JP2828990B2 - 液晶表示素子 - Google Patents
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
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- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は液晶表示素子についてのものであり、特
に、アクティブマトリクス型液晶表示素子のブラックマ
トリクス及びアレイ構成に関する。
に、アクティブマトリクス型液晶表示素子のブラックマ
トリクス及びアレイ構成に関する。
（従来の技術） 液晶を用いた表示素子は、テレビ表示やグラフィック
ディスプレイ等を指向した大容量で高密度のアクティブ
マトリクス型表示素子の開発及び実用化が盛んである。
このような表示素子では、クロストークのない高コント
ラストの表示が行えるように、各画素の駆動と制御を行
う手段として半導体スイッチが用いられる。その半導体
スイッチとしては、透過型表示が可能であり大面積化も
容易である等の理由から、透明絶縁基板上に形成された
薄膜トランジスタ（TFT）やMIM素子等が、通常用いられ
ている。
ディスプレイ等を指向した大容量で高密度のアクティブ
マトリクス型表示素子の開発及び実用化が盛んである。
このような表示素子では、クロストークのない高コント
ラストの表示が行えるように、各画素の駆動と制御を行
う手段として半導体スイッチが用いられる。その半導体
スイッチとしては、透過型表示が可能であり大面積化も
容易である等の理由から、透明絶縁基板上に形成された
薄膜トランジスタ（TFT）やMIM素子等が、通常用いられ
ている。
そして一般に、アクティブマトリクス型の液晶表示素
子としては、ラビングによる一軸性の配向処理がそれぞ
れ施された２枚の基板を、配向方向が互いに90゜をなす
ように平行に対向させて配置し、これらの間にネマチッ
クタイプの液晶組成物を挟持させたツイステッドネマチ
ック（TN）型のものが広く用いられている。
子としては、ラビングによる一軸性の配向処理がそれぞ
れ施された２枚の基板を、配向方向が互いに90゜をなす
ように平行に対向させて配置し、これらの間にネマチッ
クタイプの液晶組成物を挟持させたツイステッドネマチ
ック（TN）型のものが広く用いられている。
なお、この種の液晶表示素子では、液晶分子は通常、
ラビング方向と関連してプレチルト角を有しており、ポ
リイミドを用いた配向の場合にはプレチルト角は２゜前
後である。
ラビング方向と関連してプレチルト角を有しており、ポ
リイミドを用いた配向の場合にはプレチルト角は２゜前
後である。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上述の液晶表示素子のうち例えば個々
の画素を直接駆動するスイッチング素子としてTFTを用
いたタイプでは、表示上で次のような点に問題があっ
た。即ち、例えばノーマリホワイト表示（２枚の基板に
被着した偏光板の透過軸を互いに直交させる）を行なっ
たときには、黒レベルが充分に下がらず、コントラスト
の低下につながる。また、ノーマリブラック表示（２枚
の基板に被着した偏光板の透過軸を互いに平行にする）
を行なったときでも、視角によって表示の見え方が異な
ったりしていた。
の画素を直接駆動するスイッチング素子としてTFTを用
いたタイプでは、表示上で次のような点に問題があっ
た。即ち、例えばノーマリホワイト表示（２枚の基板に
被着した偏光板の透過軸を互いに直交させる）を行なっ
たときには、黒レベルが充分に下がらず、コントラスト
の低下につながる。また、ノーマリブラック表示（２枚
の基板に被着した偏光板の透過軸を互いに平行にする）
を行なったときでも、視角によって表示の見え方が異な
ったりしていた。
この発明はこのような従来の事情に鑑みなされたもの
であり、優れた表示性能を有するアクティブマトリクス
型の液晶表示素子を提供することを目的とする。
であり、優れた表示性能を有するアクティブマトリクス
型の液晶表示素子を提供することを目的とする。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） この発明は、一主面上に複数個の能動素子とこれに接
続された画素電極とがそれぞれ配設され且つ能動素子及
び画素電極の周りには配線が形成された能動素子基板
と、この能動素子基板と対向して配置された共通電極を
一主面上に有する対向基板と、能動素子基板と対向基板
との間に挟持された液晶分子を含む液晶組成物とを有
し、能動素子基板と対向基板の一主面上に互いの配向軸
が概略90゜をなし前記液晶分子に所定のプレチルトを付
与する配向処理がそれぞれ施された液晶表示素子に関係
