JP2016177230A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents
電気光学装置および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016177230A JP2016177230A JP2015059151A JP2015059151A JP2016177230A JP 2016177230 A JP2016177230 A JP 2016177230A JP 2015059151 A JP2015059151 A JP 2015059151A JP 2015059151 A JP2015059151 A JP 2015059151A JP 2016177230 A JP2016177230 A JP 2016177230A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- electrode
- semiconductor layer
- electro
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 118
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 109
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 79
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 79
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 57
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 232
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 70
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 27
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 16
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 10
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 9
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 4
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000617550 Dictyostelium discoideum Presenilin-A Proteins 0.000 description 1
- 101000994667 Homo sapiens Potassium voltage-gated channel subfamily KQT member 2 Proteins 0.000 description 1
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 102100034354 Potassium voltage-gated channel subfamily KQT member 2 Human genes 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N silicon tungsten Chemical compound [Si].[W] WNUPENMBHHEARK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/40—Arrangements for improving the aperture ratio
Abstract
学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置の素子基板10において、遮光性の第1金属層6のうち、デー
タ線6a(第1配線)は半導体層1aに平面視で重なり、中継電極6b(第1中継電極)
は、第1配線6a側の端部6b1が半導体層1aに沿ってY方向(第1方向)に延在して
データ線6aに対して第1隙間g1を介して対向している。第1金属層6と画素電極9a
との層間には遮光性の第2金属層8が形成されており、第2金属層8のうち、定電位線8
aの第1張り出し部8eによって、第1隙間g1に平面視で重なる第1遮光部8sが構成
されている。第1金属層6および第2金属層8はいずれも、アルミニウム層を含んでおり
、電気抵抗が低いとともに、OD値が略無限大である。
【選択図】図8
Description
び電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。
等の配線、画素電極が設けられており、画素トランジスターが選択期間にオン状態になる
ことにより、データ線から画素トランジスターを介して画素電極に画像信号を供給する。
かかる電気光学装置では、各画素において光が透過する画素開口領域を広くして明るい表
示を行うことが求められる。その一方で、画素トランジスターを構成する半導体層に照明
光が入射すると、光リーク電流が発生し、フリッカ等の原因となる。
って半導体層への照明光の入射を抑制する技術が提案されている(特許文献1参照)。
合、半導体層と遮光層とが離間している。このため、半導体層に向けて斜め方向に進行す
る光を遮断するには、遮光層の幅を広げる必要があるため、画素開口部が狭くなってしま
う。
率よく遮断することのできる電気光学装置、および電子機器を提供することにある。
側で第1方向に延在する半導体層を備えた画素トランジスターと、前記半導体層に対して
前記基板とは反対側に設けられ、前記半導体層の一方側端部に導通する画素電極と、前記
第1方向に延在して前記半導体層と平面視で重なる第1配線、および前記第1配線から前
記第1方向と交差する第2方向の一方側に離間した第1中継電極を含み、前記画素トラン
ジスターと前記画素電極との層間に設けられた遮光性の第1金属層と、前記第1方向およ
び前記第2方向の少なくとも一方に延在する第2配線を含み、前記第1金属層と前記画素
電極との層間に設けられた遮光性の第2金属層と、を有し、前記第1中継電極は、前記第
2方向の他方側の端部が前記第1配線と第1隙間を隔てて前記半導体層に沿って前記第1
方向に延在し、前記第2金属層は、前記第1隙間と平面視で重なる第1遮光部を備えてい
ることを特徴とする。
は、第2方向の他方側の端部が第1配線と第1隙間を隔てて半導体層に沿って第1方向に
延在している。また、第1金属層は、第2金属層より半導体層に近い位置にある。このた
め、第2方向の一方側に斜めに傾いた方向から進行する光が半導体層に到達することを第
1中継電極によって抑制することができる。ここで、第1配線と第1中継電極とは、異な
る電位が印加されるため、第1隙間の幅をある程度、十分な寸法とする必要があるが、そ
の場合でも、第2金属層の第1遮光部が第1隙間に平面視で重なっている。このため、第
2方向の一方側に斜めに傾いた方向から進行する光が半導体層に到達することを確実に抑
制することができる。それ故、光リーク電流に起因するフリッカ等の発生を抑制すること
ができる。
1本体部の前記第2方向の前記他方側の端部から前記半導体層に沿って前記第1方向に突
出した第1突出部と、を備えていることが好ましい。かかる構成によれば、第1突出部が
半導体層に沿って延在するので、第1中継電極全体を第1方向に延在させた場合に比して
、画素開口部を広くすることができる。
なっており、前記第1遮光部は、前記第2配線から前記第2方向の前記一方側に張り出し
た第1張り出し部を含むことが好ましい。かかる構成によれば、簡素な構成で、第2金属
層が平面視で第1隙間に重なっている構成を実現することができる。
間した第2中継電極を含み、前記第2中継電極は、前記第2方向の前記一方側の端部が前
記第1配線と第2隙間を隔てて前記半導体層に沿って前記第1方向に延在し、前記第2金
属層は、前記第2隙間と平面視で重なる第2遮光部を備えていることが好ましい。かかる
構成によれば、第2方向の他方側に斜めに傾いた方向から進行する光が半導体層に到達す
ることを確実に抑制することができる。
2本体部の前記第2方向の前記一方側の端部から前記半導体層に沿って前記第1方向に突
出した第2突出部と、を備えていることが好ましい。かかる構成によれば、第2突出部が
半導体層に沿って延在するので、第2中継電極全体を第2方向に延在させた場合に比して
、画素開口部を広くすることができる。
なっており、前記第2遮光部は、前記第2配線から前記第2方向の前記他方側に張り出し
た第2張り出し部であることが好ましい。かかる構成によれば、簡素な構成で、第2金属
層が平面視で第2隙間に重なっている構成を実現することができる。
る態様を採用することができる。
含んでいることが好ましい。アルミニウム層であれば、電気抵抗が低いとともに、OD(
Optical Density;光学濃度)値を略無限大とすることができる。
に接続された保持容量を備え、前記保持容量を構成する電極は、前記半導体層に対して平
面視で重なっていることが好ましい。かかる構成によれば、保持容量を構成する電極によ
っても、半導体層に光が入射することを抑制することができる。
