JP2003241210A - 液晶表示装置及びその製造方法とプロジェクタ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 コンタクト部の電気接続の信頼性を損なうこ
となく、透明画素電極の薄膜化を実現して、液晶パネル
の透過率の改善を図る。 【解決手段】 液晶表示装置は、互いに対向して配置さ
れた２枚の基板と、両基板の間隙に保持された液晶と、
一方の基板に設けられかつ配向膜で覆われた共通電極
と、他方の基板にマトリックス状に配置されかつ配向膜
で覆われた透明導電膜４ａからなる複数の画素電極４
と、各画素電極４にコンタクト部ＣＯＮを介してそれぞ
れ接続されたスイッチング素子とを有する。透明導電膜
４ａを含むコンタクト部ＣＯＮの層厚ｄｃが、透明導電
膜４ｂからなる画素電極４の開口部Ｗの層厚ｄｗよりも
大きい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置及びそ
の製造方法と、液晶表示パネルを用いたプロジェクタ装
置に関する。より詳しくは、アクティブマトリクス型の
液晶表示パネルに形成される画素電極及びその接続構造
に関する。

【０００２】

【従来の技術】図６を参照して従来の液晶表示装置の一
例を簡単に説明する。図示する様に、液晶表示装置はガ
ラスなどからなる一対の透明基板１，２を互いに接合し
たパネル構造となっている。両基板１，２の間には電気
光学物質である液晶３が保持されている。上側の対向基
板２の内表面には、透明導電膜からなる共通電極１２
と、その表面を覆う配向膜１４とが形成されている。下
側の駆動基板１には、同じく透明導電膜からなる画素電
極４と、これをスイッチング駆動するＴＦＴ（薄膜トラ
ンジスタ）とが形成されている。個々の画素電極４と対
応するＴＦＴは、コンタクト部ＣＯＮを介して接続され
ている。

【０００３】ＴＦＴは、ゲート電極５の上にゲート絶縁
膜６を介して多結晶シリコンなどからなる半導体薄膜７
を重ねた積層構造となっている。ゲート電極５は図示し
ない走査線に接続されている。半導体薄膜７は、ゲート
電極５の直上に位置するチャネル領域と、その両側で不
純物が注入されたソース領域及びドレイン領域とに分か
れている。係る構成を有するＴＦＴは層間絶縁膜９で覆
われている。この層間絶縁膜９の上にはソース電極Ｓと
ドレイン電極Ｄが形成されており、各々ＴＦＴのソース
領域とドレイン領域に電気接続されている。尚、ソース
電極Ｓは図示しない信号線に接続されている。ドレイン
電極Ｄやソース電極Ｓなどの配線及びＴＦＴの凹凸を埋
める様に、平坦化膜１０が形成されている。この平坦化
膜１０の上に前述した画素電極４が形成されている。こ
の画素電極４の表面は配向膜１１で被覆されている。画
素電極４は前述したコンタクト部ＣＯＮ及びドレイン電
極Ｄを介して、ＴＦＴのドレイン領域に電気接続されて
いる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上述した液晶表示パネ
ルは透過型であり、例えばプロジェクタ装置のライトバ
ルブに用いられる。透過型のパネルは、ガラスなどから
なる基板、ＩＴＯなどの透明導電膜からなる電極、電気
光学物質としての液晶、液晶の配向制御を行なう配向膜
などが基本的に透明である。特に、プロジェクタなどに
応用する場合、液晶パネル全体としての透過率はスクリ
ーン輝度などの関係から、なるべく高いことが好まし
い。しかしながら、上述した透明な部材を多層に重ねた
場合、層間で光が透過する際に多重干渉を起し、透過率
が低下することがある。多重干渉を抑制する為に、共通
電極や画素電極を構成する透明導電膜の厚みを可能な限
り小さくすることが有効である。又、画素電極の厚みを
小さくすることで段差が緩和され、液晶の配向制御が乱
される恐れも少なくなる。

