JP5100462B2 - 液晶装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、各種情報の表示に用いて好適な液晶装置に関する。

近年、横電界方式の液晶装置が脚光を浴びている。この方式は、液晶に印加する電界の
方向を基板に略平行とする方式であり、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）方式な
どと比較して視覚特性の向上を図ることができるという利点がある。このような横電界方
式の液晶装置としては、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式、又は、
ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式といった液晶装置が知ら
れている。例えば、以下の特許文献１にはＦＦＳ方式の液晶装置が記載されている。また
、特許文献２には、いわゆるデュアルドメイン化により視野角を改善する技術が記載され
ている。

特開平１１−２０２３５６号公報 特開２００３−１４０１８８号公報

ところで、ＦＦＳ方式の液晶装置では、例えば画素電極にスリットを形成して、当該ス
リットの形状に応じた方向を有する横電界が発生する。

しかしながら、スリットの形状によっては、発生させたい横電界の方向とは異なる方向
に横電界が発生することにより、本来の液晶分子の回転方向と異なる方向に一部の液晶分
子が回転する配向異常が発生することがある。この一部の液晶分子が存在する表示領域で
は、透過率の低下といった表示異常が発生してしまう。その対策としては、スリットの形
状を工夫することが考えられるが、スリットの形状を工夫するだけでは、この現象を有効
に防ぐことは難しい。

本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、液晶分子が回転する配向異常が発生
することによる表示異常を防ぐことが可能な液晶装置を提供することを課題とする。

本発明の１つの観点では、液晶装置は、第１の基板と、第１の基板に対向配置される第２の基板と、第１の基板と第２の基板とに挟持された液晶層と、第１の基板の液晶層側の面にサブ画素領域毎に配置されるとともに、複数のスリットが設けられた第１の電極と、第１の基板と第１の電極との間に、絶縁層を介して第１の電極に対向するように配置され、スリットを介して第１の電極との間に電界を発生させるための第２の電極と、を備え、サブ画素領域におけるスリット長手方向の周辺部または中央部のうち、少なくとも一方が位置する領域の一部には、第１の電極に対向して第２の電極が形成されない電極非形成領域が設けられている。

上記の液晶装置は、横電界方式の液晶装置であり、第１の基板、第２の基板、第１の電極、第２の電極、を備える。第１の基板と第２の基板との間には液晶層が挟持される。第１の電極は、第１の基板の液晶層側の面にサブ画素領域毎に配置されるとともに、複数のスリットが設けられる。第２の電極は、第１の基板と第１の電極との間に、絶縁層を介して第１の電極に対向するように配置される。第１の基板と第２の基板との間では、スリットを介して電界を発生させる。サブ画素領域におけるスリット長手方向の周辺部または中央部のうち、少なくとも一方が位置する領域の一部には、第１の電極に対向して第２の電極が形成されない電極非形成領域が設けられている。これにより、液晶分子の配向異常による表示異常を防ぐことができる。

上記の液晶装置の他の一態様は、液晶層の液晶分子の初期配向方向と、初期配向方向と直交する方向と、によって規定される座標系において、初期配向方向と液晶分子にかかる電界の方向とのなす鋭角が同一象限に位置するように電極非形成領域が設けられる。このようにすることで、サブ画素領域における液晶層の液晶分子の回転方向が同一方向となる。このようにすることで、サブ画素領域における液晶層の液晶分子の配向異常を防ぐことができる。

上記の液晶装置の好適な実施例は、電極非形成領域は、スリットの端部に対応する領域に設けられている。

上記の液晶装置の好適な実施例は、スリットの中央部は屈曲されている。また、スリットの中央部の屈曲部に対応する領域に、電極非形成領域が設けられている。

本発明の他の観点では、上記の液晶装置を表示部として備える電子機器を構成すること
ができる。

まず、図１を参照して、本発明の第１実施形態に係る液晶装置の構成について説明する
。

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る液晶装置１００の構成を模式的に示す平面図である。図１
では、紙面手前側（観察側）に液晶パネル９０の要素であるカラーフィルタ基板９２が、
また、紙面奥側（観察側と逆側）に液晶パネル９０の要素であるアレイ基板９１が夫々配
置されている。図１において、カラーフィルタ基板９２側に設けられた矩形状の平面形状
を有するＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色層４の各々に対応する領域と、アレ
イ基板９１側に設けられた各共通電極３及び各画素電極９との重なり合う領域は、表示の
最小単位となる１つのサブ画素領域ＳＧを示している。１行３列に配置されたＲ、Ｇ、Ｂ
の各色のサブ画素領域ＳＧを含む領域は１つの画素領域Ｇを示している。画素領域Ｇがマ
トリクス状に配列された領域が、文字、数字、図形等の画像が表示される有効表示領域Ｖ
（２点鎖線により囲まれる領域）である。有効表示領域Ｖの外側の領域は表示に寄与しな
い額縁領域である。

