JPH112842A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶表示装置に関し、ＶＡ型液晶表示パネル
におけるディスクリネーションラインの発生を防止す
る。 【解決手段】 アクティブマトリクス基板１と対向基板
２との間に、電圧非印加状態で液晶分子４がほぼ垂直に
配向する負の液晶３を挟持すると共に、電圧非印加時の
液晶分子４のプレチルト角θを８９°≦θ≦９１°とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関す
るものであり、特に、ＶＡ型（ＶｅｒｔｉｃａｌＡｌｉ
ｇｎｍｅｎｔ型：垂直配向型）のアクティブマトリクス
型液晶表示装置におけるディスクリネーションの解消手
段に特徴のある液晶表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、液晶表示装置はＡＶ機器や、パー
ソナルコンピュータ等の表示装置として用いられてお
り、より高画質のものが求められているが、この液晶表
示装置は大きく分けて、アクティブマトリクス型液晶表
示装置と単純マトリクス型液晶表示装置とがあり、この
内、前者のアクティブマトリクス型液晶表示装置が高画
質用として用いられている。

【０００３】このアクティブマトリクス型液晶表示装置
は、個々の画素に対応してアクティブマトリクス基板上
にマトリクス状に配置された多数のゲートバスラインと
ドレインバスラインに駆動電圧を印加し、ゲートバスラ
インとドレインバスラインとの交差部に配置された薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）を選択駆動することにより、対
応する所望の画素をドット表示するように構成されてい
る。

【０００４】この様なアクティブマトリクス型液晶表示
パネルとしては、液晶分子の配向の安定性、階調が得や
すい等の理由により通常はＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅ
ｍａｔｉｃ）型が用いられている。

【０００５】このＴＮ型の液晶表示パネルの場合には、
電圧オフ時に黒表示となるノーマリブラック型と電圧オ
ン時に白表示となるノーマリホワイト型があるが、ノー
マリブラック型の場合には、液晶分子による偏光状態に
波長依存性があり、電圧オフ時に青っぽく着色するた
め、ノーマリホワイト型が良く用いられている。

【０００６】図５（ａ）参照 ここで、このＴＮ型液晶表示パネルを図５を参照して説
明すると、左側の図に示すように、電圧オフ時には、液
晶分子６０は、ＴＦＴ基板となる透明ガラス基板４１及
び対向基板に設けた配向膜（図示せず）に施したラビン
グにしたがって、所定のプレチルト角をもち、且つ、次
第にツイストした（捩じれた）状態で配列している。

【０００７】この状態で偏光板６１を介して光が入射し
た場合、入射光は液晶分子６０により９０°回転（９０
°旋光）した状態に偏光され、偏光板６１の偏光軸Ｐと
９０°ずれた偏光軸Ａを有する偏光板６２を透過して白
表示となる。

【０００８】図５（ｂ）参照このＴＮ型液晶表示パネル
に電圧を印加してオン状態にすると、液晶分子６０は立
ち上がり、偏光板６１を透過した入射光は偏光作用を受
けないので、偏光板６１の偏光軸Ｐと９０°ずれた偏光
軸Ａを有する偏光板６２によって遮られて黒表示とな
る。

【０００９】図５（ｃ）参照 このＴＮ型液晶表示パネルの場合には、電圧オン時に、
図５（ｂ）に示すように、配向膜界面の液晶分子６０が
アンカリングにより立ちきらず、黒がやや浮いた状態と
なり、コントラストをあまり大きく取れないという問題
がある。

【００１０】再び、図５（ａ）参照 一方、右側の図に示すように、負の液晶を用いたＶＡ型
液晶表示パネルの場合には、電圧オフ時に液晶分子６０
は略垂直、例えば、プレチルト角が約８７°で立った状
態となり、この状態で偏光板６１を介して光が入射した
場合、入射光は液晶分子６０による偏光作用を受けない
ので、偏光板６１の偏光軸Ｐと９０°ずれた偏光軸Ａを
有する偏光板６２に遮られて黒表示となる。

