JP2008026766A - 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】電気光学装置において、コンタクトホールを形成する工程を低減でき、製造プロセスの単純化を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、複数の画素電極（９ａ）と、画素電極（９ａ）を駆動するための一の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部を夫々構成すると共に、互いに同一の導電膜から形成された複数の第１導電部（６ａ、９３）と、画素電極を駆動するための他の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部を夫々構成すると共に、複数の第１導電部と絶縁膜を介して異なる層に夫々配置された複数の導電膜から夫々形成された複数の第２導電部（１１ａ、１ａ、３ｂ、７１、７５）とを備える。複数の第２導電部は夫々、複数の第１導電部の少なくともいずれかと絶縁膜に形成されたコンタクトホール（８４、８１、８１０、８１３、８１４）を介して電気的に接続される。
【選択図】図１２

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置は、基板上に、画素電極と、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）とを備え、アクティブマトリクス駆動可能に構成される。また、高コントラスト化等を目的として、ＴＦＴと画素電極との間に蓄積容量が設けられることがある。更に、例えば、ＴＦＴの半導体層に光が入射すると、光リーク電流が発生し、表示品質が低下してしまうことから、該半導体層の周囲に遮光層が設けられることがある。以上の構成要素は基板上に高密度で作り込まれ、画素開口率の向上や装置の小型化が図られる。

各構成要素間には、これらの間で電気的な短絡等が生じないようにするため、例えばシリコン酸化膜等からなる層間絶縁膜が形成される。この際、各構成要素間のうち特定の構成要素間では電気的な接続を図るためのコンタクトホールが層間絶縁膜に設けられる。コンタクトホールは、一般に、層間絶縁膜に対してエッチングを施すことにより形成される。例えば、特許文献１及び２では、このようなコンタクトホールに起因した光漏れをなくし、高品質な画像を表示するため技術が開示されている。

特開２００４−１７０９１４号公報 特開２００４−１７０９１５号公報

しかしながら、上述した従来の各種技術によれば、高機能化或いは高性能化に伴って、基板上における積層構造が、基本的に複雑高度化している。このため、製造方法の複雑高度化、製造歩留まりの低下等を招きかねない。特に、積層構造が複雑化された各構成要素間を電気的に接続するためのコンタクトホールを形成する工程の増加を招きかねないという技術的問題点がある。

本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、コンタクトホールを形成する工程を低減するのに適しており、信頼性の高い電気光学装置及び該電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、複数の画素電極と、前記複数の画素電極を駆動するための一の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部を夫々構成すると共に、互いに同一の導電膜から形成された複数の第１導電部と、前記複数の画素電極を駆動するための他の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部を夫々構成すると共に、前記複数の第１導電部と絶縁膜を介して異なる層に夫々配置された複数の導電膜から夫々形成された複数の第２導電部とを備え、前記複数の第２導電部は夫々、前記複数の第１導電部の少なくともいずれかと前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続される。

本発明の電気光学装置によれば、基板上に、例えば、走査線、データ線等の配線や、蓄積容量等を構成する一対の容量電極等の電極、或いは画素スイッチング用のＴＦＴ等の電子素子が、絶縁膜を介して相互に絶縁されつつ必要に応じて積層されることで画素電極を駆動するための回路が構成され、その上層側に画像電極が形成される。その動作時には、例えば、走査線を通じて、画素電極に電気的に接続された画素スイッチング用のＴＦＴのスイッチング動作が制御されると共に、データ線を通じて画像信号が供給されることで、該ＴＦＴを介して画素電極に対し、画像信号に応じた電圧が印加される。これにより、複数の画素電極が配列された表示領域における画像表示が可能となる。

本発明では、複数の第１導電部は、複数の画素電極を駆動するための一の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部を夫々構成する。複数の第１導電部は、互いに同一の導電膜から形成される。言い換えれば、複数の第１導電部は、互いに同一の層に配置され、１つの層として形成される。ここで、本発明に係る「互いに同一の導電膜から形成される」とは、製造工程における同一機会に成膜される同一種類の導電膜を意味し、一枚の膜として連続していることまでも要求する趣旨ではなく、基本的に、同一の導電膜のうち相互に分断されている膜部分であれば足りる趣旨である。複数の第１導電部は、例えば、データ線、該データ線と同一の導電膜から形成された中継層（即ち、当該中継層よりも上層側の導電膜及び下層側の導電膜の両方と電気的に接続されており、上層側の導電膜と下層側の導電膜との電気的な接続を中継する機能を有する導電層）、表示領域の周辺に位置する周辺領域にデータ線と同一の導電膜から形成された配線等から構成される。