第１実施形態に係る液晶装置１００では、アレイ基板９１と、そのアレイ基板９１に対
向して配置されるカラーフィルタ基板９２と、が枠状のシール材９３を介して貼り合わさ
れている。そのシール材９３で区画される領域に、ホモジニアス配向を呈する液晶が封入
され、液晶層が構成されている。また、液晶パネル９０を挟持する位置には、一対の偏光
板などのその他の要素を備える。

ここで、この液晶装置１００は、電極が形成されたアレイ基板９１において、当該アレ
イ基板９１の基板面に対して略平行なフリンジフィールド（電界）Ｅ成分により液晶分子
の配向を制御する（表示の切り替えがなされる）、横電界方式の一例としてのＦＦＳ（Ｆ
ｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶装置である。また、この液晶
装置１００は、バックライトなどの光源を利用して透過表示を行う透過表示モードを有す
る透過型の液晶装置でもある。さらに、この液晶装置１００は、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の着色
層４を用いて構成されるカラー表示用の液晶装置であると共に、スイッチング素子の一例
として、例えばα−Ｓｉ型のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子
２２を用いたアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置である。

但し、本発明では、透過型の液晶装置だけに限定されることなく、外光を利用して反射
表示を行う反射表示モードを有する反射型の液晶装置、又は、明所では外光を利用して反
射表示を行う反射表示モードと、暗所ではバックライトなどの光源を利用して透過表示を
行う透過表示モードとを有する半透過反射型の液晶装置に対しても適用可能である。また
、本発明は、着色層４はＲ、Ｇ、Ｂの３色に限定されず、２色以下又は４色以上の着色層
４を有して構成されていてもよい。さらに、本発明では、ＴＦＴ素子２２としては、α−
Ｓｉ型のＴＦＴ素子に限定されず、ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ−Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌ
ｙ−Ｓｉｌｉｃｏｎ）型のＴＦＴ素子を含むその他の三端子素子、或いは二端子素子など
の各種のスイッチング素子を用いて構成されていてもよい。

まず、アレイ基板９１の平面構成について説明する。

アレイ基板９１は、ガラスなどで形成された基板１の液晶層５側の面上に、主として、
複数のソース線３２、複数のゲート線３３、引き回し配線３１ｃ、複数の共通配線３１、
複数のＴＦＴ素子２２、複数の共通電極３、複数の画素電極９、ドライバＩＣ４１、複数
の外部接続用配線３５、及びＦＰＣ４２を備える。

アレイ基板９１は、カラーフィルタ基板９２の一端（一辺）から外側へ張り出す張り出
し領域９１ａを有しており、その張り出し領域９１ａの面上には、液晶を駆動するための
ドライバＩＣ４１が実装されている。ドライバＩＣ４１の入力側の各端子（図示略）は、
各外部接続用配線３５の一端と電気的に接続されていると共に、各外部接続用配線３５の
他端はＦＰＣ４２の出力側の各端子（図示略）と電気的に接続されている。ＦＰＣ４２の
入力側の各端子（図示略）は、例えば電子機器の出力側の各端子（図示略）と電気的に接
続される。

各ソース線３２は、張り出し領域３６から有効表示領域Ｖにかけて延在するように形成
されている。各ソース線３２の一端は、アドレス番号Ｓ_１、Ｓ_２・・・Ｓ_ｎ−１、Ｓ_ｎ（
ｎ：自然数）の各々に対応するドライバＩＣ４１の出力側の各端子（図示略）に電気的に
接続されている。各ソース線３２には、ドライバＩＣ４１側から画像信号が印加される。

各ゲート線３３は、有効表示領域Ｖにおいて、ソース線３２の延在方向と略直交するよ
うに形成されている。各ゲート線３３の一端は、アドレス番号Ｇ_１、Ｇ_２・・Ｇ_ｍ−１、
Ｇ_ｍ（ｍ：自然数）の各々に対応するドライバＩＣ４１の出力側の各端子（図示略）に電
気的に接続されている。各ゲート線３３には、ドライバＩＣ４１側から所定のタイミング
でゲート信号（走査信号）が印加される。

