JP2001066617A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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Abstract
(57)【要約】
【課題】表示ムラの生じない液晶表示パネルを製造工程
を増大させないで歩留まりよく得る。 【解決手段】透明な第１の基板の上に走査線、ゲート電
極３ａ、信号線７，薄膜トランジスタを形成し、これら
を含む全体の上層にカラーフィルタ９Ｒ、９Ｇ、９Ｂを
設け、カラーフィルタ上にオーバーコート層１０を形成
し、このオーバーコート層上に画素電極１１とＣＯＭ電
極を同じ層に配置する。このＴＦＴ基板と透明な第２の
基板を対向させ間に液晶１３を封止する。
を増大させないで歩留まりよく得る。 【解決手段】透明な第１の基板の上に走査線、ゲート電
極３ａ、信号線７，薄膜トランジスタを形成し、これら
を含む全体の上層にカラーフィルタ９Ｒ、９Ｇ、９Ｂを
設け、カラーフィルタ上にオーバーコート層１０を形成
し、このオーバーコート層上に画素電極１１とＣＯＭ電
極を同じ層に配置する。このＴＦＴ基板と透明な第２の
基板を対向させ間に液晶１３を封止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、面内に水平な電界
を用いて液晶を駆動する方式の液晶表示装置およびその
製造方法に関する。
を用いて液晶を駆動する方式の液晶表示装置およびその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置の液晶の動作モードとして
は、基板間で液晶分子の分子軸の方向（以下、ダイレク
タと呼ぶ）を上下基板間で約９０度回転させて液晶分子
をツイスト配向させ、基板に対して垂直方向の電界によ
り、ダイレクタを垂直方向に回転させて表示を行うツイ
ステッドネマティックモード（以下、ＴＮモードと呼
ぶ）が従来用いられてきた。
は、基板間で液晶分子の分子軸の方向（以下、ダイレク
タと呼ぶ）を上下基板間で約９０度回転させて液晶分子
をツイスト配向させ、基板に対して垂直方向の電界によ
り、ダイレクタを垂直方向に回転させて表示を行うツイ
ステッドネマティックモード（以下、ＴＮモードと呼
ぶ）が従来用いられてきた。
【０００３】しかしながら、このＴＮモードは、視野角
が狭いという問題点がある。その為、斜め方向から表示
を視認出来ない他、大容量表示が進み画面面積が大きく
なると、斜め方向のある視点から画面を見た場合画面中
央と画面端で見え方が異なり正しい表示が不可能にな
る。
が狭いという問題点がある。その為、斜め方向から表示
を視認出来ない他、大容量表示が進み画面面積が大きく
なると、斜め方向のある視点から画面を見た場合画面中
央と画面端で見え方が異なり正しい表示が不可能にな
る。
【０００４】この問題に対して、基板に対して平行方向
に電界を発生させ、ダイレクタを水平面内で回転させて
表示を行うインプレーンスイッチングモード（以下ＩＰ
Ｓモードと呼ぶ）が開発されている。基板に平行な電界
により液晶を駆動させる液晶表示装置は、液晶が水平方
向に配向しているので視点を動かしても液晶の複屈折性
が大きく変化しないため、ＴＮモードの液晶表示装置に
比較して、広視野角を達成することができる。
に電界を発生させ、ダイレクタを水平面内で回転させて
表示を行うインプレーンスイッチングモード（以下ＩＰ
Ｓモードと呼ぶ）が開発されている。基板に平行な電界
により液晶を駆動させる液晶表示装置は、液晶が水平方
向に配向しているので視点を動かしても液晶の複屈折性
が大きく変化しないため、ＴＮモードの液晶表示装置に
比較して、広視野角を達成することができる。
【０００５】また、ＩＰＳモードと同様に基板に平行な
電界により広視野角を得る方法としてJournal of App
lied Physics,Vol.45,No.12(1974)P.5466または、特開
平１０−１８６３５１号公報には誘電率異方性が正の液
晶を基板に対して垂直にホメオトロピック配向させてお
き、基板に水平方向の電界で液晶分子を基板と水平方向
に倒す方式が述べられている。このとき、電界の方向の
ためホメオトロピック配向させた液晶分子は傾く方向が
異なる２つ以上の領域に分かれる。ホメオトロピック配
向の液晶自体は、特に広い視野角を得られるわけではな
いが、上記の方向で２つ以上の領域に分けることによ
り、透過光強度の変化を緩やかにして広視野を得ること
ができる。
電界により広視野角を得る方法としてJournal of App
lied Physics,Vol.45,No.12(1974)P.5466または、特開
平１０−１８６３５１号公報には誘電率異方性が正の液
晶を基板に対して垂直にホメオトロピック配向させてお
き、基板に水平方向の電界で液晶分子を基板と水平方向
に倒す方式が述べられている。このとき、電界の方向の
ためホメオトロピック配向させた液晶分子は傾く方向が
異なる２つ以上の領域に分かれる。ホメオトロピック配
向の液晶自体は、特に広い視野角を得られるわけではな
いが、上記の方向で２つ以上の領域に分けることによ
り、透過光強度の変化を緩やかにして広視野を得ること
ができる。
【０００６】ＩＰＳモードにより動作する液晶表示装置
は、例えば特開平６−１４８５９５号公報（以下「従来
例１」）に開示されているように、画素電極と共通電極
線の間に電圧を印加し、基板面にほぼ平行な電界を発生
させて液晶を駆動していた。図１２に従来例１の平面
図、また、図１３に図１２中のＡ−Ａ’線の断面図を示
す。従来例１の液晶表示装置は、薄膜トランジスタの存
在する基板１（以下、ＴＦＴ基板と呼ぶ）上にマトリク
ス状に配置された複数の走査線３、信号線７及び共通電
極線１４を備え、走査線と信号線の交差部には薄膜トラ
ンジスタ及び画素電極１１を有している。画素電極１１
と共通電極線１４から延びるＣＯＭ電極１２は図１２の
平面図に示すようにストライプ状に両電極が平行になる
よう設置され、基板面に平行で両電極に直交する成分を
主とした電界を発生できる。
は、例えば特開平６−１４８５９５号公報（以下「従来
例１」）に開示されているように、画素電極と共通電極
線の間に電圧を印加し、基板面にほぼ平行な電界を発生
させて液晶を駆動していた。図１２に従来例１の平面
図、また、図１３に図１２中のＡ−Ａ’線の断面図を示
す。従来例１の液晶表示装置は、薄膜トランジスタの存
在する基板１（以下、ＴＦＴ基板と呼ぶ）上にマトリク
ス状に配置された複数の走査線３、信号線７及び共通電
極線１４を備え、走査線と信号線の交差部には薄膜トラ
ンジスタ及び画素電極１１を有している。画素電極１１
と共通電極線１４から延びるＣＯＭ電極１２は図１２の
平面図に示すようにストライプ状に両電極が平行になる
よう設置され、基板面に平行で両電極に直交する成分を
主とした電界を発生できる。
【０００７】さらに、このＴＦＴ基板と液晶層１３とを
介して対向して、遮光層１５と、カラーフィルタ９Ｒ、
９Ｂ、９Ｇ、液晶配向層（図示せず）とを有する基板２
（以下、対向基板と呼ぶ）を設置し、一つのアクティブ
マトリクス液晶表示装置を形成している。ここで、従来
例１の特徴は、カラーフィルタ及び遮光層が対向基板２
上に形成されていることにある。
介して対向して、遮光層１５と、カラーフィルタ９Ｒ、
９Ｂ、９Ｇ、液晶配向層（図示せず）とを有する基板２
（以下、対向基板と呼ぶ）を設置し、一つのアクティブ
マトリクス液晶表示装置を形成している。ここで、従来
例１の特徴は、カラーフィルタ及び遮光層が対向基板２
上に形成されていることにある。
【０００８】また、従来、カラーフィルタがＴＦＴ基板
側に形成された液晶表示装置が特願平１１−１６８３３
４号において提案されている（以下従来例２とする）。
図１４に従来例２の平面図を、図１５に図１４中のＡ−
Ａ’線の断面図を示す。また、図１６（ａ）〜（ｈ）
は、その製造工程を示す図である。従来例２の液晶表示
装置は以下のような構成をしている。
側に形成された液晶表示装置が特願平１１−１６８３３
４号において提案されている（以下従来例２とする）。
図１４に従来例２の平面図を、図１５に図１４中のＡ−
Ａ’線の断面図を示す。また、図１６（ａ）〜（ｈ）
は、その製造工程を示す図である。従来例２の液晶表示
装置は以下のような構成をしている。
【０００９】一方の基板１上に走査線３、走査線３に電
気的に接続されたゲート電極３ａ及び共通電極線１４が
設置されている。その上層にゲート絶縁膜４が形成さ
れ、このゲート絶縁膜４の上層に能動層となる半導体層
５が形成されている。その上層にソース電極７ａ、信号
線７及びドレイン電極７ｂが形成されている。信号線７
とソース電極７ａは接続されている。また、ソース電極
７ａとドレイン電極７ｂはｎ型半導体層６を介して半導
体層５と接続されている。それらの上層には薄膜トラン
ジスタを保護するパッシベーション膜８が設置され、そ
の上層には遮光層２０、それぞれ赤・緑・青の光を通過
させるカラーフィルター９Ｒ・９Ｇ・９Ｂ、チャージア
ップしにくい透明な絶縁材料からなるオーバーコート層
１０が設置され、その上層には共通電極線１４、共通電
極線１４と接続されたＣＯＭ電極１２が設置されてい
る。その上層には絶縁膜２１を挟んで薄膜トランジスタ
のソース電極７ｂとコンタクトホールを介して接続され
た金属よりなる櫛歯状の画素電極１１が設置されてい
る。画素電極１１とＣＯＭ電極１２は、その間に発生す
る電界が基板に水平方向の成分が主となるよう配置され
ている。その上層には図示しないが液晶分子を液晶の動
作モードに適した配列や傾きを制御するための液晶配向
層が設置され薄膜トランジスタ基板（以下ＴＦＴ基板と
する）を形成している。
気的に接続されたゲート電極３ａ及び共通電極線１４が
設置されている。その上層にゲート絶縁膜４が形成さ
れ、このゲート絶縁膜４の上層に能動層となる半導体層
５が形成されている。その上層にソース電極７ａ、信号
線７及びドレイン電極７ｂが形成されている。信号線７
とソース電極７ａは接続されている。また、ソース電極
７ａとドレイン電極７ｂはｎ型半導体層６を介して半導
体層５と接続されている。それらの上層には薄膜トラン
ジスタを保護するパッシベーション膜８が設置され、そ
の上層には遮光層２０、それぞれ赤・緑・青の光を通過
させるカラーフィルター９Ｒ・９Ｇ・９Ｂ、チャージア
ップしにくい透明な絶縁材料からなるオーバーコート層
１０が設置され、その上層には共通電極線１４、共通電
極線１４と接続されたＣＯＭ電極１２が設置されてい
る。その上層には絶縁膜２１を挟んで薄膜トランジスタ
のソース電極７ｂとコンタクトホールを介して接続され
た金属よりなる櫛歯状の画素電極１１が設置されてい
る。画素電極１１とＣＯＭ電極１２は、その間に発生す
る電界が基板に水平方向の成分が主となるよう配置され
ている。その上層には図示しないが液晶分子を液晶の動
作モードに適した配列や傾きを制御するための液晶配向
層が設置され薄膜トランジスタ基板（以下ＴＦＴ基板と
する）を形成している。
【００１０】もう一方の基板２上には図示しないが液晶
配向層が設置され、対向基板を形成している。ＴＦＴ基
板と対向基板は液晶配向層同士が向かい合うように設置
され、向かい合う液晶配向層の間には液晶層１３が設置
される構成となっている。ここで、液晶層中の液晶分子
は基板に平行に配向されている。
配向層が設置され、対向基板を形成している。ＴＦＴ基
板と対向基板は液晶配向層同士が向かい合うように設置
され、向かい合う液晶配向層の間には液晶層１３が設置
される構成となっている。ここで、液晶層中の液晶分子
は基板に平行に配向されている。
【００１１】従来例２の液晶表示装置は、カラーフィル
タ９上に配置された画素電極１１とＣＯＭ電極１２の間
に電界を形成することで、それらの上に配置された液晶
分子２００を駆動している。言い換えるならば、カラー
フィルタ９と液晶層１３とが、画素電極１１とＣＯＭ電
極１２とを挾んで配置されているようにした。この従来
例２によれば、液晶分子２００を動かすための電界がＴ
ＦＴ基板側に回り込みカラーフィルタ９に印加され不純
物イオンが偏在化したとしても、液晶層１３とカラーフ
ィルタ９の間には画素電極１１とＣＯＭ電極１２が存在
するため、カラーフィルタの不純物イオンが作り出す電
界は導電体である画素電極１１とＣＯＭ電極１２に収束
し、液晶層には大きな影響を与えない。また、従来例２
ではカラーフィルタ９上にオーバーコート層１０が形成
され、その上に液晶層１３が形成されているが、オーバ
ーコート層１０は顔料等が含まれていないため不純物イ
オンが少なく殆どチャージアップしない。よって、さら
に液晶層１３への影響は少なくなる。
タ９上に配置された画素電極１１とＣＯＭ電極１２の間
に電界を形成することで、それらの上に配置された液晶
分子２００を駆動している。言い換えるならば、カラー
フィルタ９と液晶層１３とが、画素電極１１とＣＯＭ電
極１２とを挾んで配置されているようにした。この従来
例２によれば、液晶分子２００を動かすための電界がＴ
ＦＴ基板側に回り込みカラーフィルタ９に印加され不純
物イオンが偏在化したとしても、液晶層１３とカラーフ
ィルタ９の間には画素電極１１とＣＯＭ電極１２が存在
するため、カラーフィルタの不純物イオンが作り出す電
界は導電体である画素電極１１とＣＯＭ電極１２に収束
し、液晶層には大きな影響を与えない。また、従来例２
ではカラーフィルタ９上にオーバーコート層１０が形成
され、その上に液晶層１３が形成されているが、オーバ
ーコート層１０は顔料等が含まれていないため不純物イ
オンが少なく殆どチャージアップしない。よって、さら
に液晶層１３への影響は少なくなる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来例１の様
にカラーフィルタが対向基板上に形成される構造の場
合、次のような問題点があった。カラーフィルタは、通
常顔料を分散した有機ポリマーを用いフォトリソグラフ
ィ技術により色層を形成し製造される。よって、カラー
フィルタは非常に多くの有機物やイオン性の物質を含ん
でいる。液晶層中に印加されている交流駆動電圧に僅か
でも直流電圧成分が含まれている場合、不純物イオンが
偏在化してカラーフィルタ上に電界を形成してしまう。
その結果、液晶を駆動する際、駆動電界を妨害して目的
の電界を液晶に印加できなくなり正常な表示が不能にな
る。カラーフィルタの持つ電位は、直流成分のゆらぎあ
るいは不純物分布の影響でパネル面内でばらつくため表
示としてはムラとなって現れる。また、駆動電界を除去
した後もカラーフィルタ上の電荷はしばらくの間残るた
め液晶層１３には弱い電界が作用した状態となって、長
期残像やムラの原因となり表示品位を低下させる。従来
の技術ではカラーフィルタは画素電極や共通電極線に対
して液晶層１３を挟んで対向基板上にあるため画素電極
や共通電極線とカラーフィルタの電位差によりカラーフ
ィルタ上の電界は基板に垂直な成分を含んでおり、基板
間の複屈折性が大きく変化し長期残像や表示ムラの程度
はＴＮモードに比べ非常に大きい。
にカラーフィルタが対向基板上に形成される構造の場
合、次のような問題点があった。カラーフィルタは、通
常顔料を分散した有機ポリマーを用いフォトリソグラフ
ィ技術により色層を形成し製造される。よって、カラー
フィルタは非常に多くの有機物やイオン性の物質を含ん
でいる。液晶層中に印加されている交流駆動電圧に僅か
でも直流電圧成分が含まれている場合、不純物イオンが
偏在化してカラーフィルタ上に電界を形成してしまう。
その結果、液晶を駆動する際、駆動電界を妨害して目的
の電界を液晶に印加できなくなり正常な表示が不能にな
る。カラーフィルタの持つ電位は、直流成分のゆらぎあ
るいは不純物分布の影響でパネル面内でばらつくため表
示としてはムラとなって現れる。また、駆動電界を除去
した後もカラーフィルタ上の電荷はしばらくの間残るた
め液晶層１３には弱い電界が作用した状態となって、長
期残像やムラの原因となり表示品位を低下させる。従来
の技術ではカラーフィルタは画素電極や共通電極線に対
して液晶層１３を挟んで対向基板上にあるため画素電極
や共通電極線とカラーフィルタの電位差によりカラーフ
ィルタ上の電界は基板に垂直な成分を含んでおり、基板
間の複屈折性が大きく変化し長期残像や表示ムラの程度
はＴＮモードに比べ非常に大きい。
【００１３】また、従来例２は、従来例１の問題点を解
決するものであるが、なお次のような欠点がある。すな
わち、従来例２では画素電極とＣＯＭ（共通）電極が絶
縁層（層間分離膜）２１を介して異なる層に配置されて
いる。よって、層間分離膜の形成および配線形成工程が
増え、作製コストが増すばかりか生産歩留まりも低下し
てしまう。
決するものであるが、なお次のような欠点がある。すな
