JP6152880B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
<第1実施形態>
第1実施形態に係る液晶装置について、図1から図7を参照して説明する。
図6において、第1層として、走査線11が設けられている。走査線11は、例えばW(タングステン)、Ti(チタン)、TiN(チタンナイトライド)等の高融点金属材料等の遮光性導電材料からなる。尚、走査線11は、本発明に係る「遮光部」の一例を構成する。
図6において、第2層として、TFT30が設けられている。
図6において、第3層として蓄積容量70が設けられている。蓄積容量70は、TFT30よりも、第1層間絶縁膜41を介して上層側に設けられている。
図6において、第4層としてデータ線6a1が設けられている。また、第4層には、中継層91が、データ線6a1と同一膜から形成されている。ここで、同一膜とは、同一の導電材料からなる薄膜を同時にパターニングすることを意味する。
図6において、第5層としてデータ線6a2が設けられている。また、第5層には、中継層92が、データ線6a2と同一膜から形成されている。
図6において、第6層として画素電極9aが設けられている。画素電極9aは、データ線6a2よりも第4層間絶縁膜44を介して上層側に形成されている。
<第2実施形態>
次に、第2実施形態に係る液晶装置について、図8から図10を参照して説明する。ここに図8及び図9は、本実施形態における複数の画素部の平面図である。図8及び図9は、それぞれ、後述する積層構造のうち下層部分(図8)と上層部分(図9)とを分かって図示している。図10は、図8及び図9を重ね合わせた場合のB−B’断面図である。
図10において、第1層として、走査線11が設けられている。走査線11は、上述した第1実施形態と同様に構成されおり、X方向に沿うように延びる本線部分11xと、該本線部分11xからY方向に沿ってデータ線6aに重なるように延設された延設部分11yとを備えている。
図10において、第2層として、TFT30が設けられている。TFT30は、上述した第1実施形態と同様に構成されおり、半導体層1a及びゲート電極3を含んで構成されている。
図10において、第3層として蓄積容量70bが設けられている。蓄積容量70bは、TFT30よりも、第1層間絶縁膜41を介して上層側に設けられている。
図10において、第4層としてデータ線6bが設けられている。また、第4層には、中継層93及び91bが、データ線6bと同一膜から夫々形成されている。
図10において、第5層として容量線320が設けられている。また、第5層には、中継層92bが、容量線320と同一膜から形成されている。
図10において、第6層として画素電極9aが設けられている。画素電極9aは、容量線320よりも第4層間絶縁膜44を介して上層側に形成されている。
<第3実施形態>
次に、第3実施形態に係る液晶装置について、図11から図13を参照して説明する。ここに図11及び図12は、本実施形態における複数の画素部の平面図である。図11及び図12は、それぞれ、後述する積層構造のうち下層部分(図11)と上層部分(図12)とを分かって図示している。図13は、図11及び図12を重ね合わせた場合のC−C’断面図である。
図13において、第1層として、走査線11が設けられている。走査線11は、上述した第1実施形態と同様に構成されており、X方向に沿うように延びる本線部分11xと、該本線部分11xからY方向に沿ってデータ線6cに重なるように延設された延設部分11yとを備えている。
図13において、第2層として、TFT30cが設けられている。
図13において、第3層としてデータ線6cが設けられている。また、第3層には、中継層94が、データ線6cと同一膜から形成されている。
図13において、第4層として蓄積容量70cが設けられている。蓄積容量70cは、データ線6cよりも、第2層間絶縁膜42を介して上層側に設けられている。
図13において、第5層として画素電極9aが設けられている。画素電極9aは、蓄積容量71cよりも第3層間絶縁膜43を介して上層側に形成されている。
<電子機器>
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について、図14を参照して説明する。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。ここに図14は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
Claims (6)
- 第1方向に延在するデータ線と、
該データ線に電気的に接続されたトランジスタと、
該トランジスタに対応して設けられた画素電極と、
前記トランジスタと重なるように設けられた遮光部と、
前記トランジスタの半導体層と電気的に接続された第1中継層と、
前記第1中継層と前記画素電極との間の層に設けられ、前記第1中継層と前記画素電極とを電気的に接続する第2中継層と、を備え、
前記遮光部は、前記第1方向に延在する第1遮光部と、前記第1方向と交差する第2方向に延在する第2遮光部と、該第1及び第2遮光部の各々から延設され、画素の開口領域の隅に張り出した第3遮光部とを有し、
前記第1中継層と前記第2中継層とを電気的に接続する第1コンタクトホールは、前記遮光部と重なるように設けられ、
前記第2中継層と前記画素電極とを電気的に接続する第2コンタクトホールは、前記第3遮光部と重なるように設けられ、
前記第1コンタクトホールは、前記トランジスタと前記画素電極との間に設けられた絶縁膜の、前記画素電極側の平坦面に設けられ、
前記トランジスタのチャネル領域と前記データ線とが平面視で重なるように設けられている
ことを特徴とする電気光学装置。 - 前記第2方向に沿って延在する走査線を有し、
前記トランジスタは、前記トランジスタのチャネル領域が前記データ線と前記走査線とが平面視で重なる交差領域と重なるように設けられていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - 前記第1遮光部は、前記データ線と重なるように設けられていることを特徴とする請求項1または2のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記第1コンタクトホールは、前記データ線と前記データ線と隣り合う他のデータ線との間に設けられていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 前記第1及び第2中継層は、それぞれ前記トランジスタの半導体層と前記画素電極との間の層に設けられていることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 請求項1から5のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
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