JP6155618B2 - 電気光学装置用基板および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、素子基板上に画素トランジスター、データ線および画素電極が設けられた電気光学装置用基板、および当該電気光学装置用基板を備えた電子機器に関するものである。

液晶装置等の電気光学装置では、素子基板の一方面側に画素トランジスター、データ線および画素電極が設けられており、画素トランジスターが選択期間にオン状態になることにより、データ線から画素トランジスターを介して画素電極に画像信号を供給する。また、非選択期間では、画素トランジスターがオフ状態になるため、次の選択期間までの間、画素電極は先に供給された画像信号を保持する。かかる非選択期間では、データ線の電位と画素電極の電位とが相違することになるので、画素電極とデータ線との間の寄生容量が大きいと、データ線の電位の影響を受けて、画素電極の電位が変動し、いわゆる縦クロストークが発生してしまう。

一方、画素電極とデータ線との間でデータ線に部分的に重なる領域に定電位線（シールド線）を設け、画素電極に対するデータ線の電位の影響を緩和した構成が提案されている（特許文献１参照）。また、画素電極とデータ線との間の絶縁膜に対して、画素電極とデータ線とが重なる領域に凸部を設け、画素電極とデータ線とが重なる領域の絶縁膜を厚くすることにより、画素電極に対するデータ線の電位の影響を緩和した構成が提案されている（特許文献２参照）。

特開２００４−８５８９８号公報 特開２００８−１２９３７７号公報

しかしながら、特許文献１に記載の構成では、定電位線（シールド線）がデータ線に部分的に重なっているだけであるため、画素電極とデータ線との間の寄生容量を十分に低減することができないという問題点がある。また、特許文献２に記載の構成のように、絶縁膜に設けた凸部では、絶縁膜を十分に厚くすることができないため、画素電極とデータ線との間の寄生容量を十分に低減することができないという問題点がある。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、画素電極とデータ線との間の寄生容量を効果的に低減することのできる電気光学装置用基板、および当該電気光学装置用基板を備えた電子機器を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置用基板は、データ線と、該データ線と電気的に接続された画素トランジスターと、前記画素トランジスターに対応して設けられ、前記データ線の前記画素トランジスターとは反対側の層に設けられた画素電極と、前記データ線と同一の層に設けられ、前記画素トランジスターと電気的に接続された第１中継電極層と、該第１中継電極層と前記画素電極との間に設けられ、前記第１中継電極層と電気的に接続された第２中継電極層と、前記第２中継電極層と前記画素電極との間に設けられ、前記画素電極および前記第２中継電極層と電気的に接続された第３中継電極層と、前記第２中継電極層および前記第３中継電極層のいずれか一方と同一の層に設けられ、前記データ線を覆うように設けられた定電位線と、を含むことを特徴とする。

本発明に係る電気光学装置用基板では、データ線と画素電極との間の層には、第２中継電極層および第３中継電極層が設けられており、データ線と画素電極との間には厚い絶縁膜が介在する。また、データ線と画素電極との間の層には定電位線が設けられ、かかる定電位線は、データ線を覆うようにデータ線に沿って延在している。このため、データ線と画素電極との間の寄生容量を低減することができる。従って、データ線の電位の影響が画素電極に及びにくい。また、データ線と画素電極との間には、厚い絶縁膜が介在するが、画素トランジスターと画素電極との間には第１中継電極層、第２中継電極層、および第３中継電極層が介在するので、比較的浅いコンタクトホールを介して、画素電極と画素トランジスターとを電気的に接続することができる。

本発明において、前記定電位線は、前記第３中継電極層と同一の層に設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、定電位線とデータ線とが絶縁膜を介して大きく離間しているため、定電位線とデータ線との間の寄生容量が小さい。従って、データ線に供給された信号の波形が歪みにくい。

本発明において、前記データ線と前記画素トランジスターとの間の層に設けられ、前記画素トランジスターと電気的に接続された第１容量電極層と、前記データ線と前記第１容量電極層との間の層で前記第１容量電極層を覆うように設けられ、前記定電位線と電気的に接続された第２容量電極層と、を含む構成を採用することができる。

本発明において、前記データ線と同一の層に設けられ、前記第２容量電極層と電気的に接続された第４中継電極層と、該第４中継電極層と前記定電位線との間に設けられ、前記第４中継電極層および前記定電位線と電気的に接続された第５中継電極層と、を含むことが好ましい。かかる構成によれば、比較的浅いコンタクトホールを介して、定電位線と第２容量電極層とを電気的に接続することができる。

本発明において、前記データ線と前記第１中継電極層との平面視における離間寸法、前記データ線と前記第２中継電極層との平面視における離間寸法、および前記データ線と前記第３中継電極層との平面視における離間寸法は各々、前記データ線と前記第４中継電極層との平面視における離間寸法、および前記データ線と前記第５中継電極層との平面視における離間寸法より大であることが好ましい。かかる構成によれば、データ線と第１中継電極層との横方向の寄生容量、データ線と第２中継電極層との寄生容量、およびデータ線と第３中継電極層との寄生容量を小さくすることができる。

本発明において、前記画素トランジスターのゲート電極と電気的に接続する走査線が前記画素トランジスターの前記データ線とは反対側の層に設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、データ線と走査線との間の寄生容量を小さくすることができる。このため、画像信号および走査信号の波形が歪みにくい。

