JP2008033177A - 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】電気光学装置において、製造工程の単純化を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板１０と、平坦化された層間絶縁膜４３と、層間絶縁膜４３上に設けられた画素電極９ａと、画素電極９ａより下層側に形成され、層間絶縁膜４３に開孔されたコンタクトホール８５を介して画素電極９ａと接続された中継層９３と、中継層９３よりも下層側に形成され、平面的に見てコンタクトホール８５と部分的に重なると共に、下部容量電極７１、誘電体膜７５及び上部容量電極３００ａが積層されてなる蓄積容量７０とを備える。更に、中継層９３と同一膜からなると共に、層間絶縁膜４３に開口された開口部８１０から一部が露出する外部回路接続端子１０２並びに、平面的に見て開口部８１０と部分的に重なると共に、下部容量電極７１及び上部容量電極３００ａの各々と同一膜からなる調整膜６１１及び６１２とを備える。
【選択図】図９

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置に用いられる電気光学装置用基板、及び該電気光学装置用基板を備えてなる電気光学装置、並びに該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置は、一対の対向基板及び素子基板間に電気光学物質を挟持してなる。素子基板上の表示領域には、画素電極や、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）が形成され、アクティブマトリクス駆動可能に構成される。また、高コントラスト化等を目的として、ＴＦＴと画素電極との間に蓄積容量が設けられることがある。各構成要素間には、これらの間で電気的な短絡等が生じないようにするため、例えばシリコン酸化膜等からなる層間絶縁膜が形成される。

素子基板上の表示領域の周辺に位置する周辺領域には、画素電極を駆動するためのデータ線駆動回路、走査線駆動回路等の回路部と共に、該回路部と外部に設けられた回路とを電気的に接続するための外部回路接続端子が設けられる。素子基板上の周辺領域には更に、対向基板側との電気的な導通をとるための上下導通端子が設けられる。上下導通端子に対応して配置され且つ上下導通端子に電気的に接続された上下導通材によって素子基板及び対向基板間の電気的な導通がとられる。

一方、画素電極は、素子基板上の積層構造における最上層側に設けられる。画素電極上には配向膜が形成される。表示ムラの原因となる配向膜表面の凹凸を小さくするために、画素電極の直下に形成された層間絶縁膜に平坦化処理が施される。また、該層間絶縁膜の直下には、画素電極と画素スイッチング用のＴＦＴとを電気的に中継接続する中継層が設けられる。中継層は、該層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して画素電極と電気的に接続される。

外部回路接続端子や上下導通端子などの接続端子は、画素電極直下の平坦化された層間絶縁膜の下層に設けられた導電膜から形成され、外部に設けられた回路等との電気的な接続を可能とするために該層間絶縁膜に設けられた開口部から外部に露出された構造とされる。

例えば特許文献１では、このような開口部によって生じる基板最表面における凹凸に起因した、ラビングする際に発生する配向膜の削り滓の発生を低減するために、接続端子の表面と平坦化された層間絶縁膜の表面との段差を低減する技術が提案されている。

特開２００４−３５４９６６号公報

素子基板上の表示領域における積層構造と周辺領域における積層構造との相違に起因して、画素電極の直下の平坦された層間絶縁膜の表面から中継層の表面までの層間距離と、該層間絶縁膜の表面から接続端子を構成する導電膜の表面までの層間距離が互いに異なってしまう。よって、画素電極と中継層とを電気的に接続するためのコンタクトホールを形成する工程と、接続端子を外部に露出させるための開口部を形成する工程とは別工程として行わざるを得ないという技術的問題点がある。また、特許文献１に開示された技術によれば、画素電極の直下の層間絶縁膜に加えて、該層間絶縁膜の次に素子基板の最表面に近い層間絶縁膜に対しても平坦化処理を施す必要があり、製造工程の増加を招いてしまう。

本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、製造工程の単純化を図るのに適した電気光学装置に用いられる電気光学装置用基板、及びそのような電気光学装置用基板を備えた電気光学装置、並びに電子機器を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置用基板は上記課題を解決するために、基板と、前記基板上に設けられた平坦化処理が施された絶縁膜と、前記基板上の表示領域における前記絶縁膜上に設けられた画素電極と、該画素電極より前記絶縁膜を介して下層側に形成されており、前記絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して前記画素電極と電気的に接続された第１導電膜と、該第１導電膜よりも下層側に形成されており、前記基板上で平面的に見て前記コンタクトホールと少なくとも部分的に重なると共に、画素電位側電極、誘電体膜及び固体電位側電極が積層されてなる蓄積容量と、前記表示領域の周辺に位置する周辺領域に配置され、前記第１導電膜と同一膜からなると共に前記絶縁膜に開口された開口部から少なくとも一部が露出する接続端子と、前記基板上で平面的に見て前記開口部と少なくとも部分的に重なると共に、前記画素電位側電極及び固定電位側電極の各々と同一膜からなる第１の調整膜とを備える。