複数の第２導電部は、複数の画素電極を駆動するための他の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部を夫々構成する。複数の第２導電部は、複数の第１導電部と絶縁膜を介して異なる層に夫々配置される。言い換えれば、複数の第２の導電部は、複数の第１導電部と異なる層に且つ相互に異なる層に配置され、複数の層として形成される。複数の第２導電部は、例えば、画素スイッチング用のＴＦＴを構成する半導体層、該半導体層よりも上層側に配置された画素スイッチング用のＴＦＴのゲート電極を含む走査線、画素スイッチング用のＴＦＴよりも上層側に配置された蓄積容量を構成する一対の容量電極（即ち、上部容量電極及び該上部容量電極よりも誘電体膜を介して下層側に配置された下部容量電極）、前述の半導体層よりも下層側に配置されると共に画素毎の開口領域を規定する下側遮光膜等から構成される。

本発明では特に、複数の第２導電部は夫々、複数の第１導電部の少なくともいずれかと絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続される。言い換えれば、１つの層として形成された複数の第１導電部から、該複数の第１導電部と異なる複数の層として形成された複数の第２導電部の各々に対してコンタクトホールによって電気的な接続がなされる。よって、例えば、複数の第２導電部のうち第１導電部よりも下層側に設けられた一の第２導電部が、積層構造において該一の第２導電部と第１導電部との間に配置された他の第２導電部を介して、第１導電部と電気的に接続される場合と比較して、複数の第２導電部と複数の第１導電部とを接続するコンタクトホールを形成する工程を低減することができる。従って、製造プロセスの単純化、歩留まりの向上を実現可能であり、信頼性の高い電気光学装置を提供することができる。尚、製造プロセスの単純化、歩留まりの向上は、製造コストの低減にもつながる。

本発明の電気光学装置の一態様では、前記複数の画素電極と前記複数の第１導電部とは絶縁膜を介して互いに異なる層に配置されると共に該絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して互いに電気的に接続される。

この態様によれば、第２導電部を、当該第２導電部と電気的に接続された第１導電部を介して、画素電極と電気的に接続することができる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記複数の第１導電部は、互いに同一の金属膜から形成される。

この態様によれば、複数の第２導電部の各々は、金属膜からなる第１導電部と電気的に接続される。よって、複数の第２導電部を、例えば、金属膜からなる第１導電部として形成された配線を介して例えば周辺回路或いは外部回路と電気的に接続することができる。従って、複数の第２導電部に各種信号を、減衰等を殆ど発生させることなく確実に供給できる。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板上に、前記第２導電部として、前記画素電極と電気的に接続された蓄積容量を構成する一対の画素電位側電極及び固定電位側電極と、前記蓄積容量よりも下層側に設けられており、前記画素電極と電気的に接続された薄膜トランジスタを構成する半導体層と、前記半導体層よりも上層側に設けられており、前記薄膜トランジスタのゲート電極を含む走査線と、前記半導体層よりも下層側に設けられており、画素毎の開口領域を規定する下側遮光膜と、前記第１導電部として、前記蓄積容量よりも上層側に設けられており、前記複数の画素電極に画像信号を供給するデータ線と、前記画素電極と前記画素電位側電極とを電気的に中継接続する中継層と、前記複数の画素電極が設けられた表示領域の周辺に位置する周辺領域に配線された周辺配線とを備える。

この態様では、データ線、中継層及び周辺配線は、第１導電部として形成される。即ち、データ線、中継層及び周辺配線は、互いに同一の導電膜から形成される。画素電位側電極及び固定電位側電極、半導体層、走査線、並びに下側遮光膜は、第２導電部として形成される。即ち、画素電位側電極及び固定電位側電極、半導体層、走査線、並びに下側遮光膜は、第１導電部であるデータ線とは異なる層（より具体的には下層側の層）に形成され、下側遮光膜、半導体層、走査線、画素電位側電極及び固定電位側電極の順に下層側から積層される。更に、画素電位側電極及び固定電位側電極、半導体層、走査線、並びに下側遮光膜の各々は、データ線、中継層及び周辺配線のいずれかとコンタクトホールを介して電気的に接続される。よって、例えば、データ線と半導体層とを接続するための第１のコンタクトホールを開孔する工程におけるエッチング処理と、中継層と画素電位側電極とを接続するための第２のコンタクトホールを形成する工程におけるエッチング処理とを、周辺領域における所定位置にも施すことにより、周辺配線と下側遮光膜とを接続するための、第１及び第２のコンタクトホールよりも深い第３のコンタクトホールを形成することができる。従って、第３のコンタクトホールを形成する工程を、第１及び第２のコンタクトホールを形成する工程とは別の工程として行う必要がなく、コンタクトホールを形成する工程を確実に低減できる。

