JP4274232B2 - 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置は、一般に、外部回路から外部回路接続端子を介して画像信号線へ供給される画像信号に基づいて駆動される。例えば、液晶装置において、画像信号は、基板上の画像表示領域に配線された複数のデータ線に、画像信号線からサンプリング回路を介して供給される。サンプリング回路は、画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に設けられており、データ線毎に設けられた複数のサンプリングスイッチを含んでいる。サンプリングスイッチは、一般に片チャネル型又は相補型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）から構成される。サンプリングスイッチのソースには画像信号線が接続され、ドレインにはデータ線が接続され、ゲートにはサンプリング信号を供給するサンプリング信号線が接続される。このようなサンプリングスイッチに関して、例えば特許文献１では、各サンプリングスイッチ間に遮へい電極を設けることで、サンプリングスイッチのドレイン領域に接続されたデータ線と、これに隣接するサンプリングスイッチのソース領域に接続された画像信号線との間を静電遮へいする技術が開示されている。

特開２００２−４９３３０号公報

一方、このような複数のサンプリングスイッチは、データ線毎に間隙を隔てて設けられるため、相隣接するサンプリングスイッチ間の間隙における光抜け（或いは光漏れ）が生じてしまうおそれがあるという技術的問題点がある。このため、画像表示の際、光を出射しない領域として設定される周辺領域において、相隣接するサンプリングスイッチ間の間隙に沿った縞状の白っぽい領域が表示されてしまうおそれがある。

本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、相隣接するサンプリングスイッチ間の間隙における光抜けの発生を低減でき、高品位な画像を表示可能な電気光学装置及び該電気光学装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、複数の画素部と、該複数の画素部が設けられた画素領域に配線された複数の走査線及び複数のデータ線と、前記画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられ、画像信号を供給する画像信号線と、前記周辺領域に、（ｉ）前記画像信号線に電気的に接続され、前記データ線が延びる第１方向に沿って配線されたソース配線に接続されたソース領域と、（ｉｉ）前記データ線に電気的に接続され、前記第１方向に沿って配線されたドレイン配線に接続されたドレイン領域と、（ｉｉｉ）前記ソース領域及び前記ドレイン領域間に形成されたチャネル領域とを有する半導体層を備えると共に、前記複数のデータ線に対応して配列された複数のトランジスタを含むサンプリング回路と、前記半導体層よりも上層側に、前記複数のトランジスタのうち相隣接するトランジスタ間の間隙領域の少なくとも一部に設けられると共に、前記相隣接するトランジスタが有する前記半導体層に少なくとも部分的に重なる間隙遮光膜とを備える。

本発明の電気光学装置によれば、サンプリング回路を構成する、サンプリングスイッチとしてのトランジスタのドレイン配線及びソース配線は、データ線の延びる方向、例えば列方向或いはＹ方向に沿って配線されている。そして、複数のトランジスタは、複数のデータ線に対応して、例えば、行方向或いはＸ方向に配列されている。

本発明の電気光学装置の動作時には、例えばデータ線駆動回路からサンプリング信号が複数のトランジスタのゲートに対して供給される。画像信号線に供給される画像信号は、複数のトランジスタによってサンプリング信号に応じて夫々サンプリングされて、複数のデータ線に対して供給される。他方で、例えば走査線駆動回路から走査信号が走査線に対して順次に供給される。これらにより、例えば画素スイッチング素子、画素電極、蓄積容量等を備えた画素部では、例えば液晶駆動等の電気光学動作が画素単位で行われる。この結果、画素領域における画像表示が可能となる。

本発明では特に、半導体層よりも上層側に、複数のトランジスタのうち相隣接するトランジスタ間の間隙領域の少なくとも一部に設けられた間隙遮光膜を備える。間隙遮光膜は、例えば不透明な金属等の遮光性材料から形成される。更に、間隙遮光膜は、基板上で平面的に見て、典型的には相隣接する二つのトランジスタ間の間隙領域を覆うように、相隣接する二つのトランジスタが有する半導体層に少なくとも部分的に重なるように形成される。よって、相隣接するトランジスタ間の間隙領域における光抜け（或いは光漏れ）が発生するのを低減或いは防止できる。即ち、例えば外部の光源から当該電気光学装置に入射される入射光に例えば１０数％程度含まれる斜めの光或いは基板における裏面反射による光や複板式のプロジェクタ等で他の電気光学装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの戻り光が当該電気光学装置内における他の部位によって反射されてなる乱反射光や迷光が、相隣接するトランジスタ間の間隙領域を通過して当該電気光学装置外へ出射されてしまう光抜けの発生を低減或いは防止できる。従って、このような光抜けにより、周辺領域において相隣接するトランジスタ間の間隙領域に沿った例えば縞状の白っぽい領域が表示されてしまうなどの表示上の不具合の発生を殆ど或いは完全に無くすことができる。この結果、高品位な画像を表示することができる。

更に、間隙遮光膜は、例えばトランジスタよりも上層側に配置された配線或いは各種電子素子と該トランジスタとの間或いは相隣接するトランジスタ間の電磁的な干渉を低減或いは防止する電磁シールド膜として機能することができる。