本発明の電気光学装置用基板によれば、例えば、画素電極に画像信号が供給されることにより、例えば表示素子である液晶素子は供給された画像信号に基づいて表示領域において画像表示を行うことが可能になる。この際、画素電極と電気的に接続された蓄積容量によって、画素電極における電位保持特性が向上し、表示の高コントラスト化が可能となる。

本発明では、画素電極は、例えば化学的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）等の平坦化処理が施された絶縁膜上に設けられている。このため、例えば、画素電極上に設けられる配向膜表面に凹凸が生じることを低減できる。これにより、例えば液晶等の電気光学物質の配向不良の発生を抑制できる。画素電極は、絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して第１導電膜と電気的に接続される。画素電極は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる透明電極であり、基板上の表示領域となるべき領域にマトリクス状に複数設けられる。

第１導電膜は、画素電極と電気的に接続されると共に、例えば、蓄積容量の画素電位側電極と電気的に接続され、画素電極と画素電位側電極とを電気的に中継接続する中継層として機能する。

蓄積容量は、画素電位側電極、誘電体膜及び固体電位側電極がこの順又はこの順とは反対の順に下層側から積層されてなる。蓄積容量は、基板上で平面的に見て、コンタクトホールと少なくとも部分的に重なる。即ち、蓄積容量は、基板上で平面的に見て、コンタクトホールを介して画素電極と電気的に接続される第１導電膜（より具体的には、第１導電膜におけるコンタクトホールと重なる部分）と少なくとも部分的に重なる。

接続端子は、周辺領域に、例えば外部回路と電気的に接続される外部回路接続端子として形成され、例えば基板の一辺に沿って複数配列される。接続端子は、第１導電膜と同一膜からなると共に絶縁膜に開口された開口部から少なくとも一部が露出するように形成される。ここで、本発明に係る「同一膜」とは、製造工程における同一機会に成膜される膜を意味し、同一種類の膜である。本発明に係る「同一膜からなる」とは、一枚の膜として連続していることまでも要求する趣旨ではなく、基本的に、同一膜のうち相互に分断されている膜部分であれば足りる趣旨である。接続端子は、開口部から露出された一部において例えば外部回路と電気的に接続される。

本発明では特に、基板上で平面的に見て開口部と少なくとも部分的に重なると共に、画素電位側電極及び固定電位側電極の各々と同一膜からなる第１の調整膜を備える。よって、第１の調整膜がない場合と比較して、第１の調整膜によって、絶縁膜表面から第１導電膜までの層間距離と絶縁膜表面から接続端子までの層間距離との差が小さくなるように或いは実践上無くなるように調整される。即ち、第１の調整膜によって、絶縁膜の平坦化された表面から第１導電膜までの層間距離と該表面から接続端子までの層間距離とは、殆ど或いは実践上全く同じになるように調整される。従って、画素電極と第１導電膜とを電気的に接続するためのコンタクトホールと、接続端子の一部を露出させるための開口部とを、同一工程によって形成できる。即ち、例えば、平坦化された絶縁膜上における、コンタクトホールを開孔すべき位置と開口部を開口すべき位置とに、同一のエッチング処理を施すことにより、コンタクトホール及び開口部を形成できる。仮に、何らの対策も施さねば、絶縁膜表面から第１導電膜までの層間距離と該表面から接続端子までの層間距離との差が大きいために、コンタクトホールを開孔する工程と開口部を開口する工程とを別々に行う必要が生じてしまう。しかるに本発明によれば、第１の調整膜を備えるので、コンタクトホールと開口部とを同一工程によって形成でき、製造工程を単純化することが可能となる。よって、歩留まりの向上も実現可能であり、信頼性の高い電気光学装置を提供することができる。尚、製造工程の単純化、歩留まりの向上は、製造コストの低減にもつながる。

本発明の電気光学装置用基板の一態様では、前記基板上に、前記第１導電膜よりも下層側に形成されており、前記コンタクトホールと少なくとも部分的に重なる、前記画素電極を駆動するための配線と、前記開口部と少なくとも部分的に重なると共に、前記配線と同一膜からなる第２の調整膜とを備える。

この態様によれば、画素電極を駆動するための配線と同一膜からなる第２の調整膜によって、絶縁膜の平坦化された表面から第１導電膜までの層間距離と該表面から接続端子までの層間距離との差を、より一層小さくなるように調整できる。よって、例えば、コンタクトホールを開孔すべき位置と開口部を開口すべき位置とに同一のエッチング処理を行う際に、例えば、コンタクトホールを開孔すべき位置におけるエッチング量が過剰になり、コンタクトホールが第１導電膜を貫通して開孔されてしまうことを低減或いは防止できる。或いは、例えば、開口部を開口すべき位置におけるエッチング量が不足して、開口部によって、接続端子を露出させることができなくなってしまうことを低減或いは防止できる。

