JP2006018276A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、視野角及び画質を向上させることができる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は液晶表示装置に係り特に、ＣＯＴ（ｃｏｌｏｒｆｉｌｔｅｒ ｏｎ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）構造の液晶表示装置及びその製造方法に関する。
本発明は、基板上に相互に交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と；ゲート配線及びデータ配線に連結される薄膜トランジスタと；画素領域に位置するカラーフィルターパターンと；画素領域に位置してカラーフィルターパターン上部に位置して、透明層と不透明層と低反射層を含む第１積層構造を有する画素電極を含む液晶表示装置を提供する。
【選択図】図２１Ｂ

Description

本発明は液晶表示装置に係り特に、ＣＯＴ（ｃｏｌｏｒｆｉｌｔｅｒ ｏｎ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）構造の液晶表示装置及びその製造方法に関する。

一般的に、液晶表示装置は液晶分子の光学的異方性と複屈折特性を利用して画像を表現することであって、電界が印加されると液晶の配列が変わって変わった液晶の配列方向によって光が透過される特性も変わる。

一般的に、液晶表示装置は電界生成電極がそれぞれ形成されている両基板を両電極が形成されている面が向かい合うように配置して両基板間に液晶物質を注入した次に、両電極に電圧を印加して生成される電界により前記液晶分子を動かすようにすることによって、これにより変わる光の透過率により画像を表現する装置である。

図１は従来の液晶表示装置を概略的に示した図面である。

図示したように、液晶表示装置１１はカラーフィルターパターン８と各カラーフィルターパターン８間に構成されたブラックマトリックス６とカラーフィルターパターン８及びブラックマトリックス６の上部に蒸着された共通電極１８が形成された上部基板５と、画素領域Ｐが定義されて画素領域Ｐには画素電極１７とスイッチング素子Ｔが構成され、画素領域Ｐの周辺でアレイ配線が形成された下部基板２２と、上部基板５と下部基板２２間には充填された液晶１４を含む。

前記下部基板２２はアレイ基板とも言って、スイッチング素子である薄膜トランジスタＴがマトリックス形態で位置して、このような複数の薄膜トランジスタＴを交差して通り過ぎるゲート配線１３とデータ配線１５が形成される。

この時、前記画素領域Ｐは前記ゲート配線１３とデータ配線１５が交差して定義される領域であって、前記画素領域Ｐには前述したように透明な画素電極１７が形成される。

前記画素電極１７はインジウム−スズ−オキサイド（ｉｎｄｉｕｍ−ｔｉｎ−ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）のように光の透過率が比較的優れた透明導電性金属を用いる。

前記画素電極１７と並列に連結したストレージキャパシターＣがゲート配線１３の上部に構成される。ストレージキャパシターＣの第１電極でゲート配線１３の一部を用いて、第２電極でソース及びドレイン電極と同一層同一物質で形成されたアイランド状のストレージ金属３０を用いる。

この時、前記ストレージ金属３０は画素電極１７と接触して画素電極１７の信号を受けるように構成される。

ところが、前述したように上部カラーフィルター基板５と下部アレイ基板２２を合着して液晶パネルを製作する場合には、カラーフィルター基板５とアレイ基板２２の合着誤差による光漏れ不良などが発生する確率が非常に高い。

このような短所を克服するための構造で、従来にはアレイ基板にカラーフィルターパターンを構成したＣＯＴ構造の液晶表示装置を提案している。

これに対して以下、図２を参照しながら説明する。

図２は従来のＣＯＴ構造液晶表示装置を概略的に示した断面図である。

図示したように、従来のＣＯＴ構造の液晶表示装置ＬＣはアレイ基板３０と、アレイ基板３０とはシーラント６０を介して合着される上部基板７０で構成される。

前記アレイ基板３０は基板面にゲート電極３３と半導体層３８とソース電極４０とドレイン電極４２を含む薄膜トランジスタＴが構成されて、図示しなかったが、前記薄膜トランジスタＴを中心にして垂直に交差して画素領域Ｐを定義するゲート配線及びデータ配線（３２、図示せず）が構成される。

前記ゲート配線３２の一端にはゲートパッド電極３４及びゲートパッド電極端子５８が構成されて、前記データ配線（図示せず）の一端にはデータパッド電極及びデータパッド電極端子（図示せず）が構成される。

前述した構成で、前記ゲート電極３３とソース及びドレイン電極４０、４２間にはゲート絶縁膜３６が構成されて、前記薄膜トランジスタＴの上部には保護膜５０が構成される。

前記薄膜トランジスタＴ及びアレイ配線が構成された基板３０の全面には赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色カラーフィルターパターン（５２ａ、５２ｂ、図示せず）とブラックマトリックスＢＭが構成されるが、前記カラーフィルターパターン（５２ａ、５２ｂ、図示せず）は画素領域Ｐに対応して構成されて、前記ブラックマトリックスＢＭは前記薄膜トランジスタＴに対応して構成される。

前記赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色カラーフィルターパターン（５２ａ、５２ｂ、図示せず）の上部には前記ドレイン電極４２と接触する透明な画素電極５６が構成される。

前述したように構成されたアレイ基板３０に対応する上部基板７０の一面には前記液晶表示装置ＬＣの外廓に対応してこの部門での光漏れを防止するための遮断パターン７２が構成される。

前記遮断パターン７２の下部には透明な共通電極７４が構成される。

前述したように、従来のＣＯＴ構造の液晶表示装置を構成することができる。

前述した構成は、先に言及したようにアレイ基板にカラーフィルターパターンを直接構成するため、上部基板に別途のカラーフィルターパターンを構成して合着した構造に比べて合着マージンをさらに置く必要がないので開口領域確保を介して、開口率を改善することができる効果がある。

しかし、前述した垂直電界モードの液晶表示装置は一般的にＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ）液晶を用いてこのような液晶は上．下／左．右で視野角特性が優秀でなくて情報量を表示するのに限界がある。

前述したような問題を解決するための本発明の目的は、視野角及び画質を向上させることができる液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。

前述したような目的を達成するために、本発明は、基板上に相互に交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と；前記ゲート配線及びデータ配線に連結する薄膜トランジスタと；前記画素領域に位置するカラーフィルターパターンと；前記画素領域に位置して前記カラーフィルターパターン上部に位置して、透明層と不透明層と低反射層を含む第１積層構造を有する画素電極を含む液晶表示装置構造を提供する。

ここで、前記画素電極は傾斜した角度で連結する第１、２直線部を有することができる。

前記画素領域に位置する第１共通電極をさらに含んで、前記第１共通電極は前記透明層と不透明層と低反射層を含む第２積層構造を有することができる。

前記第１共通電極は前記カラーフィルターパターン上部に位置することができる。

前記第１共通電極は傾斜した角度で連結する第１、２直線部を有することができる。

前記画素電極と前記第１共通電極は横電界を形成するために同一平面に位置することができる。

前記第１共通電極は第１共通配線から延長されて、前記第１共通配線は前記画素電極と同一な平面に位置することができる。

前記第１共通配線は前記薄膜トランジスタ及びゲート配線上部に位置することができる。

前記基板上に位置する第２共通電極と；前記データ配線と第２共通配線間の領域を介した光漏れを遮断するために、前記データ配線と第２共通配線間の領域を上部で覆う遮断部をさらに含むことができる。