以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、間隙遮光膜を備えるので、サンプリング回路内のトランジスタ間の間隙領域における光抜けの発生を低減でき、高品位な画像を表示可能である。

本発明の電気光学装置の一態様では、前記ソース配線、前記ドレイン配線及び前記間隙遮光膜は、互いに同一膜から形成される。

この態様によれば、例えば、配線抵抗が低く、配線に適したアルミニウム等の金属膜などからなるソース配線及びドレイン配線と同一膜から、間隙遮光膜が形成されるので、基板上における積層構造及び製造工程の簡略化を図ることが可能となる。ここで、本発明に係る「同一膜」とは、製造工程における同一機会に成膜される膜を意味し、同一種類の膜である。本発明に係る「同一膜から形成される」とは、一枚の膜として連続して形成されていることまでも要求する趣旨ではなく、基本的に、同一膜のうち相互に分断されている膜部分であれば足りる趣旨である。

更に、相隣接するドレイン配線間或いは相隣接するソース配線及びドレイン配線間の電磁的な干渉を、ソース配線及びドレイン配線と同一膜から形成されることでこれら配線と同一層に設けられた間隙遮光膜によって、低減或いは防止できる。即ち、間隙遮光膜は、相隣接するドレイン配線間或いは相隣接するソース配線及びドレイン配線間の電磁的な干渉を低減或いは防止する電磁シールド膜として機能することができる。よって、相隣接するドレイン配線間或いは相隣接するソース配線及びドレイン配線間の電磁的な干渉に起因して、ドレイン配線と電気的に接続されたデータ線の電位が変動してしまうことで、データ線に沿ったスジ状の輝度ムラが発生してしまうことを低減或いは防止できる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記半導体層よりも下層側に、前記半導体層毎に前記半導体層と夫々重なるように、前記間隙領域を隔てて配列された複数の下側遮光膜を備える。

この態様によれば、基板における裏面反射による光や複板式のプロジェクタ等で他の電気光学装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの戻り光が、サンプリング回路を構成する複数のトランジスタに入射されてしまうことを低減或いは防止できる。よって、例えば複数のトランジスタにおいて戻り光による光リーク電流が発生してしまい、トランジスタにおける動作不良が生じてしまうのを抑制或いは防止できる。

更に、複数の下側遮光膜は、間隙領域を隔てて配列されているので、仮に、複数の下側遮光膜を連続した一枚の下側遮光膜として形成した場合に生じ得る、下側遮光膜におけるクラック或いはひび割れの発生を抑制或いは防止できる。よって、電気光学装置の信頼性を高めることができる。

加えて、複数の下側遮光膜によって、サンプリング回路内における半導体層が形成された領域から乱反射光や迷光が出射されてしまうことを低減或いは防止できる。

上述した、複数の下側遮光膜を備える態様では、前記間隙遮光膜は、前記複数の下側遮光膜のうち相隣接する下側遮光膜に少なくとも部分的に重なるように構成してもよい。

この場合には、間隙遮光膜及び下側遮光膜によって、周辺領域において乱反射光や迷光が出射されてしまうことを、より確実に低減或いは防止できる。

上述した、複数の下側遮光膜を備える態様では、前記複数のトランジスタは、前記半導体層よりも上層側に配置されると共に前記チャネル領域に重なるゲート電極を夫々有し、前記間隙領域に、前記ゲート電極及び前記下側遮光膜の少なくとも一方と同一膜から形成されたシールド配線を備えるようにしてもよい。

この場合には、シールド配線によって、相隣接するトランジスタ間の電磁的な干渉を低減或いは防止できる。これにより、相隣接するトランジスタに夫々電気的に接続されたデータ線の電位が変動してしまうことを低減或いは防止できる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記間隙遮光膜は、所定電位とされる。

この態様によれば、間隙遮光膜には所定電位が供給されるので、例えばソース配線、ドレイン配線等からの電磁的な干渉によって間隙遮光膜の電位が変動してしまうことを防止できる。よって、間隙遮光膜の電磁シールド膜としての機能を高めることができる。即ち、間隙遮光膜の電位が変動してしまうことで、例えば、相隣接する二つのドレイン配線間の電磁的な干渉が間隙遮光膜を介して発生してしまうことを低減できる。ここで、本発明に係る「所定電位」とは、画像データの内容によらずに少なくとも所定期間ずつ固定された電位を意味する。例えば、接地電位或いはグランド電位の如く、時間軸に対して完全に一定電位に固定された固定電位であってもよい。或いは、共通電位或いは対向電極電位の如く、例えば画像信号に係る奇数フィールド期間で第１の固定電位に固定されると共に偶数フィールド期間で第２の固定電位に固定されるというように、時間軸に対して一定期間ずつ一定電位に固定された固定電位であってもよい。

上述した、間隙遮光膜が所定電位とされる態様では、前記画像信号は、所定周期で電位が共通電位に対して高位側の正極性と低位側の負極性とで極性反転され、前記間隙遮光膜は、前記所定電位として前記共通電位とされる。