しており、更に能動素子基板に対して概略平行な軸方向
電界が液晶分子のプレチルトに逆らう領域の画素電極を
画素電極の他の領域よりも多く被覆する遮光部を備えて
いる。
続された画素電極とがそれぞれ配設され且つ能動素子及
び画素電極の周りには配線が形成された能動素子基板
と、この能動素子基板と対向して配置された共通電極を
一主面上に有する対向基板と、能動素子基板と対向基板
との間に挟持された液晶分子を含む液晶組成物とを有
し、能動素子基板と対向基板の一主面上に互いの配向軸
が概略90゜をなし前記液晶分子に所定のプレチルトを付
与する配向処理がそれぞれ施された液晶表示素子に関係
しており、更に能動素子基板に対して概略平行な軸方向
電界が液晶分子のプレチルトに逆らう領域の画素電極を
画素電極の他の領域よりも多く被覆する遮光部を備えて
いる。
また、この発明は前と同じく、一主面上に複数個の能
動素子とこれに接続された画素電極とがそれぞれ配設さ
れ且つ能動素子及び画素電極の周りには配線が形成され
た能動素子基板と、この能動素子基板と対向して配置さ
れた共通電極を一主面上に有する対向基板と、能動素子
基板と対向基板との間に挟持された液晶分子を含む液晶
組成物とを有し、能動素子基板と対向基板の一主面上に
互いの配向軸が概略90゜をなし液晶分子に所定のプレチ
ルトを付与する配向処理がそれぞれ施された液晶表示素
子に関係しており、能動素子基板に対して概略平行な軸
方向電界が液晶分子のプレチルトに逆らう領域の配線と
画素電極との間の距離が他の領域の配線と画素電極との
間の距離よりも大きく設定されている。
動素子とこれに接続された画素電極とがそれぞれ配設さ
れ且つ能動素子及び画素電極の周りには配線が形成され
た能動素子基板と、この能動素子基板と対向して配置さ
れた共通電極を一主面上に有する対向基板と、能動素子
基板と対向基板との間に挟持された液晶分子を含む液晶
組成物とを有し、能動素子基板と対向基板の一主面上に
互いの配向軸が概略90゜をなし液晶分子に所定のプレチ
ルトを付与する配向処理がそれぞれ施された液晶表示素
子に関係しており、能動素子基板に対して概略平行な軸
方向電界が液晶分子のプレチルトに逆らう領域の配線と
画素電極との間の距離が他の領域の配線と画素電極との
間の距離よりも大きく設定されている。
また、更にこの発明のプレチルトに逆らう領域におけ
る配線と画素電極との距離が少なくとも15μｍ以上であ
る。
る配線と画素電極との距離が少なくとも15μｍ以上であ
る。
（作 用） アクティブマトリクス型の液晶表示素子では、能動素
子基板上においてマトリクス状の配線が上下左右に設け
られ、それから僅か数μｍのところに例えばITO（Indiu
m Tin Oxide）からなる画素電極が形成されている。そ
して、マトリクス状の配線と画素電極との間には、強い
電場が生じ、液晶分子の配列を乱す。この液晶分子の配
列不整に関係する現象は、「画素端部におけるチルトリ
バース」と呼ばれている。
子基板上においてマトリクス状の配線が上下左右に設け
られ、それから僅か数μｍのところに例えばITO（Indiu
m Tin Oxide）からなる画素電極が形成されている。そ
して、マトリクス状の配線と画素電極との間には、強い
電場が生じ、液晶分子の配列を乱す。この液晶分子の配
列不整に関係する現象は、「画素端部におけるチルトリ
バース」と呼ばれている。
この発明は、「画素端部におけるチルトリバース」が
限定された領域のみに現れることを利用し、他の表示性
能に影響を与えない範囲で遮光部の配置を工夫すること
により、或いは、マトリクス状の配線と画素電極との間
隔を広げて「画素端部におけるチルトリバース」の発生
量を抑えることにより、「画素端部におけるチルトリバ
ース」の光学特性への影響を低減している。
限定された領域のみに現れることを利用し、他の表示性
能に影響を与えない範囲で遮光部の配置を工夫すること
により、或いは、マトリクス状の配線と画素電極との間
隔を広げて「画素端部におけるチルトリバース」の発生
量を抑えることにより、「画素端部におけるチルトリバ
ース」の光学特性への影響を低減している。
（実施例） 以下、この発明の詳細を図面を参照して説明する。
第１図は請求項１記載の発明の一実施例を示す図であ
る。このなかで、第１図（ａ）はこの実施例の概略断面
図を表している。第１図（ａ）において、ガラス基板
（10）上に複数個の能動素子（11）としてのTFT及びこ
れに接続された例えばITOからなる概略矩形の画素電極
（12）とがそれぞれ配設され、且つ能動素子（11）及び
画素電極（12）の周りにはゲート線及び信号線からなる
マトリクス状の配線（13）が形成されることより、能動
素子基板（14）が構成されている。一方、ガラス基板
（15）上の全面に例えばITOからなる共通電極（16）が