引き回し配線３１ｃは、有効表示領域Ｖを取り囲むように引き回されている。引き回し
配線３１ｃの一端は、ドライバＩＣ４１の出力側のＣＯＭ端子｛共通電位（基準電位）が
印加される端子｝に電気的に接続されていると共に、引き回し配線３１ｃの他端は、図示
を省略するが電気的に接地されている。

各共通配線３１は、各ゲート線３３に対応して設けられている。各共通配線３１は、各
ゲート線３３と一定の間隔をおいて且つ当該ゲート線３３の延在方向と略平行（平行を含
む）な方向に延在するように形成されている。各共通配線３１は、図示を省略するが、引
き回し配線３１ｃに電気的に接続されている。

各ＴＦＴ素子２２は、各ソース線３２と各ゲート線３３の交差位置及び各サブ画素領域
ＳＧに対応して設けられ、各ソース線３２及び各ゲート線３３に電気的に接続されている
。

各共通電極３は、各サブ画素領域ＳＧに対応して設けられ、対応する各共通配線３１と
電気的に接続されている。このため、各共通電極３には、ドライバＩＣ４１側から引き回
し配線３１ｃ及び各共通配線３１を介して共通電位が印加される。

各画素電極９は、各共通電極３と平面的に重なる位置に且つ各サブ画素領域ＳＧに対応
して設けられ、対応する各ＴＦＴ素子２２に電気的に接続されている。各画素電極９は、
対応する各共通電極３との間でフリンジフィールド（電界）Ｅを発生させる。

次に、カラーフィルタ基板９２の平面構成について説明する。

カラーフィルタ基板９２は、ガラスなどの基板２の液晶層５側の面上に、Ｒ、Ｇ、Ｂの
３色の着色層４Ｒ、４Ｇ、４Ｂなどを備える。なお、以下の説明において、色を問わずに
着色層を指す場合は単に「着色層４」と記し、色を区別して着色層を指す場合は「着色層
４Ｒ」などと記す。第１実施形態では、着色層４は、各共通配線３１及び各ゲート線３３
の延在方向に向かってＲ、Ｇ、Ｂの順に配列されているが、その配列順序に特に限定はな
い。

（サブ画素の構成）
次に、第１実施形態に係るサブ画素の構成について説明する。図２は、第１実施形態に
係る液晶装置のサブ画素領域ＳＧの平面図であり、図３は、Ａ−Ａ´線に沿った断面図で
ある。

まず、図２、図３を用いて、液晶装置１００のサブ画素領域ＳＧにおける断面構成につ
いて説明する。

アレイ基板９１では、基板１の液晶層５側の面上に、それぞれ平行に複数の共通配線３
１及びソース線３２が設けられ、これら複数の共通配線３１及びソース線３２に直交する
ように複数のゲート線３３が設けられている。そして、ソース線３２及びゲート線３３で
区画されたサブ画素領域ＳＧの夫々を覆うように、共通配線３１と接続された共通電極３
が設けられている。共通電極３の表面に２層に積層された絶縁膜１３を介して、複数のス
リット２１が形成された画素電極９が設けられている。絶縁膜１３は、例えばシリコン窒
化膜（ＳｉＮ）で形成され、共通電極３、画素電極９は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−
ｔｉｎ−ｏｘｉｄｅ）等の透明材料で形成されている。絶縁膜１３及び画素電極９の表面
上には、ポリイミド樹脂などにより、配向膜１８が設けられている。

ゲート線３３とソース線３２との交差位置の近傍にはＴＦＴ素子２２が形成されている
。このＴＦＴ素子２２は、ゲート線３３の表面に半導体層が配置され、当該半導体層の表
面の一部を覆うようにソース線３２の一部が延在されてＴＦＴのソース電極Ｓを構成し、
当該半導体層の下部のゲート線３３部分がゲート電極Ｇを構成し、また、当該半導体層の
一部分と重なる画素電極９の部分がドレイン電極Ｄを構成している。