【０００５】この様に、透明画素電極の厚みを小さくす
ることで、透過率の改善や配向不良の抑制に効果があ
る。しかしながら、透明画素電極の薄膜化を進めると、
画素電極とＴＦＴを電気的に接続するコンタクト部が断
線する懸念があり、現在の技術では画素電極を例えば７
０ｎｍ以下にすることが実現不可能であった。その為、
透過率改善の手段として、画素電極の周辺を遮光してい
るブラックマスクを可能な限り縮小化して、開口率の増
加を図っている。しかしながら、液晶パネルの小型化が
進み画素ピッチが小さくなるに連れ、開口率の増加は困
難になってきており、他の手段でパネルの透過率を向上
させることが急務となっている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上述した従来の技術の課
題に鑑み、本発明はコンタクト部の電気接続の信頼性を
損なうことなく、透明画素電極の薄膜化を実現して、液
晶パネルの透過率の改善を図ることを目的とする。係る
目的を達成するために以下の手段を講じた。即ち、互い
に対向して配置された２枚の基板と、両基板の間隙に保
持された液晶と、一方の基板に設けられかつ配向膜で覆
われた共通電極と、他方の基板にマトリクス状に配置さ
れかつ配向膜で覆われた透明導電膜からなる複数の画素
電極と、各画素電極にコンタクト部を介してそれぞれ接
続されたスイッチング素子と、前記他方の基板に各画素
電極の開口部を避けてマトリクス状に配置された走査線
および信号線とを有し、各画素電極が対応する走査線お
よび信号線に該スイッチング素子を介してそれぞれ接続
されてなる液晶表示装置において、該透明導電膜を含む
コンタクト部の層厚が、該透明導電膜からなる画素電極
の開口部の層厚よりも大きい事を特徴とする。好ましく
は、該透明導電膜からなる画素電極の開口部の層厚が７
０ｎｍより薄い。又、該透明導電膜からなる画素電極の
開口部のシート抵抗は１００ｋΩ以下である。一態様で
は、前記コンタクト部の層厚は、該画素電極の開口部と
同様に透明導電膜のみからなる。又、前記液晶は、液晶
分子長軸が両基板間でほぼ９０度連続的に捩れたネマテ
ィック液晶である。又、前記液晶は、その厚みｄと複屈
折率異方性△ｎとの積△ｎ・ｄが０．３５μｍよりも大
きく、０．５０μｍより小さい。又、前記液晶は、その
厚みが４μｍ以下である。加えて、前記画素電極の大き
さが５μｍから５０μｍである。

【０００７】本発明は上述した液晶表示装置の構造ばか
りでなく、その製造方法も包含している。即ち、互いに
対向して配置された２枚の基板と、両基板の間隙に保持
された液晶と、一方の基板に設けられかつ配向膜で覆わ
れた共通電極と、他方の基板にマトリクス状に配置され
かつ配向膜で覆われた透明導電膜からなる複数の画素電
極と、各画素電極にコンタクト部を介してそれぞれ接続
されたスイッチング素子と、前記他方の基板に各画素電
極の開口部を避けてマトリクス状に配置された走査線お
よび信号線とを有し、各画素電極が対応する走査線およ
び信号線に該スイッチング素子を介してそれぞれ接続さ
れてなる液晶表示装置の製造方法において、該透明導電
膜を含むコンタクト部の層厚を、該透明導電膜からなる
画素電極の開口部の層厚よりも大きく形成する事を特徴
とする。一態様では、該コンタクト部のみに下地の導電
膜を形成した後、該コンタクト部及び該開口部の両方に
亘って、該透明導電膜を形成する。他の態様では、該コ
ンタクト部及び該開口部の両方に亘って該透明導電膜を
形成した後、該開口部に形成された透明導電膜のみをエ
ッチング又は研磨で薄く加工する。