この態様によれば、各画素部に供給される画像信号の電位の極性を共通電位に対して所定周期で反転させる反転駆動方式を採用した場合でも、間隙遮光膜を電磁シールド膜として確実に機能させることができる。即ち、間隙遮光膜は、画像信号の極性反転の基準となる共通電位とされるので、仮に、間隙遮光膜が共通電位とは異なる電位とされる場合と比較して、当該間隙遮光膜と例えばドレイン配線或いはソース配線との間の電位差を小さくすることができる。よって、当該間隙遮光膜と例えばドレイン配線或いはソース配線との間の電磁的な干渉が生じてしまうことを低減或いは防止できる。

尚、このような反転駆動方式として、例えば一のフレーム又はフィールドの画像信号に対応する表示を行う間は、奇数行に配列された画素部を共通電位に対して正極性の電位で駆動すると共に偶数行に配列された画素部を共通電位に対して負極性の電位で駆動し、これに続く次のフレーム又はフィールドの画像信号に対応する表示を行う間は、逆に偶数行に配列された画素部を正極性の電位で駆動すると共に奇数行に配列された画素部を負極性の電位で駆動する（即ち、同一行の画素部を同一極性の電位により駆動しつつ、係る電位極性を行毎にフレーム又はフィールド周期で反転させる）１Ｈ反転駆動方式、或いは列毎に反転させる１Ｓ反転駆動方式、又は画素部毎に電位の極性を反転させるドット反転方式を採用できる。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を具備してなる。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図６を参照して説明する。

先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明に係る「画素領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周辺に広がる周辺領域のうち、シール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

図１において、周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性金属膜からなる額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。尚、本実施形態では、周辺領域は、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、額縁遮光膜５３によって規定される額縁領域より以遠の領域として規定されており、額縁領域を含む領域である。つまり、周辺領域は、ＴＦＴアレイ基板１０上における画像表示領域１０ａを除く領域であり、光を出射しない領域として設定される。

周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａが設けられている。画素電極９ａ上には、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成されている。対向電極２１上には、配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。

尚、本実施形態では、画像表示領域１０ａにおける液晶層５０に対して対向基板２０側から入射される入射光が、ＴＦＴアレイ基板１０側から表示光として出射されることを前提している。

尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４に加えて、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。

次に、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成について、図３及び図４を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を概略的に示すブロック図であり、図４は、図３に示すサンプリング回路及びその周辺に設けられた各種信号線の構成を拡大して示すブロック図である。

図３において、ＴＦＴアレイ基板１０上における画像表示領域１０ａには、複数の走査線１１ａ及び複数のデータ線６ａが互いに交差して配線され、これら交差に対応して画素に対応する画素部９がマトリクス状に設けられている。画素部９は、走査線１１ａ及びデータ線６ａの各々に電気的に接続されている。画素部９は、基本的に、データ線６ａにより供給される画像信号を選択的に印加するための画素スイッチッグ用のＴＦＴと、入力された画像信号を液晶層５０（図２参照）に印加し保持するための、即ち対向電極２１（図２参照）と共に液晶保持容量をなす画素電極９ａ（図２参照）とを含んで構成されている。尚、画素部９には、液晶保持容量に保持された画像信号がリークするのを防ぐために、該液晶保持容量と並列に付加された蓄積容量を設けてもよい。

図３において、ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域には、データ線駆動回路１０１及びサンプリング回路７、並びに走査線駆動回路１０４が設けられている。

走査線駆動回路１０４には、例えば外部回路（図示省略）より外部回路接続端子１０２（図１参照）を介して、Ｙクロック信号ＣＬＹ（及びその反転信号である反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖ）、ＹスタートパルスＤＹが供給される。走査線駆動回路１０４は、ＹスタートパルスＤＹが入力されると、Ｙクロック信号ＣＬＹ及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹｉｎｖに基づくタイミングで走査信号を順次生成して走査線１１ａに出力する。

データ線駆動回路１０１には、外部回路より外部回路接続端子１０２を介して、Ｘクロック信号ＣＬＸ（及びその反転信号である反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖ）、ＸスタートパルスＤＸが供給される。そして、データ線駆動回路１０１は、ＸスタートパルスＤＸが入力されると、Ｘクロック信号ＣＬＸ及び反転Ｘクロック信号ＣＬＸｉｎｖに基づくタイミングで、サンプリング信号Ｓ１、…、Ｓｎを順次生成してサンプリング信号線１１４に出力する。

サンプリング回路７は、画像信号線６から画像信号が供給されるデータ線６ａを選択するためにデータ線６ａ毎に設けられたスイッチング素子（即ち、サンプリングスイッチ）からなり、そのスイッチング動作は、データ線駆動回路１０１からのサンプリング信号Ｓ１、…、Ｓｎによってタイミング制御されるように構成されている。

サンプリング回路７には、外部回路により６相にシリアル−パラレル変換、即ち相展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が、６本の画像信号線６を介して供給される。６本の画像信号線６は夫々、外部回路接続端子１０２から、データ線駆動回路１０１の周囲を迂回して引き回され、データ線６ａの配列方向（即ち、Ｘ方向）に沿って配線されている。

