JP4586732B2 - 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置及びその製造方法、並びに該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置は、基板上に、画素電極と、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）とを備え、アクティブマトリクス駆動可能に構成される。また、高コントラスト化等を目的として、ＴＦＴと画素電極との間に蓄積容量が設けられることがある。以上の構成要素は基板上に高密度で作り込まれ、画素開口率の向上や装置の小型化が図られる（例えば、特許文献１参照）。

このように、電気光学装置には更なる表示の高品質化や小型化・高精細化が要求されており、上記以外にも様々な対策が講じられている。例えば、ＴＦＴの半導体層に光が入射すると、光リーク電流が発生し、表示品質が低下してしまうことから、電気光学装置の耐光性を高めるために該半導体層の周囲に遮光層が設けられる。また、蓄積容量はできるだけ容量が大きい方が望ましいが、その反面で、画素開口率を犠牲にしないように設計するのが望ましい。

特開２００２−１５６６５２号公報

しかしながら、上述した技術によれば、高機能化或いは高性能化に伴って、基板上における積層構造が、基本的に複雑高度化している。これは更に、製造方法の複雑高度化、製造歩留まりの低下等を招いている。逆に、基板上における積層構造や製造プロセスを単純化しようとすれば、蓄積容量の容量不足、遮光性能の低下等による表示品位の低下を招きかねないという技術的問題点がある。

本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、蓄積容量の容量を大きくすると共に遮光性能を高めることができ、高品質な表示が可能な電気光学装置及びその製造方法、並びにそのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、前記基板上で平面的に見て前記データ線及び走査線に対応して規定される画素毎に配置された画素電極と、前記画素電極に電気的に接続された薄膜トランジスタと、前記基板上で平面的に見て前記薄膜トランジスタのチャネル領域に対向する領域を含む領域に配置され且つ前記薄膜トランジスタより上層側に配置されており、ポリシリコン膜からなる下側電極、誘電体膜及び金属膜からなる上側電極が下層側から順に積層されてなると共に前記画素電極に電気的に接続された蓄積容量とを備える。

本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、薄膜トランジスタが、走査線に選択される画素位置の画素電極に対してデータ線からデータ信号を印加することで、アクティブマトリクス駆動が可能である。この際、画素電極に電気的に接続された蓄積容量によって、画素電極における電位保持特性が向上し、表示の高コントラスト化が可能となる。

本発明では特に、蓄積容量は、ポリシリコン膜からなる下側電極、誘電体膜及び金属膜からなる上側電極が下層側から順に積層されてなる。即ち、蓄積容量は、半導体膜、絶縁体膜及び金属膜が順に積層されたＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconductor）構造を有する。よって、下側電極における上層側表面を酸化する酸化処理を施すことによって高温酸化膜即ちＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜を形成することにより、或いは、下側電極上に誘電体膜を積層した後に誘電体膜を焼成する焼成処理を施すことによって誘電体膜の緻密さを向上させることにより、蓄積容量の耐圧を高め、リーク電流の発生を抑制或いは防止できる。即ち、下側電極はポリシリコン膜からなるので、酸化処理或いは焼成処理の際に施され得る比較的高温の熱処理によって、仮に下側電極が例えばアルミニウム（Ａｌ）等の金属膜からなる場合と比較して、下側電極が溶融してしまうことを抑制或いは防止できる。

更に、下側電極がポリシリコン膜からなることにより蓄積容量の耐圧を高めることができるので、誘電体膜を例えばシリコン窒化膜等の高誘電率材料（即ち、Ｈｉｇｈ−ｋ材料）から形成することができる。即ち、仮に下側電極が金属膜からなる場合と比較して、酸化処理、高温酸化膜の敷設、或いは焼成処理により耐圧を高めることができる分だけ、誘電体膜を高誘電率材料から形成してもリーク電流は殆ど或いは全く発生しない。言い換えれば、酸化処理、高温酸化膜の敷設、或いは焼成処理により蓄積容量の耐圧を確保しつつ、誘電体膜を高誘電率材料から形成することにより蓄積容量の容量を大きくすることが可能となる。

加えて、本発明では特に、蓄積容量は、基板上で平面的に見て薄膜トランジスタのチャネル領域に対向する領域を含む領域に配置され且つ薄膜トランジスタより上層側に配置されており、蓄積容量の上側電極は例えばアルミニウム膜等の金属膜からなる。よって、上層側からの入射光に対して、上側電極によって薄膜トランジスタのチャネル領域を遮光できる。上側電極は、アルミニウムの他、より遮光性の高い例えばチタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タングステン（Ｗ）等の金属の単層膜又は多層膜からなるようにしてもよい。このように構成することで、上側電極によって薄膜トランジスタのチャネル領域をより一層確実に遮光できる。