【０００８】本発明によれば、パネル構造の液晶表示装
置において、透明導電膜を含むコンタクト部の層厚が、
透明導電膜からなる画素電極の開口部の層厚よりも大き
い。この様に、コンタクト部の層厚を大きく取ること
で、画素電極とスイッチング素子との間の電気接続の信
頼性を確保することができる。一方、ブラックマスクな
どで囲まれた画素電極の開口部では、透明導電膜の層厚
を可能な限り小さくすることで、液晶パネルの透過率を
改善することができる。すなわち、画素電極とスイッチ
ング素子を電気接続するコンタクト部の断線を防止した
上で、画素電極の開口部の薄膜化を行ない、これにより
透過率を改善している。又、副次的に、画素電極の薄膜
化を行なうことで、段差が緩和され、これにより液晶の
配向不良を防止することが可能となり、コントラストの
向上にもつながる。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の実施
の形態を詳細に説明する。図１は本発明に係る液晶表示
装置の実施形態を示しており、（Ａ）は模式的な平面
図、（Ｂ）は模式的な要部断面図である。（Ａ）に示す
様に、本液晶表示装置は一対の透明な基板の間に液晶を
保持したパネル構造となっている。一方の基板にはＩＴ
Ｏなどの透明導電膜からなる画素電極４がマトリクス状
にパタニング形成されている。個々の画素電極４はコン
タクト部ＣＯＮを介して対応するスイッチング素子（図
示せず）に接続している。スイッチング素子としては、
例えば薄膜トランジスタを用いることができる。マトリ
クス状に配列した各画素電極４の周囲を遮光する様に、
格子状のブラックマスクＢＭが配されている。ブラック
マスクＢＭはコンタクト部ＣＯＮを遮光する一方、画素
電極４の開口部Ｗから除かれている。格子状のブラック
マスクＢＭは、液晶を挟持する両基板の片方に、画素電
極４と整合して配されている。尚、画素電極４の寸法
は、一辺が５μｍ〜５０μｍとなっている。一方、コン
タクト部ＣＯＮは、１μｍ角〜２μｍ角程度である。こ
の様に、画素電極４の微細化が進むと、ブラックマスク
ＢＭの占有する面積が総体的に大きくなる為、透過率の
改善が緊急の解決課題となっている。

【００１０】（Ｂ）は、本液晶表示装置のコンタクト部
を表わしている。本実施形態では、コンタクト部ＣＯＮ
は、透明導電膜４ａと下地の導電膜４ｂとからなる二層
構造となっている。下地導電膜４ｂはチタン、モリブデ
ン、タングステンなどの高融点金属材料を用いることが
できる。下地導電膜４ｂはコンタクト部ＣＯＮの領域の
みに限定的に形成する。例えば、金属膜を所定の厚みに
スパッタリングなどで堆積した後、エッチングすること
で、コンタクト部ＣＯＮのみに残す様にすればよい。下
地導電膜４ｂの厚みは例えば５０ｎｍ程度である。尚、
下地導電膜４ｂは上述した金属材料に限られるものでは
なく、画素電極材料と同様にＩＴＯなどの透明導電膜を
用いてもよい。本実施形態では、下地導電膜４ｂとして
ＩＴＯを例えば５０ｎｍ以上の膜厚で成膜している。

【００１１】この下地導電膜４ｂの上に、ＩＴＯなどか
らなる透明導電膜４ａを反応性スパッタなどで成膜す
る。下地導電膜４ｂと異なり、透明導電膜４ａはコンタ
クト部ＣＯＮばかりでなく、開口部Ｗにも及んでおり、
画素電極４を構成している。透明導電膜４ａの厚みは、
例えば数ｎｍ〜４０ｎｍである。