等の電子機器に用いることができる。これらの電子機器のうち、投射型表示装置は、電気
光学装置に光を供給するための光源部と、前記電気光学装置によって光変調された光を投
射する投射光学系とを備えている。
なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大
きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明で参照す
る図においては、走査線、データ線、信号線等の配線等については、それらの数を少なく
表してある。
b)は各々、液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH
−H′断面図である。
液晶パネル100pを有している。液晶パネル100pでは、素子基板10と対向基板2
0とが所定の隙間を介してシール材107によって貼り合わされており、シール材107
は対向基板20の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材107は、光硬化性
樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラ
スファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材107aが配合されている。液晶パネ
ル100pにおいて、素子基板10と対向基板20との間のうち、シール材107によっ
て囲まれた領域内には、各種液晶材料(電気光学物質)からなる液晶層50(電気光学層
)が設けられている。本形態において、シール材107には、液晶注入口107cとして
利用される途切れ部分が形成されており、かかる液晶注入口107cは、液晶材料の注入
後、封止材107dによって封止されている。
り、素子基板10は、Y方向(第2方向)で対向する2つの辺10e、10f(端部)と
、X方向(第1方向)で対向する2つの辺10g、10h(端部)とを備えている。液晶
パネル100pの略中央には、表示領域10aが四角形の領域として設けられており、か
かる形状に対応して、シール材107も略四角形に設けられている。表示領域10aの外
側は、四角枠状の外周領域10cになっている。
に位置する辺10eに沿ってデータ線駆動回路101および複数の端子102が形成され
ており、この辺10eに隣接する他の辺10g、10hの各々に沿って走査線駆動回路1
04が形成されている。端子102には、フレキシブル配線基板(図示せず)が接続され
ており、素子基板10には、フレキシブル配線基板を介して外部制御回路から各種電位や
各種信号が入力される。
、対向基板20と対向する一方面10sの側には、表示領域10aに画素電極9aや、図
2等を参照して後述する画素トランジスター30等がマトリクス状に配列されている。従
って、表示領域10aは、画素電極9aがマトリクス状に配列された画素電極配列領域1
0pとして構成されている。かかる構成の素子基板10において、画素電極9aの上層側
には配向膜16が形成されている。
のうち、表示領域10aとシール材107とに挟まれた四角枠状の周辺領域10bには、
画素電極9aと同時形成されたダミー画素電極9bが形成されている。
面20sの側には共通電極21が形成されている。本形態において、共通電極21は、対
向基板20の略全面に形成されている。
、共通電極21の表面には配向膜26が積層されている。遮光層29は、表示領域10a
の外周縁に沿って延在する額縁部分29aとして形成されており、遮光層29の内周縁に
よって表示領域10aが規定されている。遮光層29は、隣り合う画素電極9aにより挟
まれた画素間領域に重なるブラックマトリクス部29bとしても形成されている。額縁部
分29aはダミー画素電極9bと重なる位置に形成されており、額縁部分29aの外周縁
は、シール材107の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分29a
とシール材107とは重なっていない。
0sの側の4つの角部分に基板間導通用電極25が形成されており、素子基板10の一方
面10sの側には、対向基板20の4つの角部分(基板間導通用電極25)と対向する位
置に基板間導通用電極19が形成されている。本形態において、基板間導通用電極25は
、共通電極21の一部からなる。基板間導通用電極19には、共通電位Vcomが印加され
ている。基板間導通用電極19と基板間導通用電極25との間には、導電粒子を含んだ基
板間導通材19aが配置されており、対向基板20の共通電極21は、基板間導通用電極
19、基板間導通材19aおよび基板間導通用電極25を介して、素子基板10側と電気
的に接続されている。このため、共通電極21は、素子基板10の側から共通電位Vcom
が印加されている。シール材107は、略同一の幅寸法をもって対向基板20の外周縁に
沿って設けられているが、対向基板20の角部分と重なる領域では基板間導通用電極19
、25を避けて内側を通るように設けられている。
共通電極21は、ITO(Indium Tin Oxide)膜やIZO(Indium Zinc Oxide)膜等の
透光性導電膜により形成されている。かかる透過型の液晶装置(電気光学装置100)で
は、対向基板20の側から入射した光が素子基板10の側から出射される間に変調されて
画像を表示する。
ラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板20には、カラーフィルター
(図示せず)が形成される。また、電気光学装置100は、電子ペーパーとして用いるこ
とできる。また、電気光学装置100では、使用する液晶層50の種類や、ノーマリホワ
イトモード/ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏
光板等が液晶パネル100pに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置1
00は、後述する投射型表示装置(液晶プロジェクター)において、RGB用のライトバ
ルブとして用いることができる。この場合、RGB用の各電気光学装置100の各々には
、RGB色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各
々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
図2は、本発明を適用した電気光学装置100の素子基板10の電気的構成を示す説明
図であり、図2(a)、(b)は、素子基板10の回路や配線の平面的なレイアウトを示
す説明図、および画素の電気的構成を示す説明図である。なお、以下の説明において、端
子102を介して素子基板10に入力される信号名称と信号用の配線とは、同一のアルフ
ァベット記号を信号および配線Lの後に各々付与する。例えば、信号名称である「クロッ
ク信号CLX」に対して、対応する信号用の配線について「クロック信号線LCLX」と
する。また、以下の説明において、端子102を介して素子基板10に入力される信号名
称と信号用の端子とは、同一のアルファベット記号を信号および端子Tの後に各々付与す
る。例えば、信号名称である「クロック信号CLX」に対して、対応する端子102につ
いては「端子TCLX」とする。
領域には複数の画素100aがマトリクス状に配列された画素電極配列領域10pが設け
られており、かかる画素電極配列領域10pのうち、図1(b)に示す額縁部分29aの
内縁で囲まれた領域が表示領域10aである。素子基板10では、画素電極配列領域10
pの内側に、X方向に延在する複数本の走査線3aと、Y方向に延在する複数本のデータ
線6aとが形成されており、それらの交差に対応する位置に画素100aが構成されてい
る。複数の画素100aの各々には、TFT等からなる画素トランジスター30(スイッ
チング素子)、および画素電極9aが形成されている。画素トランジスター30のソース
にはデータ線6aが電気的に接続され、画素トランジスター30のゲートには走査線3a
が電気的に接続され、画素トランジスター30のドレインには、画素電極9aが電気的に
接続されている。
線駆動回路104、データ線駆動回路101、サンプリング回路103、基板間導通用電
極19、端子102等が構成されており、端子102から走査線駆動回路104、データ
線駆動回路101、サンプリング回路103、および基板間導通用電極19に向けて複数
の配線105が延在している。
成された共通電極21と液晶層50を介して対向し、液晶容量50aを構成している。ま
た、各画素100aには、液晶容量50aで保持される画像信号の変動を防ぐために、液
晶容量50aと並列に保持容量55が付加されている。本形態では、保持容量55を構成
するために、複数の画素100aに跨って延びた定電位線8a(容量線)が形成され、定
電位線8aには共通電位Vcomが印加されている。
として表されているが、定電位線8aがデータ線6aと並列して延在していてもよい。本
形態では、定電位線8aがデータ線6aと並列して延在する構成が採用されている。
回路用、画像信号用、およびデータ線駆動回路用の4つの用途に大きく分類される複数の
端子群により構成されている。
よびバッファー回路101aを備えている。データ線駆動回路101において、シフトレ
ジスタ回路101cは、スタート信号SPXに基づいて転送動作を開始し、バッファー回
路101aを介して、転送信号を順次、所定タイミングで波形選択回路101bへ出力す