わち、従来例２では画素電極とＣＯＭ（共通）電極が絶
縁層（層間分離膜）２１を介して異なる層に配置されて
いる。よって、層間分離膜の形成および配線形成工程が
増え、作製コストが増すばかりか生産歩留まりも低下し
てしまう。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、面内に水平な
電界を用いて液晶を駆動する方式の液晶表示装置におい
て、カラーフィルタをＴＦＴ基板上に作成し、更にその
上層に共通電極と画素電極を同層の電極により作成する
ことを特徴とする。
電界を用いて液晶を駆動する方式の液晶表示装置におい
て、カラーフィルタをＴＦＴ基板上に作成し、更にその
上層に共通電極と画素電極を同層の電極により作成する
ことを特徴とする。
【００１５】本発明は、２枚の透明絶縁基板間に液晶が
挟持され、基板に平行な電界を発生し液晶を駆動する液
晶表示装置において、一方の基板には、走査電圧が印加
される走査線と、走査線と電気的に接続されたゲート電
極と、信号電圧が印加される信号線と、信号線に電気的
に接続されたソース電極と画素電極に電気的に接続され
たドレイン電極を備えた薄膜トランジスタが設置され、
これら含む全面の上層にはカラーフィルタが設置され、
前記カラーフィルタの上層には、画素電極と、共通信号
電圧が印加されるＣＯＭ電極が、同じ層で形成されてい
ることを特徴とする。カラーフィルタの上にはオーバー
コート層を形成することができる。画素電極とＣＯＭ電
極は透明または不透明な導電材料で形成されている。共
通電極線とＣＯＭ電極は同じ層の上に形成されている。
なお、液晶は基板に平行に配向処理され誘電率異方性が
正または負である。また、液晶が基板に垂直に配向処理
され誘電率異方性が正であってもよい。
挟持され、基板に平行な電界を発生し液晶を駆動する液
晶表示装置において、一方の基板には、走査電圧が印加
される走査線と、走査線と電気的に接続されたゲート電
極と、信号電圧が印加される信号線と、信号線に電気的
に接続されたソース電極と画素電極に電気的に接続され
たドレイン電極を備えた薄膜トランジスタが設置され、
これら含む全面の上層にはカラーフィルタが設置され、
前記カラーフィルタの上層には、画素電極と、共通信号
電圧が印加されるＣＯＭ電極が、同じ層で形成されてい
ることを特徴とする。カラーフィルタの上にはオーバー
コート層を形成することができる。画素電極とＣＯＭ電
極は透明または不透明な導電材料で形成されている。共
通電極線とＣＯＭ電極は同じ層の上に形成されている。
なお、液晶は基板に平行に配向処理され誘電率異方性が
正または負である。また、液晶が基板に垂直に配向処理
され誘電率異方性が正であってもよい。
【００１６】また、本発明によれば、一方の基板上に、
走査線、ゲート電極をよび共通電極線を形成する工程
と、全面にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート電極の上
部に半導体層を形成する工程と、信号線、前記半導体層
上にソース電極およびドレイン電極、導通部を形成する
工程と、全面にパッシベーション膜を設ける工程と、前
記ゲート電極、半導体層、ソース電極をよびドレイン電
極により形成される薄膜トランジスタの上部に遮光膜
を、その他の部分にカラーフィルタを形成する工程と、
カラーフィルタ上に画素電極と共通信号が印加されるＣ
ＯＭ電極とを形成する工程と、前記一方の基板ともう一
方の基板とを対向させその間に液晶を封止する工程とを
有する液晶表示装置の製造方法が得られる。なお、カラ
ーフィルタ上にオーバーコート層を形成してもよい。
走査線、ゲート電極をよび共通電極線を形成する工程
と、全面にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート電極の上
部に半導体層を形成する工程と、信号線、前記半導体層
上にソース電極およびドレイン電極、導通部を形成する
工程と、全面にパッシベーション膜を設ける工程と、前
記ゲート電極、半導体層、ソース電極をよびドレイン電
極により形成される薄膜トランジスタの上部に遮光膜
を、その他の部分にカラーフィルタを形成する工程と、
カラーフィルタ上に画素電極と共通信号が印加されるＣ
ＯＭ電極とを形成する工程と、前記一方の基板ともう一
方の基板とを対向させその間に液晶を封止する工程とを
有する液晶表示装置の製造方法が得られる。なお、カラ
ーフィルタ上にオーバーコート層を形成してもよい。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の第１の実施の形態の構成を
示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ’線の断面図、図３は
図１のＢ−Ｂ’線の断面図を示す。
て説明する。図１は本発明の第１の実施の形態の構成を
示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ’線の断面図、図３は
図１のＢ−Ｂ’線の断面図を示す。
【００１８】一方の基板１上に走査線３、走査線３に電
気的に接続されたゲート電極３ａ及び共通電極線１４が
設置されている。その上層にゲート絶縁膜４が形成さ
れ、このゲート絶縁膜の上層に能動層となる半導体層５
が形成されている。その上層にソース電極７ａ、信号線
７、ドレイン電極７ｂ及び導通部２５が形成されてい
る。信号線７とソース電極７ａは接続されている。ま
た、ソース電極７ａとドレイン電極７ｂはｎ型半導体層
６を介して半導体層５と接続されている。それらの上層
には薄膜トランジスタを保護するパッシベーション膜８
が設置され、その上層には遮光層２０、それぞれ赤・緑
・青の光を通過させるカラーフィルタ９Ｒ・９Ｇ・９
Ｂ、チャージアップしにくい透明な絶縁材料からなるオ
ーバーコート層１０が設置され、その上層には薄膜トラ
ンジスタのソース電極７ｂとコンタクトホールを介して
接続された金属よりなる画素電極１１、共通電極線１４
と導通部２５及びコンタクトホールを介して接続された
ＣＯＭ電極１２が設置されている。画素電極１１とＣＯ
Ｍ電極１２は、その間に発生する電界が基板に水平方向
の成分が主となるよう配置されている。その上層には図
示しないが液晶分子を液晶の動作モードに適した配列や
傾きを制御するための液晶配向層が設置され薄膜トラン
ジスタ基板（以下ＴＦＴ基板とする）を形成している。
気的に接続されたゲート電極３ａ及び共通電極線１４が
設置されている。その上層にゲート絶縁膜４が形成さ
れ、このゲート絶縁膜の上層に能動層となる半導体層５
が形成されている。その上層にソース電極７ａ、信号線
７、ドレイン電極７ｂ及び導通部２５が形成されてい
る。信号線７とソース電極７ａは接続されている。ま
た、ソース電極７ａとドレイン電極７ｂはｎ型半導体層
６を介して半導体層５と接続されている。それらの上層
には薄膜トランジスタを保護するパッシベーション膜８
が設置され、その上層には遮光層２０、それぞれ赤・緑
・青の光を通過させるカラーフィルタ９Ｒ・９Ｇ・９
Ｂ、チャージアップしにくい透明な絶縁材料からなるオ
ーバーコート層１０が設置され、その上層には薄膜トラ
ンジスタのソース電極７ｂとコンタクトホールを介して
接続された金属よりなる画素電極１１、共通電極線１４
と導通部２５及びコンタクトホールを介して接続された
ＣＯＭ電極１２が設置されている。画素電極１１とＣＯ
Ｍ電極１２は、その間に発生する電界が基板に水平方向
の成分が主となるよう配置されている。その上層には図
示しないが液晶分子を液晶の動作モードに適した配列や
傾きを制御するための液晶配向層が設置され薄膜トラン
ジスタ基板（以下ＴＦＴ基板とする）を形成している。
【００１９】もう一方の基板２上には図示しないが液晶
配向層が設置され、対向基板を形成している。ＴＦＴ基
板と対向基板は液晶配向層同士が向かい合うように設置
され、向かい合う液晶配向層の間には液晶層１３が設置
される構成となっている。ここで、液晶層中の液晶分子
は基板に平行に配向されている。この実施の形態ではポ
リイミドからなる液晶配向層をラビングすることによっ
て分子配向を行った。ラビング法に限らず、光配向法や
酸化シリコンの斜方蒸着法を用いても良い。液晶分子の
誘電異方性は正とした。
配向層が設置され、対向基板を形成している。ＴＦＴ基
板と対向基板は液晶配向層同士が向かい合うように設置
され、向かい合う液晶配向層の間には液晶層１３が設置
される構成となっている。ここで、液晶層中の液晶分子
は基板に平行に配向されている。この実施の形態ではポ
リイミドからなる液晶配向層をラビングすることによっ
て分子配向を行った。ラビング法に限らず、光配向法や
酸化シリコンの斜方蒸着法を用いても良い。液晶分子の
誘電異方性は正とした。
【００２０】液晶層中の液晶分子２００は図４（ａ）、
（ｂ）に示すように、画素電極１１とＣＯＭ電極１２間
に電界が発生していないときは、液晶層１３における液
晶分子はそれら電極の延在方向にほぼ平行な状態となる
よう液晶配向層によりホモジニアス配向している。すな
わち、液晶分子の長軸（光学軸）の方向と、画素電極１
１とＣＯＭ電極１２との間に形成される電界方向とのな
す角度が、例えば、４５°以上９０°未満となるよう
に、液晶分子は配向されている。
（ｂ）に示すように、画素電極１１とＣＯＭ電極１２間
に電界が発生していないときは、液晶層１３における液
晶分子はそれら電極の延在方向にほぼ平行な状態となる
よう液晶配向層によりホモジニアス配向している。すな
わち、液晶分子の長軸（光学軸）の方向と、画素電極１
１とＣＯＭ電極１２との間に形成される電界方向とのな
す角度が、例えば、４５°以上９０°未満となるよう
に、液晶分子は配向されている。
【００２１】ここで、ゲート電極３ａに電圧を印加して
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をオンにすると、ドレイン
電極７ｂに電圧が印加されて、画素電極１１とこれに対
向配置しているＣＯＭ電極１２の間に電界が誘起され
る。そして、この電界により、液晶分子２００は、画素
電極１１とこれに対向配置しているＣＯＭ電極１２の間
に形成される電界の方向に、ほぼ平行な状態となる（図
４）。そして、基板１および基板２の外側に設置された
偏光板の偏光透過軸を所定角度に配置しておくことで、
上述した液晶分子の動きによって光の透過率を変化させ
ることができる。例えば、一方の偏光板の透過軸を液晶
分子２００の配向方向とし、もう一方の偏光板の透過軸
を９０度回転させた方向とすることで、電界が印加され
ていないとき黒表示となり、印加時には光が透過するノ
ーマリブラック表示となる。
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をオンにすると、ドレイン
電極７ｂに電圧が印加されて、画素電極１１とこれに対
向配置しているＣＯＭ電極１２の間に電界が誘起され
る。そして、この電界により、液晶分子２００は、画素
電極１１とこれに対向配置しているＣＯＭ電極１２の間
に形成される電界の方向に、ほぼ平行な状態となる（図
４）。そして、基板１および基板２の外側に設置された
偏光板の偏光透過軸を所定角度に配置しておくことで、
上述した液晶分子の動きによって光の透過率を変化させ
ることができる。例えば、一方の偏光板の透過軸を液晶
分子２００の配向方向とし、もう一方の偏光板の透過軸
を９０度回転させた方向とすることで、電界が印加され
ていないとき黒表示となり、印加時には光が透過するノ
ーマリブラック表示となる。
【００２２】次に第１の実施の形態の製造方法について
述べる。図７（ａ）、（a'）〜（ｈ）、（h'）に製造工
程を説明する為の断面図を示す。図７（ａ）、（a'）に
示すように、一方の基板１に、スパッタによりクロムを
成膜しフォトリソグラフィ技術を用いてパターンニング
を行うことにより、走査線３、ゲート電極３ａ及び共通
電極線１４を形成する。配線材料としてクロムを用いた
が、クロムに限らず、モリブデン、チタン、アルミニウ
ム、アルミニウム合金などの抵抗が低く、薄膜形成及び
フォトリソグラフィ技術によるパターンニングがしやす
い材料ならばよい。また、アルミニウム上にチタンなど
のバリアメタルを形成した積層構造の配線としても良
い。その後、図７（ｂ）、（b'）に示すように、ケミカ
ルべーパーデポジッション（以下ＣＶＤとする）により
ゲート絶縁膜４となる窒化シリコンを全面に成膜する。
ゲート絶縁膜上にドーピングされていないアモルファス
シリコン（以下ａ−Ｓｉとする）とｎ＋型にドーピング
されたアモルファスシリコン（以下ｎ＋型ａ−Ｓｉとす
る）をＣＶＤにより成膜しパターンニングして半導体層
５とｎ＋型ａ−Ｓｉ６を形成する。半導体層は薄膜トラ
ンジスタの能動層となるものであり、ｎ＋型ａ−Ｓｉ６
はドレイン電極７ｂおよびソース電極７ａとａ−Ｓｉと
のオーミックコンタクトを確保するためのものである。
述べる。図７（ａ）、（a'）〜（ｈ）、（h'）に製造工
程を説明する為の断面図を示す。図７（ａ）、（a'）に
示すように、一方の基板１に、スパッタによりクロムを
成膜しフォトリソグラフィ技術を用いてパターンニング
を行うことにより、走査線３、ゲート電極３ａ及び共通
電極線１４を形成する。配線材料としてクロムを用いた
が、クロムに限らず、モリブデン、チタン、アルミニウ
ム、アルミニウム合金などの抵抗が低く、薄膜形成及び
フォトリソグラフィ技術によるパターンニングがしやす
い材料ならばよい。また、アルミニウム上にチタンなど
のバリアメタルを形成した積層構造の配線としても良
い。その後、図７（ｂ）、（b'）に示すように、ケミカ
ルべーパーデポジッション（以下ＣＶＤとする）により
ゲート絶縁膜４となる窒化シリコンを全面に成膜する。
ゲート絶縁膜上にドーピングされていないアモルファス
シリコン（以下ａ−Ｓｉとする）とｎ＋型にドーピング
されたアモルファスシリコン（以下ｎ＋型ａ−Ｓｉとす
る）をＣＶＤにより成膜しパターンニングして半導体層
５とｎ＋型ａ−Ｓｉ６を形成する。半導体層は薄膜トラ
ンジスタの能動層となるものであり、ｎ＋型ａ−Ｓｉ６
はドレイン電極７ｂおよびソース電極７ａとａ−Ｓｉと
のオーミックコンタクトを確保するためのものである。
【００２３】この後、図７（ｃ）、（c'）のように、走
査線３や共通電極線１４の形成された金属層とこの後形
成する信号線、ソース電極、ドレイン電極の形成される
金属層との導通をとるためのコンタクトホールをゲート
絶縁膜をパターンニングすることで形成する。このコン
タクトホールの形成は、後のパッシベーション膜のパタ
ーンニングと同時に行ってもよい、その際には導通部２
５は必要がなくなる。この後、図７（ｄ）、（d'）のよ
うに、半導体層５およびｎ＋型ａ−Ｓｉ６上に、クロム
をスパッタにより成膜しパターンニングしてドレイン電
極７ｂ、ソース電極７ａと導通パッドを形成する。その
後、ｎ＋型ａ−Ｓｉがエッチングされるガス系にてドラ
イエッチングを行い、ドレイン電極７ｂとソース電極７
ａの間のｎ＋型ａ−Ｓｉを除去する。これは、ソース電
極とドレイン電極間をｎ＋型ａ−Ｓｉを介して直接電流
が流れるのを防止するためである。この後、図７
（ｅ）、（e'）のように、ＣＶＤにより窒化シリコンを
成膜しパターンニングしてパッシベーション膜８を形成
する。パッシベーション膜８はイオン等の不純物が半導
体層５へ入り薄膜トランジスタが動作不良を起こすのを
防ぐ。
査線３や共通電極線１４の形成された金属層とこの後形
成する信号線、ソース電極、ドレイン電極の形成される
金属層との導通をとるためのコンタクトホールをゲート
絶縁膜をパターンニングすることで形成する。このコン
タクトホールの形成は、後のパッシベーション膜のパタ
ーンニングと同時に行ってもよい、その際には導通部２
５は必要がなくなる。この後、図７（ｄ）、（d'）のよ
うに、半導体層５およびｎ＋型ａ−Ｓｉ６上に、クロム
をスパッタにより成膜しパターンニングしてドレイン電
極７ｂ、ソース電極７ａと導通パッドを形成する。その
後、ｎ＋型ａ−Ｓｉがエッチングされるガス系にてドラ
イエッチングを行い、ドレイン電極７ｂとソース電極７
ａの間のｎ＋型ａ−Ｓｉを除去する。これは、ソース電
極とドレイン電極間をｎ＋型ａ−Ｓｉを介して直接電流
が流れるのを防止するためである。この後、図７
（ｅ）、（e'）のように、ＣＶＤにより窒化シリコンを
成膜しパターンニングしてパッシベーション膜８を形成
する。パッシベーション膜８はイオン等の不純物が半導
体層５へ入り薄膜トランジスタが動作不良を起こすのを
防ぐ。
【００２４】このようにして作製した薄膜トランジスタ
の上層に、図７（ｆ）、（f'）に示すように、カラーフ
ィルタ９Ｒ、９Ｇ、９Ｂと遮光層２０を形成する。例え
ばアクリル系の感光性ポリマー中に赤・緑・青・黒など
の所望の色の顔料を分散したレジストをフォトリソグラ