カラーフィルタ基板９２では、基板２の液晶層５側とは反対側の面上に、導電層１２が
設けられている。導電層１２は、図示を省略するが、接地されており、液晶パネル９０の
表面に付着した静電気を外部へ逃がす機能を有する。基板２の液晶層５側の面上には、着
色層４と遮光層ＢＭとが設けられている。遮光層ＢＭは、ＲＧＢの各色の着色層４間の境
界や、ＴＦＴ素子２２に対応する位置などに配置されている。着色層４及び遮光層ＢＭの
液晶層５側の面上には、アクリルなどによりオーバーコート層１４が設けられている。オ
ーバーコート層１４の表面上には、ポリイミド樹脂などにより、配向膜１９が設けられて
いる。

ここで、アレイ基板９１の配向膜１８とカラーフィルタ基板９２の配向膜１９とは、平
面視で一様な同一方向にラビング処理されることで配向方向（ラビング方向）が付与され
ており、初期配向状態（電界が生じていない状態）での液晶層５の液晶分子の配向方向を
規定している。以下では、液晶分子の初期配向方向（ラビング方向）のうち、紙面手前側
からみて左側から右側へ向かう方向をＸ軸とし、当該初期配向方向に直交する方向のうち
、紙面手前側からみて下側から上側へと向かう方向をＹ軸としている。

第１実施形態では、画素電極９に形成された複数のスリット２１は、ソース線の延在す
る方向にそって、Ｘ−Ｙ座標系でいうとＹ方向に沿って、画素電極９に一定の間隔で設け
られている。また、複数のスリット２１は、その長手方向が、ラビング方向であるＸ方向
に対して所定の鋭角θ１（例えば５〜１５°）をなすように画素電極９上に形成されてい
る。液晶装置１００の駆動時においては、共通電極３と画素電極９との間にスリット２１
を介して発生するフリンジフィールド（電界）Ｅにより、液晶層５の液晶分子の配向状態
が制御される。このとき、バックライト８０から出射した照明光は、図３に示す経路Ｌｔ
に沿って進行し、共通電極３、画素電極９、液晶層５、及び、着色層４を通過して観察者
にいたるが、その照明光の階調は、液晶層５の配向状態によって変化する。このようにし
て、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。

ここで、第１実施形態に係る液晶装置１００では、図２に示すように、サブ画素領域Ｓ
Ｇにおけるスリット２１の長手方向の周辺部が位置する領域の一部において、画素電極９
に対向して共通電極３が形成されない電極非形成領域２２が設けられている。具体的には
、共通電極３において、電極非形成領域２２に対応する部分に開口が形成されている。こ
の理由について、図４、５を用いて説明する。

図４、５は、スリット２１の拡大平面図である。図４は、比較例として、電極非形成領
域が設けられない場合のスリット２１の平面拡大図であり、図５は、第１実施形態に係る
、電極非形成領域２２が設けられた場合のスリット２１の平面拡大図である。図４、５に
おいて、実線の両端矢印は電界の向きを示し、矢印は液晶分子の回転方向を示している。

まず、図４を用いて、電極非形成領域２２が設けられない場合について説明する。サブ
画素領域ＳＧのスリット２１が位置する領域において、基板１上に電極非形成領域２２が
設けられない場合には、スリット２１の縁に沿った方向と直交する方向に電界Ｅが発生す
る。ここで、液晶層５の液晶分子は、当該液晶分子の初期配向方向と当該液晶分子にかか
る電界Ｅとのなす角が鋭角となる方向に向けて回転する性質がある。

電界Ｅの発生時には、サブ画素領域ＳＧにおける液晶分子が全て同じ方向に回転するよ
うにする必要がある。なぜなら、液晶分子が全て同じ方向に回転しない場合、即ち、一部
の液晶分子が本来の液晶分子の回転方向とは異なる方向に回転した場合には、当該一部の
液晶分子が存在する液晶層の領域において、透過率の低下などによる表示異常が発生して
しまうからである。このような液晶分子の配向異常は、スリット２１の端部、特に角部で
発生しやすいため、一般的な液晶装置では、図４に示すように、スリット２１は、角部を
丸めた角丸四角状に形成されている。

しかしながら、図４に示すように、スリット２１の角部を丸めた場合であっても、スリ
ット２１の角部付近の一部の液晶分子５ａ１、５ａ２は、その他の液晶分子５ａとは異な
った挙動を見せる。具体的には、電界Ｅの発生時において、その他の液晶分子５ａが時計
回りに回転するのに対し、液晶分子５ａ１は反時計回りに回転し、液晶分子５ａ２は停止
したままとなる。そのため、スリット２１の角部を丸めた場合であっても、液晶分子の配
向異常を有効に抑えることが難しい。この理由について以下で説明する。