尚、画像信号の相展開数（即ち、シリアル−パラレル展開される画像信号の系列数）に関しては、６相に限られるものでなく、例えば９相、１２相、２４相、４８相、９６相…などとすることができる。

図４に示すように、サンプリング回路７のスイッチング素子は、具体的にはサンプリング用ＴＦＴ７１として構成されている。尚、複数のサンプリング用ＴＦＴ７１は、本発明に係る「複数のトランジスタ」の一例である。また、図４では、簡便のため、サンプリング回路７に含まれる複数のサンプリング用ＴＦＴ７１のうち、第ｉデータ線群に属するデータ線６ａに対応するサンプリング用ＴＦＴ７１についてのみ代表的に表している。以下では、第ｉデータ線群に属するデータ線６ａに対応するサンプリング用ＴＦＴ７１について説明するが、他のデータ線群に関しても同様に構成されている。

各サンプリング用ＴＦＴ７１（即ち、第ｉデータ線群に属する６本のデータ線６ａに対応する６つのサンプリング用ＴＦＴ７１の各々）のソース配線７１Ｓは、６本の画像信号線のうち対応する一本に電気的に接続されている。

各サンプリング用ＴＦＴ７１のドレイン配線７１Ｄは、第ｉデータ線群に属する６本のデータ線６ａのうち対応する一本に電気的に接続されている。

各サンプリング用ＴＦＴ７１のゲート電極を含むゲート配線７１Ｇは、サンプリング信号線１１４と電気的に接続されており、データ線駆動回路１０１（図３参照）から出力された第ｉ番目のサンプリング信号Ｓｉが供給される。

このように構成されているので、各サンプリング用ＴＦＴ７１は、サンプリング信号Ｓｉに応じて、６本のデータ線６ａを１群とするデータ線群（或いはブロック）毎に、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６を供給する。従って、複数のデータ線６ａをデータ線群毎に駆動するため、駆動周波数が抑えられる。

尚、クロック信号ＣＬＸやＣＬＹ等の各種タイミング信号は、例えば図示しない外部回路に形成されたタイミングジェネレータにて生成され、ＴＦＴアレイ基板１０上の各回路に外部回路接続端子１０２を介して供給される。また、各駆動回路の駆動に必要な電源等もまた例えば外部回路から供給される。

再び図３において、ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域には、例えば外部回路から本発明に係る「共通電位」の一例としての対向電極電位ＬＣＣを供給する対向電極電位線６０５が、外部回路接続端子１０２から上下導通端子１０６まで配線されている。これにより、対向電極電位ＬＣＣは、上下導通端子１０６及び上下導通材１０７（図１参照）を介して対向電極２１に供給される。対向電極電位ＬＣＣは、画素電極９ａとの電位差を適正に保持して液晶保持容量を形成するための対向電極２１の基準電位となる。本実施形態では、１Ｈ反転駆動方式が採用されており、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、所定周期で電位が対向電極電位ＬＣＣに対して高位側の正極性と低位側の負極性とで極性反転される。より具体的には、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、一のフレームに対応する表示を行う間、奇数行に配列された画素部９には対向電極電位ＬＣＣに対して正極性の電位で供給されると共に偶数行に配列された画素部９には対向電極電位ＬＣＣに対して負極性の電位で供給されるように、且つ、これに続く次のフレームに対応する表示を行う間は、逆に偶数行に配列された画素部９には正極性の電位で供給されると共に奇数行に配列された画素部９には負極性の電位で供給されるように、電位が極性反転される。即ち、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、同一行の画素部９には同一極性の電位で供給されると共に相隣接する行の画素部９には異なる極性の電位で供給されるように、且つ係る電位極性を行毎にフレーム周期で反転するように、電位が極性反転される。

本実施形態では、対向電極電位線６０５と電気的に接続された対向電極電位分岐配線６０６が、データ線６ａの配列方向（即ち、Ｘ方向）に沿って配線されている。

図３及び図４に示すように、本実施形態では特に、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域に、間隙遮光膜２１０が設けられている。間隙遮光膜２１０は、相隣接するサンプリング用ＴＦＴ７１間の間隙毎に設けられている。

間隙遮光膜２１０は、データ線６ａ或いはドレイン配線７１Ｄに沿って（即ち、Ｙ方向に沿って）延びるように設けられている。間隙遮光膜２１０は、対向電極電位ＬＣＣが供給される対向電極電位分岐配線６０６に電気的に接続されている。

次に、本実施形態におけるサンプリング用ＴＦＴ及び間隙遮光膜の具体的な構成について、図５及び図６を参照して説明する。ここに図５は、相隣接する二つのサンプリング用ＴＦＴ及び該相隣接する二つのサンプリング用ＴＦＴ間に設けられた間隙遮光膜の構成を示す平面図である。図６は、図５のＡ−Ａ´線断面図である。尚、図６においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。

図５及び図６において、各サンプリング用ＴＦＴ７１は、ＴＦＴアレイ基板１０上に設けられた下地絶縁膜１２上に形成されている。サンプリング用ＴＦＴ７１は、半導体層７４、ソース配線７１Ｓ、ドレイン配線７１Ｄ、ゲート配線７１Ｇ及びゲート絶縁膜７５を備えている。