【００１１】図５（ｂ）参照 このＶＡ型液晶表示パネルに電圧を印加してオン状態に
すると、液晶分子６０は倒れるので、偏光板６１を透過
した入射光は偏光作用を受けて偏光し、偏光板６１の偏
光軸Ｐと９０°ずれた偏光軸Ａを有する偏光板６２を透
過して白表示となる。

【００１２】図５（ｃ）参照 このＶＡ型液晶表示パネルの場合には、電圧オフ時に、
完全な黒が得られるので、非常に大きなコントラストを
得ることが出来るという特徴があるが、ＴＮ型液晶表示
パネルに比べて、白の透過率が低いという問題がある。

【００１３】特に、視角特性を重視して、僅かにラビン
グを施すことによって、オン時に液晶分子が倒れながら
僅かにツイストする構造のセルの場合、白の透過率がさ
らに低くなるという実験結果が得られているので、ＴＦ
Ｔの構造によって透過率を高める必要があり、一画素の
開口率が重要となる。

【００１４】ここで、図６を参照して、従来の液晶表示
装置の概略的構成を説明するが、図６（ａ）は一画素の
ＴＦＴ基板側の平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）
におけるＣ−Ｃ′を結ぶ一点鎖線に沿った画素全体の概
略的構造を示す断面図である。

【００１５】図６（ａ）及び（ｂ）参照 従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、透明ガ
ラス基板４１上に例えば厚さ１５０ｎｍのＣｒ膜を堆積
させてパターニングすることによってゲートバスライン
４２及びゲート電極４３を形成したのち、その上に例え
ば厚さ４００ｎｍのＳｉＮ膜を堆積させてゲート絶縁膜
４４とする。

【００１６】次いで、厚さ１５ｎｍのα−Ｓｉ膜４５、
及び、厚さ１２０ｎｍのＳｉＮ膜を堆積させたのち、ゲ
ート電極４３をマスクとしたセルフアライン露光を利用
してＳｉＮ膜をパターニングすることによってチャネル
保護膜４６を形成する。

【００１７】次いで、オーミックコンタクト層となる厚
さ３０ｎｍのｎ⁺ 型α−Ｓｉ膜４７、及び、ドレインバ
スライン４８、ドレイン電極４９、ソース電極５０、及
び、補助容量電極５１となるＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ構造の導
電膜を堆積させたのち、ＲＩＥ（反応性イオンエッチン
グ）によってＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ構造の導電膜及びｎ⁺型
α−Ｓｉ膜４７を一括してパターニングすることによっ
て、ｎ⁺ 型α−Ｓｉ膜４７、ドレインバスライン４８、
ドレイン電極４９、ソース電極５０、及び、補助容量電
極５１からなるＴＦＴ素子部を形成する。

【００１８】次いで、全面にＳｉＮ膜等の保護膜５２を
堆積させたのち、ソース電極５０及び補助容量電極５１
に対するコンタクトホール５３，５４を形成し、次い
で、全面にＩＴＯ膜を堆積して所定のパターンにエッチ
ングすることによって画素電極５５を形成する。

【００１９】一方、透明ガラス基板からなる対向基板５
６には共通電極（図示せず）を設けると共に、画素電極
５５とゲートバスライン４２及びドレインバスライン４
８との間に電気的接続性を待たせないために設けた１０
０ｎｍ程度の間隙を遮光するためのＢＭ（ブラックマト
リクス）５７、及び、ＣＦ（カラーフィルタ）５８を設
け、この対向基板５６をスペーサ（図示せず）を介して
ＴＦＴ基板となる透明ガラス基板４１と対向させ、その
間の空間に液晶５９を注入することによって液晶パネル
を完成させている。

【００２０】これらの画素電極５５とゲートバスライン
４２及びドレインバスライン４８との間の間隙、及び、
貼り合わせ時のＢＭ５７との位置合わせのための４〜５
μｍのマージンを必要とし、この位置合わせマージンに
より開口率が５１％程度に大幅に低下し、ＶＡ型液晶表
示パネルは暗い表示しか得られなかった。