形成されることにより、対向基板（17）が構成されてい
る。そして、能動素子基板（14）の能動素子（11）等が
形成された一主面上には、更に全面に例えば低温キュア
型のポリイミド（PI）からなる配向膜（18）が形成され
ており、また、対向基板（17）の共通電極（16）が形成
された一主面上には、例えば厚さ0.15μｍのCr（クロ
ム）からなる格子状のブラックマトリクスである遮光部
（19）と、これを覆うように全面に例えば低温キュア型
のポリイミドからなる配向膜（20）が順次形成されてい
る。そして、能動素子基板（14）と対向基板（17）の一
主面上に、各々の配向膜（18），（20）を所定の方向に
布等でこすることにより、互いの配向軸が概略90゜をな
すようなラビングによる配向処理がそれぞれ施されるよ
うになる。更に、能動素子基板（14）と対向基板（17）
とは互いの一主面側が対向し且つ互いの配向軸が概略90
゜をなすように配置され、これらの間には例えばネマチ
ック液晶からなる液晶組成物（21）が挟持されている。
ここで、能動素子基板（14）と対向基板（17）とを組み
合わせる際に、配向膜（18），（20）のラビング方向
は、良視角方向が正面方向に向くように配設されてい
る。そして、能動素子基板（14）と対向基板（17）の他
主面側には、それぞれ偏光版（22），（23）が被着され
ており、能動素子基板（14）と対向基板（17）の一方の
他主面側から照明を行う形になっている。
る。このなかで、第１図（ａ）はこの実施例の概略断面
図を表している。第１図（ａ）において、ガラス基板
（10）上に複数個の能動素子（11）としてのTFT及びこ
れに接続された例えばITOからなる概略矩形の画素電極
（12）とがそれぞれ配設され、且つ能動素子（11）及び
画素電極（12）の周りにはゲート線及び信号線からなる
マトリクス状の配線（13）が形成されることより、能動
素子基板（14）が構成されている。一方、ガラス基板
（15）上の全面に例えばITOからなる共通電極（16）が
形成されることにより、対向基板（17）が構成されてい
る。そして、能動素子基板（14）の能動素子（11）等が
形成された一主面上には、更に全面に例えば低温キュア
型のポリイミド（PI）からなる配向膜（18）が形成され
ており、また、対向基板（17）の共通電極（16）が形成
された一主面上には、例えば厚さ0.15μｍのCr（クロ
ム）からなる格子状のブラックマトリクスである遮光部
（19）と、これを覆うように全面に例えば低温キュア型
のポリイミドからなる配向膜（20）が順次形成されてい
る。そして、能動素子基板（14）と対向基板（17）の一
主面上に、各々の配向膜（18），（20）を所定の方向に
布等でこすることにより、互いの配向軸が概略90゜をな
すようなラビングによる配向処理がそれぞれ施されるよ
うになる。更に、能動素子基板（14）と対向基板（17）
とは互いの一主面側が対向し且つ互いの配向軸が概略90
゜をなすように配置され、これらの間には例えばネマチ
ック液晶からなる液晶組成物（21）が挟持されている。
ここで、能動素子基板（14）と対向基板（17）とを組み
合わせる際に、配向膜（18），（20）のラビング方向
は、良視角方向が正面方向に向くように配設されてい
る。そして、能動素子基板（14）と対向基板（17）の他
主面側には、それぞれ偏光版（22），（23）が被着され
ており、能動素子基板（14）と対向基板（17）の一方の
他主面側から照明を行う形になっている。
第１図（ｂ）は、この実施例における能動素子基板
（14）と遮光部（19）の対向状態を示した概略平面図で
ある。第１図（ｂ）からわかるように、能動素子基板
（14）においては、マトリクス状の配線（13）を構成す
る点線で示したゲート線（24）と実線で示した信号線
（25）は直交するように配置されており、マトリクス状
の配線（13）で囲まれた領域が一つの画素になり、そこ
には能動素子（11）と画素電極（12）が配置されてい
る。ここで、ゲート線（24）は例えば能動素子（11）の
ゲートに走査信号を与えるための配線であるのに対し、
信号線（25）は例えば能動素子（11）のドレイン（或い
はソース）に画素信号を与えるための配線である。そし
て、遮光部（19）は能動素子（11）及びマトリクス状の
配線（13）と重なるばかりでなく、能動素子基板（14）
側のラビング方向（26）における画素電極（12）のラビ
ングの開始側に位置する角部（27）も被覆するような形
状になっている。具体的には、信号線（25）のＬ字形に
曲がっている角（28）から、画素電極（12）にオーバー
ラップしている遮光部（19）の端までの長さを30μｍと
している。
（14）と遮光部（19）の対向状態を示した概略平面図で