半導体層７４は、ゲート配線７１Ｇからの電界によりチャネルが形成されるチャネル領域７４Ｃと、ソース領域７４Ｓとドレイン領域７４Ｄとを有している。

ソース配線７１Ｓは、半導体層７４より層間絶縁膜４１及び４２を介して上層側に、例えばアルミニウム等の金属膜から形成されている。ソース配線７１Ｓは、層間絶縁膜４１及び４２を貫通して開孔されたコンタクトホール８ｓを介してソース領域７４Ｓに接続されている。ソース配線７１Ｓは、データ線６ａが延びる方向（即ち、Ｙ方向）に沿って延びるように形成されている。ソース配線７１Ｓは、図示しないコンタクトホール及び中継配線などを介して、画像信号線６と電気的に接続されている（図４参照）。

ドレイン配線７１Ｄは、ソース配線７１Ｓと同一膜から形成されている、即ち、半導体層７４より層間絶縁膜４１及び４２を介して上層側に、例えばアルミニウム等の金属膜から形成されている。ドレイン配線７１Ｄは、層間絶縁膜４１及び４２を貫通して開孔されたコンタクトホール８ｄを介してドレイン領域７４Ｄに接続されている。ドレイン配線７１Ｄは、データ線６ａが延びる方向（即ち、Ｙ方向）に沿って延びるように形成されている。ドレイン配線７１Ｄは、図示しないコンタクトホール及び中継配線などを介して、データ線６ａと電気的に接続されている（図４参照）。

ゲート配線７１Ｇは、半導体層７４よりゲート絶縁膜７５を介して上層側に、例えば導電性ポリシリコン膜等から形成されている。ゲート配線７１Ｇは、半導体層７４のチャネル領域７４とゲート絶縁膜７５を介して重なるゲート電極を含むと共に、データ線６ａが延びる方向（即ち、Ｙ方向）に沿って延びるように形成されている。ゲート配線７１Ｇは、図示しないコンタクトホール及び中継配線などを介して、サンプリング信号線１１４と電気的に接続されている（図４参照）。

図５において、本実施形態では特に、相隣接する二つのサンプリング用ＴＦＴ７１間の間隙領域Ｄ１に設けられた間隙遮光膜２１０を備えている。間隙遮光膜２１０は、間隙領域Ｄ１を覆うように、ドレイン配線７１Ｄが延びる方向（即ち、Ｙ方向）に沿って延びるように形成されている。

図５及び図６に示すように、間隙遮光膜２１０は、ドレイン配線７１Ｄ（及びソース配線７１Ｓ）より層間絶縁膜４３を介して上層側に例えばアルミニウム等の金属膜から形成された間隙遮光層２１０ａと、ドレイン配線７１Ｄと同一膜（即ち、例えばアルミニウム等の金属膜）から形成された第２間隙遮光層２１０ｂとを有している。即ち、間隙遮光膜２１０は、間隙遮光層２１０ａ及び２１０ｂからなる二重膜として形成されている。

尚、間隙遮光層２１０ａの上層側には、ＴＦＴアレイ基板１０の全面を覆うように、層間絶縁膜４４が形成されている。

間隙遮光層２１０ａ及び２１０ｂは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、互いに重なるように（より正確には、間隙遮光層２１０ａが間隙遮光層２１０ｂを覆うように）、ドレイン配線７１Ｄが延びる方向に沿って延びるように形成されている。間隙遮光層２１０ａ及び２１０ｂの各々は、いずれも図示しないコンタクトホール及び中継配線などを介して、対向電極電位分岐配線６０６と電気的に接続されている（図４参照）。尚、間隙遮光層２１０ａ及び２１０ｂは、層間絶縁膜４３に開孔された一又は複数のコンタクホールを介して、互いに接続されるようにしてもよい。

間隙遮光層２１０ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、相隣接する二つのサンプリング用ＴＦＴ７１間の間隙領域Ｄ１を覆うように、この二つのサンプリング用ＴＦＴ７１の各々が有する半導体層７４に部分的に重なるように形成されている。よって、相隣接する二つのサンプリング用ＴＦＴ７１間の間隙領域Ｄ１における光抜けが発生するのを低減できる。即ち、例えば外部の光源から当該液晶装置に入射される入射光に例えば１０数％程度含まれる斜めの光或いはＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射による光や複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの戻り光（図中、下方から上方へ向かう光）が当該液晶装置内における他の部位（例えば、図１及び図２を参照して上述した対向基板２０側に設けられる額縁遮光膜５３など）によって反射されてなる乱反射光や迷光（図中、上方から下方へ向かう光）が、間隙領域Ｄ１を通過して当該液晶装置外へ出射されてしまう光抜けの発生を低減できる。従って、このような光抜けにより、周辺領域において間隙領域Ｄ１に沿った例えば縞状の白っぽい領域が表示されてしまうなどの表示上の不具合の発生を殆ど無くすことができる。この結果、高品位な画像表示が可能となる。

