JP4216092B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）をスイッチング素子に用いた液晶表示装置に関し、特に画素に配置されるＴＦＴの遮光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、液晶表示装置は、ＴＦＴが実装されたＴＦＴアレイ基板と、前記ＴＦＴアレイ基板に対向配置される対向基板と、前記ＴＦＴアレイ基板と前記対向基板とに挟まれた液晶層と、前記ＴＦＴアレイ基板の液晶層側と反対側に設けられた偏光板と、前記対向基板の液晶層側と反対側に設けられた偏光板とを備えている。
【０００３】
液晶表示装置は、対向基板側から入射した照明光が液晶層を透過する際、画素電極からの信号に応じた液晶分子の配向変化に伴って前記照明光の透過率が変化し、目的の画像を表示するのに必要な強度の光を射出する。
【０００４】
液晶表示装置に入射した照明光が、ＴＦＴのチャネル形成領域に入射すると、光電効果により導電率が上がり、それがリーク電流となり（これを光リーク電流と呼ぶ）ＴＦＴの誤作動を引き起こす。通常、チャネル形成領域への入射光を防止するために、アクティブマトリクス型の液晶表示装置では、対向基板上のＴＦＴアレイ基板側と向き合う側に、Cr（クロム）やAl（アルミニウム）等の金属材料や樹脂材料などからなる遮光層が形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
液晶層を透過する光の多くは、対向基板側またはＴＦＴアレイ基板側に設けた遮光層により、チャネル形成領域への入射を防止されている。しかしながら一部の透過光はＴＦＴアレイ基板の界面などで反射してＴＦＴアレイ基板へ再び入射する反射光（戻り光）となり、チャネル形成領域に入射して光リーク電流を引き起こす。光リーク電流により蓄積容量の電荷などが変化し画素電極への印加電圧が変化すると、それに伴って液晶中の光透過率が変化するため、コントラスト比が低下したり、表示画像の色ムラや誤表示が発生するという問題がある。特に中間階調表示では、印加電圧の変化に対する光透過率の変化が大きい領域を使用するため、ＴＦＴの光リーク電流に起因した表示の不具合が視認されやすい。
【０００６】
上記問題点を解決するために本発明は、光リーク電流による表示の不具合を低減するために、特に中間階調表示においてチャネル形成領域に回り込む前記反射光の光量を低減することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層が設けられ、一対の基板の一方の基板にはＴＦＴと開口部が形成された遮光層とを有する画素領域が設けられ、遮光層と重なり当該開口部の一辺に沿ってＴＦＴを構成する半導体層が形成され、中間階調表示時において、液晶層を透過する光が、前記半導体層が設けられている開口部の一辺に対しｐ偏光で入射するように液晶分子の配向が制御されているものである。液晶層は好ましくはＴＮモードの液晶で形成される。
【０００８】
また他の発明の構成は、一対の基板間にＴＮモードの液晶層が設けられ、一対の基板の一方は複数のＴＦＴが配列したＴＦＴアレイ基板であって、複数のＴＦＴと開口部が形成された遮光層とする画素領域が設けられ、遮光層と重なり当該開口部の一辺に沿う領域のみに複数のＴＦＴのそれぞれを構成する半導体層が形成され、中間階調表示時において、ＴＦＴアレイ基板に対して入射する光が、前記半導体層が設けられている前記開口部の一辺に対しｐ偏光で入射するように、液晶分子の配向が制御されているものである。
【０００９】
図１は、ガラスに入射した光の入射角と反射率を表した図である。図１に示すように、一般に、光の反射率は入射光と法線を含む平面内で振動する光(p偏光)の方が、入射光と法線を含む平面と垂直な平面内で振動する光(s偏光)よりも少ない。図２は酸化珪素を主成分とする基板と真空の界面に入射した光の反射率と透過率を表した図である。図２に示すように屈折率ｎ＝１．４６の酸化珪素を主成分とする基板で反射する光でも同様に、ｐ偏光の光の方がｓ偏光の光よりも反射率が低い。
【００１０】
従って、ＴＦＴに入射する反射光が、ｐ偏光を主成分とする光であれば、ｓ偏光を主成分とする光よりも反射光量を抑制でき、結果的にＴＦＴに入射する光を低減できる。
【００１１】
このように本発明の液晶表示装置では、中間階調表示時に液晶層通過後ＴＦＴアレイ基板に入る光を行方向（あるいは列方向）の直線偏光にし、且つ画素ＴＦＴを行方向（あるいは列方向）に進む光成分の進行方向に配置することによって、ＴＦＴアレイ基板の反射面に入射する光をp偏光を主成分とした光にすることで反射光量を最小にしている。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について図４および図５を用いて説明する。
【００１３】
図４は液晶表示装置の画素部の一部を拡大した上面図である。図４において、画素ＴＦＴは、半導体層301を活性層とし、ゲート電極302と前記半導体層301が重なっている領域をチャネル形成領域とする。
【００１４】
本発明の液晶表示装置では、図４に示すように、複数の開口部がマトリクス状に形成されている遮光層305の行方向につながる領域で、且つ列方向につながる領域との交差部を除く領域（線A-A'、B-B'、C-C'、D-D'で囲まれた領域）の下に画素ＴＦＴのチャネル形成領域が設けられている。
【００１５】
半導体層301や画素電極306、ゲート電極302の形状は図４に示しているものと相違してもよい。
【００１６】
図５は図４のE-E'の断面図である。図５において配向膜415bは、ＴＦＴアレイ基板に最も近い液晶層にある液晶分子は列方向の配向をしており、中間階調表示時に、図４の様に画素ＴＦＴが配置されたＴＦＴアレイ基板に対して入射する光が列方向の偏光となるようにラビング処理されている。このようにＴＦＴアレイ基板に入射する光の偏光方向を制御することにより、ＴＦＴアレイ基板の界面で反射する光の列方向の光成分をｐ偏光の光成分とすることができる。
【００１７】
図５では画素ＴＦＴ401はトップゲート型となっているが、図４のように遮光層305の行方向につながる領域で、且つ列方向につながる領域との交差部を除く領域（線A-A'、B-B'、C-C'、D-D'で囲まれた領域）の下にチャネル部が設けられているのであれば、ボトムゲート型でもよい。
【００１８】
図５に示すような液晶表示装置の作製方法を以下に説明する。
【００１９】
光の透過性がよく絶縁性を有する基板402の上に、基板402から半導体層301への不純物拡散を防ぐことを目的とした下地膜 403が形成されている。下地膜403には光の透過性がよく、絶縁性を有する酸化珪素や窒化珪素膜等が用いられる。また必ずしも一層にする必要はなく二層以上の多層膜として用いてもよい。
【００２０】
下地膜403の上に画素ＴＦＴ401および信号駆動回路用のNチャネル型ＴＦＴ（図示しない）、Pチャネル型ＴＦＴ（図示しない）を形成する。
【００２１】
下地膜403の上に非晶質珪素膜を成膜し、前記非晶質珪素膜を固相成長法やレーザー結晶化法を用いて結晶化し結晶質珪素膜を形成する。前記結晶質珪素膜をパターニングして所望の形状の半導体層301を形成する。半導体層301には、非晶質珪素膜成膜時や結晶化後に、閾値を制御するための不純物を添加する。
【００２２】
半導体層301の上にゲート絶縁膜404となる酸化珪素膜を成膜し、さらにゲート電極302となる導電性膜を成膜する。前記絶縁成膜には酸化珪素膜の他、窒化珪素膜などの絶縁性を有する膜を用いる。前記導電成膜にはタングステンやモリブデンなどの金属材料、あるいは窒化タンタルなどの金属化合物、不純物を添加して比抵抗を下げた珪素膜などを用いる。またゲート絶縁膜404は必ずしも一層にする必要は無く、他の金属材料や金属化合物、珪素膜などを積層した多層構造としてもよい。パターニングによってゲート絶縁膜404およびゲート電極302を所望の形状にする。
【００２３】
次にドーピングによって不純物を添加し、低不純物濃度のLDD領域405および高不純物濃度のソース（あるいはドレイン）領域406を形成する。LDD領域405は所望のオフリーク電流を得るために形成されており、当該領域が無くても所望のオフリーク電流が得られる場合は、形成しなくてもよい。また信号駆動用回路部のＴＦＴには所望の信頼性を得るために、ゲート電極とLDD部がオーバーラップする低濃度不純物領域を形成してもよい。
【００２４】
以上のようにして画素ＴＦＴ401およびNチャネル型ＴＦＴ、Pチャネル型ＴＦＴを同一基板上に作製する。
【００２５】
次に層間絶縁膜407を形成する。層間絶縁膜407には酸化珪素膜などの光透過性がよく絶縁性を有する無機材料や、光透過性がよく絶縁性を有するアクリルなどの有機材料を用いる。層間絶縁膜407は一層でなく、光透過性がよく絶縁性を有する無機材料や有機材料を積層した多層構造としてもよい。また層間絶縁膜407を形成前あるいは形成後に窒素雰囲気中あるいは水素雰囲気中で熱処理を施し、ドーピングした不純物の活性化および半導体層301とゲート絶縁膜404の界面にあるダングリングボンドを終端するための水素化を行う。層間絶縁膜407を多層構造にする場合は、積層途中に熱処理を行ってもよい。
【００２６】
層間絶縁膜407にコンタクトホールを形成した後、画素電極408を形成し、さらにＴＦＴおよび画素電極408に信号を伝達するための配線409を形成する。画素電極には導電性金属化合物であるITOを用いる。水素化は配線409形成後に行ってもよい。また配線を形成後、さらに層間絶縁膜を形成して、画素電極を形成し、コンタクトホールを介して画素電極と配線のコンタクトをとるような構造でもよい。
【００２７】
以上のようにしてＴＦＴアレイ基板を作製したら、次に対向基板を作製する。
【００２８】
光の透過性がよく絶縁性を有する基板410の上に金属クロムを成膜し、パターニングにより所望の形状の遮光層411を形成する。遮光層には金属クロムなどの金属材料以外に光を透過しない樹脂材料などを用いてもよい。
【００２９】
遮光層411の上に透明性導電膜であるITOを成膜し、対向電極412を形成する。
【００３０】
図５では示していないが、遮光膜411と対向電極412の間にカラーフィルター等を設けてもよい。以上のような工程を経て、対向基板を作製する。
【００３１】
次にＴＦＴアレイ基板と対向基板にそれぞれポリイミド樹脂で配向膜415a、415bを形成する。ポリイミド樹脂以外にポリアミック系樹脂を用いてもよい。液晶分子が或る一定のプレチルト角とツイスト角になるように、ラビング処理をする。なお、本実施の形態においては、ＴＦＴアレイ基板に形成された配向膜415ａと、対向基板側に形成された配向膜415bは、図１１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板の長軸方向（A-A')に対し、それぞれ約４５度の方向にラビング処理する。なお配向膜415aと配向膜415bの処理する方向は約90度異なる。さらに、液晶分子が配向膜415aと415bの間で左回りのねじれ方向をもつようにすれば、図１１（Ｃ）に示すように、液晶層にかかる電圧の変化が最大になる電圧において、液晶層を通った光がA-A'と垂直な偏光になるように制御でき、ＴＦＴに入射するする光はｐ偏光を主成分とする光となる。
【００３２】
対向基板にシール剤を塗布し、オーブンで加熱して仮硬化させた後、プラスチック球のスペーサーを散布する。
【００３３】
ＴＦＴアレイ基板と対向基板を精度よく張り合わせ液晶パネルを作製する。シール剤中にはフィラー（図示しない）が混入されており、フィラーとスペーサーにより両基板を均一な間隔をもって張り合わすことができる。張り合わせた基板のうち不要な部分をせん断して、所望のサイズの液晶パネルにする。液晶パネルの内部に液晶材料407を注入し、パネル全体に満たした後、封止剤で完全に封止する。
【００３４】
以上のようにして作製した液晶パネルにFPCおよび偏光板、位相差板を取り付けて液晶表示装置とする。なお本実施の形態における液晶表示装置はTN型の液晶表示装置である。
【００３５】
【実施例】
[実施例１]
本実施例では、TN型の液晶表示装置の作製方法について述べる。
【００３６】
最初に、液晶表示装置の構成要素の一つであるＴＦＴアレイ基板の作製方法について述べる。なお本実施例で作製するＴＦＴアレイ基板では、画素ＴＦＴは開口部と列方向に隣接する遮光層の下に設けられるように設計されている。
【００３７】
図６において、ＴＦＴ作製用の基板501を用意する。基板501には、ガラス基板や石英基板などの絶縁表面を有するものを用いる。その他、シリコンを主成分とする基板や、金属基板、ステンレス基板の表面に絶縁膜を形成したものを使用してもよい。
