JP2009058717A - 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】液晶装置等の電気光学装置において、電蝕の発生を防止すると共に発熱を抑制する。
【解決手段】電気光学装置は、基板(10)上に、複数の画素電極(9a)と、画素電極の下地として配置された絶縁膜(43)と、絶縁膜に開孔されたコンタクトホール(85)を介して画素電極に電気的に接続された第1導電膜(93)とを備える。更に、画素電極より下層側且つ絶縁膜より上層側に、基板上で平面的に見て、コンタクトホールに重なるように島状に形成された第2導電膜(410)とを備える。
【選択図】図7
【解決手段】電気光学装置は、基板(10)上に、複数の画素電極(9a)と、画素電極の下地として配置された絶縁膜(43)と、絶縁膜に開孔されたコンタクトホール(85)を介して画素電極に電気的に接続された第1導電膜(93)とを備える。更に、画素電極より下層側且つ絶縁膜より上層側に、基板上で平面的に見て、コンタクトホールに重なるように島状に形成された第2導電膜(410)とを備える。
【選択図】図7
Description
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置及びその製造方法、並びに該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
この種の電気光学装置では、基板上に、画素電極と、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用素子としてのTFT(Thin Film Transistor)とを備え、アクティブマトリクス駆動可能に構成される。そして、基板上には、これら走査線やデータ線、TFT等を夫々構成する導電膜や半導体膜等の各種機能膜が積層された積層構造が、各画素に形成される。この積層構造における例えば最上層に画素電極が配置される。
画素電極は、典型的にはITO(Indium Tin Oxide)膜からなり、層間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して、下層側に配置された例えばアルミニウムからなる導電膜と電気的に接続される。ここで、例えばITO膜からなる画素電極と、例えばアルミニウムからなる導電膜とがコンタクトホール介して直接に接続されると、製造プロセスにおける画素電極をパターニングする工程において用いられるアルカリ性の剥離液によって画素電極と導電膜との間に電流が流れてしまい、例えばITO膜からなる画素電極が黒ずんでしまうなどの電蝕が生じてしまうおそれがある。
そこで、例えば特許文献1では、積層構造における画素電極と導電膜との間に例えば窒化チタンからなる電蝕防止膜を設けることで、上述したような電蝕を防止する技術が開示されている。更に、特許文献1では、このような例えば窒化チタンからなる電蝕防止膜を、導電膜上における画素電極と該導電膜とを接続するためのコンタクトホールが形成される領域のみに設けることで、例えば窒化チタンからなる電蝕防止膜の光吸収率が高いことに起因する発熱を抑制する技術が開示されている。
しかしながら、上述した特許文献1に開示された技術によれば、例えば窒化チタンからなる電蝕防止膜を、例えばアルミニウムからなる導電膜上で例えばエッチング処理を施すことによりパターニングする必要がある。この際、エッチング処理における電蝕防止膜と導電膜とのエッチング選択比が低い場合には、フッ化炭素と酸素の混合ガスなどを使用して、エッチング選択比を高くする必要がある。しかし、前記フッ化炭素と酸素の混合ガスなどを使用すると、電蝕防止膜に対して等方的なエッチング処理が施されることになり、電蝕防止膜を精度良くパターニングすることが困難になってしまうおそれがある。このため、電蝕防止膜に対して不要なエッチングが施されることで画素電極と導電膜とが直接に接続される部分が形成されてしまい、上述したような電蝕が生じてしまうおそれがあるという技術的問題点がある。
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、電蝕の発生を防止できると共に発熱を抑制でき、高品質な表示を行うことが可能な電気光学装置及びその製造方法、並びにそのような電気光学装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、複数の画素電極と、該画素電極の下地として配置された絶縁膜と、該絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して前記画素電極に電気的に接続された第1導電膜と、前記画素電極より下層側且つ前記絶縁膜より上層側に、前記基板上で平面的に見て、前記コンタクトホールに重なるように島状に形成された第2導電膜とを備える。
本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、例えば、画素電極に画像信号が供給されることにより、例えば表示素子である液晶素子は供給された画像信号に基づいて表示領域(即ち、複数の画素電極が配列された画素領域)において画像表示を行うことが可能である。
複数の画素電極は、例えばITO膜等の透明導電膜からなる。
第1導電膜は、複数の画素電極よりも絶縁膜を介して下層側に配置されると共に該絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して、複数の画素電極に電気的に接続されており、複数の画素電極を駆動するための一の配線、電極の一部或いは全部として設けられている。即ち、第1導電膜は、例えば、複数の画素電極に、該複数の画素電極をスイッチング制御するためのTFTを介して電気的に接続されたデータ線若しくは走査線、或いは、画素電極に電気的に接続された蓄積容量を構成する容量電極として形成される。
本発明では特に、第2導電膜が、画素電極より下層側且つ絶縁膜より上層側に、基板上で平面的に見て、コンタクトホールに重なるように島状に形成されている。よって、画素電極と第1導電膜とは、互いに直接に接続(或いは接触)されることなく、第2導電膜を介して電気的に接続される。即ち、コンタクトホール内において、画素電極と第2導電膜とが直接に接続されると共に第2導電膜と第1導電膜とが直接に接続されることにより、画素電極と第1導電膜とが電気的に接続される。従って、画素電極と第1導電膜とが直接に接続されることによる電蝕の発生を第2導電膜によって低減或いは防止できる。即ち、第2導電膜は、画素電極及び第1導電膜間における電蝕の発生を低減或いは防止する電蝕防止膜として機能することができる。