本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記基板上に、前記画素電極に画像信号を供給するデータ線と、前記データ線と互いに交差すると共に、前記第１導電膜よりも下層側に形成されており、前記コンタクトホールと少なくとも部分的に重なる走査線と、前記開口部と少なくとも部分的に重なると共に、前記走査線と同一膜からなる第３の調整膜とを備える。

この態様によれば、走査線と同一膜からなる第３の調整膜によって、絶縁膜の平坦化された表面から第１導電膜までの層間距離と該表面から接続端子までの層間距離との差を、より一層小さくなるように調整できる。

本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記基板上に、前記第１導電膜よりも下層側に形成されており、前記画素電極と電気的に接続されたトランジスタと、前記トランジスタよりも下層側に遮光性材料から形成されており、前記コンタクトホールと少なくとも部分的に重なる下側遮光膜と、前記開口部と少なくとも部分的に重なると共に、前記下側遮光膜と同一膜からなる第４の調整膜とを備える。

この態様によれば、下側遮光膜と同一膜からなる第４の調整膜によって、絶縁膜の平坦化された表面から第１導電膜までの層間距離と該表面から接続端子までの層間距離との差を、より一層小さくなるように調整できる。

本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記接続端子は、外部回路と電気的に接続される外部回路接続端子として形成される。

この態様によれば、外部回路接続端子の一部を露出させるための開口部を、画素電極と第１導電膜とを電気的に接続するためのコンタクトホールと同一工程によって形成できる。

本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記接続端子は、前記画素電極との間に電気光学物質を介在させて対向配置される対向電極に対して導通をとる導通材料が接触される上下導通端子として形成される。

この態様によれば、上下導通端子の一部を露出させるための開口部を、画素電極と第１導電膜とを電気的に接続するためのコンタクトホールと同一工程によって形成できる。尚、接続端子が、上下導通端子及び外部回路接続端子の各々として形成される場合には、上下導通端子の一部を露出させるための開口部と、外部回路接続端子の一部を露出させるための開口部と、画素電極と第１導電膜とを電気的に接続するためのコンタクトホールとを同一工程によって形成できる。

本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記第１導電膜のうち一部は、前記基板上の積層構造における上側表面の高さが他部よりも高くなるように形成されており、前記コンタクトホールは、前記一部と少なくとも部分的に重なる。

この態様によれば、コンタクトホールを形成するために必要な時間（例えばエッチング時間）を短くすることができると共に、エッチングにおける時間制御が容易となる。

本発明の電気光学装置用基板の他の態様では、前記第１導電膜は、前記画素電位側電極と電気的に接続され、前記画素電極と前記画素電位側電極とを電気的に中継接続する中継層として形成される。

この態様によれば、中継層によって、画素電極と画素電位側電極とが電気的に中継接続されるので、画素電極及び画素電位側電極間の層間距離が長くて一つのコンタクトホールで両者間を接続するのが困難となる事態を、回避できる。

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置用基板を備える。

本発明の電気光学装置によれば、上述した本発明の電気光学装置用基板を備えるので、コンタクトホールを形成する工程を低減可能な電気光学装置を提供することができる。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を具備してなる。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、信頼性の高い、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。

以下では、本発明の電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器の各実施形態を説明する。尚、本実施形態では、本発明の電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図１０を参照して説明する。

先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置１００では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明に係る「表示領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。尚、本実施形態においては、画像表示領域１０ａの周辺を規定する周辺領域が存在する。言い換えれば、本実施形態では特に、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、額縁遮光膜５３より以遠が周辺領域として規定されている。

周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。尚、外部回路接続端子１０２に関する具体的な構成については、図８及び図９を参照して後述する。また、この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。尚、上下導通端子１０６に関する具体的な構成については、図１０を参照して後述する。

ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａがマトリクス状に設けられている。画素電極９ａ上には、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向してベタ状に形成されている。対向電極２１上には配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。

尚、ここでは図示しないが、後に詳述するように、外部回路接続端子１０２及び上下導通端子１０６の各々の下層側には、調整膜が設けられている。また、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。

次に、本実施形態に係る液晶装置の主要な構成について、図３及び図４を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の要部の構成を示すブロック図である。図４は、画素部の電気的構成を示すブロック図である。

図３において、液晶装置１００は、そのＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路７等の駆動回路が形成されている。

図３に示すように、走査線駆動回路１０４には、外部回路から外部回路接続端子１０２を介してＹクロック信号ＣＬＹ（及び反転Ｙクロック信号ＣＬＹ´）、Ｙスタートパルス信号、等の各種制御信号が供給される。走査線駆動回路１０４は、これらの信号に基づいて走査信号Ｇ１、…、Ｇｍをこの順に順次生成して走査線３ａに出力する。また、走査線駆動回路１０４には、外部回路接続端子１０２を介して走査線駆動回路１０４を駆動するための走査線駆動回路用電源ＶＤＤＹ及びＶＳＳＹや各種制御信号が供給される。尚、走査線駆動回路用電源ＶＤＤＹの電位は、走査線駆動回路用電源ＶＳＳＹの電位よりも高く設定されている。