本発明において、前記データ線にスイッチング素子を介して画像信号を供給する画像信号線と、該画像信号線と交差するように設けられ、前記スイッチング素子に選択信号を供給する選択信号線と、を含み、前記画像信号線および前記選択信号線の一方は、前記データ線と同一の層に設けられ、他方は、前記第３中継電極層と同一の層に設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、画像信号線と選択信号線との間の寄生容量を小さくすることができる。このため、画像信号および選択信号の波形が歪みにくい。

本発明において、前記第１中継電極層、前記第２中継電極層、および前記第３中継電極層はいずれも、アルミニウム層を含んでいることが好ましい。かかる構成によれば、第１中継電極層、第２中継電極層、および第３中継電極層の電気抵抗を低減することができる。従って、画素電極と画素トランジスターとの間の電気抵抗を低減することができる。

本発明に係る電気光学装置用基板は、携帯電話機やモバイルコンピューター、投射型表示装置等の電子機器に用いることができる。これらの電子機器のうち、投射型表示装置は、電気光学装置に光を供給するための光源部と、前記電気光学装置によって光変調された光を投射する投射光学系とを備えている。

本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の液晶パネルの説明図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の素子基板の電気的構成を示す説明図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の素子基板において隣り合う複数の画素の平面図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置を図３に示すＦ−Ｆ′線で切断したときの断面図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の素子基板において画素トランジスターを構成するゲート電極等の平面図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の素子基板において保持容量を構成する保持容量電極の平面図である。 本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の素子基板に形成したデータ線や中継電極の平面図である。 本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）および光学ユニットの概略構成図である。

以下、本発明の実施の形態として、代表的な電気光学装置である液晶装置を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明で参照する図においては、走査線、データ線、信号線等の配線等については、それらの数を少なく表してある。

［実施の形態１］
図１は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の液晶パネルの説明図であり、図１（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。

図１（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の電気光学装置１００は、液晶装置であり、液晶パネル１００ｐを有している。液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０（電気光学装置用基板）と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には、各種液晶材料（電気光学物質）からなる液晶層５０（電気光学物質層）が設けられている。本形態において、シール材１０７には、液晶注入口１０７ｃとして利用される途切れ部分が形成されており、かかる液晶注入口１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０７ｄによって封止されている。

かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、素子基板１０は、Ｙ方向（第２方向）で対向する２つの辺１０ｅ、１０ｆ（端部）と、Ｘ方向（第１方向）で対向する２つの辺１０ｇ、１０ｈ（端部）とを備えている。液晶パネル１００ｐの略中央には、画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられており、かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられている。画像表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。

素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０においてＹ軸方向の一方側に位置する辺１０ｅに沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この辺１０ｅに隣接する他の辺１０ｇ、１０ｈの各々に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して外部制御回路から各種電位や各種信号が入力される。

図３等を参照して詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓの側には、画像表示領域１０ａに画素電極９ａや、図２等を参照して後述する画素トランジスター３０等がマトリクス状に配列されている。従って、画像表示領域１０ａは、画素電極９ａがマトリクス状に配列された画素電極配列領域１０ｐとして構成されている。かかる構成の素子基板１０において、画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。

素子基板１０の一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、画像表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂは、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士が細幅の連結部（図示せず）で繋がっている。また、ダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖcomが印加されており、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。また、ダミー画素電極９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。なお、ダミー画素電極９ｂに電位を印加せず、ダミー画素電極９ｂを電位的にフロート状態とする場合もあり、この場合でも、ダミー画素電極９ｂは、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。

対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。

対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６が積層されている。遮光層２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、遮光層２９の内周縁によって画像表示領域１０ａが規定されている。また、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。

液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、素子基板１０の一方面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位置に基板間導通用電極１９が形成されている。本形態において、基板間導通用電極２５は、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極１９には、共通電位Ｖcomが印加されている。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極１９、基板間導通材１９ａおよび基板間導通用電極２５を介して、素子基板１０側と電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられているが、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１９、２５を避けて内側を通るように設けられている。

本形態において、電気光学装置１００は透過型の液晶装置であり、画素電極９ａおよび共通電極２１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成されている。かかる透過型の液晶装置（電気光学装置１００）では、例えば、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０の側から出射される間に変調されて画像を表示する。また、電気光学装置１００が反射型の液晶装置である場合、共通電極２１は、ＩＴＯ膜やＩＺＯ膜等の透光性導電膜により形成され、画素電極９ａは、アルミニウム膜等の反射性導電膜により形成される。かかる反射型の液晶装置（電気光学装置１００）では、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。

電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００は、電子ペーパーとして用いることできる。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。

（素子基板１０の電気的構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の素子基板１０の電気的構成を示す説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は、素子基板１０の回路や配線の平面的なレイアウトを示す説明図、および画素の電気的構成を示す説明図である。なお、以下の説明において、端子１０２を介して素子基板１０に入力される信号名称と信号用の配線とは、同一のアルファベット記号を信号および配線Ｌの後に各々付与する。例えば、信号名称である「クロック信号ＣＬＸ」に対して、対応する信号用の配線について「クロック信号線ＬＣＬＸ」とする。また、以下の説明において、端子１０２を介して素子基板１０に入力される信号名称と信号用の端子とは、同一のアルファベット記号を信号および端子Ｔの後に各々付与する。例えば、信号名称である「クロック信号ＣＬＸ」に対して、対応する端子１０２については「端子ＴＣＬＸ」とする。