更に、第2導電膜は、コンタクトホールに重なるように島状に形成されているので、仮に、第1導電膜の全部に重なるように形成した場合と比較して、第2導電膜に光が入射することによる発熱を抑制できる。
加えて、第2導電膜は、画素電極より下層側且つ絶縁膜より上層側に形成されるので、製造プロセスにおいて、第2導電膜を、絶縁膜上で例えばエッチング処理を施すことによりパターニングする際、第2導電膜に対して不要なエッチング処理が施されることで画素電極と第1導電膜とが直接に接続される部分が形成されてしまい、画素電極及び第1導電膜間における電蝕が発生してしまうのを低減或いは防止できる。
ここで、仮に、第2導電膜が絶縁膜より下層側に形成され、製造プロセスにおいて、コンタクトホールが、第2導電膜が形成された後に、絶縁膜に例えばエッチング処理が施されることにより開孔される場合には、第2導電膜に対してオーバーエッチングが施されオーバーエッチングが第1導電膜に到達するのを防ぐために、第2導電膜の膜厚は比較的大きくする必要がある。
しかるに本発明では特に、第2導電膜は、画素電極より下層側且つ絶縁膜より上層側に形成されるので、製造プロセスにおいて、画素電極と第1導電膜とを電気的に接続するためのコンタクトホールは、第2導電膜が形成される前に、絶縁膜に例えばエッチング処理が施されることにより開孔されることになる。よって、仮に、第2導電膜が絶縁膜より下層側に形成される場合と比較して、第2導電膜の膜厚を小さくすることができ、第2導電膜に光が入射することによる発熱をより一層確実に抑制できる。
以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、画素電極及び第1導電膜間における電蝕の発生を防止できると共に第2導電膜に光が入射することによる発熱を抑制できる。この結果、高品質な表示を行うことが可能となる。
本発明の電気光学装置の一態様では、前記第2導電膜は、タングステン、タングステンシリコン、窒化チタン及びチタンのうち少なくとも一つを含んでなる。
この態様によれば、第2導電膜は、画素電極及び第1導電膜間における電蝕の発生を低減或いは防止する電蝕防止膜としてより一層確実に機能することができる。
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画素電極は、ITO膜からなり、前記第1導電膜は、アルミニウムを含んでなる。
この態様によれば、ITO膜からなる画素電極をパターニングする工程において用いられるアルカリ性の剥離液による、ITO膜からなる画素電極とアルミニウムを含んでなる第1導電膜との間における電蝕の発生を低減或いは防止できる。
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第2導電膜は、前記コンタクトホールの内表面に形成された本体部と該本体部から前記コンタクトホール外に延在する延在部とを有する。
この態様によれば、製造プロセスにおいて、第2導電膜の本体部に対して不要なエッチング処理が施されることで画素電極と第1導電膜とが直接に接続される部分が形成されてしまうことを低減或いは防止できる。よって、画素電極及び第1導電膜間における電蝕の発生を確実に低減或いは防止できる。
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置(但し、その各種態様も含む)を具備する。
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置(Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display)、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に第1導電膜を形成する工程と、前記第1導電膜の上層側に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に前記第1導電膜に至るコンタクトホールを開孔する工程と、前記絶縁膜より上層側に、前記基板上で平面的に見て、前記コンタクトホールに重なるように島状に、第2導電膜を形成する工程と、前記第2導電膜より上層側に、前記第1導電膜と前記コンタクトホールを介して電気的に接続されるように、複数の画素電極を形成する工程とを含む。
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、上述した本発明の電気光学装置を製造することができる。ここで特に、絶縁膜より上層側に、基板上で平面的に見て、絶縁膜に開孔されたコンタクトホールに重なるように島状に、第2導電膜を形成するので、画素電極及び第1導電膜間における電蝕の発生を防止できると共に第2導電膜に光が入射することによる発熱を抑制できる。更に、第2導電膜を容易に精度良くパターニングすることが可能となる。
尚、本発明の電気光学装置の製造方法では、複数の液晶装置を形成できるマザー基板(大型の基板)に対して複数の電気光学装置分の配線パターンや各種電子素子を形成するなど、製造工程の途中までは、大型のマザー基板のままで処理を行い、その後、マザー基板を個々の基板に切断、分割するようにしてもよい。このようなマザー基板を用いる場合、本発明の電気光学装置の製造方法によれば、例えば、マザー基板における中央部分と、マザー基板における縁寄りの部分とで、第2導電膜を殆ど或いは完全に均一に形成することができる。即ち、マザー基板上に第2導電膜を精度良くパターニングすることができる(言い換えれば、複数の第2導電膜のパターンのばらつきを低減できる)。
本発明の電気光学装置の製造方法の一態様では、前記第2導電膜を形成する工程は、前記第2導電膜の前駆膜を前記絶縁膜上に形成した後に、前記前駆膜のうち前記コンタクトホールに重なる部分を除く他の部分の少なくとも一部に対してエッチング処理を施すことにより、前記第2導電膜を形成する。