【００１２】この様に、コンタクト部ＣＯＮは透明導電
膜４ａと下地導電膜４ｂの二層構造となるのに対し、画
素電極の開口部は透明導電膜４ａのみの単層構造とな
る。従って、透明導電膜４ａを含むコンタクト部ＣＯＮ
の層厚ｄｃは、透明導電膜４ａからなる画素電極の開口
部の層厚ｄｗよりも大きい。係る構成により、コンタク
ト部ＣＯＮの断線故障を防止して信頼性を確保するとと
もに、開口部Ｗにおける透過率の改善を図っている。コ
ンタクト部ＣＯＮにおいて、透明導電膜４ａは下地導電
膜４ｂ及び平坦化膜１０に形成したコンタクトホールを
介してドレイン電極Ｄに電気接続している。透明導電膜
４ａの厚みが小さくても、下地導電膜４ｂとの間では面
接続構造となっており、断線の恐れは少ない。一方、下
地導電膜４ｂは厚みを大きく取ってあるので、コンタク
トホールの段差部などでも、断線の恐れがない。

【００１３】図示しないが、ドレイン電極Ｄは層間絶縁
膜９を介して、下方の薄膜トランジスタに接続してい
る。ドレイン電極Ｄはアクリル樹脂などの平坦化膜１０
で覆われている。前述した様に、下地導電膜４ｂはあら
かじめ平坦化膜１０に形成したコンタクトホールを介し
て、ドレイン電極Ｄに電気接続している。より詳細な構
造は図６と同様である。

【００１４】図２は、本発明に係る液晶表示装置の他の
実施態様を示す模式図であり、特にコンタクト部回りの
断面構造を表わしている。図１の（Ｂ）に示した先の実
施態様と対応する部分には対応する参照番号を付して理
解を容易にしている。異なる点は、先の実施態様ではコ
ンタクト部が二層構造であるのに対し、本実施形態は開
口部と同じく単層構造となっていることである。係る電
極構造を形成する為、まず（Ａ）に示す様に、平坦化膜
１０の上にＩＴＯなどからなる透明導電膜４ａをスパッ
タリングなどで全面的に形成する。成膜された透明導電
膜４ａのコンタクト部ＣＯＮにおける膜厚ｄｃ及び開口
部における膜厚ｄｗは、共に７０ｎｍ以上であり、１４
０ｎｍに達する場合もある。透明導電膜４ａの成膜段階
では、ｄｃとｄｗは共に等しく、７０ｎｍを超えてい
る。

【００１５】この後（Ｂ）に示す様に、開口部に形成さ
れた透明導電膜４ａのみをエッチング又は研磨で薄く加
工する。これにより、開口部での透明導電膜４ａの厚み
ｄｗのみが７０ｎｍ以下となり、好適には数ｎｍ〜４０
ｎｍまで薄膜化される。エッチングで薄膜化する場合に
は、ドライエッチングとウェットエッチングのいずれで
も採用することができる。一方研磨の場合は、特にＣＭ
Ｐが好適である。ＣＭＰは化学機械研磨の略称であり、
コンタクト部ＣＯＮを除いて平坦化膜１０の上に存在す
る透明導電膜４ａを薄くすることができる。基本的に
は、ポリシングによる機械的な研磨であるが、これに化
学作用を有する研磨剤を用いることで、極めて平坦に研
磨することが可能である。研磨処理はコンタクトホール
に埋め込まれた透明導電膜４ａの部分まで及ばない為、
コンタクト部ＣＯＮにおける透明導電膜４ａの層厚ｄｃ
はそのままＣＭＰの後でも残されることになる。従っ
て、コンタクト部ＣＯＮでの断線を防止することができ
る。一方、開口部では透明導電膜４ａの厚みｄｗが数ｎ
ｍ〜４０ｎｍまで薄膜化されている為、透過率の改善に
つながる。又、エッチングで透明導電膜４ａを画素電極
に加工する際もサイドエッチ量が少なくなる為、加工精
度も高くなる。