【００２１】この様な開口率の低下の問題を解決するた
めに、画素電極の端とゲートバスライン及びドレインバ
スラインとが保護膜５２を介して重なるようにして、開
口部をゲートバスライン、ドレインバスライン、ＴＦＴ
素子によって規定することが提案されている（必要なら
ば、特開昭６３−２７９２２８号公報参照）。

【００２２】ここで、図７を参照して、この様な広開口
型液晶表示装置の概略的構成を説明するが、図７（ａ）
は一画素のＴＦＴ基板側の平面図であり、図７（ｂ）は
図７（ａ）におけるＣ−Ｃ′を結ぶ一点鎖線に沿った画
素全体の概略的構造を示す断面図である。

【００２３】図７（ａ）及び（ｂ）参照 図６の液晶表示装置と略同様の構成であるが、保護膜５
２の代わりに、透明絶縁性樹脂を用いて、例えば、厚さ
２μｍの透明平坦化層６３を設けると共に、画素電極５
５をゲートバスライン４２及びドレインバスライン４８
にオーバラップするように設けたものである。

【００２４】この場合、遮光すべき間隙が存在しないの
で、ＢＭは本来的には不要であるが、投射型液晶表示パ
ネルの場合には、強い透過光によるＴＦＴの誤動作等を
防止するために、ＴＦＴ部を覆うＢＭ５７を設けてい
る。

【００２５】この結果、開口率が約７１％以上になり、
従来に比べて飛躍的に開口率を上昇させることができ、
この様な広開口型液晶表示パネルをＶＡ型に適用するこ
とにより、非常に高いコントラストと明るい表示を得る
ことができる。

【００２６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、広開口型液晶
表示パネルをＶＡ型に適用した場合には、電圧オン時に
発生するバスライン脇のディスクリネーションラインに
よる黒脈が避けられないという問題があり、この事情を
図８及び図９を参照して説明する。

【００２７】図８参照 図８は、プレチルト角を約８７°とした場合の電圧オン
時の液晶分子の配列の状態の説明図であり、この場合に
は、隣接する画素電極に互いに逆極性の電圧（５Ｖ）を
印加し、隣接する画素電極の間の領域の直下にある幅６
μｍのバスライン及び共通電極に０Ｖを印加した場合の
シミュレーション結果を示しており、図において、液晶
分子は釘状のパターンで示し、釘頭の状態で液晶分子の
傾き、捩じれを示している。

【００２８】この場合、液晶分子は等電位線に沿って、
次第に捩じれながら配列し、この液晶分子の配列状態に
よって、図において破線で示す光透過曲線が得られ、光
透過率が低くなった部分がディスクリネーションライン
による黒脈となる。

【００２９】図９（ａ）参照 図９（ａ）は、液晶表示パネルを上から見た状態を示
し、バスライン、即ち、データバスライン４８に対する
ＴＦＴ基板ラビング方向（ＴＦＴ）及び、対向基板のラ
ビング方向（ＣＦ）を示しており、ＴＦＴ基板ラビング
方向（ＴＦＴ）と対向基板のラビング方向（ＣＦ）のな
す角は４５°であり、したがって、ツイスト角が４５°
となるようにラビングされている。

【００３０】図９（ｂ）参照 図９（ｂ）は図８の左側周辺部の実線の円で囲んだ領域
の液晶分子６０の配列状態を示したものであり、液晶分
子６０の光学軸と偏光板の偏光軸Ｐ，Ａのなす角は４５
°であり、複屈折が最大になるので白輝度が大きくな
る。

【００３１】図９（ｃ）参照 図９（ｃ）は図８の左側中央部の破線の円で囲んだ領域
の液晶分子６０の配列状態を示したものであり、液晶分
子６０の光学軸と偏光板の偏光軸Ｐ，Ａのなす角は４５
°から大きくずれているので、複屈折は小さく、白輝度
が小さくなり、ディスクリネーションラインとして観察
される。

【００３２】この様なディスクリネーションラインは、
開口率の低い画素の場合には、ブラックマトリクスによ
って覆われるため、問題にならなかったが、広開口型と
することによって、新たに問題が発生したものである。