尚、画素電極と電気的に接続された蓄積容量によって、画素電極における電位保持性が向上される。画素電位側電極は、画素電極と電気的に接続されており、画素電位とされる。固定電位側電極は、定電位とされた定電位配線と電気的に接続されており、固定電位とされる。ここに「定電位」とは、画像データの内容によらずに少なくとも所定期間ずつ固定された電位を意味する。例えば、接地電位或いはグランド電位の如く、時間軸に対して完全に一定電位に固定された定電位であってもよい。或いは、対向電極電位（或いは共通電極電位）の如く、例えば画像信号に係る奇数フィールド期間で第１の定電位に固定されると共に偶数フィールド期間で第２の定電位に固定されるというように、時間軸に対して一定期間ずつ一定電位に固定された定電位であってもよい。

上述した蓄積容量を構成する一対の画素電位側電極及び固定電位側電極を備えた態様では、前記固定電位側電極は、金属膜から形成され、前記画素電位側電極は、前記固定電位側電極よりも誘電体膜を介して下層側に設けられており、半導体膜から形成されるようにしてもよい。

この場合には、蓄積容量は、金属膜−誘電体膜（絶縁膜）−半導体膜が積層されてなる、所謂ＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconductor）構造を有する。よって、半導体膜からなる画素電位側電極を、金属膜からなる第１導電部として形成された中継層を介して画素電極に接続することができる。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図１２を参照して説明する。

先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置１００では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明に係る「表示領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａがマトリクス状に設けられている。画素電極９ａ上には、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向してベタ状に形成されている。対向電極２１上には配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。

尚、ここでは図示しないが、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域には、後述する下側遮光膜１１ａに定電位を供給する定電位配線９１０や、容量配線３００に定電位を供給する定電位配線９３０が形成されている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。

次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の各種素子、配線等の等価回路図である。

図３において、液晶装置１００の画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号ＶＳ１、ＶＳ２、…、ＶＳｎは、この順に線順次に供給してもよいし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号ＶＳ１、ＶＳ２、…、ＶＳｎを所定のタイミングで書き込む。

画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号ＶＳ１、ＶＳ２、…、ＶＳｎは、対向基板２０（図２参照）に形成された対向電極２１（図２参照）との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。

ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量配線３００に接続されている。

次に、上述の動作を実現する画素部の具体的な構成、及び該画素部と周辺領域に設けられた配線との接続構成について、図４から図８を参照して説明する。ここに図４は、相隣接する複数の画素部の平面図である。図５は、図４のＡ−Ａ´線断面図である。図６は、走査線と走査線駆動回路の出力線との接続を示す断面図である。図７は、下側遮光膜と周辺領域に設けられた定電位配線との接続を示す断面図である。図８は、容量配線と周辺領域に設けられた定電位配線との接続を示す断面図である。尚、図４から図８では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。図４から図８では、説明の便宜上、画素電極９ａより上側に位置する部分の図示を省略している。

図４において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられている。画素電極９ａの縦横の境界にそれぞれ沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。即ち、走査線３ａは、Ｘ方向に沿って延びており、データ線６ａは、走査線３ａと交差するように、Ｙ方向に沿って延びている。走査線３ａ及びデータ線６ａが互いに交差する個所の夫々には画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。

走査線３ａ、データ線６ａ、蓄積容量７０、下側遮光膜１１ａ、中継層９３及びＴＦＴ３０は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、画素電極９ａに対応する各画素の開口領域（即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過又は反射される領域）を囲む非開口領域内に配置されている。即ち、これらの走査線３ａ、蓄積容量７０、データ線６ａ、下側遮光膜１１ａ、及びＴＦＴ３０は、表示の妨げとならないように、各画素の開口領域ではなく、非開口領域内に配置されている。

尚、データ線６ａ、中継層９３、後述する定電位配線９１０及び９３０、並びに後述する出力線９２０は、本発明に係る「複数の第１導電部」を構成し、下側遮光膜１１ａ、半導体層１ａ、走査線３ａ（ゲート電極３ｂを含む）、下部容量電極７１、上部容量電極３００ａ（言い換えれば容量配線３００）は、本発明に係る「複数の第２導電部」を構成する。