図３において、データ線駆動回路１０１には、外部回路から外部回路接続端子１０２を介してＸクロック信号及びＸスタートパルスが供給される。データ線駆動回路１０１は、Ｘスタートパルスが入力されると、Ｘクロック信号に基づくタイミングで、サンプリング信号Ｓ１、…、Ｓｎを順次生成して出力する。また、データ線駆動回路１０１には、外部回路接続端子１０２を介してデータ線駆動回路１０１を駆動するためのデータ線駆動回路用電源ＶＤＤＸ及びＶＳＳＸや各種制御信号が供給される。尚、データ線駆動回路用電源ＶＤＤＸの電位は、データ線駆動回路用電源ＶＳＳＸの電位よりも高く設定されている。

サンプリング回路７は、Ｐチャネル型又はＮチャネル型の片チャネル型ＴＦＴ、若しくは相補型のＴＦＴから構成されたサンプリングスイッチ７ｓを複数備えている。

図３において、本実施形態に係る液晶装置には、更に、そのＴＦＴアレイ基板の中央を占める画像表示領域１０ａに、マトリクス状に配列された複数の画素部７００が設けられている。

図４に示すように、画素部７００は、画素スイッチング用のＴＦＴ３０、液晶素子７２及び蓄積容量７０を備えている。

ＴＦＴ３０は、ソースがデータ線６ａに電気的に接続され、ゲートが走査線３ａに電気的に接続され、ドレインが後述する液晶素子７２の画素電極９ａに電気的に接続されている。画素スイッチング用のＴＦＴ３０は、走査線駆動回路１０４から供給される走査信号によってオンオフが切り換えられる。

液晶素子７２は、画素電極９ａ、対向電極２１並びに画素電極９ａ及び対向電極２１間に狭持された液晶から構成されている。液晶素子７２において、データ線６ａ及び画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号は、対向電極２１との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。

蓄積容量７０は、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に付加されている。蓄積容量７０の一方の電極（即ち、画素電位側電極）は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極（即ち、固定電位側電極）は、定電位となるように、電位固定の容量配線３００（図３参照）に接続されている。

以上のような画素部７００が、画像表示領域１０ａにマトリクス状に配列されているので、アクティブマトリクス駆動が可能となっている。

再び図３に示すように、画像信号は、６相にシリアル−パラレル展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の各々に対応して、６本のデータ線６ａの組に対してグループ毎に供給されるよう構成されている。尚、画像信号の相展開数（即ち、シリアル−パラレル展開される画像信号の系列数）に関しては、６相に限られるものでなく、例えば、９相、１２相、２４相など、複数相に展開された画像信号が、その展開数に対応した数を一組としたデータ線６ａの組に対して供給されるよう構成してもよい。また、シリアル−パラレル展開しないで、データ線６ａに対して線順次に供給されるように構成してもよい。

次に、上述した画素部の具体的な構成について、図５から図７を参照して説明する。ここに図５は、相隣接する複数の画素部の平面図である。図６は、図５のＡ−Ａ´断面図である。図７は、図５のＢ−Ｂ´線断面図である。尚、図５から図７では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。この点については、後述する図９から図１２についても同様である。図５から図７では、説明の便宜上、画素電極９ａより上側に位置する部分の図示を省略している。図６或いは図７において、ＴＦＴアレイ基板１０から画素電極９ａまでの部分が、本発明に係る「電気光学装置用基板」の一例を構成する。

図５において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられている。画素電極９ａの縦横の境界にそれぞれ沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。即ち、走査線３ａは、Ｘ方向に沿って延びており、データ線６ａは、走査線３ａと交差するように、Ｙ方向に沿って延びている。走査線３ａ及びデータ線６ａが互いに交差する個所の夫々には画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。

走査線３ａ、データ線６ａ、蓄積容量７０、下側遮光膜１１ａ、中継層９３及びＴＦＴ３０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極９ａに対応する各画素の開口領域（即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過又は反射される領域）を囲む非開口領域内に配置されている。即ち、これらの走査線３ａ、蓄積容量７０、データ線６ａ、下側遮光膜１１ａ及びＴＦＴ３０は、表示の妨げとならないように、各画素の開口領域ではなく、非開口領域内に配置されている。

図５及び図６において、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａ、及び走査線３ａの一部として形成されたゲート電極３ｂを含んで構成されている。

半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、チャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅは、例えばイオンプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極３ｂをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。