この態様によれば、第2導電膜となる、窒化チタン膜である前駆膜を、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)法、プラズマCVD法等により絶縁膜上の全面に形成する。その後に、この前駆膜のうちコンタクトホールに重なる部分を除く他の部分の少なくとも一部を、フォトリソグラフィ法及びエッチング法を用いたエッチング処理により除去することで第2導電膜を形成する。よって、上述した本発明の電気光学装置を比較的簡単に製造できる。
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
以下図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器の実施形態を説明する。尚、本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のTFTアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。
<第1実施形態>
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図1及び図2を参照して説明する。ここに図1は、TFTアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置の平面図であり、図2は、図1のH−H’線断面図である。
<第1実施形態>
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図1及び図2を参照して説明する。ここに図1は、TFTアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置の平面図であり、図2は、図1のH−H’線断面図である。
図1及び図2において、本実施形態に係る液晶装置では、TFTアレイ基板10と対向基板20とが対向配置されている。TFTアレイ基板10は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板である。対向基板20も、TFTアレイ基板10と同様に、透明基板である。TFTアレイ基板10と対向基板20との間に液晶層50が封入されている。TFTアレイ基板10と対向基板20とは、複数の画素電極が設けられた画像表示領域10aの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材52により相互に接着されている。
シール材52は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてTFTアレイ基板10上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材52中には、TFTアレイ基板10と対向基板20との間隔(即ち、基板間ギャップ)を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。本実施形態に係る液晶装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。
シール材52が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域10aの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜53が、対向基板20側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜53の一部又は全部は、TFTアレイ基板10側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
周辺領域のうち、シール材52が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路101及び外部回路接続端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路104は、この一辺に隣接する2辺に沿い、且つ、額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域10aの両側に設けられた二つの走査線駆動回路104間をつなぐため、TFTアレイ基板10の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜53に覆われるようにして複数の配線105が設けられている。
TFTアレイ基板10上には、対向基板20の4つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材107で接続するための上下導通端子106が配置されている。これらにより、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的な導通をとることができる。
図2において、TFTアレイ基板10上には、画素スイッチング用のTFTや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極9a上に、配向膜が形成されている。画素電極9aは、ITO膜からなり、配向膜は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。他方、対向基板20上には、格子状又はストライプ状の遮光膜23が形成された後に、その全面に亘って対向電極21が設けられており、更には最上層部分に配向膜が形成されている。対向電極21は、ITO膜からなり、配向膜は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。このように構成され、画素電極9aと対向電極21とが対面するように配置されたTFTアレイ基板10と対向基板20との間には、液晶層50が形成されている。液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で所定の配向状態をとる。
