは分断されたパターンとして形成されている。また、走査線１１ａは、図７に示す構成と同様に、容量配線４００に重畳的に、ＴＦＴアレイ基板１０の基板上で平面的に見て、この容量配線４００の外側にはみ出ないように形成されている。

このような構成によれば、図９（ａ）中、領域Ｃ１として示した、容量配線４００の開口領域を規定する輪郭部には、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、隙間や凹凸部が生じることとなる。従って、この隙間や凹凸部において、対向基板２０側から入射した光が、光漏れしたり、乱反射したりする恐れがある。

これに対して、図７に示すように、本実施形態では、容量配線４００において、開口領域を規定する輪郭部には凹凸部や隙間が形成されないため、この凹凸部や隙間における光漏れや光の乱反射を防止することが可能となる。

以上説明したような、本実施形態によれば、仮に、対向基板２０側に遮光膜２３を形成しなくても、容量配線４００及び第３中継電極４０２、並びに走査線１１ａによって、対向基板２０側から入射される光、及び素子基板１０側から入射される光を、より確実に遮光することが可能となる。従って、本実施形態では、電気光学装置において、表示画像のコントラストを向上させると共に、高精細化させることができる。

ここで、図９（ａ）に示すように、容量配線４００の輪郭部に隙間や凹凸部が形成されていると、液晶層５０において、このように形成された隙間や凹凸部に対応する部分では、電気光学装置の駆動時、ディスクリネーションが生じることにより、光漏れが発生する。よって、この場合、容量配線４００において、開口領域を規定する輪郭部に隙間や凹凸部が存在していても、していなくても、この隙間や凹凸部において光漏れが生じることとなる。尚、このような光漏れは、対向基板２０側に遮光膜２３を、対向基板２０側から平面的に見て、前述したように形成された容量配線４００の輪郭部の隙間や凹凸部を覆うようなパターンとして形成することによって、防止することができる。

しかしながら、電気光学装置においてフレーム反転駆動により画像表示を行う場合には、液晶層５０において、前述したようなディスクリネーションは生じない。よって、この場合において、仮に対向基板２０側に遮光膜２３を設けなくても、効果的にコントラストを向上させることが可能となる。

更に、本実施形態では、図２に示すように対向基板２０上に遮光膜２３が形成されている。図８には、対向基板２０上に、格子状に形成された遮光膜２３の構成を示してある。遮光膜２３は、容量配線４００と重畳的に、且つこの容量配線４００と共に開口領域を規定するように形成されている。そして、図８に示すように、対向基板２０側から平面的に見て、容量配線４００の窓４００ａにおいて、第３中継電極４０２の輪郭部と、窓４００ａの輪郭部との間に形成された隙間は、遮光膜２３によって覆われた状態となる。従って、対向基板２０側から入射する光を、ＴＦＴアレイ基板１０側に形成された容量配線４００及び第３中継電極４０２に加えて、遮光膜２３によってより確実に遮光することが可能となる。

これに対して、図９（ｂ）に示す比較例によれば、図９（ａ）に示す構成と同様に、容量配線４００の、開口領域を規定する輪郭部を切り欠いて、第３中継電極４０２が設けられている。そして、図９（ｂ）には、容量配線４００と、遮光膜２３との合わせずれが生じた場合の、両者の配置関係の一例を示してある。このような合わせずれが生じた場合には、図９（ａ）と同様に、図９（ａ）中領域Ｃ２として示した、容量配線４００の開口領域を規定する輪郭部に形成された、隙間や凹凸部において、対向基板２０側から入射した光が、光漏れしたり、乱反射したりする恐れがある。

本実施形態では、このように、対向基板２０側に形成された遮光膜２３と容量配線４００との合わせずれが生じた場合も、容量配線４００において、開口領域を規定する輪郭部には凹凸部や隙間が形成されないため、この凹凸部や隙間における光漏れや光の乱反射を防止することが可能となる。