【００３３】したがって、本発明は、ＶＡ型液晶表示パ
ネルのディスクリネーションラインの発生を防止するこ
とを目的とする。

【００３４】

【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明するが、図１（ａ）は
一画素のＴＦＴ基板側の平面図であり、図１（ｂ）は図
１（ａ）におけるＣ−Ｃ′を結ぶ一点鎖線に沿った画素
全体の概略的構造を示す断面図である。

【００３５】図１（ａ）及び（ｂ）参照 （１）本発明は、アクティブマトリクス基板１と対向基
板２との間に負の液晶３を挟持し、電圧非印加状態で液
晶分子４がほぼ垂直に配向する液晶表示装置において、
電圧非印加時の液晶分子４のプレチルト角θを８９°≦
θ≦９１°としたことを特徴とする。

【００３６】この様に、電圧非印加時の液晶分子４のプ
レチルト角θを８９°≦θ≦９１°、即ち、９０°±１
°とすることにより、電圧オン時に液晶分子４はその倒
れる方向を主張せずに電界方向に従うため、液晶分子４
の光学軸と偏光板の偏光軸のなす角はほぼ４５°となる
ので、バスライン、特に、ドレインバスライン８に起因
する横方向電界により生ずるディスクリネーションライ
ンが解消される。なお、このプレチルト角は９０°によ
り近い方が望ましい。

【００３７】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、アクティブマトリクス基板１に設ける表示電極５
を、透明保護膜を介して、ゲートバスライン７及びドレ
インバスライン８上まで延びて重なるようにしたことを
特徴とする。

【００３８】この様に、表示電極５、即ち、画素電極が
ゲートバスライン７及びドレインバスライン８と重なる
ようにすることによって、画素電極とゲートバスライン
７及びドレインバスライン８との間の間隙がなくなり、
したがって、本質的にブラックマトリクスを不要とする
ので、画素の開口率を大きくすることができ、明るい白
表示を得ることができる。

【００３９】（３）また、本発明は、上記（２）におい
て、透明保護膜が透明平坦化層６であることを特徴とす
る。

【００４０】この様に、透明保護膜を透明平坦化層６と
することによって、ＴＦＴ基板表面が平坦化され、プレ
チルト角等の微妙な制御が可能になる。

【００４１】（４）また、本発明は、上記（１）乃至
（３）のいずれかにおいて、アクティブマトリクス基板
１側に設ける偏光板の偏光軸Ｐと対向基板２側に設ける
偏光板の偏光軸Ａとが互いに直交するようにしたことを
特徴とする。

【００４２】この様に、偏光板の偏光軸Ｐ，Ａが互いに
直交するように配置することによって、即ち、直交偏光
子（クロス・ニコル）とすることによって、ノーマリブ
ラック型にすることができ、電圧オフ時に完全な黒表示
を得ることができ、コントラストを高めることができ
る。

【００４３】（５）また、本発明は、上記（１）乃至
（４）のいずれかにおいて、アクティブマトリクス基板
１及び対向基板２に設けた配向膜に、電圧印加時に液晶
分子４が所定の方向にツイストするようにラビング処理
を施されていることを特徴とする。

【００４４】この様に、電圧オン時に液晶分子４がツイ
ストしながら倒れるように、アクティブマトリクス基板
１のラビング方向９と対向基板２のラビング方向１０を
選定してラビング処理を施すことによって、電圧オン時
の視角特性が向上する。