図４及び図５において、ＴＦＴ３０は、半導体層１ａ、及び走査線３ａの一部として形成されたゲート電極３ｂを含んで構成されている。

半導体層１ａは、例えばポリシリコンからなり、チャネル領域１ａ´、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅからなる。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅは、例えばイオンプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極３ｂをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。

図４に示すように、ゲート電極３ｂは、走査線３ａの一部として形成されており、例えば導電性ポリシリコンから形成されている。走査線３ａは、Ｘ方向に沿って延びる本線部分と共に、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´のうち該本線部分が重ならない領域と重なるようにＹ方向に沿って延在する部分を有している。このような走査線３ａのうちチャネル領域１ａ´と重なる部分がゲート電極３ｂとして機能する。ゲート電極３ｂ及び半導体層１ａ間は、ゲート絶縁膜２（より具体的には、２層の絶縁膜２ａ及び２ｂ）によって絶縁されている。

図６に示すように、走査線３ａは、周辺領域において走査線駆動回路１０４の出力線９２０と電気的に接続されている。出力線９２０は、本発明に係る「周辺配線」の一例であり、走査線駆動回路１０４を構成する図示しない出力バッファ回路の出力端子と電気的に接続されている。出力線９２０には、出力バッファ回路の出力信号（即ち、走査信号）が出力される。即ち、走査線３ａには、走査線駆動回路１０４から出力線９２０を介して走査信号が供給される。出力線９２０は、データ線６ａと同一膜から形成されている。出力線９２０は、層間絶縁膜４２、絶縁膜６１及び層間絶縁膜４１を貫通して開孔されたコンタクトホール８１３を介して走査線３ａと電気的に接続されている。

尚、走査線駆動回路１０４は、シフトレジスタと上述した出力バッファ回路を含んで構成されている。出力バッファ回路は、例えば直列接続された複数段のインバータから構成されており、シフトレジスタの出力端子に電気的に接続されている。出力バッファ回路の入力端子には、シフトレジスタからの転送信号が入力される。出力バッファ回路は、シフトレジスタから転送された転送信号を、駆動能力増大、波形整形及びタイミング調整した後に、走査信号として出力する機能を有する。

再び図４及び図５において、ＴＦＴ３０の下側に下地絶縁膜１２を介して格子状に設けられた下側遮光膜１１ａは、ＴＦＴアレイ基板１０側から装置内に入射する戻り光からＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´及びその周辺を遮光する。下側遮光膜１１ａは、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。

図７に示すように、下側遮光膜１１ａは、画像表示領域１０ａにおいて格子状に設けられた部分から周辺領域へ延びるように形成されており、定電位配線９１０と電気的に接続されている。定電位配線９１０は、本発明に係る「周辺配線」の一例であり、外部回路接続端子１０２（図１参照）を介して外部電源と電気的に接続されている。下側遮光膜１１ａには、外部電源から外部回路接続端子１０２及び定電位配線９１０を介して、定電位が供給される。これにより、下側遮光膜１１ａを、ＴＦＴ３０の動作に悪影響を殆ど或いは実践上全く及ぼさないようにしつつ、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´に近接して配置することができる（図４及び図５参照）。定電位配線９１０は、データ線６ａと同一膜から形成されている。定電位配線９１０は、層間絶縁膜４２、絶縁膜６１、層間絶縁膜４１、絶縁膜２ａ及び下地絶縁膜１２を貫通して形成されたコンタクトホール８１０を介して下側遮光膜１１ａと電気的に接続されている。尚、コンタクトホール８１０は、後述するように、開孔部８１１及び８１２から構成されている。

尚、定電位配線９１０は、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に電源電位を供給する電源線、或いは、対向電極電位を供給する対向電極電位線と電気的に接続されていてもよい。或いは、定電位配線９１０は、電源線或いは対向電極電位線と兼用されていてもよい。

再び図５において、下地絶縁膜１２は、下側遮光膜１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。

図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上のＴＦＴ３０よりも層間絶縁膜４１を介して上層側には、蓄積容量７０が設けられている。

蓄積容量７０は、下部容量電極７１と上部容量電極３００ａが誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。尚、下部容量電極７１は、本発明に係る「画素電位側電極」であり、上部容量電極３００ａは、本発明に係る「固定電位側容量電極」である。

上部容量電極３００ａは、容量配線３００の一部として形成されている。容量配線３００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設されている。上部容量電極３００ａは、容量配線３００を介して定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持された固定電位側容量電極である。上部容量電極３００ａは、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、ＴＦＴ３０を遮光する上側遮光膜（内蔵遮光膜）としても機能する。上部容量電極３００ａは、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から構成されていてもよい。