る。波形選択回路101bは、「イネーブル回路」とも称され、転送信号のパルス幅をイ
ネーブル信号ENB1〜ENB4のパルス幅に制限することにより、サンプリング回路1
03における各サンプリング期間を規定する。
8を複数備えて構成されている。本形態において、スイッチング素子108は、TFT等
の電界効果型トランジスターからなる。スイッチング素子108のドレインには、データ
線6aが電気的に接続され、スイッチング素子108のソースには、配線106を介して
配線105(画像信号線LVID1〜LVID6)が接続され、スイッチング素子108
のゲートには、データ線駆動回路101に接続された選択信号線109が接続されている
。
て供給された選択信号(サンプリング回路駆動信号)に基づいて、サンプリング回路10
3によりサンプリングされ、各データ線6aに画像信号S1、S2、S3、・・Snとし
て供給される。本形態において、画像信号S1、S2、S3、・・Snは、6相にシリア
ル−パラレル展開された画像信号VID1〜VID6の各々に対応して、6本のデータ線
6aの組に対してグループ毎に供給される。なお、画像信号の相展開数に関しては、6相
に限られるものでなく、例えば、9相、12相、24相、48相等、複数相に展開された
画像信号が、その展開数に対応した数を一組としたデータ線6aの組に対して供給される
。
備えており、スタート信号SPYに応じて、その内蔵シフトレジスタ回路の転送動作を開
始し、クロック信号CLYおよび逆位相クロック信号CLYINVに基づいて、所定のタイ
ミングで走査線3aに走査信号をパルス的に線順次で印加する。
位線LVcom)が形成されており、基板間導通用電極19には、端子102(端子TVcom
)および配線105(共通電位線LVcom)を介して共通電位Vcomが供給される。
図3は、本発明を適用した電気光学装置100の素子基板10において隣り合う複数の
画素の平面図である。図4は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100を図3に
示すF−F′線で切断したときの断面図である。図5は、本発明の実施の形態1に係る電
気光学装置100の素子基板10において画素トランジスター30を構成するゲート電極
3b等の平面図である。図6は、本発明の実施の形態1に係る電気光学装置100の素子
基板10において保持容量55を構成する保持容量電極の平面図である。図7は、本発明
の実施の形態1に係る電気光学装置100の素子基板10に形成したデータ線6aや定電
位線8a等の平面図である。なお、図3、図5、図6および図7では、各層を以下の線
走査線3a=細い実線
半導体層1a=細くて短い点線
ゲート電極3b=太い実線
第1容量電極4a(第1容量電極層)=細くて長い破線
第2容量電極5a(第2容量電極層)=細い二点鎖線
データ線6a、中継電極6bおよび中継電極6c=太い二点鎖線
定電位線8aおよび中継電極8b=細い一点鎖線
画素電極9a=太くて長い破線
で示してある。また、図3、図5、図6および図7では、互いの端部が平面視で重なり合
う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。また、
図5には、走査線3a、半導体層1aおよびゲート電極3bなどを表し、図6には、第1
容量電極4aおよび第2容量電極5a等を表し、図7には、データ線6a、中継電極6b
、中継電極6c、定電位線8a、および中継電極8bを表してある。なお、図7には、半
導体層1aも示してある。
明における「第2方向」に相当する。また、データ線6aが本発明における「第1配線」
に相当し、定電位線8aが本発明における「第2配線」に相当する。また、中継電極6b
が本発明における「第1中継電極」に相当し、中継電極6cが本発明における「第2中継
電極」に相当する。
一方面10sには、複数の画素100aの各々に画素電極9aが形成されており、隣り合
う画素電極9aにより挟まれた画素間領域に沿ってデータ線6aおよび走査線3aが形成
されている。本形態において、画素間領域は縦横に延在しており、走査線3aは、画素間
領域のうち、X方向(第2方向)に延在する第1画素間領域に沿って直線的に延在し、デ
ータ線6aは、Y方向(第1方向)に延在する第2画素間領域に沿って直線的に延在して
いる。すなわち、走査線3aは、一つの画素100aと、この一つの画素100aとY方
向で隣り合う画素100aとの境界に沿って延在している。また、データ線6aは、一つ
の画素100aと、この一つの画素100aにX方向で隣り合う画素100aとの境界に
沿って延在している。また、データ線6aと走査線3aとの交差に対応して画素トランジ
スター30が形成されており、本形態において、画素トランジスター30は、データ線6
aと走査線3aとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。ここで、データ
線6aは、一定の幅寸法をもってY方向に直線的に延在している一方、走査線3aは、デ
ータ線6aとの交差部分からデータ線6aの延在方向に沿って延在する凸部3eを備えて
いる。凸部3eは、走査線3aにおいてX方向に延在する本線部3dからY方向の一方側
Y1および他方側Y2に略同じ長さで突出している。
成されている。本形態において、定電位線8aは、データ線6aと平面視で重なるように
Y方向に延在している。定電位線8aには共通電位Vcomが印加されている。
ス基板等の透光性の基板本体10w(基板)の液晶層50側の基板面(対向基板20と対
向する一方面10s側)には、画素トランジスター30、画素トランジスター30に対し
て基板本体10wとは反対側に形成された画素電極9a、および画素電極9aに対して画
素トランジスター30とは反対側に形成された配向膜16等が形成されている。対向基板
20において、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体20wの液晶層50側の基板
面(素子基板10側の面)には、遮光層29、共通電極21、および配向膜26等が形成
されている。
0との間)には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合
物膜等の導電膜からなる走査線3aが形成されている。本形態において、走査線3aは、
タングステンシリサイド(WSi)からなり、遮光膜としても機能する。すなわち、走査
線3aは、電気光学装置100を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光
が半導体層1aに入射して画素トランジスター30で光電流に起因する誤動作が発生する
ことを防止する。
極9aとの間)には、シリコン酸化膜等の透光性の層間絶縁膜12が形成されており、か
かる層間絶縁膜12の表面側(層間絶縁膜12と画素電極9aとの間)に、半導体層1a
を備えた画素トランジスター30が形成されている。画素トランジスター30は、Y方向
に延在する半導体層1aと、半導体層1aの長辺方向と直交するX方向に延在して半導体
層1aの長辺方向の中央部分に重なるゲート電極3bとを備えている。本形態において、
ゲート電極3bと走査線3aとは、層間絶縁膜12を貫通するコンタクトホール12a(
図3参照)を介して電気的に接続している。本形態において、ゲート電極3bは、半導体
層1aと平面視で重なる本体部3rと、本体部3rのX方向の一方側X1の端部から半導
体層1aに沿ってY方向の一方側Y1に突出した後、走査線3aに沿って延在する延在部
3sとを有している。また、ゲート電極3bは、本体部3rのX方向の他方側X2の端部
から半導体層1aに沿ってY方向の一方側Y1に突出した凸部3tを有している。
縁層2を有している。半導体層1aは、ゲート電極3bに対してゲート絶縁層2を介して
対向するチャネル領域1gを備えている。また、半導体層1aは、チャネル領域1gの一
方側(Y方向の一方側)にドレイン領域1cを備え、チャネル領域1gの他方側(Y方向
の他方側)にソース領域1bを備えている。本形態において、画素トランジスター30は
、LDD構造を有している。従って、ソース領域1bおよびドレイン領域1cは各々、チ
ャネル領域1gに隣接して低濃度領域1h、1iを備え、低濃度領域1h、1iに対して
チャネル領域1gとは反対側で隣接する領域に高濃度領域1j、1kを備えている。また
、半導体層1aのY方向の一方側端部(ドレイン領域1cの高濃度領域1k)に画素電極
9aが導通し、半導体層1aのY方向の他方側端部(ソース領域1bの高濃度領域1j)
にデータ線6aが導通している。
ト絶縁層2は、半導体層1aを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第1ゲート絶縁層2a
と、減圧CVD法により形成されたシリコン酸化膜からなる第2ゲート絶縁層2bとの2
層構造からなる。ゲート電極3bは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属
膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ゲート電極3bは、導電
性のポリシリコン膜からなる。また、ゲート電極3bと同一の層に、ゲート電極3bから
X方向の一方側X1に離間した中継電極3cが形成されており、中継電極3cは、ゲート
電極3bと同時形成された導電膜からなる。中継電極3cは、走査線3aと重なる領域に
形成されている。