前記第２共通電極は第２共通配線から延長されて、前記第２共通配線は前記ゲート配線と同一な平面に位置することができる。

ストレージキャパシターをさらに含んで、前記ストレージキャパシターは前記薄膜トランジスタから延長されて前記画素電極と連結されるストレージ電極を含んで、前記ストレージ電極と第２共通配線は前記ストレージキャパシターの２個の電極であることである。

前記透明層は前記第１積層構造の最上層に位置することができる。

前記透明層は前記第１積層構造の最下層に位置することができる。

前記透明層は前記不透明層及び低反射層より狭い幅を有することができる。

前記透明層は前記不透明層及び低反射層より広い幅を有することができる。

前記ゲート配線及びデータ配線それぞれの終端に位置するゲートパッド電極及びデータパッド電極と；前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極上にそれぞれ位置するゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子をさらに含んで、前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子それぞれは少なくとも前記透明層を有することができる。

前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子それぞれは前記透明層下部に前記不透明層をさらに有することができる。

前記不透明層はアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）のうち少なくとも一つ以上で形成されることができる。

前記低反射層はクロムオキサイド（ＣｒＯ_Ｘ）で形成されることができる。

前記透明層はインジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）とインジウム−ジンク−オキサイド（ＩＺＯ）のうち少なくとも一つ以上で形成されることができる。

他の側面で、本発明は、第１基板上に相互に交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と；前記ゲート配線及びデータ配線に連結する薄膜トランジスタと；前記画素領域に位置するカラーフィルターパターンと；前記画素領域に位置して前記カラーフィルターパターン上部に位置して、透明層と不透明層と低反射層を含む第１積層構造を有する画素電極と；第２基板と；前記第１、２基板間に位置する液晶層を含む液晶表示装置を提供する。

ここで、前記画素領域に位置する第１共通電極をさらに含んで、前記第１共通電極は前記透明層と不透明層と低反射層を含む第２積層構造を有することができる。

前記第１共通電極は前記カラーフィルターパターン上部に位置することができる。

前記画素電極と前記第１共通電極は横電界を形成するために同一平面に位置することができる。

前記第１共通電極は第１共通配線から延長されて、前記第１共通配線は前記画素電極と同一な平面に位置することができる。

前記第１共通配線は前記薄膜トランジスタ及びゲート配線上部に位置することができる。

前記第１基板上に位置する第２共通電極と；前記データ配線と第２共通配線間の領域を介した光漏れを遮断するために、前記データ配線と第２共通配線間の領域を上部で覆う遮断部をさらに含むことができる。

前記第２共通電極は第２共通配線から延長されて、前記第２共通配線は前記ゲート配線と同一な平面に位置することができる。

ストレージキャパシターをさらに含んで、前記ストレージキャパシターは前記薄膜トランジスタから延長されて前記画素電極と連結されるストレージ電極を含んで、前記ストレージ電極と第２共通配線は前記ストレージキャパシターの２個の電極であることである。

前記透明層は前記第１積層構造の最上層に位置することができる。

前記透明層は前記第１積層構造の最下層に位置することができる。

前記透明層は前記不透明層及び低反射層より狭い幅を有することができる。

前記透明層は前記不透明層及び低反射層より広い幅を有することができる。

また他の側面で、本発明は、基板上に薄膜トランジスタを形成する段階と；相互に交差するゲート配線及びデータ配線を形成することによって、前記薄膜トランジスタに近接する画素領域を定義する段階と；前記画素領域にカラーフィルターパターンを形成する段階と；前記カラーフィルターパターン上部に透明層と不透明層と低反射層を形成することによって、前記画素領域に画素電極を形成する段階を含む液晶表示装置製造方法を提供する。

前記画素電極を形成する段階は傾斜した角度で連結する第１、２直線部を形成する段階を含むことができる。

前記カラーフィルターパターン上部に透明層と不透明層と低反射層を形成することによって、前記画素領域に第１共通電極を形成する段階をさらに含むことができる。

前記第１共通電極を形成する段階は傾斜した角度で連結する第１、２直線部を形成する段階を含むことができる。

前記画素電極と前記第１共通電極を形成する段階は前記画素電極と前記第１共通電極を同一平面に形成する段階を含むことができる。

前記第１共通電極と同一平面で連結する第１共通配線を形成する段階をさらに含むことができる。

前記第１共通配線を形成する段階は前記薄膜トランジスタ及びゲート配線上部に前記第１共通配線を形成する段階を含むことができる。

前記基板上に第２共通電極を形成する段階と；前記データ配線と第２共通配線間の領域を介した光漏れを遮断するために、前記データ配線と第２共通配線間の領域を上部で覆う遮断部を形成する段階をさらに含むことができる。

前記ゲート配線と同一平面に位置して、前記第２共通電極と連結される第２共通配線を形成する段階をさらに含むことができる。

前記薄膜トランジスタから延長されて前記画素電極と連結されるストレージ電極を形成することによってストレージキャパシターを形成する段階をさらに含んで、前記ストレージ電極と第２共通配線は前記ストレージキャパシターの２個の電極であることである。

第１共通電極及び前記画素電極を形成する段階は前記不透明層及び低反射層上部に前記透明層を形成する段階を含むことができる。

第１共通電極及び前記画素電極を形成する段階は前記透明層上部に前記不透明層及び低反射層を形成する段階を含むことができる。

第１共通電極及び前記画素電極を形成する段階は、前記透明層の側面をオーバーエッチングして前記不透明層及び低反射層より狭い幅を有する前記透明層を形成する段階を含むことができる。

第１共通電極及び前記画素電極を形成する段階は、前記不透明層及び低反射層をパターニングして前記透明層を露出する段階と；前記露出した透明層をパターニングして前記不透明層及び低反射層より広い幅を有する前記透明層を形成する段階を含むことができる。

前記ゲート配線の終端にゲートパッド電極を形成する段階と；前記ゲートパッド電極上に少なくとも前記透明層を形成することによってゲートパッド電極端子を形成する段階と；前記データ配線の終端にデータパッド電極を形成する段階と；前記データパッド電極上に少なくとも前記透明層を形成することによってデータパッド電極端子を形成する段階を含むことができる。

前記ゲートパッド電極上に透明層を形成する段階以前に、前記ゲートパッド電極上に前記不透明層を形成する段階と；前記データパッド電極上に透明層を形成する段階以前に、前記データパッド電極上に前記不透明層を形成する段階を含むことができる。

前記ゲート配線の終端にゲートパッド電極を形成する段階と；前記データ配線の終端にデータパッド電極を形成する段階と；前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極上にそれぞれ、前記透明層と不透明層と低反射層を形成することによってゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子を形成する段階をさらに含んで、前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子を形成する段階は前記画素電極及び第１共通電極を形成する段階と同時に遂行されることができる。

前記基板上の上部基板を、前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子を露出するように位置させる段階と；前記上部基板をマスクとして用いて前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子の不透明層及び低反射層を除去する段階をさらに含むことができる。