更に、蓄積容量が上述の如きＭＩＳ構造を有するので、仮に蓄積容量の上側電極及び下側電極のいずれもがポリシリコン膜からなる場合（即ち、蓄積容量が、ポリシリコン膜、絶縁体膜及びポリシリコン膜が順に積層されたＰＩＰ（Polysilicon-Insulator-Polysilicon）構造を有する場合）と比較して、上側電極がポリシリコン膜より低抵抗な金属膜からなる分だけ蓄積容量のターンアラウンドタイム即ちＴＡＴ（Turn Around Time）を短くすることができる。加えて、蓄積容量の上側電極は金属膜からなるので、上側電極に例えば定電位を供給する容量線を上側電極と一体的に形成することができる。即ち、上側電極を容量線としても機能させることができる。ここで、仮に例えば上側電極をＷＳｉポリサイド膜から形成するとすれば、ＷＳｉポリサイド膜の合金化のための熱処理の際に、ＷＳｉポリサイド膜に合金化による応力が加わることで、上側電極のそりやクラックが生じてしまい、例えば容量線等の配線として機能することが困難になる。しかるに本発明では特に、上側電極は金属膜（即ち、金属の単層又は多層膜）からなるので、そりやクラックが殆ど或いは全く発生しない。よって、上側電極及び容量線の低抵抗化或いは断線防止のために、上側電極及び容量線を例えば層間絶縁膜を介して相異なる層に配置される導電膜とコンタクトホールを介して電気的に接続することにより二重配線等の冗長配線構造を形成する必要がない。即ち、上側電極を単独配線として使用することができる。従って、積層構造を比較的単純化することが可能となる。これにより、歩留まりも向上可能であり、装置自体の信頼性が高まる。

本発明の電気光学装置の一態様では、前記金属膜のＯＤ（Optical Density）値は、４より大きい。

この態様によれば、金属膜のＯＤ値は４より大きい、即ち、金属膜の光透過率は０．０１％より小さい。よって、高遮光性能を有する金属膜からなる上側電極により、薄膜トランジスタのチャネル領域を確実に遮光できる。尚、例えばＷＳｉポリサイド膜のＯＤ値は、約１．２程度（即ち、光透過率は約６．３１％程度）である。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記上側電極は、遮光性の金属を含んでなる。

この態様によれば、チャネル領域に近接配置可能な上側電極によって、上層側からの入射光に対して薄膜トランジスタのチャネル領域を、より一層確実に遮光できる。この結果、薄膜トランジスタにおける光リーク電流は低減され、高品位の画像表示が可能となる。

上述した上側電極が遮光性の金属を含んでなる態様では、前記上側電極は、前記遮光性の金属として、チタンナイトライド（ＴｉＮ）、チタン（Ｔｉ）及びタングステン（Ｗ）のうち少なくとも一つを含んでなるようにしてもよい。

このように構成すれば、上側電極によって、上層側からの入射光に対して薄膜トランジスタのチャネル領域を、より一層確実に遮光できる。この結果、薄膜トランジスタにおける光リーク電流は低減され、高品位の画像表示が可能となる。

上述した上側電極がチタンナイトライドを含んでなる態様では、前記上側電極は、チタンナイトライドからなる第１の遮光層、アルミニウムからなる導電層、チタンナイトライドからなる第２の遮光層が下層側から順に積層された積層構造を有するようにしてもよい。

このように構成すれば、チタンナイトライドからなる第１及び第２の遮光層によって、上層側からの入射光に対して薄膜トランジスタのチャネル領域を、より一層確実に遮光できると共に、アルミニウムからなる導電層によって上側電極を低抵抗化できる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記蓄積容量は、前記データ線より下層側に配置される。

この態様によれば、薄膜トランジスタのチャネル領域に、蓄積容量をより一層近接配置可能となり、金属膜からなる上側電極によって上層側からの入射光に対して薄膜トランジスタのチャネル領域をより一層確実に遮光できる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記誘電体膜は、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）及びアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）のうち少なくとも１つを含む。

この態様によれば、蓄積容量の容量を大きくすることができる。尚、誘電体膜は、窒化シリコン等の誘電率と同程度或いはより大きな誘電率を有する他の高誘電率材料からなるようにしてもよい。誘電体膜は、高誘電率材料の単層膜であってもよいし、複数の相異なる種類の高誘電率材料の多層膜であってもよい、或いは、高誘電率材料よりも誘電率の低い低誘電率材料と共に多層膜としてもよい。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記下側電極における上層側に高温酸化膜を備える。