【００１６】図３は、画素電極を構成するＩＴＯの膜厚
と、透過率との関係を示すグラフである。透過率は、膜
厚が１４０ｎｍの時の値を１００％とした相対メモリで
表わしてある。前述した様に、透過型の液晶パネルで
は、透明なガラス基板、透明電極、配向膜、液晶などが
重なった多層構造となっている。この為、層間で光が透
過する際に多重干渉を起し、透過率が減少する。多重干
渉の度合いは各透明層の厚みに依存している。図３のグ
ラフは、特に透明電極の厚みに依存した相対透過率の変
化を表わしている。グラフから明らかな様に、透明電極
の厚みを変化させると、透過率が約３％変化する。仮
に、透明電極の膜厚を１３０〜１５０ｎｍもしくは、数
ｎｍに設定すると、透過率が１００％近くになる。そこ
で本発明では、画素電極の開口部に位置する透明導電膜
の厚みを好ましくは数ｎｍ程度まで薄膜化して、透過率
の改善を図っている。又透明電極を数ｎｍまで薄膜化す
ると、段差による配向不良も減少でき、光漏れによるコ
ントラスト悪化を防ぐことが可能である。なお、動作特
性上の観点から、画素電極の開口部に位置する透明導電
膜のシート抵抗は１００ｋΩ以下にすることが好まし
い。透明導電膜の厚みを極端に薄くすると、そのシート
抵抗が１００ｋΩを越えてしまう恐れが有る。

【００１７】図４は、本発明に係る液晶表示装置の全体
的な構成を示す模式的な斜視図である。プロジェクタ装
置では、図４に示す様なアクティブマトリクスタイプの
透過型液晶パネルが使用されている。この液晶パネル
は、小型高精細である点に特徴がある。図示する様に、
液晶パネルは、所定の間隙を介して貼り合わされた駆動
基板１と対向基板２との間に液晶３が保持されている。
駆動基板１の内表面には互いに直交する走査線１０４と
信号線１０５が設けられている。各交点には画素電極４
と画素スイッチを構成する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
がマトリクス状に配列されている。更に、図示しないが
駆動基板１の内表面にはラビング処理を施された配向膜
も形成されている。一方、対向基板２の内表面には対向
電極１２及びカラーフィルタ層１０９が形成されてい
る。カラーフィルタ層１０９はＲＧＢ三原色のセグメン
トを有し個々の画素電極４と整合している。又、図示し
ないが対向電極１２の表面にも同様にラビング処理を施
された配向膜が設けられている。

【００１８】更に互いに接着された駆動基板１と対向基
板２の外表面には各々偏光板１１０，１１１が貼着され
ている。走査線１０４を介してＴＦＴを選択し、信号線
１０５を介して画素電極４に信号を書き込む。画素電極
４と対向電極１２の間に電圧が印加され液晶３が立ち上
がる。これを一対のクロスニコル配置された偏光板１１
０，１１１により白色入射光の透過量変化として取り出
しカラー表示を行なう。

【００１９】この表示画面を拡大投射光学系により前方
に投射してスクリーンに映し出せばプロジェクタにな
る。その際、本発明では画素の透過率が改善されている
為、輝度の高い画面を得ることができる。

【００２０】図示の液晶パネルにおいて、液晶３はいわ
ゆるツイストネマティック液晶を用いることができる。
これは、液晶分子長軸が両基板１，２の間でほぼ９０度
連続的にねじれた配向状態となっている。この場合、液
晶は、その厚みｄと複屈折率異方性Δｎとの積Δｎ・ｄ
が０．３５μｍよりも大きく、０．５０μｍよりも小さ
くなる様に、設定することが好ましい。液晶３自体は、
その厚みが例えば４μｍ以下である