図６に示すように、ゲート電極３ｂは、走査線３ａの一部として形成されており、例えば導電性ポリシリコンから形成されている。走査線３ａは、Ｘ方向に沿って延びる本線部分と共に、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´のうち該本線部分が重ならない領域と重なるようにＹ方向に沿って延在する部分を有している。このような走査線３ａのうちチャネル領域１ａ´と重なる部分がゲート電極３ｂとして機能する。ゲート電極３ｂ及び半導体層１ａ間は、ゲート絶縁膜２（より具体的には、２層の絶縁膜２ａ及び２ｂ）によって絶縁されている。

ＴＦＴ３０の下側に下地絶縁膜１２を介して格子状に設けられた下側遮光膜１１ａは、ＴＦＴアレイ基板１０側から装置内に入射する戻り光からＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´及びその周辺を遮光する。下側遮光膜１１ａは、遮光性材料としての、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。

下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。

図６或いは図７において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも層間絶縁膜４１を介して上層側には、蓄積容量７０が設けられている。

蓄積容量７０は、下部容量電極７１と上部容量電極３００ａが誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。

上部容量電極３００ａは、容量配線３００の一部として形成されている。容量配線３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設されている。上部容量電極３００ａは、容量配線３００を介して定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持された固定電位側容量電極である。上部容量電極３００ａは、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、ＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜（内蔵遮光膜）としても機能する。上部容量電極３００ａは、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から構成されていてもよい。

下部容量電極７１は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された画素電位側容量電極である。より具体的には、下部容量電極７１は、コンタクトホール８３を介して高濃度ドレイン領域１ｅと電気的に接続されると共に、コンタクトホール８４を介して中継層９３に電気的に接続されている。更に、中継層９３は、コンタクトホール８５を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。即ち、下部容量電極７１は、中継層９３と共に高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する。下部容量電極７１は、導電性のポリシリコンから形成されている。よって、蓄積容量７０は、所謂ＭＩＳ（Metal−Insulator−Semiconductor）構造を有している。尚、下部容量電極７１は、画素電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜としての上部容量電極３００ａとＴＦＴ３０との間に配置される、光吸収層或いは遮光膜としての機能も有する。

誘電体膜７５は、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、或いは窒化シリコン膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。

図６中の円Ｃ１及び円Ｃ２或いは図７中の円Ｃ３及びＣ４に示すように、下部容量電極７１及び上部容量電極３００ａ間には、誘電体膜７５に加えて、絶縁膜６１が部分的に介在している。上部容量電極３００aは、絶縁膜６１上に少なくとも乗り上げるように延在している。このため、絶縁膜６１の存在によって、絶縁膜６１が存在していない場合と比較して、下部容量電極７１の端面と上部容量電極３００ａの端面との層間距離が増大されている。よって、下部容量電極７１の端面及び上部容量電極３００ａの端面間の意図しない電流リーク、即ち端面リークの発生を阻止する或いは未然防止することができる。

尚、下部容量電極７１を、上部容量電極３００ａと同様に金属膜から形成してもよい。即ち、蓄積容量７０を、金属膜−誘電体膜（絶縁膜）−金属膜の３層構造を有する、所謂ＭＩＭ（Metal−Insulator−Metal）構造を有するように形成してもよい。この場合には、ポリシリコン等を用いて下部容量電極７１を構成する場合に比べて、液晶装置の駆動時に、当該液晶装置全体で消費される消費電力を低減でき、且つ各画素部における素子の高速動作が可能になる。

図６において、ＴＦＴアレイ基板１０上の蓄積容量７０よりも層間絶縁膜４２を介して上層側には、データ線６ａ及び中継層９３が設けられている。層間絶縁膜４１及び４２間には、上述した絶縁膜６１が部分的に介在している。尚、中継層９３は、本発明に係る「第１導電膜」の一例である。

データ線６ａは、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄに、層間絶縁膜４１、絶縁膜６１及び層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８１を介して電気的に接続されている。データ線６ａ及びコンタクトホール８１内部は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニウム）含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。データ線６ａは、ＴＦＴ３０を遮光する機能も有している。

中継層９３は、層間絶縁膜４２上においてデータ線６ａと同層に形成されている。データ線６ａ及び中継層９３は、例えば金属膜等の導電材料で構成される薄膜を層間絶縁膜４２上に薄膜形成法を用いて形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。従って、データ線６ａ及び中継層９３を同一工程で形成できるため、装置の製造プロセスを簡便にできる。

本実施形態では、中継層９３は、下層側の絶縁膜６１及び上部容量電極３００ａと部分的に重なっている。このため、中継層９３のうち一部は、ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造における上側表面の高さが他部よりも高くなるように形成されている。

図６において、画素電極９ａは、データ線６ａよりも層間絶縁膜４３を介して上層側に形成されている。画素電極９ａは、下部容量電極７１、コンタクトホール８３、８４及び８５、並びに中継層９３を介して半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。コンタクトホール８５は、層間絶縁層４３を貫通するように形成された孔部の内壁にＩＴＯ等の画素電極９ａを構成する導電材料が成膜されることによって形成されている。