G、BSG、BPSG等のシリコン酸化膜からなる透光性の層間絶縁膜41が形成され、
層間絶縁膜41の上層には、第1容量電極4a(第1容量電極層)が形成されている。本
形態において、第1容量電極4aは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属
膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、第1容量電極4aは導電
性のポリシリコン膜からなる。第1容量電極4aは、半導体層1aのドレイン領域1c(
画素電極側ソースドレイン領域)と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜41
およびゲート絶縁層2を貫通するコンタクトホール41bを介してドレイン領域1cに電
気的に接続している。
電体層40、およびシリコン酸化膜等からなる透光性のエッチングストッパー層49が形
成されており、誘電体層40の上層側には第2容量電極5a(第2容量電極層)が形成さ
れている。誘電体層40としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物
を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ
酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体
層を用いることができる。第2容量電極5aは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイ
ド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、第2容量電極
5aは、タングステンシリサイド膜からなる。ここで、第2容量電極5aは第1容量電極
4aより幅広に形成されており、誘電体層40を介して第2容量電極5aと第1容量電極
4aとが重なる領域において保持容量55を構成している。
ータ線6aとの交差から走査線3aおよびデータ線6aに沿って重なるように延在してい
る。具体的には、第1容量電極4aおよび第2容量電極5aは、走査線3aとデータ線6
aとの交差から走査線3aと重なるようにX方向に延在しており、走査線3aとデータ線
6aとの交差からX方向の一方側X1に延在する部分の長さ4e、5eは、X方向の他方
側X2に延在する部分4f、5fの長さより長い。また、第1容量電極4aおよび第2容
量電極5aは、走査線3aとデータ線6aとの交差からデータ線6aと重なるようにY方
向に延在しており、走査線3aとデータ線6aとの交差からY方向の一方側Y1に延在す
る部分4g、5gの長さは、Y方向の他方側Y2に延在する部分4h、5hの長さより長
い。
42が形成されており、かかる層間絶縁膜42の上層側(層間絶縁膜42と画素電極9a
との間)には、データ線6a、中継電極6b、および中継電極6cを含む遮光性の第1金
属層6が形成されている。すなわち、データ線6a、中継電極6b、および中継電極6c
は、同時形成された第1金属層6からなり、同一の層に形成されている。層間絶縁膜42
はシリコン酸化膜からなる。第1金属層6はアルミニウム層を含んでいる。本形態におい
て、第1金属層6は、窒化チタン層、アルミニウム層、および窒化チタン層の積層膜から
なる。
42、エッチングストッパー層49、層間絶縁膜41およびゲート絶縁層2を貫通するコ
ンタクトホール42aを介して半導体層1aの他方側端部(ソース領域1bの高濃度領域
1j)に電気的に接続している。
電極5aに電気的に接続されている。中継電極6cは、層間絶縁膜42、エッチングスト
ッパー層49および層間絶縁膜41を貫通するコンタクトホール42bを介して中継電極
3cに電気的に接続されている。本形態において、中継電極6bは、走査線3aと平面視
で重なる領域において、データ線6aからX方向で離間している。中継電極6cは、走査
線3aと平面視で重なる領域において、データ線6aからX方向で離間している。また、
中継電極6bと中継電極6cとはX方向で離間している。
9aとの間)にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜44が形成されている。
層間絶縁膜44は、シリコン酸化膜からなり、その表面は平坦化されている。
および中継電極8bを含む遮光性の第2金属層8が形成されている。すなわち、定電位線
8a、および中継電極8bは、同時形成された第2金属層8からなり、同一の層に形成さ
れている。第2金属層8は、アルミニウム層を含んでいる。本形態において、第2金属層
8は、アルミニウム層に窒化チタン層を積層した積層膜からなる。定電位線8aは、Y方
向に延在してデータ線6aと平面視で一部が重なっている。また、定電位線8aは、中継
電極6bにも平面視で一部が重なっており、層間絶縁膜44を貫通するコンタクトホール
44cを介して中継電極6bに電気的に接続している。中継電極8bは、中継電極6cに
平面視で一部が重なっており、層間絶縁膜44を貫通するコンタクトホール44bを介し
て中継電極6cに電気的に接続している。
、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜45が形成されている。層間絶縁膜45
の上層側にはITO膜等からなる画素電極9aが形成されている。画素電極9aは、一部
が中継電極8bと平面視で重なっている。層間絶縁膜45には、中継電極8bまで到達し
たコンタクトホール45bが形成されており、画素電極9aは、コンタクトホール45b
を介して中継電極8bと電気的に接続している。その結果、画素電極9aは、中継電極8
b、中継電極6c、中継電極3cおよび第1容量電極4aを介してドレイン領域1cと電
気的に接続している。層間絶縁膜45は、例えば、NSG(ノンシリケートガラス)から
なる下層側の第1絶縁膜と、BSG(ボロンシリケートガラス)からなる上層側の第2絶
縁膜とからなり、層間絶縁膜45の表面は平坦化されている。
いる。本形態において、配向膜16は、SiOX(x<2)、SiO2、TiO2、MgO
、Al2O3、In2O3、Sb2O3、Ta2O5等の斜方蒸着膜(傾斜垂直配向膜/無機配向
膜)からなる。
対向基板20では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体20w(透光性基板)
の液晶層50側の表面(素子基板10に対向する一方面20s)には、遮光層29、シリ
コン酸化膜等からなる絶縁膜28、およびITO膜等の透光性導電膜からなる共通電極2
1が形成されており、かかる共通電極21を覆うように、ポリイミドや無機配向膜からな
る配向膜26が形成されている。本形態において、共通電極21はITO膜からなる。本
形態において、配向膜26は、配向膜16と同様、SiOX(x<2)、SiO2、TiO
2、MgO、Al2O3、In2O3、Sb2O3、Ta2O5等の斜方蒸着膜(傾斜垂直配向膜
/無機配向膜)である。かかる配向膜16、26は、液晶層50に用いた誘電異方性が負
のネマチック液晶化合物を傾斜垂直配向させ、液晶パネル100pは、ノーマリブラック
のVAモードとして動作する。本形態では、配向膜16、26として、各種無機配向膜の
うち、シリコン酸化膜(SiOX)の斜方蒸着膜が用いられている。
図8は、本発明を適用した電気光学装置100における半導体層1aに対する遮光構造
を示す説明図であり、図8(a)、(b)は、半導体層1aを通ってX方向に延在する線
J1−J1′線に沿ってデータ線6a等を切断したときの断面を模式的に示す断面図、お
よび半導体層1aとデータ線6a等との位置関係を拡大して示す平面図である。
基板本体10wと、基板本体10wの一方面10s側でY方向(第1方向)に延在する半
導体層1aを備えた画素トランジスター30と、半導体層1aに対して基板本体10wと
は反対側に設けられた画素電極9aとを有しており、画素電極9aは、半導体層1aの一
方側端部(ドレイン領域1cの高濃度領域1k)に導通している。
第1金属層6が形成されている。第1金属層6は、Y方向に延在して半導体層1aと平面
視で重なるデータ線6a(第1配線)と、データ線6aからX方向の一方側X1に離間し
た中継電極6b(第1中継電極)と、データ線6aからX方向の他方側X2に離間した中
継電極6c(第2中継電極)とを含んでいる。データ線6aは、幅寸法(X方向の寸法)
が半導体層1aの幅寸法(X方向の寸法)より大であり、データ線6aは、半導体層1a
を上層側で完全に覆っている。
層8が形成されている。第2金属層8は、Y方向に延在してデータ線6aと平面視で重な
る定電位線8a(第2配線)と、X方向の一方側X1において中継電極6cと平面視で重
なる中継電極8bとを含んでいる。定電位線8aは、Y方向に延在する本線部分8dを有
している。本線部分8dは、幅寸法(X方向の寸法)がデータ線6aの幅寸法(X方向の
寸法)より大であり、定電位線8aは、データ線6aを上層側で完全に覆っている。
向の他方側X2の端部6b1がデータ線6aに対して第1隙間g1を隔てて半導体層1a
に沿ってY方向に延在している。本形態において、中継電極6bは、X方向に延在する第
1本体部6eと、第1本体部6eのX方向の他方側X2の端部からY方向の一方側Y11
および他方側Y2に突出する第1突出部6fとを有しており、第1突出部6fのX方向の
他方側X2の端部が、中継電極6bのX方向の他方側X2の端部6b1として、データ線
6aに対して第1隙間g1を介して対向している。ここで、中継電極6bの端部6b1は