図８に示すように、容量配線３００は、周辺領域において定電位配線９３０と電気的に接続されている。定電位配線９３０は、本発明に係る「周辺配線」の一例であり、外部回路接続端子１０２（図１参照）を介して外部電源と電気的に接続されている。容量配線３００には、外部電源から外部回路接続端子１０２及び定電位配線９３０を介して、定電位が供給される。これにより、上部容量電極３００ａを、定電位とすることができ、蓄積容量７０の固定電位側電極として機能させることができる。定電位配線９３０は、データ線６ａと同一膜から形成されている。定電位配線９３０は、層間絶縁膜４２に開孔されたコンタクトホール８１４を介して定電位配線９３０と電気的に接続されている。尚、定電位配線９３０は、定電位配線９１０と同様に、電源線或いは対向電極電位線と電気的に接続されていてもよい。或いは、定電位配線９３０は、定電位配線９１０と同様に、電源線或いは対向電極電位線と兼用されていてもよい。或いは、定電位配線９３０は、定電位配線９１０と電気的に接続されていてもよいし、兼用されていてもよい。

再び図４及び図５において、下部容量電極７１は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに電気的に接続された画素電位側容量電極である。より具体的には、下部容量電極７１は、コンタクトホール８３を介して高濃度ドレイン領域１ｅと電気的に接続されると共に、コンタクトホール８４を介して中継層９３に電気的に接続されている。更に、中継層９３は、コンタクトホール８５を介して画素電極９ａに電気的に接続されている。即ち、下部容量電極７１は、中継層９３と共に高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａ間の電気的な接続を中継する。下部容量電極７１は、導電性のポリシリコンから形成されている。よって、蓄積容量７０は、所謂ＭＩＳ構造を有している。尚、下部容量電極７１は、画素電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜としての上部容量電極３００ａとＴＦＴ３０との間に配置される、光吸収層或いは遮光膜としての機能も有する。

誘電体膜７５は、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、或いは窒化シリコン膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。

尚、下部容量電極７１を、上部容量電極３００ａと同様に金属膜から形成してもよい。即ち、蓄積容量７０を、金属膜−誘電体膜（絶縁膜）−金属膜の３層構造を有する、所謂ＭＩＭ（Metal−Insulator−Metal）構造を有するように形成してもよい。この場合には、ポリシリコン等を用いて下部容量電極７１を構成する場合に比べて、液晶装置の駆動時に、当該液晶装置全体で消費される消費電力を低減でき、且つ各画素部における素子の高速動作が可能になる。

図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上の蓄積容量７０よりも層間絶縁膜４２を介して上層側には、データ線６ａ及び中継層９３が設けられている。層間絶縁膜４１及び４２間には、部分的に絶縁膜６１が介在している。

データ線６ａは、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄに、層間絶縁膜４１、絶縁膜６１及び層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール８１を介して電気的に接続されている。データ線６ａ及びコンタクトホール８１内部は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニウム）含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。データ線６ａは、ＴＦＴ３０を遮光する機能も有している。

中継層９３は、層間絶縁膜４２上においてデータ線６ａと同層に形成されている。データ線６ａ及び中継層９３は、例えば金属膜等の導電材料で構成される薄膜を層間絶縁膜４２上に薄膜形成法を用いて形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。従って、データ線６ａ及び中継層９３を同一工程で形成できるため、装置の製造プロセスを簡便にできる。

図５において、画素電極９ａは、データ線６ａよりも層間絶縁膜４３を介して上層側に形成されている。画素電極９ａは、下部容量電極７１、コンタクトホール８３、８４及び８５、並びに中継層９３を介して半導体層１ａの高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。コンタクトホール８５は、層間絶縁層４３を貫通するように形成された孔部の内壁にＩＴＯ等の画素電極９ａを構成する導電材料が成膜されることによって形成されている。画素電極９ａの上側表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。

以上に説明した画素部の構成は、図４に示すように、各画素部に共通である。画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されていることになる。他方、液晶装置１００では、画像表示領域１０ａの周囲に位置する周辺領域に、図１及び図２を参照して説明したように、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１等の駆動回路が形成されている。