更に、本実施形態では特に、間隙遮光膜２１０は、上述したように、間隙遮光層２１０ａに加えて間隙遮光層２１０ｂを有しているので、相隣接する二つのサンプリング用ＴＦＴ７１間の間隙領域Ｄ１における光抜けが発生するのを、より確実に低減できる。加えて、間隙遮光層２１０ｂは、相隣接する二つのサンプリング用ＴＦＴ７１間の間隙領域Ｄ１に、ドレイン配線７１Ｄと同一膜から形成されているので、相隣接する二つのサンプリング用ＴＦＴ７１の各々のドレイン配線７１Ｄ間の寄生容量を低減できる。言い換えれば、相隣接する二つのサンプリング用ＴＦＴ７１の各々のドレイン配線７１Ｄ間の電磁的な干渉を低減或いは防止する電磁シールド膜として機能することができる。

加えて、本実施形態では特に、間隙遮光層２１０ａ及び２１０ｂには対向電極電位ＬＣＣが供給されるので、ドレイン配線７１Ｄ（或いは、ゲート配線７１Ｇやソース配線７１Ｓ）からの電磁的な干渉によって間隙遮光層２１０ａ及び２１０ｂの電位が変動してしまうことを防止できる。よって、間隙遮光層２１０ａ或いは２１０ｂの電位が変動してしまうことで、相隣接する二つのサンプリング用ＴＦＴ７１の各々のドレイン配線７１Ｄ間の電磁的な干渉が、間隙遮光層２１０ａ或いは２１０ｂを介して発生してしまうことを低減できる。言い換えれば、相隣接する二つのサンプリング用ＴＦＴ７１の各々のドレイン配線７１Ｄ間の電磁的な干渉を、より一層、低減できる。この結果、画像表示領域１０ａに表示される表示画像に、データ線に沿ったスジ状の輝度ムラが発生してしまうことを低減できる。

更に加えて、間隙遮光層２１０ａ及び２１０ｂには対向電極電位ＬＣＣが供給されるので、本実施形態のように画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の電位の極性を対向電極電位ＬＣＣに対して所定周期で極性反転させる反転駆動方式を採用した場合でも、間隙遮光層２１０ａ及び２１０ｂを電磁シールド膜として確実に機能させることができる。即ち、間隙遮光層２１０ａ及び２１０ｂは、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の極性反転の基準となる対向電極電位ＬＣＣとされるので、仮に、間隙遮光層２１０ａ及び２１０ｂが対向電極電位ＬＣＣとは異なる電位とされる場合と比較して、間隙遮光層２１０ａ及び２１０ｂとドレイン配線７１Ｄ或いはソース配線７１Ｓとの間の電位差を小さくすることができる。よって、間隙遮光層２１０ａ及び２１０ｂとドレイン配線７１Ｄ或いはソース配線７１Ｓとの間の電磁的な干渉が生じてしまうことを低減できる。

図６において、本実施形態では特に、半導体層７４よりも下層側に、複数の下側遮光膜４１０を備えている。下側遮光膜４１０は、例えばチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等の遮光性導電材料から形成されている。複数の下側遮光膜４１０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、複数の半導体層７４とそれぞれ重なるように、半導体層７４と概ね同様の平面形状を有するようにそれぞれ形成され、間隙領域Ｄ１を隔てて配列されている。よって、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射による光や複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの戻り光が、複数のサンプリング用ＴＦＴ７１の各々に入射されてしまうことを低減できる。従って、例えばサンプリング用ＴＦＴ７１において戻り光による光リーク電流が発生してしまい、サンプリング用ＴＦＴ７１における動作不良が生じてしまうのを抑制できる。

更に、複数の下側遮光膜４１０は、間隙領域Ｄ１を隔てて配列されているので、仮に、複数の下側遮光膜４１０を連続した一枚の下側遮光膜として形成した場合に生じ得る、下側遮光膜４１０におけるクラック或いはひび割れの発生を抑制できる。よって、液晶装置の信頼性を高めることができる。

加えて、複数の下側遮光膜４１０によって、サンプリング回路７内における半導体層７４が形成された領域から乱反射光や迷光が出射されてしまうことを低減できる。

図６において、本実施形態では特に、間隙遮光層２１０ａは、相隣接する二つの下側遮光膜４１０に部分的に重なるように形成されている。よって、間隙遮光層２１０ａ及び下側遮光膜４１０によって、周辺領域において乱反射光や迷光が出射されてしまうことを、より確実に低減できる。

以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置によれば、間隙遮光膜２１０を備えるので、サンプリング回路７内のサンプリング用ＴＦＴ７１間の間隙領域Ｄ１における光抜けの発生を低減でき、高品位な画像を表示可能である。
＜第２実施形態＞
第２実施形態に係る液晶装置について、図７を参照して説明する。ここに図７は、第２実施形態における図６と同趣旨の断面図である。尚、図７において、図１から図６に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。

図７において、第２実施形態に係る液晶装置は、上述した第１実施形態における間隙遮光膜２１０に代えて間隙遮光膜２２０を備える点で、上述した第１実施形態に係る液晶装置と異なり、その他の点については、上述した第１実施形態に係る液晶装置と概ね同様に構成されている。