フィ技術によりパターンニングし形成する。このときコ
ンタクトホールも形成する。黒レジストは絶縁性の高い
ものを使用する。黒レジストの絶縁性が低いと薄膜トラ
ンジスタ上の遮光層が何らかの電位をもつこととなり、
トランジスタのバックチャネルを活性化させ良好な表示
ができなくなる。また、特開平９−３１１３４７号公報
のようにカラーフィルタの上層に金属からなる遮光層を
形成しても良い。次に、図７（ｇ）、（g'）のように、
感光性で透明性の高いアクリル系ポリマーをフォトリソ
グラフィ技術によりパターンニングしオーバーコート層
１０を形成する。オーバーコート層１０は、カラーフィ
ルタ９から溶出するイオン等の不純物が液晶層へ混入す
るのを防止し、また、ＴＦＴ基板上を平坦化するため液
晶層の厚さを面内均一よく制御可能にすると共にディス
クリネーションの発生を抑え、良好な表示を得ることに
寄与する。オーバーコート層１０の材料として感光性の
ポリマーを用いたが熱硬化性のポリマーを高温で焼成し
て成膜した後、フォトリソグラフィ技術によりパターン
ニングしても良い。また、アクリル系のポリマーに限ら
ず、ポリシラザンなど透明でスピンコーティングにより
形成可能な絶縁膜であれば使用可能である。また、スパ
ッタリングやＣＶＤにより絶縁膜を形成し研磨して平坦
化膜を形成する方法も可能である。スパッタリングやＣ
ＶＤにより絶縁膜を形成し研磨して平坦化膜を形成する
製造方法は、非常に平らな膜面を形成できるので、高精
細なパターンニングが可能になると同時に耐熱性に優れ
ている。次に、図７（ｈ）、（h'）に示すように、オー
バーコート層１０の上層にクロムをスパッタにより成膜
しパターンニングすることにより画素電極１１及びＣＯ
Ｍ電極１２を形成する。画素電極１１及びＣＯＭ電極１
２はアルミニウム等の他の金属を用いてもよい。このよ
うにしてＴＦＴ基板を得た。
の上層に、図７（ｆ）、（f'）に示すように、カラーフ
ィルタ９Ｒ、９Ｇ、９Ｂと遮光層２０を形成する。例え
ばアクリル系の感光性ポリマー中に赤・緑・青・黒など
の所望の色の顔料を分散したレジストをフォトリソグラ
フィ技術によりパターンニングし形成する。このときコ
ンタクトホールも形成する。黒レジストは絶縁性の高い
ものを使用する。黒レジストの絶縁性が低いと薄膜トラ
ンジスタ上の遮光層が何らかの電位をもつこととなり、
トランジスタのバックチャネルを活性化させ良好な表示
ができなくなる。また、特開平９−３１１３４７号公報
のようにカラーフィルタの上層に金属からなる遮光層を
形成しても良い。次に、図７（ｇ）、（g'）のように、
感光性で透明性の高いアクリル系ポリマーをフォトリソ
グラフィ技術によりパターンニングしオーバーコート層
１０を形成する。オーバーコート層１０は、カラーフィ
ルタ９から溶出するイオン等の不純物が液晶層へ混入す
るのを防止し、また、ＴＦＴ基板上を平坦化するため液
晶層の厚さを面内均一よく制御可能にすると共にディス
クリネーションの発生を抑え、良好な表示を得ることに
寄与する。オーバーコート層１０の材料として感光性の
ポリマーを用いたが熱硬化性のポリマーを高温で焼成し
て成膜した後、フォトリソグラフィ技術によりパターン
ニングしても良い。また、アクリル系のポリマーに限ら
ず、ポリシラザンなど透明でスピンコーティングにより
形成可能な絶縁膜であれば使用可能である。また、スパ
ッタリングやＣＶＤにより絶縁膜を形成し研磨して平坦
化膜を形成する方法も可能である。スパッタリングやＣ
ＶＤにより絶縁膜を形成し研磨して平坦化膜を形成する
製造方法は、非常に平らな膜面を形成できるので、高精
細なパターンニングが可能になると同時に耐熱性に優れ
ている。次に、図７（ｈ）、（h'）に示すように、オー
バーコート層１０の上層にクロムをスパッタにより成膜
しパターンニングすることにより画素電極１１及びＣＯ
Ｍ電極１２を形成する。画素電極１１及びＣＯＭ電極１
２はアルミニウム等の他の金属を用いてもよい。このよ
うにしてＴＦＴ基板を得た。
【００２５】ＴＦＴ基板と対向基板２にそれぞれポリイ
ミドよりなる液晶配向層を形成後、両基板をラビング処
理し、ギャップに応じた径を有するポリマービーズを全
面に散布し、液晶配向層どうしが向かい合うように重
ね、接着し、基板間にネマティック液晶を注入する。２
枚の偏光板で両基板を挟み、張り付けた。
ミドよりなる液晶配向層を形成後、両基板をラビング処
理し、ギャップに応じた径を有するポリマービーズを全
面に散布し、液晶配向層どうしが向かい合うように重
ね、接着し、基板間にネマティック液晶を注入する。２
枚の偏光板で両基板を挟み、張り付けた。
【００２６】以上述べたように、この第１の実施の形態
では、カラーフィルタ９上に配置された画素電極１１と
ＣＯＭ電極１２の間に電界を形成することで、それらの
上に配置された液晶分子２００を駆動するようにした。
言い換えるならば、カラーフィルタ９と液晶層１３と
が、画素電極１１とＣＯＭ電極１２とを挾んで配置され
ているようにした。この実施の形態によれば、液晶分子
２００を動かすための電界がＴＦＴ基板側に回り込みカ
ラーフィルタ９に印加され不純物イオンが偏在化したと
しても、液晶層１３とカラーフィルタ９の間には画素電
極１１とＣＯＭ電極１２が存在するため、カラーフィル
ターの不純物イオンが作り出す電界は導電体である画素
電極１１とＣＯＭ（共通）電極１２に収束し、液晶層に
は大きな影響を与えない。また、第１の実施の形態では
カラーフィルタ９上にオーバーコート層１０が形成さ
れ、その上に液晶層１３が形成されているが、オーバー
コート層１０は顔料等が含まれていないため不純物イオ
ンが少なく殆どチャージアップしない。よって、さらに
液晶層１３への影響は少なくなる。さらに、第１の実施
の形態では画素電極１１とＣＯＭ電極１２が同一の層で
形成されているため、別の層で形成するよりも工程数が
少なくすみ、作製コストを少なくできる上、作製時間も
短縮できる。
では、カラーフィルタ９上に配置された画素電極１１と
ＣＯＭ電極１２の間に電界を形成することで、それらの
上に配置された液晶分子２００を駆動するようにした。
言い換えるならば、カラーフィルタ９と液晶層１３と
が、画素電極１１とＣＯＭ電極１２とを挾んで配置され
ているようにした。この実施の形態によれば、液晶分子
２００を動かすための電界がＴＦＴ基板側に回り込みカ
ラーフィルタ９に印加され不純物イオンが偏在化したと
しても、液晶層１３とカラーフィルタ９の間には画素電
極１１とＣＯＭ電極１２が存在するため、カラーフィル
ターの不純物イオンが作り出す電界は導電体である画素
電極１１とＣＯＭ（共通）電極１２に収束し、液晶層に
は大きな影響を与えない。また、第１の実施の形態では
カラーフィルタ９上にオーバーコート層１０が形成さ
れ、その上に液晶層１３が形成されているが、オーバー
コート層１０は顔料等が含まれていないため不純物イオ
ンが少なく殆どチャージアップしない。よって、さらに
液晶層１３への影響は少なくなる。さらに、第１の実施
の形態では画素電極１１とＣＯＭ電極１２が同一の層で
形成されているため、別の層で形成するよりも工程数が
少なくすみ、作製コストを少なくできる上、作製時間も
短縮できる。
【００２７】次に本発明の第２の実施の形態について説
明する。第１の実施の形態と異なる点は画素電極１１と
ＣＯＭ電極１２を形成する材料が透明導電材料となるこ
とのみである。図１、図２および図３を参照して説明す
る。
明する。第１の実施の形態と異なる点は画素電極１１と
ＣＯＭ電極１２を形成する材料が透明導電材料となるこ
とのみである。図１、図２および図３を参照して説明す
る。
【００２８】一方の基板１上に走査線３、走査線３に電
気的に接続されたゲート電極３ａ及び共通電極線１４が
設置されている。その上層にゲート絶縁膜４が形成さ
れ、このゲート絶縁膜の上層に能動層となる半導体層５
が形成されている。その上層にソース電極７ａ、信号線
７、ドレイン電極７ｂ及び導通部２５が形成されてい
る。信号線７とソース電極７ａは接続されている。ま
た、ソース電極７ａとドレイン電極７ｂはｎ型半導体層
６を介して半導体層５と接続されている。それらの上層
には薄膜トランジスタを保護するパッシベーション膜８
が設置され、その上層には遮光層２０、それぞれ赤・緑
・青の光を通過させるカラーフィルタ９Ｒ・９Ｇ・９
Ｂ、チャージアップしにくい透明な絶縁材料からなるオ
ーバーコート層１０が設置され、その上層には薄膜トラ
ンジスタのソース電極７ｂとコンタクトホールを介して
接続された透明な画素電極１１、共通電極線１４と導通
部２５及びコンタクトホールを介して接続された透明な
ＣＯＭ電極１２が設置されている。画素電極１１とＣＯ
Ｍ電極１２は、その間に発生する電界が基板に水平方向
の成分が主となるよう配置されている。その上層には図
示しないが液晶分子を液晶の動作モードに適した配列や
傾きを制御するための液晶配向層が設置され薄膜トラン
ジスタ基板（以下ＴＦＴ基板とする）を形成している。
気的に接続されたゲート電極３ａ及び共通電極線１４が
設置されている。その上層にゲート絶縁膜４が形成さ
れ、このゲート絶縁膜の上層に能動層となる半導体層５
が形成されている。その上層にソース電極７ａ、信号線
７、ドレイン電極７ｂ及び導通部２５が形成されてい
る。信号線７とソース電極７ａは接続されている。ま
た、ソース電極７ａとドレイン電極７ｂはｎ型半導体層
６を介して半導体層５と接続されている。それらの上層
には薄膜トランジスタを保護するパッシベーション膜８
が設置され、その上層には遮光層２０、それぞれ赤・緑
・青の光を通過させるカラーフィルタ９Ｒ・９Ｇ・９
Ｂ、チャージアップしにくい透明な絶縁材料からなるオ
ーバーコート層１０が設置され、その上層には薄膜トラ
ンジスタのソース電極７ｂとコンタクトホールを介して
接続された透明な画素電極１１、共通電極線１４と導通
部２５及びコンタクトホールを介して接続された透明な
ＣＯＭ電極１２が設置されている。画素電極１１とＣＯ
Ｍ電極１２は、その間に発生する電界が基板に水平方向
の成分が主となるよう配置されている。その上層には図
示しないが液晶分子を液晶の動作モードに適した配列や
傾きを制御するための液晶配向層が設置され薄膜トラン
ジスタ基板（以下ＴＦＴ基板とする）を形成している。
【００２９】もう一方の基板２上には液晶配向層が設置
され、対向基板を形成している。ＴＦＴ基板と対向基板
は液晶配向層同士が向かい合うように設置され、向かい
合う液晶配向層の間には液晶層１３が設置される構成と
なっている。ここで、液晶層中の液晶分子は基板に平行
に配向されている。
され、対向基板を形成している。ＴＦＴ基板と対向基板
は液晶配向層同士が向かい合うように設置され、向かい
合う液晶配向層の間には液晶層１３が設置される構成と
なっている。ここで、液晶層中の液晶分子は基板に平行
に配向されている。
【００３０】ここで、ゲート電極３ａに電圧を印加して
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をオンにすると、ドレイン
電極７ｂに電圧が印加されて、画素電極１１とこれに対
向配置しているＣＯＭ電極１２の間に電界が誘起され
る。そして、この電界により、液晶分子２００は、画素
電極１１とこれに対向配置しているＣＯＭ電極１２の間
に形成される電界の方向に、ほぼ平行な状態となる。そ
して、基板１および基板２の外側に設置された偏光板の
変更透過軸を所定角度に配置しておくことで、上述した
液晶分子の動きによって光の透過率を変化させることが
できる。さらに、この構成では、画素電極１１とＣＯＭ
電極１２が透明な電極であるため、画素電極１１とＣＯ
Ｍ電極１２の領域も光が透過する。画素電極１１とＣＯ
Ｍ電極１２の直上の領域は基板に対して平行な電界が弱
いが、充分に平行電界が印加されている領域の液晶分子
の影響で画素電極１１とＣＯＭ電極１２の直上の領域の
液晶分子も動き光の透過率変化に寄与する。よって、金
属電極を用いた場合に比べ明るい表示となる。
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をオンにすると、ドレイン
電極７ｂに電圧が印加されて、画素電極１１とこれに対
向配置しているＣＯＭ電極１２の間に電界が誘起され
る。そして、この電界により、液晶分子２００は、画素
電極１１とこれに対向配置しているＣＯＭ電極１２の間
に形成される電界の方向に、ほぼ平行な状態となる。そ
して、基板１および基板２の外側に設置された偏光板の
変更透過軸を所定角度に配置しておくことで、上述した
液晶分子の動きによって光の透過率を変化させることが
できる。さらに、この構成では、画素電極１１とＣＯＭ
電極１２が透明な電極であるため、画素電極１１とＣＯ
Ｍ電極１２の領域も光が透過する。画素電極１１とＣＯ
Ｍ電極１２の直上の領域は基板に対して平行な電界が弱
いが、充分に平行電界が印加されている領域の液晶分子
の影響で画素電極１１とＣＯＭ電極１２の直上の領域の
液晶分子も動き光の透過率変化に寄与する。よって、金
属電極を用いた場合に比べ明るい表示となる。
【００３１】次に第２実施の形態の製造方法について述
べる。基板１にオーバーコート層１０を形成するまでは
第１の実施の形態とまったく同様である。オーバーコー
ト層１０の上層に透明な導電材料であるＩＴＯ（Ｉｎｄ
ｉｕｍ−Ｔｉｍ−Ｏｘｉｄｅ）をスパッタにより成膜し
パターンニングすることにより画素電極１１及びＣＯＭ
電極１２を形成する。このようにしてＴＦＴ基板を得
た。ＴＦＴ基板と対向基板２にそれぞれポリイミドより
なる液晶配向層を形成後、両基板をラビング処理し、ギ
ャップに応じた径を有するポリマービーズを全面に散布
し、液晶配向層どうしが向かい合うように重ね、接着
し、基板間にネマティック液晶を注入する。２枚の偏光
板で両基板を挟み、張り付けた。
べる。基板１にオーバーコート層１０を形成するまでは
第１の実施の形態とまったく同様である。オーバーコー
ト層１０の上層に透明な導電材料であるＩＴＯ（Ｉｎｄ
ｉｕｍ−Ｔｉｍ−Ｏｘｉｄｅ）をスパッタにより成膜し
パターンニングすることにより画素電極１１及びＣＯＭ
電極１２を形成する。このようにしてＴＦＴ基板を得
た。ＴＦＴ基板と対向基板２にそれぞれポリイミドより
なる液晶配向層を形成後、両基板をラビング処理し、ギ
ャップに応じた径を有するポリマービーズを全面に散布
し、液晶配向層どうしが向かい合うように重ね、接着
し、基板間にネマティック液晶を注入する。２枚の偏光
板で両基板を挟み、張り付けた。
【００３２】次に第２の実施の形態の動作について説明
する。第１の実施の形態と同様に第２の実施の形態で
は、カラーフィルタ９上に配置された画素電極１１とＣ
ＯＭ電極１２の間に電界を形成することで、それらの上
に配置された液晶分子２００を駆動するようにした。言
い換えるならば、カラーフィルタ９と液晶層１３とが、
画素電極１１とＣＯＭ電極１２とを挾んで配置されてい
るようにした。この実施の形態によれば、液晶分子２０
０を動かすための電界がＴＦＴ基板側に回り込みカラー
フィルタ９に印加され不純物イオンが偏在化したとして
も、液晶層１３とカラーフィルタ９の間には画素電極１
１とＣＯＭ電極１２が存在するため、カラーフィルタの
不純物イオンが作り出す電界は導電体である画素電極１
１と共通電極１２に収束し、液晶層には大きな影響を与
えない。また、カラーフィルタ９上にオーバーコート層
１０が形成され、その上に液晶層１３が形成されている
が、オーバーコート層１０は顔料等が含まれていないた
め不純物イオンが少なく殆どチャージアップしない。よ
ってさらに液晶層１３への影響は少なくなる。
する。第１の実施の形態と同様に第２の実施の形態で
は、カラーフィルタ９上に配置された画素電極１１とＣ
ＯＭ電極１２の間に電界を形成することで、それらの上
に配置された液晶分子２００を駆動するようにした。言
い換えるならば、カラーフィルタ９と液晶層１３とが、
画素電極１１とＣＯＭ電極１２とを挾んで配置されてい
るようにした。この実施の形態によれば、液晶分子２０
０を動かすための電界がＴＦＴ基板側に回り込みカラー
フィルタ９に印加され不純物イオンが偏在化したとして
も、液晶層１３とカラーフィルタ９の間には画素電極１
１とＣＯＭ電極１２が存在するため、カラーフィルタの
不純物イオンが作り出す電界は導電体である画素電極１
１と共通電極１２に収束し、液晶層には大きな影響を与
えない。また、カラーフィルタ９上にオーバーコート層
１０が形成され、その上に液晶層１３が形成されている
が、オーバーコート層１０は顔料等が含まれていないた
め不純物イオンが少なく殆どチャージアップしない。よ
ってさらに液晶層１３への影響は少なくなる。
【００３３】第１の実施の形態と同様に第２の実施の形
態では画素電極１１とＣＯＭ電極１２が同一の層で形成
されているため、別の層で形成するよりも工程数が少な