、半導体層1aのソース領域1b、チャネル領域1gおよびドレイン領域1cの全体に沿
うように延在している。
2を隔てて半導体層1aに沿ってY方向に延在している。本形態において、中継電極6c
は、X方向に延在する第2本体部6gと、第2本体部6gのX方向の一方側X1の端部か
らY方向の一方側Y1および他方側Y2に突出する第2突出部6hとを有しており、第2
突出部6hのX方向の一方側X1の端部が、データ線6a側の端部6c1として、データ
線6aに対して第2隙間g2を介して対向している。ここで、中継電極6cの端部6c1
は、半導体層1aのソース領域1b、チャネル領域1gおよびドレイン領域1cの全体に
沿うように延在している。
光部8sを備えている。より具体的には、第2金属層8のうち、定電位線8aは、Y方向
に延在してデータ線6aと平面視で重なる本線部分8dと、本線部分8dのデータ線6a
と走査線3aとの交差部分と重なる位置からX方向の一方側X1に張り出した第1張り出
し部8eを備えており、第1張り出し部8eは、第2金属層8の第1遮光部8sとして、
第1隙間g1と平面視で重なっている。本形態において、第1張り出し部8eは、第1隙
間g1と平面視で重なる領域からさらにX方向の一方側X1に張り出して中継電極6bの
第1突出部6fと平面視で重なっている。
。より具体的には、第2金属層8のうち、定電位線8aは、本線部分8dのデータ線6a
と走査線3aとの交差部分と重なる部分からX方向の他方側X2に張り出した第2張り出
し部8gを備えており、第2張り出し部8gは、第2金属層8の第2遮光部8tとして、
第2隙間g2と平面視で重なっている。本形態において、第1張り出し部8eおよび第2
張り出し部8gの張り出し寸法は同一であり、第2張り出し部8gは、第2隙間g2と平
面視で重なる領域からさらにX方向の他方側X2に張り出して中継電極6cの第2突出部
6hと平面視で重なっている。
に突出した凸部8fを備えている。凸部8fは、中継電極6bと平面視で重なっており、
コンタクトホール44cを介して中継電極6bと導通している。但し、凸部8fは、中継
電極8bとX方向で離間している。また、定電位線8aは、第2張り出し部8gからさら
にX方向の他方側X2に突出した凸部8hを備えており、凸部8hは、中継電極8bとX
方向で離間している。本形態において、凸部8fの突出寸法は、凸部8hの突出寸法より
小である。
以上説明したように、本形態の電気光学装置100では、第1金属層6のうち、データ
線6a(第1配線)は、半導体層1aを上層側(照明光の入射側)で完全に覆っている。
また、第2金属層8のうち、定電位線8a(第2配線)の本線部分8dは、データ線6a
を上層側(照明光の入射側)で完全に覆っている。このため、照明光が半導体層1aに到
達しにくいので、光リーク電流に起因するフリッカ等の発生を抑制することができる。
6b1が半導体層1aに沿ってY方向(第1方向)に延在してデータ線6aに対して第1
隙間g1を介して対向している。また、第1金属層6は、第2金属層8より半導体層1a
に近い位置にある。このため、中継電極6bが位置する側(X方向の一方側X1)に斜め
に傾いた方向から進行する照明光L1が半導体層1aに到達することを抑制することがで
きる。ここで、データ線6aと中継電極6bとは、異なる電位が印加されるため、第1隙
間g1の幅をある程度、十分な寸法とする必要があるが、その場合でも、第2金属層8の
第1遮光部8sが第1隙間g1に平面視で重なっている。このため、半導体層1aに向け
て、中継電極6bが位置する側(X方向の一方側X1)に斜めに傾いた方向から進行する
照明光L1が半導体層1aに到達することを確実に抑制することができる。
6eの第1配線6a側の端部からY方向に突出して平面視で半導体層1aに対して第1隙
間g1を介して対向する第1突出部6fを備えている。このため、第1突出部6fが半導
体層1aに沿って延在するので、中継電極6b全体をY方向に延在させた場合に比して、
画素開口部を広くすることができる。
継電極6c(第2中継電極)を含み、中継電極6cは、第1配線6a側の端部6c1が半
導体層1aに沿ってY方向(第1方向)に延在してデータ線6aに対して第2隙間g2を
介して対向している。このため、中継電極6cが位置する側(X方向の他方側X2)に斜
めに傾いた方向から進行する照明光L2が半導体層1aに到達することを抑制することが
できる。ここで、データ線6aと中継電極6cとは、異なる電位が印加されるため、第2
隙間g2の幅をある程度、十分な寸法とする必要があるが、その場合でも、第2金属層8
の第2遮光部8tが第2隙間g2に平面視で重なっている。このため、半導体層1aに向
けて、中継電極6cが位置する側(X方向の他方側X2)に斜めに傾いた方向から進行す
る照明光L2が半導体層1aに到達することを確実に抑制することができる。
6gの第1配線6a側の端部からY方向に突出して平面視で半導体層1aに対して第2隙
間g2を介して対向する第2突出部6hを備えている。このため、第2突出部6hが半導
体層1aに沿って延在するので、中継電極6c全体をY方向に延在させた場合に比して、
画素開口部を広くすることができる。
光部8sは、定電位線8aからX方向の一方側X1に張り出した第1張り出し部8eを含
んでいる。また、第2遮光部8tは、定電位線8aからX方向の他方側X2に張り出した
第2張り出し部8gを含んでいる。従って、簡素な構成で、第2金属層8が平面視で第1
隙間g1および第2隙間g2に重なっている構成を実現することができる。
かるアルミニウム層は、電気抵抗が低いとともに、OD値を略無限大とすることができる
。それ故、第1金属層6および第2金属層8によれば、データ線6aおよび定電位線8a
の配線抵抗を低減することができるとともに、半導体層1aに対する遮光性に優れている
。
る電極(第1容量電極4aおよび第2容量電極5a)が介在し、かかる第1容量電極4a
および第2容量電極5aも半導体層1aに対する遮光膜として機能する。すなわち、第1
容量電極4aは、導電性のポリシリコン膜からなり、第2容量電極5aはタングステンシ
リサイド膜からなるため、照明光に対するOD値が第1金属層6および第2金属層8より
低い。それでも、照明光が第1隙間g1および第2隙間g2を漏れた場合には、かかる光
を第1容量電極4aおよび第2容量電極5aによって遮ることができる。
し、ゲート電極3bは、半導体層1aと平面視で重なる本体部3rから半導体層1aに沿
ってY方向の一方側Y1に突出した延在部3sおよび凸部3tを有している。このため、
ゲート電極3bの延在部3sおよび凸部3tも半導体層1aに対する遮光膜として機能す
る。すなわち、ゲート電極3bは、導電性のポリシリコン膜からなるため、照明光に対す
るOD値が第1金属層6および第2金属層8より低い。それでも、照明光が第1隙間g1
および第2隙間g2を漏れた場合には、かかる光をゲート電極3bによって遮ることがで
きる。
図9は、本発明を適用した別の電気光学装置100における半導体層1aに対する遮光
構造を示す説明図であり、図9(a)、(b)は、半導体層1aを通ってX方向に延在す
る線J2−J2′線に沿ってデータ線6a等を切断したときの断面を模式的に示す断面図
、および半導体層1aとデータ線6a等との位置関係を拡大して示す平面図である。なお
、本形態の基本的な構成は、上記の実施の形態と同様であるため、共通する部分には同一
の符号を付してそれらの説明を省略する。
)は、データ線6a側の端部6b1が半導体層1aに沿ってY方向(第1方向)に延在し
てデータ線6aに対して第1隙間g1を介して対向している。また、第2金属層8が平面
視で第1隙間g1に重なっている。このため、半導体層1aに向けて、中継電極6bが位
置する側に斜めに傾いた方向から進行する光が半導体層1aに到達することを確実に抑制
することができる。
向の他方側X2に張り出した張り出し部6rが半導体層1aに沿ってY方向に延在してい
る。このため、中継電極6cを半導体層1aに沿ってY方向(第1方向)に延在させなく
ても、中継電極6cが位置する側に斜めに傾いた方向から進行する光が半導体層1aに到
達することを確実に抑制することができる。
上記実施の形態において、中継電極6bの端部6b1、および中継電極6cの端部6c
1は、半導体層1aのソース領域1b、チャネル領域1gおよびドレイン領域1cの全体
に沿うように延在している。このため、液晶層50に印加する電位の極性を反転させた場
合でも、半導体層1aのドレイン端に光が入射することを防止することができる。
1、および中継電極6cの端部6c1が、半導体層1aのドレイン側(画素電極9aが接
続する一方側)にのみ沿うように延在している構成を採用してもよい。
(投射型表示装置および光学ユニットの構成例)
図10は、本発明を適用した投射型表示装置(電子機器)および光学ユニットの概略構
成図である。
照射し、このスクリーン111で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装
置である。投射型表示装置110は、光源112を備えた光源部130と、ダイクロイッ
クミラー113、114と、液晶ライトバルブ115〜117と、投射光学系118と、
クロスダイクロイックプリズム119(合成光学系)と、リレー系120とを備えており
、電気光学装置100およびクロスダイクロイックプリズム119は、光学ユニット20
0を構成している。
ンプで構成されている。ダイクロイックミラー113は、光源112からの赤色光Rを透