図２（ａ）、（ｂ）に示すように、電気光学装置１００において、素子基板１０の中央領域には複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素電極配列領域１０ｐが設けられており、かかる画素電極配列領域１０ｐのうち、図１（ｂ）に示す額縁部分２９ａの内縁で囲まれた領域が画像表示領域１０ａである。素子基板１０では、画素電極配列領域１０ｐの内側に、Ｘ方向に延在する複数本の走査線３ａと、Ｙ方向に延在する複数本のデータ線６ａとが形成されており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、ＴＦＴ等からなる画素トランジスター３０（スイッチング素子）、および画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。

素子基板１０において、画素電極配列領域１０ｐより外側の外周領域１０ｃには、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路１０３、基板間導通用電極１９、端子１０２等が構成されており、端子１０２から走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路１０３、および基板間導通用電極１９に向けて複数の配線１０５が延在している。サンプリング回路１０３は複数本のデータ線６ａと電気的に接続しており、走査線駆動回路１０４は、複数本の走査線３ａと電気的に接続している。

各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、図１を参照して説明した対向基板２０に形成された共通電極２１と液晶層５０を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本形態では、保持容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨って延びた定電位線８ａ（容量線）が形成され、かかる定電位線８ａには共通電位Ｖcomが印加されている。

なお、図２（ｂ）においては、定電位線８ａが走査線３ａと並列して延在しているものとして表されているが、定電位線８ａがデータ線６ａと並列して延在していてもよい。本形態では、後述する理由から、定電位線８ａがデータ線６ａと並列して延在する構成が採用されている。

素子基板１０の辺１０ｅに沿って設けられた端子１０２は、共通電位線用、走査線駆動回路用、画像信号用、およびデータ線駆動回路用の４つの用途に大きく分類される複数の端子群により構成されている。具体的には、端子１０２は、共通電位線ＬＶcom用として端子ＴＶcomを備え、走査線駆動回路１０４用として端子ＴＳＰＹ、端子ＴＶＳＳＹ、端子ＴＶＤＤＹ、端子ＴＣＬＹおよび端子ＴＣＬＹINVを備えている。また、端子１０２は、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６用として端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６を備え、データ線駆動回路１０１用として、端子ＴＶＳＳＸ、端子ＴＳＰＸ、端子ＴＶＤＤＸ、端子ＴＣＬＸ、端子ＴＣＬＸINV、端子ＴＥＮＢ１〜ＴＥＮＢ４、および端子ＴＶＳＳＸを備えている。

データ線駆動回路１０１は、シフトレジスタ回路１０１ｃ、波形選択回路１０１ｂ、およびバッファー回路１０１ａを備えている。データ線駆動回路１０１において、シフトレジスタ回路１０１ｃは、外部制御回路から端子１０２（端子ＴＶＳＳＸ、ＴＶＤＤＸ）および配線１０５（配線ＬＶＳＳＸ、ＬＶＤＤＸ）を介して供給される負電源ＶＳＳＸおよび正電源ＶＤＤＸを電源として用い、外部制御回路から端子１０２（端子ＴＳＰＸ）および配線１０５（配線ＬＳＰＸ）を介して供給されるスタート信号ＳＰＸに基づいて転送動作を開始する。シフトレジスタ回路１０１ｃは、端子１０２（端子ＴＣＬＸ、ＴＣＬＸINV）、および配線１０５（配線ＬＣＬＸ、ＬＣＬＸINV）を介して供給されるクロック信号ＣＬＸおよび逆位相クロック信号ＣＬＸINVに基づき、転送信号を順次、所定タイミングで波形選択回路１０１ｂへ出力する。波形選択回路１０１ｂは、「イネーブル回路」とも称され、シフトレジスタ回路１０１ｃから順次出力される転送信号のパルス幅を、外部制御回路から端子１０２（端子ＴＥＮＢ１〜ＴＥＮＢ４）および配線１０５（配線ＬＥＮＢ１〜ＬＥＮＢ４）を介して供給されるイネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のパルス幅に制限することにより、後述のサンプリング回路１０３における各サンプリング期間を規定する。より具体的には、波形選択回路１０１ｂは、シフトレジスタ回路１０１ｃの各段に対応して設けられたＮＡＮＤ回路およびインバーター等により構成されており、シフトレジスタ回路１０１ｃより順次出力される転送信号がハイレベルとされており、かつ、イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のいずれかがハイレベルとされているときにのみデータ線６ａが駆動されるように時間軸上における波形の選択制御を行う。バッファー回路１０１ａは、このように波形の選択が行われた転送信号をバッファリングした後、サンプリング回路駆動信号として、選択信号線１０９を介してサンプリング回路１０３に供給する。

サンプリング回路１０３は、画像信号をサンプリングするためのスイッチング素子１０８を複数備えて構成されている。本形態において、スイッチング素子１０８は、ＴＦＴ等の電界効果型トランジスターからなる。スイッチング素子１０８のドレインには、データ線６ａが電気的に接続され、スイッチング素子１０８のソースには、配線１０６を介して配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）が接続されるとともに、スイッチング素子１０８のゲートには、データ線駆動回路１０１に接続された選択信号線１０９が接続されている。そして、端子１０２（端子ＴＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）を介して配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）に供給された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、データ線駆動回路１０１から選択信号線１０９を通じて選択信号（サンプリング回路駆動信号）が供給されるのに応じ、サンプリング回路１０３によりサンプリングされ、各データ線６ａに画像信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、・・Ｓｎとして供給される。本形態において、画像信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、・・Ｓｎは、６相にシリアル−パラレル展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の各々に対応して、６本のデータ線６ａの組に対してグループ毎に供給される。なお、画像信号の相展開数に関しては、６相に限られるものでなく、例えば、９相、１２相、２４相、４８相等、複数相に展開された画像信号が、その展開数に対応した数を一組としたデータ線６ａの組に対して供給される。