液晶分子５ａの初期配向方向と当該液晶分子５ａにかかる電界Ｅとのなす鋭角は、図４
に示すように、液晶分子の初期配向方向と当該初期配向方向に直交する方向とにより規定
されるＸ−Ｙ座標系において、紙面手前側から見て第２象限及び第４象限に位置する。そ
れに対し、液晶分子５ａ１の初期配向方向と当該液晶分子５ａ１にかかる電界Ｅ（電界Ｅ
１）とのなす鋭角は、Ｘ−Ｙ座標系において、紙面手前側から見て第１象限及び第３象限
に位置する。先にも述べたように、液晶分子は、当該液晶分子の初期配向方向と当該液晶
分子にかかる電界Ｅとのなす角が鋭角となる方向に向けて回転する性質があるので、液晶
分子５ａは時計回りに回転するのに対し、液晶分子５ａ１は反時計回りに回転する。また
、液晶分子５ａ２は、その初期配向方向と液晶分子５ａ２にかかる電界Ｅ（電界Ｅ２）の
方向とが略一致するため停止したままとなる。以下では、液晶分子５ａ１、５ａ２のよう
に、液晶分子の本来の回転方向と異なる動きをする液晶分子を「リバース液晶分子」と称
することとする。

このように、スリット２１の角部を丸めた場合であっても、リバース液晶分子が発生し
てしまうため、サブ画素領域ＳＧにおける液晶分子を全て同じ方向に回転させることはで
きず、液晶分子の配向異常を有効に抑えることはできない。

そこで、第１実施形態に係る液晶装置１００では、画素電極９に対向して共通電極３が
形成されない電極非形成領域２２を設けることにより、電界Ｅの発生時において、サブ画
素領域ＳＧにおける液晶分子の回転方向が同一方向になるようにして、液晶分子の配向異
常を防ぐこととする。

具体的には、電界Ｅの発生時において、サブ画素領域ＳＧにおける液晶分子の初期配向
方向と電界Ｅの方向とのなす鋭角が、Ｘ−Ｙ座標系において同一象限に位置するように、
電極非形成領域２２が設けられる。より詳細には、電界Ｅの発生時において、サブ画素領
域ＳＧにおける液晶分子の初期配向方向と電界Ｅの方向とのなす鋭角が、スリット２１の
長手方向の縁部２１ａとスリット２１の長手方向の周辺部２１ｂに対応する電極非形成領
域２１とについて、Ｘ−Ｙ座標系において同一象限に位置するように、電極非形成領域２
２が設けられる。ここで、図４に示すように、スリット２１の長手方向の縁部２１ａとは
、スリット２１の長手方向の液晶分子の回転方向が本来の回転方向となる領域であり、ス
リット２１の周辺部２１ｂとは、スリット２１の端部を含み、液晶分子の回転方向が本来
の回転方向と逆向きとなりうる領域である。

図５に示す例では、電極非形成領域２２が、サブ画素領域ＳＧにおけるスリット２１の
端部に対応する領域に設けられている。即ち、電極非形成領域２２として、共通基板３に
おいて、スリット２１の端部に対応する領域に三角形状の開口が形成されている。具体的
には、三角形状の開口は、図５に示すように、当該三角形状の斜辺にあたる開口の縁ｐ１
がスリット２１の端部を横切るように形成されている。この電極非形成領域２２では、ス
リット２１の縁に沿って直交する方向に電界Ｅが発生せずに、開口の縁ｐ１に沿って直交
する方向に電界Ｅ（以下、この電界をＥｎと称する）が発生する。この電界Ｅｎが、主に
、スリット２１の角部付近の液晶分子５ａ１、５ａ２にかかることとなる。液晶分子５ａ
１、５ａ２の初期配向方向と電界Ｅｎとのなす鋭角は、図５に示すように、その他の液晶
分子５ａと同様、Ｘ−Ｙ座標系において、紙面手前側からみて第２象限及び第４象限に位
置する。逆に言うと、スリット２１の角部付近の液晶分子５ａ１、５ａ２の初期配向方向
と電界Ｅｎとのなす鋭角が、Ｘ−Ｙ座標系において、紙面手前側からみて第２象限及び第
４象限に位置するように、開口の縁ｐ１の形状が設定される。このようにすることで、液
晶分子５ａ１、５ａ２の回転方向は、その他の液晶分子５ａの回転方向と同一方向となる
。