図４から図８に示すように、本実施形態では特に、データ線６ａ、中継層９３及び出力線９２０、定電位配線９１０及び９３０は、互いに同一の導電膜から形成されている。更に、下側遮光膜１１ａ、半導体層１ａ、走査線３ａ（ゲート電極３ｂを含む）、下部容量電極７１、上部容量電極３００ａ（言い換えれば、容量配線３００）及び画素電極９ａは、データ線６ａとは異なる層（より具体的には下層側の層）に形成されている。加えて、下側遮光膜１１ａ、半導体層１ａ、走査線３ａ（ゲート電極３ｂを含む）、下部容量電極７１、上部容量電極３００ａ（言い換えれば、容量配線３００）及び画素電極９ａの各々は、データ線６ａ、中継層９３及び出力線９２０、定電位配線９１０及び９３０のいずれかとコンタクトホールを介して電気的に接続されている。より具体的には、下側遮光膜１１ａはコンタクトホール８１０を介して定電位配線９１０と電気的に接続され（図７参照）、半導体層１ａはコンタクトホール８１を介してデータ線６ａと電気的に接続され(図５参照)、走査線３ａ（ゲート電極３ｂを含む）はコンタクトホール８１３を介して定電位配線９２０と電気的に接続され（図６参照）、下部容量電極７１はコンタクトホール８４を介して中継層９３と電気的に接続され（図５参照）、上部容量電極３００ａはコンタクトホール８１４を介して定電位配線９３０と電気的に接続されている。画素電極９ａはコンタクトホール８５を介して中継層９３と電気的に接続されている。言い換えれば、１つの層として形成された、データ線６ａ、中継層９３及び出力線９２０、定電位配線９１０及び９３０から、データ線６ａ、中継層９３及び出力線９２０、定電位配線９１０及び定電位配線９３０とは異なる複数の層として形成された、下側遮光膜１１ａ、半導体層１ａ、走査線３ａ（ゲート電極３ｂを含む）、下部容量電極７１、上部容量電極３００ａ（言い換えれば、容量配線３００）及び画素電極９ａの各々に対してコンタクトホールを介して電気的な接続がなされている。このように構成されていることによって、例えば、後述するように、深さが互いに異なるコンタクトホール８１及び８４をそれぞれ形成するためのエッチング処理を用いて、コンタクトホール８１及び８４よりも深いコンタクトホール８１０（図７参照）を形成することが可能となる。よって、例えば、図７において、仮にデータ線６ａと同一の導電膜からなる定電位配線９１０よりも下層側に設けられた下側遮光膜１１ａが、積層構造において下側遮光膜１１ａと定電位配線９１０との間に配置された中継層を介して、定電位配線９１０と電気的に接続される場合と比較して、下側遮光膜１１ａと定電位配線９１０とを接続するコンタクトホールを形成する工程を低減することができる。

次に、本実施形態に係る液晶装置の製造方法について、図９から図１２を参照して説明する。ここに図９から図１２は、本実施形態に係る液晶装置の製造プロセスの各工程を順に示す工程図であり、各図における（ａ）から(ｄ)はそれぞれ、図５から図８に示した断面図に対応して示してある。尚、以下では、本実施形態に係る液晶装置のコンタクトホールを形成する工程について主に説明することとする。

先ず、図９に示す工程において、画像表示領域１０ａにおいて、ＴＦＴアレイ基板１０上に下側遮光膜１１ａから層間絶縁膜４１までの各層構造を形成する（図９（ａ）参照）。この際、下側遮光膜１１ａは、画像表示領域１０ａにおいて格子状に設けられた部分から周辺領域へ延びるように形成される（図９（ｃ）参照）。走査線３ａ（ゲート電極３ｂを含む）は、画像表示領域１０ａにおいてＸ方向に沿って延びる部分（図４参照）から周辺領域へ延びるように形成される（図９（ｂ）参照）。下地絶縁膜１２及び層間絶縁膜４１は、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成される（図９（ａ）から図９（ｄ）参照)。ＴＦＴ３０は、走査線３ａ及び後に形成されるデータ線６ａの交差に対応する領域に形成される。尚、各工程には、通常の半導体集積化技術を用いることができる。また、層間絶縁膜４１の形成後、その表面を、ＣＭＰ処理等によって平坦化しておいてもよい。

続いて、画像表示領域１０ａにおける層間絶縁膜４１の表面の所定位置に第１のエッチング処理を施し、高濃度ドレイン領域１ｅに達する深さのコンタクトホール８３を開孔する（図９参照）。

次に、図１０に示す工程において、所定のパターンで下部容量電極７１、絶縁膜６１、誘電体膜７５及び上部容量電極３００ａを順に積層して蓄積容量７０を形成する（図１０（ａ）参照）。この際、上部容量電極３００ａは容量配線３００の一部として形成される。容量配線３００は、画像表示領域１０ａにおいてＸ方向に沿って延びる部分（図４参照）から周辺領域へ延びるように形成される（図１０（ｄ）参照）。続いて、層間絶縁膜４２をＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成する（図１０（ａ）から図１０（ｄ）参照）。