尚、図1及び図2に示したTFTアレイ基板10上には、これらのデータ線駆動回路101、走査線駆動回路104等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の電気的な構成について、図3を参照して説明する。ここに図3は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
図3において、画像表示領域10aを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の各々には、画素電極9a及びTFT30が形成されている。TFT30は、画素電極9aに電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置の動作時に画素電極9aをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線6aは、TFT30のソースに電気的に接続されている。データ線6aに書き込む画像信号S1、S2、・・・、Snは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線6a同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
TFT30のゲートに走査線3aが電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置は、所定のタイミングで、走査線3aにパルス的に走査信号G1、G2、・・・、Gmを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極9aは、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線6aから供給される画像信号S1、S2、・・・、Snが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極9aを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、・・・、Snは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
液晶層50(図2参照)を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極9aと対向電極21(図2参照)との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量70が付加されている。蓄積容量70は、画像信号の供給に応じて各画素電極9aの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量70の一方の電極は、画素電極9aと並列してTFT30のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線300に接続されている。蓄積容量70によれば、画素電極9aにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。
次に、上述の動作を実現する画素部の具体的な構成について、図4及び図5を参照して説明する。ここに図4は、相隣接する複数の画素部の平面図である。図5は、図4のA−A’線断面図である。尚、図4及び図5では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。図4及び図5では、説明の便宜上、画素電極9aより上側に位置する部分の図示を省略している。
図4において、画素電極9aは、TFTアレイ基板10上に、マトリクス状に複数設けられている。画素電極9aの縦横の境界にそれぞれ沿ってデータ線6a及び走査線3aが設けられている。即ち、走査線3aは、X方向に沿って延びており、データ線6aは、走査線3aと交差するように、Y方向に沿って延びている。走査線3a及びデータ線6aが互いに交差する個所の各々には画素スイッチング用のTFT30が設けられている。
走査線3a、データ線6a、蓄積容量70、下側遮光膜11a、中継層93及びTFT30は、TFTアレイ基板10上で平面的に見て、画素電極9aに対応する各画素の開口領域(即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過又は反射される領域)を囲む非開口領域内に配置されている。即ち、これらの走査線3a、データ線6a、蓄積容量70、中継層93、下側遮光膜11a及びTFT30は、表示の妨げとならないように、各画素の開口領域ではなく、非開口領域内に配置されている。尚、中継層93は、本発明に係る「第1導電膜」の一例である。
図4及び図5において、TFT30は、半導体層1aと、走査線3aの一部として形成されたゲート電極3bとを含んで構成されている。
半導体層1aは、例えばポリシリコンからなり、Y方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域1a’、データ線側LDD領域1b及び画素電極側LDD領域1c並びにデータ線側ソースドレイン領域1d及び画素電極側ソースドレイン領域1eからなる。即ち、TFT30はLDD構造を有している。
データ線側ソースドレイン領域1d及び画素電極側ソースドレイン領域1eは、チャネル領域1a’を基準として、Y方向に沿ってほぼミラー対称に形成されている。データ線側LDD領域1bは、チャネル領域1a’及びデータ線側ソースドレイン領域1d間に形成されている。画素電極側LDD領域1cは、チャネル領域1a’及び画素電極側ソースドレイン領域1e間に形成されている。データ線側LDD領域1b、画素電極側LDD領域1c、データ線側ソースドレイン領域1d及び画素電極側ソースドレイン領域1eは、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって半導体層1aに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。データ線側LDD領域1b及び画素電極側LDD領域1cはそれぞれ、データ線側ソースドレイン領域1d及び画素電極側ソースドレイン領域1eよりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成されている。このような不純物領域によれば、TFT30の非動作時において、ソース領域及びドレイン領域間に流れるオフ電流を低減し、且つTFT30の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。尚、TFT30は、LDD構造を有することが好ましいが、データ線側LDD領域1b、画素電極側LDD領域1cに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極をマスクとして不純物を高濃度に打ち込んでデータ線側ソースドレイン領域及び画素電極側ソースドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。