なお、共通基板３における電極非形成領域２２の形状、即ち、共通基板３に設けられる
開口の形状としては三角形状に限られるものではないのは言うまでもない。また、電極非
形成領域２２に設けられる開口の大きさについても、図５に示す大きさには限られないの
は言うまでもない。要は、スリット２１の角部付近の液晶分子の初期配向方向と当該角部
付近の液晶分子にかかる電界とのなす鋭角が、その他の液晶分子の初期配向と当該その他
の液晶分子にかかる電界とのなす鋭角と同一象限に位置するように、言い換えると、サブ
画素領域ＳＧにおける液晶分子の初期配向方向と電界Ｅの方向とのなす鋭角が、Ｘ−Ｙ座
標系において同一象限に位置するように、共通基板３に開口が形成されていれさえすれば
良い。

以上に述べたようにすることで、スリット２１の端部に発生するリバース液晶分子を減
少させることができ、液晶分子の配向異常を抑えることができる。

なお、上述の第１実施形態では、画素電極９に複数のスリット２１が、Ｙ方向に沿って
、画素電極９に一定の間隔で設けられるとともに、その長手方向が、Ｘ方向、即ち、ラビ
ング方向に対して所定の鋭角θ１（例えば５〜１５°）をなすように画素電極９上に形成
されているとしていたが、スリット２１の形状としてはこれに限られるものではない。例
えば、図６に示すように、画素電極９の中央を境にして、スリット２１が「くの字状」に
配置される、いわゆるデュアルドメイン化されたものに対しても、本発明を適用可能であ
る。ここで、ラビング方向とスリット２１の長手方向は、ラビング方向に対して所定の鋭
角θ２（例えば５°〜１５°）をなすように設定される。なお、図６では、ソース線やゲ
ート線等の配線素子については図示を省略している（以下の図８、９においても同様）。

図６に示す例では、液晶分子の回転方向は、画素電極９の中央を境にして紙面手前側か
らみて上半分の領域Ａ１における液晶分子の回転方向と、紙面手前側からみて下半分の領
域Ａ２における液晶分子の回転方向とでは、互いに逆向きとなる。図６に示す例では、上
半分の領域Ａ１における液晶分子の回転方向は時計回りとなり、下半分の領域Ａ２におけ
る液晶分子の回転方向は反時計回りとなる。この図６に示す例の場合についても、第１実
施形態で述べたのと同様にして、サブ画素領域ＳＧにおけるスリット２１の端部に対応す
る領域に、画素電極９に対向して共通電極３が形成されない電極非形成領域２２を設ける
とする。これによっても、各領域Ａ１、Ａ２において、スリット２１の端部に発生するリ
バース液晶分子を減少させることができ、液晶分子の配向異常を抑えることができる。

［第２実施形態］
次に本発明の第２実施形態について説明する。図７に第２実施形態に係る液晶装置にお
けるサブ画素領域ＳＧの構成を示す。ここで、第２実施形態に係る液晶装置において、サ
ブ画素領域ＳＧの構成以外の構成については、第１実施形態に係る液晶装置１００と同様
の構成となっている。また、サブ画素領域ＳＧの構成について、第１実施形態と同様の構
成要素については同じ符号を付加している。

第２実施形態に係る液晶装置では、図７に示すように、画素電極９に対し、複数のスリ
ット２１は、ゲート線の延在する方向に一定の間隔で形成されるとともに、夫々のスリッ
ト２１は、中央部が屈曲された形状となるように形成されている。ここで、ラビング方向
は、紙面手前から見て上下方向に設けられているので、紙面手前から見て下から上へ向か
う方向をＸ軸とし、紙面手前から見て左から右へと向かう方向をＹ軸としている。また、
ラビング方向とスリット２１の長手方向とのなす角度θ３は所定の鋭角（例えば５°〜１
５°）に設定される。第２実施形態に係る液晶装置も、いわゆるデュアルドメイン化され
たものであり、液晶分子の回転方向は、画素電極９の中央を境にして、紙面手前側からみ
て上半分の領域Ｂ１における液晶分子の回転方向と、紙面手前側からみて下半分の領域Ｂ
２における液晶分子の回転方向とは、互いに逆向きとなる。