間隙遮光膜２２０は、上述した第１実施形態における間隙遮光膜２１０と同様に、相隣接する二つのサンプリング用ＴＦＴ７１間の間隙領域Ｄ１を覆うように、ドレイン配線７１Ｄが延びる方向に沿って延びるように形成されている。

間隙遮光膜２２０は、間隙遮光層２２０ａと間隙遮光層２２０ｂと間隙遮光層２２０ｃと間隙遮光層２２０ｄとを有している。即ち、間隙遮光膜２２０は、これら４つの間隙遮光層からなる四重膜として形成されている。尚、間隙遮光層２２０ｃ及び２２０ｄの各々は、本発明に係る「シールド配線」の一例である。

間隙遮光層２２０ａ及び２２０ｂはそれぞれ、上述した第１実施形態における間隙遮光層２１０ａ及び２１０ｂと概ね同様に構成されている。

間隙遮光層２２０ｃは、ゲート配線７１Ｇと同一膜、即ち例えば導電性ポリシリコン膜から形成されている。間隙遮光層２２０ｃは、間隙遮光層２２０ｂと同様に、間隙領域Ｄ１に、ドレイン配線７１Ｄが延びる方向に沿って延びるように形成されている。よって、間隙遮光層２２０ｃによって、相隣接するサンプリング用ＴＦＴ７１間の電磁的な干渉を低減できる。更に、ここでは図示しないが、間隙遮光層２２０ｃは、層間絶縁膜４１及び４２を貫通して開孔されたコンタクトホールを介して間隙遮光層２２０ｂと電気的に接続されると共に、下地絶縁膜１２に開孔されたコンタクトホールを介して間隙遮光層２２０ｄと電気的に接続されている。言い換えれば、間隙遮光層２２０ｃは、間隙遮光層２２０ｂと間隙遮光層２２０ｄとの間を電気的に中継接続する中継層として機能する。よって、相隣接するサンプリング用ＴＦＴ７１間の電磁的な干渉を、より確実に低減できる。

間隙遮光層２２０ｄは、下側遮光膜４１０と同一膜、即ち例えばチタン、クロム、タングステン、タンタル、モリブデン等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等の遮光性導電材料から形成されている。間隙遮光層２２０ｄは、間隙遮光層２２０ｃと同様に、間隙領域Ｄ１に、ドレイン配線７１Ｄが延びる方向に沿って延びるように形成されている。よって、間隙遮光層２２０ｄによって、相隣接するサンプリング用ＴＦＴ７１間の電磁的な干渉を、より一層確実に低減できる。更に、間隙遮光層２２０ｄによって、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射による光や複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの戻り光が、複数のサンプリング用ＴＦＴ７１の各々に入射されてしまうことを低減できる。加えて、間隙遮光層２２０ｄによって、サンプリング用ＴＦＴ７１間の間隙領域Ｄ１における光抜けの発生を、より一層確実に低減できる。
＜第３実施形態＞
第３実施形態に係る液晶装置について、図８を参照して説明する。ここに図８は、第３実施形態における図６と同趣旨の断面図である。尚、図８において、図１から図６に示した第１実施形態及び図７に示した第２実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。

図８において、第３実施形態に係る液晶装置は、上述した第２実施形態における間隙遮光膜２２０に代えて間隙遮光膜２３０を備える点で、上述した第２実施形態に係る液晶装置と異なり、その他の点については、上述した第２実施形態に係る液晶装置と概ね同様に構成されている。

間隙遮光膜２３０は、上述した第１又は第２実施形態における間隙遮光膜２１０又は２２０と同様に、相隣接する二つのサンプリング用ＴＦＴ７１間の間隙領域Ｄ１を覆うように、ドレイン配線７１Ｄが延びる方向に沿って延びるように形成されている。

間隙遮光膜２３０は、間隙遮光層２３０ｂと間隙遮光層２３０ｃと間隙遮光層２３０ｄとを有している。即ち、間隙遮光膜２３０は、これら３つの間隙遮光層からなる三重膜として形成されている。

間隙遮光層２３０ｃ及び２３０ｄはそれぞれ、上述した第１実施形態における間隙遮光層２２０ｃ及び２２０ｄと概ね同様に構成されている。

間隙遮光層２３０ｂは、上述した第１実施形態における間隙遮光層２１０ｂと同様に、ドレイン配線７１Ｄ（及びソース配線７１Ｓ）と同一膜、即ち例えばアルミニウム等の金属膜から形成されている。間隙遮光層２３０ｂは、上述した第１実施形態における間隙遮光層２１０ａと同様に、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、相隣接する二つのサンプリング用ＴＦＴ７１間の間隙領域Ｄ１を覆うように、この二つのサンプリング用ＴＦＴ７１の各々が有する半導体層７４に部分的に重なるように形成されている。よって、相隣接する二つのサンプリング用ＴＦＴ７１間の間隙領域Ｄ１における光抜けが発生するのを確実に低減できる。