図4及び図5において、ゲート電極3bは、走査線3aの一部として形成されており、例えば導電性ポリシリコンから形成されている。走査線3aは、X方向に沿って延びるように形成されている。走査線3aのうちチャネル領域1a’と重なる部分がゲート電極3bとして機能する。ゲート電極3b及び半導体層1a間は、ゲート絶縁膜2(具体的には絶縁膜2a及び2b)によって絶縁されている。
図4及び図5において、TFTアレイ基板10上のTFT30よりも下地絶縁膜12を介して下層側には、下側遮光膜11aが格子状に設けられている。下側遮光膜11aは、例えば、Ti(チタン)、Cr(クロム)、W(タングステン)、Ta(タンタル)、Mo(モリブデン)、Pd(パラジウム)等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等の遮光性材料からなる。下側遮光膜11aは、TFTアレイ基板10における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などである、TFTアレイ基板10側から装置内に入射する戻り光からTFT30のチャネル領域1a’及びその周辺を遮光する。
図5において、下地絶縁膜12は、下側遮光膜11aからTFT30を層間絶縁する機能の他、TFTアレイ基板10の全面に形成されることにより、TFTアレイ基板10の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用TFT30の特性の劣化を防止する機能を有する。
図5において、TFTアレイ基板10上のTFT30よりも第1層間絶縁膜41を介して上層側には、蓄積容量70が設けられている。
蓄積容量70は、下部容量電極71と上部容量電極300aが誘電体膜75を介して対向配置されることにより形成されている。
上部容量電極300aは、容量線300の一部として形成されている。容量線300は、画素電極9aが配置された画像表示領域10aからその周囲に延設されている。上部容量電極300aは、容量線300を介して定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持された固定電位側容量電極である。上部容量電極300aは、例えばAl(アルミニウム)、Ag(銀)等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されており、TFT30を遮光する上側遮光膜(内蔵遮光膜)としても機能する。例えば、Ti、Cr、W、Ta、Mo、Pd等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から構成されていてもよい。この場合には、上部容量電極300aの内臓遮光膜としての機能を高めることができる。
下部容量電極71は、TFT30の画素電極側ソースドレイン領域1e及び画素電極9aに電気的に接続された画素電位側容量電極である。より具体的には、下部容量電極71は、コンタクトホール83を介して画素電極側ソースドレイン領域1eと電気的に接続されると共に、コンタクトホール84を介して中継層93に電気的に接続されている。更に、中継層93は、コンタクトホール85を介して画素電極9aに電気的に接続されている。即ち、下部容量電極71は、中継層93と共に画素電極側ソースドレイン領域1e及び画素電極9a間の電気的な接続を中継する。
尚、図6及び図7を参照して後に詳細に説明するが、TFTアレイ基板10上の積層構造における画素電極9aと中継層93との間には、本発明に係る「第2導電膜」の一例としての導電膜410が形成されており、画素電極9aと中継層93とは導電膜410を介して電気的に接続されるように構成されている。図4では、説明の便宜上、導電膜410の図示を省略してある。
下部容量電極71は、導電性のポリシリコンから形成されている。よって、蓄積容量70は、所謂MIS構造を有している。尚、下部容量電極71は、画素電位側容量電極としての機能の他、上側遮光膜としての上部容量電極300aとTFT30との間に配置される、光吸収層或いは遮光膜としての機能も有する。
尚、蓄積容量70は、所謂MIS構造を有しているものに限定されない。例えば、上部容量電極300aを導電性のポリシリコンから形成してもよい。
誘電体膜75は、例えばHTO(High Temperature Oxide)膜、LTO(Low Temperature Oxide)膜等の酸化シリコン(SiO2)膜、或いは窒化シリコン(SiN)膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。尚、誘電体膜75は、例えばアルミナやハフニア等の絶縁性を有する金属酸化物等から構成された単層構造、或いは多層構造を有していてもよい。
尚、下部容量電極71を、上部容量電極300aと同様に金属膜から形成してもよい。即ち、蓄積容量70を、金属膜−誘電体膜(絶縁膜)−金属膜の3層構造を有する、所謂MIM構造を有するように形成してもよい。この場合には、導電性のポリシリコン等を用いて下部容量電極71を構成する場合に比べて、液晶装置の駆動時に、当該液晶装置全体で消費される消費電力を低減でき、且つ各画素部における素子の高速動作が可能になる。
図5において、TFTアレイ基板10上の蓄積容量70よりも第2層間絶縁膜42を介して上層側には、データ線6a及び中継層93が設けられている。層間絶縁膜41及び42間には、部分的に絶縁膜49が介在している。