この態様によれば、例えば下側電極における上層側表面が酸化されることにより形成された、高温酸化膜または敷設ＨＴＯ膜によって、蓄積容量におけるリーク電流の発生を抑制或いは防止できる。即ち、蓄積容量の耐圧を高めることができる。

本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に、互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、前記基板上で平面的に見て前記データ線及び走査線に対応して規定される画素毎に配置された画素電極と、前記画素電極に電気的に接続された薄膜トランジスタと、下側電極、誘電体膜及び上側電極が下層側から順に積層されてなると共に前記画素電極に電気的に接続された蓄積容量とを備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記基板上に前記走査線を形成する工程と、前記基板上の平面的に見て前記データ線及び走査線の交差に対応する領域に、前記薄膜トランジスタを形成する工程と、前記蓄積容量を、前記基板上で平面的に見て前記薄膜トランジスタのチャネル領域に対向する領域を含む領域に、前記薄膜トランジスタより上層側にポリシリコン膜からなる下側電極、誘電体膜及び金属膜からなる上側電極が下層側から順に積層されてなるように、形成する工程と、前記データ線を、前記基板上に前記走査線と交差するように形成する工程と、前記画素電極を、前記画素毎に、前記蓄積容量と電気的に接続されるように形成する工程とを含む。

本発明の電気光学装置の製造方法によれば、上述した本発明の電気光学装置を製造できる。 本発明では特に、蓄積容量を、ＭＩＳ構造を有するように形成するので、下側電極に対する酸化処理、ＨＴＯ膜の敷設、或いは誘電体膜に対する焼成処理により蓄積容量の耐圧を確保しつつ、誘電体膜を高誘電率材料から形成することにより蓄積容量の容量を大きくすることが可能となる。更に、上側電極によって薄膜トランジスタのチャネル領域を遮光できる。加えて、上側電極を単独配線として形成することができ、製造プロセスを比較的単純化することが可能となり、歩留まりも向上可能である。

本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、前記蓄積容量を形成する工程は、前記誘電体を積層する前に、前記下側電極における上層側表面を酸化する酸化処理を行う工程を含む。

この態様によれば、下側電極における上層側にＨＴＯ膜を形成することができ、蓄積容量の耐圧を高めることができる。

本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記蓄積容量を形成する工程は、前記上側電極を積層する前に、前記誘電体膜を焼成する焼成処理を行う工程を含む。

この態様によれば、金属膜からなる上側電極を溶融することなく、焼成処理によって誘電体膜の緻密さを向上させることができる、即ち、蓄積容量の耐圧を高めることができる。

本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記蓄積容量を形成する工程は、前記誘電体膜を、原子層堆積法によって形成する。

この態様によれば、原子層堆積法即ちＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法によって誘電材料を積層することにより誘電体膜を形成するので、より薄く高精度に誘電体膜を形成することができる。

本発明の電気光学装置の製造方法の他の態様では、前記上側電極の上層側に低温プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって、前記上側電極と前記データ線とを電気的に層間絶縁する層間絶縁膜を形成する工程を含む。

この態様によれば、例えば５００℃未満の低温下で行われる、プラズマＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ：Plasma Enhanced ＣＶＤ）法、高密度プラズマＣＶＤ（ＨＤＰＣＶＤ：High Density Plasma ＣＶＤ）法等の低温プラズマＣＶＤ法によって例えばＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス等を用いて層間絶縁膜を形成する。よって、層間絶縁膜を形成する際に、例えば５００℃以上に加熱する処理を必要としない。従って、金属膜からなる下側電極を殆ど或いは全く溶融してしまうことなく、層間絶縁膜を形成することができる。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を具備してなる。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品位の画像を表示可能な、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなど、更には電気光学装置を露光用ヘッドとして用いたプリンタ、コピー、ファクシミリ等の画像形成装置など、各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば、電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）等を実現することも可能である。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされよう。

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図６を参照して説明する。

先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線での断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用のＴＦＴや、走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａが設けられている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。そして、遮光膜２３上に、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。

尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。

次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部における電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。

図３において、本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域１０ａ（図１参照）内にマトリクス状に形成された複数の画素部には夫々、画素電極９ａと該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが供給されるデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。尚、ＴＦＴ３０は、本発明に係る「薄膜トランジスタ」の一例である。

また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。

画素電極９ａを介して液晶層５０（図２参照）の液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。

ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図１及び図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。この蓄積容量７０は、走査線３ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むと共に所定電位とされた容量線３００を含んでいる。この蓄積容量７０によって、各画素電極における電荷保持特性は向上されている。尚、容量線３００の電位は、一つの電圧値に常時固定してもよいし、複数の電圧値に所定周期で振りつつ固定してもよい。