尚、このように、間隙遮光層２３０ｂが、相隣接するサンプリング用ＴＦＴ７１の各々が有する半導体層７４に部分的に重なるように形成可能なように、サンプリング用ＴＦＴ７１の各々のドレイン配線７１Ｄ及びソース配線７１Ｓは、第１実施形態と比較して、狭い配線幅を有するように形成されている。

間隙遮光層２３０ｂは、図示しないコンタクトホール及び中継配線などを介して、対向電極電位分岐配線６０６と電気的に接続されており、間隙遮光層２３０ｂには、対向電極電位ＬＣＣが供給される。よって、ドレイン配線７１Ｄ（或いは、ゲート配線７１Ｇやソース配線７１Ｓ）からの電磁的な干渉によって間隙遮光層２３０ｂの電位が変動してしまうことを防止できる。従って、間隙遮光層２３０ｂの電位が変動してしまうことで、相隣接するサンプリング用ＴＦＴ７１の各々のドレイン配線７１Ｄ間の電磁的な干渉が、間隙遮光層２３０ｂを介して発生してしまうことを低減できる。言い換えれば、間隙遮光層２３０ｂは、相隣接するサンプリング用ＴＦＴ７１の各々のドレイン配線７１Ｄ間の電磁的な干渉を低減する電磁シールド膜として確実に機能することができる。
＜電子機器＞
次に、上述した各実施形態に係る液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここでは、各実施形態に係る液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。ここに図９は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。

図９に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

尚、図９を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。 図１のＨ−Ｈ´線断面図である。 第１実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を概略的に示すブロック図である。 図３に示すサンプリング回路及びその周辺に設けられた各種信号線の構成を拡大して示すブロック図である。 相隣接する二つのサンプリング用ＴＦＴ及び該相隣接する二つのサンプリング用ＴＦＴ間に設けられた間隙遮光膜の構成を示す平面図である。 図５のＡ−Ａ´線断面図である。 第２実施形態における図６と同趣旨の断面図である。 第３実施形態における図６と同趣旨の断面図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。

符号の説明

６ａ…データ線、６…画像信号線、７…サンプリング回路、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、２０…対向基板、１１ａ…走査線、２１…対向電極、２３…遮光膜、５０…液晶層、５２…シール材、５３…額縁遮光膜、７１…サンプリング用ＴＦＴ、７１Ｄ…ドレイン配線、７１Ｇ…ゲート配線、７１Ｓ…ソース配線、７４…半導体層、７４Ｃ…チャネル領域、７４Ｄ…ドレイン領域、７４Ｓ…ソース領域、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、１０６…上下導通端子、１０７…上下導通材、１１４…サンプリング信号線、２１０…間隙遮光膜、２１０ａ、２１０ｂ、２１０ｃ、２１０ｄ…間隙遮光層、Ｄ１…間隙領域

Claims (8)

1. 基板上に、
   複数の画素部と、
   該複数の画素部が設けられた画素領域に配線された複数の走査線及び複数のデータ線と、
   前記画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられ、画像信号を供給する画像信号線と、
   前記周辺領域に、（ｉ）前記画像信号線に電気的に接続され、前記データ線が延びる第１方向に沿って配線されたソース配線に接続されたソース領域と、（ｉｉ）前記データ線に電気的に接続され、前記第１方向に沿って配線されたドレイン配線に接続されたドレイン領域と、（ｉｉｉ）前記ソース領域及び前記ドレイン領域間に形成されたチャネル領域とを有する半導体層を備えると共に、前記複数のデータ線に対応して配列された複数のトランジスタを含むサンプリング回路と、
   前記複数のトランジスタのうち相隣接するトランジスタ間の間隙領域の少なくとも一部に設けられる間隙遮光膜と
   を備え、
   前記間隙遮光膜は、
   前記半導体層よりも上層側に配置され、前記相隣接するトランジスタが有する前記半導体層に少なくとも部分的に重なる第１間隙遮光層と、
   前記半導体層よりも下層側に配置された第２間隙遮光層と、
   前記基板上の積層構造における前記第１及び第２間隙遮光層間に配置され、前記第１及び第２間隙遮光層を電気的に中継接続するための第３間隙遮光層と
   を有する
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記ソース配線、前記ドレイン配線及び前記第１間隙遮光層は、互いに同一膜から形成されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記半導体層よりも下層側に、前記半導体層毎に前記半導体層と夫々重なるように、前記間隙領域を隔てて配列された複数の下側遮光膜を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記間隙遮光膜は、前記複数の下側遮光膜のうち相隣接する下側遮光膜に少なくとも部分的に重なることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
5. 前記複数のトランジスタは、前記半導体層よりも上層側に配置されると共に前記チャネル領域に重なるゲート電極を夫々有し、
   前記第３間隙遮光層は、前記ゲート電極と同一膜から形成される
   ことを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
6. 前記間隙遮光膜は、所定電位とされることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
7. 前記画像信号は、所定周期で電位が共通電位に対して高位側の正極性と低位側の負極性とで極性反転され、
   前記間隙遮光膜は、前記所定電位として前記共通電位とされる
   ことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
8. 請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。

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