くすみ、作製コストを少なくできる上、作製時間も短縮
できる。また、第２の実施の形態では画素電極１１とＣ
ＯＭ電極１２が透明な導電材料で形成されているため画
素電極１１とＣＯＭ電極１２の直上の領域が透過率の変
化領域として使用できるため明るい表示が可能である。
態では画素電極１１とＣＯＭ電極１２が同一の層で形成
されているため、別の層で形成するよりも工程数が少な
くすみ、作製コストを少なくできる上、作製時間も短縮
できる。また、第２の実施の形態では画素電極１１とＣ
ＯＭ電極１２が透明な導電材料で形成されているため画
素電極１１とＣＯＭ電極１２の直上の領域が透過率の変
化領域として使用できるため明るい表示が可能である。
【００３４】図１７に主に基板に垂直な電界により液晶
を駆動する液晶表示装置の構成を示す平面図を示す。図
１８に図１７中のＡ−Ａ’線の断面図を示す。図１７、
図１８に示されるようにＴＦＴ基板において第１の実施
の形態との相違点は共通電極線およびＣＯＭ電極がＴＦ
Ｔ基板上に形成されていないことのみである。第１の実
施の形態で示したように共通電極線は、ゲート電極と同
時に、ＣＯＭ電極は画素電極と同時に、フォトリソグラ
フィ技術によりパターンニングされるものであるので、
フォトリソグラフィ用のマスクを変更するだけで取り除
くことができる。しかるに、第２の実施の形態では作製
工程は全く同一である。
を駆動する液晶表示装置の構成を示す平面図を示す。図
１８に図１７中のＡ−Ａ’線の断面図を示す。図１７、
図１８に示されるようにＴＦＴ基板において第１の実施
の形態との相違点は共通電極線およびＣＯＭ電極がＴＦ
Ｔ基板上に形成されていないことのみである。第１の実
施の形態で示したように共通電極線は、ゲート電極と同
時に、ＣＯＭ電極は画素電極と同時に、フォトリソグラ
フィ技術によりパターンニングされるものであるので、
フォトリソグラフィ用のマスクを変更するだけで取り除
くことができる。しかるに、第２の実施の形態では作製
工程は全く同一である。
【００３５】層構造が異なる等で作製工程が異なる液晶
表示装置を同一の製造ラインで作製する場合、成膜やエ
ッチング等を行う際の最適な条件も変わるため、製造装
置の設定を変更しなくてはならない。設定の変更には時
間がかかるため、生産の効率が非常に悪くなる。また、
液晶表示装置の製造装置は非常に高価であり、設定切り
替えをなくすため装置を増設することは製造コストの増
加につながる。
表示装置を同一の製造ラインで作製する場合、成膜やエ
ッチング等を行う際の最適な条件も変わるため、製造装
置の設定を変更しなくてはならない。設定の変更には時
間がかかるため、生産の効率が非常に悪くなる。また、
液晶表示装置の製造装置は非常に高価であり、設定切り
替えをなくすため装置を増設することは製造コストの増
加につながる。
【００３６】本発明は基板に垂直な電界により液晶を駆
動する液晶表示装置とＴＦＴ基板の作製工程が同一であ
るので、製造装置の設定変更なく透過型と同一の製造ラ
インで同時に作製できる。よって、本発明を用いること
により、低コストの液晶表示装置を作製できる。
動する液晶表示装置とＴＦＴ基板の作製工程が同一であ
るので、製造装置の設定変更なく透過型と同一の製造ラ
インで同時に作製できる。よって、本発明を用いること
により、低コストの液晶表示装置を作製できる。
【００３７】次に本発明の第３の実施の形態について説
明する。図８に第３の実施の形態の構成を示す平面図
を、図９に図８のＡ−Ａ’線の断面図を示す。一方の基
板１上に走査線３、走査線３に電気的に接続されたゲー
ト電極３ａ及び共通電極線１４が設置されている。その
上層にゲート絶縁膜４が形成され、このゲート絶縁膜の
上層に能動層となる半導体層５が形成されている。その
上層にソース電極７ａ、信号線７、ドレイン電極７ｂ及
び導通部２５が形成されている。信号線７とソース電極
７ａは接続されている。また、ソース電極７ａとドレイ
ン電極７ｂはｎ型半導体層６を介して半導体層５と接続
されている。それらの上層には薄膜トランジスタを保護
するパッシベーション膜８が設置され、その上層にはそ
れぞれ赤・緑・青の光を通過させるカラーフィルタ９Ｒ
・９Ｇ・９Ｂ、チャージアップしにくい透明な絶縁材料
からなるオーバーコート層１０が設置され、その上層に
は薄膜トランジスタのドレイン電極７ｂとコンタクトホ
ールを介して接続された金属よりなる櫛歯状の画素電極
１１、共通電極線１４と接続されたＣＯＭ電極１２が設
置されている。画素電極１１とＣＯＭ電極１２は、その
間に発生する電界が基板に水平方向の成分が主となるよ
う配置されている。また、少なくとも画素電極１１とＣ
ＯＭ電極１２のどちらかは、表示と関係のない部分およ
びＴＦＴ部の遮光層を兼ねている。その上層には図示し
ないが液晶分子を液晶の動作モードに適した配列や傾き
を制御するための液晶配向層が設置され薄膜トランジス
タ基板（以下ＴＦＴ基板とする）を形成している。
明する。図８に第３の実施の形態の構成を示す平面図
を、図９に図８のＡ−Ａ’線の断面図を示す。一方の基
板１上に走査線３、走査線３に電気的に接続されたゲー
ト電極３ａ及び共通電極線１４が設置されている。その
上層にゲート絶縁膜４が形成され、このゲート絶縁膜の
上層に能動層となる半導体層５が形成されている。その
上層にソース電極７ａ、信号線７、ドレイン電極７ｂ及
び導通部２５が形成されている。信号線７とソース電極
７ａは接続されている。また、ソース電極７ａとドレイ
ン電極７ｂはｎ型半導体層６を介して半導体層５と接続
されている。それらの上層には薄膜トランジスタを保護
するパッシベーション膜８が設置され、その上層にはそ
れぞれ赤・緑・青の光を通過させるカラーフィルタ９Ｒ
・９Ｇ・９Ｂ、チャージアップしにくい透明な絶縁材料
からなるオーバーコート層１０が設置され、その上層に
は薄膜トランジスタのドレイン電極７ｂとコンタクトホ
ールを介して接続された金属よりなる櫛歯状の画素電極
１１、共通電極線１４と接続されたＣＯＭ電極１２が設
置されている。画素電極１１とＣＯＭ電極１２は、その
間に発生する電界が基板に水平方向の成分が主となるよ
う配置されている。また、少なくとも画素電極１１とＣ
ＯＭ電極１２のどちらかは、表示と関係のない部分およ
びＴＦＴ部の遮光層を兼ねている。その上層には図示し
ないが液晶分子を液晶の動作モードに適した配列や傾き
を制御するための液晶配向層が設置され薄膜トランジス
タ基板（以下ＴＦＴ基板とする）を形成している。
【００３８】もう一方の基板２上には図示しないが液晶
配向層が設置され、対向基板を形成している。ＴＦＴ基
板と対向基板は液晶配向層同士が向かい合うように設置
され、向かい合う液晶配向層の間には液晶層１３が設置
される構成となっている。ここで、液晶層中の液晶分子
は基板に平行に配向されている。液晶分子の誘電異方性
は正とした。液晶分子を動かし表示を行う過程は第１の
実施の形態と同様である。
配向層が設置され、対向基板を形成している。ＴＦＴ基
板と対向基板は液晶配向層同士が向かい合うように設置
され、向かい合う液晶配向層の間には液晶層１３が設置
される構成となっている。ここで、液晶層中の液晶分子
は基板に平行に配向されている。液晶分子の誘電異方性
は正とした。液晶分子を動かし表示を行う過程は第１の
実施の形態と同様である。
【００３９】次に第３の実施の形態の製造方法について
述べる。基板１にパッシベーション膜８を形成するまで
は第１の実施の形態とまったく同様である。その後、第
１の実施の形態と同様の手法でカラーフィルタ９Ｒ、９
Ｇ、９Ｂを形成する。次に、第１の実施の形態と同様の
手法でオーバーコート層１０を形成する。オーバーコー
ト層１０の上層にクロムをスパッタにより成膜しパター
ンニングすることにより画素電極１１及びＣＯＭ電極１
２を形成する。アルミニウム等の他の金属を用いてもよ
い。
述べる。基板１にパッシベーション膜８を形成するまで
は第１の実施の形態とまったく同様である。その後、第
１の実施の形態と同様の手法でカラーフィルタ９Ｒ、９
Ｇ、９Ｂを形成する。次に、第１の実施の形態と同様の
手法でオーバーコート層１０を形成する。オーバーコー
ト層１０の上層にクロムをスパッタにより成膜しパター
ンニングすることにより画素電極１１及びＣＯＭ電極１
２を形成する。アルミニウム等の他の金属を用いてもよ
い。
【００４０】このとき、少なくとも画素電極１１とＣＯ
Ｍ電極のどちらかにてＴＦＴの遮光を行うが、ＴＦＴの
バックチャネルが活性化し良好な表示ができなくなるの
を防ぐため、ＴＦＴの直上にカラーフィルタとオーバー
コートが充分な厚みを持って形成され、また、カラーフ
ィルタとオーバーコート層の誘電率が低いことが望まし
い。このようにしてＴＦＴ基板を得た。ＴＦＴ基板と対
向基板２にそれぞれポリイミドよりなる液晶配向層を形
成後、両基板をラビング処理し、ギャップに応じた径を
有するポリマービーズを全面に散布し、液晶配向層どう
しが向かい合うように重ね、接着し、基板間にネマティ
ック液晶を注入する。２枚の偏光板で両基板を挟み、張
り付けた。
Ｍ電極のどちらかにてＴＦＴの遮光を行うが、ＴＦＴの
バックチャネルが活性化し良好な表示ができなくなるの
を防ぐため、ＴＦＴの直上にカラーフィルタとオーバー
コートが充分な厚みを持って形成され、また、カラーフ
ィルタとオーバーコート層の誘電率が低いことが望まし
い。このようにしてＴＦＴ基板を得た。ＴＦＴ基板と対
向基板２にそれぞれポリイミドよりなる液晶配向層を形
成後、両基板をラビング処理し、ギャップに応じた径を
有するポリマービーズを全面に散布し、液晶配向層どう
しが向かい合うように重ね、接着し、基板間にネマティ
ック液晶を注入する。２枚の偏光板で両基板を挟み、張
り付けた。
【００４１】次に第３の実施の形態の動作について説明
する。カラーフィルタ９上に配置された画素電極１１と
ＣＯＭ電極１２の間に電界を形成することで、それらの
上に配置された液晶分子２００を駆動するようにした。
言い換えるならば、カラーフィルタ９と液晶層１３と
が、画素電極１１とＣＯＭ電極１２とを挾んで配置され
ているようにした。この実施の形態によれば、液晶分子
２００を動かすための電界がＴＦＴ基板側に回り込みカ
ラーフィルター９に印加され不純物イオンが偏在化した
としても、液晶層１３とカラーフィルター９の間には画
素電極１１とＣＯＭ電極１２が存在するため、カラーフ
ィルターの不純物イオンが作り出す電界は導伝体である
画素電極１１と共通電極１２に収束し、液晶層には大き
な影響を与えない。また、カラーフィルタ９上にオーバ
ーコート層１０が形成され、その上に液晶層１３が形成
されているが、オーバーコート層１０は顔料等が含まれ
ていないため不純物イオンが少なく殆どチャージアップ
しない。よってさらに液晶層１３への影響は少なくな
る。
する。カラーフィルタ９上に配置された画素電極１１と
ＣＯＭ電極１２の間に電界を形成することで、それらの
上に配置された液晶分子２００を駆動するようにした。
言い換えるならば、カラーフィルタ９と液晶層１３と
が、画素電極１１とＣＯＭ電極１２とを挾んで配置され
ているようにした。この実施の形態によれば、液晶分子
２００を動かすための電界がＴＦＴ基板側に回り込みカ
ラーフィルター９に印加され不純物イオンが偏在化した
としても、液晶層１３とカラーフィルター９の間には画
素電極１１とＣＯＭ電極１２が存在するため、カラーフ
ィルターの不純物イオンが作り出す電界は導伝体である
画素電極１１と共通電極１２に収束し、液晶層には大き
な影響を与えない。また、カラーフィルタ９上にオーバ
ーコート層１０が形成され、その上に液晶層１３が形成
されているが、オーバーコート層１０は顔料等が含まれ
ていないため不純物イオンが少なく殆どチャージアップ
しない。よってさらに液晶層１３への影響は少なくな
る。
【００４２】第３の実施の形態では画素電極１１とＣＯ
Ｍ電極１２が同一の層で形成されているため、別の層で
形成するよりも工程数が少なくすみ、作製コストを少な
くできる上、作製時間も短縮できる。また、画素電極１
１またはＣＯＭ電極１２が遮光層を兼ねるため、独立に
遮光層を形成する必要がなく工程が少なくすみ、作製コ
ストを少なくできる上、作製時間も短縮できる。
Ｍ電極１２が同一の層で形成されているため、別の層で
形成するよりも工程数が少なくすみ、作製コストを少な
くできる上、作製時間も短縮できる。また、画素電極１
１またはＣＯＭ電極１２が遮光層を兼ねるため、独立に
遮光層を形成する必要がなく工程が少なくすみ、作製コ
ストを少なくできる上、作製時間も短縮できる。
【００４３】次に本発明に第４の実施の形態について説
明する。図１０に第４の実施の形態の構成を示す平面図
を、図１１に図１０のＢ−Ｂ’線の断面図を示す。一方
の基板１上に走査線３及び走査線３に電気的に接続され
たゲート電極３ａが設置されている。その上層にゲート
絶縁膜４が形成され、このゲート絶縁膜の上層に能動層
となる半導体層５が形成されている。その上層にソース
電極７ａ、信号線７、ドレイン電極７ｂ及び導通部２５
が形成されている。信号線７とソース電極７ａは接続さ
れている。また、ソース電極７ａとドレイン電極７ｂは
ｎ型半導体層６を介して半導体層５と接続されている。
それらの上層には薄膜トランジスタを保護するパッシベ
ーション膜８が設置され、その上層にはそれぞれ赤・緑
・青の光を通過させるカラーフィルタ９Ｒ・９Ｇ・９
Ｂ、チャージアップしにくい透明な絶縁材料からなるオ
ーバーコート層１０が設置され、その上層には薄膜トラ
ンジスタのドレイン電極７ｂとコンタクトホールを介し
て接続された金属よりなる櫛歯状の画素電極１１、共通
電極線１４、および共通電極線１４と接続されたＣＯＭ
電極１２が設置されている。画素電極１１とＣＯＭ電極
１２は、その間に発生する電界が基板に水平方向な成分
が主となるよう配置されている。第３の実施の形態と同
様に画素電極１１、共通電極線１４、ＣＯＭ電極１２を
遮光層として用いてもよい。また、第２の実施の形態と
同様に画素電極１１、共通電極線１４及びＣＯＭ電極１
２を透明な材料で形成してもよい。その上層には図示し
ないが液晶分子を液晶の動作モードに適した配列や傾き
を制御するための液晶配向層が設置され薄膜トランジス
タ基板（以下ＴＦＴ基板とする）を形成している。
明する。図１０に第４の実施の形態の構成を示す平面図
を、図１１に図１０のＢ−Ｂ’線の断面図を示す。一方
の基板１上に走査線３及び走査線３に電気的に接続され
たゲート電極３ａが設置されている。その上層にゲート
絶縁膜４が形成され、このゲート絶縁膜の上層に能動層
となる半導体層５が形成されている。その上層にソース
電極７ａ、信号線７、ドレイン電極７ｂ及び導通部２５
が形成されている。信号線７とソース電極７ａは接続さ
れている。また、ソース電極７ａとドレイン電極７ｂは
ｎ型半導体層６を介して半導体層５と接続されている。
それらの上層には薄膜トランジスタを保護するパッシベ
ーション膜８が設置され、その上層にはそれぞれ赤・緑
・青の光を通過させるカラーフィルタ９Ｒ・９Ｇ・９
Ｂ、チャージアップしにくい透明な絶縁材料からなるオ
ーバーコート層１０が設置され、その上層には薄膜トラ
ンジスタのドレイン電極７ｂとコンタクトホールを介し
て接続された金属よりなる櫛歯状の画素電極１１、共通
電極線１４、および共通電極線１４と接続されたＣＯＭ
電極１２が設置されている。画素電極１１とＣＯＭ電極
１２は、その間に発生する電界が基板に水平方向な成分
が主となるよう配置されている。第３の実施の形態と同
様に画素電極１１、共通電極線１４、ＣＯＭ電極１２を
遮光層として用いてもよい。また、第２の実施の形態と
同様に画素電極１１、共通電極線１４及びＣＯＭ電極１
２を透明な材料で形成してもよい。その上層には図示し
ないが液晶分子を液晶の動作モードに適した配列や傾き
を制御するための液晶配向層が設置され薄膜トランジス
タ基板（以下ＴＦＴ基板とする）を形成している。
【００４４】もう一方の基板２上には図示しないが液晶
配向層が設置され、対向基板を形成している。ＴＦＴ基
板と対向基板は液晶配向層同士が向かい合うように設置
され、向かい合う液晶配向層の間には液晶層１３が設置
される構成となっている。ここで、液晶層中の液晶分子
は基板に平行に配向されている。液晶分子を動かし表示
を行う過程は第１の実施の形態と同様である。また、こ
の第４の実施の形態の製造方法は、第１の実施の形態ま
たは第２の実施の形態と同様である。
配向層が設置され、対向基板を形成している。ＴＦＴ基
板と対向基板は液晶配向層同士が向かい合うように設置
され、向かい合う液晶配向層の間には液晶層１３が設置
される構成となっている。ここで、液晶層中の液晶分子
は基板に平行に配向されている。液晶分子を動かし表示
を行う過程は第１の実施の形態と同様である。また、こ
の第４の実施の形態の製造方法は、第１の実施の形態ま
たは第２の実施の形態と同様である。