【００４５】（６）また、本発明は、上記（５）におい
て、ツイスト角が４５°であることを特徴とする。

【００４６】この様なツイスト角は、実験的には４５°
であることが最も望ましい。

【００４７】（７）また、本発明は、上記（１）乃至
（６）のいずれかにおいて、アクティブマトリクス基板
１がＴＦＴ基板であることを特徴とする。

【００４８】アクティブマトリクス基板１に設けるアク
ティブ素子は、ＭＩＭ素子やＴＦＴ等で良いが、ＴＦＴ
の場合に最も良い駆動特性が得られる。

【００４９】

【発明の実施の形態】ここで、本発明の実施の形態を図
２乃至図４を参照して説明するが、図２（ａ）は一画素
のＴＦＴ基板側の平面図であり、図２（ｂ）は図２
（ａ）におけるＣ−Ｃ′を結ぶ一点鎖線に沿った画素全
体の概略的構造を示す断面図であり、また、図３は電圧
オン時の液晶分子の配向の説明図であり、さらに、図４
は液晶分子の配向状態による光透過特性の説明図であ
る。

【００５０】図２（ａ）及び（ｂ）参照 まず、従来の広開口型液晶表示装置と同様に、透明ガラ
ス基板１１上に例えば厚さ１５０ｎｍのＣｒ膜を堆積さ
せてパターニングすることによってゲートバスライン１
２及びゲート電極１３を形成したのち、その上に例えば
厚さ４００ｎｍのＳｉＮ膜を堆積させてゲート絶縁膜１
４とする。

【００５１】次いで、厚さ１５ｎｍのα−Ｓｉ膜１５、
及び、厚さ１２０ｎｍのＳｉＮ膜を堆積させたのち、ゲ
ート電極１３をマスクとしたセルフアライン露光を利用
してＳｉＮ膜をパターニングすることによってチャネル
保護膜１６を形成する。

【００５２】次いで、オーミックコンタクト層となる厚
さ３０ｎｍのｎ⁺ 型α−Ｓｉ膜１７、及び、ドレインバ
スライン１８、ドレイン電極１９、ソース電極２０、及
び、補助容量電極２１となるＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ構造の導
電膜を堆積させたのち、ＲＩＥによってＴｉ／Ａｌ／Ｔ
ｉ構造の導電膜及びｎ⁺ 型α−Ｓｉ膜１７を一括してパ
ターニングすることによって、ｎ⁺ 型α−Ｓｉ膜１７、
ドレインバスライン１８、ドレイン電極１９、ソース電
極２０、及び、補助容量電極２１からなるＴＦＴ素子部
を形成する。

【００５３】次いで、全面に透明度が高く、誘電率が低
いネガ型透明フォトレジスト、例えば、誘電率が３程度
のアクリル系樹脂であるＣＴ（富士ハントエレクトロニ
クステクノロジー株式会社製商品名）或いはＰＣ−３３
５（ＪＳＲ社製商品名）を、例えば、厚さ２．２μｍ塗
布して、透明平坦化層２２とする。

【００５４】次いで、透明平坦化層２２にソース電極２
０及び補助容量電極２１に対するコンタクトホール２
３，２４を形成し、次いで、全面にＩＴＯ膜を堆積して
ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１８と重
なるようにエッチングすることによって画素電極２５を
形成する。

【００５５】次いで、図示しないものの、全面に配向膜
を設けて、配向方向は規定するが、プレチルト角に影響
を与えないように、即ち、液晶分子３０のプレチルト角
が９０°になるように、本発明者が既に提案している減
衰ラビング法（必要ならば、特開平４−１９５１１９号
公報参照）を用いて、図において破線の矢印で示す方向
にラビング処理を施す。

【００５６】一方、透明ガラス基板からなる対向基板２
６には共通電極（図示せず）を設けると共に、ＴＦＴ部
を覆うＢＭ２７及び開口部を覆うＣＦ２８を設けたの
ち、全面に配向膜（図示せず）を設けて、同じく減衰ラ
ビング法を用いて、図において太い実線の矢印で示す方
向にラビング処理を施し、電圧オン時の視角特性が良好
になるように、矢印の方向から見たなす角を１３５°と
する。

【００５７】次いで、対向基板２６をスペーサ（図示せ
ず）を介してＴＦＴ基板となる透明ガラス基板１１と対
向させ、その間の空間に、電圧オフ時に液晶分子３０の
光学軸が垂直になる負の液晶２９、例えば、ＭＪ−９５
７８５（メルク社製商品名）を注入することによって液
晶パネルを完成させる。