本発明の実施形態によって製作されたＣＯＴ構造の横電界方式液晶表示装置は次のような効果を有する。

第一に、横電界型アレイ基板にカラーフィルターを形成するによって、設計時合着マージンを考慮しなくても良いので合着マージンだけ開口領域をさらに確保することができるようになって開口率及び輝度を改善することができる効果がある。

第二に、本発明はブラックマトリックスを別途に形成しない代わりに、共通配線がブラックマトリックスの機能を兼ねるため工程を単純化することができる効果がある。

第三に、本発明の第２及び第３実施形態は本発明の第１実施形態に比べて２個のマスク工程を減らすことができるため工程単純化を介して工程時間を短縮することができて、同時に工程中不良発生確率を減らすことができるので製品の収率を改善する効果がある。また、工程費用を低くめることができる効果があるので製品の競争力を改善することができる効果がある。

第四に、本発明の第３実施形態による共通電極及び画素電極は周辺で透明な金属が露出する形状であるのでこの部分で下部の光がさらに透過されることができて輝度が改善される効果がある。

以下、添付した図面を参照して、本発明による望ましい実施形態を説明する。
−−第１実施形態−−

本発明の第１実施形態はＣＯＴ構造の横電界方式（ｉｎ−ｐｌａｎｅ ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｍｏｄｅ：ＩＰＳ）液晶表示装置に係り、カラーフィルターパターン及びブラックマトリックスをアレイ基板に構成して、画素電極と共通電極を不透明導電層、低反射導電層、透明導電層で構成することを特徴とする。

図３は本発明の第１実施形態によるＣＯＴ構造の横電界方式液晶表示装置用アレイ基板を示した平面図である。

図示したように、基板１００上に一方向に延長されて一端にゲートパッド電極１０６を含むゲート配線１０４と、前記ゲート配線１０４と垂直に交差して画素領域Ｐを定義して一端にデータパッド電極１２６を含むデータ配線１２４を構成する。

前記データパッド電極１２６はデータパッド電極端子１４２と接触するように構成して、前記ゲートパッド電極１０６はゲートパッド電極端子１４０と接触するように構成する。

前記ゲート配線１０４とデータ配線１２４の交差地点にはゲート電極１０２と、半導体層１１６とソース電極１１８とドレイン電極１２０を含む薄膜トランジスタＴを構成する。

前記ゲート配線１０４と平行するように離隔された領域に一方向に延長された第１共通配線１０８を構成して、前記第１共通配線１０８から前記画素領域Ｐへ延長された第１共通電極１１０を構成する。

前記第１共通電極１１０は前記画素領域Ｐ両側のデータ配線１２４と近接するように所定間隔離隔されて構成される。

前記画素領域Ｐに対応して赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）のカラーフィルター１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃを構成する。

前記ゲート配線１０４と薄膜トランジスタＴの上部に対応して第２共通配線１３６を構成する。前記第２共通配線１３６から前記画素領域Ｐへ延長された第２共通電極１３８を構成する。遮断部１３７は第２共通配線１３６から延長されてデータ配線１２４に対応するように構成される。第２共通配線１３６は薄膜トランジスタＴとゲート配線１０４上部でこれらを覆うように構成される。遮断部１３７はデータ配線１２４上部でこれを覆うように構成される。このように、第２共通配線１３６と遮断部１３７はブラックマトリックスの機能をするようになって、格子状を成すようになる。特に、遮断部１３７はデータ配線１２４と第１共通電極１１０間の領域を覆うように構成されて、その領域を介した光漏れを防止することができる。さらに、遮断部１３７は第１共通電極１１０を覆うように構成されることができる。

前記第２共通電極１３８と同時に、前記ドレイン電極１２０から延長されたストレージ電極１２２と接触しながら前記画素領域Ｐに延長された画素電極１３４を形成する。

前記画素電極１３４は前記第１共通電極１１０と第２共通電極１３８間にこれらとは平行するように離隔するようにして構成する。

ストレージ電極１２２は第１共通配線１０８と重なってストレージキャパシターを形成するようになる。

前述したような構成で、データ配線１２４、第１、２共通電極１１０、１３８、画素電極１３４は少なくとも一回以上折れられた形状を有することができる。例えば、データ配線１２４、第１、２共通電極１１０、１３８、画素電極１３４それぞれは傾斜した角度を形成する第１直線部と第２直線部を有することができる。

第１共通配線１０８はゲート配線１０４と同一な層に形成されて、画素電極１３４と第２共通電極１３８はデータ配線１２４と同一な層に形成される。

画素電極１３４と第２共通電極１３８は３層の導電層、すなわち、抵抗が低い不透明導電層と、低反射特性を有した低反射導電層と、透明な導電層を積層して構成することを特徴とする。不透明な導電層は薄膜トランジスタＴに入射する光を遮断する機能をして、低反射導電層は不透明な導電層の高い反射率を低下させる機能をする。

前述したように、本発明の実施形態による液晶表示装置では、カラーフィルターパターンが薄膜トランジスタ、ゲート配線及びデータ配線等が形成された基板と同一な基板に形成されるので、基板合着による合着誤差は問題にならない。したがって、開口率と光漏れなどは減少されることができる。さらに、第２共通配線と遮断部はブラックマトリックスで機能するので、ブラックマトリックスを形成するための別途の工程が要らなくなる。

また、画素電極と共通電極は同一基板に形成されて横電界（ｉｎ−ｐｌａｎｅ ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｅｌｄ）を形成するようになる。特に、画素電極と共通電極は折れられた形状を有するによって、２個のドメインが形成される。これにより、視野角はさらに向上することができるようになる。また、薄膜トランジスタに入射する光を遮断することができる不透明な導電層と、不透明な導電層の高い反射率を低下させるための低反射導電層を用いることによって、画質を改善することができるようになる。

以下、本発明の第１実施形態による横電界方式液晶表示装置用アレイ基板の製造方法を以下、図面を参照しながら説明する。

図４Ａないし図４Ｄは本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第１及び第２マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。

図示したように、基板１００上にスイッチング領域Ｓを含む画素領域Ｐと、画素領域Ｐの一側にストレージ領域ＳＴと、ゲートパッド領域ＧＰとデータパッド領域ＤＰとデータ領域Ｄを定義する。

前記複数の領域Ｓ、Ｐ、ＳＴ、ＧＰ、ＤＰ、Ｄが定義された基板１００の全面にアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電性金属グループのうちから選択された一つまたはそれ以上の物質を蒸着して第１マスク工程でパターニングして、一端にゲートパッド電極１０６を含むゲート配線（図３の１０４）と、前記ゲート配線から連結されて前記スイッチング領域Ｓに位置するゲート電極１０２と、前記ゲート配線と離隔して構成された第１共通配線１０８と、前記第１共通配線１０８で前記画素領域Ｐの両側に延長された第１共通電極１１０を形成する。