図７に示すように、本実施形態では特に、コンタクトホール８５は、上述した中継層９３のうち上側表面の高さが他部よりも高くなった部分（即ち、絶縁膜６１及び上部容量電極３００ａと重なる部分）と少なくとも部分的に重なるように形成される。このため、製造工程において、コンタクトホール８５を形成するために必要な時間（例えばエッチング時間）を短くすることができると共に、エッチングにおける時間制御が容易となる。

画素電極９ａの上側表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。本実施形態では、層間絶縁膜４３の上側表面は、ＣＭＰ等の平坦化処理が施されている。このため、例えば、画素電極９ａ上に設けられる配向膜表面に凹凸が生じるのを低減できる。これにより、液晶層５０（図２参照）における液晶分子の配向不良の発生を抑制できる。

以上に説明した画素部の構成は、図５に示すように、各画素部に共通である。画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されていることになる。他方、液晶装置１００では、画像表示領域１０ａの周囲に位置する周辺領域に、図１及び図２を参照して説明したように、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１等の駆動回路が形成されている。

次に、本実施形態に係る液晶装置の外部回路接続端子に関する具体的な構成について、図７に加えて、図８及び図９を主に参照して説明する。ここに図８は、本実施形態に係る液晶装置の外部回路接続端子の平面図であり、図９は、図８のＥ−Ｅ´線断面図である。

図８及び図９に示すように、外部回路接続端子１０２は、中継層９３（図７参照）と同一膜から形成されており、層間絶縁膜４３に開口された開口部８１０からその一部が露出するように形成されている。引回配線９０は、外部回路接続端子１０２から延在して（言い換えれば、外部回路接続端子１０２と同一膜から一枚の膜として）形成されることで、外部回路接続端子１０２と電気的に接続されている。尚、引回配線９０は、外部回路接続端子１０２と異なる層に配置された導電膜から形成してもよい。

図９に示すように、本実施形態では特に、外部回路接続端子１０２の下層側に、本発明に係る「第１の調整膜」の一例としての調整膜６１１及び６１２を備えている。調整膜６１１は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て開口部８１０と重なるように、上部容量電極３００ａと同一膜から形成されている。調整膜６１２は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て開口部８１０と重なるように、下部容量電極７１と同一膜から形成されている。よって、調整膜６１１及び６１２がない場合と比較して、調整膜６１１及び６１２によって、層間絶縁膜４３の上側表面から外部回路接続端子１０２までの層間距離ｄ２と層間絶縁膜４３の上側表面から中継層９３までの層間距離ｄ１（図７参照）との差が小さくなるように或いは好ましくは無くなるように調整される。言い換えれば、調整膜６１１及び６１２によって、層間絶縁膜４３の上側表面から外部回路接続端子１０２までの層間距離ｄ２は、層間絶縁膜４３の上側表面から中継層９３までの層間距離ｄ１と、殆ど或いは好ましくは全く同じになるように調整される。従って、外部回路接続端子１０２を露出させるための開口部８１０を、画素電極９ａと中継層９３とを電気的に接続するためのコンタクトホール８５を形成する工程と同一工程によって形成できる。即ち、平坦化処理が施された層間絶縁膜４３の上側表面上における、コンタクトホール８５を開孔すべき位置と開口部８１０を開口すべき位置とに、同一のエッチング処理を施すことにより、コンタクトホール８５及び開口部８１０を形成できる。仮に、何らの対策も施さねば、層間絶縁膜４３の上側表面から中継層９３までの層間距離ｄ１と層間絶縁膜４３の上側表面から外部回路接続端子１０２までの層間距離ｄ２との差が大きいために、コンタクトホール８５を開孔する工程と開口部８１０を開口する工程とを別々に行う必要が生じてしまう。しかるに本実施形態によれば、調整膜６１１及び６１２を備えるので、コンタクトホール８５と開口部８１０とを同一工程によって形成でき、製造工程を単純化することが可能となる。

次に、本実施形態に係る液晶装置の上下導通端子に関する具体的な構成について、図７に加えて、図１０を主に参照して説明する。ここに図１０は、上下導通端子及びその周囲の構造に関する断面図である。

図１０に示すように、上下導通端子１０６は、図９を参照して上述した外部回路接続端子１０２と同様に、中継層９３（図７参照）と同一膜から形成されており、層間絶縁膜４３に開口された開口部８２０から露出するように形成されている。上下導通端子１０６上には、開口部８２０を埋めるように、銀粉等がペースト状の媒質に混入された上下導通材１０７（図１も参照）が設けられている。上下導通材１０７は、一方で上下導通端子１０６に接するように、他方で対向基板２０上に形成された対向電極２１に接するように配置されている。これにより、上下導通端子１０６及び対向電極２１は同電位とされ、上下導通端子１０６から対向電極２１へ所定の一定電位等を供給することが可能となっている。尚、上下導通材１０７は、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間を接着するためのシール材５２（図１及び図２参照）の中に混入されている。