ある。第１図（ｂ）からわかるように、能動素子基板
（14）においては、マトリクス状の配線（13）を構成す
る点線で示したゲート線（24）と実線で示した信号線
（25）は直交するように配置されており、マトリクス状
の配線（13）で囲まれた領域が一つの画素になり、そこ
には能動素子（11）と画素電極（12）が配置されてい
る。ここで、ゲート線（24）は例えば能動素子（11）の
ゲートに走査信号を与えるための配線であるのに対し、
信号線（25）は例えば能動素子（11）のドレイン（或い
はソース）に画素信号を与えるための配線である。そし
て、遮光部（19）は能動素子（11）及びマトリクス状の
配線（13）と重なるばかりでなく、能動素子基板（14）
側のラビング方向（26）における画素電極（12）のラビ
ングの開始側に位置する角部（27）も被覆するような形
状になっている。具体的には、信号線（25）のＬ字形に
曲がっている角（28）から、画素電極（12）にオーバー
ラップしている遮光部（19）の端までの長さを30μｍと
している。
第２図はこの実施例についての「画素端部におけるチ
ルトリバース」と呼ばれる現象（液晶分子の配列不整）
の発生機構を示すための図である。この「画素端部にお
けるチルトリバース」は、第２図において、能動素子基
板（14）上でラビング開始方向に相当する部分（30）
に、液晶分子（31）のプレチルトに逆らう方向に電界が
かかるため発生すると考えられる。この点に関し、より
詳細に述べれば、まず動作時には、マトリクス状の配線
（13）と画素電極（12）との間におけるガラス基板（1
0）に概略平行な横方向電界（32）により、液晶分子（3
1）がもともとの配向方向と異なる配列を強制される。
そして、ここに歪みが生じ、弾性エネルギーの集中が起
こる。更に、液晶分子（31）間の相互作用によって、歪
みによるエネルギーが画素内にも及んでくることがある
ため、画素内の大部分の配列と異なる部分が生じる。こ
の現象が「画素端部におけるチルトリバース」であり、
この領域と正常な領域との境界部がディスクリネーショ
ンラインとなり輝線が発生する。
ルトリバース」と呼ばれる現象（液晶分子の配列不整）
の発生機構を示すための図である。この「画素端部にお
けるチルトリバース」は、第２図において、能動素子基
板（14）上でラビング開始方向に相当する部分（30）
に、液晶分子（31）のプレチルトに逆らう方向に電界が
かかるため発生すると考えられる。この点に関し、より
詳細に述べれば、まず動作時には、マトリクス状の配線
（13）と画素電極（12）との間におけるガラス基板（1
0）に概略平行な横方向電界（32）により、液晶分子（3
1）がもともとの配向方向と異なる配列を強制される。
そして、ここに歪みが生じ、弾性エネルギーの集中が起
こる。更に、液晶分子（31）間の相互作用によって、歪
みによるエネルギーが画素内にも及んでくることがある
ため、画素内の大部分の配列と異なる部分が生じる。こ
の現象が「画素端部におけるチルトリバース」であり、
この領域と正常な領域との境界部がディスクリネーショ
ンラインとなり輝線が発生する。
第３図はこの実施例の一画素部において上述の「画素
端部におけるチルトリバース」が発生する領域を示す概
略平面図である。同図からわかるように、「画素端部に
おけるチルトリバース」は画素電極（12）全体に広がる
ことはほとんどなく、極めて限定された領域（33）にの
み発生する。この大きさは配向膜（18）の材料にもよる
が、低温キュア型PIの場合、信号線（25）のＬ字形に曲
がっている角（28）から20μｍ程度であり、これ以上広
がることは極めて希である。一方、この「画素端部にお
けるチルトリバース」領域は、信号線（25）の端と画素
電極（12）との間隔にも依存する。これは、信号線（2
5）と画素電極（12）との間の電界により、「画素端部
におけるチルトリバース」が引き起こされることを考え
ると当然のことである。本発明者の実験によれば、この
間隔が10μｍ以上になると、「画素端部におけるチルト
リバース」の大きさが小さくなる。
端部におけるチルトリバース」が発生する領域を示す概
略平面図である。同図からわかるように、「画素端部に
おけるチルトリバース」は画素電極（12）全体に広がる
ことはほとんどなく、極めて限定された領域（33）にの
み発生する。この大きさは配向膜（18）の材料にもよる
が、低温キュア型PIの場合、信号線（25）のＬ字形に曲
がっている角（28）から20μｍ程度であり、これ以上広
がることは極めて希である。一方、この「画素端部にお
けるチルトリバース」領域は、信号線（25）の端と画素
電極（12）との間隔にも依存する。これは、信号線（2
5）と画素電極（12）との間の電界により、「画素端部
におけるチルトリバース」が引き起こされることを考え