この時、前記ゲート電極１０２はゲート配線の一部を電極で用いることができ、前記ゲート配線から延長された突出部をゲート電極で用いることができる。

前記ゲート電極１０２とゲートパッド電極１０６及びゲート配線と第１共通配線１０８と第１共通電極１１０が形成された基板１００の全面に窒化シリコーン（ＳｉＮ_Ｘ）と酸化シリコーン（ＳｉＯ_２）を含む無機絶縁物質グループのうちから選択された一つまたはそれ以上の物質を積層してゲート絶縁膜１１２を形成する。

次に、前記ゲート絶縁膜１１２が形成された基板１００の全面に純粋非晶質シリコーン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）と不純物非晶質シリコーン（ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ）を蒸着して第２マスク工程でパターニングして、前記ゲート電極１０２に対応するゲート絶縁膜１１２の上部に半導体層１１６を形成する。半導体層１１６は純粋非晶質シリコーンで構成されたアクティブ層１１４と不純物非晶質シリコーンで構成されたオーミックコンタクト層１１５を含む。

図５Ａないし図５Ｄは本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第３マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。

図示したように、前記半導体層１１６が形成された基板１００の全面にアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電性金属グループのうちから選択された一つまたはそれ以上の物質を蒸着して第３マスク工程でパターニングして、前記オーミックコンタクト層１１６と接触しながら相互に離隔されたソース電極１１８とドレイン電極１２０と、前記ドレイン電極１２０で前記第１共通配線１０８の上部に延長されたストレージ電極１２２を形成する。

同時に、前記ソース電極１１８と連結されて前記ゲート配線とは垂直に交差して画素領域Ｐを定義して一端にデータパッド電極１２６を含むデータ配線１２４を形成する。

図６Ａないし図６Ｄは本発明の第１実施形態による保護層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。

前記ソース及びドレイン電極１１８、１２０等が形成された基板１００の全面に窒化シリコーン（ＳｉＮ_Ｘ）と酸化シリコーン（ＳｉＯ_２）を含む無機絶縁物質グループのうちから選択された一つまたはそれ以上の物質を蒸着したり場合によってはベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）とアクリル系樹脂を含む有機絶縁物質グループのうちから選択された一つまたはそれ以上の物質を塗布して保護層１２８を形成する。

図７Ａないし図７Ｄは本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第４マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。

図示したように、前記保護層１２８が形成された基板１００に、第４マスク工程で前記画素領域Ｐに対応するカラーフィルターパターン１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃを形成する。

前記カラーフィルターパターン１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃは赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）のカラーフィルターパターンであって、複数の画素領域Ｐに対応してストライプ形状またはモザイク形状等で順次形成することができ、一つのマスクを利用して前記三色のカラーフィルターパターン１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃを形成する。

前記カラーフィルターパターン１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃが形成された基板１００の全面にベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）とアクリル系樹脂を含む有機絶縁物質グループのうちから選択された一つを塗布して平坦化層１３２を形成する。

図８Ａないし図８Ｄは本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第５マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。

図示したように、第５マスク工程を介して第１、２、３、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３を形成する。すなわち、第１コンタクトホールＣＨ１は平坦化層１３２と、カラーフィルターパターン１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃと、保護膜１２８をパターニングして形成される。したがって、第１コンタクトホールＣＨ１はストレージ電極１２２の一部を露出するようになる。そして、第２コンタクトホールＣＨ２は平坦化層１３２と保護層１２８とゲート絶縁膜１１２をパターニングして形成される。したがって、第２コンタクトホールＣＨ２はゲートパッド電極１０６の一部を露出するようになる。また、第３コンタクトホールＣＨ３は平坦化層１３２と保護層１２８をパターニングして形成される。したがって、第３コンタクトホールＣＨ３はデータパッド電極１２６の一部を露出するようになる。

図９Ａないし図９Ｄは本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。

図示したように、複数のコンタクトホールを含む前記平坦化層１３２が形成された基板１００の全面に不透明な金属としてアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）を含んだ導電性金属グループのうちから選択された一つを蒸着して第１導電層ａ１を形成して、前記第１導電層ａ１の上部に低反射金属としてクロムオキサイド（ＣｒＯ_Ｘ）のような低反射特性を有する金属を蒸着して第２導電層ａ２を形成する。その後に、第６マスク工程でパターニングして、前記露出したストレージ電極１２２と接触しながら前記画素領域Ｐに延長された画素電極１３４と、前記ゲート配線とデータ配線１２４と前記スイッチング領域Ｓに対応して格子状を成す第２共通配線１３６及び遮断部１３７と、前記第２共通配線１３６から前記画素領域Ｐへ延長された第２共通電極１３８を形成する。ここで、第１導電層ａ１としては特にクロム（Ｃｒ）が効果的であって、第２導電層ａ２は第１導電層ａ１に比べて反射率が低い。

同時に、前記ゲートパッド電極１０６と接触するゲートパッド電極端子１４０と前記データパッド電極１２６と接触するデータパッド電極端子１４２を形成する。

この時、遮断部１３７は前記データ配線１２４と、データ配線１２４の両側に近接して構成された第１共通電極１１０の離隔された領域Ｂを遮蔽するように構成する。

図１０Ａないし図１０Ｄは本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第７マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。

図示したように、第７マスク工程を利用して、前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子１４０、１４２を構成する第２導電層ａ２を除去して下部の第１導電層ａ１だけ残す工程を進行する。第２導電層ａ２は高い抵抗を有するため、外部駆動回路と接触するゲート及びデータパッド電極端子１４０、１４２における抵抗を低くめるために第２導電層ａ２を除去するようになる。

図１１Ａないし図１１Ｄは本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第８マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。

前述した工程で、前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子１４０、１４２で第１導電層ａ１だけ残した後、基板１００の全面にインジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）と、インジウム−ジンク−オキサイド（ＩＺＯ）を含む透明な導電性金属グループのうちから選択された一つを蒸着して第８マスク工程でパターニングして、前記画素電極１３４と第２共通配線１３６と遮断部１３７と第２共通電極１３６、１３８の第３導電層ａ３としてパターニングする同時に、前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子１４０、１４２の第１導電層ａ１上部の第３導電層ａ３でパターニングする。

前述した工程で、前記ストレージ領域ＳＴには前記第１共通配線１０８を第１電極にして、前記ストレージ電極１２２を第２電極にするストレージキャパシターＣＳＴが構成される。

前述したような工程で本発明の第１実施形態によるＣＯＴ構造の横電界方式液晶表示装置用アレイ基板を製作することができる。
−−第２実施形態−−

本発明の第２実施形態の特徴は前述した第１実施形態に比べてマスク工程を減らしてＣＯＴ構造の横電界方式液晶表示装置を製作することを特徴とする。

本発明の第２実施形態によるＣＯＴ構造の横電界方式液晶表示装置用アレイ基板の平面図は前記第１実施形態と同様であるのでこれを参照する。特に、本発明の第２実施形態は、画素電極及び第２共通電極の構造及び製造工程を除いては、本発明の第１実施形態と同様である。したがって、本発明の第２実施形態では、本発明の第１実施形態と同一同様の事項に対しては説明を省略する。

以下、工程断面図を参照して本発明の第２実施形態によるＣＯＴ構造の横電界方式液晶表示装置用アレイ基板の製造工程を説明する。（平面図は図３を参照して同一な構成は１００番を加えて表記する。）