過させるとともに、緑色光G、および青色光Bを反射する構成となっている。また、ダイ
クロイックミラー114は、ダイクロイックミラー113で反射された緑色光Gおよび青
色光Bのうち青色光Bを透過させるとともに緑色光Gを反射する構成となっている。この
ように、ダイクロイックミラー113、114は、光源112から出射した光を赤色光R
と緑色光Gと青色光Bとに分離する色分離光学系を構成する。
1および偏光変換素子122が光源112から順に配置されている。インテグレーター1
21は、光源112から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、
偏光変換素子122は、光源112からの光を、例えばs偏光のような特定の振動方向を
有する偏光にする構成となっている。
で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバル
ブ115は、λ/2位相差板115a、第1偏光板115b、電気光学装置100(赤色
用液晶パネル100R)、および第2偏光板115dを備えている。ここで、液晶ライト
バルブ115に入射する赤色光Rは、ダイクロイックミラー113を透過しても光の偏光
は変化しないことから、s偏光のままである。
する光学素子である。また、第1偏光板115bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させ
る偏光板である。そして、電気光学装置100(赤色用液晶パネル100R)は、p偏光
を画像信号に応じた変調によってs偏光(中間調であれば円偏光又は楕円偏光)に変換す
る構成となっている。さらに、第2偏光板115dは、p偏光を遮断してs偏光を透過さ
せる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ115は、画像信号に応じて赤色光R
を変調し、変調した赤色光Rをクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する構
成となっている。
光性のガラス板115eに接した状態で配置されており、λ/2位相差板115a、およ
び第1偏光板115bが発熱によって歪むのを回避することができる。
クミラー114で反射した緑色光Gを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である
。かかる液晶ライトバルブ116は、液晶ライトバルブ115と同様に、第1偏光板11
6b、電気光学装置100(緑色用液晶パネル100G)、および第2偏光板116dを
備えている。液晶ライトバルブ116に入射する緑色光Gは、ダイクロイックミラー11
3、114で反射されて入射するs偏光である。第1偏光板116bは、p偏光を遮断し
てs偏光を透過させる偏光板である。また、電気光学装置100(緑色用液晶パネル10
0G)は、s偏光を画像信号に応じた変調によってp偏光(中間調であれば円偏光又は楕
円偏光)に変換する構成となっている。そして、第2偏光板116dは、s偏光を遮断し
てp偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ116は、画像信号
に応じて緑色光Gを変調し、変調した緑色光Gをクロスダイクロイックプリズム119に
向けて出射する構成となっている。
ラー114を透過した後でリレー系120を経た青色光Bを画像信号に応じて変調する透
過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ117は、液晶ライトバルブ115、1
16と同様に、λ/2位相差板117a、第1偏光板117b、電気光学装置100(青
色用液晶パネル100B)、および第2偏光板117dを備えている。ここで、液晶ライ
トバルブ117に入射する青色光Bは、ダイクロイックミラー113で反射してダイクロ
イックミラー114を透過した後にリレー系120の後述する2つの反射ミラー125a
、125bで反射することから、s偏光となっている。
する光学素子である。また、第1偏光板117bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させ
る偏光板である。そして、電気光学装置100(青色用液晶パネル100B)は、p偏光
を画像信号に応じた変調によってs偏光(中間調であれば円偏光又は楕円偏光)に変換す
る構成となっている。さらに、第2偏光板117dは、p偏光を遮断してs偏光を透過さ
せる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ117は、画像信号に応じて青色光B
を変調し、変調した青色光Bをクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する構
成となっている。なお、λ/2位相差板117a、および第1偏光板117bは、ガラス
板117eに接した状態で配置されている。
とを備えている。リレーレンズ124a、124bは、青色光Bの光路が長いことによる
光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ124aは、ダイクロイ
ックミラー114と反射ミラー125aとの間に配置されている。また、リレーレンズ1
24bは、反射ミラー125a、125bの間に配置されている。反射ミラー125aは
、ダイクロイックミラー114を透過してリレーレンズ124aから出射した青色光Bを
リレーレンズ124bに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー125
bは、リレーレンズ124bから出射した青色光Bを液晶ライトバルブ117に向けて反
射するように配置されている。
をX字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜119aは青色光Bを反
射して緑色光Gを透過する膜であり、ダイクロイック膜119bは赤色光Rを反射して緑
色光Gを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム119は、液晶ライ
トバルブ115〜117の各々で変調された赤色光Rと緑色光Gと青色光Bとを合成し、
投射光学系118に向けて出射するように構成されている。
射する光はs偏光であり、液晶ライトバルブ116からクロスダイクロイックプリズム1
19に入射する光はp偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム119に入
射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム119に
おいて各液晶ライトバルブ115〜117から入射する光を合成できる。ここで、一般に
、ダイクロイック膜119a、119bはs偏光の反射トランジスター特性に優れている
。このため、ダイクロイック膜119a、119bで反射される赤色光R、および青色光
Bをs偏光とし、ダイクロイック膜119a、119bを透過する緑色光Gをp偏光とし
ている。投射光学系118は、投影レンズ(図示略)を有しており、クロスダイクロイッ
クプリズム119で合成された光をスクリーン111に投射するように構成されている。
投射型表示装置においては、光源部として、各色の光を出射するLED光源等を用い、
かかるLED光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成しても
よい。
本発明を適用した電気光学装置100については、上記の電子機器の他にも、携帯電話
機、情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistants)、デジタルカメラ、液晶テ
レビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等
の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
、1h、1i・・低濃度領域、1j、1k・・高濃度領域、2・・ゲート絶縁層、3a・
・走査線、3b・・ゲート電極、4a・・第1容量電極、5a・・第2容量電極、6・・
第1金属層、6a・・データ線、6b・・中継電極(第1中継電極)、6c・・中継電極
(第2中継電極)、6e・・第1本体部、6f・・第1突出部、6g・・第2本体部、6
h・・第2突出部、6r・・張り出し部、8・・第2金属層、8a・・定電位線、8b・
・中継電極、8d・・本線部分、8e・・第1張り出し部、8g・・第2張り出し部、8
s・・第1遮光部、8t・・第2遮光部、9a・・画素電極、10・・素子基板、10a
・・表示領域、10w・・基板本体、20・・対向基板、21・・共通電極、30・・画
素トランジスター、40・・誘電体層、50・・液晶層、55・・保持容量、100・・
電気光学装置、100a・・画素、100p・・液晶パネル、110・・投射型表示装置
(電子機器)、g1・・第1隙間、g2・・第2隙間、X1・・X方向(第2方向)の一
方側、X2・・X方向(第2方向)の他方側、Y1・・Y方向(第1方向)の一方側、Y
2・・Y方向(第1方向)の他方側
Claims (10)
- 基板と、
前記基板の一方面側で第1方向に延在する半導体層を備えた画素トランジスターと、
前記半導体層に対して前記基板とは反対側に設けられ、前記半導体層の一方側端部に導
通する画素電極と、
前記第1方向に延在して前記半導体層と平面視で重なる第1配線、および前記第1配線