データ線6aは、半導体層1aのデータ線側ソースドレイン領域1dに、第1層間絶縁膜41、絶縁膜49及び第2層間絶縁膜42を貫通するコンタクトホール81を介して電気的に接続されている。データ線6a及びコンタクトホール81内部は、例えば、Al−Si−Cu、Al−Cu等のAl含有材料で構成される薄膜から形成されている。データ線6aは、TFT30を遮光する機能も有している。
中継層93は、第2層間絶縁膜42上においてデータ線6aと同一膜(即ち、Al含有材料で構成される薄膜)から形成されている。データ線6a及び中継層93は、Al含有材料で構成される薄膜を第2層間絶縁膜42上に薄膜形成法を用いて形成しておき、当該薄膜を部分的に除去、即ちパターニングすることによって相互に離間させた状態で形成される。従って、データ線6a及び中継層93を同一工程で形成できるため、装置の製造プロセスを簡便にできる。
図5において、画素電極9aは、データ線6aよりも第3層間絶縁膜43を介して上層側に形成されている。画素電極9aは、下部容量電極71、コンタクトホール83、84及び85並びに中継層93を介して半導体層1aの画素電極側ソースドレイン領域1eに電気的に接続されている。コンタクトホール85は、第3層間絶縁層43を貫通するように形成されており、その内表面に導電膜410が形成されている。画素電極9aの一部は、コンタクトホール85に重なるように形成されており、導電膜410を介して中継層93に電気的に接続されている。画素電極9aの上側表面には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。
以上に説明した画素部の構成は、図4に示すように、各画素部に共通である。画像表示領域10a(図1参照)には、かかる画素部が周期的に形成されている。
次に、上述した画素部のうち、画素電極と中継層との電気的な接続に関する構成について、図6及び図7を参照して詳細に説明する。ここに図6は、図4に示した画素電極及び中継層を拡大して示す拡大図であり、図7は、図6のB−B’線断面図である。尚、図6では、図5に示した各構成要素のうち、画素電極9aと中継層93との電気的な接続に関係する構成要素以外の構成要素については、適宜図示を省略している。図7では、第2層間絶縁膜42より下層側の構成要素については図示を省略している。
図6及び図7において、中継層93は、第2層間絶縁膜42上に、Al含有材料で構成される薄膜から形成されている。画素電極9aは、中継層93よりも第3層間絶縁膜43を介して上層側に形成されている。画素電極9aは、第3層間絶縁膜43に開孔されたコンタクトホール85を介して中継層93に電気的に接続されている。
図6及び図7において、本実施形態では特に、画素電極9aより下層側且つ第3層間絶縁膜43より上層側に、TFTアレイ基板10上で平面的に見て、コンタクトホール85に重なるように島状に形成された導電膜410を備えている。導電膜410は、TiN(窒化チタン)膜から形成されている。導電膜410は、コンタクトホール85の内表面に形成された本体部411とこの本体部411からコンタクトホール85外に延在する延在部412とを有している。尚、導電膜410は、TiN膜に限らず、W(タングステン)膜、WSi(タングステンシリコン)膜又はTi(チタン)膜から単層膜として形成されてもよいし、TiN膜、W膜、WSi膜及びTi膜のうち少なくとも一の膜を含んでなる多層膜として形成されてもよい。
よって、画素電極9aと中継層93とは、互いに直接に接続されることなく、導電膜410を介して電気的に接続されている。即ち、画素電極9aと導電膜410とが直接に接続されると共に導電膜410と中継層93とが直接に接続されることにより、画素電極9aと中継層93とが電気的に接続されている。従って、ITO膜からなる画素電極9aとAl含有材料で構成される薄膜からなる中継層93とが直接に接続されることによる電蝕の発生を、TiN膜から形成された導電膜410によって防止できる。即ち、導電膜410は、画素電極9a及び中継層93間における電蝕の発生を防止する電蝕防止膜として機能することができる。
更に、図6に示すように、本実施形態では特に、導電膜410は、TFTアレイ基板10上で平面的に見て、コンタクトホール85に重なるように島状に形成されているので、仮に、例えば、TiN膜が中継層93の全部に重なるように形成された場合(言い換えれば、中継層93が、Al含有材料からなる層上にTiNからなる層が形成された多層構造を有する場合)と比較して、TiN膜からなる導電膜410に光が入射することによる発熱を抑制できる。
加えて、図7に示すように、本実施形態では特に、導電膜410は、画素電極9aより下層側且つ第3層間絶縁膜43より上層側に形成されている。よって、製造プロセスにおいて、導電膜410を、第3層間絶縁膜43上でエッチング処理を施すことによりパターニングする際、中継層93に対して不要なエッチング処理が施されることで画素電極9aと中継層93とが直接に接続される部分が形成されてしまい、画素電極9a及び中継層93間における電蝕が発生してしまうのを低減或いは防止できる。
図8は、比較例における図7と同趣旨の断面図である。尚、比較例に係る液晶装置は、本実施形態における導電膜410に代えて導電膜490を備える点で、本実施形態に係る液晶装置と異なり、他の点については、本実施形態に係る液晶装置と概ね同様に構成されている。
仮に、図8に比較例として示すように、電蝕防止膜として機能するTiN膜からなる導電膜490が、第3層間絶縁膜43より下層側であって中継層93上に、コンタクトホール85に重なるように島状に形成される場合には、製造プロセスにおいて、コンタクトホール85は、導電膜490が形成された後に、第3層間絶縁膜43に対してエッチング処理が施されることにより開孔されることになる。このため、導電膜490に対してオーバーエッチングが施されオーバーエッチングが中継層93に到達するのを防ぐために、導電膜490の膜厚は比較的大きくする必要がある。
しかるに本実施形態では特に、TiN膜からなる導電膜410は、画素電極9aより下層側且つ第3層間絶縁膜43より上層側に形成されているので、製造プロセスにおいて、コンタクトホール85は、導電膜410が形成される前に、第3層間絶縁膜43にエッチング処理が施されることにより開孔されることになる。よって、TiN膜からなる導電膜410は、図8に比較例として示したTiN膜からなる導電膜490と比較して、その膜厚を小さくすることができ、TiN膜からなる導電膜410に光が入射することによる発熱をより一層確実に抑制できる。