【００４５】第１の実施の形態と同様に第４の実施の形
態では、カラーフィルタ９上に配置された画素電極１１
とＣＯＭ電極１２の間に電界を形成することで、それら
の上に配置された液晶分子２００を駆動するようにし
た。言い換えるならば、カラーフィルタ９と液晶層１３
とが、画素電極１１とＣＯＭ電極１２とを挾んで配置さ
れているようにした。この実施の形態によれば、液晶分
子２００を動かすための電界がＴＦＴ基板側に回り込み
カラーフィルタ９に印加され不純物イオンが偏在化した
としても、液晶層１３とカラーフィルタ９の間には画素
電極１１とＣＯＭ電極１２が存在するため、カラーフィ
ルタの不純物イオンが作り出す電界は導電体である画素
電極１１と共通電極１２に収束し、液晶層には大きな影
響を与えない。また、カラーフィルタ９上にオーバーコ
ート層１０が形成され、その上に液晶層１３が形成され
ているが、オーバーコート層１０は顔料等が含まれてい
ないため不純物イオンが少なく殆どチャージアップしな
い。よってさらに液晶層１３への影響は少なくなる。こ
の実施の形態では画素電極１１とＣＯＭ電極１２が同一
の層で形成されているため、別の層で形成するよりも工
程数が少なくすみ、作製コストを少なくできる上、作製
時間も短縮できる。
態では、カラーフィルタ９上に配置された画素電極１１
とＣＯＭ電極１２の間に電界を形成することで、それら
の上に配置された液晶分子２００を駆動するようにし
た。言い換えるならば、カラーフィルタ９と液晶層１３
とが、画素電極１１とＣＯＭ電極１２とを挾んで配置さ
れているようにした。この実施の形態によれば、液晶分
子２００を動かすための電界がＴＦＴ基板側に回り込み
カラーフィルタ９に印加され不純物イオンが偏在化した
としても、液晶層１３とカラーフィルタ９の間には画素
電極１１とＣＯＭ電極１２が存在するため、カラーフィ
ルタの不純物イオンが作り出す電界は導電体である画素
電極１１と共通電極１２に収束し、液晶層には大きな影
響を与えない。また、カラーフィルタ９上にオーバーコ
ート層１０が形成され、その上に液晶層１３が形成され
ているが、オーバーコート層１０は顔料等が含まれてい
ないため不純物イオンが少なく殆どチャージアップしな
い。よってさらに液晶層１３への影響は少なくなる。こ
の実施の形態では画素電極１１とＣＯＭ電極１２が同一
の層で形成されているため、別の層で形成するよりも工
程数が少なくすみ、作製コストを少なくできる上、作製
時間も短縮できる。
【００４６】なお、フォトリソグラフィによるパターン
ニングを行う工程中にごみ等の影響で目的以外のパター
ンを形成してしまうことがある。目的以外のパターンは
本来は接続してはならないパターン同士を短絡させ回路
を狂わせることがある。特に走査線、信号線、共通電極
線等に意図しない短絡が発生するとその線に接続された
すべての画素において表示不良が発生することとなり表
示品位を著しく悪化させ不良品となる。第４の実施の形
態では共通電極線と走査線が絶縁体を挟んで別の層に形
成されているため共通電極線と走査線の短絡が少なくな
り、その結果不良品は減少し、生産歩留まりが上昇す
る。
ニングを行う工程中にごみ等の影響で目的以外のパター
ンを形成してしまうことがある。目的以外のパターンは
本来は接続してはならないパターン同士を短絡させ回路
を狂わせることがある。特に走査線、信号線、共通電極
線等に意図しない短絡が発生するとその線に接続された
すべての画素において表示不良が発生することとなり表
示品位を著しく悪化させ不良品となる。第４の実施の形
態では共通電極線と走査線が絶縁体を挟んで別の層に形
成されているため共通電極線と走査線の短絡が少なくな
り、その結果不良品は減少し、生産歩留まりが上昇す
る。
【００４７】次に本発明の第５の実施の形態について説
明する。第５の実施の形態は第１の実施の形態と同様の
手法で形成されたＴＦＴ基板と対向基板の液晶配向層同
士が向かい合うように設置され、向かい合う液晶配向層
の間には液晶層１３が設置される構成となっている。こ
こで、液晶層中の液晶分子は基板に平行に配向されてい
る。また、液晶分子の誘電異方性は負とした。液晶層中
の液晶分子２００は図５（ａ）、（ｂ）に示すように、
画素電極１１とＣＯＭ電極１２間に電界が発生していな
いときは、それら電極の延在方向にほぼ平行な状態とな
るよう液晶配向層によりホモジニアス配向している。
明する。第５の実施の形態は第１の実施の形態と同様の
手法で形成されたＴＦＴ基板と対向基板の液晶配向層同
士が向かい合うように設置され、向かい合う液晶配向層
の間には液晶層１３が設置される構成となっている。こ
こで、液晶層中の液晶分子は基板に平行に配向されてい
る。また、液晶分子の誘電異方性は負とした。液晶層中
の液晶分子２００は図５（ａ）、（ｂ）に示すように、
画素電極１１とＣＯＭ電極１２間に電界が発生していな
いときは、それら電極の延在方向にほぼ平行な状態とな
るよう液晶配向層によりホモジニアス配向している。
【００４８】ここで、ゲート電極３ａに電圧を印加して
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をオンにすると、ドレイン
電極７ｂに電圧が印加されて、画素電極１１とこれに対
向配置しているＣＯＭ電極１２の間に電界が誘起され
る。そして、この電界により、液晶分子２００は、画素
電極１１とこれに対向配置しているＣＯＭ電極１２の間
に形成される電界の方向に、ほぼ垂直な状態となる。そ
して、基板１および基板２の外側に設置された偏光板の
偏光透過軸を所定角度に配置しておくことで、上述した
液晶分子の動きによって光の透過率を変化させることが
できる。例えば、一方の偏光板の透過軸を液晶分子２０
０の配向方向とし、もう一方の偏光板の透過軸を９０度
回転させた方向とすることで、電界が印加されていない
とき黒表示となり、印加時には光が透過するノーマリブ
ラック表示となる。なお、ＴＦＴ基板は第１の実施の形
態と同様のものを用いたが、第２、第３、第４の実施の
形態のＴＦＴ基板を用いてもよい。
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をオンにすると、ドレイン
電極７ｂに電圧が印加されて、画素電極１１とこれに対
向配置しているＣＯＭ電極１２の間に電界が誘起され
る。そして、この電界により、液晶分子２００は、画素
電極１１とこれに対向配置しているＣＯＭ電極１２の間
に形成される電界の方向に、ほぼ垂直な状態となる。そ
して、基板１および基板２の外側に設置された偏光板の
偏光透過軸を所定角度に配置しておくことで、上述した
液晶分子の動きによって光の透過率を変化させることが
できる。例えば、一方の偏光板の透過軸を液晶分子２０
０の配向方向とし、もう一方の偏光板の透過軸を９０度
回転させた方向とすることで、電界が印加されていない
とき黒表示となり、印加時には光が透過するノーマリブ
ラック表示となる。なお、ＴＦＴ基板は第１の実施の形
態と同様のものを用いたが、第２、第３、第４の実施の
形態のＴＦＴ基板を用いてもよい。
【００４９】この実施の形態では、第１の実施の形態と
同様に、カラーフィルタ９上に配置された画素電極１１
とＣＯＭ電極１２の間に電界を形成することで、それら
の上に配置された液晶分子２００を駆動するようにし
た。言い換えるならば、カラーフィルタ９と液晶層１３
とが、画素電極１１とＣＯＭ電極１２とを挾んで配置さ
れているようにした。この実施の形態によれば、液晶分
子２００を動かすための電界がＴＦＴ基板側に回り込み
カラーフィルタ９に印加され不純物イオンが偏在化した
としても、液晶層１３とカラーフィルタ９の間には画素
電極１１とＣＯＭ電極１２が存在するため、カラーフィ
ルタの不純物イオンが作り出す電界は導電体である画素
電極１１と共通電極１２に収束し、液晶層には大きな影
響を与えない。また、ではカラーフィルタ９上にオーバ
ーコート層１０が形成され、その上に液晶層１３が形成
されているが、オーバーコート層１０は顔料等が含まれ
ていないため不純物イオンが少なく殆どチャージアップ
しない。よってさらに液晶層１３への影響は少なくな
る。
同様に、カラーフィルタ９上に配置された画素電極１１
とＣＯＭ電極１２の間に電界を形成することで、それら
の上に配置された液晶分子２００を駆動するようにし
た。言い換えるならば、カラーフィルタ９と液晶層１３
とが、画素電極１１とＣＯＭ電極１２とを挾んで配置さ
れているようにした。この実施の形態によれば、液晶分
子２００を動かすための電界がＴＦＴ基板側に回り込み
カラーフィルタ９に印加され不純物イオンが偏在化した
としても、液晶層１３とカラーフィルタ９の間には画素
電極１１とＣＯＭ電極１２が存在するため、カラーフィ
ルタの不純物イオンが作り出す電界は導電体である画素
電極１１と共通電極１２に収束し、液晶層には大きな影
響を与えない。また、ではカラーフィルタ９上にオーバ
ーコート層１０が形成され、その上に液晶層１３が形成
されているが、オーバーコート層１０は顔料等が含まれ
ていないため不純物イオンが少なく殆どチャージアップ
しない。よってさらに液晶層１３への影響は少なくな
る。
【００５０】この実施の形態では、画素電極１１とＣＯ
Ｍ電極１２が同一の層で形成されているため、別の層で
形成するよりも工程数が少なくすみ、作製コストを少な
くできる上、作製時間も短縮できる。なお、基板に平行
方向に配向させた誘電率異方性が負の液晶層を用いる
と、カラーフィルタの作る電界がわずかに液晶層中にも
れたとしても、液晶分子が基板に対して垂直方向に立ち
上がることはなく、よって液晶層の複屈折性を大きく変
化させることはなく、表示ムラの程度を小さくできる。
Ｍ電極１２が同一の層で形成されているため、別の層で
形成するよりも工程数が少なくすみ、作製コストを少な
くできる上、作製時間も短縮できる。なお、基板に平行
方向に配向させた誘電率異方性が負の液晶層を用いる
と、カラーフィルタの作る電界がわずかに液晶層中にも
れたとしても、液晶分子が基板に対して垂直方向に立ち
上がることはなく、よって液晶層の複屈折性を大きく変
化させることはなく、表示ムラの程度を小さくできる。
【００５１】次に本発明の第６の実施に形態について説
明する。第６の実施の形態は第１の実施の形態と同様の
手法で形成されたＴＦＴ基板と対向基板の液晶配向層同
士が向かい合うように設置され、向かい合う液晶配向層
の間には液晶層１３が設置される構成となっている。両
基板の液晶配向層には垂直配向膜が用いられている。こ
の液晶配向膜表面は、必要に応じラビング、または、光
配向処理が施される。液晶層１３中の液晶の誘電率異方
性は正とする。
明する。第６の実施の形態は第１の実施の形態と同様の
手法で形成されたＴＦＴ基板と対向基板の液晶配向層同
士が向かい合うように設置され、向かい合う液晶配向層
の間には液晶層１３が設置される構成となっている。両
基板の液晶配向層には垂直配向膜が用いられている。こ
の液晶配向膜表面は、必要に応じラビング、または、光
配向処理が施される。液晶層１３中の液晶の誘電率異方
性は正とする。
【００５２】以上のように構成された液晶表示装置で
は、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶層１３に電
界がかかっていないときには、液晶層１３における液晶
分子２００は、基板にほぼ垂直に配向している。液晶の
誘電率異方性は正とする。ここで、ゲ−ト電極３ａに電
圧を印加してＴＦＴをオンにすると、ソ−ス電極７ａに
電圧が印加されて、画素電極１１とこれに対向配置して
いるＣＯＭ電極１２の間に電界が誘起される。そしてこ
の電界により、液晶分子２００は画素電極１１とこれに
対向配置している共通電極１２の間に形成される電界の
方向に、ほぼ平行な状態、すなわち、基板方向に倒れて
いくことになる。また、このとき電界の方向が完全に基
板と平行でないため、電極間の液晶分子は２方向に分か
れて倒れる。
は、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶層１３に電
界がかかっていないときには、液晶層１３における液晶
分子２００は、基板にほぼ垂直に配向している。液晶の
誘電率異方性は正とする。ここで、ゲ−ト電極３ａに電
圧を印加してＴＦＴをオンにすると、ソ−ス電極７ａに
電圧が印加されて、画素電極１１とこれに対向配置して
いるＣＯＭ電極１２の間に電界が誘起される。そしてこ
の電界により、液晶分子２００は画素電極１１とこれに
対向配置している共通電極１２の間に形成される電界の
方向に、ほぼ平行な状態、すなわち、基板方向に倒れて
いくことになる。また、このとき電界の方向が完全に基
板と平行でないため、電極間の液晶分子は２方向に分か
れて倒れる。
【００５３】このように本実施の形態の方法では、特別
に配向膜に処理を加えることをしなくても、自動的に液
晶の倒れる方向を分割することができ、広視野角化が達
成できるが、基板にあらかじめラビング、または光配向
などの方法を使用して、分割形状に従ったプレチルト角
の制御を行い、初期配向の制御を極めて確実にし、駆動
電圧により、このような配向が乱れることを防止するた
めに、さらに液晶中に少量混合した重合性のモノマーま
たはオリゴマーを高分子化するとより優れた効果が得ら
れる。この際、ラビングの場合はフォトレジストを用い
た分割配向を行う。また、光配向の場合は、例えば、ケ
イ皮酸基のような偏光により液晶の配向を制御できる官
能基を有する物質、または、エ−エムエルシ−ディ−'
９６／アイディ−ダブリュ'９６のダイジェスト・オブ
・テクニカル・ペイパ−ズ（AM-LCD'９６／IDW'９６Dig
est of Technical Papers）P.337に記載されている
ような偏光照射により官能基が重合するような高分子を
配向膜に用いて、分割形状にそった方向にプレチルト角
がつくように、各部にマスクを介して、斜め方向から偏
光を照射する。このような分割配向の方法はよく知られ
ているが、液晶中に少量混合した重合性のモノマ−また
はオリゴマ−を高分子化することにより、駆動時におい
てもより確実に分割を維持することができる。本発明に
使用するモノマー，オリゴマとしては、光硬化性モノマ
ー，熱硬化性モノマー，あるいはこれらのオリゴマ等の
いずれを使用することもでき、また、これらを含むもの
であれば他の成分を含んでいてもよい。
に配向膜に処理を加えることをしなくても、自動的に液
晶の倒れる方向を分割することができ、広視野角化が達
成できるが、基板にあらかじめラビング、または光配向
などの方法を使用して、分割形状に従ったプレチルト角
の制御を行い、初期配向の制御を極めて確実にし、駆動
電圧により、このような配向が乱れることを防止するた
めに、さらに液晶中に少量混合した重合性のモノマーま
たはオリゴマーを高分子化するとより優れた効果が得ら
れる。この際、ラビングの場合はフォトレジストを用い
た分割配向を行う。また、光配向の場合は、例えば、ケ
イ皮酸基のような偏光により液晶の配向を制御できる官
能基を有する物質、または、エ−エムエルシ−ディ−'
９６／アイディ−ダブリュ'９６のダイジェスト・オブ
・テクニカル・ペイパ−ズ（AM-LCD'９６／IDW'９６Dig
est of Technical Papers）P.337に記載されている
ような偏光照射により官能基が重合するような高分子を
配向膜に用いて、分割形状にそった方向にプレチルト角
がつくように、各部にマスクを介して、斜め方向から偏
光を照射する。このような分割配向の方法はよく知られ
ているが、液晶中に少量混合した重合性のモノマ−また
はオリゴマ−を高分子化することにより、駆動時におい
てもより確実に分割を維持することができる。本発明に
使用するモノマー，オリゴマとしては、光硬化性モノマ
ー，熱硬化性モノマー，あるいはこれらのオリゴマ等の
いずれを使用することもでき、また、これらを含むもの
であれば他の成分を含んでいてもよい。
【００５４】本実施の形態に使用する「光硬化性モノマ
ー又はオリゴマー」とは、可視光線により反応するもの
だけでなく、紫外線により反応する紫外線硬化モノマー
等を含み、操作の容易性からは特に後者が望ましい。ま
た、本実施の形態で使用する高分子化合物は、液晶性を
示すモノマー、オリゴマーを含む液晶分子と類似の構造
を有するものでもよいが、必ずしも液晶を配向させる目
的で使用されるものではないため、アルキレン鎖を有す
るような柔軟性のあるものであってもよい。また、単官
能性のものであってもよいし、２官能性のもの，３官能
以上の多官能性を有するモノマー等でもよい。
ー又はオリゴマー」とは、可視光線により反応するもの
だけでなく、紫外線により反応する紫外線硬化モノマー
等を含み、操作の容易性からは特に後者が望ましい。ま
た、本実施の形態で使用する高分子化合物は、液晶性を
示すモノマー、オリゴマーを含む液晶分子と類似の構造