図１２Ａないし図１２Ｄは本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第１及び第２マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。

図示したように、基板２００上にスイッチング領域Ｓを含む画素領域Ｐと、画素領域Ｐの一側にストレージ領域ＳＴとゲートパッド領域ＧＰとデータパッド領域ＤＰとデータ領域Ｄを定義する。

前記複数の領域Ｓ、Ｐ、ＳＴ、ＧＰ、ＤＰ、Ｄが定義された基板２００の全面にアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電性金属グループのうちから選択された一つまたはそれ以上の物質を積層して第１マスク工程でパターニングして、一端にゲートパッド電極２０６を含むゲート配線（図３の１０４）と、前記ゲート配線から連結されて前記スイッチング領域Ｓに位置するゲート電極２０２と、前記ゲート配線と離隔して構成された第１共通配線２０８と、前記第１共通配線２０８で前記画素領域Ｐの両側に延長された第１共通電極２１０を形成する。

この時、前記ゲート電極２０２は図示したようにゲート配線の一部を電極で用いることができ、前記ゲート配線から延長された突出部をゲート電極で用いることができる。

前記ゲート電極２０２とゲートパッド電極２０６及びゲート配線と第１共通配線２０８と第１共通電極２１０が形成された基板２００の全面に窒化シリコーン（ＳｉＮ_Ｘ）と酸化シリコーン（ＳｉＯ_２）を含む無機絶縁物質グループのうちから選択された一つまたはそれ以上の物質を積層してゲート絶縁膜２１２を形成する。

次に、前記ゲート絶縁膜２１２が形成された基板２００の全面に純粋非晶質シリコーン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）と不純物非晶質シリコーン（ｎ＋ａ−Ｓｉ：Ｈ）を蒸着して第２マスク工程でパターニングして、前記ゲート電極２０２に対応するゲート絶縁膜２１２の上部にアクティブ層２１４とオーミックコンタクト層２１５を含む半導体層２１６を形成する。

図１３Ａないし図１３Ｄは本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第３マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。

図示したように、前記半導体層２１６が形成された基板２００の全面にアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）を含んだ導電性金属グループのうちから選択された一つまたはそれ以上の物質を蒸着して第３マスク工程でパターニングして、前記オーミックコンタクト層２１６と接触しながら相互に離隔されたソース電極２１８とドレイン電極２２０と、前記ドレイン電極２２０で前記第１共通配線２０８の上部に延長されたストレージ電極２２２を形成する。

同時に、前記ソース電極２１８と連結されて前記ゲート配線と交差して画素領域Ｐを定義して一端にデータパッド電極２２６を含むデータ配線２２４を形成する。

図１４Ａないし図１４Ｄは本発明の第２実施形態による保護層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。

図示したように、前記ソース及びドレイン電極２１８、２２０等が形成された基板２００の全面に窒化シリコーン（ＳｉＮ_Ｘ）と酸化シリコーン（ＳｉＯ_２）を含む無機絶縁物質グループのうちから選択された一つまたはそれ以上の物質を蒸着したり場合によってはベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）とアクリル系樹脂を含む有機絶縁物質グループのうちから選択された一つまたはそれ以上の物質を塗布して保護層２２８を形成する。

図１５Ａないし図１５Ｄは本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第４マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。

前記保護層２２８が形成された基板２００のうち、前記画素領域Ｐに対応して第４マスク工程でカラーフィルターパターン２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃを形成する。

前記カラーフィルターパターン２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃは赤色（Ｒ）と緑色（Ｇ）と青色（Ｂ）のカラーフィルターパターンであって、複数の画素領域Ｐに対応してストライプ形状またはモザイク形状等で順次形成することができ、一つのマスクを利用して前記三色のカラーフィルターパターン２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃを形成する。

前記カラーフィルターパターン２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃが形成された基板２００の全面にベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）とアクリル系樹脂を含む有機絶縁物質グループのうちから選択された一つを塗布して平坦化層２３２を形成する。

図１６Ａないし図１６Ｄは本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第５マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。

図示したように、第５マスク工程を介して第１、２、３、コンタクトホールＣＨ１、ＣＨ２、ＣＨ３を形成する。すなわち、第１コンタクトホールＣＨ１は平坦化層２３２と、カラーフィルターパターン２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃと、保護層２２８をパターニングして形成される。したがって、第１コンタクトホールＣＨ１はストレージ電極２２２の一部を露出するようになる。そして、第２コンタクトホールＣＨ２は平坦化層２３２と保護層２２８とゲート絶縁膜２１２をパターニングして形成される。したがって、第２コンタクトホールＣＨ２はゲートパッド電極２０６の一部を露出するようになる。また、第３コンタクトホールＣＨ３は平坦化層２３２と保護層２２８をパターニングして形成される。したがって、第３コンタクトホールＣＨ３はデータパッド電極２２６の一部を露出するようになる。

図１７Ａないし図１７Ｄは本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。

図示したように、前記平坦化層２３２が形成された基板１００の全面に第１導電層ａ１と第２導電層ａ２と第３導電層ａ３を積層して形成する。

この時、前記第１導電層ａ１はインジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）とインジウム−ジンク−オキサイド（ＩＺＯ）を含む透明な導電性金属グループのうちから選択された一つを蒸着して形成して、前記第２導電層ａ２はアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電性金属グループのうちから選択された一つで形成して、前記第３導電層ａ３はクロムオキサイド（ＣｒＯ_Ｘ）をはじめとする低反射特性を有する物質を蒸着して形成する。

この時、效果的には前記第２導電層ａ２をクロム（Ｃｒ）で形成して前記第３導電層ａ３をクロムオキサイド（ＣｒＯ_Ｘ）で形成する。

次に、前記第３導電層ａ３が形成された基板２００の全面にフォトレジストを塗布した後第６マスク工程でパターニングして、前記スイッチング領域及びストレージ領域Ｓ、ＳＴと画素領域Ｐとゲートパッド領域及びデータパッド領域ＧＰ、ＤＰとデータ領域Ｄに対応してフォトレジストパターン２４０を形成する。すなわち、フォトレジストパターン２４０はゲート配線、薄膜トランジスタＴ、ゲートパッド電極２０６、データパッド電極２２６、データ配線２２４、第１共通電極２１０、画素領域Ｐに対応して形成される。特に、画素領域Ｐに形成されるフォトレジストパターン２４０は相互に離隔されて位置するようになる。

続いて、前記フォトレジストパターン２４０の周辺で露出した第３導電層ａ３とその下部の第２導電層ａ２と第１導電層ａ１を順次除去する工程を進行する。

この時、前記第２及び第３導電層ａ２、ａ３がそれぞれクロム（Ｃｒ）とクロムオキサイド（ＣｒＯ_Ｘ）ならば、同一なエッチング液でエッチングされる。

次に、前記フォトレジストパターン２４０を除去する工程を進行する。

図１８Ａないし図１８Ｄは本発明の第２実施形態による第６マスク工程により製造された液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。