【００３８】
基板501に基板からの不純物拡散を防止するための下地絶縁膜502（502a, 502b）を形成する。下地絶縁膜502には、酸化珪素膜や窒化珪素膜などの絶縁性を有するものを用いる。ここでは下地絶縁膜502を二層構造（502a、502b）にしたものを用いた例を示したが、前記絶縁膜を単層膜あるいは二層以上積層した膜を用いてもよい。また不純物拡散が問題にならないのであれば、下地絶縁膜502を用いなくてもよい。
【００３９】
下地絶縁膜502の上に半導体層503を形成する。半導体層503は、非晶質珪素膜を成膜後、前記非晶質珪素膜を結晶化して得られた結晶質珪素膜をフォトリソおよびエッチングにより所望の形状にして形成する。半導体層503の厚さは45〜60nmだが、必要に応じて45nm以下でも、60nm以上でも構わない。また前記非晶質珪素膜以外にも、非晶質珪素ゲルマニウム膜を成膜しても構わない。前記結晶化は、公知の固層成長法やレーザー結晶化法を用いて行う。
【００４０】
半導体層503には、素子の閾値電圧を制御するための不純物添加を添加する。前記不純物としては、リンあるいはボロンなどを用いる。前記不純物の添加は、前記非晶質珪素膜を成膜後、あるいは前記非晶質珪素膜を結晶化後や半導体層503を形成後にドーピングによって行う。また、成膜時に前記不純物を添加した非晶質珪素膜を用いてもよい。
【００４１】
半導体層503の上にゲート絶縁膜504を形成する。絶縁膜504は厚さ100nm〜120nmの珪素酸化膜を成膜して形成している。ゲート絶縁膜504の厚さは、必要に応じて100nm以下でも、120nm以上でも構わない。前記珪素酸化物以外にも、窒化珪素膜などの絶縁膜を用いても構わない。
【００４２】
ゲート絶縁膜504上にゲート電極505（505a, 505b）を形成する。ゲート絶縁膜504の上に厚さ20〜100nmの導電成膜505aと厚さ100〜400nmの導電成膜505bを積層成膜し、フォトリソグラフィおよびエッチングにより所望の形状のゲート電極505を形成する。本実施例では、導電性膜505aにTaN、導電性膜505bにWを用いている。ゲート電極505を形成するのに用いる材料は前記窒化タンタルやタングステンに限定されず、Ta、W、Ti、Mo、Al、Cu、Cr、Ndから選ばれた元素、または前記元素を組み合わせた合金膜もしくは化合物材料、若しくは燐などの不純物元素を添加した多結晶珪素膜に代表される半導体膜を用いてもよい。また本実施例では、二層積層膜となっているが、単層膜や二層以上の積層構造としてもよい。本実施例では、CF4ガスを含んだエッチングガス用いたテーパーエッチングおよび異方性エッチングにより、台形型の断面形状を有する層が２層積層しており上層の底辺と下層の上辺がほぼ同じ長さで形成されたハットシェイプ型のゲート電極505を形成している。所望の形状に形成可能であれば、前記テーパーエッチングや異方性エッチングにはCF4以外のガスを用いても構わない。またハットシェイプ型以外の形状のゲート電極を用いてもよい。
【００４３】
n--領域506を形成する。n--領域506は、半導体層全面に燐をドーピングして形成する。本実施例では、燐を用いているが、n型不純物元素であればAs等を用いても構わない。
また前記ドーピング以外に、イオンインプランテーションなどの方法を用いても構わない。
【００４４】
n-領域507、n+領域508を形成する。n-領域507およびn+領域508以外の領域にn型不純物が添加されないようにレジストマスクした後、燐をドーピングしてn-領域およびn+領域を形成する。n-領域507にはゲート電極505aを突き抜けて燐がドープされる。またn-領域には半導体層503上に残っている絶縁膜を突き抜けてドープされる。本実施例では、n-領域507を形成するためのドープとn+領域508を形成するためのドープを同時に行っているが、n-領域形成用とn+領域形成用とにドーピング条件を変えて行ってもよい。また燐以外にAsなどのn型不純物を用いてもよく、添加方法もドーピング以外にイオンインプランテーションなどの方法を用いても構わない。
【００４５】
p-領域509、p+領域510を形成する。p-領域509およびp+領域510以外の領域にp型不純物が添加されないようにレジストマスクした後、ボロンをドーピングしてp-領域およびp+領域を形成する。p-領域509にはゲート電極505aを突き抜けてボロンがドープされる。またp-領域には半導体層503上に残っている絶縁膜を突き抜けてドープされる。本実施例では、p-領域509を形成するためのドープとp+領域510を形成するためのドープを同時に行っているが、p-領域509形成用とp+領域510形成用とにドーピング条件を変えて行ってもよい。また添加方法はドーピング以外にイオンインプランテーションなどの方法を用いても構わない。
【００４６】
層間絶縁膜511（511a, 511b, 511c）を形成する。層間絶縁膜511は無機膜である第一の層間絶縁膜511aと第二の層間絶縁膜511b、および有機膜である第三の層間絶縁膜511cから形成される。
【００４７】
第一の層間絶縁膜511aには厚さ50〜100nmの酸化珪素膜を用いる。第一の層間絶縁膜511aを形成した後、熱により半導体層に添加した不純物を活性化する。前記活性化はファーネスにより窒素ガス雰囲気中で550℃、1〜12時間行う。本実施例では、前記活性化はファーネスを用いて行っているが、RTAやレーザーを用いて行っても構わない。前記活性化の雰囲気、温度、時間は上記に限定されない。低酸素雰囲気中でファーネスやRTAによる活性化を行うなど、ゲート電極505が酸化されない雰囲気で活性化するのであれば、層間絶縁膜511aは無くてもよい。さらにレーザーにより活性化を行う場合も、層間絶縁膜511aは無くてもよい。また前記酸化珪素膜以外に、活性化温度に耐性があり、活性化中のゲート電極505の酸化を防止でき、さらに光透過性のよいものであれば、前記酸化珪素膜以外の材料を用いてもよい。
【００４８】
第二の層間絶縁膜511bには厚さ50〜100nmの窒化珪素膜を用いる。第二の層間絶縁膜511bを形成した後、窒素雰囲気中で350℃〜420℃の熱処理を1時間行う。本実例では、窒素雰囲気中で熱処理を行っているが、3〜100%の水素雰囲気中で行ってもよい。また熱処理時間は1時間に限定されない。第一の層間絶縁膜511a形成後の活性化処理後に3〜100%の水素雰囲気中で1時間の熱処理を行うのであれば、第二の層間絶縁膜511bを形成後の前記熱処理はなくてもよい。
【００４９】
第三の層間絶縁膜511cには厚さ0.6〜1.6umのアクリルを用いる。アクリル以外に絶縁性を有するポリイミドなどの材料を用いてもよい。また絶縁性を有する無機膜を用いてもよい。無機膜の厚さは前記無機膜の比誘電率によっても異なるが、通常1.0〜1.3umである。
【００５０】
第三の層間絶縁膜511cの上に画素電極512を形成する。画素電極512はITO（Indium Tin Oxide）を成膜した後、フォトリソおよびエッチングによって形成する。透明導電膜であればITO以外に酸化錫（SnO2）などを用いてもよい。
【００５１】
画素電極512を形成後、高不純物濃度領域（508, 510）と配線513を接続するためのコンタクトホールをフォトリソおよびエッチングによって形成する。
【００５２】
コンタクトホールを形成後、配線513を形成する。配線513は厚さが約60nmの第一のTi膜を成膜後、厚さが約40nmのTiN膜を積層成膜し、さらに厚さが350nmのAl-Si（2wt%のSiを含有したAl）膜を積層成膜して、最後に第二のTi膜を成膜した積層膜にフォトリソおよびエッチングをして形成する。第一のTi膜によりAl-Si膜中のAlが半導体層に拡散するのを防ぎ、第二のTi膜により、Al-Si膜のヒロックを防止している。本実施例ではTiN膜を成膜しているが、前記Alの拡散防止効果を高めるためであり、成膜しなくてもよい。またAl-Si以外にAl-Ti(Tiを含有したAl)など、他の低抵抗性導電性膜を用いても構わない。
【００５３】
本実施例では、画素電極512を配線513を積層した領域を設け、コンタクトホール形成を行うことなく、画素電極512と配線513との電気的な接続をしている。
【００５４】
以上のような工程を得て、GOLD構造のnチャネル型ＴＦＴおよびGOLD構造のpチャネル型ＴＦＴを有する駆動回路と画素ＴＦＴおよび保持容量、画素電極を有する画素部を同一基板上有するＴＦＴアレイ基板を作製する。
【００５５】
次に対向基板の作製方法について述べる。図７の基板601上に遮光膜602を形成する。遮光膜602は、金属クロムを成膜し、フォトリソおよびエッチングにより形成する。
【００５６】
遮光層602の上に対向電極605を形成する。対向電極605は透明導電膜であるITOを成膜し、フォトリソおよびエッチングにより形成する。
【００５７】
遮光膜602と対向電極605の間にカラーフィルター603を設ける場合は、遮光層602の上に目的の色の着色樹脂をスピンコート法により塗布し、露光および現像して形成する。赤、青、緑の三色のカラーフィルター（図示しない）、各々に対して前記カラーフィルター形成工程を繰り返す。
【００５８】
カラーフィルター603と遮光層602の段差を埋めて平坦化する目的の保護膜604を形成する。保護膜604はカラーフィルターの上からアクリルを塗布して形成する。アクリルの他に平坦化可能な材料を用いてもよい。カラーフィルターを設けない場合は保護膜604は無くてもよい。
【００５９】
以上のような工程を経て、対向基板を作製する。
【００６０】
ＴＦＴアレイ基板609と対向基板610を作製したら、これらの基板を用いて液晶パネル611を作製する。
【００６１】
ＴＦＴアレイ基板609のＴＦＴを形成した側と、対向基板610の対向電極を形成した側にそれぞれ配向膜608を形成する。配向膜608の形成はオフセット印刷法を用いる。配向膜608の材料にはポリイミド樹脂用いるが、この他、ポリアミック系樹脂などを用いてもよい。
【００６２】
配向膜608を形成したＴＦＴ基板と対向基板の配向膜を形成した側にラビング処理をして液晶分子がある一定のプレチルト角をもって配向するようにする。ラビング角度は、液晶分子が90度のツイスト角をなし、且つＴＦＴ基板に最も近い液晶層にある液晶分子のディレクタの方向が図４のA-A'と４５度に交わるように設定する。本実施例では、ツイスト角を90度としているが所望のコントラスト等を得るためにこれ以外の角度にしてもよい。また基板を透過する光の透過率の変化が液晶層にかかる電圧の変化に対して最大になる電圧において、液晶層を通った光が図４のA-A'と垂直な直線偏光になるように、液晶分子のディレクタの方向は必要に応じて変えなければならない。ラビング処理後、ラビング処理によって発生したゴミやラビング布の抜け毛を除去するためにＴＦＴアレイ基板609と対向基板610を洗浄する。
【００６３】
対向基板側にシール剤（図示しない）を塗布した後、対向基板610をオーブンで加熱し前記シール剤を仮硬化させる。仮硬化後、対向基板の画素電極を形成した側にプラスチック球のスペーサー607を散布する。
【００６４】
ＴＦＴアレイ基板609のＴＦＴを形成している側と対向基板610の画素電極605を形成している側とが向き合うようにして、両基板を精度よく張り合わせ液晶パネル611を作製する。シール剤中にはフィラー（図示しない）が混入されており、フィラーとスペーサーにより両基板を均一な間隔をもって張り合わすことができる。
【００６５】
張り合わせた基板のうち不要な部分をせん断して、所望のサイズの液晶パネル611基板にする。
【００６６】
液晶パネル611の内部に液晶材料606を注入する。パネル内部全体に液晶材料606を満たした後、封止剤（図示しない）によって完全に封止する。
【００６７】
図８は液晶パネル611の上面図である。画素部701の周辺に走査信号駆動回路702aと画像信号駆動回路702bが設けられている。この他、CPUやメモリなどの信号処理回路702cを設けてもよい。駆動回路は接続配線群703によって外部入出力端子群704と接続されている。
【００６８】
画素部701では走査信号駆動回路702aから延在するゲート配線群と画像信号駆動回路702bから延在するデータ配線群がマトリクス状に交差して画素を形成し、各画素にはそれぞれ画素ＴＦＴと保持容量、画素電極が設けられている。
【００６９】
シール剤705は、ＴＦＴアレイ基板707上の画素部701および走査信号駆動回路702a、画像信号駆動回路702b、信号処理回路702bの外側であり、且つ外部入出力端子704よりも内側の部分に形成する。
【００７０】