を有するものでもよいが、必ずしも液晶を配向させる目
的で使用されるものではないため、アルキレン鎖を有す
るような柔軟性のあるものであってもよい。また、単官
能性のものであってもよいし、２官能性のもの，３官能
以上の多官能性を有するモノマー等でもよい。
【００５５】本実施の形態で使用する光または紫外線硬
化モノマーとしては、例えば、２−エチルへキシルアク
リレート，ブチルエチルアクリレート，ブトキシエチル
アクリレート，２−シアノエチルアクリレート，ベンジ
ルアクリレート，シクロヘキシルアクリレート，２−ヒ
ドロキシプロピルアクリレート，２−エトキシエチルア
クリレート，Ｎ、Ｎ−エチルアミノエチルアクリレー
ト，Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレート，ジシ
クロペンタニルアクリレート，ジシクロペンテニルアク
リレート，グリシジルアクリレート，テトラヒドロフル
フリルアクリレート，イソボニルアクリレート，イソデ
シルアクリレート，ラウリルアクリレート，モルホリン
アクリレート，フェノキシエチルアクリレート，フェノ
キシジエチレングリコールアクリレート，２，２，２−
トリフルオロエチルアクリレート，２，２，３，３，３
−ペンタフルオロプロピルアクレート，２，２，３，３
−テトラフルオロプロピルアクリレート，２，２，３，
４，４，４−ヘキサフルオロブチルアクリレート等の単
官能アクリレート化合物を使用することができる。ま
た、２−エチルヘキシルメタクリレート，ブチルエチル
メタクリレート，ブトキシエチルメタクリレート，２−
シアノエチルメタクリレート，ベンジルメタクリレー
ト，シクロヘキシルメタクリレート，２−ヒドロキシプ
ロピルメタクリレート，２−エトキシエチルアクリレー
ト，Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレート，
Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリレート，ジシク
ロペンタニルメタクリレート，ジシクロペンテニルメタ
クリレート，グリシジルメタクリレート，テトラヒドロ
フルフリルメタクリレート，イソボニルメタクリレー
ト，イソデシルメタクリレート，ラウリルメタクリレー
ト，モルホリンメタクリレート，フェノキシエチルメタ
クリレート，フェノキシジエチレングリコールメタクリ
レート，２，２，２−トリフルオロエチルメタクリレー
ト，２，２，３，３−テトラフルオロプロピルメタクリ
レート，２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブチ
ルメタクリレート等の単官能メタクリレート化合物を使
用することができる。さらに、４，４'−ビフェニルジ
アクリレート，ジエチルスチルベストロールジアクリレ
ート，１，４−ビスアクリロイルオキシベンゼン，４，
４'−ビスアクリロイルオキシジフェニルエーテル，
４，４'−ビスアクリロイルオキシジフェニルメタン，
３，９−ビス［１，１−ジメチル−２−アクリロイルオ
キシエチル］−２，４，８，１０−テトラスピロ［５，
５］ウンデカン，α，α′−ビス［４−アクリロイルオ
キシフェニル］−１，４−ジイソプロピルベンゼン，
１，４−ビスアクリロイルオキシテトラフルオロベンゼ
ン，４，４'−ビスアクリロイルオキシオクタフルオロ
ビフェニル，ジエチレングリコールジアクリレート，
１，４−ブタンジオールジアクリレート，１，３−ブチ
レングリコールジアクリレート，ジシクロペンタニルジ
アクリレート，グリセロールジアクリレート，１，６−
ヘキサンジオールジアクリレート，ネオペンチルグリコ
ールジアクリレート，テトラエチレングリコールジアク
リレート，トリメチロールプロパントリアクリレート，
ペンタエリスリトールテトラアクリレート，ペンタエリ
スリトールトリアクリレート，ジトリメチロールプロパ
ンテトラアクリレート，ジペンタエリスリトールヘキサ
アクリレート，ジペンタエリスリトールモノヒドロキシ
ペンタアクリレート，４，４'−ジアクリロイルオキシ
スチルベン，４，４'−ジアクリロイルオキシジメチル
スチルベン，４，４'−ジアクリロイルオキシジエチル
スチルベン，４，４'−ジアクリロイルオキシジプロピ
ルスチルベン，４，４'−ジアクリロイルオキシジブチ
ルスチルベン，４，４'−ジアクリロイルオキシジペン
チルスチルベン，４，４'−ジアクリロイルオキシジヘ
キシルスチルベン，４，４'−ジアクリロイルオキシジ
フルオロスチルベン，２，２，３，３，４，４−ヘキサ
フルオロペンタンジオール−１，５−ジアクリレート，
１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロプロピル−
１，３−ジアクリレート，ウレタンアクリレートオリゴ
マ等の多官能アクリレート化合物を用いることができ
る。さらにまた、ジエチレングリコールジメタクリレー
ト，１，４−ブタンジオールジメタクリレート，１，３
−ブチレングリコールジメタクリレート，ジシクロペン
タニルジメタクリレート，グリセロールジメタクリレー
ト，１，６−へキサンジオールジメタクリレート，ネオ
ペンチルグリコールジメタクリレート，テトラエチレン
グリコールジメタクリレート，トリメチロールプロパン
トリメタクリレート，ペンタエリスリトールテトラメタ
クリレート，ペンタエリスリトールトリメタクリレー
ト，ジトリメチロールプロパンテトラメタクリレート，
ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート，ジペン
タエリスリトールモノヒドロキシペンタメタクリレー
ト，２，２，３，３，４，４−ヘキサフルオロペンタン
ジオール−１，５−ジメタクリレート，ウレタンメタク
リレートオリゴマ等の多官能メタクリレート化合物，そ
の他スチレン，アミノスチレン，酢酸ビニル等がある
が、これに限定されるものではない。
化モノマーとしては、例えば、２−エチルへキシルアク
リレート，ブチルエチルアクリレート，ブトキシエチル
アクリレート，２−シアノエチルアクリレート，ベンジ
ルアクリレート，シクロヘキシルアクリレート，２−ヒ
ドロキシプロピルアクリレート，２−エトキシエチルア
クリレート，Ｎ、Ｎ−エチルアミノエチルアクリレー
ト，Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノエチルアクリレート，ジシ
クロペンタニルアクリレート，ジシクロペンテニルアク
リレート，グリシジルアクリレート，テトラヒドロフル
フリルアクリレート，イソボニルアクリレート，イソデ
シルアクリレート，ラウリルアクリレート，モルホリン
アクリレート，フェノキシエチルアクリレート，フェノ
キシジエチレングリコールアクリレート，２，２，２−
トリフルオロエチルアクリレート，２，２，３，３，３
−ペンタフルオロプロピルアクレート，２，２，３，３
−テトラフルオロプロピルアクリレート，２，２，３，
４，４，４−ヘキサフルオロブチルアクリレート等の単
官能アクリレート化合物を使用することができる。ま
た、２−エチルヘキシルメタクリレート，ブチルエチル
メタクリレート，ブトキシエチルメタクリレート，２−
シアノエチルメタクリレート，ベンジルメタクリレー
ト，シクロヘキシルメタクリレート，２−ヒドロキシプ
ロピルメタクリレート，２−エトキシエチルアクリレー
ト，Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレート，
Ｎ、Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリレート，ジシク
ロペンタニルメタクリレート，ジシクロペンテニルメタ
クリレート，グリシジルメタクリレート，テトラヒドロ
フルフリルメタクリレート，イソボニルメタクリレー
ト，イソデシルメタクリレート，ラウリルメタクリレー
ト，モルホリンメタクリレート，フェノキシエチルメタ
クリレート，フェノキシジエチレングリコールメタクリ
レート，２，２，２−トリフルオロエチルメタクリレー
ト，２，２，３，３−テトラフルオロプロピルメタクリ
レート，２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブチ
ルメタクリレート等の単官能メタクリレート化合物を使
用することができる。さらに、４，４'−ビフェニルジ
アクリレート，ジエチルスチルベストロールジアクリレ
ート，１，４−ビスアクリロイルオキシベンゼン，４，
４'−ビスアクリロイルオキシジフェニルエーテル，
４，４'−ビスアクリロイルオキシジフェニルメタン，
３，９−ビス［１，１−ジメチル−２−アクリロイルオ
キシエチル］−２，４，８，１０−テトラスピロ［５，
５］ウンデカン，α，α′−ビス［４−アクリロイルオ
キシフェニル］−１，４−ジイソプロピルベンゼン，
１，４−ビスアクリロイルオキシテトラフルオロベンゼ
ン，４，４'−ビスアクリロイルオキシオクタフルオロ
ビフェニル，ジエチレングリコールジアクリレート，
１，４−ブタンジオールジアクリレート，１，３−ブチ
レングリコールジアクリレート，ジシクロペンタニルジ
アクリレート，グリセロールジアクリレート，１，６−
ヘキサンジオールジアクリレート，ネオペンチルグリコ
ールジアクリレート，テトラエチレングリコールジアク
リレート，トリメチロールプロパントリアクリレート，
ペンタエリスリトールテトラアクリレート，ペンタエリ
スリトールトリアクリレート，ジトリメチロールプロパ
ンテトラアクリレート，ジペンタエリスリトールヘキサ
アクリレート，ジペンタエリスリトールモノヒドロキシ
ペンタアクリレート，４，４'−ジアクリロイルオキシ
スチルベン，４，４'−ジアクリロイルオキシジメチル
スチルベン，４，４'−ジアクリロイルオキシジエチル
スチルベン，４，４'−ジアクリロイルオキシジプロピ
ルスチルベン，４，４'−ジアクリロイルオキシジブチ
ルスチルベン，４，４'−ジアクリロイルオキシジペン
チルスチルベン，４，４'−ジアクリロイルオキシジヘ
キシルスチルベン，４，４'−ジアクリロイルオキシジ
フルオロスチルベン，２，２，３，３，４，４−ヘキサ
フルオロペンタンジオール−１，５−ジアクリレート，
１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロプロピル−
１，３−ジアクリレート，ウレタンアクリレートオリゴ
マ等の多官能アクリレート化合物を用いることができ
る。さらにまた、ジエチレングリコールジメタクリレー
ト，１，４−ブタンジオールジメタクリレート，１，３
−ブチレングリコールジメタクリレート，ジシクロペン
タニルジメタクリレート，グリセロールジメタクリレー
ト，１，６−へキサンジオールジメタクリレート，ネオ
ペンチルグリコールジメタクリレート，テトラエチレン
グリコールジメタクリレート，トリメチロールプロパン
トリメタクリレート，ペンタエリスリトールテトラメタ
クリレート，ペンタエリスリトールトリメタクリレー
ト，ジトリメチロールプロパンテトラメタクリレート，
ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート，ジペン
タエリスリトールモノヒドロキシペンタメタクリレー
ト，２，２，３，３，４，４−ヘキサフルオロペンタン
ジオール−１，５−ジメタクリレート，ウレタンメタク
リレートオリゴマ等の多官能メタクリレート化合物，そ
の他スチレン，アミノスチレン，酢酸ビニル等がある
が、これに限定されるものではない。
【００５６】また、本実施の形態の素子の駆動電圧は、
高分子材料と液晶材料の界面相互作用にも影響されるた
め、フッ素元素を含む高分子化合物であってもよい。こ
のような高分子化合物として、２，２，３，３，４，４
−へキサフルオロペンタンジオール−１，５−ジアクリ
レート，１，１，２，２，３，３−へキサフルオロプロ
ピル−１，３−ジアクリレート，２，２，２−トリフル
オロエチルアクリレート，２，２，３，３，３−ペンタ
フルオロプロピルアクリレート，２，２，３，３−テト
ラフルオロプロピルアクリレート，２，２，３，４，
４，４−へキサフルオロブチルアクリレート，２，２，
２−トリフルオロエチルメタクリレート，２，２，３，
３−テトラフルオロプロピルメタクリレート，２，２，
３，４，４，４−ヘキサフルオロブチルメタクリレー
ト，ウレタンアクリレートオリゴマ等を含む化合物から
合成された高分子化合物が挙げられるが、これに限定さ
れるものではない。
高分子材料と液晶材料の界面相互作用にも影響されるた
め、フッ素元素を含む高分子化合物であってもよい。こ
のような高分子化合物として、２，２，３，３，４，４
−へキサフルオロペンタンジオール−１，５−ジアクリ
レート，１，１，２，２，３，３−へキサフルオロプロ
ピル−１，３−ジアクリレート，２，２，２−トリフル
オロエチルアクリレート，２，２，３，３，３−ペンタ
フルオロプロピルアクリレート，２，２，３，３−テト
ラフルオロプロピルアクリレート，２，２，３，４，
４，４−へキサフルオロブチルアクリレート，２，２，
２−トリフルオロエチルメタクリレート，２，２，３，
３−テトラフルオロプロピルメタクリレート，２，２，
３，４，４，４−ヘキサフルオロブチルメタクリレー
ト，ウレタンアクリレートオリゴマ等を含む化合物から
合成された高分子化合物が挙げられるが、これに限定さ
れるものではない。
【００５７】本実施の形態に使用する高分子化合物とし
て光または紫外線硬化モノマーを使用する場合には、光
または紫外線用の開始剤を使用することもできる。この
開始剤としては、種々のものが使用可能であり、たとえ
ば、２，２−ジエトキシアセトフェノン，２−ヒドロキ
シ−２−メチル−１−フェニル−１−オン，１−（４−
イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチル
プロパン−１−オン，１−（４−ドデシルフェニル）−
２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン等のア
セトフェノン系、ベンゾインメチルエーテル，ベンゾイ
ンエチルエーテル，ベンジルジメチルケタール等のベン
ゾイン系、ベンゾフェノン，ベンゾイル安息香酸，４−
フェニルベンゾフェノン，３，３−ジメチル−４−メト
キシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系、チオキサン
ソン，２−クロルチオキサンソン，２−メチルチオキサ
ンソン等のチオキサンソン系、ジアゾニウム塩系、スル
ホニウム塩系、ヨードニウム塩系、セレニウム塩系等が
使用できる。
て光または紫外線硬化モノマーを使用する場合には、光
または紫外線用の開始剤を使用することもできる。この
開始剤としては、種々のものが使用可能であり、たとえ
ば、２，２−ジエトキシアセトフェノン，２−ヒドロキ
シ−２−メチル−１−フェニル−１−オン，１−（４−
イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチル
プロパン−１−オン，１−（４−ドデシルフェニル）−
２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン等のア
セトフェノン系、ベンゾインメチルエーテル，ベンゾイ
ンエチルエーテル，ベンジルジメチルケタール等のベン
ゾイン系、ベンゾフェノン，ベンゾイル安息香酸，４−
フェニルベンゾフェノン，３，３−ジメチル−４−メト
キシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系、チオキサン
ソン，２−クロルチオキサンソン，２−メチルチオキサ
ンソン等のチオキサンソン系、ジアゾニウム塩系、スル
ホニウム塩系、ヨードニウム塩系、セレニウム塩系等が
使用できる。
【００５８】両基板の外側に偏光板の偏光透過軸を所定
角度に配置しておくことで、上述した液晶分子の動きに
よって光の透過率を変化させることができる。また、偏
光透過軸を直交させた場合は、ノ−マリブラックモ−ド
となるが、初期の液晶配向のリタデ−ションの観察角度
依存をなくすため負の一軸の補償フィルムおよび正の一
軸の補償フィルムを組み合わせて用いることができる。
これにより、黒状態の観察角度依存性がなくなり、画質
が向上するとともに、広視野角化が図れる。なお、ＴＦ
Ｔ基板は第１の実施の形態と同様のものを用いたが、第
２、第３、第４の実施の形態のＴＦＴ基板を用いてもよ
い。
角度に配置しておくことで、上述した液晶分子の動きに
よって光の透過率を変化させることができる。また、偏
光透過軸を直交させた場合は、ノ−マリブラックモ−ド
となるが、初期の液晶配向のリタデ−ションの観察角度
依存をなくすため負の一軸の補償フィルムおよび正の一