よって、以上説明したような本実施形態によれば、高品位な画像表示を行うことが可能となる。

＜４；電子機器＞
次に、上述した液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。

＜４−１：プロジェクタ＞
まず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１０は、プロジェクタの構成例を示す平面配置図である。この図に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブ１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。これら３つのライトバルブ１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇは夫々液晶装置を含む液晶モジュールを用いて構成されている。

ライトバルブ１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇにおいて液晶パネル１００は、画像信号供給回路３００から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネル１００によって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各ライトバルブ１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、ライトバルブ１１１０Ｇによる表示像は、ライトバルブ１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

なお、ライトバルブ１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

＜４−２：モバイル型コンピュータ＞
次に、液晶装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１１は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は、先に述べた液晶装置１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されている。

＜４−３；携帯電話＞
さらに、液晶装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図１２は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶装置１００５を備えるものである。この反射型の液晶装置１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。

尚、図１０から図１２を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

電気光学装置の全体構成を示す平面図である。 図１のＨ−Ｈ’断面図である。 電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素部における各種素子、配線等の等価回路である。 データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であって、下層部分（図６における符号７０（蓄積容量）までの下層の部分）に係る構成のみを示すものである。 データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であって、上層部分（図６における符号７０（蓄積容量）を超えて上層の部分）に係る構成のみを示すものである。 図４及び図５を重ね合わせた場合のＡ−Ａ’断面図である。 任意の画素部における、容量配線及び第３中継電極、並びに走査線の配置関係を示す平面図である。 対向基板上に形成される遮光膜の構成例を示す平面図である。 図９（ａ）は、比較例における、容量配線及び第３中継電極、並びに走査線の構成を示す平面図であって、図９（ｂ）は、比較例における、容量配線及び第３中継電極、並びに対向基板側遮光膜の構成を示す平面図である。 液晶装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。 液晶装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。 液晶装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。

符号の説明

９ａ…画素電極、１０ａ…画像表示領域、１０…ＴＦＴアレイ基板、１１ａ…走査線、４００…容量配線、４００ａ…窓、４０２…第３中継電極。

Claims (7)

1. 素子基板上の画像表示領域に、画素毎に形成された画素電極と、
   該画素を駆動するための駆動素子又は配線の少なくとも一部を構成し、前記画素毎に開口領域を少なくとも部分的に規定するように形成され、前記素子基板上で平面的に見て前記開口領域から分離されて開口部が形成された第１の上側遮光膜と、
   該第１の上側遮光膜と同一層に、前記第１の上側遮光膜と電気的に分離されて、前記素子基板上で平面的に見て前記開口部内に島状に形成され、前記画素電極と前記駆動素子との電気的接続を中継する第２の上側遮光膜と、
   前記駆動素子又は前記配線の少なくとも一部を構成し、前記第１の上側遮光膜の下層側に、前記素子基板上で平面的に見て前記開口部を覆うように且つ前記第１の上側遮光膜の幅より小さい幅を持つように形成された下側遮光膜と
   を備えることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記素子基板上の非開口領域に、前記駆動素子として、前記素子基板上で平面的に見て相隣接する前記開口部間の略中央の位置に形成された、前記画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタを更に備えること
   を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第１の上側遮光膜は、前記画素電極に蓄積容量を付加するための容量電極又は該容量電極に接続された容量配線として形成されていること
   を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記下側遮光膜は、走査信号が供給される走査線として形成されていること
   を特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記素子基板と対向して設けられ、前記素子基板との間に電気光学物質を挟持する対向基板と、
   該対向基板における前記素子基板と対向する側に、少なくとも前記第１の上側遮光膜の前記開口部と前記第２の上側遮光膜との間の間隔を平面的に全て覆うように形成され、前記第１の上側遮光膜と共に前記開口領域を規定する対向基板側遮光膜と
   を更に備えることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
6. 前記画素電極には、前記配線及び前記駆動素子を介して、１フレーム期間毎に、基準電位に対して極性が反転された画像信号が供給されること
   を特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
   

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