液晶パネル611の外側では、フレキシブルプリント配線板（FPC: Flexible Printed Circuit）706が外部入出力端子704に接続しており、接続配線群703によりそれぞれの駆動回路に接続している。外部入出力端子704はデータ配線群と同じ導電性膜から形成される。フレキシブルプリント配線板706はポリイミドなどの有機樹脂フィルムに銅配線が形成されており、異方性導電性接着剤で外部入出力端子704と接続する。
【００７１】
液晶パネル611の対向基板側に、対向基板に最も近い液晶層の液晶分子のディレクタ方向と同じ方向の直線偏光が入射するように偏光板と位相差板を取り付ける。またパネルのＴＦＴ基板側に、ＴＦＴ基板に最も近い液晶層の液晶分子のディレクタ方向と同じ方向の光が出射するように偏光板と位相差板を取り付ける。
【００７２】
以上のような方法で、本発明の液晶表示装置を作成する。本実施例では述べていないが必要に応じて洗浄及び熱処理の工程を加える。
【００７３】
[実施例２]
本実施例では、実施例１とは異なり、画素ＴＦＴが開口部の行方向に隣接する遮光層の下に設けられている場合の液晶表示装置の作製方法について述べる。ＴＦＴアレイ基板及び対向基板の作製方法は、実施例１と同様の方法を用いる。なお本実施例における液晶表示装置はTN型の液晶表示装置であるとする。
【００７４】
実施例１と同様に、配向膜608を形成したＴＦＴ基板と対向基板の配向膜を形成した側にラビング処理をして液晶分子がある一定のプレチルト角をもって配向するようにする。ラビング角度は、液晶分子が90度のツイスト角をなし、且つＴＦＴ基板に最も近い液晶層にある液晶分子のディレクタの方向が図４のC-C'と４５°に交わるようにする。本実施例では、ツイスト角を90度としているが所望のコントラスト等を得るためにこれ以外の角度にしてもよい。また基板を透過する光の透過率の変化が液晶層にかかる電圧の変化に対して最大になる電圧において、液晶層を通った光が図４のC-C'と垂直な直線偏光になるように、液晶分子のディレクタの方向は必要に応じて変えなければならない。
【００７５】
このようにラビング処理を施したら、実施例1と同様の方法でＴＦＴアレイ基板と対向基板を張り合わせ液晶パネルを作製する。作製した液晶パネルに実施例1と同様の方法でFPC等を装着して液晶表示装置を作成する。
【００７６】
[実施例３]
本実施例では、ＴＦＴを構成する半導体層の下部に下部遮光膜が設けられたＴＦＴアレイ基板を形成する工程について図３および図９を用いて説明する。本実施例の様に半導体層の下部遮光膜が設けられた場合にも、例えば、プロジェクター等の様な強光を照射する場合には、下部遮光層と半導体層の間に照射した光が回り込み光リーク電流が生じる場合がある。このような場合においても、本発明を適用することにより、基板界面での反射光量を低減でき、光リーク電流を抑制することができる。なお、本実施例の液晶表示装置はTN型の液晶表示装置である。
【００７７】
基板１０は、石英基板、ガラス基板、セラミック基板などを用いることができる。また、シリコン基板、金属基板またはステンレス基板の表面に絶縁膜を形成した基板を用いてもよい。なお、ガラス基板を用いる場合には、ガラス歪み点よりも１０〜２０℃低い温度であらかじめ加熱処理しておいてもよい。
【００７８】
基板１０上にポリシリコン膜、ＷＳｉ膜を成膜し、これらの膜に対してパターニングを施し、下部遮光膜１１を形成する。下部遮光膜１１としては、ポリシリコン膜やＷＳｉX（Ｘ＝２．０〜２．８）膜、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｍｏ等の導電性材料からなる膜及びその積層構造を用いることができる。本実施例では、ＷＳｉX（膜厚：１００ｎｍ）膜１１ｂ／ポリシリコン膜（膜厚：５０ｎｍ）１１ａの積層構造の高い遮光性を持つ導電性材料により所定の間隔で下部遮光膜１１を形成した。なお、下部遮光膜１１はゲート線としての機能を有しているため、以下、下部遮光膜にあたる部分はゲート線と称する。
【００７９】
ゲート線１１を覆うように第１の絶縁膜１２を形成する。第１の絶縁膜１２は５００ｎｍの膜厚を有する。この第１の絶縁膜１２は、減圧ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法、またはスパッタ法等で形成されるシリコンを含む絶縁膜を用いる。また、第１の絶縁膜１２は、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、またはこれらを組み合わせた積層膜で形成すれば良い。
【００８０】
次いで、第１の絶縁膜１２上に、減圧ＣＶＤ法により非晶質半導体膜を形成する。非晶質半導体膜の材料に特に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム（ＳｉxＧｅ1-x：０＜x＜１、代表的には、x＝０．００１〜０．０５）合金などで形成するとよい。なお、本実施例では非晶質半導体膜として、６５nm厚のアモルファスシリコン膜を形成した。
【００８１】
次いで、Ｎｉを触媒金属元素とした結晶化によりアモルファスシリコン膜を結晶化して結晶質シリコン膜を形成する。なお、結晶化工程の後、結晶質シリコン膜にレーザー照射を行って、結晶質シリコン膜の結晶性を改善してもよい。
【００８２】
結晶化を行った結晶質シリコン膜上に、膜厚５０nmの酸化シリコン膜からなるマスク絶縁膜をマスクとし、結晶質シリコン膜に１×１０19〜１×１０20atoms/cm3の濃度でリンを添加する。その後、７００℃で１２時間の加熱処理を行い、結晶化後、不要になった触媒金属元素をリンが添加された領域にゲッタリングする。
【００８３】
次いで、結晶質シリコン膜の結晶性を向上させることを目的として、酸化処理を行う。結晶質シリコン膜の上に減圧ＣＶＤ装置で２０nm厚の酸化シリコン膜（以下、ＨＴＯ膜という）を成膜後、９５０℃で熱酸化処理をおこなうと、ＨＴＯ膜／酸化シリコン膜（シリコン膜が酸化した部分）＝２０：６０（nm）の比率で熱酸化膜が形成される。熱酸化膜をエッチングした後、熱酸化処理によって３５nm厚になった結晶質シリコン膜をパターニングし、所望の形状の島状半導体層１９ａ〜ｄを形成する。
【００８４】
次いで、島状半導体層１９ａ〜ｄを覆って、３０nm厚のＨＴＯ膜を形成する。次いで、後に保持容量２００４となる領域の島状半導体層１９ｄにリンを添加して導電性を持たせ、保持容量の下部電極とする。リンの添加は、島状半導体層１９ｄの真上の領域の３０nm厚のＨＴＯ膜を選択的にエッチングした後、島状半導体層１９ｄにリンを添加しておこなう。
【００８５】
この後、３０nm厚のＨＴＯ膜の上に、さらに５０nm厚のＨＴＯ膜を形成し、２層のＨＴＯからなるゲート絶縁膜（第２の絶縁膜）２０を形成する。
【００８６】
半導体層１９ａ〜ｄを形成した後、ＴＦＴのしきい値を制御するために微量な不純物元素（ボロンまたはリン）のドーピングを行ってもよい。この不純物添加工程は、半導体膜の結晶化工程の前、半導体膜の結晶化工程の後、または、ゲート絶縁膜２０を形成する工程の後のいずれかに行えばよい。
【００８７】
ついで、島状半導体層１９ａ〜ｄを活性層としたＴＦＴを形成するため、半導体層に選択的にｎ型またはｐ型を付与する不純物元素（以下、ｎ型不純物元素またはｐ型不純物元素という）を添加して、低抵抗のソース領域およびドレイン領域、さらに、ＬＤＤ領域を形成する。このＬＤＤ領域はソース領域及びドレイン領域と同様に不純物元素が添加されている。
【００８８】
こうして島状半導体層１９ａ〜ｄにソース領域とドレイン領域とに挟まれたチャネル形成領域が形成される。
【００８９】
この後、第１の絶縁膜１２およびゲート絶縁膜２０を貫通してゲート線１１に至るコンタクトホールを形成する。次いで、ゲート絶縁膜２０上に導電膜を形成し、パターニングして各画素のチャネル形成領域上にゲート電極２２ａ〜ｃ、容量配線（保持容量の上部電極）２２ｄを形成する。容量配線２２ｄが形成される領域のゲート絶縁膜２０は、２層目のゲート絶縁膜２０ｂのみであるため他の領域より薄く、保持容量の増大が図られている。また、ゲート電極２２ｃは、ゲート線１１とコンタクトホールを通じて電気的に接続している。
【００９０】
ゲート電極および容量配線を形成するための導電膜は、導電型を付与する不純物元素が添加されたポリシリコン膜やＷＳｉx膜（x＝２．０〜２．８）、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｍｏ等の導電性材料およびその積層構造により３００nm程度の膜厚で形成しているが、上記の導電性材料の単層でもよい。
【００９１】
次いで、ゲート電極２２ａ〜ｃおよび容量配線２２ｄを覆う第３の絶縁膜（第１の層間絶縁膜）２３を形成する。この第３の絶縁膜２３は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、またはこれらの膜を組み合わせた積層膜で７０nm厚程度に形成すればよい。
【００９２】
次いで、第４の絶縁膜（第２の層間絶縁膜）２４を形成する。第４の絶縁膜は、有機絶縁物材料膜、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜のいずれかを材料として、８００nm厚で形成する。
【００９３】
次いで、ゲート絶縁膜２０、第３の絶縁膜２３および第４の絶縁膜２４を貫通し、島状半導体層１９に至るコンタクトホールを形成する。そして第４の絶縁膜２４上にコンタクトホールを通じて島状半導体層１９に接する導電膜を形成し、所望の形状にパターニングすることでそれぞれのＴＦＴを電気的に接続するための接続配線およびソース線２５ａ〜ｅを形成する。これらの配線を形成するための導電膜はＡｌ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮを主成分とする膜、またはそれらの積層構造（本実施例では、Ｔｉを含むＡｌ膜をＴｉで挟み込んだ３層構造としている）を有する導電膜を厚さ５００nmとなるように形成し、パターニングしている。なお、ソース線２５ｄは保持容量上部を通って、島状半導体層１９ｃと電気的に接続されている。
【００９４】
次いで、接続配線を覆う第５の絶縁膜２６をアクリル等の有機絶縁膜から１０００nm厚に形成する。第５の絶縁膜２６上にＡｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒ、または黒色樹脂等の高い遮光性を持つ膜を所望の形状にパターニングして上部遮光膜２７を形成する。この遮光膜２７は画素の開口部以外を遮光するように網目状に配置する。さらに、この遮光膜２７を覆うように第５の絶縁膜２６と同じ材料からなる第６の絶縁膜２８を形成し、接続配線２５ｅに通じるコンタクトホールを第５の絶縁膜２６および第６の絶縁膜２８に形成する。
【００９５】
次いで、ＩＴＯ等の透明導電膜を１００nm厚で形成し、所望の形状にパターニングすることで画素電極２９を形成する。
【００９６】
図９は、ここまで形成された状態の上面図を示したものであり、図中のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図が図３（Ｂ）のＡ−Ａ’線部分に相当し、Ｂ−Ｂ’線に沿った概略断面図が図３（Ｂ）のＢ−Ｂ’線部分に相当する。なお、図９においては画素電極は図示していない。
【００９７】
次に、ＴＦＴアレイ基板３０のＴＦＴを形成した側と、対向基板４０の対向電極４２を形成した側にそれぞれ配向膜４１を形成する。配向膜４１の形成はオフセット印刷法を用いる。配向膜４１の材料にはポリイミド樹脂用いるが、この他、ポリアミック系樹脂などを用いてもよい。
【００９８】
ＴＦＴ基板と対向基板の配向膜を形成した側にラビング処理をして液晶分子がある一定のプレチルト角をもって配向するようにする。ラビング角度は、液晶分子が90度のツイスト角をなし、且つＴＦＴ基板に最も近い液晶層にある液晶分子のディレクタの方向が図９のC-C'と４５度に交わるように設定する。本実施例では、ツイスト角を90度としているが所望のコントラスト等を得るためにこれ以外の角度にしてもよい。また基板を透過する光の透過率の変化が液晶層にかかる電圧の変化に対して最大になる電圧において、液晶層を通った光が図９のC-C'と垂直な偏光を主成分とするように、液晶分子のディレクタの方向は必要に応じて変えなければならない。ラビング処理後、ラビング処理によって発生したゴミやラビング布の抜け毛を除去するためにＴＦＴアレイ基板３０と対向基板４０を洗浄する。これにより、画素ＴＦＴ２００３には、ｐ偏光を主成分とする光が入射される。
【００９９】
対向基板側にシール剤（図示しない）を塗布した後、対向基板４０をオーブンで加熱し前記シール剤を仮硬化させる。仮硬化後、対向基板の画素電極を形成した側にプラスチック球のスペーサーを散布する。