走査線駆動回路１０４は、構成要素としてシフトレジスタ回路およびバッファー回路を備えている。走査線駆動回路１０４は、外部制御回路から端子１０２（端子ＴＶＳＳＹ、ＴＶＤＤＹ）および配線１０５（配線ＬＶＳＳＹ、ＬＶＤＤＹ）を介して供給される負電源ＶＳＳＹおよび正電源ＶＤＤＹを電源として用い、同じく外部制御回路から端子１０２（端子ＴＳＰＹ）および配線１０５（端子ＴＳＰＹ）を介して供給されるスタート信号ＳＰＹに応じて、その内蔵シフトレジスタ回路の転送動作を開始する。また、走査線駆動回路１０４は、端子１０２（端子ＴＣＬＹ、ＴＣＬＹINV）および配線１０５（配線ＬＣＬＹ、ＬＣＬＹINV）を介して供給されるクロック信号ＣＬＹおよび逆位相クロック信号ＣＬＹINVに基づいて、所定のタイミングで走査線３ａに走査信号をパルス的に線順次で印加する。

素子基板１０には、４つの基板間導通用電極１９を通過するように配線１０５（共通電位線ＬＶcom）が形成されており、基板間導通用電極１９には、端子１０２（端子ＴＶcom）および配線１０５（共通電位線ＬＶcom）を介して共通電位Ｖcomが供給される。

（画素１００ｐの具体的構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の素子基板１０において隣り合う複数の画素の平面図である。図４は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００を図３に示すＦ−Ｆ′線で切断したときの断面図である。図５は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の素子基板１０において画素トランジスター３０を構成するゲート電極３ｂ等の平面図である。図６は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の素子基板１０において保持容量５５を構成する保持容量電極の平面図である。図７は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の素子基板１０に形成したデータ線６ａや中継電極の平面図である。なお、図３、図５、図６および図７では、各層を以下の線
走査線３ａ＝細い実線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
ゲート電極３ｂ＝太い実線
導電膜４ａ（第１容量電極層）＝細くて長い破線
導電膜５ａ（第２容量電極層）＝二点鎖線
データ線６ａ、第１中継電極層６ｂおよび第４中継電極層６ｃ＝太い一点鎖線
第２中継電極層７ｂおよび第５中継電極層７ｃ＝太くて短い点線
定電位線８ａおよび第３中継電極層８ｂ＝細い一点鎖線
画素電極９ａ＝太くて長い破線
で示してある。また、図３、図５、図６および図７では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。また、図５には、走査線３ａ、半導体層１ａおよびゲート電極３ｂなどを表し、図６には、導電膜４ａおよび導電膜５ａ等を表し、図７には、データ線６ａ、第２中継電極層７ｂおよび定電位線８ａ等を表してある。

図３に示すように、素子基板１０において対向基板２０と対向する一方面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域は縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域のうち、Ｘ方向に延在する第１画素間領域に沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向に延在する第２画素間領域に沿って直線的に延在している。すなわち、走査線３ａは、一つの画素１００ａと、この一つの画素１００ａとＹ方向で隣り合う画素１００ａとの境界に沿って延在している。また、データ線６ａは、一つの画素１００ａと、この一つの画素１００ａにＸ方向で隣り合う画素１００ａとの境界に沿って延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されており、本形態において、画素トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。ここで、データ線６ａは、Ｙ方向に直線的に延在している一方、走査線３ａは、データ線６ａとの交差部分からデータ線６ａの延在方向に沿って延在する凸部３ｅを備えている。凸部３ｅは、走査線３ａの本線部から、Ｘ方向と、Ｘ方向と反対方向の両方に略同じ長さ突出している。

素子基板１０には定電位線８ａが形成されている。本形態において、定電位線８ａに印加される定電位として、共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、定電位線８ａは、データ線６ａの液晶層５０側の層において平面視でデータ線６ａに重なるように延在するとともに、データ線６ａと走査線３ａの交差から走査線３ａに沿って延在する凸部８ｅを有している。凸部８ｅは、定電位線８ａの本線部から、Ｙ方向と、Ｙ方向と反対方向の両方にほぼ同じ長さ突出している。

図３、図４、図５、図６および図７に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の基板面（対向基板２０と対向する一方面１０ｓ側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を含んでいる。対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面２０ｓ）に形成された遮光層２９、共通電極２１、および配向膜２６を含んでいる。

素子基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側（基板本体１０ｗと液晶層５０との間）には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる走査線３ａが形成されている。本形態において、走査線３ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）からなり、遮光膜としても機能する。すなわち、走査線３ａは、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。

基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、走査線３ａの上層側（走査線３ａと液晶層５０との間）には、シリコン酸化膜等の透光性の層間絶縁膜１２が形成されており、かかる層間絶縁膜１２の表面側（層間絶縁膜１２と液晶層５０との間）に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。画素トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長辺方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長辺方向の中央部分に重なるゲート電極３ｂとを備えており、本形態において、ゲート電極３ｂと走査線３ａとは、層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール１２ａ（図３参照）を介して電気的に接続している。画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｂとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｂに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの一方の側にソース領域１ｂおよびチャネル領域１ｇの他方の側にドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇに隣接して低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。