から前記第1方向と交差する第2方向の一方側に離間した第1中継電極を含み、前記画素
トランジスターと前記画素電極との層間に設けられた遮光性の第1金属層と、
前記第1方向および前記第2方向の少なくとも一方に延在する第2配線を含み、前記第
1金属層と前記画素電極との層間に設けられた遮光性の第2金属層と、
を有し、
前記第1中継電極は、前記第2方向の他方側の端部が前記第1配線と第1隙間を隔てて
前記半導体層に沿って前記第1方向に延在し、
前記第2金属層は、前記第1隙間と平面視で重なる第1遮光部を備えていることを特徴
とする電気光学装置。 - 前記第1中継電極は、前記第2方向に延在する第1本体部と、前記第1本体部の前記第
2方向の前記他方側の端部から前記半導体層に沿って前記第1方向に突出した第1突出部
と、を備えていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - 前記第2配線は、前記第1方向に延在して前記第1配線と平面視で重なっており、
前記第1遮光部は、前記第2配線から前記第2方向の前記一方側に張り出した第1張り
出し部を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置。 - 前記第1金属層は、前記第1配線から前記第2方向の前記他方側に離間した第2中継電
極を含み、
前記第2中継電極は、前記第2方向の前記一方側の端部が前記第1配線と第2隙間を隔
てて前記半導体層に沿って前記第1方向に延在し、
前記第2金属層は、前記第2隙間と平面視で重なる第2遮光部を備えていることを特徴
とする請求項1または2に記載の電気光学装置。 - 前記第2中継電極は、前記第2方向に延在する第2本体部と、前記第2本体部の前記第
2方向の前記一方側の端部から前記半導体層に沿って前記第1方向に突出した第2突出部
と、を備えていることを特徴とする請求項4に記載の電気光学装置。 - 前記第2配線は、前記第1方向に延在して前記第1配線と平面視で重なっており、
前記第2遮光部は、前記第2配線から前記第2方向の前記他方側に張り出した第2張り
出し部を含むことを特徴とする請求項4または5に記載の電気光学装置。 - 前記第1配線は、前記半導体層の他方側端部に導通するデータ線であることを特徴とす
る請求項1乃至6の何れか一項に記載の電気光学装置。 - 前記第1金属層および前記第2金属層はいずれも、アルミニウム層を含んでいることを
特徴とする請求項1乃至7の何れか一項に記載の電気光学装置。 - 前記半導体層と前記第1金属層との層間には、前記画素電極に電気的に接続された保持
容量を備え、
前記保持容量を構成する電極は、前記半導体層に対して平面視で重なっていることを特
徴とする請求項1乃至8の何れか一項に記載の電気光学装置。 - 請求項1乃至9の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子
機器。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015059151A JP2016177230A (ja) | 2015-03-23 | 2015-03-23 | 電気光学装置および電子機器 |
US15/046,788 US9664967B2 (en) | 2015-03-23 | 2016-02-18 | Electro-optical device and electronic apparatus |
CN201610136312.4A CN105988257A (zh) | 2015-03-23 | 2016-03-10 | 电光学装置以及电子设备 |
TW105108586A TW201634995A (zh) | 2015-03-23 | 2016-03-18 | 光電裝置及電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015059151A JP2016177230A (ja) | 2015-03-23 | 2015-03-23 | 電気光学装置および電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016177230A true JP2016177230A (ja) | 2016-10-06 |
Family
ID=56975204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015059151A Withdrawn JP2016177230A (ja) | 2015-03-23 | 2015-03-23 | 電気光学装置および電子機器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9664967B2 (ja) |
JP (1) | JP2016177230A (ja) |
CN (1) | CN105988257A (ja) |
TW (1) | TW201634995A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10598978B2 (en) | 2018-02-27 | 2020-03-24 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017168548A (ja) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | ソニー株式会社 | ガラス配線基板及びその製造方法、部品実装ガラス配線基板及びその製造方法、並びに、表示装置用基板 |
CN110148606B (zh) * | 2018-04-18 | 2021-03-02 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
JP7183019B2 (ja) * | 2018-12-11 | 2022-12-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002158360A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法 |
JP2006085137A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-30 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
US20070247556A1 (en) * | 2004-04-23 | 2007-10-25 | Iljin Display Co., Ltd. | Liquid Crystal Panel Using the Film Transistor and Manufacturing Methods of the Same |
JP2010072661A (ja) * | 2002-10-31 | 2010-04-02 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2014119529A (ja) * | 2012-12-14 | 2014-06-30 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置用基板および電子機器 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1996003673A1 (fr) * | 1994-07-21 | 1996-02-08 | Citizen Watch Co., Ltd. | Dispositif d'affichage a cristaux liquides |
TWI236556B (en) * | 1996-10-16 | 2005-07-21 | Seiko Epson Corp | Substrate for a liquid crystal equipment, liquid crystal equipment and projection type display equipment |
TW556013B (en) * | 1998-01-30 | 2003-10-01 | Seiko Epson Corp | Electro-optical apparatus, method of producing the same and electronic apparatus |
KR100469109B1 (ko) * | 1998-11-26 | 2005-02-02 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 전기 광학 장치 및 그 제조방법 및 전자기기 |
US6809787B1 (en) * | 1998-12-11 | 2004-10-26 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Multi-domain liquid crystal display device |
TWI301915B (ja) * | 2000-03-17 | 2008-10-11 | Seiko Epson Corp | |
JP4088190B2 (ja) * | 2002-05-21 | 2008-05-21 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