ると当然のことである。本発明者の実験によれば、この
間隔が10μｍ以上になると、「画素端部におけるチルト
リバース」の大きさが小さくなる。
そして、「画素端部におけるチルトリバース」は、液
晶分子（31）の配向方向と、マトリクス状の配線（13）
と画素電極（12）との間の電界との相関で発生するた
め、能動素子基板（14）側のラビング方向と強い関連が
あり、画素電極（12）のラビング開始方向側に大きくな
る。この部分は、液晶分子（31）の配向方向と、マトリ
クス状の配線（13）と画素電極（12）との間の電界方向
が最も角度を有する部分、即ち、最も弾性エネルギーの
歪みが大きくなる部分だからである。故に、この実施例
では、遮光部（19）を配置するに際し、この方向に大き
く設けている。この結果、信号電圧を白から黒までに相
当する1Vから5Vまで変えても、「画素端部におけるチル
トリバース」は表示領域には全く観察されず、コントラ
スト比は80:1から100:1の範囲にあり、また、視野角も
±45゜と、極めて優れた表示性能を得た。
晶分子（31）の配向方向と、マトリクス状の配線（13）
と画素電極（12）との間の電界との相関で発生するた
め、能動素子基板（14）側のラビング方向と強い関連が
あり、画素電極（12）のラビング開始方向側に大きくな
る。この部分は、液晶分子（31）の配向方向と、マトリ
クス状の配線（13）と画素電極（12）との間の電界方向
が最も角度を有する部分、即ち、最も弾性エネルギーの
歪みが大きくなる部分だからである。故に、この実施例
では、遮光部（19）を配置するに際し、この方向に大き
く設けている。この結果、信号電圧を白から黒までに相
当する1Vから5Vまで変えても、「画素端部におけるチル
トリバース」は表示領域には全く観察されず、コントラ
スト比は80:1から100:1の範囲にあり、また、視野角も
±45゜と、極めて優れた表示性能を得た。
なお、この実施例においては、遮光部（19）を対向基
板（17）側に設けたが、第４図に示すように、能動素子
基板（14）側に絶縁層（40）を介して設けても同様であ
ることは言うまでもない。また、遮光部（19）を配置す
る際には、遮光部（19）における角部（27）を被覆する
部分の端辺は、開口率をあまり減少させないようにする
ため、第１図（ｂ）に示したように、ラビング方向（2
6）と概略直交させることが望ましい。
板（17）側に設けたが、第４図に示すように、能動素子
基板（14）側に絶縁層（40）を介して設けても同様であ
ることは言うまでもない。また、遮光部（19）を配置す
る際には、遮光部（19）における角部（27）を被覆する
部分の端辺は、開口率をあまり減少させないようにする
ため、第１図（ｂ）に示したように、ラビング方向（2
6）と概略直交させることが望ましい。
第５図は請求項２記載の発明の一実施例を示す図であ
り、第１図と対応する部分には同一の符号を付してあ
る。この実施例は、第１図に示した実施例に比べ、画素
電極（12）の形状が異なる。この点について、能動素子
基板（14）と遮光部（19）の対向状態を示した平面図で
ある第５図を用いて説明する。即ち、画素電極（12）の
形状は、概略矩形ではあるが、第１図（ｂ）における能
動素子基板（14）側のラビング方向（26）における画素
電極（12）のラビングの開始側に位置する角部（27）に
相当する部分は欠けた形状である。これにより具体的に
は、信号線（25）のＬ字形に曲がっている角（28）か
ら、上述の角を落とした画素電極（12）までの間隔を15
μｍとしている。
り、第１図と対応する部分には同一の符号を付してあ
る。この実施例は、第１図に示した実施例に比べ、画素
電極（12）の形状が異なる。この点について、能動素子
基板（14）と遮光部（19）の対向状態を示した平面図で
ある第５図を用いて説明する。即ち、画素電極（12）の
形状は、概略矩形ではあるが、第１図（ｂ）における能
動素子基板（14）側のラビング方向（26）における画素
電極（12）のラビングの開始側に位置する角部（27）に
相当する部分は欠けた形状である。これにより具体的に
は、信号線（25）のＬ字形に曲がっている角（28）か
ら、上述の角を落とした画素電極（12）までの間隔を15
μｍとしている。
この実施例では、「画素端部におけるチルトリバー
ス」が発生する領域を遮光部（19）で表示上被覆する代
わりに、ラビング方向（26）における角（28）から画素
電極（12）までの間隔を15μｍ以上としている。即ち、
従来より「画素端部におけるチルトリバース」が発生し
ていた領域に、信号線（25）と画素電極（12）によるか
かる電界が減少するため、「画素端部におけるチルトリ
バース」の発生自体が極めて小さく抑えられ、第１図に
示した実施例と同様に表示上、「画素端部におけるチル