半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの２層構造からなる。ゲート電極３ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ゲート電極３ｂは、導電性のポリシリコン膜からなる。また、ゲート電極３ｂと同一の層に、ゲート電極３ｂと離間した導電膜３ｃが形成されている。すなわち、導電膜３ｃは、ゲート電極３ｂと同時形成された導電膜からなる。導電膜３ｃは、走査線３ａと重なる領域に形成されている。

ゲート電極３ｂの上層側（ゲート電極３ｂと液晶層５０との間）には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層には、導電膜４ａ（第１容量電極層）が形成されている。本形態において、導電膜４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、導電膜４ａは導電性のポリシリコン膜からなる。導電膜４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側ソースドレイン領域）と一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ｂを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。

導電膜４ａの上層側（導電膜４ａと液晶層５０との間）には、シリコン酸化膜等からなる透光性のエッチングストッパー層４９、および透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側には導電膜５ａ（第２容量電極層）が形成されている。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。導電膜５ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、導電膜５ａは、ダングステンシリサイド膜からなる。ここで、導電膜５ａは導電膜４ａより幅広に形成されており、誘電体層４０を介して導電膜５ａと導電膜４ａとが重なる領域において保持容量５５を構成している。

本形態において、導電膜４ａおよび導電膜５ａの各々は、走査線３ａとデータ線６ａとの交差から走査線３ａおよびデータ線６ａに沿って重なるように延在した＋字形状に形成されている。具体的には、導電膜４ａは、走査線３ａとデータ線６ａとの交差から走査線３ａと重なるように、Ｙ方向とＹ方向の反対方向に延設され、Ｙ方向に延びる延設部分の長さは、Ｙ方向と反対方向に延びる延設部分の長さより大きい。導電膜４ａは、走査線３ａとデータ線６ａとの交差からデータ線６ａと重なるように、Ｘ方向とＸ方向の反対方向に延設され、Ｘ方向に延びる延設部分の長さは、Ｘ方向と反対方向に延びる延設部分の長さより大きい。同様に、導電膜５ａも、走査線３ａとデータ線６ａとの交差から走査線３ａと重なるように、Ｙ方向とＹ方向の反対方向に延設され、Ｙ方向に延びる延設部分の長さは、Ｙ方向と反対方向に延びる延設部分の長さより大きい。導電膜５ａも、走査線３ａとデータ線６ａとの交差からデータ線６ａと重なるように、Ｘ方向とＸ方向の反対方向に延設され、Ｘ方向に延びる延設部分の長さは、Ｘ方向と反対方向に延びる延設部分の長さより大きい。本形態では、導電膜５ａの幅寸法は、導電膜４ａの幅寸法よりわずかに大である。また、導電膜４ａとＸ方向で隣り合う導電膜４ａとの離間部分と、導電膜５ａとＸ方向で隣り合う導電膜５ａとの離間部分とは平面視で一致している。同様に、導電膜４ａとＹ方向で隣り合う導電膜４ａとの離間部分と、導電膜５ａとＹ方向で隣り合う導電膜５ａとの離間部分と、は平面視で一致している。この離間部分に後述するコンタクトホール４２ａが配置されている。また、導電膜４ａは、層間絶縁膜４１に形成されたコンタクトホール４１ｃを介して導電膜３ｃに電気的に接続されている。

導電膜５ａの上層側（導電膜５ａと液晶層５０との間）には層間絶縁膜４２が形成されており、かかる層間絶縁膜４２の上層側（層間絶縁膜４２と液晶層５０との間）には、データ線６ａ、第１中継電極層６ｂおよび第４中継電極層６ｃが同一のレベルの層により形成されている。データ線６ａ、第１中継電極層６ｂおよび第４中継電極層６ｃは同時形成された導電膜からなり、同一の層に形成されている。層間絶縁膜４２はシリコン酸化膜からなる。データ線６ａ、第１中継電極層６ｂおよび第４中継電極層６ｃは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａ、第１中継電極層６ｂおよび第４中継電極層６ｃは、アルミニウム膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４２、エッチングストッパー層４９、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に電気的に接続している。第１中継電極層６ｂは、層間絶縁膜４２およびエッチングストッパー層４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介して導電膜３ｃに電気的に接続されている。第４中継電極層６ｃは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｃを介して導電膜５ａに電気的に接続している。本形態において、第１中継電極層６ｂおよび第４中継電極層６ｃは、走査線３ａのＸ方向に沿った本線部と平面視で重なる領域に形成され、互いに離間するように配置されることで電気的に分離されている。また、定電位が供給される第４中継電極層６ｃと画素１００ａに対応するデータ線６ａとの距離より、画素１００ａの画素電極９ａに電気的に接続された第１中継電極層６ｂと画素１００ａにＸ方向で隣接する画素１００ａ′に対応するデータ線６ａとの距離が、大きくなるように配置されている。

データ線６ａ、第１中継電極層６ｂおよび第４中継電極層６ｃの上層側（データ線６ａと液晶層５０との間）にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４３が形成されている。層間絶縁膜４３は、シリコン酸化膜からなり、その表面は平坦化されている。層間絶縁膜４３の上層側（層間絶縁膜４３と液晶層５０との間）には、第２中継電極層７ｂおよび第５中継電極層７ｃが形成されている。第２中継電極層７ｂおよび第５中継電極層７ｃは、同時形成された導電膜からなり、同一の層に形成されている。第２中継電極層７ｂおよび第５中継電極層７ｃは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、第２中継電極層７ｂおよび第５中継電極層７ｃは、アルミニウム膜からなる。第２中継電極層７ｂは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール４３ｂを介して第１中継電極層６ｂに電気的に接続している。第５中継電極層７ｃは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール４３ｃを介して第４中継電極層６ｃに電気的に接続している。本形態において、第２中継電極層７ｂおよび第５中継電極層７ｃは、走査線３ａのＸ方向に沿った本線部と平面視で重なる領域に形成されており、互いに離間するように配置されることで電気的に分離されている。第２中継電極層７ｂは第１中継電極層６ｂと平面視で重なり、第５中継電極層７ｃは第４中継電極層６ｃと平面視で重なっている。