続いて、画像表示領域１０ａ及び周辺領域における層間絶縁膜４２の表面の所定位置に第２のエッチング処理を施す。これにより、画像表示領域１０ａにおいて、下部容量電極７１に達する深さのコンタクトホール８４を開孔する（図１０（ａ）参照）と共に、周辺領域において、開孔部８１１（図１０（ｃ）参照）及びコンタクトホール８１４（図１０（ｄ）参照）を開孔する。ここで、開孔部８１１及びコンタクトホール８１４は、第２のエッチング処理によってコンタクトホール８４と同一機会に形成されるので、開孔部８１１は、コンタクトホール８４と同程度の深さを有するように形成され、コンタクトホール８１４は、容量配線３００に達するように形成される。

次に、図１１に示す工程において、画像表示領域１０ａ及び周辺領域における層間絶縁膜４２の表面の所定位置、及び上述した開孔部８１１の内部の所定位置の各々に第３のエッチング処理を施す。これにより、画像表示領域１０ａにおいて、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄに達する深さのコンタクトホール８１を開孔する(図１１（ａ）参照）と共に、周辺領域において、コンタクトホール８１３（図１１（ｂ）参照）及び開孔部８１２（図１１（ｃ）参照）を開孔する。ここで、コンタクトホール８１３及び開孔部８１２は、第３のエッチング処理と同一機会に形成されるので、コンタクトホール８１３は、走査線３ａに達するように形成され、開孔部８１２は、下側遮光膜１１ａに達するように形成される。

本実施形態では、第３のエッチング処理によって開孔部８１１の内部に開孔部８１２が形成されることにより、層間絶縁膜４２、絶縁膜６１、層間絶縁膜４１、絶縁膜２ａ及び下地絶縁膜１２を貫通して開孔されたコンタクトホール８１０が形成される。言い換えれば、コンタクトホール８４を形成するための第２のエッチング処理によって開孔部８１１を形成すると共に、コンタクトホール８１を形成するための第３のエッチング処理によって開孔部８１２を形成することによって、コンタクトホール８１０が形成される。よって、コンタクトホール８４及び８１よりも深いコンタクトホール８１０を形成するために、第２及び第３のエッチング処理とは別のエッチング処理を施す必要がない。従って、コンタクトホールを形成する工程を低減することができる。この結果、製造プロセスの単純化、歩留まりの向上を実現可能である。

次に、図１２に示す工程において、所定パターンで例えばＡｌを含む金属膜を積層し、画像表示領域１０ａにおいて、データ線６ａ及び中継層９３を形成し（図１２（ａ）参照）、周辺領域において、出力線９２０、定電位配線９１０及び９３０を形成する（図１２（ｂ）から（ｄ）参照）。この際、データ線６ａは、コンタクトホール８１を介して半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄに接続される。中継層９３は、コンタクトホール８４を介して下部容量電極７１に接続される。出力線９２０は、コンタクトホール８１３を介して走査線３ａに接続される。定電位配線９１０は、コンタクトホール８１０を介して下側遮光膜１１ａに接続される。定電位配線９３０は、コンタクトホール８１４を介して容量配線３００に接続される。続いて、層間絶縁膜４３をＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成する（図１２（ａ）から図１２（ｄ）参照）。

続いて、画像表示領域１０ａにおける層間絶縁膜４３の表面の所定位置に第４のエッチング処理を施す。これにより、画像表示領域１０ａにおいて、中継層９３に達する深さのコンタクトホール８５を開孔する（図１２（ａ）参照）。続いて、所定パターンでＩＴＯ等の透明導電膜を積層し、画像表示領域１０ａにおいて、画素電極９ａを形成する。この際、画素電極９ａは、コンタクトホール８５を介して下部容量電極７１に接続される。