以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置によれば、画素電極9a及び中継層93間における電蝕の発生を防止できると共にTiN膜からなる導電膜410に光が入射することによる発熱を抑制できる。この結果、高品質な表示を行うことが可能となる。
次に、上述した本実施形態に係る液晶装置の製造方法について、図9及び図10を参照して説明する。ここに図9及び図10は、本実施形態に係る液晶装置の製造プロセスの各工程を示す工程図であり、図9は、図5に示した断面図に対応して示してあり、図10は、図7に示した断面図に対応して示してある。尚、以下では、本実施形態に係る液晶装置の導電膜410を形成する工程について主に説明することとする。
先ず、図9に示す工程において、TFTアレイ基板10上の画像表示領域10aに、例えば、Ti、Cr、W、Ta、Mo等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等を積層して、所定パターンの下側遮光膜11aを形成する。この際、下側遮光膜11aは、所定パターンとして、後に形成するTFT30と重なる部分を有するように、概ね格子状に形成される。
続いて、TFTアレイ基板10の全面に下地絶縁膜12を形成する。下地絶縁膜12は、例えば、常圧又は減圧CVD法等によりTEOS(テトラ・エチル・オルソ・シリケート)ガス、TEB(テトラ・エチル・ボートレート)ガス、TMOP(テトラ・メチル・オキシ・フォスレート)ガス等を用いて、NSG、PSG、BSG等のシリケートガラス膜、窒化膜や酸化シリコン膜等から形成される。尚、下地絶縁膜12の形成後、その表面を、CMP(Chemical Mechanical Polishing)処理等の平坦化処理を施すことにより平坦化してもよい。続いて、TFT30を、データ線6aとゲート電極としての走査線3aとの交差に対応する領域に形成する。尚、TFT30を形成する工程には、通常の半導体集積化技術を用いることができる。また、TFT30を形成する工程において、アニール処理或いはアニーリング処理等の熱処理が施され、TFT30の特性が高められる。
続いて、TFTアレイ基板10の全面に第1層間絶縁膜41を形成する。第1層間絶縁膜41は、例えば、常圧又は減圧CVD法等によりTEOSガス、TEBガス、TMOPガス等を用いて、NSG、PSG、BSG等のシリケートガラス膜、窒化膜や酸化シリコン膜等から形成される。続いて、第1層間絶縁膜41の表面の所定位置にエッチング処理を施し、画素電極側ソースドレイン領域1eに達する深さのコンタクトホール83を開孔する。
続いて、所定のパターンで導電性のポリシリコン膜を積層し、下部容量電極71を形成する。下部容量電極71は、コンタクトホール83によって画素電極側ソースドレイン領域1eとひとつながりに接続する。続いて、絶縁膜49を第1層間絶縁膜41及び下部容量電極71上に積層する。続いて、絶縁膜49上に、所定パターンのレジストを積層し、エッチング処理を施すことにより、下部容量電極71が露出するように開口を形成する。このとき、絶縁膜49が、下部容量電極71の上に乗り上げた部分を残すように形成する。このような絶縁膜49を形成することにより、絶縁膜49を形成しない場合と比較して、下部容量電極71の端面と後に形成する上部容量電極300aの端面との層間距離を増大させることができるので、下部容量電極71の端面と上部容量電極300aの端面間の意図しない電流リークの発生を防止できる。 続いて、所定パターンの誘電体膜75を、例えばSiO2膜、或いはSiN膜等から形成する。続いて、誘電体膜75上にAl膜を積層して、所定のパターンの上部容量電極300a(言い換えれば、容量線300(図4参照))を形成することで、蓄積容量70を形成する。
続いて、TFTアレイ基板10の全面に第2層間絶縁膜42を積層する。続いて、その表面の所定位置にエッチングを施し、コンタクトホール81及び84を開孔する。
続いて、第2層間絶縁膜42上に、データ線6a及び中継層93を形成する。データ線6aは、絶縁膜49、層間絶縁膜41及び42を貫通するコンタクトホール81によって、データ線側ソースドレイン領域1dとひとつながりに接続する。中継層93は、コンタクトホール84によって、下部容量電極71とひとつながりに接続する。続いて、TFTアレイ基板10の全面に第3層間絶縁膜43を積層する。続いて、その表面の所定位置にエッチングを施し、コンタクトホール85を開孔する。
次に、図10(a)に示す工程において、TFTアレイ基板10の全面に、導電膜410(図5参照)の前駆膜である導電膜410aを形成する。導電膜410aは、例えばプラズマCVD法等により、TiN膜から形成される。
次に、図10(b)に示す工程において、導電膜410a上に所定パターンのレジスト膜510を形成した後、導電膜410aに対してレジスト膜510を介して、例えばCF4(テトラフルオロメタン)及びO2(酸素)の混合ガス或いはCHF3(トリフルオロメタン)、CF4及びAr(アルゴン)の混合ガスを用いたドライエッチング等のエッチング処理(図中、下向き矢印で示している)を施す。これにより、導電膜410をコンタクトホール85毎に島状に形成する。この際、導電膜410は、コンタクトホール85の内表面に本体部411を有すると共にこの本体部411からコンタクトホール85外に延在する延在部412を有するように、形成される。ここで、延在部412は、第3層間絶縁膜43の上層側表面に位置するので、仮に、延在部412に対してその外縁から内部に向かって不要なエッチング処理が施されたとしても、導電膜410から中継層93が露出されてしまうことは殆どない。
その後、図5において、第3層間絶縁膜43の全面に例えばスパッタ処理等によってITO膜を成膜した後、エッチング処理によって、第3層間絶縁膜43の表面の所定位置に画素電極9aを形成する。画素電極9aは、コンタクトホール85によって、導電膜410を介して中継層93と電気的に接続する。