トリバース」が見えなくなる。実際に、この実施例で
は、「画素端部におけるチルトリバース」の表示領域へ
の侵入は１μｍ以内となり、実効的に表示特性の劣化は
なく、コントラスト比100:1程度で視角の広い優れた表
示を得ることができた。
ス」が発生する領域を遮光部（19）で表示上被覆する代
わりに、ラビング方向（26）における角（28）から画素
電極（12）までの間隔を15μｍ以上としている。即ち、
従来より「画素端部におけるチルトリバース」が発生し
ていた領域に、信号線（25）と画素電極（12）によるか
かる電界が減少するため、「画素端部におけるチルトリ
バース」の発生自体が極めて小さく抑えられ、第１図に
示した実施例と同様に表示上、「画素端部におけるチル
トリバース」が見えなくなる。実際に、この実施例で
は、「画素端部におけるチルトリバース」の表示領域へ
の侵入は１μｍ以内となり、実効的に表示特性の劣化は
なく、コントラスト比100:1程度で視角の広い優れた表
示を得ることができた。
なお、画素電極（12）自体の大きさを全体的に小さく
しても、ラビング方向（26）における角（28）から画素
電極（12）までの間隔を15μｍ以上とできるが、この場
合、開口率が大幅に低下してしまい実用的でなく、この
実施例のように、ラビングの開始側に位置する角部（2
7）に相当する部分のみ落とした形状が望ましいことは
言うまでもない。
しても、ラビング方向（26）における角（28）から画素
電極（12）までの間隔を15μｍ以上とできるが、この場
合、開口率が大幅に低下してしまい実用的でなく、この
実施例のように、ラビングの開始側に位置する角部（2
7）に相当する部分のみ落とした形状が望ましいことは
言うまでもない。
［発明の効果］ この発明は、「画素端部におけるチルトリバース」領
域を遮光部で重ねるか、或いは「画素端部におけるチル
トリバース」自体の発生を小さく抑えることにより、表
示上、「画素端部におけるチルトリバース」が目立たな
くて、コントラスト比が高くて且つ視野角の広いアクテ
ィブマトリクス型の液晶表示素子を得ることができる。
域を遮光部で重ねるか、或いは「画素端部におけるチル
トリバース」自体の発生を小さく抑えることにより、表
示上、「画素端部におけるチルトリバース」が目立たな
くて、コントラスト比が高くて且つ視野角の広いアクテ
ィブマトリクス型の液晶表示素子を得ることができる。
第１図は請求項１記載の発明の一実施例を説明するため
の図、第２図は「画素端部におけるチルトリバース」と
いう現象を説明するための図、第３図は「画素端部にお
けるチルトリバース」の発生する領域を示す図、第４図
は請求項１記載の発明の他の実施例を説明するための
図、第５図は請求項２記載の発明の一実施例を説明する
ための図である。 （11）……能動素子 （12）……画素電極 （13）……配線 （14）……能動素子基板 （16）……共通電極 （17）……対向基板 （19）……遮光部 （26）……ラビング方向 （27）……角部
の図、第２図は「画素端部におけるチルトリバース」と
いう現象を説明するための図、第３図は「画素端部にお
けるチルトリバース」の発生する領域を示す図、第４図
は請求項１記載の発明の他の実施例を説明するための
図、第５図は請求項２記載の発明の一実施例を説明する
ための図である。 （11）……能動素子 （12）……画素電極 （13）……配線 （14）……能動素子基板 （16）……共通電極 （17）……対向基板 （19）……遮光部 （26）……ラビング方向 （27）……角部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−116921（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−202433（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−68226（ＪＰ，Ｕ)
Claims (3)
- 【請求項１】一主面上に複数個の能動素子とこれに接続
された画素電極とがそれぞれ配設され且つ前記能動素子
及び前記画素電極の周りには配線が形成された能動素子
基板と、この能動素子基板と対向して配置された共通電
極を一主面上に有する対向基板と、前記能動素子基板と
前記対向基板との間に挟持された液晶分子を含む液晶組
成物とを有し、前記能動素子基板と前記対向基板の一主
面上に互いの配向軸が概略90゜をなし前記液晶分子に所
定のプレチルトを付与する配向処理がそれぞれ施された
液晶表示素子において、 前記能動素子基板に対して概略平行な軸方向電界が前記
液晶分子の前記プレチルトに逆らう領域の前記画素電極
を前記画素電極の他の領域よりも多く被覆する遮光部を