【０１００】
ＴＦＴアレイ基板３０のＴＦＴを形成している側と対向基板４０の対向電極４２を形成している側とが向き合うようにして、両基板を精度よく張り合わせ液晶パネル５０を作製する。シール剤中にはフィラー（図示しない）が混入されており、フィラーとスペーサーにより両基板を均一な間隔をもって張り合わすことができる。
【０１０１】
張り合わせた基板のうち不要な部分をせん断して、所望のサイズの液晶パネル50にする。
【０１０２】
液晶パネル５０の内部に液晶材料５１を注入する。パネル内部全体に液晶材料５１を満たした後、封止剤（図示しない）によって完全に封止する。
【０１０３】
実施例１と同様に、液晶パネル５０において画素部の周辺に走査信号駆動回路と画像信号駆動回路が設けられている。この他、CPUやメモリなどの信号処理回路を設けてもよい。駆動回路は接続配線群によって外部入出力端子群と接続されている。
【０１０４】
画素部では走査信号駆動回路から延在するゲート配線群と画像信号駆動回路から延在するデータ配線群がマトリクス状に交差して画素を形成し、各画素にはそれぞれ画素ＴＦＴと保持容量、画素電極が設けられている。
【０１０５】
シール剤は、ＴＦＴアレイ基板３０上の画素部および走査信号駆動回路、画像信号駆動回路、信号処理回路の外側であり、且つ外部入力端子よりも内側の部分に形成する。
【０１０６】
液晶パネル５０の外側では、フレキシブルプリント配線板（FPC: Flexible Printed Circuit）が外部入出力端子に接続しており、接続配線群によりそれぞれの駆動回路に接続している。外部入出力端子はデータ配線群と同じ導電性膜から形成される。フレキシブルプリント配線板はポリイミドなどの有機樹脂フィルムに銅配線が形成されており、異方性導電性接着剤で外部入出力端子と接続する。
【０１０７】
[実施例４]
本発明を適用した表示装置を表示部として備えた電気器具の具体例としては、図１０に示すような、パーソナルコンピュータ（図１０（Ａ））、ディスプレイ（図１０（Ｂ））、フロント型プロジェクター（図１０（Ｃ））、フロント型プロジェクター（図１０（Ｄ））などが挙げられる。本発明の電子装置は電気器具の表示部として用いることができる。上記に挙げた以外の電子装置の表示部に用いることも可能である。本発明を適用した表示装置を備えた電子機器においては、光リーク電流が抑制され、表示画像の色ムラや誤表示が低減し、良好な表示画像が得られる。
【０１０８】
【発明の効果】
本発明により、ＴＦＴアレイ基板の界面で反射して画素ＴＦＴへ回り込む光の光量を低減、光リーク電流を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 入射角θに対するp偏光およびs偏光の反射率Rを示す図である。「光学のすすめ」（「光学のすすめ」編集委員会、p.91、オプトロニクス社）より抜粋したものである。
【図２】 酸化珪素と真空の界面に入射した光の入射角θに対する反射率および透過率を示す図である。
【図３】 液晶表示装置の一部分の断面図である。
【図４】 液晶表示装置の画素部の一部を拡大した上面図である。
【図５】 液晶表示装置の一部分の断面図である。
【図６】 ＴＦＴアレイ基板上に形成されたＴＦＴの断面図である。
【図７】 液晶表示装置の一部分の断面図である。
【図８】 液晶表示装置全体の上面図である。
【図９】 液晶表示装置全体の上面図である。
【図１０】本発明の表示装置を適用した電子機器。
【図１１】ラビング処理方向を示す模式図。
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）をスイッチング素子に用いた液晶表示装置に関し、特に画素に配置されるＴＦＴの遮光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、液晶表示装置は、ＴＦＴが実装されたＴＦＴアレイ基板と、前記ＴＦＴアレイ基板に対向配置される対向基板と、前記ＴＦＴアレイ基板と前記対向基板とに挟まれた液晶層と、前記ＴＦＴアレイ基板の液晶層側と反対側に設けられた偏光板と、前記対向基板の液晶層側と反対側に設けられた偏光板とを備えている。
【０００３】
液晶表示装置は、対向基板側から入射した照明光が液晶層を透過する際、画素電極からの信号に応じた液晶分子の配向変化に伴って前記照明光の透過率が変化し、目的の画像を表示するのに必要な強度の光を射出する。
【０００４】
液晶表示装置に入射した照明光が、ＴＦＴのチャネル形成領域に入射すると、光電効果により導電率が上がり、それがリーク電流となり（これを光リーク電流と呼ぶ）ＴＦＴの誤作動を引き起こす。通常、チャネル形成領域への入射光を防止するために、アクティブマトリクス型の液晶表示装置では、対向基板上のＴＦＴアレイ基板側と向き合う側に、Cr（クロム）やAl（アルミニウム）等の金属材料や樹脂材料などからなる遮光層が形成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
液晶層を透過する光の多くは、対向基板側またはＴＦＴアレイ基板側に設けた遮光層により、チャネル形成領域への入射を防止されている。しかしながら一部の透過光はＴＦＴアレイ基板の界面などで反射してＴＦＴアレイ基板へ再び入射する反射光（戻り光）となり、チャネル形成領域に入射して光リーク電流を引き起こす。光リーク電流により蓄積容量の電荷などが変化し画素電極への印加電圧が変化すると、それに伴って液晶中の光透過率が変化するため、コントラスト比が低下したり、表示画像の色ムラや誤表示が発生するという問題がある。特に中間階調表示では、印加電圧の変化に対する光透過率の変化が大きい領域を使用するため、ＴＦＴの光リーク電流に起因した表示の不具合が視認されやすい。
【０００６】
上記問題点を解決するために本発明は、光リーク電流による表示の不具合を低減するために、特に中間階調表示においてチャネル形成領域に回り込む前記反射光の光量を低減することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層が設けられ、一対の基板の一方の基板にはＴＦＴと開口部が形成された遮光層とを有する画素領域が設けられ、遮光層と重なり当該開口部の一辺に沿ってＴＦＴを構成する半導体層が形成され、中間階調表示時において、液晶層を透過する光が、前記半導体層が設けられている開口部の一辺に対しｐ偏光で入射するように液晶分子の配向が制御されているものである。液晶層は好ましくはＴＮモードの液晶で形成される。
【０００８】
また他の発明の構成は、一対の基板間にＴＮモードの液晶層が設けられ、一対の基板の一方は複数のＴＦＴが配列したＴＦＴアレイ基板であって、複数のＴＦＴと開口部が形成された遮光層とする画素領域が設けられ、遮光層と重なり当該開口部の一辺に沿う領域のみに複数のＴＦＴのそれぞれを構成する半導体層が形成され、中間階調表示時において、ＴＦＴアレイ基板に対して入射する光が、前記半導体層が設けられている前記開口部の一辺に対しｐ偏光で入射するように、液晶分子の配向が制御されているものである。
【０００９】
図１は、ガラスに入射した光の入射角と反射率を表した図である。図１に示すように、一般に、光の反射率は入射光と法線を含む平面内で振動する光(p偏光)の方が、入射光と法線を含む平面と垂直な平面内で振動する光(s偏光)よりも少ない。図２は酸化珪素を主成分とする基板と真空の界面に入射した光の反射率と透過率を表した図である。図２に示すように屈折率ｎ＝１．４６の酸化珪素を主成分とする基板で反射する光でも同様に、ｐ偏光の光の方がｓ偏光の光よりも反射率が低い。
【００１０】
従って、ＴＦＴに入射する反射光が、ｐ偏光を主成分とする光であれば、ｓ偏光を主成分とする光よりも反射光量を抑制でき、結果的にＴＦＴに入射する光を低減できる。
【００１１】
このように本発明の液晶表示装置では、中間階調表示時に液晶層通過後ＴＦＴアレイ基板に入る光を行方向（あるいは列方向）の直線偏光にし、且つ画素ＴＦＴを行方向（あるいは列方向）に進む光成分の進行方向に配置することによって、ＴＦＴアレイ基板の反射面に入射する光をp偏光を主成分とした光にすることで反射光量を最小にしている。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について図４および図５を用いて説明する。
【００１３】
図４は液晶表示装置の画素部の一部を拡大した上面図である。図４において、画素ＴＦＴは、半導体層301を活性層とし、ゲート電極302と前記半導体層301が重なっている領域をチャネル形成領域とする。
【００１４】
本発明の液晶表示装置では、図４に示すように、複数の開口部がマトリクス状に形成されている遮光層305の行方向につながる領域で、且つ列方向につながる領域との交差部を除く領域（線A-A'、B-B'、C-C'、D-D'で囲まれた領域）の下に画素ＴＦＴのチャネル形成領域が設けられている。
【００１５】
半導体層301や画素電極306、ゲート電極302の形状は図４に示しているものと相違してもよい。
【００１６】
図５は図４のE-E'の断面図である。図５において配向膜415bは、ＴＦＴアレイ基板に最も近い液晶層にある液晶分子は列方向の配向をしており、中間階調表示時に、図４の様に画素ＴＦＴが配置されたＴＦＴアレイ基板に対して入射する光が列方向の偏光となるようにラビング処理されている。このようにＴＦＴアレイ基板に入射する光の偏光方向を制御することにより、ＴＦＴアレイ基板の界面で反射する光の列方向の光成分をｐ偏光の光成分とすることができる。
【００１７】
図５では画素ＴＦＴ401はトップゲート型となっているが、図４のように遮光層305の行方向につながる領域で、且つ列方向につながる領域との交差部を除く領域（線A-A'、B-B'、C-C'、D-D'で囲まれた領域）の下にチャネル部が設けられているのであれば、ボトムゲート型でもよい。
【００１８】
図５に示すような液晶表示装置の作製方法を以下に説明する。
【００１９】
光の透過性がよく絶縁性を有する基板402の上に、基板402から半導体層301への不純物拡散を防ぐことを目的とした下地膜 403が形成されている。下地膜403には光の透過性がよく、絶縁性を有する酸化珪素や窒化珪素膜等が用いられる。また必ずしも一層にする必要はなく二層以上の多層膜として用いてもよい。
【００２０】
下地膜403の上に画素ＴＦＴ401および信号駆動回路用のNチャネル型ＴＦＴ（図示しない）、Pチャネル型ＴＦＴ（図示しない）を形成する。
【００２１】
下地膜403の上に非晶質珪素膜を成膜し、前記非晶質珪素膜を固相成長法やレーザー結晶化法を用いて結晶化し結晶質珪素膜を形成する。前記結晶質珪素膜をパターニングして所望の形状の半導体層301を形成する。半導体層301には、非晶質珪素膜成膜時や結晶化後に、閾値を制御するための不純物を添加する。
【００２２】
半導体層301の上にゲート絶縁膜404となる酸化珪素膜を成膜し、さらにゲート電極302となる導電性膜を成膜する。前記絶縁成膜には酸化珪素膜の他、窒化珪素膜などの絶縁性を有する膜を用いる。前記導電成膜にはタングステンやモリブデンなどの金属材料、あるいは窒化タンタルなどの金属化合物、不純物を添加して比抵抗を下げた珪素膜などを用いる。またゲート絶縁膜404は必ずしも一層にする必要は無く、他の金属材料や金属化合物、珪素膜などを積層した多層構造としてもよい。パターニングによってゲート絶縁膜404およびゲート電極302を所望の形状にする。
【００２３】
次にドーピングによって不純物を添加し、低不純物濃度のLDD領域405および高不純物濃度のソース（あるいはドレイン）領域406を形成する。LDD領域405は所望のオフリーク電流を得るために形成されており、当該領域が無くても所望のオフリーク電流が得られる場合は、形成しなくてもよい。また信号駆動用回路部のＴＦＴには所望の信頼性を得るために、ゲート電極とLDD部がオーバーラップする低濃度不純物領域を形成してもよい。
【００２４】
以上のようにして画素ＴＦＴ401およびNチャネル型ＴＦＴ、Pチャネル型ＴＦＴを同一基板上に作製する。
【００２５】
次に層間絶縁膜407を形成する。層間絶縁膜407には酸化珪素膜などの光透過性がよく絶縁性を有する無機材料や、光透過性がよく絶縁性を有するアクリルなどの有機材料を用いる。層間絶縁膜407は一層でなく、光透過性がよく絶縁性を有する無機材料や有機材料を積層した多層構造としてもよい。また層間絶縁膜407を形成前あるいは形成後に窒素雰囲気中あるいは水素雰囲気中で熱処理を施し、ドーピングした不純物の活性化および半導体層301とゲート絶縁膜404の界面にあるダングリングボンドを終端するための水素化を行う。層間絶縁膜407を多層構造にする場合は、積層途中に熱処理を行ってもよい。
