JP5532797B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
<第1実施形態>
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図1及び図2を参照して説明する。
次に、図9を参照して第2実施形態に係る液晶装置の構造について説明する。尚、第2実施形態に係る液晶装置において、図1から図4に示す概略的な平面図、断面図及び回路図に関しては、第1実施形態と共通するため、ここでは説明を省略し、主にTFTアレイ基板10上の平面構造及び積層構造について説明する。
次に、図10及び図11を参照して第3実施形態に係る液晶装置の構造について説明する。図10及び図11は、本実施形態において、上述の第1実施形態における図6及び図7に対応するTFTアレイ基板上の断面図である。尚、第3実施形態に係る液晶装置は、図1から図4に示す概略的な平面図、断面図及び回路図に関しては、第1実施形態と共通するため、ここでは説明を省略し、主にTFTアレイ基板10上の積層構造について説明する。
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
Claims (12)
- 基板と、
前記基板の第1面に設けられ、前記第1面に平行な第1方向に沿って延在する上層側データ線と、
前記基板と前記上層側データ線との間の層に設けられ、前記第1方向に沿って延在する下層側データ線と、
前記基板の前記第1面に設けられ、前記第1面に平行、かつ、前記第1方向と交差した第2方向に沿って延在する第1走査線と、
前記基板の前記第1面に設けられ、前記第2方向に沿って延在する第2走査線と、
前記下層側データ線と前記第1走査線との交差に対応して設けられた第1トランジスタと、
前記上層側データ線と前記第2走査線との交差に対応して設けられ、前記第1トランジスタと同じ層に設けられ、かつ、前記第1トランジスタと離間して設けられた第2トランジスタと、
前記上層側データ線と前記下層側データ線との間の層に設けられた第1導電層と、を有し、
前記第1トランジスタは、前記下層側データ線に電気的に接続された第1ソース領域、第1チャネル領域及び第1ドレイン領域を含む第1半導体層と、前記第1チャネル領域に対向するように配置され前記第1の走査線に電気的に接続された第1ゲート電極と、を含み、
前記第2トランジスタは、前記上層側データ線に電気的に接続された第2ソース領域、第2チャネル領域及び第2ドレイン領域を含む第2半導体層と、前記第2チャネル領域に対向するように配置され前記第2の走査線に電気的に接続された第2ゲート電極と、を含み、
前記上層側データ線は、前記第1面の法線方向から見た平面視において、前記下層側データ線と重なる部分を含み、
前記第1トランジスタは、前記第1導電層を介して前記下層側データ線に電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1に記載の電気光学装置において、
前記第1走査線と前記第2走査線と、は互いに隣り合うように配置されることを特徴とする電気光学装置。 - 基板と、
前記基板の第1面に設けられ、前記第1面に平行な第1方向に沿って延在する上層側データ線と、
前記基板と前記上層側データ線との間の層に設けられ、前記第1方向に沿って延在する下層側データ線と、
前記基板の前記第1面に設けられ、前記第1面に平行、かつ、前記第1方向と交差した第2方向に沿って延在する第1走査線と、
前記基板の前記第1面に設けられ、前記第2方向に沿って延在する第2走査線と、
前記下層側データ線と前記第1走査線との交差に対応して設けられた第1トランジスタと、
前記上層側データ線と前記第2走査線との交差に対応して設けられ、前記第1面の法線方向から見た平面視において、前記第1トランジスタと離間した位置に設けられた第2トランジスタと、を有し、
前記第1トランジスタは、前記下層側データ線に電気的に接続された第1ソース領域、第1チャネル領域及び第1ドレイン領域を含む第1半導体層と、前記第1チャネル領域に対向するように配置され前記第1の走査線に電気的に接続された第1ゲート電極と、を含み、
前記第2トランジスタは、前記上層側データ線に電気的に接続された第2ソース領域、第2チャネル領域及び第2ドレイン領域を含む第2半導体層と、前記第2チャネル領域に対向するように配置され前記第2の走査線に電気的に接続された第2ゲート電極と、を含み、
前記上層側データ線は、前記第1面の法線方向から見た平面視において、前記下層側データ線と重なる部分を含み、
前記下層側データ線と前記上層側データ線と、の間に配置されたシールド層を有し、
前記シールド層は、所定の電位とされていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項3に記載の電気光学装置において、
前記シールド層は、前記第2方向に沿った幅が、前記下層側データ線または前記上層側データ線よりも広い部分を有することを特徴とする電気光学装置。 - 請求項3または4に記載の電気光学装置において、
前記上層側データ線と前記下層側データ線との間の層に設けられた第1導電層を有し、
前記第1トランジスタは、前記第1導電層を介して前記下層側データ線に電気的に接続され、
前記シールド層は、前記第1導電層と同じ層に位置していることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1、2または5のいずれかに記載の電気光学装置において、
前記第1トランジスタと前記第1導電層との間の層に設けられた第2導電層を有し、
前記第1トランジスタは、前記第2導電層を介して前記下層側データ線に電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1乃至6のいずれかに記載の電気光学装置において、
前記第2トランジスタと前記上層側データ線との間の層に設けられた第3導電層を有し、
前記第2トランジスタは、前記第3導電層を介して前記上層側データ線に電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項7に記載の電気光学装置において、
前記第1トランジスタと前記下層側データ線との間に介在するコンタクトホールの数は、前記第2トランジスタと前記上層側データ線との間に介在するコンタクトホールの数と等しいことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1乃至8のいずれかに記載の電気光学装置において、
前記第1トランジスタに電気的に接続された第1画素電極と、
前記第2トランジスタに電気的に接続された第2画素電極と、を有することを特徴とする電気光学装置。 - 請求項9に記載の電気光学装置において、
前記基板と前記第1画素電極との間の層に第1容量絶縁膜を介して設けられた第1容量電極と、
前記基板と前記第2画素電極との間の層に第2容量絶縁膜を介して設けられた第2容量電極と、を有することを特徴とする電気光学装置。 - 請求項10に記載の電気光学装置において、
前記第1容量絶縁膜と前記第2容量絶縁膜とは同一の材料で構成され、
前記第1容量電極と前記第2容量電極とは同一の材料で構成されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1から11のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
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