図１０に示すように、本実施形態では特に、上下導通端子１０６の下層側に、図９を参照して上述した外部回路接続端子１０２の下層側に設けられた調整膜６１１及び６１２と同様の調整膜６２１及び６２２を備えている。尚、調整膜６２１及び６１１は、本発明に係る「第１の調整膜」の一例である。調整膜６２１は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て開口部８２０と重なるように、上部容量電極３００ａと同一膜から形成されている。調整膜６２２は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て開口部８２０と重なるように、下部容量電極７１と同一膜から形成されている。よって、調整膜６２１及び６２２によって、層間絶縁膜４３の上側表面から上下導通端子１０６までの層間距離ｄ３は、層間絶縁膜４３の上側表面から中継層９３までの層間距離ｄ１と、殆ど或いは好ましくは全く同じになるように調整される。従って、上下導通端子１０６を露出させるための開口部８２０を、画素電極９ａと中継層９３とを電気的に接続するためのコンタクトホール８５を形成する工程と同一工程によって形成できる。本実施形態では、調整膜６２１及び６２２に加えて、図９を参照して上述した調整膜６１１及び６１２によって、層間絶縁膜４３の上側表面から中継層９３、外部回路接続端子１０２及び上下導通端子１０６の各々までの層間距離ｄ１（図７参照）、ｄ２（図９参照）及びｄ３（図１０参照）は、互いに同じになるように調整される。よって、コンタクトホール８５、開口部８１０及び８２０を同一工程によって形成できる。即ち、平坦化処理が施された層間絶縁膜４３の上側表面上における、コンタクトホール８５を開孔すべき位置と開口部８１０及び８２０を開口すべき位置とに、同一のエッチング処理を施すことにより、コンタクトホール８５、開口部８１０及び８２０を形成できる。よって、製造工程を単純化することが可能となる。

尚、図１１及び図１２に変形例として示すように、外部回路接続端子１０２の下層側に調整膜６３１及び６４１を形成すると共に、上下導通端子１０２の下層側に調整膜６５１及び６６１を形成してもよい。ここに図１１は、変形例における図９と同趣旨の断面図であり、図１２は、変形例における図１０と同趣旨の断面図である。

図１１に示すように、調整膜６３１は、本発明に係る「第２の調整膜」或いは「第３の調整膜」の一例であり、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て開口部８１０と重なるように、走査線３ａと同一膜から形成されている。調整膜６４１は、本発明に係る「第４の調整膜」の一例であり、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て開口部８１０と重なるように、下側遮光膜１１ａと同一膜から形成されている。

図１２に示すように、調整膜６５１は、本発明に係る「第２の調整膜」或いは「第３の調整膜」の一例であり、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て開口部８２０と重なるように、走査線３ａと同一膜から形成されている。調整膜６６１は、本発明に係る「第４の調整膜」の一例であり、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て開口部８２０と重なるように、下側遮光膜１１ａと同一膜から形成されている。

このように構成すれば、層間絶縁膜４３の上側表面から中継層９３までの層間距離ｄ１と層間絶縁膜４３の上側表面から外部回路接続端子１０２までの層間距離ｄ２との差、及び層間距離ｄ１と層間絶縁膜４３の上側表面から上下導通端子１０６までの層間距離ｄ３の差を、より一層小さくなるように調整できる。よって、例えば、コンタクトホール８５を開孔すべき位置と開口部８１０及び８２０を開口すべき位置とに同一のエッチング処理を行う際に、例えば、コンタクトホール８５を開孔すべき位置におけるエッチング量が過剰になり、コンタクトホール８５が中継層９３を貫通して開孔されてしまうことを低減或いは防止できる。或いは、例えば、開口部８１０或いは８２０を開口すべき位置におけるエッチング量が不足して、開口部８１０或いは８２０によって、外部回路接続端子１０２或いは上下導通端子１０６を露出させることができなくなってしまうことを低減或いは防止できる。

尚、上述した、外部回路接続端子１０２の下層側の調整膜６１１１、６１２、６３１及び６４１並びに上下導通端子１０６の下層側の調整膜６２１、６２２、６５１、６６１に加えて、外部回路接続端子１０２及び上下導通端子１０６の下層側に、例えば半導体層１ａ（図６参照）と同一膜からなる調整膜を形成してもよい。この場合には、層間距離ｄ１、ｄ２及びｄ３間の差が、より一層小さくなるように調整することが可能となる。つまり、周辺領域における外部回路接続端子１０２及び上下導通端子１０６の下層側の積層構造を、画像表示領域１０ａにおける中継層９３よりも下層側に形成された積層構造と概ね同様に形成することで、層間距離ｄ１（図７参照）、ｄ２（図９参照）及びｄ３（図１０参照）を互いに同じになるように、より一層容易に調整することができる。