【００２６】
層間絶縁膜407にコンタクトホールを形成した後、画素電極408を形成し、さらにＴＦＴおよび画素電極408に信号を伝達するための配線409を形成する。画素電極には導電性金属化合物であるITOを用いる。水素化は配線409形成後に行ってもよい。また配線を形成後、さらに層間絶縁膜を形成して、画素電極を形成し、コンタクトホールを介して画素電極と配線のコンタクトをとるような構造でもよい。
【００２７】
以上のようにしてＴＦＴアレイ基板を作製したら、次に対向基板を作製する。
【００２８】
光の透過性がよく絶縁性を有する基板410の上に金属クロムを成膜し、パターニングにより所望の形状の遮光層411を形成する。遮光層には金属クロムなどの金属材料以外に光を透過しない樹脂材料などを用いてもよい。
【００２９】
遮光層411の上に透明性導電膜であるITOを成膜し、対向電極412を形成する。
【００３０】
図５では示していないが、遮光膜411と対向電極412の間にカラーフィルター等を設けてもよい。以上のような工程を経て、対向基板を作製する。
【００３１】
次にＴＦＴアレイ基板と対向基板にそれぞれポリイミド樹脂で配向膜415a、415bを形成する。ポリイミド樹脂以外にポリアミック系樹脂を用いてもよい。液晶分子が或る一定のプレチルト角とツイスト角になるように、ラビング処理をする。なお、本実施の形態においては、ＴＦＴアレイ基板に形成された配向膜415ａと、対向基板側に形成された配向膜415bは、図１１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板の長軸方向（A-A')に対し、それぞれ約４５度の方向にラビング処理する。なお配向膜415aと配向膜415bの処理する方向は約90度異なる。さらに、液晶分子が配向膜415aと415bの間で左回りのねじれ方向をもつようにすれば、図１１（Ｃ）に示すように、液晶層にかかる電圧の変化が最大になる電圧において、液晶層を通った光がA-A'と垂直な偏光になるように制御でき、ＴＦＴに入射するする光はｐ偏光を主成分とする光となる。
【００３２】
対向基板にシール剤を塗布し、オーブンで加熱して仮硬化させた後、プラスチック球のスペーサーを散布する。
【００３３】
ＴＦＴアレイ基板と対向基板を精度よく張り合わせ液晶パネルを作製する。シール剤中にはフィラー（図示しない）が混入されており、フィラーとスペーサーにより両基板を均一な間隔をもって張り合わすことができる。張り合わせた基板のうち不要な部分をせん断して、所望のサイズの液晶パネルにする。液晶パネルの内部に液晶材料407を注入し、パネル全体に満たした後、封止剤で完全に封止する。
【００３４】
以上のようにして作製した液晶パネルにFPCおよび偏光板、位相差板を取り付けて液晶表示装置とする。なお本実施の形態における液晶表示装置はTN型の液晶表示装置である。
【００３５】
【実施例】
[実施例１]
本実施例では、TN型の液晶表示装置の作製方法について述べる。
【００３６】
最初に、液晶表示装置の構成要素の一つであるＴＦＴアレイ基板の作製方法について述べる。なお本実施例で作製するＴＦＴアレイ基板では、画素ＴＦＴは開口部と列方向に隣接する遮光層の下に設けられるように設計されている。
【００３７】
図６において、ＴＦＴ作製用の基板501を用意する。基板501には、ガラス基板や石英基板などの絶縁表面を有するものを用いる。その他、シリコンを主成分とする基板や、金属基板、ステンレス基板の表面に絶縁膜を形成したものを使用してもよい。
【００３８】
基板501に基板からの不純物拡散を防止するための下地絶縁膜502（502a, 502b）を形成する。下地絶縁膜502には、酸化珪素膜や窒化珪素膜などの絶縁性を有するものを用いる。ここでは下地絶縁膜502を二層構造（502a、502b）にしたものを用いた例を示したが、前記絶縁膜を単層膜あるいは二層以上積層した膜を用いてもよい。また不純物拡散が問題にならないのであれば、下地絶縁膜502を用いなくてもよい。
【００３９】
下地絶縁膜502の上に半導体層503を形成する。半導体層503は、非晶質珪素膜を成膜後、前記非晶質珪素膜を結晶化して得られた結晶質珪素膜をフォトリソおよびエッチングにより所望の形状にして形成する。半導体層503の厚さは45〜60nmだが、必要に応じて45nm以下でも、60nm以上でも構わない。また前記非晶質珪素膜以外にも、非晶質珪素ゲルマニウム膜を成膜しても構わない。前記結晶化は、公知の固層成長法やレーザー結晶化法を用いて行う。
【００４０】
半導体層503には、素子の閾値電圧を制御するための不純物添加を添加する。前記不純物としては、リンあるいはボロンなどを用いる。前記不純物の添加は、前記非晶質珪素膜を成膜後、あるいは前記非晶質珪素膜を結晶化後や半導体層503を形成後にドーピングによって行う。また、成膜時に前記不純物を添加した非晶質珪素膜を用いてもよい。
【００４１】
半導体層503の上にゲート絶縁膜504を形成する。絶縁膜504は厚さ100nm〜120nmの珪素酸化膜を成膜して形成している。ゲート絶縁膜504の厚さは、必要に応じて100nm以下でも、120nm以上でも構わない。前記珪素酸化物以外にも、窒化珪素膜などの絶縁膜を用いても構わない。
【００４２】
ゲート絶縁膜504上にゲート電極505（505a, 505b）を形成する。ゲート絶縁膜504の上に厚さ20〜100nmの導電成膜505aと厚さ100〜400nmの導電成膜505bを積層成膜し、フォトリソグラフィおよびエッチングにより所望の形状のゲート電極505を形成する。本実施例では、導電性膜505aにTaN、導電性膜505bにWを用いている。ゲート電極505を形成するのに用いる材料は前記窒化タンタルやタングステンに限定されず、Ta、W、Ti、Mo、Al、Cu、Cr、Ndから選ばれた元素、または前記元素を組み合わせた合金膜もしくは化合物材料、若しくは燐などの不純物元素を添加した多結晶珪素膜に代表される半導体膜を用いてもよい。また本実施例では、二層積層膜となっているが、単層膜や二層以上の積層構造としてもよい。本実施例では、CF4ガスを含んだエッチングガス用いたテーパーエッチングおよび異方性エッチングにより、台形型の断面形状を有する層が２層積層しており上層の底辺と下層の上辺がほぼ同じ長さで形成されたハットシェイプ型のゲート電極505を形成している。所望の形状に形成可能であれば、前記テーパーエッチングや異方性エッチングにはCF4以外のガスを用いても構わない。またハットシェイプ型以外の形状のゲート電極を用いてもよい。
【００４３】
n--領域506を形成する。n--領域506は、半導体層全面に燐をドーピングして形成する。本実施例では、燐を用いているが、n型不純物元素であればAs等を用いても構わない。
また前記ドーピング以外に、イオンインプランテーションなどの方法を用いても構わない。
【００４４】
n-領域507、n+領域508を形成する。n-領域507およびn+領域508以外の領域にn型不純物が添加されないようにレジストマスクした後、燐をドーピングしてn-領域およびn+領域を形成する。n-領域507にはゲート電極505aを突き抜けて燐がドープされる。またn-領域には半導体層503上に残っている絶縁膜を突き抜けてドープされる。本実施例では、n-領域507を形成するためのドープとn+領域508を形成するためのドープを同時に行っているが、n-領域形成用とn+領域形成用とにドーピング条件を変えて行ってもよい。また燐以外にAsなどのn型不純物を用いてもよく、添加方法もドーピング以外にイオンインプランテーションなどの方法を用いても構わない。
【００４５】
p-領域509、p+領域510を形成する。p-領域509およびp+領域510以外の領域にp型不純物が添加されないようにレジストマスクした後、ボロンをドーピングしてp-領域およびp+領域を形成する。p-領域509にはゲート電極505aを突き抜けてボロンがドープされる。またp-領域には半導体層503上に残っている絶縁膜を突き抜けてドープされる。本実施例では、p-領域509を形成するためのドープとp+領域510を形成するためのドープを同時に行っているが、p-領域509形成用とp+領域510形成用とにドーピング条件を変えて行ってもよい。また添加方法はドーピング以外にイオンインプランテーションなどの方法を用いても構わない。
【００４６】
層間絶縁膜511（511a, 511b, 511c）を形成する。層間絶縁膜511は無機膜である第一の層間絶縁膜511aと第二の層間絶縁膜511b、および有機膜である第三の層間絶縁膜511cから形成される。
【００４７】
第一の層間絶縁膜511aには厚さ50〜100nmの酸化珪素膜を用いる。第一の層間絶縁膜511aを形成した後、熱により半導体層に添加した不純物を活性化する。前記活性化はファーネスにより窒素ガス雰囲気中で550℃、1〜12時間行う。本実施例では、前記活性化はファーネスを用いて行っているが、RTAやレーザーを用いて行っても構わない。前記活性化の雰囲気、温度、時間は上記に限定されない。低酸素雰囲気中でファーネスやRTAによる活性化を行うなど、ゲート電極505が酸化されない雰囲気で活性化するのであれば、層間絶縁膜511aは無くてもよい。さらにレーザーにより活性化を行う場合も、層間絶縁膜511aは無くてもよい。また前記酸化珪素膜以外に、活性化温度に耐性があり、活性化中のゲート電極505の酸化を防止でき、さらに光透過性のよいものであれば、前記酸化珪素膜以外の材料を用いてもよい。
【００４８】
第二の層間絶縁膜511bには厚さ50〜100nmの窒化珪素膜を用いる。第二の層間絶縁膜511bを形成した後、窒素雰囲気中で350℃〜420℃の熱処理を1時間行う。本実例では、窒素雰囲気中で熱処理を行っているが、3〜100%の水素雰囲気中で行ってもよい。また熱処理時間は1時間に限定されない。第一の層間絶縁膜511a形成後の活性化処理後に3〜100%の水素雰囲気中で1時間の熱処理を行うのであれば、第二の層間絶縁膜511bを形成後の前記熱処理はなくてもよい。
【００４９】
第三の層間絶縁膜511cには厚さ0.6〜1.6umのアクリルを用いる。アクリル以外に絶縁性を有するポリイミドなどの材料を用いてもよい。また絶縁性を有する無機膜を用いてもよい。無機膜の厚さは前記無機膜の比誘電率によっても異なるが、通常1.0〜1.3umである。
【００５０】
第三の層間絶縁膜511cの上に画素電極512を形成する。画素電極512はITO（Indium Tin Oxide）を成膜した後、フォトリソおよびエッチングによって形成する。透明導電膜であればITO以外に酸化錫（SnO2）などを用いてもよい。
【００５１】
画素電極512を形成後、高不純物濃度領域（508, 510）と配線513を接続するためのコンタクトホールをフォトリソおよびエッチングによって形成する。
【００５２】
コンタクトホールを形成後、配線513を形成する。配線513は厚さが約60nmの第一のTi膜を成膜後、厚さが約40nmのTiN膜を積層成膜し、さらに厚さが350nmのAl-Si（2wt%のSiを含有したAl）膜を積層成膜して、最後に第二のTi膜を成膜した積層膜にフォトリソおよびエッチングをして形成する。第一のTi膜によりAl-Si膜中のAlが半導体層に拡散するのを防ぎ、第二のTi膜により、Al-Si膜のヒロックを防止している。本実施例ではTiN膜を成膜しているが、前記Alの拡散防止効果を高めるためであり、成膜しなくてもよい。またAl-Si以外にAl-Ti(Tiを含有したAl)など、他の低抵抗性導電性膜を用いても構わない。
【００５３】
本実施例では、画素電極512を配線513を積層した領域を設け、コンタクトホール形成を行うことなく、画素電極512と配線513との電気的な接続をしている。
【００５４】
以上のような工程を得て、GOLD構造のnチャネル型ＴＦＴおよびGOLD構造のpチャネル型ＴＦＴを有する駆動回路と画素ＴＦＴおよび保持容量、画素電極を有する画素部を同一基板上有するＴＦＴアレイ基板を作製する。
【００５５】
次に対向基板の作製方法について述べる。図７の基板601上に遮光膜602を形成する。遮光膜602は、金属クロムを成膜し、フォトリソおよびエッチングにより形成する。
【００５６】
遮光層602の上に対向電極605を形成する。対向電極605は透明導電膜であるITOを成膜し、フォトリソおよびエッチングにより形成する。
【００５７】
遮光膜602と対向電極605の間にカラーフィルター603を設ける場合は、遮光層602の上に目的の色の着色樹脂をスピンコート法により塗布し、露光および現像して形成する。赤、青、緑の三色のカラーフィルター（図示しない）、各々に対して前記カラーフィルター形成工程を繰り返す。