軸の補償フィルムを組み合わせて用いることができる。
これにより、黒状態の観察角度依存性がなくなり、画質
が向上するとともに、広視野角化が図れる。なお、ＴＦ
Ｔ基板は第１の実施の形態と同様のものを用いたが、第
２、第３、第４の実施の形態のＴＦＴ基板を用いてもよ
い。
【００５９】この第６の実施の形態では、第１の実施の
形態と同様に、カラーフィルタ９上に配置された画素電
極１１とＣＯＭ電極１２の間に電界を形成することで、
それらの上に配置された液晶分子２００を駆動するよう
にした。言い換えるならば、カラーフィルタ９と液晶層
１３とが、画素電極１１とＣＯＭ電極１２とを挾んで配
置されているようにした。この実施の形態によれば、液
晶分子２００を動かすための電界がＴＦＴ基板側に回り
込みカラーフィルタ９に印加され不純物イオンが偏在化
したとしても、液晶層１３とカラーフィルタ９の間には
画素電極１１とＣＯＭ電極１２が存在するため、カラー
フィルタの不純物イオンが作り出す電界は導電体である
画素電極１１とＣＯＭ（共通）電極１２に収束し、液晶
層には大きな影響を与えない。また、カラーフィルタ９
上にオーバーコート層１０が形成され、その上に液晶層
１３が形成されているが、オーバーコート層１０は顔料
等が含まれていないため不純物イオンが少なく殆どチャ
ージアップしない。よってさらに液晶層１３への影響は
少なくなる。
形態と同様に、カラーフィルタ９上に配置された画素電
極１１とＣＯＭ電極１２の間に電界を形成することで、
それらの上に配置された液晶分子２００を駆動するよう
にした。言い換えるならば、カラーフィルタ９と液晶層
１３とが、画素電極１１とＣＯＭ電極１２とを挾んで配
置されているようにした。この実施の形態によれば、液
晶分子２００を動かすための電界がＴＦＴ基板側に回り
込みカラーフィルタ９に印加され不純物イオンが偏在化
したとしても、液晶層１３とカラーフィルタ９の間には
画素電極１１とＣＯＭ電極１２が存在するため、カラー
フィルタの不純物イオンが作り出す電界は導電体である
画素電極１１とＣＯＭ（共通）電極１２に収束し、液晶
層には大きな影響を与えない。また、カラーフィルタ９
上にオーバーコート層１０が形成され、その上に液晶層
１３が形成されているが、オーバーコート層１０は顔料
等が含まれていないため不純物イオンが少なく殆どチャ
ージアップしない。よってさらに液晶層１３への影響は
少なくなる。
【００６０】また、この実施の形態では、第１の実施の
形態と同様に、画素電極１１とＣＯＭ電極１２が同一の
層で形成されているため、別の層で形成するよりも工程
数が少なくすみ、作製コストを少なくできる上、作製時
間も短縮できる。さらに、この実施の形態では、液晶分
子が基板に対しほぼ垂直に配向した状態から、電界によ
り倒れる構成のため、従来のような液晶分子が単に基板
に平行な面内で回転する構成に比べ、斜め方向から観察
したときの色付きもなく、広い視野角特性を与える。
形態と同様に、画素電極１１とＣＯＭ電極１２が同一の
層で形成されているため、別の層で形成するよりも工程
数が少なくすみ、作製コストを少なくできる上、作製時
間も短縮できる。さらに、この実施の形態では、液晶分
子が基板に対しほぼ垂直に配向した状態から、電界によ
り倒れる構成のため、従来のような液晶分子が単に基板
に平行な面内で回転する構成に比べ、斜め方向から観察
したときの色付きもなく、広い視野角特性を与える。
【００６１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明では、カラー
フィルタと液晶層とが、画素電極とＣＯＭ電極とを挾ん
で配置されているようにしたので、液晶分子を動かすた
めの電界がＴＦＴ基板側に回り込みカラーフィルタに印
加され不純物イオンが偏在化したとしても、液晶層とカ
ラーフィルタの間には画素電極とＣＯＭ電極が存在する
ため、カラーフィルタの不純物イオンが作り出す電界は
導電体である画素電極とＣＯＭ（共通）電極に収束し、
液晶層には大きな影響を与えない。また、カラーフィル
タ上にオーバーコート層が形成され、その上に液晶層が
形成されているが、オーバーコート層は顔料等が含まれ
ていないため不純物イオンが少なく殆どチャージアップ
しない。よって、さらに液晶層への影響は少なくなる。
さらに、本発明では、画素電極とＣＯＭ電極が同一の層
で形成されているため、別の層で形成するよりも工程数
が少なくすみ、作製コストを少なくできる上、作製時間
も短縮できる。
フィルタと液晶層とが、画素電極とＣＯＭ電極とを挾ん
で配置されているようにしたので、液晶分子を動かすた
めの電界がＴＦＴ基板側に回り込みカラーフィルタに印
加され不純物イオンが偏在化したとしても、液晶層とカ
ラーフィルタの間には画素電極とＣＯＭ電極が存在する
ため、カラーフィルタの不純物イオンが作り出す電界は
導電体である画素電極とＣＯＭ（共通）電極に収束し、
液晶層には大きな影響を与えない。また、カラーフィル
タ上にオーバーコート層が形成され、その上に液晶層が
形成されているが、オーバーコート層は顔料等が含まれ
ていないため不純物イオンが少なく殆どチャージアップ
しない。よって、さらに液晶層への影響は少なくなる。
さらに、本発明では、画素電極とＣＯＭ電極が同一の層
で形成されているため、別の層で形成するよりも工程数
が少なくすみ、作製コストを少なくできる上、作製時間
も短縮できる。
【図１】本発明の第１の実施の形態の構成を示す平面図
である。
である。
【図２】図１のＡ−A'線の断面図である。
【図３】図１のＢ−B'線の断面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は本発明の液晶表示装置におけ
る液晶層内を説明する模式図である。
る液晶層内を説明する模式図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は本発明の液晶表示装置におけ
る液晶層内を説明する模式図である。
る液晶層内を説明する模式図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は本発明の液晶表示装置におけ
る液晶層内を説明する模式図である。
る液晶層内を説明する模式図である。
【図７】（ａ）〜（ｈ）、（ａ'）〜（h'）は本発明の
第１の実施の形態の製造工程を示す断面図である。
第１の実施の形態の製造工程を示す断面図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態の構成を示す平面図
である。
である。
【図９】図８のＡ−Ａ'線の断面図である。
【図１０】本発明の第４の実施の形態の構成を示す平面
図である。
図である。
【図１１】図１０のＢ−B'線の断面図である。
【図１２】従来例１の構成を示す平面図である。
【図１３】図１２のＡ−A'線の断面図である。
【図１４】従来例２の構成を示す平面図である。
【図１５】図１４のＡ−A'線の断面図である。
【図１６】（ａ）〜（ｈ）は従来例２の製造工程を示す
断面図である。
断面図である。
【図１７】基板に垂直な電界で液晶を駆動する液晶表示
装置を示す平面図である。
装置を示す平面図である。
【図１８】図１７のＡ−A'線の断面図である。
１、２ 基板 ３ 走査線 ３ａ ゲート電極 ４ ゲート絶縁膜 ５ 半導体層 ６ ｎ型半導体層 ７ 信号線 ７ａ ソース電極 ７ｂ ドレイン電極 ８ パッシベーション膜 ９Ｒ、９Ｇ、９Ｂ カラーフィルタ １０ オーバーコート層 １１ 画素電極 １２ ＣＯＭ電極 １３ 液晶層 １４ 共通電極線 １５ 遮光層 ２０ 遮光層 ２１ 絶縁膜 ２５ 導通部 ２００ 液晶分子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡邊 貴彦 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 岡本 守 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 中田 慎一 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 山本 勇司 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 鈴木 成嘉 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 鈴木 照晃 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 石井 俊也 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 加納 博司 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H092 GA14 JA24 JA40 JB05 JB33 JB51 JB56 JB57 JB58 KA18 KB04 KB23 KB26 MA05 MA27 MA37 NA01 NA27 NA29 PA02 PA08 PA09 PA11 QA07
Claims (11)
- 【請求項１】 透明な第１の基板と透明な第２の基板の
間に液晶が挟持され、支配的に基板に平行な電界を発生
し液晶を駆動する液晶表示装置において、前記第１の基
板には、走査電圧が印加される走査線と、走査線と電気
的に接続されたゲート電極と、信号電圧が印加される信
号線と、信号線に電気的に接続されたソース電極と画素
電極に電気的に接続されたドレイン電極を備えた薄膜ト
ランジスタとが設置され、これらを含む全面の上層には
カラーフィルタが設置され、前記カラーフィルタの上層
には、画素電極と共通信号電圧が印加されるＣＯＭ電極
が、同じ層で形成されていることを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項２】 前記カラーフィルタの上層にオーバーコ
ート層が形成されていることを特徴とする請求項１記載
の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記画素電極とＣＯＭ電極が不透明な導
電材料よりなる請求項１または２記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記画素電極とＣＯＭ電極が透明な導電
材料よりなる請求項１または２記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記画素電極もしくはＣＯＭ電極が遮光
層を兼ねる請求項１または２記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 共通電極線がＣＯＭ電極と同じ層にある
請求項１または２記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記液晶が基板に平行に配向処理され誘
電率異方性が正である請求項１〜６のいずれかに記載の
液晶表示装置。 - 【請求項８】 前記液晶が基板に平行に配向処理され誘
電率異方性が負である請求項１〜６のいずれかに記載の
液晶表示装置。 - 【請求項９】 前記液晶が基板に垂直に配向処理され誘
電率異方性が正である請求項１〜６のいずれかに記載の
液晶表示装置。 - 【請求項１０】 透明な第１の基板上に、走査線、ゲー
ト電極をよび共通電極線を形成する工程と、全面にゲー
ト絶縁膜を形成し、前記ゲート電極の上部に半導体層を
形成する工程と、信号線、前記半導体層上にソース電極
およびドレイン電極、導通部を形成する工程と、全面に
パッシベーション膜を設ける工程と、前記ゲート電極、
半導体層、ソース電極をよびドレイン電極により形成さ
れる薄膜トランジスタの上部に遮光膜を、その他の部分
にカラーフィルタを形成する工程と、前記カラーフィル
タの上に画素電極と共通信号が印加されるＣＯＭ電極と
を形成する工程と、前記第１の基板と透明な第２の基板
とを対向させその間に液晶を封止する工程とを有するこ
とを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記カラーフィルタ上にオーバーコー
ト層を形成し、その上に画素電極とＣＯＭ電極を形成す
ることを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装置の製
造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24222699A JP2001066617A (ja) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| TW089117200A TW546506B (en) | 1999-08-27 | 2000-08-25 | Liquid crystal display device and its production |
| KR10-2000-0049883A KR100382807B1 (ko) | 1999-08-27 | 2000-08-26 | 액정 표시 장치 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24222699A JP2001066617A (ja) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002321161A Division JP3721156B2 (ja) | 2002-11-05 | 2002-11-05 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001066617A true JP2001066617A (ja) | 2001-03-16 |
Family
ID=17086120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24222699A Pending JP2001066617A (ja) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| KR (1) | KR100382807B1 (ja) |
| TW (1) | TW546506B (ja) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002365640A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-12-18 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2002365656A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JP2003114445A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-04-18 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| KR100422567B1 (ko) * | 2001-01-29 | 2004-03-11 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액정표시장치 |
| US6839116B2 (en) * | 2002-10-11 | 2005-01-04 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device and fabrication method thereof |
| JP2005122185A (ja) * | 2003-10-14 | 2005-05-12 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 水平電界の認可型の液晶表示パネル及びその製造方法 |
| JP2006018276A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2006503333A (ja) * | 2002-10-17 | 2006-01-26 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 指紋認識素子を内装した一体型液晶表示装置、及びこれの製造方法 |
| FR2879763A1 (fr) * | 2004-12-31 | 2006-06-23 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Dispositif d'ecran a cristaux liquides et procede de fabrication de son substrat a matrice |