以上説明した液晶装置の製造方法によれば、４つのエッチング処理（即ち、コンタクトホール８３を形成するための第１のエッチング処理、コンタクトホール８４等を形成するための第２のエッチング処理、コンタクトホール８１等を形成するための第３のエッチング処理、及びコンタクトホール８５を形成するための第４のエッチング処理）によって、ＴＦＴアレイ基板１０上の７つの導電層（即ち、下側遮光膜１１ａを含む第１層、半導体層１ａを含む第２層、走査線３ａ（ゲート電極３ｂを含む）を含む第３層、下部容量電極７１を含む第４層、上部容量電極３００ａ（言い換えれば、容量配線３００）を含む第５層、データ線６ａを含む第６層及び画素電極９ａを含む第７層）を互いに接続するためのコンタクトホールを形成することができる。言い換えれば、本実施形態の液晶装置は、上述したように、下側遮光膜１１ａ、半導体層１ａ、走査線３ａ（ゲート電極３ｂを含む）、下部容量電極７１及び上部容量電極３００ａ（言い換えれば、容量配線３００）及び画素電極９ａの各々が、データ線６ａ、中継層９３及び出力線９２、定電位配線９１０及び９３０のいずれかとコンタクトホールを介して電気的に接続される構成であるために、上述した如き液晶装置の製造方法を採ることができる。よって、本実施形態に係る液晶装置１００によれば、コンタクトホールを形成する工程を低減することができる。従って、製造プロセスの単純化、歩留まりの向上を実現可能であり、信頼性の高い液晶装置を提供することができる。尚、製造プロセスの単純化、歩留まりの向上は、製造コストの低減にもつながる。
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図１３は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。

図１３に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

尚、図１３を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。 図１のＨ−Ｈ´線断面図である。 第１実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の等価回路図である。 相隣接する複数の画素部の平面図である。 図４のＡ−Ａ´線断面図である。 走査線と走査線駆動回路の出力線との接続を示す断面図である。 下側遮光膜と周辺領域に設けられた定電位配線との接続を示す断面図である。 容量配線と周辺領域に設けられた定電位配線との接続を示す断面図である。 第１実施形態に係る液晶装置の製造プロセスの各工程を順に示す工程図（その１）である。 第１実施形態に係る液晶装置の製造プロセスの各工程を順に示す工程図（その２）である。 第１実施形態に係る液晶装置の製造プロセスの各工程を順に示す工程図（その３）である。 第１実施形態に係る液晶装置の製造プロセスの各工程を順に示す工程図（その４）である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。

符号の説明

１ａ…半導体層、２、２ａ、２ｂ…ゲート絶縁膜、３ａ…走査線、３ｂ…ゲート電極、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、７…サンプリング回路、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１ａ…下側遮光膜、１２…下地絶縁膜、２０…対向基板、２１…対向電極、２３…遮光膜、３０…ＴＦＴ、４１、４２、４３…層間絶縁膜、５０…液晶層、５２…シール材、５３…額縁遮光膜、６１…絶縁膜、７０…蓄積容量、７１…下部容量電極、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０４…走査線駆動回路、１０６…上下導通端子、１０７…上下導通材、３００ａ…上部容量電極、３００…容量配線、８１０、８１３…コンタクトホール、８１１、８１２…開孔部、９１０、９３０…定電位配線、９２０…出力線

Claims (6)

1. 基板上に、
   複数の画素電極と、
   前記複数の画素電極を駆動するための一の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部を夫々構成すると共に、互いに同一の導電膜から形成された複数の第１導電部と、
   前記複数の画素電極を駆動するための他の配線、電極又は電子素子の少なくとも一部を夫々構成すると共に、前記複数の第１導電部と絶縁膜を介して異なる層に夫々配置された複数の導電膜から夫々形成された複数の第２導電部と
   を備え、
   前記複数の第２導電部は夫々、前記複数の第１導電部の少なくともいずれかと前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続される
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記複数の画素電極と前記複数の第１導電部とは絶縁膜を介して互いに異なる層に配置されると共に該絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して互いに電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記複数の第１導電部は、互いに同一の金属膜から形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記基板上に、
   前記第２導電部として、
   前記画素電極と電気的に接続された蓄積容量を構成する一対の画素電位側電極及び固定電位側電極と、
   前記蓄積容量よりも下層側に設けられており、前記画素電極と電気的に接続された薄膜トランジスタを構成する半導体層と、
   前記半導体層よりも上層側に設けられており、前記薄膜トランジスタのゲート電極を含む走査線と、
   前記半導体層よりも下層側に設けられており、画素毎の開口領域を規定する下側遮光膜と、
   前記第１導電部として、
   前記蓄積容量よりも上層側に設けられており、前記複数の画素電極に画像信号を供給するデータ線と、
   前記画素電極と前記画素電位側電極とを電気的に中継接続する中継層と、
   前記複数の画素電極が設けられた表示領域の周辺に位置する周辺領域に配線された周辺配線と
   を備えたことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
5. 前記固定電位側電極は、金属膜から形成され、
   前記画素電位側電極は、前記固定電位側電極よりも誘電体膜を介して下層側に設けられており、半導体膜から形成される
   ことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
6. 請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなる電子機器。

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