【００５８】
カラーフィルター603と遮光層602の段差を埋めて平坦化する目的の保護膜604を形成する。保護膜604はカラーフィルターの上からアクリルを塗布して形成する。アクリルの他に平坦化可能な材料を用いてもよい。カラーフィルターを設けない場合は保護膜604は無くてもよい。
【００５９】
以上のような工程を経て、対向基板を作製する。
【００６０】
ＴＦＴアレイ基板609と対向基板610を作製したら、これらの基板を用いて液晶パネル611を作製する。
【００６１】
ＴＦＴアレイ基板609のＴＦＴを形成した側と、対向基板610の対向電極を形成した側にそれぞれ配向膜608を形成する。配向膜608の形成はオフセット印刷法を用いる。配向膜608の材料にはポリイミド樹脂用いるが、この他、ポリアミック系樹脂などを用いてもよい。
【００６２】
配向膜608を形成したＴＦＴ基板と対向基板の配向膜を形成した側にラビング処理をして液晶分子がある一定のプレチルト角をもって配向するようにする。ラビング角度は、液晶分子が90度のツイスト角をなし、且つＴＦＴ基板に最も近い液晶層にある液晶分子のディレクタの方向が図４のA-A'と４５度に交わるように設定する。本実施例では、ツイスト角を90度としているが所望のコントラスト等を得るためにこれ以外の角度にしてもよい。また基板を透過する光の透過率の変化が液晶層にかかる電圧の変化に対して最大になる電圧において、液晶層を通った光が図４のA-A'と垂直な直線偏光になるように、液晶分子のディレクタの方向は必要に応じて変えなければならない。ラビング処理後、ラビング処理によって発生したゴミやラビング布の抜け毛を除去するためにＴＦＴアレイ基板609と対向基板610を洗浄する。
【００６３】
対向基板側にシール剤（図示しない）を塗布した後、対向基板610をオーブンで加熱し前記シール剤を仮硬化させる。仮硬化後、対向基板の画素電極を形成した側にプラスチック球のスペーサー607を散布する。
【００６４】
ＴＦＴアレイ基板609のＴＦＴを形成している側と対向基板610の画素電極605を形成している側とが向き合うようにして、両基板を精度よく張り合わせ液晶パネル611を作製する。シール剤中にはフィラー（図示しない）が混入されており、フィラーとスペーサーにより両基板を均一な間隔をもって張り合わすことができる。
【００６５】
張り合わせた基板のうち不要な部分をせん断して、所望のサイズの液晶パネル611基板にする。
【００６６】
液晶パネル611の内部に液晶材料606を注入する。パネル内部全体に液晶材料606を満たした後、封止剤（図示しない）によって完全に封止する。
【００６７】
図８は液晶パネル611の上面図である。画素部701の周辺に走査信号駆動回路702aと画像信号駆動回路702bが設けられている。この他、CPUやメモリなどの信号処理回路702cを設けてもよい。駆動回路は接続配線群703によって外部入出力端子群704と接続されている。
【００６８】
画素部701では走査信号駆動回路702aから延在するゲート配線群と画像信号駆動回路702bから延在するデータ配線群がマトリクス状に交差して画素を形成し、各画素にはそれぞれ画素ＴＦＴと保持容量、画素電極が設けられている。
【００６９】
シール剤705は、ＴＦＴアレイ基板707上の画素部701および走査信号駆動回路702a、画像信号駆動回路702b、信号処理回路702bの外側であり、且つ外部入出力端子704よりも内側の部分に形成する。
【００７０】
液晶パネル611の外側では、フレキシブルプリント配線板（FPC: Flexible Printed Circuit）706が外部入出力端子704に接続しており、接続配線群703によりそれぞれの駆動回路に接続している。外部入出力端子704はデータ配線群と同じ導電性膜から形成される。フレキシブルプリント配線板706はポリイミドなどの有機樹脂フィルムに銅配線が形成されており、異方性導電性接着剤で外部入出力端子704と接続する。
【００７１】
液晶パネル611の対向基板側に、対向基板に最も近い液晶層の液晶分子のディレクタ方向と同じ方向の直線偏光が入射するように偏光板と位相差板を取り付ける。またパネルのＴＦＴ基板側に、ＴＦＴ基板に最も近い液晶層の液晶分子のディレクタ方向と同じ方向の光が出射するように偏光板と位相差板を取り付ける。
【００７２】
以上のような方法で、本発明の液晶表示装置を作成する。本実施例では述べていないが必要に応じて洗浄及び熱処理の工程を加える。
【００７３】
[実施例２]
本実施例では、実施例１とは異なり、画素ＴＦＴが開口部の行方向に隣接する遮光層の下に設けられている場合の液晶表示装置の作製方法について述べる。ＴＦＴアレイ基板及び対向基板の作製方法は、実施例１と同様の方法を用いる。なお本実施例における液晶表示装置はTN型の液晶表示装置であるとする。
【００７４】
実施例１と同様に、配向膜608を形成したＴＦＴ基板と対向基板の配向膜を形成した側にラビング処理をして液晶分子がある一定のプレチルト角をもって配向するようにする。ラビング角度は、液晶分子が90度のツイスト角をなし、且つＴＦＴ基板に最も近い液晶層にある液晶分子のディレクタの方向が図４のC-C'と４５°に交わるようにする。本実施例では、ツイスト角を90度としているが所望のコントラスト等を得るためにこれ以外の角度にしてもよい。また基板を透過する光の透過率の変化が液晶層にかかる電圧の変化に対して最大になる電圧において、液晶層を通った光が図４のC-C'と垂直な直線偏光になるように、液晶分子のディレクタの方向は必要に応じて変えなければならない。
【００７５】
このようにラビング処理を施したら、実施例1と同様の方法でＴＦＴアレイ基板と対向基板を張り合わせ液晶パネルを作製する。作製した液晶パネルに実施例1と同様の方法でFPC等を装着して液晶表示装置を作成する。
【００７６】
[実施例３]
本実施例では、ＴＦＴを構成する半導体層の下部に下部遮光膜が設けられたＴＦＴアレイ基板を形成する工程について図３および図９を用いて説明する。本実施例の様に半導体層の下部遮光膜が設けられた場合にも、例えば、プロジェクター等の様な強光を照射する場合には、下部遮光層と半導体層の間に照射した光が回り込み光リーク電流が生じる場合がある。このような場合においても、本発明を適用することにより、基板界面での反射光量を低減でき、光リーク電流を抑制することができる。なお、本実施例の液晶表示装置はTN型の液晶表示装置である。
【００７７】
基板１０は、石英基板、ガラス基板、セラミック基板などを用いることができる。また、シリコン基板、金属基板またはステンレス基板の表面に絶縁膜を形成した基板を用いてもよい。なお、ガラス基板を用いる場合には、ガラス歪み点よりも１０〜２０℃低い温度であらかじめ加熱処理しておいてもよい。
【００７８】
基板１０上にポリシリコン膜、ＷＳｉ膜を成膜し、これらの膜に対してパターニングを施し、下部遮光膜１１を形成する。下部遮光膜１１としては、ポリシリコン膜やＷＳｉX（Ｘ＝２．０〜２．８）膜、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｍｏ等の導電性材料からなる膜及びその積層構造を用いることができる。本実施例では、ＷＳｉX（膜厚：１００ｎｍ）膜１１ｂ／ポリシリコン膜（膜厚：５０ｎｍ）１１ａの積層構造の高い遮光性を持つ導電性材料により所定の間隔で下部遮光膜１１を形成した。なお、下部遮光膜１１はゲート線としての機能を有しているため、以下、下部遮光膜にあたる部分はゲート線と称する。
【００７９】
ゲート線１１を覆うように第１の絶縁膜１２を形成する。第１の絶縁膜１２は５００ｎｍの膜厚を有する。この第１の絶縁膜１２は、減圧ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法、またはスパッタ法等で形成されるシリコンを含む絶縁膜を用いる。また、第１の絶縁膜１２は、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、またはこれらを組み合わせた積層膜で形成すれば良い。
【００８０】
次いで、第１の絶縁膜１２上に、減圧ＣＶＤ法により非晶質半導体膜を形成する。非晶質半導体膜の材料に特に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム（ＳｉxＧｅ1-x：０＜x＜１、代表的には、x＝０．００１〜０．０５）合金などで形成するとよい。なお、本実施例では非晶質半導体膜として、６５nm厚のアモルファスシリコン膜を形成した。
【００８１】
次いで、Ｎｉを触媒金属元素とした結晶化によりアモルファスシリコン膜を結晶化して結晶質シリコン膜を形成する。なお、結晶化工程の後、結晶質シリコン膜にレーザー照射を行って、結晶質シリコン膜の結晶性を改善してもよい。
【００８２】
結晶化を行った結晶質シリコン膜上に、膜厚５０nmの酸化シリコン膜からなるマスク絶縁膜をマスクとし、結晶質シリコン膜に１×１０19〜１×１０20atoms/cm3の濃度でリンを添加する。その後、７００℃で１２時間の加熱処理を行い、結晶化後、不要になった触媒金属元素をリンが添加された領域にゲッタリングする。
【００８３】
次いで、結晶質シリコン膜の結晶性を向上させることを目的として、酸化処理を行う。結晶質シリコン膜の上に減圧ＣＶＤ装置で２０nm厚の酸化シリコン膜（以下、ＨＴＯ膜という）を成膜後、９５０℃で熱酸化処理をおこなうと、ＨＴＯ膜／酸化シリコン膜（シリコン膜が酸化した部分）＝２０：６０（nm）の比率で熱酸化膜が形成される。熱酸化膜をエッチングした後、熱酸化処理によって３５nm厚になった結晶質シリコン膜をパターニングし、所望の形状の島状半導体層１９ａ〜ｄを形成する。
【００８４】
次いで、島状半導体層１９ａ〜ｄを覆って、３０nm厚のＨＴＯ膜を形成する。次いで、後に保持容量２００４となる領域の島状半導体層１９ｄにリンを添加して導電性を持たせ、保持容量の下部電極とする。リンの添加は、島状半導体層１９ｄの真上の領域の３０nm厚のＨＴＯ膜を選択的にエッチングした後、島状半導体層１９ｄにリンを添加しておこなう。
【００８５】
この後、３０nm厚のＨＴＯ膜の上に、さらに５０nm厚のＨＴＯ膜を形成し、２層のＨＴＯからなるゲート絶縁膜（第２の絶縁膜）２０を形成する。
【００８６】
半導体層１９ａ〜ｄを形成した後、ＴＦＴのしきい値を制御するために微量な不純物元素（ボロンまたはリン）のドーピングを行ってもよい。この不純物添加工程は、半導体膜の結晶化工程の前、半導体膜の結晶化工程の後、または、ゲート絶縁膜２０を形成する工程の後のいずれかに行えばよい。
【００８７】
ついで、島状半導体層１９ａ〜ｄを活性層としたＴＦＴを形成するため、半導体層に選択的にｎ型またはｐ型を付与する不純物元素（以下、ｎ型不純物元素またはｐ型不純物元素という）を添加して、低抵抗のソース領域およびドレイン領域、さらに、ＬＤＤ領域を形成する。このＬＤＤ領域はソース領域及びドレイン領域と同様に不純物元素が添加されている。
【００８８】
こうして島状半導体層１９ａ〜ｄにソース領域とドレイン領域とに挟まれたチャネル形成領域が形成される。
【００８９】
この後、第１の絶縁膜１２およびゲート絶縁膜２０を貫通してゲート線１１に至るコンタクトホールを形成する。次いで、ゲート絶縁膜２０上に導電膜を形成し、パターニングして各画素のチャネル形成領域上にゲート電極２２ａ〜ｃ、容量配線（保持容量の上部電極）２２ｄを形成する。容量配線２２ｄが形成される領域のゲート絶縁膜２０は、２層目のゲート絶縁膜２０ｂのみであるため他の領域より薄く、保持容量の増大が図られている。また、ゲート電極２２ｃは、ゲート線１１とコンタクトホールを通じて電気的に接続している。
【００９０】
ゲート電極および容量配線を形成するための導電膜は、導電型を付与する不純物元素が添加されたポリシリコン膜やＷＳｉx膜（x＝２．０〜２．８）、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｍｏ等の導電性材料およびその積層構造により３００nm程度の膜厚で形成しているが、上記の導電性材料の単層でもよい。
【００９１】
次いで、ゲート電極２２ａ〜ｃおよび容量配線２２ｄを覆う第３の絶縁膜（第１の層間絶縁膜）２３を形成する。この第３の絶縁膜２３は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、またはこれらの膜を組み合わせた積層膜で７０nm厚程度に形成すればよい。
【００９２】
次いで、第４の絶縁膜（第２の層間絶縁膜）２４を形成する。第４の絶縁膜は、有機絶縁物材料膜、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜のいずれかを材料として、８００nm厚で形成する。