第２中継電極層７ｂおよび第５中継電極層７ｃの上層側（第２中継電極層７ｂと液晶層５０との間）にはシリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４４が形成されている。層間絶縁膜４４は、シリコン酸化膜からなり、その表面は平坦化されている。層間絶縁膜４４の上層側（層間絶縁膜４４と液晶層５０との間）には、定電位線８ａおよび第５中継電極層５ｂが形成されている。定電位線８ａおよび第５中継電極層５ｂは、同時形成された導電膜からなり、同一の層に形成されている。定電位線８ａおよび第５中継電極層５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、定電位線８ａおよび第５中継電極層５ｂは、アルミニウム膜からなる。第３中継電極層８ｂは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ｂを介して第２中継電極層７ｂに電気的に接続している。定電位線８ａは、層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ｃを介して第５中継電極層７ｃに電気的に接続している。

ここで、定電位線８ａは、データ線６ａに重なるように延在する本線部と、データ線６ａと走査線３ａの交差から走査線３ａに沿ってＸ方向に延在する凸部８ｅと、Ｘ方向と反対方向に延在する凸部８ｅとを有している。このため、定電位線８ａは、少なくともデータ線６ａを覆うように形成されている。なお、定電位線８ａとデータ線６ａとの間には、層間絶縁膜４３および層間絶縁膜４４が存在するだけであり、配線や導電膜等が形成されていない。すなわち、第２中継電極層７ｂおよび第５中継電極層７ｃと同じレベルの層は、平面視で定電位線８ａとデータ線６ａと重なる領域に導電膜が形成されていない。また、第３中継電極層８ｂは、走査線３ａと平面視で重なる領域に形成されており、第２中継電極層７ｂと平面視で重なっている。第３中継電極層８ｂは、定電位線８ａの凸部８ｅと離間するように配置されることで電気的に分離されている。

定電位線８ａおよび第５中継電極層５ｂの上層側（定電位線８ａと液晶層５０との間）には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜４５が形成されている。層間絶縁膜４５の上層側にはＩＴＯ膜等からなる画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、一部が第３中継電極層８ｂと平面視で重なっている。層間絶縁膜４５には、層間絶縁膜４５を貫通して第３中継電極層８ｂまで到達したコンタクトホール４５ｂが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール４５ｂを介して第３中継電極層８ｂと電気的に接続している。その結果、画素電極９ａは、第３中継電極層８ｂ、第２中継電極層７ｂ、第１中継電極層６ｂ、導電膜３ｃおよび導電膜４ａを介してドレイン領域１ｃと電気的に接続している。層間絶縁膜４５は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜からなる。また、層間絶縁膜４５は、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）からなる下層側の第１絶縁膜と、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）からなる上層側の第２絶縁膜との構造を有している場合がある。いずれの場合も、層間絶縁膜４５の表面は平坦化されている。

画素電極９ａの表面側には、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜１６が形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯ_X（ｘ＜２）、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｓｂ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）からなる。

（対向基板２０の構成）
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（透光性基板）の液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する一方面２０ｓ）には、遮光層２９、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜２８、およびＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜２６が形成されている。本形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。本形態において、配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯ_X（ｘ＜２）、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｓｂ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を傾斜垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。本形態では、配向膜１６、２６として、各種無機配向膜のうち、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_X）の斜方蒸着膜が用いられている。

（サンプリング回路１０３における配線構造）
再び図２（ａ）において、本形態の電気光学装置１００では、素子基板１０の辺１０ｅ（端部）と画素電極配列領域１０ｐとの間に、端子１０２、データ線駆動回路１０１およびサンプリング回路１０３がこの順に設けられており、かかる領域の断面構造は、図４を参照して説明した構造と略同一である。

ここで、選択信号線１０９および画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６のうちの一方は、データ線６ａおよび第１中継電極層６ｂと同一の層に設けられ、他方は、第３中継電極層８ｂと同一の層に設けられている。このため、選択信号線１０９と画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６との間には、層間絶縁膜４２、４３が介在している。本形態では、選択信号線１０９は、データ線６ａおよび第１中継電極層６ｂと同一の層に設けられ、画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６は、第３中継電極層８ｂと同一の層に設けられている。また、選択信号線１０９と画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６と平面視で重なる領域であって、選択信号線１０９と画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６との間の層には、他の導電膜が介在していない。他の導電膜とは、信号線と接続された導電膜に限らず、定電位が供されている導電膜や、フローティングの導電膜も含む。従って、画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６と選択信号線１０９との間の寄生容量を小さくすることができる。このため、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６および選択信号の波形が歪みにくい。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００は、データ線６ａと画素電極９ａとの間の層に、データ線６ａを覆うように定電位線８ａが設けられている。よって、データ線６ａと画素電極９ａとの寄生容量を低減し、データ線６ａの電位の影響がデータ線６ａの電位を書き込んでいない画素電極９ａに及ぶことを抑制することができる。