含むことを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】一主面上に複数個の能動素子とこれに接続
された画素電極とがそれぞれ配設され且つ前記能動素子
及び前記画素電極の周りには配線が形成された能動素子
基板と、この能動素子基板と対向して配置された共通電
極を一主面上に有する対向基板と、前記能動素子基板と
前記対向基板との間に挟持された液晶分子を含む液晶組
成物とを有し、前記能動素子基板と前記対向基板の一主
面上に互いの配向軸が概略90゜をなし前記液晶分子に所
定のプレチルトを付与する配向処理がそれぞれ施された
液晶表示素子において、 前記能動素子基板に対して概略平行な軸方向電界が前記
液晶分子の前記プレチルトに逆らう領域の前記配線と前
記画素電極との間の距離が他の領域の前記配線と前記画
素電極との間の距離よりも大きく設定されていることを
特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項３】前記プレチルトに逆らう領域における前記
配線と前記画素電極との距離が少なくとも15μｍ以上で
あることを特徴とした請求項２記載の液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9445588A JP2828990B2 (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9445588A JP2828990B2 (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | 液晶表示素子 |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11658995A Division JP2967805B2 (ja) | 1995-04-19 | 1995-04-19 | 液晶表示素子 |
| JP33441496A Division JP2967810B2 (ja) | 1996-12-02 | 1996-12-02 | 液晶表示素子 |
| JP33441596A Division JP2967811B2 (ja) | 1996-12-02 | 1996-12-02 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01266512A JPH01266512A (ja) | 1989-10-24 |
| JP2828990B2 true JP2828990B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=14110741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9445588A Expired - Lifetime JP2828990B2 (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2828990B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100394275C (zh) * | 2004-04-23 | 2008-06-11 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03144420A (ja) * | 1989-10-30 | 1991-06-19 | Sharp Corp | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
| US5237436A (en) * | 1990-12-14 | 1993-08-17 | North American Philips Corporation | Active matrix electro-optic display device with light shielding layer and projection and color employing same |
| JP2871245B2 (ja) * | 1991-11-29 | 1999-03-17 | 日本電気株式会社 | 液晶表示パネル |
| JPH06194687A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-07-15 | Nec Corp | 透過型アクティブマトリクス型液晶素子 |
| JP2543286B2 (ja) * | 1992-04-22 | 1996-10-16 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 液晶表示装置 |