次に、上述の動作を実現する画素部の具体的構成について、図４及び図５を参照して説明する。ここに図４は、本実施形態に係る液晶装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であり、図５は、図４のＡ−Ａ´線での断面図である。

図４において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（点線部９ａ´により輪郭が示されている）、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。データ線６ａは、例えばアルミニウム膜等の金属膜或いは合金膜からなり、走査線３ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。走査線３ａは、半導体層１ａのうち図中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ´に対向するように配置されており、該走査線３ａはゲート電極として機能する。即ち、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ´に走査線３ａの本線部がゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。

図５に示すように、本実施形態に係る液晶装置は、透明なＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される透明な対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなり、対向基板２０は、例えばガラス基板や石英基板からなる。ＴＦＴアレイ基板１０には、画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。このうち画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。このうち対向電極２１は、上述した画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなり、配向膜１６及び２２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。

図５に示すように、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、上述したようにゲート電極として機能する走査線３ａ、例えばポリシリコン膜からなり走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。

尚、ＴＦＴ３０は、好ましくは図５に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。また、本実施形態では、画素スイッチング用のＴＦＴ３０のゲート電極を、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。このようにデュアルゲート、或いはトリプルゲート以上でＴＦＴを構成すれば、チャネルとソース及びドレイン領域との接合部のリーク電流を防止でき、オフ時の電流を低減することができる。更に、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａは非単結晶層でも単結晶層でも構わない。単結晶層の形成には、貼り合わせ法等の公知の方法を用いることができる。半導体層１ａを単結晶層とすることで、特に周辺回路の高性能化を図ることができる。

図５において、蓄積容量７０は、第１層間絶縁膜４１を介してＴＦＴ３０の上層側に設けられており、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された下側電極７１と、容量線３００の一部からなる上側電極３００ａが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。

下側電極７１は、導電性のポリシリコン膜からなり、第１層間絶縁膜４１に開孔されたコンタクトホール８３を介してＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと電気的に接続されている。即ち、下側電極７１は、画素電位とされる画素電位側容量電極として機能する。下側電極７１の延在部は、第３層間絶縁膜４３及び第２層間絶縁膜４２を貫通して開孔されたコンタクトホール８５を介して画素電極９ａと電気的に接続されている。即ち、下側電極７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホール８３及び８５を介して、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを電気的に中継接続する機能をもつ。尚、下側電極７１の上層側には、後述するように、ＨＴＯ膜が形成されている。

層間絶縁膜４１、４２及び４３は夫々、例えばＮＳＧ（ノンシリケートガラス）によって形成されている。その他、層間絶縁膜４１、４２及び４３には夫々、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。

誘電体膜７５は、例えば膜厚５〜３００ｎｍ程度の比較的薄い窒化シリコン（ＳｉＮ）膜から構成されている。蓄積容量７０を増大させる観点からは、膜の信頼性が十分に得られる限りにおいて、誘電体膜７５は薄いほどよい。尚、誘電体膜７５は、後述するように、焼成処理が施され緻密さが高められている。

上側電極３００ａは、容量線３００の一部として形成されており、下側電極７１と対向配置された固定電位側容量電極として機能する。容量線３００は、平面的に見ると、図４に示すように、走査線３ａの形成領域に重ねて形成されている。より具体的には容量線３００は、走査線３ａに沿って延びる本線部と、図中、データ線６ａと交差する各個所からデータ線６ａに沿って上方に夫々突出した突出部と、コンタクトホール８５に対応する個所が僅かに括れた括れ部とを備えている。このうち突出部は、走査線３ａ上の領域及びデータ線６ａ下の領域を利用して、蓄積容量７０の形成領域の増大に貢献する。また、容量線３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されて、固定電位とされている。このような定電位源としては、例えば、データ線駆動回路１０１に供給される正電源や負電源等の定電位源でもよいし、対向基板２０の対向電極２１に供給される対向電極電位でもよい。

ここで本実施形態に係る蓄積容量について、図６を参照して詳細に説明する。ここに図６は、図４のＣ１部分の部分拡大断面図である。

図６に示すように、蓄積容量７０は、下側電極７１、誘電体膜７５及び上側電極３００ａが下層側から順に積層されて形成されている。尚、下側電極７１の上層側には、後述するように、ＨＴＯ膜７２が形成されている。

本実施形態では特に、下側電極７１は、導電性のポリシリコン膜からなり、上側電極３００ａはアルミニウム等からなる。即ち、蓄積容量７０は、半導体膜、絶縁体膜及び金属膜が順に積層されたＭＩＳ構造を有している。