本形態の電気光学装置１００は、データ線６ａと画素電極９ａとの間の層に層間絶縁膜４３、４４、４５が設けられている。データ線６ａと同一の層に設けられ、画素電極９ａと画素トランジスター３０とを電気的に接続する第１中継電極層６ｂは、層間絶縁膜４３と層間絶縁膜４４との間に形成された第２中継電極層７ｂと、層間絶縁膜４４と層間絶縁膜４５との間に形成された第３中継電極層８ｂと、を介して画素電極９ａと電気的に接続されている。よって、データ線６ａと画素電極９ａとの間の距離を大きくすることができるので、さらに、データ線６ａの電位の影響がデータ線６ａの電位を書き込んでいない画素電極９ａに及ぶことを抑制することができる。

また、データ線６ａと画素電極９ａとの間には、厚い絶縁膜（層間絶縁膜４３、４４、４５）が介在するが、画素トランジスター３０と画素電極９ａとの間には第１中継電極層６ｂ、第２中継電極層７ｂ、および第３中継電極層８ｂが介在するので、比較的浅いコンタクトホール４２ｂ、４３ｂ、４４ｂを介して、画素電極９ａと画素トランジスター３０とを電気的に接続することができる。

また、定電位線８ａは、第３中継電極層８ｂと同一の層に設けられているため、定電位線８ａとデータ線６ａとが厚い絶縁膜（層間絶縁膜４３、４４）が介在する。このため、定電位線８ａとデータ線６ａとの間の寄生容量が小さいので、データ線６ａに供給された信号の波形が歪みにくい。

また、定電位線８ａは、第３中継電極層８ｂと同一の層に設けられているため、導電膜５ａとの間には厚い絶縁膜（層間絶縁膜４２、４３、４４）が介在するが、データ線６ａと同一の層に第４中継電極層６ｃが設けられ、第４中継電極層６ｃと定電位線８ａとの間に第５中継電極層７ｃが設けられている。このため、比較的浅いコンタクトホール４２ｃ、４３ｃ、４４ｃを介して、定電位線８ａと導電膜５ａとを電気的に接続することができる。

また、導電膜５ａは、導電膜４ａより幅寸法が大であるため、導電膜４ａが導電膜５ａに覆われた状態にある。言い換えると、画素電極９ａの電位が印加された導電膜４ａとデータ線６ａとの間に、定電位が印加された導電膜５ａが設けられている。従って、データ線６ａの電位の影響が導電膜４ａの電位、すなわち、画素電極９ａの電位に及びにくい。選択されていない画素の画素電極９ａにデータ線６ａの電位の影響が及びにくい。

また、データ線６ａと第１中継電極層６ｂ、第２中継電極層７ｂおよび第３中継電極層８ｂとの平面視における離間寸法は、データ線６ａと第４中継電極層６ｃおよび第５中継電極層７ｃとの平面視における離間寸法より大である。このため、データ線６ａと第１中継電極層６ｂとの横方向の寄生容量、データ線６ａと第２中継電極層７ｂとの寄生容量、およびデータ線６ａと第３中継電極層８ｂとの寄生容量を小さくすることができる。言い換えると、画素１００ａに対応するデータ線６ａと、画素１００ａに対応する画素電極９ａに電気的に接続された第１中継電極層６ｂとの間に定電位の第４中継電極層６ｃが設けられているため、選択されていない画素の画素電極９ａにデータ線６ａの電位の影響が及びにくい。

さらに、画素１００ａの画素電極９ａに電気的に接続された第１中継電極層６ｂと画素１００ａにＸ方向で隣接する画素１００ａ′に対応するデータ線６ａとの距離が、第４中継電極層６ｃと画素１００ａに対応するデータ線６ａとの距離や、第４中継電極層６ｃと画素１００ａに対応する第１中継電極層６ｂとの距離より大きくなるように配置されているため、画素１００ａに対応する画素電極９ａが画素１００ａ′に対応するデータ線６ａの電位変化の影響をうけにくい。

また、走査線３ａが画素トランジスター３０のデータ線６ａとは反対側の層に設けられているため、データ線６ａと走査線３ａとの間の寄生容量を小さくすることができる。このため、画像信号および走査信号の波形が歪みにくい。

さらに、データ線６ａ（第１中継電極層６ｂおよび第４中継電極層６ｃ）、第２中継電極層７ｂ（第５中継電極層７ｃ）、および定電位線８ａ（第３中継電極層８ｂ）はいずれも、アルミニウム層を含んでいるため、電気抵抗を低減することができる。従って、画素電極９ａと画素トランジスター３０との間の電気抵抗を低減することができる。

［実施の形態２］
上記実施の形態１では、定電位線８ａを第３中継電極層８ｂと同一の層に設けたが、定電位線８ａを第２中継電極層７ｂと同一の層に設けてもよい。かかる構成でも、定電位線８ａは、データ線６ａと画素電極９ａとの間の層において、データ線６ａを覆うようにデータ線６ａに沿って延在している。このため、データ線６ａと画素電極９ａとの間の寄生容量を低減することができる。

［他の実施の形態］
上記実施の形態では、電気光学装置として、透過型の液晶装置を例示したが、反射型の液晶装置に本発明を適用してもよい。

［他の電気光学装置］
上記実施の形態では、電気光学装置として液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレイ、ＦＥＤ（Field Emission Display）、ＳＥＤ（Surface-Conduction Electron-Emitter Display）、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置等の電気光学装置に本発明を適用してもよい。