| JP2006259725A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-28 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 横電界方式の液晶表示素子及びその製造方法 |
| JP2008216958A (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Samsung Electronics Co Ltd | 絶縁体からなるマザー基板（絶縁マザー基板）にアラインマークを形成することを含む液晶表示装置の製造方法。 |
| JP2009258403A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Epson Imaging Devices Corp | 表示装置およびその製造方法 |
| KR100955382B1 (ko) | 2004-12-31 | 2010-04-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| JP2012078875A (ja) * | 2001-10-02 | 2012-04-19 | Sharp Corp | 液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置 |
| JP2014232334A (ja) * | 2005-12-05 | 2014-12-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR101493224B1 (ko) * | 2008-09-22 | 2015-02-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
| US9046727B2 (en) | 2008-08-26 | 2015-06-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and manufacturing method of the same |
| EP2660651B1 (en) * | 2012-02-28 | 2018-01-31 | Boe Technology Group Co. Ltd. | Array substrate, manufacturing method therefor and display device |
| JP2020042314A (ja) * | 2008-12-03 | 2020-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP2020042300A (ja) * | 2008-11-28 | 2020-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| US11668985B2 (en) | 2020-09-25 | 2023-06-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100857133B1 (ko) * | 2002-06-28 | 2008-09-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법 |
| KR100916603B1 (ko) * | 2002-12-09 | 2009-09-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 |
| KR100942265B1 (ko) * | 2004-05-31 | 2010-02-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 씨오티 구조 액정표시장치 및 제조방법 |
| KR101251349B1 (ko) * | 2006-08-18 | 2013-04-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판, 이의 제조 방법 및 이를포함하는 표시 장치. |
| KR101615926B1 (ko) * | 2009-07-28 | 2016-04-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 이의 제조방법 |
| KR101254561B1 (ko) * | 2010-05-04 | 2013-04-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계형 액정표시장치용 어레이기판 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2772405B2 (ja) * | 1990-11-22 | 1998-07-02 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
-
1999
- 1999-08-27 JP JP24222699A patent/JP2001066617A/ja active Pending
-
2000
- 2000-08-25 TW TW089117200A patent/TW546506B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-08-26 KR KR10-2000-0049883A patent/KR100382807B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100422567B1 (ko) * | 2001-01-29 | 2004-03-11 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 액정표시장치 |
| JP2002365640A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-12-18 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2002365656A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
| JP2003114445A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-04-18 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2012078875A (ja) * | 2001-10-02 | 2012-04-19 | Sharp Corp | 液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置 |
| US6839116B2 (en) * | 2002-10-11 | 2005-01-04 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device and fabrication method thereof |
| US7180565B2 (en) | 2002-10-11 | 2007-02-20 | Lg. Philips Co., Ltd. | In-plane switching mode liquid crystal display device having a storage electrode connected to the pixel electrode and under the color filter |
| JP2006503333A (ja) * | 2002-10-17 | 2006-01-26 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 指紋認識素子を内装した一体型液晶表示装置、及びこれの製造方法 |
| JP2005122185A (ja) * | 2003-10-14 | 2005-05-12 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 水平電界の認可型の液晶表示パネル及びその製造方法 |
| JP2006018276A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US7545463B2 (en) | 2004-06-30 | 2009-06-09 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and fabricating method thereof |
| FR2879763A1 (fr) * | 2004-12-31 | 2006-06-23 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Dispositif d'ecran a cristaux liquides et procede de fabrication de son substrat a matrice |
| JP2006189763A (ja) * | 2004-12-31 | 2006-07-20 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US7576824B2 (en) | 2004-12-31 | 2009-08-18 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for fabricating the same |
| KR100955382B1 (ko) | 2004-12-31 | 2010-04-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| JP2006259725A (ja) * | 2005-03-14 | 2006-09-28 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | 横電界方式の液晶表示素子及びその製造方法 |
| JP4589256B2 (ja) * | 2005-03-14 | 2010-12-01 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 横電界方式の液晶表示素子及びその製造方法 |
| US10054830B2 (en) | 2005-12-05 | 2018-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US11048135B2 (en) | 2005-12-05 | 2021-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP2014232334A (ja) * | 2005-12-05 | 2014-12-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US11899329B2 (en) | 2005-12-05 | 2024-02-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US11592719B2 (en) | 2005-12-05 | 2023-02-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US9235090B2 (en) | 2005-12-05 | 2016-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US11126053B2 (en) | 2005-12-05 | 2021-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US9316881B2 (en) | 2005-12-05 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US10539847B2 (en) | 2005-12-05 | 2020-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP2017054152A (ja) * | 2005-12-05 | 2017-03-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| US9823526B2 (en) | 2005-12-05 | 2017-11-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US10324347B1 (en) | 2005-12-05 | 2019-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US9904127B2 (en) | 2005-12-05 | 2018-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP2008216958A (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Samsung Electronics Co Ltd | 絶縁体からなるマザー基板（絶縁マザー基板）にアラインマークを形成することを含む液晶表示装置の製造方法。 |
| JP2009258403A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | Epson Imaging Devices Corp | 表示装置およびその製造方法 |
| US9046727B2 (en) | 2008-08-26 | 2015-06-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and manufacturing method of the same |
| US9570477B2 (en) | 2008-08-26 | 2017-02-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and manufacturing method of the same |
| US9269729B2 (en) | 2008-08-26 | 2016-02-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and manufacturing method of the same |
| KR101493224B1 (ko) * | 2008-09-22 | 2015-02-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 |
| JP2020042300A (ja) * | 2008-11-28 | 2020-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| US10985282B2 (en) | 2008-11-28 | 2021-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| US11869978B2 (en) | 2008-11-28 | 2024-01-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP2020042314A (ja) * | 2008-12-03 | 2020-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| US11175542B2 (en) | 2008-12-03 | 2021-11-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| EP2660651B1 (en) * | 2012-02-28 | 2018-01-31 | Boe Technology Group Co. Ltd. | Array substrate, manufacturing method therefor and display device |
| US11668985B2 (en) | 2020-09-25 | 2023-06-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
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