図６に示すように、本実施形態では特に、下側電極７１の上層側には、ＨＴＯ膜７２が形成されている。ＨＴＯ膜７２は、ポリシリコン膜からなる下側電極７１の上層側表面を酸化する酸化処理によって形成された高温酸化シリコン膜或いは、ＬＰ（Low Pressure）−ＣＶＤ法により形成された膜からなる。このように下側電極７１と誘電体膜７５との間に形成されたＨＴＯ膜７２によって、蓄積容量７０の耐圧が高められている。即ち、蓄積容量７０におけるリーク電流の発生を抑制或いは好ましくは防止できる。ここで本実施形態では特に、下側電極７１は、ポリシリコン膜からなるので、仮に下側電極７１が例えばアルミニウム等の金属膜からなる場合と比較して、比較的高温での熱処理を伴う酸化処理によって下側電極７１が溶融してしまうことは殆ど或いは全くない。よって、下側電極７１の上側（即ち、誘電体膜７５の下側）に、リーク電流を殆ど或いは全く発生させないＨＴＯ膜を敷設することが可能となる。

更に、本実施形態では特に、誘電体膜７５は、焼成処理が施されることによって緻密さが高められている、即ち、蓄積容量７０の耐圧が高められている。よって、蓄積容量７０におけるリーク電流の発生を抑制或いは防止できる。ここで本実施形態では特に、下側電極７１は、ポリシリコン膜からなるので、仮に下側電極７１が例えばアルミニウム等の金属膜からなる場合と比較して、比較的高温での熱処理を伴う焼成処理によって下側電極７１が溶融してしまうことは殆ど或いは全くない。よって、蓄積容量７０の耐圧を高めるための誘電体膜７５に対する焼成処理が可能となる。

加えて、本実施形態では特に、上述したように、誘電体膜７５は、高誘電率材料（即ち、Ｈｉｇｈ−ｋ材料）であるＳｉＮ膜から形成されている。ここで高誘電率材料を誘電体膜として蓄積容量を構成した場合には、耐圧が小さくなり、リーク電流が生じ易い。しかるに本実施形態では、仮に下側電極７１が金属膜からなる場合と比較して、上述したように酸化処理或いは焼成処理により耐圧を高められている分だけ、誘電体膜７５をシリコン窒化膜から形成してもリーク電流は殆ど或いは全く発生しない。言い換えれば、本実施形態では特に、下側電極７１はポリシリコン膜からなるので、上述した酸化処理或いは焼成処理により蓄積容量７０の耐圧を確保しつつ、誘電体膜７５を高誘電率材料であるシリコン窒化膜から形成することにより蓄積容量７０の容量を大きくすることが可能となる。尚、誘電体膜７５は、ＳｉＮの他、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の高誘電率材料の単層膜又は多層膜であってもよい。或いは、これら高誘電率材料よりも誘電率の低い低誘電率材料と共に多層膜としてもよい。

図６において、上側電極３００ａ（言い換えれば、容量線３００）は、第１遮光層３１１、導電層３２０及び第２遮光層３１２が下層側から順に積層された積層構造を有する多層膜からなる。

第１遮光層３１１及び第２遮光層３１２はいずれもチタンナイトライド（ＴｉＮ）膜から形成されており、導電層３２０は、アルミニウム（Ａｌ）膜から形成されている。

図５に示すように本実施形態では特に、蓄積容量７０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見てＴＦＴ３０のチャネル領域１ａに対向する領域を含む領域に配置され、且つ、ＴＦＴ３０より上層側に配置されている。よって、金属膜からなる上側電極３００ａにより上層側からの入射光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´を遮光できる。本実施形態では特に、上述したように、上側電極３００ａは、高い遮光性を有するＴｉＮ膜からなる第１遮光層３１１及び第２遮光層３１２を含んで構成されており、上側電極３００ａのＯＤ値は４より大きい、即ち、光透過率は０．０１％より小さい。よって、仮に上側電極３００が、ＯＤ値が約１．２程度（即ち、光透過率は約６．３１％程度）であるＷＳｉポリサイド膜からなる場合に比較して、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａをより確実に遮光できる。尚、第１遮光層３１１及び第２遮光層３１２は、ＴｉＮ膜の他、チタン（Ｔｉ）膜、タングステン（Ｗ）膜から形成してもよい。即ち、上側電極３００ａは、例えばＴｉ膜、Ａｌ膜及びＴｉ膜が順に積層された積層構造、或いは、Ｗ膜、Ａｌ膜及びＷ膜が順に積層された積層構造を有する三層膜であってもよい。或いは、上側電極３００ａは、積層構造を単純化し、例えばＴｉＮ膜、Ｔｉ膜及びＷ膜のいずれかとＡｌ膜とを積層した積層構造を有する二層膜としてもよい。