【００５８】この液晶表示パネルに電圧を印加すると、
液晶分子３０はラビング方向に沿って、透明ガラス基板
１１から対向基板２６に向かって、右回りに倒れながら
４５°ツイストすることになり、白表示が得られる。

【００５９】図３参照 図３は、プレチルト角を９０°とした場合の、電圧オン
時の液晶分子の配列の状態の説明図であり、この場合に
は、隣接する画素電極に互いに逆極性の電圧（５Ｖ）を
印加し、隣接する画素電極の間の領域の直下にある幅６
μｍのバスライン及び共通電極に０Ｖを印加した場合の
シミュレーション結果を示しており、図において、液晶
分子は釘状のパターンで示し、釘頭の状態で液晶分子の
傾き、捩じれを示している。

【００６０】この場合、液晶分子は等電位線に沿って、
比較的ランダムに捩じれながら配列し、この液晶分子の
配列状態によって、図において破線で示す光透過曲線が
得られ、従来のようなディスクリネーションラインによ
る黒脈は見られない。

【００６１】図４（ａ）及び（ｂ）参照 図４（ａ）は、図３の円で囲んだ領域における横から見
た液晶分子３０の配向状態を示し、図４（ｂ）は同じ液
晶分子を上から見た状態を示すものであり、図から明ら
かなように、上から見た場合には、多少のばらつきはあ
るもののほぼ同じ方向を向き、この様な状況は液晶の各
部分において同様に見られる。

【００６２】図４（ｃ）参照 図４（ｃ）は液晶表示パネルを上から見た状態を示し、
液晶分子３０の光学軸と偏光板の偏光軸Ｐ，Ａのなす角
は４５°であり、複屈折が最大になるので白輝度が大き
くなることが分かる。

【００６３】図３から明らかなように、この様な液晶分
子３０の配向は、液晶２９の各領域においてほぼ同様な
状態になっているので、一画素全体において、ほぼ均一
な光透過率となり、ディスクリネーションラインが消失
する。

【００６４】この様に、本発明においては、ＶＡ型液晶
表示パネルを用いており、良好な黒表示が得られるので
コントラストを非常に大きくすることができ、また、デ
ィスクリネーションラインを消失させているので広開口
型のＴＦＴ基板構造を採用することができ、それによっ
て、従来のＴＮ型液晶表示パネルを越える程度の白輝度
を得ることができ、さらに、透明保護膜として透明平坦
化層を用いているので、液晶分子のプレチルト角を微妙
に制御することができる。

【００６５】以上、本発明の実施の形態を説明してきた
が、本発明は、実施の形態通りの構成に限られるもので
はなく、例えば、プレチルト角は厳密に９０°である必
要はなく、±１°以内、より好適には、±０．５°以内
のずれが許容される。

【００６６】また、本発明におけるＴＦＴ基板構造は、
広開口型が望ましいが、広開口型に限られるものではな
く、図６に示した従来型でも良く、この場合にも、ディ
スクリネーションラインの問題を考慮する必要がなくな
るので、ブラックマトリクスの設計が容易になる。

【００６７】また、本発明における、透明保護膜は、必
ずしも透明平坦化層である必要はなく、図６に示した従
来の液晶表示装置の様に、ＳｉＮ膜等の保護膜を用いて
も良いものである。

【００６８】また、本発明においては、電圧オン時の視
角特性を向上するために、ラビング処理を施している
が、必ずしも必要ではなく、ラビングレスでプレチルト
角が９０°になるようにしても良い。

【００６９】また、本発明の実施の形態においては、高
輝度の投射型液晶表示パネルを前提として説明している
ため、ＴＦＴ部を覆うようにブラックマトリクスを設け
ているが、投射型以外の用途の場合には設ける必要は必
ずしもない。

【００７０】また、本発明の実施の形態においては、α
−ＳｉからなるＴＦＴをアクティブ素子として説明した
が、アクティブ素子はα−ＳｉＴＦＴに限られるもので
はなく、多結晶Ｓｉを用いたＴＦＴでも良く、さらに
は、ＭＩＭ素子等の他のスイッチング素子を用いても良
いものである。