以上説明したように、本実施形態に係る電気光学装置用基板を備えた液晶装置１００によれば、調整膜６１１、６１２、６２１、６２２等によって、層間距離ｄ１、ｄ２及びｄ３が互いに同じになるように調整されているので、コンタクトホール８５、開口部８１０及び８２０を同一工程によって形成できる。よって、製造工程を単純化することが可能となる。従って、歩留まりの向上も実現可能であり、信頼性の高い液晶装置を提供することができる。
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図１３は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。

図１３に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

尚、図１３を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置用基板、該電気光学装置用基板を備えた電気光学装置、及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。 図１のＨ−Ｈ´線断面図である。 第１実施形態に係る液晶装置の要部の構成を示すブロック図である。 画素部の電気的構成を示すブロック図である。 相隣接する複数の画素部の平面図である。 図５のＡ−Ａ´断面図である。 図５のＢ−Ｂ´線断面図である。 外部回路接続端子の平面図である。 図８のＥ−Ｅ´線断面図である。 上下導通端子及びその周囲の構造に関する断面図である。 変形例における図９と同趣旨の断面図である。 変形例における図１０と同趣旨の断面図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。

符号の説明

３ａ…走査線、３ｂ…ゲート電極、６ａ…データ線、７…サンプリング回路、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、２０…対向基板、２１…対向電極、２３…遮光膜、４３…層間絶縁膜、５０…液晶層、５２…シール材、５３…額縁遮光膜、８５…コンタクトホール、９３…中継層、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、１０６…上下導通端子、１０７…上下導通材、６１１、６１２、６２１、６２２、６３１、６４１、６５１、６６１…調整膜、８１０、８２０…開口部、ｄ１、ｄ２、ｄ３…層間距離

Claims (10)

1. 基板と、
   前記基板上に設けられた平坦化処理が施された絶縁膜と、
   前記基板上の表示領域における前記絶縁膜上に設けられた画素電極と、
   該画素電極より前記絶縁膜を介して下層側に形成されており、前記絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して前記画素電極と電気的に接続された第１導電膜と、
   該第１導電膜よりも下層側に形成されており、前記基板上で平面的に見て前記コンタクトホールと少なくとも部分的に重なると共に、画素電位側電極、誘電体膜及び固体電位側電極が積層されてなる蓄積容量と、
   前記表示領域の周辺に位置する周辺領域に配置され、前記第１導電膜と同一膜からなると共に前記絶縁膜に開口された開口部から少なくとも一部が露出する接続端子と、
   前記基板上で平面的に見て前記開口部と少なくとも部分的に重なると共に、前記画素電位側電極及び固定電位側電極の各々と同一膜からなる第１の調整膜と
   を備えたことを特徴とする電気光学装置用基板。
2. 前記基板上に、
   前記第１導電膜よりも下層側に形成されており、前記コンタクトホールと少なくとも部分的に重なる、前記画素電極を駆動するための配線と、
   前記開口部と少なくとも部分的に重なると共に、前記配線と同一膜からなる第２の調整膜と
   を備えたことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
3. 前記基板上に、
   前記画素電極に画像信号を供給するデータ線と、
   前記データ線と互いに交差すると共に、前記第１導電膜よりも下層側に形成されており、前記コンタクトホールと少なくとも部分的に重なる走査線と、
   前記開口部と少なくとも部分的に重なると共に、前記走査線と同一膜からなる第３の調整膜と
   を備えたことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
4. 前記基板上に、
   前記第１導電膜よりも下層側に形成されており、前記画素電極と電気的に接続されたトランジスタと、
   前記トランジスタよりも下層側に遮光性材料から形成されており、前記コンタクトホールと少なくとも部分的に重なる下側遮光膜と、
   前記開口部と少なくとも部分的に重なると共に、前記下側遮光膜と同一膜からなる第４の調整膜と
   を備えたことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
5. 前記接続端子は、外部回路と電気的に接続される外部回路接続端子として形成されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
6. 前記接続端子は、前記画素電極との間に電気光学物質を介在させて対向配置される対向電極に対して導通をとる導通材料が接触される上下導通端子として形成されることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
7. 前記第１導電膜のうち一部は、前記基板上の積層構造における上側表面の高さが他部よりも高くなるように形成されており、
   前記コンタクトホールは、前記一部と少なくとも部分的に重なる
   ことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
8. 前記第１導電膜は、前記画素電位側電極と電気的に接続され、前記画素電極と前記画素電位側電極とを電気的に中継接続する中継層として形成されることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
9. 請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板を備えたことを特徴とする電気光学装置。
10. 請求項９に記載の電気光学装置を具備してなる電子機器。

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