更に、本実施形態では特に、蓄積容量７０が上述の如きＭＩＳ構造を有するので、仮に蓄積容量７０の上側電極３００ａ及び下側電極７１のいずれもがポリシリコン膜からなる場合（即ち、ポリシリコン膜、絶縁体膜及びポリシリコン膜が順に積層されたＰＩＰ構造を有する場合）と比較して、上側電極３００ａがポリシリコン膜より低抵抗な金属膜からなる分だけ蓄積容量７０のターンアラウンドタイム（即ちＴＡＴ）を短くすることができる。加えて、蓄積容量７０の上側電極３００ａは金属膜からなるので、上側電極３００ａ及び容量線３００と一体的に形成することができる。即ち、上側電極３００ａを容量線３００としても機能させることができる。ここで、仮に例えば上側電極３００ａをＷＳｉポリサイド膜から形成するとすれば、ＷＳｉポリサイド膜の合金化のための熱処理の際に、ＷＳｉポリサイド膜に合金化による応力が加わることで、上側電極３００ａのそりやクラックが生じてしまい、容量線３００として機能することが困難になる。しかるに本実施形態では特に、図６を参照して上述したように、上側電極７１は金属膜からなるので、そりやクラックが殆ど或いは全く発生しない。よって、上側電極３００ａ及び容量線３００の低抵抗化或いは断線防止のために、上側電極３００ａ及び容量線３００を、層間絶縁膜を介して相異なる層に配置される導電膜とコンタクトホールを介して電気的に接続することにより二重配線等の冗長配線構造を形成する必要がない。即ち、上側電極３００ａ（言い換えれば、容量線３００）を単独配線として使用することができる。従って、ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造を比較的単純化することが可能となる。これにより、歩留まりも向上可能であり、液晶装置自体の信頼性が高まる。

図５に示すように、本実施形態では特に、蓄積容量７０は、後述するデータ線６ａより下層側に配置されている。即ち、蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´により一層近接して配置されている。よって、第１遮光層３１０及び第２遮光層３２０を含む上側電極３００ａによって上層側からの入射光に対しＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´をより一層確実に遮光できる。

再び図４及び図５において、ＴＦＴ３０の下側に、下側遮光膜１１ａが設けられている。下側遮光膜１１ａは、格子状にパターニングされており、これにより各画素の開口領域を規定している。更に、下側遮光膜１１ａは、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、下層側からの戻り光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域１ａを遮光している。下側遮光膜１１ａは、金属又は合金を含む単層膜又は多層膜から構成されている。尚、開口領域の規定は、図４中のデータ線６ａと、これに交差するように形成された容量線３００とによっても、なされている。また、下側遮光膜１１ａについても、上述した容量線３００の場合と同様に、その電位変動がＴＦＴ３０に対して悪影響を及ぼすことを避けるために、画像表示領域からその周囲に延設して定電位源に接続されている。

以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置によれば、蓄積容量７０は、ＭＩＳ構造を有しているので、誘電体膜７５に対する焼成処理或いは下側電極７１に対する酸化処理によって、耐圧を高め、リーク電流の発生を抑制或いは防止できると共に、高誘電率材料を用いて蓄積容量７０の容量を大きくすることができる。その結果、フリッカ、画素むら等を低減或いは好ましくは無くし、高品質な表示が可能となる。
＜製造方法＞
次に、上述した本実施形態に係る液晶装置の製造方法について、図７から図１０を参照して説明する。ここに図７から図１０は、本実施形態に係る液晶装置を製造する一連の製造工程を示す工程断面図である。尚、図７、図９及び図１０では、図５に示した画素部の断面図に対応して示してあり、図８では、図６に示した蓄積容量の部分拡大断面図に対応して示してある。尚、ここでは、本実施形態に係る液晶装置のうち蓄積容量の製造工程を主として説明することとする。

先ず、図７に示すように、画像表示領域１０ａにおいて、ＴＦＴアレイ基板１０上に下地遮光膜１１ａから第１層間絶縁膜４１までの各層構造を形成する。この際、下地遮光膜１１ａは、格子状にパターニングされ、下地絶縁膜１２及び第１層間絶縁膜４１は、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成される。下地絶縁膜１２は、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳ（テトラ・エチル・オルソ・シリケート）ガス、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）ガス、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）ガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化膜や酸化シリコン膜等から形成する。この下地絶縁膜１２の膜厚は、例えば約５００ｎｍ〜２０００ｎｍ程度、好ましくは約８００ｎｍ程度とする。ＴＦＴ３０は、走査線３ａ及び後に形成されるデータ線６ａの交差に対応する領域に形成される。ＴＦＴ３０を形成する工程において、アニール処理或いはアニーリング処理等の熱処理が施され、ＴＦＴ３０の特性が高められる。この際のアニール温度は、約９００〜１３００℃、好ましくは例えば約１０００℃程度である。第１層間絶縁膜４１は、例えば、常圧又は減圧ＣＶＤ法等によりＴＥＯＳガス、ＴＥＢガス、ＴＭＯＰガス等を用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化膜や酸化シリコン膜等から形成される。この第１層間絶縁膜４１の膜厚は、例えば約５００ｎｍ〜２０００ｎｍ程度、好ましくは約８００ｎｍ程度とする。ここで好ましくは、８００℃程度の高温でアニール処理し、第１層間絶縁膜４１の膜質を向上させる。尚、各工程には、通常の半導体集積化技術を用いることができる。また、第１層間絶縁膜４１の形成後、その表面を、化学的研磨（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）処理等によって平坦化してもよい。