【００７１】

【発明の効果】本発明によれば、負の液晶のプレチルト
角を略９０°に設定しているので、横方向電界に起因す
るディスクリネーションラインの発生を防止することが
でき、それによって、広開口型のアクティブマトリクス
基板を用いてＶＡ型液晶表示パネルを構成することがで
きるので、完全な黒表示による高いコントラストと高い
白輝度を得ることができ、ひいては液晶表示装置の高画
質化及び高輝度化に寄与するところが大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理的構成の説明図である。

【図２】本発明の実施の形態の概略的構成の説明図であ
る。

【図３】本発明の実施の形態における液晶分子の配向の
説明図である。

【図４】本発明の実施の形態における光透過特性の説明
図である。

【図５】従来の液晶表示装置の液晶分子の配向と光透過
特性の相関の説明図である。

【図６】従来の液晶表示装置の概略的構成の説明図であ
る。

【図７】従来の広開口型液晶表示装置の概略的構成の説
明図である。

【図８】従来の液晶表示装置における液晶分子の配向の
説明図である。

【図９】従来の液晶表示装置における光透過特性の説明
図である。

【符号の説明】

１ アクティブマトリクス基板 ２ 対向基板 ３ 液晶 ４ 液晶分子 ５ 表示電極 ６ 透明平坦化層 ７ ゲートバスライン ８ ドレインバスライン ９ ラビング方向 １０ ラビング方向 １１ 透明ガラス基板 １２ ゲートバスライン １３ ゲート電極 １４ ゲート絶縁膜 １５ α−Ｓｉ膜 １６ チャネル保護膜 １７ ｎ⁺ 型α−Ｓｉ膜 １８ ドレインバスライン １９ ドレイン電極 ２０ ソース電極 ２１ 補助容量電極 ２２ 透明保護膜 ２３ コンタクトホール ２４ コンタクトホール ２５ 画素電極 ２６ 対向基板 ２７ ＢＭ ２８ ＣＦ ２９ 液晶 ３０ 液晶分子 ４１ 透明ガラス基板 ４２ ゲートバスライン ４３ ゲート電極 ４４ ゲート絶縁膜 ４５ α−Ｓｉ膜 ４６ チャネル保護膜 ４７ ｎ⁺ 型α−Ｓｉ膜 ４８ ドレインバスライン ４９ ドレイン電極 ５０ ソース電極 ５１ 補助容量電極 ５２ 保護膜 ５３ コンタクトホール ５４ コンタクトホール ５５ 画素電極 ５６ 対向基板 ５７ ＢＭ ５８ ＣＦ ５９ 液晶 ６０ 液晶分子 ６１ 偏光板 ６２ 偏光板 ６３ 透明平坦化層

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アクティブマトリクス基板と対向基板と
   の間に負の液晶を挟持し、電圧非印加状態で液晶分子が
   ほぼ垂直に配向する液晶表示装置において、電圧非印加
   時の前記液晶分子のプレチルト角θを８９°≦θ≦９１
   °としたことを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 上記アクティブマトリクス基板に設ける
   表示電極を、透明保護膜を介して、ゲートバスライン及
   びドレインバスライン上まで延びて重なるようにしたこ
   とを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】 上記透明保護膜が、透明平坦化層である
   ことを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 上記アクティブマトリクス基板側に設け
   る偏光板の偏光軸と上記対向基板側に設ける偏光板の偏
   光軸とが互いに直交するようにしたことを特徴とする請
   求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
5. 【請求項５】 上記アクティブマトリクス基板及び対向
   基板に設けた配向膜に、電圧印加時に上記液晶分子が所
   定の方向にツイストするようにラビング処理を施されて
   いることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に
   記載の液晶表示装置。
6. 【請求項６】 上記ツイスト角が４５°であることを特
   徴とする請求項５記載の液晶表示装置。
7. 【請求項７】 上記アクティブマトリクス基板が、ＴＦ
   Ｔ基板であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれ
   か１項に記載の液晶表示装置。