図示したように、ストレージ電極２２２と接触しながら前記画素領域Ｐに延長された画素電極２３４と、前記ゲート配線とデータ配線２２４とスイッチング領域Ｓに対応して格子状を成す第２共通配線及び遮断部２３６、２３７と、前記第２共通配線２３６から前記画素領域Ｐへ延長された第２共通電極２３８を形成する。

同時に、前記ゲートパッド電極２０２と接触するゲートパッド電極端子２４０と、前記データパッド電極２２６と接触するデータパッド電極端子２４２を形成する。

この時、前記第２共通配線２３６と遮断部２３７と第２共通電極２３８と画素電極２３４と前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子２４０、２４２を構成する第２及び３導電層ａ２、ａ３と第１導電層ａ１は断面積で逆テーパーになるように構成される。

このような形状は、前記第２及び３導電層ａ２、ａ３を先にエッチングした後、その次に第１導電層ａ１エッチング時フォトレジストパターンがエッチング防止膜になることでなく先にパターニングされた前記第２及び３導電層ａ２、ａ３がエッチング防止膜の役割をするようになるので前記第２及び３導電層ａ２、ａ３の下部に前記第１導電層ａ１がオーバーエッチングされる自然なエッチング特性により発生するものである。

第１、２、３導電層ａ１、ａ２、ａ３は実質的に同一な平面形状を有するようになる。特に、第２、３導電層ａ２、ａ３は実質的にエンドラインが同一になる。そして、第１導電層ａ１のエンドラインは第２、３導電層ａ２、ａ３のエンドライン内に位置するようになる。すなわち、第１導電層ａ１は第２、３導電層ａ２、ａ３に比べて狭い幅を有するようになる。

一方、前述した工程で、前記第１共通配線２０８を第１電極にして、第１共通配線２０８の上部に延長されたストレージ電極２２２を第２電極にするストレージキャパシターＣＳＴが構成される。

前述した工程を介して本発明の第２実施形態によるＣＯＴ構造の横電界方式液晶表示装置を製作することができる。

本発明の第２実施形態による製造方法は、第１実施形態に比べて、２個のマスク工程を低減することができる。したがって、工程数及び工程費用を減少させることができる効果がある。

以下、第３実施形態を介して前記第２実施形態の変形例を説明する。
−−第３実施形態−−

本発明の第３実施形態は、前記第２実施形態の構成で、前記画素電極と第２共通電極をエッチングする工程で第１、２、３導電層をテーパーになるように積層された形状になるようにする。これにより、本発明の第３実施形態は、第２、３導電層周辺で前記透明な第１導電層が露出する形状になるようにすることを特徴とする。

このような構成は輝度が改善される長所がある。

これに対して、以下工程断面図を参照しながら説明する。

本発明の第３実施形態は、画素電極及び第２共通電極の構造及び製造工程を除いては、本発明の第１、２実施形態と同様である。したがって、本発明の第３実施形態では、本発明の第１、２実施形態と同一同様の事項に対しては説明を省略する。特に、第１ないし６マスク工程までは第２実施形態の工程と実質的に同一である。したがって前記第６マスク工程を除外したその以前の工程は説明を省略するようにする。また、図面符号が同一な場合には１００を加えて表記するようにする。

図１９Ａないし図１９Ｄは本発明の第３実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。

前記第１、２、３導電層ａ１、ａ２、ａ３が形成された基板３００の全面にフォトレジストを塗布した後第６マスク工程でパターニングして、前記スイッチング領域及びストレージ領域Ｓ、ＳＴと画素領域Ｐとゲートパッド領域及びデータパッド領域ＧＰ、ＤＰとデータ領域Ｄに対応してフォトレジストパターン２４０を形成する。すなわち、フォトレジストパターン３４０はゲート配線（図３の１０４）、薄膜トランジスタＴ、ゲートパッド電極３０６、データパッド電極３２６、データ配線３２４、第１共通電極３１０、画素領域Ｐに対応して形成される。特に、画素領域Ｐに形成されるフォトレジストパターン３４０は相互に離隔されて位置するようになる。

図２０Ａないし図２０Ｄは本発明の第３実施形態による、フォトレジストパターンを用いてパターニングされた第２、３導電層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。

図示したように、前記フォトレジストパターン３４０の間で露出した第３導電層ａ３とその下部の第２導電層ａ２をエッチングする工程を進行する。

次に、図示しなかったが前記フォトレジストパターン３４０を熱処理して、前記エッチングされた第２及び３導電層ａ２、ａ３を覆うようにする。

このようにした後、前記熱処理されたフォトレジストパターンの間で露出した前記第１導電層ａ１を除去した後、前記熱処理されたフォトレジストパターンを除去する工程を進行する。

図２１Ａないし図２１Ｄは本発明の第３実施形態による、熱処理されたフォトレジストパターンを用いてパターニングされた第１導電層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIII−III、IV−IV、Ｖ−Ｖ、VI−VIに沿って切断して示した断面図である。

図示したように、第２及び３導電層ａ２、ａ３と第１導電層ａ１がテーパーになるように構成されてこの時、前記透明な第１導電層ａ１は第２、３導電層ａ２、ａ３周辺で露出する形態に形成される。

第１、２、３導電層ａ１、ａ２、ａ３は実質的に同一な平面形状を有するようになる。特に、第２、３導電層ａ２、ａ３は実質的にエンドラインが同一になる。そして、第１導電層ａ１のエンドラインは第２、３導電層ａ２、ａ３のエンドライン外部に位置するようになる。すなわち、第１導電層ａ１は第２、３導電層ａ２、ａ３に比べて広い幅を有するようになる。

このように３層が積層されて前記ドレイン電極３２０と接触しながら前記画素領域Ｐに延長された画素電極３３４と、前記ゲート配線とデータ配線３２４と前記スイッチング領域Ｓに対応して格子状を成す第２共通配線及び遮断部３３６、３３７と、前記第２共通配線３３６から前記画素領域Ｐへ延長された第２共通電極３３８を形成する。

同時に、前記ゲートパッド電極３０６と接触するゲートパッド電極端子３４０と前記データパッド電極３２６と接触するデータパッド電極端子３４２を形成する。

前述したように、前記第２共通電極３３８と画素電極３３４は第２、３導電層ａ２、ａ３周辺で前記透明な第１導電層ａ１が露出した形状であるので下部の光がさらに通過することができるようになる。したがって、輝度が改善されることができる長所がある。

一方、前述した工程で、前記第１共通配線３０８を第１電極にして、第１共通配線３０８の上部に延長されたストレージ電極３２２を第２電極にするストレージキャパシターＣＳＴが構成される。

前述した工程を介して本発明の第３実施形態によるＣＯＴ構造の横電界方式液晶表示装置を製作することができる。

前述した第２実施形態と第３実施形態の構成で、前記ゲートパッド電極端子とデータパッド電極端子は透明な第１導電層と不透明な第２及び３導電層が順次積層された形状である。