次に、第１層間絶縁膜４１の表面の所定位置にエッチングを施し、高濃度ドレイン領域１ｅに達する深さのコンタクトホール８３を開孔する。続いて、所定のパターンで導電性のポリシリコン膜を積層し、下側電極７１を形成する。下側電極７１は、コンタクトホール８３によって高濃度ドレイン領域１ｅとひとつながりに接続する。

続いて、図８（ａ）に示すように、ポリシリコン膜からなる下側電極７１の上層側表面に酸化処理を施す、或いは、ＬＰ−ＣＶＤ法により、高温酸化シリコン膜からなるＨＴＯ膜７２を形成する。

次に、図８（ｂ）に示すように、ＨＴＯ膜７２上に、原子層堆積法（即ち、ＡＬＤ法）によってＳｉＮ膜を積層し、誘電体膜７５を形成する。この際、本実施形態では特に、誘電体膜７５を焼成する焼成処理を行なう。よって、誘電体膜７５の緻密さを向上させることができ、蓄積容量７０の耐圧を高めることができる。更に、本実施形態では特に、ＡＬＤ法によって誘電材料を積層することにより誘電体膜７５を形成するので、誘電体膜７５をより薄く高精度に形成することができる。本実施形態によれば、ＨＴＯ膜７２と誘電体膜７５に対する焼成処理とによって、蓄積容量の耐圧が高められるので、誘電体膜７５を薄く形成してもリーク電流は殆ど或いは好ましくは全く発生しない。即ち、高耐圧且つ大容量の蓄積容量を形成することが可能である。尚、誘電体膜７５は、ＳｉＮの他、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、Ａｌ２Ｏ３等の高誘電率材料の単層膜又は多層膜として形成してもよい。或いは、これら高誘電率材料よりも誘電率の低い低誘電率材料と共に多層膜として形成してもよい。

次に、図８（ｃ）に示すように、所定のパターンで上側電極３００ａ（言い換えれば、容量線３００）を形成する。即ち、先ず、誘電体膜７５上に、所定のパターンで、ＴｉＮを積層し、第１遮光層３１１を形成する。次に、第１遮光層３１１の上に所定パターンで、Ａｌを積層し、導電層３２０を形成する。次に、導電膜３２０上に所定パターンで、ＴｉＮを積層し、第２遮光膜３１２を形成する。この際、上側電極３００ａは、所定のパターンとして、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見てＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´に対向する領域を含む領域に形成する。よって、第１遮光層３１１及び第２遮光層３１２を含む上側電極３００ａにより、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´を確実に遮光できる。

次に、図９に示すように、本実施形態では特に、ＴＦＴアレイ基板１０上の全面に、例えば５００℃未満で行なうプラズマＣＶＤ法により、ＴＥＯＳガスを用いて、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ等のシリケートガラス膜からなる第２層間絶縁膜４２を形成する。この第２層間絶縁膜４２の膜厚は、例えば約４００ｎｍ程度とする。よって、第２層間絶縁膜４２を形成する際に、例えば５００℃以上に加熱する処理を必要としない。従って、金属膜からなる上側電極３００ａ（言い換えれば、容量線３００）を殆ど或いは好ましくは全く溶融してしまうことなく、第２層間絶縁膜４２を形成することができる。尚、高密度プラズマＣＶＤ法によって第２層間絶縁膜４２を形成してもよい。尚、第２層間絶縁膜４２の形成後、その表面を、ＣＭＰ処理等によって平坦化してもよい。

次に、図１０に示すように、第２層間絶縁膜４２の表面の所定位置にエッチングを施し、高濃度ソース領域１ｄに達する深さのコンタクトホール９２を開孔する。続いて、所定のパターンでアルミニウム膜を積層し、データ線６ａを形成する。データ線６ａは、コンタクトホール９２によって高濃度ソース領域１ｄとひとつながりに接続する。