US6953949B2 (en) * | 2002-05-21 | 2005-10-11 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
JP4095518B2 (ja) * | 2002-10-31 | 2008-06-04 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
JP4021392B2 (ja) * | 2002-10-31 | 2007-12-12 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
KR101058457B1 (ko) * | 2004-08-09 | 2011-08-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치와 그 제조방법 |
JP4687259B2 (ja) * | 2005-06-10 | 2011-05-25 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示装置 |
JP4513777B2 (ja) * | 2005-11-14 | 2010-07-28 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
JP2008096966A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-04-24 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電子機器 |
EP2527913A1 (en) * | 2010-02-22 | 2012-11-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
JP5853419B2 (ja) * | 2010-10-25 | 2016-02-09 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置用基板 |
JP2013246358A (ja) | 2012-05-28 | 2013-12-09 | Sony Corp | 液晶パネル、液晶パネルの製造方法および液晶表示装置 |
-
2015
- 2015-03-23 JP JP2015059151A patent/JP2016177230A/ja not_active Withdrawn
-
2016
- 2016-02-18 US US15/046,788 patent/US9664967B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2016-03-10 CN CN201610136312.4A patent/CN105988257A/zh not_active Withdrawn
- 2016-03-18 TW TW105108586A patent/TW201634995A/zh unknown
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002158360A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-05-31 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法 |
JP2010072661A (ja) * | 2002-10-31 | 2010-04-02 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
US20070247556A1 (en) * | 2004-04-23 | 2007-10-25 | Iljin Display Co., Ltd. | Liquid Crystal Panel Using the Film Transistor and Manufacturing Methods of the Same |
JP2006085137A (ja) * | 2004-08-20 | 2006-03-30 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2014119529A (ja) * | 2012-12-14 | 2014-06-30 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置用基板および電子機器 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10598978B2 (en) | 2018-02-27 | 2020-03-24 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
US10890797B2 (en) | 2018-02-27 | 2021-01-12 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
US11209691B2 (en) | 2018-02-27 | 2021-12-28 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160282684A1 (en) | 2016-09-29 |
CN105988257A (zh) | 2016-10-05 |
TW201634995A (zh) | 2016-10-01 |
US9664967B2 (en) | 2017-05-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6244802B2 (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
US8823071B2 (en) | Electro-optical device and electronic apparatus | |
JP6364891B2 (ja) | 電気光学装置、電子機器および半導体装置 | |
JP6156044B2 (ja) | 液晶装置および電子機器 | |
JP2016177230A (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
JP6311811B2 (ja) | 電気光学装置、投射型表示装置及び電子機器 | |
JP5982094B2 (ja) | 電気光学装置、投射型表示装置および電子機器 | |
JP6252090B2 (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
JP6155618B2 (ja) | 電気光学装置用基板および電子機器 | |
JP5751046B2 (ja) | 液晶装置および投射型表示装置 | |
JP2016099493A (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
JP2016035596A (ja) | 電気光学装置、及び電子機器 | |
JP6065683B2 (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
JP6107919B2 (ja) | 電気光学装置、電子機器 | |
US10216044B2 (en) | Liquid crystal device and electronic apparatus | |
JP2013109258A (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
JP2013097093A (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
JP2013088742A (ja) | 電気光学装置、及び電子機器 | |
JP2016099491A (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
JP2014178411A (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
JP2013101200A (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
JP2012185423A (ja) | 電気光学装置および投射型表示装置 | |
JP2008064792A (ja) | 液晶表示装置及び電子機器 | |
JP2018084670A (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
JP2014206704A (ja) | 電気光学装置および電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180226 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20180904 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20181107 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181218 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20190218 |