【００９３】
次いで、ゲート絶縁膜２０、第３の絶縁膜２３および第４の絶縁膜２４を貫通し、島状半導体層１９に至るコンタクトホールを形成する。そして第４の絶縁膜２４上にコンタクトホールを通じて島状半導体層１９に接する導電膜を形成し、所望の形状にパターニングすることでそれぞれのＴＦＴを電気的に接続するための接続配線およびソース線２５ａ〜ｅを形成する。これらの配線を形成するための導電膜はＡｌ、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮを主成分とする膜、またはそれらの積層構造（本実施例では、Ｔｉを含むＡｌ膜をＴｉで挟み込んだ３層構造としている）を有する導電膜を厚さ５００nmとなるように形成し、パターニングしている。なお、ソース線２５ｄは保持容量上部を通って、島状半導体層１９ｃと電気的に接続されている。
【００９４】
次いで、接続配線を覆う第５の絶縁膜２６をアクリル等の有機絶縁膜から１０００nm厚に形成する。第５の絶縁膜２６上にＡｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒ、または黒色樹脂等の高い遮光性を持つ膜を所望の形状にパターニングして上部遮光膜２７を形成する。この遮光膜２７は画素の開口部以外を遮光するように網目状に配置する。さらに、この遮光膜２７を覆うように第５の絶縁膜２６と同じ材料からなる第６の絶縁膜２８を形成し、接続配線２５ｅに通じるコンタクトホールを第５の絶縁膜２６および第６の絶縁膜２８に形成する。
【００９５】
次いで、ＩＴＯ等の透明導電膜を１００nm厚で形成し、所望の形状にパターニングすることで画素電極２９を形成する。
【００９６】
図９は、ここまで形成された状態の上面図を示したものであり、図中のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図が図３（Ｂ）のＡ−Ａ’線部分に相当し、Ｂ−Ｂ’線に沿った概略断面図が図３（Ｂ）のＢ−Ｂ’線部分に相当する。なお、図９においては画素電極は図示していない。
【００９７】
次に、ＴＦＴアレイ基板３０のＴＦＴを形成した側と、対向基板４０の対向電極４２を形成した側にそれぞれ配向膜４１を形成する。配向膜４１の形成はオフセット印刷法を用いる。配向膜４１の材料にはポリイミド樹脂用いるが、この他、ポリアミック系樹脂などを用いてもよい。
【００９８】
ＴＦＴ基板と対向基板の配向膜を形成した側にラビング処理をして液晶分子がある一定のプレチルト角をもって配向するようにする。ラビング角度は、液晶分子が90度のツイスト角をなし、且つＴＦＴ基板に最も近い液晶層にある液晶分子のディレクタの方向が図９のC-C'と４５度に交わるように設定する。本実施例では、ツイスト角を90度としているが所望のコントラスト等を得るためにこれ以外の角度にしてもよい。また基板を透過する光の透過率の変化が液晶層にかかる電圧の変化に対して最大になる電圧において、液晶層を通った光が図９のC-C'と垂直な偏光を主成分とするように、液晶分子のディレクタの方向は必要に応じて変えなければならない。ラビング処理後、ラビング処理によって発生したゴミやラビング布の抜け毛を除去するためにＴＦＴアレイ基板３０と対向基板４０を洗浄する。これにより、画素ＴＦＴ２００３には、ｐ偏光を主成分とする光が入射される。
【００９９】
対向基板側にシール剤（図示しない）を塗布した後、対向基板４０をオーブンで加熱し前記シール剤を仮硬化させる。仮硬化後、対向基板の画素電極を形成した側にプラスチック球のスペーサーを散布する。
【０１００】
ＴＦＴアレイ基板３０のＴＦＴを形成している側と対向基板４０の対向電極４２を形成している側とが向き合うようにして、両基板を精度よく張り合わせ液晶パネル５０を作製する。シール剤中にはフィラー（図示しない）が混入されており、フィラーとスペーサーにより両基板を均一な間隔をもって張り合わすことができる。
【０１０１】
張り合わせた基板のうち不要な部分をせん断して、所望のサイズの液晶パネル50にする。
【０１０２】
液晶パネル５０の内部に液晶材料５１を注入する。パネル内部全体に液晶材料５１を満たした後、封止剤（図示しない）によって完全に封止する。
【０１０３】
実施例１と同様に、液晶パネル５０において画素部の周辺に走査信号駆動回路と画像信号駆動回路が設けられている。この他、CPUやメモリなどの信号処理回路を設けてもよい。駆動回路は接続配線群によって外部入出力端子群と接続されている。
【０１０４】
画素部では走査信号駆動回路から延在するゲート配線群と画像信号駆動回路から延在するデータ配線群がマトリクス状に交差して画素を形成し、各画素にはそれぞれ画素ＴＦＴと保持容量、画素電極が設けられている。
【０１０５】
シール剤は、ＴＦＴアレイ基板３０上の画素部および走査信号駆動回路、画像信号駆動回路、信号処理回路の外側であり、且つ外部入力端子よりも内側の部分に形成する。
【０１０６】
液晶パネル５０の外側では、フレキシブルプリント配線板（FPC: Flexible Printed Circuit）が外部入出力端子に接続しており、接続配線群によりそれぞれの駆動回路に接続している。外部入出力端子はデータ配線群と同じ導電性膜から形成される。フレキシブルプリント配線板はポリイミドなどの有機樹脂フィルムに銅配線が形成されており、異方性導電性接着剤で外部入出力端子と接続する。
【０１０７】
[実施例４]
本発明を適用した表示装置を表示部として備えた電気器具の具体例としては、図１０に示すような、パーソナルコンピュータ（図１０（Ａ））、ディスプレイ（図１０（Ｂ））、フロント型プロジェクター（図１０（Ｃ））、フロント型プロジェクター（図１０（Ｄ））などが挙げられる。本発明の電子装置は電気器具の表示部として用いることができる。上記に挙げた以外の電子装置の表示部に用いることも可能である。本発明を適用した表示装置を備えた電子機器においては、光リーク電流が抑制され、表示画像の色ムラや誤表示が低減し、良好な表示画像が得られる。
【０１０８】
【発明の効果】
本発明により、ＴＦＴアレイ基板の界面で反射して画素ＴＦＴへ回り込む光の光量を低減、光リーク電流を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 入射角θに対するp偏光およびs偏光の反射率Rを示す図である。「光学のすすめ」（「光学のすすめ」編集委員会、p.91、オプトロニクス社）より抜粋したものである。
【図２】 酸化珪素と真空の界面に入射した光の入射角θに対する反射率および透過率を示す図である。
【図３】 液晶表示装置の一部分の断面図である。
【図４】 液晶表示装置の画素部の一部を拡大した上面図である。
【図５】 液晶表示装置の一部分の断面図である。
【図６】 ＴＦＴアレイ基板上に形成されたＴＦＴの断面図である。
【図７】 液晶表示装置の一部分の断面図である。
【図８】 液晶表示装置全体の上面図である。
【図９】 液晶表示装置全体の上面図である。
【図１０】本発明の表示装置を適用した電子機器。
【図１１】ラビング処理方向を示す模式図。
Claims (14)
- 一対の基板間に液晶層が設けられ、
前記一対の基板の一方の基板には、薄膜トランジスタと、光の透過する開口部をもつ単層又は複数の層により形成された遮光層とを有する画素領域が設けられ、
前記画素領域には、前記遮光層と重なり、前記開口部の一辺に沿って、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層が形成され、
前記一対の基板を透過する光の透過率の変化が液晶層の電圧の変化に対して最大となるとき、
前記液晶層を透過し、前記薄膜トランジスタが設けられた一方の基板に入射する光が、前記開口部の前記一辺に対しｐ偏光で入射するように、前記液晶層の液晶分子の配向が制御されていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 一対の基板間にＴＮモードの液晶層が設けられ、
前記一対の基板の一方の基板には、薄膜トランジスタと、光の透過する開口部をもつ単層又は複数の層により形成された遮光層とを有する画素領域が設けられ、
前記画素領域には、前記遮光層と重なり、前記開口部の一辺に沿って、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層が形成され、
前記一対の基板を透過する光の透過率の変化が液晶層の電圧の変化に対して最大となるとき、
前記液晶層を透過し、前記薄膜トランジスタが設けられた一方の基板に入射する光が、前記開口部の前記一辺に対しｐ偏光で入射するように、前記液晶層の液晶分子の配向が制御されていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 互いに配向膜が設けられた一対の基板間に、ＴＮモードの液晶層が設けられ、
前記一対の基板の一方の基板には、薄膜トランジスタと、光の透過する開口部をもつ単層又は複数の層により形成された遮光層とを有する画素領域が設けられ、
前記画素領域には、前記遮光層と重なり、前記開口部の一辺に沿って、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層が形成され、
前記一対の基板を透過する光の透過率の変化が液晶層の電圧の変化に対して最大となるとき、
前記液晶層を透過し、前記薄膜トランジスタが設けられた一方の基板に入射する光が、前記開口部の前記一辺に対しｐ偏光で入射するように、前記配向膜がラビング処理されていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 一対の基板間に液晶層が設けられ、
前記一対の基板の一方の基板には、薄膜トランジスタと、光の透過する開口部をもつ単層又は複数の層により形成された遮光層とを有する画素領域が設けられ、
前記画素領域には、前記遮光層と重なり、前記開口部の一辺に沿って、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層が形成され、
前記液晶層が中間階調を表示するとき、
前記液晶層を透過し、前記薄膜トランジスタが設けられた一方の基板に入射する光が、前記開口部の前記一辺に対しｐ偏光で入射するように、前記液晶層の液晶分子の配向が制御されていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 一対の基板間にＴＮモードの液晶層が設けられ、
前記一対の基板の一方の基板には、薄膜トランジスタと、光の透過する開口部をもつ単層又は複数の層により形成された遮光層とを有する画素領域が設けられ、
前記画素領域には、前記遮光層と重なり、前記開口部の一辺に沿って、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層が形成され、
前記液晶層が中間階調を表示するとき、
前記液晶層を透過し、前記薄膜トランジスタが設けられた一方の基板に入射する光が、前記開口部の前記一辺に対しｐ偏光で入射するように、前記液晶層の液晶分子の配向が制御されていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 互いに配向膜が設けられた一対の基板間に、ＴＮモードの液晶層が設けられ、
前記一対の基板の一方の基板には、薄膜トランジスタと、光の透過する開口部をもつ単層又は複数の層により形成された遮光層とを有する画素領域が設けられ、
前記画素領域には、前記遮光層と重なり、前記開口部の一辺に沿って、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層が形成され、
前記液晶層が中間階調を表示するとき、
前記液晶層を透過し、前記薄膜トランジスタが設けられた一方の基板に入射する光が、前記開口部の前記一辺に対しｐ偏光で入射するように、前記配向膜がラビング処理されていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 一対の基板間に液晶層が設けられ、
前記一対の基板の一方の基板には、薄膜トランジスタと、光の透過する開口部をもつ単層又は複数の層により形成された遮光層とを有する画素領域が設けられ、
前記画素領域には、前記遮光層と重なり、前記開口部の一辺に沿って、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層が形成され、
前記一対の基板を透過する光の透過率の変化が液晶層の電圧の変化に対して最大となるとき、