次に、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に、ＢＰＳＧを積層し、第３層間絶縁膜４３を形成する。この第３層間絶縁膜４３の膜厚は、例えば約５００ｎｍ〜１５００ｎｍ程度、好ましくは約８００ｎｍ程度とする。尚、第３層間絶縁膜４３には、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。また、第３層間絶縁膜４３の形成後、その表面を、ＣＭＰ処理等によって平坦化してもよい。

次に、第３層間絶縁膜４３の表面の所定位置にエッチングを施し、下側電極７１の延在部に達する深さのコンタクトホール８５を開孔する。続いて、所定のパターンでＩＴＯ等の透明導電膜を積層し、画素電極９ａを形成する。画素電極９ａは、コンタクトホール８５によって下側電極７１の延在部とひとつながりに接続する。よって、画素電極９ａは、下側電極７１の延在部によって、高濃度ドレイン領域１ｅと電気的に中継接続される。

以上説明した液晶装置の製造方法によれば、上述した本実施形態の液晶装置を製造できる。 本実施形態では特に、蓄積容量７０を、ＭＩＳ構造を有するように形成するので、下側電極７１に対する酸化処理、ＨＴＯ膜の敷設、或いは誘電体膜７５に対する焼成処理により蓄積容量７０の耐圧を確保しつつ、誘電体膜７５を高誘電率材料から形成することにより蓄積容量７０の容量を大きくすることが可能となる。更に、上側電極３００ａによってＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´を遮光できる。加えて、上側電極３００ａを単独配線として形成することができ、製造プロセスを比較的単純化することが可能となり、歩留まりも向上可能である。
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。

先ず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１１は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。この図１１に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

尚、図１１を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。 図１のＨ−Ｈ´線断面図である。 第１実施形態に係る液晶装置の画素における各種素子等の等価回路図である。 第１実施形態に係る液晶装置の相隣接する複数の画素群の平面図である。 図４のＡ−Ａ´線断面図である。 図４のＣ１部分拡大断面図である。 第１実施形態に係る液晶装置を製造する一連の製造工程を示す工程断面図（その１）である。 第１実施形態に係る液晶装置を製造する一連の製造工程を示す工程断面図（その２）である。 第１実施形態に係る液晶装置を製造する一連の製造工程を示す工程断面図（その３）である。 第１実施形態に係る液晶装置を製造する一連の製造工程を示す工程断面図（その４）である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。

符号の説明

１ａ´…チャネル領域、２…絶縁膜、３ａ…走査線、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、７…サンプリング回路、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１ａ…下地遮光膜、１２…下地絶縁膜、１６…配向膜、２０…対向基板、２１…対向電極、２３…遮光膜、２２…配向膜、３０…ＴＦＴ、４１…第１層間絶縁膜、４２…第２層間絶縁膜、４３…第３層間絶縁膜、５０…液晶層、５２…シール材、５３…額縁遮光膜、７０…蓄積容量、７１…下側電極、７２…ＨＴＯ膜、７５…誘電体膜、８３、８５、９２…コンタクトホール、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、１０６…上下導通端子、１０７…上下導通材、３００…容量線、３００ａ…上側電極、３１１…第１遮光層、３１２…第２遮光層、３２０…導電層

Claims (4)

1. 基板上に、互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、前記基板上で平面的に見て前記データ線及び走査線に対応して規定される画素毎に配置された画素電極と、前記画素電極に電気的に接続された薄膜トランジスタと、下側電極、誘電体膜及び上側電極が下層側から順に積層されてなると共に前記画素電極に電気的に接続された蓄積容量とを備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
   前記基板上に前記走査線を形成する工程と、
   前記基板上の平面的に見て前記データ線及び走査線の交差に対応する領域に、前記薄膜トランジスタを形成する工程と、
   前記蓄積容量を、前記基板上で平面的に見て前記薄膜トランジスタのチャネル領域に対向する領域を含む領域に、前記薄膜トランジスタより上層側にポリシリコン膜からなる下側電極、誘電体膜及び金属膜からなる上側電極が下層側から順に積層されてなるように、形成する工程と、
   前記データ線を、前記基板上に前記走査線と交差するように形成する工程と、
   前記画素電極を、前記画素毎に、前記蓄積容量と電気的に接続されるように形成する工程と
   を含み、
   前記蓄積容量を形成する工程は、前記上側電極を積層する前に、前記誘電体膜を焼成する焼成処理を行う工程を含む
   ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 前記蓄積容量を形成する工程は、前記誘電体を積層する前に、前記下側電極における上層側表面を酸化する酸化処理を行う工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
3. 前記蓄積容量を形成する工程は、前記誘電体膜を、原子層堆積法によって形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造方法。
4. 前記上側電極の上層側に低温プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって、前記上側電極と前記データ線とを電気的に層間絶縁する層間絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。

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