この時、外部の駆動回路との円滑なコンタクト特性のために前記第２及び３導電層を除去することが効果的である。

このために、別途のマスク工程を使わなくて前記第２及び３導電層を除去する方法を以下、図２２を参照しながら説明する。

図２２は本発明の第２及び３実施形態を介して製作された液晶表示装置用アレイ基板を有する液晶表示装置を示した平面図である。

図示したように、ＣＯＴ構造の横電界方式液晶表示装置４００は先に製作したアレイ基板２００、３００と、別途製作された上部基板５００をシーラント（図示せず）を通じて合着して形成する。液晶表示装置４００には、表示領域ＤＲと表示領域ＤＲ周辺の非表示領域ＮＲが定義されている。画素領域は表示領域ＤＲに位置して、ゲートパッド領域及びデータパッド領域ＧＰ、ＤＰは非表示領域ＮＲに位置する。

この時、前記上部基板５００を合着後、前記ゲートパッド領域及びデータパッド領域ＧＰ、ＤＰを露出するために上部基板５００の一部を切断する工程を進行する。

次に、前記ゲートパッド電極端子２４０、３４０とデータパッド電極端子２４２、３４２の第３導電層及び第２導電層を同時に除去する工程を進行する。第３導電層及び第２導電層を除去するために、露出したアレイ基板２００、３００のゲートパッド領域及びデータパッド領域ＧＰ、ＤＰを湿式エッチングのためにエッチング溶液に浸すディッピング方法を用いることができる。この時、上部基板５００はエッチング防止手段で使われることができる。

このようにすれば、前記第２及び第３実施形態のゲートパッド電極端子２４０、３４０とデータパッド電極端子２４２、３４２には透明な第１導電層だけが残るようになる。

前述した工程を介して本発明の第２、３実施形態によるＣＯＴ構造の横電界方式液晶表示装置を製作することができる。

従来の液晶表示装置を概略的に示した図面。 従来のＣＯＴ構造液晶表示装置を概略的に示した断面図である。 本発明の第１実施形態によるＣＯＴ構造の横電界方式液晶表示装置用アレイ基板を示した平面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第１及び第２マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−III、に沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第１及び第２マスク工程を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第１及び第２マスク工程を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第１及び第２マスク工程を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第３マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第３マスク工程を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第３マスク工程を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第３マスク工程を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による保護層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による保護層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による保護層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による保護層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第４マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第４マスク工程を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第４マスク工程を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第４マスク工程を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第５マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第５マスク工程を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第５マスク工程を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第５マスク工程を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第７マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第７マスク工程を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第７マスク工程を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第７マスク工程を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第８マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第８マスク工程を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第８マスク工程を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示装置を製造するための第８マスク工程を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第１及び第２マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第１及び第２マスク工程を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第１及び第２マスク工程を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第１及び第２マスク工程を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第３マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第３マスク工程を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第３マスク工程を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第３マスク工程を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による保護層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による保護層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による保護層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による保護層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第４マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第４マスク工程を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第４マスク工程を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第４マスク工程を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第５マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第５マスク工程を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第５マスク工程を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第５マスク工程を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による第６マスク工程により製造された液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による第６マスク工程により製造された液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による第６マスク工程により製造された液晶表示装置を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２実施形態による第６マスク工程により製造された液晶表示装置を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第３実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第３実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第３実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第３実施形態による液晶表示装置を製造するための第６マスク工程を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第３実施形態による、フォトレジストパターンを用いてパターニングされた第２、３導電層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第３実施形態による、フォトレジストパターンを用いてパターニングされた第２、３導電層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第３実施形態による、フォトレジストパターンを用いてパターニングされた第２、３導電層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第３実施形態による、フォトレジストパターンを用いてパターニングされた第２、３導電層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第３実施形態による、熱処理されたフォトレジストパターンを用いてパターニングされた第１導電層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIII−IIIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第３実施形態による、熱処理されたフォトレジストパターンを用いてパターニングされた第１導電層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のIV−IVに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第３実施形態による、熱処理されたフォトレジストパターンを用いてパターニングされた第１導電層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のＶ−Ｖに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第３実施形態による、熱処理されたフォトレジストパターンを用いてパターニングされた第１導電層を有する液晶表示装置を示した断面図であって、図３のVI−VIに沿って切断して示した断面図である。 本発明の第２及び３実施形態を介して製作された液晶表示装置用アレイ基板を有する液晶表示装置を示した平面図である。

符号の説明

３００：基板
３１０：第１共通電極
３１２：ゲート絶縁膜
３２４：データ配線
３２８：保護膜
３３０ａ、３３０ｂ、３３０ｃ：カラーフィルターパターン
３３２：平坦化膜
ａ１：第１導電層
ａ２：第２導電層
ａ３：第３導電層
３３４：画素電極
３３６：第２共通配線
３３７：遮断部
３３８：第２共通電極

Claims (51)