前記薄膜トランジスタが設けられた一方の基板に設けられた前記遮光層の開口部に入射する光が、前記開口部の前記一辺に対し垂直に偏光して入射するように、前記液晶層の液晶分子の配向が制御されていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 一対の基板間にＴＮモードの液晶層が設けられ、
前記一対の基板の一方の基板には、薄膜トランジスタと、光の透過する開口部をもつ単層又は複数の層により形成された遮光層とを有する画素領域が設けられ、
前記画素領域には、前記遮光層と重なり、前記開口部の一辺に沿って、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層が形成され、
前記一対の基板を透過する光の透過率の変化が液晶層の電圧の変化に対して最大となるとき、
前記薄膜トランジスタが設けられた一方の基板に設けられた前記遮光層の開口部に入射する光が、前記開口部の前記一辺に対し垂直に偏光して入射するように、前記液晶層の液晶分子の配向が制御されていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 互いに配向膜が設けられた一対の基板間に、ＴＮモードの液晶層が設けられ、
前記一対の基板の一方の基板には、薄膜トランジスタと、光の透過する開口部をもつ単層又は複数の層により形成された遮光層とを有する画素領域が設けられ、
前記画素領域には、前記遮光層と重なり、前記開口部の一辺に沿って、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層が形成され、
前記一対の基板を透過する光の透過率の変化が液晶層の電圧の変化に対して最大となるとき、
前記薄膜トランジスタが設けられた一方の基板に設けられた前記遮光層の開口部に入射する光が、前記開口部の前記一辺に対し垂直に偏光して入射するように、前記配向膜がラビング処理されていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 一対の基板間に液晶層が設けられ、
前記一対の基板の一方の基板には、薄膜トランジスタと、光の透過する開口部をもつ単層又は複数の層により形成された遮光層とを有する画素領域が設けられ、
前記画素領域には、前記遮光層と重なり、前記開口部の一辺に沿って、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層が形成され、
前記液晶層が中間階調を表示するとき、
前記薄膜トランジスタが設けられた一方の基板に設けられた前記遮光層の開口部に入射する光が、前記開口部の前記一辺に対し垂直に偏光して入射するように、前記液晶層の液晶分子の配向が制御されていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 一対の基板間にＴＮモードの液晶層が設けられ、
前記一対の基板の一方の基板には、薄膜トランジスタと、光の透過する開口部をもつ単層又は複数の層により形成された遮光層とを有する画素領域が設けられ、
前記画素領域には、前記遮光層と重なり、前記開口部の一辺に沿って、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層が形成され、
前記液晶層が中間階調を表示するとき、
前記薄膜トランジスタが設けられた一方の基板に設けられた前記遮光層の開口部に入射する光が、前記開口部の前記一辺に対し垂直に偏光して入射するように、前記液晶層の液晶分子の配向が制御されていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 互いに配向膜が設けられた一対の基板間に、ＴＮモードの液晶層が設けられ、
前記一対の基板の一方の基板には、薄膜トランジスタと、光の透過する開口部をもつ単層又は複数の層により形成された遮光層とを有する画素領域が設けられ、
前記画素領域には、前記遮光層と重なり、前記開口部の一辺に沿って、前記薄膜トランジスタを構成する半導体層が形成され、
前記液晶層が中間階調を表示するとき、
前記薄膜トランジスタが設けられた一方の基板に設けられた前記遮光層の開口部に入射する光が、前記開口部の前記一辺に対し垂直に偏光して入射するように、前記配向膜がラビング処理されていること
を特徴とする液晶表示装置。 - 請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記薄膜トランジスタはトップゲート型、又はボトムゲート型であることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項１乃至請求項１３のいずれか一に記載の液晶表示装置を含む電子機器。
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|---|---|---|---|---|
| US4991272A (en) * | 1988-08-09 | 1991-02-12 | Bianchi John E | Quick release buckle |
| US5187604A (en) * | 1989-01-18 | 1993-02-16 | Hitachi, Ltd. | Multi-layer external terminals of liquid crystal displays with thin-film transistors |
| US5115305A (en) * | 1990-07-05 | 1992-05-19 | Baur Thomas G | Electrically addressable liquid crystal projection system with high efficiency and light output |
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| JP3102467B2 (ja) * | 1992-04-28 | 2000-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス表示装置の作製方法 |
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| JPH06281923A (ja) | 1993-03-25 | 1994-10-07 | Sony Corp | 液晶表示装置 |
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| US5594568A (en) * | 1993-12-15 | 1997-01-14 | Ois Optical Imaging Systems, Inc. | LCD with a pair of retardation films on one side of normally white liquid crystal layer |
| JPH07181517A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Toshiba Corp | アクティブマトリックス型液晶表示装置 |
| TW330986B (en) * | 1995-07-25 | 1998-05-01 | Toshiba Co Ltd | LCD element and optically anisotropic element |
| KR100338480B1 (ko) * | 1995-08-19 | 2003-01-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치및그제조방법 |
| US5835177A (en) * | 1995-10-05 | 1998-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Array substrate with bus lines takeout/terminal sections having multiple conductive layers |
| JP3634089B2 (ja) * | 1996-09-04 | 2005-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| US6088070A (en) * | 1997-01-17 | 2000-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix liquid crystal with capacitor between light blocking film and pixel connecting electrode |
| JP3716580B2 (ja) * | 1997-02-27 | 2005-11-16 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置及びその製造方法、並びに投写型表示装置 |
| US6300989B1 (en) | 1997-06-13 | 2001-10-09 | Seiko Epson Corporation | Display device using polarized light separating means and electronic apparatus using the same |
| JPH1195212A (ja) | 1997-09-17 | 1999-04-09 | Hitachi Ltd | 反射型液晶表示素子および液晶プロジェクタ |
| WO1999030370A1 (fr) * | 1997-12-09 | 1999-06-17 | Seiko Epson Corporation | Dispositif a semi-conducteur et procede de fabrication, dispositif electro-optique et procede de fabrication, et appareil electronique y ayant recours |
| US6433841B1 (en) * | 1997-12-19 | 2002-08-13 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical apparatus having faces holding electro-optical material in between flattened by using concave recess, manufacturing method thereof, and electronic device using same |
| KR100459482B1 (ko) * | 1998-10-02 | 2005-06-10 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막트랜지스터및그제조방법 |
| JP3141860B2 (ja) * | 1998-10-28 | 2001-03-07 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| TW478014B (en) * | 1999-08-31 | 2002-03-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of manufacturing thereof |
| US6825488B2 (en) * | 2000-01-26 | 2004-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
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| TW521303B (en) * | 2000-02-28 | 2003-02-21 | Semiconductor Energy Lab | Electronic device |
| TW507258B (en) * | 2000-02-29 | 2002-10-21 | Semiconductor Systems Corp | Display device and method for fabricating the same |
| JP4416901B2 (ja) * | 2000-03-14 | 2010-02-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レベルシフタ |
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