以上説明した液晶装置の製造方法によれば、上述した本実施形態に係る液晶装置を製造することができる。ここで特に、第3層間絶縁膜43より上層側に、TFTアレイ基板10上で平面的に見て、第3層間絶縁膜43に開孔されたコンタクトホール85に重なるように島状に、TiN膜からなる導電膜410を形成するので、画素電極9a及び中継層93間における電蝕の発生を防止できると共にTiN膜からなる導電膜410に光が入射することによる発熱を抑制できる。更に、TiN膜からなる導電膜410を容易に精度良くパターニングすることが可能となる。
<電子機器>
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。ここに図11は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。ここに図11は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
図11に示されるように、プロジェクタ1100内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット1102が設けられている。このランプユニット1102から射出された投射光は、ライトガイド1104内に配置された4枚のミラー1106及び2枚のダイクロイックミラー1108によってRGBの3原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル1110R、1110B及び1110Gに入射される。
液晶パネル1110R、1110B及び1110Gの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるR、G、Bの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム1112に3方向から入射される。このダイクロイックプリズム1112においては、R及びBの光が90度に屈折する一方、Gの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ1114を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
ここで、各液晶パネル1110R、1110B及び1110Gによる表示像について着目すると、液晶パネル1110Gによる表示像は、液晶パネル1110R、1110Bによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
尚、液晶パネル1110R、1110B及び1110Gには、ダイクロイックミラー1108によって、R、G、Bの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
尚、図11を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置(LCOS)、プラズマディスプレイ(PDP)、電界放出型ディスプレイ(FED、SED)、有機ELディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、電気泳動装置等にも適用可能である。
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
1a…半導体層、3a…走査線、6a…データ線、9a…画素電極、10…TFTアレイ基板、10a…画像表示領域、11a…下側遮光膜、20…対向基板、21…対向電極、23…遮光膜、30…TFT、41、42、43…層間絶縁膜、50…液晶層、52…シール材、53…額縁遮光膜、71…下部容量電極、81、83、84、85…コンタクトホール、93…中継層、101…データ線駆動回路、102…外部回路接続端子、104…走査線駆動回路、410…導電膜、411…本体部、412…延在部
Claims (7)
- 基板上に、
複数の画素電極と、
該画素電極の下地として配置された絶縁膜と、
該絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して前記画素電極に電気的に接続された第1導電膜と、
前記画素電極より下層側且つ前記絶縁膜より上層側に、前記基板上で平面的に見て、前記コンタクトホールに重なるように島状に形成された第2導電膜と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。 - 前記第2導電膜は、タングステン、タングステンシリコン、窒化チタン及びチタンのうち少なくとも一つを含んでなることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記画素電極は、ITO膜からなり、
前記第1導電膜は、アルミニウムを含んでなる
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。 - 前記第2導電膜は、前記コンタクトホールの内表面に形成された本体部と該本体部から前記コンタクトホール外に延在する延在部とを有することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の電気光学装置。
- 請求項1から4のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
- 基板上に第1導電膜を形成する工程と、
前記第1導電膜の上層側に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に前記第1導電膜に至るコンタクトホールを開孔する工程と、
前記絶縁膜より上層側に、前記基板上で平面的に見て、前記コンタクトホールに重なるように島状に、第2導電膜を形成する工程と、
前記第2導電膜より上層側に、前記第1導電膜と前記コンタクトホールを介して電気的に接続されるように、複数の画素電極を形成する工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 前記第2導電膜を形成する工程は、前記第2導電膜の前駆膜を前記絶縁膜上に形成した後に、前記前駆膜のうち前記コンタクトホールに重なる部分を除く他の部分の少なくとも一部に対してエッチング処理を施すことにより、前記第2導電膜を形成することを特徴とする請求項6に記載の電気光学装置の製造方法。
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