【００２１】最後に図５を参照して、本発明の応用例で
あるプロジェクタ装置を簡単に説明する。図示する様
に、本プロジェクタ装置は、光源２０１と、一対の偏光
板２０２，２０３に挟まれた透過型の液晶パネル０と、
拡大投射光学系２０５とを、光軸に沿って順に配置した
構造を有している。ここで、液晶パネル０は、例えば図
４に示した構成を有している。光源２０１は楕円反射鏡
２０６とその中心に配置されたランプ２０７とから構成
されており、高強度の照明光を前方に放射する。光源２
０１の前面にはフィルタ２０８が装着されており、照明
光に含まれる不要な紫外光成分及び赤外光成分を吸収す
る。更にその前方にはコンデンサレンズ２０９が配置さ
れており、照明光を集光して液晶パネル０の全面に入射
する。液晶パネル０の前方には拡大投射光学系２０５が
配置されており、液晶パネル０の表示画面を前方に拡大
投射する。拡大投射された画像はスクリーン２１０上に
映し出される。

【００２２】液晶パネル０は、ノーマリホワイトモード
の中央表示領域２１１と、周辺の非表示領域２１２とに
分かれている。一対の偏光板２０２，２０３はその偏光
軸が互いに直交配置されている。液晶パネル０の中央表
示領域２１１はツイスト配向した液晶を含んでおり入射
光に対して９０度の旋光能を有している。一方一対の偏
光板２０２，２０３は前述した様にクロスニコル配置さ
れている。従って、入射側の偏光板２０２を通過した直
線偏光は中央表示領域２１１に含まれる液晶により９０
度その偏光軸が回転し、出射側の偏光板２０３を通過す
る。従ってノーマリホワイトモードの表示が得られ、ス
クリーン２１０上には拡大投射された画面が映し出され
る。

【００２３】

【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、透
明導電膜を含むコンタクト部の層厚が、透明導電膜から
なる画素電極の開口部の層厚よりも大きい。コンタクト
部の層厚を大きくすることで、電気接続の信頼性を確保
している。一方、開口部の層厚を小さくすることで、透
過率の向上を図ることができる。更に、開口部の薄膜化
を進めると、段差緩和による配向性の改善が得られ、こ
れによりコントラストを向上させることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る液晶表示装置の実施形態を示す模
式的な部分平面図及び要部拡大図である。

【図２】本発明に係る液晶表示装置の他の実施形態を示
す要部拡大図である。

【図３】ＩＴＯ膜厚と相対透過率の関係を示すグラフで
ある。

【図４】本発明に係る液晶表示装置の全体的な構成を示
す斜視図である。

【図５】本発明に係るプロジェクタ装置を示す模式図で
ある。

【図６】従来の液晶表示装置の構成を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１・・・基板、２・・・基板、３・・・液晶、４・・・
画素電極、４ａ・・・透明導電膜、４ｂ・・・下地導電
膜、１１・・・配向膜、１２・・・共通電極、１４・・
・配向膜、ＣＯＮ・・・コンタクト部、Ｄ・・・ドレイ
ン電極、Ｗ・・・開口部、ＢＭ・・・ブラックマスク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｂ 21/14 Ｇ０３Ｂ 21/14 Ｚ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３４２ Ｇ０９Ｆ 9/00 ３４２Ｚ Ｆターム(参考） 2H088 EA13 EA15 FA19 GA02 HA02 JA05 KA01 KA02 KA07 KA30 MA06 MA20 2H091 FA01Z FA02Y FA08X FA08Z FA14Z FA26X FA26Z FA41Z HA07 LA16 MA07 2H092 GA16 GA17 GA25 GA29 HA04 HA06 JA24 JB58 KB04 KB22 LA05 MA18 NA03 NA25 PA01 QA07 RA05 2K103 AA05 AA16 AB01 BB02 5G435 AA02 AA14 BB12 BB15 FF13 HH02 KK05 LL15