1. 基板上に相互に交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と；
   前記ゲート配線及びデータ配線に連結する薄膜トランジスタと；
   前記画素領域に位置するカラーフィルターパターンと；
   前記画素領域に位置して前記カラーフィルターパターン上部に位置して、透明層と不透明層と低反射層を含む第１積層構造を有する画素電極を含む液晶表示装置。
2. 前記画素電極は傾斜した角度で連結する第１、２直線部を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記画素領域に位置する第１共通電極をさらに含んで、前記第１共通電極は前記透明層と不透明層と低反射層を含む第２積層構造を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 前記第１共通電極は前記カラーフィルターパターン上部に位置することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
5. 前記第１共通電極は傾斜した角度で連結する第１、２直線部を有することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
6. 前記画素電極と前記第１共通電極は横電界を形成するために同一平面に位置することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
7. 前記第１共通電極は第１共通配線から延長されて、前記第１共通配線は前記画素電極と同一な平面に位置することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
8. 前記第１共通配線は前記薄膜トランジスタ及びゲート配線上部に位置することを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
9. 前記基板上に位置する第２共通電極と；
   前記データ配線と第２共通配線間の領域を通した光漏れを遮断するために、前記データ配線と第２共通配線間の領域を上部で覆う遮断部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
10. 前記第２共通電極は第２共通配線から延長されて、前記第２共通配線は前記ゲート配線と同一な平面に位置することを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
11. ストレージキャパシターをさらに含んで、前記ストレージキャパシターは前記薄膜トランジスタから延長されて前記画素電極と連結されるストレージ電極を含んで、前記ストレージ電極と第２共通配線は前記ストレージキャパシターの２個の電極であることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
12. 前記透明層は前記第１積層構造の最上層に位置することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
13. 前記透明層は前記第１積層構造の最下層に位置することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
14. 前記透明層は前記不透明層及び低反射層より狭い幅を有することを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置。
15. 前記透明層は前記不透明層及び低反射層より広い幅を有することを特徴とする請求項１３に記載の液晶表示装置。
16. 前記ゲート配線及びデータ配線それぞれの終端に位置するゲートパッド電極及びデータパッド電極と；
    前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極上にそれぞれ位置するゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子をさらに含んで、
    前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子それぞれは少なくとも前記透明層を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
17. 前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子それぞれは前記透明層下部に前記不透明層をさらに有することを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置。
18. 前記不透明層はアルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金（ＡｌＮｄ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）のうち少なくとも一つ以上で形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
19. 前記低反射層はクロムオキサイド（ＣｒＯ_Ｘ）で形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
20. 前記透明層はインジウム−スズ−オキサイド（ＩＴＯ）とインジウム−ジンク−オキサイド（ＩＺＯ）のうち少なくとも一つ以上で形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
21. 第１基板上に相互に交差して画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と；
    前記ゲート配線及びデータ配線に連結する薄膜トランジスタと；
    前記画素領域に位置するカラーフィルターパターンと；
    前記画素領域に位置して前記カラーフィルターパターン上部に位置して、透明層と不透明層と低反射層を含む第１積層構造を有する画素電極と；
    第２基板と；
    前記第１、２基板間に位置する液晶層を含む液晶表示装置。
22. 前記画素領域に位置する第１共通電極をさらに含んで、前記第１共通電極は前記透明層と不透明層と低反射層を含む第２積層構造を有することを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置。
23. 前記第１共通電極は前記カラーフィルターパターン上部に位置することを特徴とする請求項２２に記載の液晶表示装置。
24. 前記画素電極と前記第１共通電極は横電界を形成するために同一平面に位置することを特徴とする請求項２２に記載の液晶表示装置。
25. 前記第１共通電極は第１共通配線から延長されて、前記第１共通配線は前記画素電極と同一な平面に位置することを特徴とする請求項２２に記載の液晶表示装置。
26. 前記第１共通配線は前記薄膜トランジスタ及びゲート配線上部に位置することを特徴とする請求項２５に記載の液晶表示装置。
27. 前記第１基板上に位置する第２共通電極と；
    前記データ配線と第２共通配線間の領域を通した光漏れを遮断するために、前記データ配線と第２共通配線間の領域を上部で覆う遮断部をさらに含むことを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置。
28. 前記第２共通電極は第２共通配線から延長されて、前記第２共通配線は前記ゲート配線と同一な平面に位置することを特徴とする請求項２７に記載の液晶表示装置。
29. ストレージキャパシターをさらに含んで、前記ストレージキャパシターは前記薄膜トランジスタから延長されて前記画素電極と連結されるストレージ電極を含んで、前記ストレージ電極と第２共通配線は前記ストレージキャパシターの２個の電極であることを特徴とする請求項２８に記載の液晶表示装置。
30. 前記透明層は前記第１積層構造の最上層に位置することを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置。
31. 前記透明層は前記第１積層構造の最下層に位置することを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置。
32. 前記透明層は前記不透明層及び低反射層より狭い幅を有することを特徴とする請求項３１に記載の液晶表示装置。
33. 前記透明層は前記不透明層及び低反射層より広い幅を有することを特徴とする請求項３１に記載の液晶表示装置。
34. 基板上に薄膜トランジスタを形成する段階と；
    相互に交差するゲート配線及びデータ配線を形成することによって、前記薄膜トランジスタに近接する画素領域を定義する段階と；
    前記画素領域にカラーフィルターパターンを形成する段階と；
    前記カラーフィルターパターン上部に透明層と不透明層と低反射層を形成することによって、前記画素領域に画素電極を形成する段階を含む液晶表示装置製造方法。
35. 前記画素電極を形成する段階は傾斜した角度で連結する第１、２直線部を形成する段階を含むことを特徴とする請求項３４に記載の液晶表示装置製造方法。
36. 前記カラーフィルターパターン上部に透明層と不透明層と低反射層を形成することによって、前記画素領域に第１共通電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項３４に記載の液晶表示装置製造方法。
37. 前記第１共通電極を形成する段階は傾斜した角度で連結する第１、２直線部を形成する段階を含むことを特徴とする請求項３６に記載の液晶表示装置製造方法。
38. 前記画素電極と前記第１共通電極を形成する段階は前記画素電極と前記第１共通電極を同一平面に形成する段階を含むことを特徴とする請求項３６に記載の液晶表示装置製造方法。
39. 前記第１共通電極と同一平面で連結する第１共通配線を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項３８に記載の液晶表示装置製造方法。
40. 前記第１共通配線を形成する段階は前記薄膜トランジスタ及びゲート配線上部に前記第１共通配線を形成する段階を含むことを特徴とする請求項３９に記載の液晶表示装置製造方法。
41. 前記基板上に第２共通電極を形成する段階と；
    前記データ配線と第２共通配線間の領域を通した光漏れを遮断するために、前記データ配線と第２共通配線間の領域を上部で覆う遮断部を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項３４に記載の液晶表示装置製造方法。
42. 前記ゲート配線と同一平面に位置して、前記第２共通電極と連結される第２共通配線を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項４１に記載の液晶表示装置製造方法。
43. 前記薄膜トランジスタから延長されて前記画素電極と連結されるストレージ電極を形成することによってストレージキャパシターを形成する段階をさらに含んで、前記ストレージ電極と第２共通配線は前記ストレージキャパシターの２個の電極であることを特徴とする請求項４２に記載の液晶表示装置製造方法。
44. 第１共通電極及び前記画素電極を形成する段階は前記不透明層及び低反射層上部に前記透明層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項３４に記載の液晶表示装置製造方法。
45. 第１共通電極及び前記画素電極を形成する段階は前記透明層上部に前記不透明層及び低反射層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項３４に記載の液晶表示装置製造方法。
46. 第１共通電極及び前記画素電極を形成する段階は、前記透明層の側面をオーバーエッチングして前記不透明層及び低反射層より狭い幅を有する前記透明層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項４５に記載の液晶表示装置製造方法。
47. 第１共通電極及び前記画素電極を形成する段階は、
    前記不透明層及び低反射層をパターニングして前記透明層を露出する段階と；
    前記露出した透明層をパターニングして前記不透明層及び低反射層より広い幅を有する前記透明層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項４５に記載の液晶表示装置製造方法。
48. 前記ゲート配線の終端にゲートパッド電極を形成する段階と；
    前記ゲートパッド電極上に少なくとも前記透明層を形成することによってゲートパッド電極端子を形成する段階と；
    前記データ配線の終端にデータパッド電極を形成する段階と；
    前記データパッド電極上に少なくとも前記透明層を形成することによってデータパッド電極端子を形成する段階を含むことを特徴とする請求項３４に記載の液晶表示装置製造方法。
49. 前記ゲートパッド電極上に透明層を形成する段階以前に、前記ゲートパッド電極上に前記不透明層を形成する段階と；
    前記データパッド電極上に透明層を形成する段階以前に、前記データパッド電極上に前記不透明層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項４８に記載の液晶表示装置製造方法。
50. 前記ゲート配線の終端にゲートパッド電極を形成する段階と；
    前記データ配線の終端にデータパッド電極を形成する段階と；
    前記ゲートパッド電極及びデータパッド電極上にそれぞれ、前記透明層と不透明層と低反射層を形成することによってゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子を形成する段階をさらに含んで、
    前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子を形成する段階は前記画素電極及び第１共通電極を形成する段階と同時に遂行されることを特徴とする請求項３４に記載の液晶表示装置製造方法。
51. 前記基板上の上部基板を、前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子を露出するように位置させる段階と；
    前記上部基板をマスクとして用いて前記ゲートパッド電極端子及びデータパッド電極端子の不透明層及び低反射層を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項５０に記載の液晶表示装置製造方法。
    

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