| JPH07225373A (ja) * | 1994-02-10 | 1995-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示パネル |
| JPH08136931A (ja) * | 1994-11-10 | 1996-05-31 | Nec Corp | 液晶表示素子 |
| JP3109979B2 (ja) * | 1994-06-20 | 2000-11-20 | キヤノン株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2827920B2 (ja) * | 1994-10-13 | 1998-11-25 | 松下電器産業株式会社 | カラー液晶表示パネル |
| JP2713210B2 (ja) * | 1995-01-18 | 1998-02-16 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2967805B2 (ja) * | 1995-04-19 | 1999-10-25 | 株式会社東芝 | 液晶表示素子 |
| JP2762964B2 (ja) * | 1995-08-30 | 1998-06-11 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3763728B2 (ja) | 1999-09-30 | 2006-04-05 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及びプロジェクタ |
| JP4089123B2 (ja) * | 2000-02-29 | 2008-05-28 | ソニー株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US7092059B2 (en) | 2000-02-29 | 2006-08-15 | Sony Corporation | Liquid crystal display device with particular electrode taper using switching devices and a method of manufacturing the same |
| JP3792485B2 (ja) | 2000-06-02 | 2006-07-05 | Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
| KR100698242B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2007-03-21 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100746283B1 (ko) | 2002-01-25 | 2007-08-03 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 |
| JP5141536B2 (ja) * | 2002-05-21 | 2013-02-13 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP5100462B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2012-12-19 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 液晶装置及び電子機器 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59202433A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-16 | Sharp Corp | 電界効果型液晶表示素子 |
| JPS62116921A (ja) * | 1985-11-15 | 1987-05-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示装置 |
-
1988
- 1988-04-19 JP JP9445588A patent/JP2828990B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100394275C (zh) * | 2004-04-23 | 2008-06-11 | 夏普株式会社 | 液晶显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01266512A (ja) | 1989-10-24 |
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