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに対向して配置された２枚の基板
   と、両基板の間隙に保持された液晶と、一方の基板に設
   けられかつ配向膜で覆われた共通電極と、他方の基板に
   マトリクス状に配置されかつ配向膜で覆われた透明導電
   膜からなる複数の画素電極と、各画素電極にコンタクト
   部を介してそれぞれ接続されたスイッチング素子と、前
   記他方の基板に各画素電極の開口部を避けてマトリクス
   状に配置された走査線および信号線とを有し、各画素電
   極が対応する走査線および信号線に該スイッチング素子
   を介してそれぞれ接続されてなる液晶表示装置におい
   て、該透明導電膜を含むコンタクト部の層厚が、該透明
   導電膜からなる画素電極の開口部の層厚よりも大きい事
   を特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 該透明導電膜からなる画素電極の開口部
   の層厚が７０ｎｍより薄い事を特徴とする請求項１記載
   の液晶表示装置。
3. 【請求項３】 該透明導電膜からなる画素電極の開口部
   のシート抵抗は１００ｋΩ以下である事を特徴とする請
   求項１記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 前記コンタクト部の層厚は、該画素電極
   の開口部と同様に透明導電膜のみからなる事を特徴とす
   る請求項１記載の液晶表示装置。
5. 【請求項５】 前記液晶は、液晶分子長軸が両基板間で
   ほぼ９０度連続的に捩れたネマティック液晶であること
   を特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
6. 【請求項６】 前記液晶は、その厚みｄと複屈折率異方
   性△ｎとの積△ｎ・ｄが０．３５μｍよりも大きく、
   ０．５０μｍより小さいことを特徴とする請求項１記載
   の液晶表示装置。
7. 【請求項７】 前記液晶は、その厚みが４μｍ以下であ
   ることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
8. 【請求項８】 前記画素電極の大きさが５μｍから５０
   μｍであることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装
   置。
9. 【請求項９】 互いに対向して配置された２枚の基板
   と、両基板の間隙に保持された液晶と、一方の基板に設
   けられかつ配向膜で覆われた共通電極と、他方の基板に
   マトリクス状に配置されかつ配向膜で覆われた透明導電
   膜からなる複数の画素電極と、各画素電極にコンタクト
   部を介してそれぞれ接続されたスイッチング素子と、前
   記他方の基板に各画素電極の開口部を避けてマトリクス
   状に配置された走査線および信号線とを有し、各画素電
   極が対応する走査線および信号線に該スイッチング素子
   を介してそれぞれ接続されてなる液晶表示装置の製造方
   法において、 該透明導電膜を含むコンタクト部の層厚を、該透明導電
   膜からなる画素電極の開口部の層厚よりも大きく形成す
   る事を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 該コンタクト部のみに下地の導電膜を
    形成した後、該コンタクト部及び該開口部の両方に亘っ
    て、該透明導電膜を形成する事を特徴とする請求項９記
    載の液晶表示装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 該コンタクト部及び該開口部の両方に
    亘って該透明導電膜を形成した後、該開口部に形成され
    た透明導電膜のみをエッチング又は研磨で薄く加工する
    事を特徴とする請求項９記載の液晶表示装置の製造方
    法。
12. 【請求項１２】 光源と、液晶表示パネルと、拡大投射
    光学系とを光軸に沿って順に配置したプロジェクタ装置
    において、 前記液晶表示パネルは、互いに対向して配置された２枚
    の基板と、両基板の間隙に保持された液晶と、一方の基
    板に設けられかつ配向膜で覆われた共通電極と、他方の
    基板にマトリクス状に配置されかつ配向膜で覆われた透
    明導電膜からなる複数の画素電極と、各画素電極にコン
    タクト部を介してそれぞれ接続されたスイッチング素子
    と、前記他方の基板に各画素電極の開口部を避けてマト
    リクス状に配置された走査線および信号線とを有し、各
    画素電極が対応する走査線および信号線に該スイッチン
    グ素子を介してそれぞれ接続されてなり、 該透明導電膜を含むコンタクト部の層厚が、該透明導電
    膜からなる画素電極の開口部の層厚よりも大きい事を特
    徴とするプロジェクタ装置。