［電子機器への搭載例］
（投射型表示装置および光学ユニットの構成例）
図８は、本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）および光学ユニットの概略構成図である。

図８に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９（合成光学系）と、リレー系１２０とを備えており、電気光学装置１００およびクロスダイクロイックプリズム１１９は、光学ユニット２００を構成している。

光源１１２は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光Ｒを透過させるとともに、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青色光Ｂのうち青色光Ｂを透過させるとともに緑色光Ｇを反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとに分離する色分離光学系を構成する。

ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１および偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。

液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。

λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒを変調し、変調した赤色光Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。

なお、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。

液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）、および第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）は、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光Ｇを変調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。

液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）、および第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。

λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂを変調し、変調した青色光Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ、および第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。

リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂをリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。

クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７の各々で変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。

なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光Ｂをｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。

（他の投射型表示装置）
上記投射型表示装置においては、透過型の電気光学装置１００を用いたが、反射型の電気光学装置１００を用いて投射型表示装置を構成してもよい。また、投射型表示装置においては、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。

（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。

３ａ・・走査線、４ａ・・導電膜（第１容量電極層）、５ａ・・導電膜（第２容量電極層）、６ａ・・データ線、６ｂ・・第１中継電極層、６ｃ・・第４中継電極層、７ｂ・・第２中継電極層、７ｃ・・第５中継電極層、８ｂ・・第３中継電極層、８ａ・・定電位線、９ａ・・画素電極、１０・・素子基板（電気光学装置用基板）、３０・・画素トランジスター、１００・・電気光学装置、１０３・・サンプリング回路、１０９・・選択信号線、ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６・・画像信号線

Claims (10)

1. 基板と、
   前記基板上に配置された画素トランジスターと、
   前記画素トランジスター上に設けられた第１層間絶縁膜と、
   前記第１層間絶縁膜上に設けられ、前記画素トランジスターのソースまたはドレインの一方に電気的に接続されたデータ線と、
   前記第１層間絶縁膜上に設けられ、前記画素トランジスターのソースまたはドレインの他方に電気的に接続された第１中継電極層と、
   前記データ線と前記第１中継電極層上に設けられた第２層間絶縁膜と、
   前記第２層間絶縁膜上に設けられ、前記第１中継電極層に電気的に接続された第２中継電極層と、
   前記第２中継電極層上に設けられた第３層間絶縁膜と、
   前記第３層間絶縁膜上に設けられた第３中継電極層と、
   前記第３中継電極層上に設けられた第４層間絶縁膜と、
   前記第４層間絶縁膜上に設けられ、前記第３中継電極層と電気的に接続された画素電極と、
   定電位線を備え、
   前記データ線と前記画素電極との間の全てにおいて、
   前記第２層間絶縁膜、前記第２中継電極層、前記第３層間絶縁膜、前記第３中継電極層および前記第４層間絶縁膜が配置され、
   前記定電位線は、前記第２中継電極層および前記第３中継電極層のいずれか一方と同一の層に設けられ、平面視で前記データ線と前記画素電極に重なるように配置される、ことを特徴とする電気光学装置用基板。
2. 前記定電位線は、前記第３中継電極層と同一の層に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
3. 前記データ線と前記画素トランジスターとの間の層に設けられ、前記画素トランジスターと電気的に接続された第１容量電極層と、
   前記データ線と前記第１容量電極層との間の層で前記第１容量電極層を覆うように設けられ、前記定電位線と電気的に接続された第２容量電極層と、
   を含むことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置用基板。
4. 前記データ線と同一の層に設けられ、前記第２容量電極層と電気的に接続された第４中継電極層と、
   該第４中継電極層と前記定電位線との間に設けられ、前記第４中継電極層および前記定電位線と電気的に接続された第５中継電極層と、
   を含むことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置用基板。
5. 前記データ線と前記第１中継電極層との平面視における離間寸法、前記データ線と前記第２中継電極層との平面視における離間寸法、および前記データ線と前記第３中継電極層との平面視における離間寸法は各々、前記データ線と前記第４中継電極層との平面視における離間寸法、および前記データ線と前記第５中継電極層との平面視における離間寸法より大であることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置用基板。
6. 前記第２容量電極層は、第１コンタクトホールを介して、前記第４中継電極層と電気的に接続し、
   前記第４中継電極層は、第２コンタクトホールを介して、前記第５中継電極層と電気的に接続し、
   前記第５中継電極層は、第３コンタクトホールを介して、前記定電位線と電気的に接続し、
   前記第１コンタクトホールと、
   前記第２コンタクトホールと、
   前記第３コンタクトホールとは、
   前記画素電極と平面視で少なくとも一部が重なるように配置されている、
   ことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置用基板。
7. 前記画素トランジスターのゲート電極と電気的に接続する走査線が前記画素トランジスターの前記データ線とは反対側の層に設けられていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置用基板。
8. 前記データ線にスイッチング素子を介して画像信号を供給する画像信号線と、該画像信号線と交差するように設けられ、前記スイッチング素子に選択信号を供給する選択信号線と、を含み、
   前記画像信号線および前記選択信号線の一方の信号線は、前記データ線と同一の層に設けられ、他方の信号線は、前記第３中継電極層と同一の層に設けられていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置用基板。
9. 前記第１中継電極層、前記第２中継電極層、および前記第３中継電極層はいずれも、アルミニウム層を含んでいることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の電気光学装置用基板。
10. 請求項１乃至９のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板を備えたことを特徴とする電子機器。

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