第１実施形態でも述べたように、サブ画素領域ＳＧにおけるスリット２１の端部に対応
する領域に、画素電極９に対向して共通電極３が形成されない電極非形成領域が設けられ
ない場合、リバース液晶分子が発生する。このリバース液晶分子は、例えば、ユーザが表
示画面を押圧したりすることで、スリット２１の中央部付近に移動する（更にはスリット
２１の中央部を超える）ことがある。リバース液晶分子がスリット２１の中央部付近に移
動した場合には、即ち、サブ画素領域の中央部付近の表示領域に移動した場合には、リバ
ース液晶分子がスリット２１の端部に位置している場合と比較して、リバース液晶分子に
よる表示異常の影響が大きくなる。

第２実施形態に係る液晶装置では、図７に示すように、画素電極９に対向して共通電極
３が形成されない電極非形成領域２３が、サブ画素領域ＳＧにおける、スリット２１の中
央の屈曲部に対応する領域に設けられるとしている。即ち、共通電極３において、スリッ
ト２１の中央の屈曲部に対応する領域に開口が設けられるとしている。電極非形成領域２
３では、スリット２１の縁に沿って直交する方向に電界Ｅが発生せずに、スリット２１を
横切る開口の縁ｐ２に直交する方向に電界Ｅｎが発生する。この開口の縁ｐ２の形状も、
液晶分子の初期配向と電界Ｅｎとのなす鋭角と、スリット２１の縁に沿って直交する方向
に発生する電界Ｅと液晶分子の初期配向とのなす鋭角とが、スリット２１の長手方向の縁
部とスリット２１の長手方向の中央部に対応する電極非形成領域２１とについて、Ｘ−Ｙ
座標系において同一象限に位置するように設定される。これにより、スリット２１の端部
において発生したリバース液晶分子がスリット２１の中央部付近に移動するのを防ぐこと
ができ、表示異常を防ぐことが可能となる。

なお、図８に示すように、サブ画素領域ＳＧにおける、スリット２１の中央の屈曲部に
対応する領域に電極非形成領域２３が設けられるのに加えて、第１実施形態と同様にして
、サブ画素領域ＳＧにおけるスリット２１の端部に対応する領域に電極非形成領域２２が
設けられるとしてもよい。このようにすることで、リバース液晶分子がスリット２１の中
央の屈曲部に移動するのを抑えることができるとともに、スリット２１の端部にて発生す
るリバース液晶分子の数そのものを減少させることができる。

上述の第２実施形態では、スリット２１は、中央が屈曲された形状となっているとして
いるがこれに限られるものではない。代わりに、例えば、図９に示すように、スリット２
１が、中央に屈曲部を有しておらず、Ｘ軸方向に延在した形状を有するものに対しても本
発明を適用可能である。ここで、ラビング方向は、スリット２１の長手方向とのなす角度
が所定の鋭角θ４（例えば５°〜１５°）となるように、サブ画素ＳＧに対して斜め方向
に設けられている。

この図９に示す例の場合についても、第２実施形態で述べたのと同様にして、画素電極
９に対向して共通電極３が形成されない電極非形成領域２３を、サブ画素領域ＳＧにおけ
るスリット２１の中央部に対応する領域に設けるとすることにより、即ち、共通電極３に
おいて、スリット２１の中央部に対応する領域に開口を設けるとすることにより、スリッ
ト２１の端部において発生したリバース液晶分子がスリット２１の中央部に移動して留ま
るのを防ぐことが可能となる。

［変形例］
次に、上述の各実施形態の変形例について説明する。上述の各実施形態に係る液晶装置
では、アレイ基板９１において、基板１の液晶層５側の面上に、サブ画素領域ＳＧの夫々
を覆うように、共通配線３１と接続された共通電極３が設けられ、共通電極３の表面に２
層に積層された絶縁膜１３を介して、複数のスリット２１が形成された画素電極９が設け
られているとしていた。しかしながら、液晶装置の断面構成としては、これに限られるも
のではない。

図１０は、変形例に係る液晶装置のサブ画素領域ＳＧにおける断面構成を示す図である
。図１０において、図２に示した第１実施形態に係る液晶装置の構成要素と同様の構成要
素については、同じ符号を付加している。変形例に係る液晶装置では、基板１の液晶層５
側の面上に、２層に積層された絶縁膜１３が設けられ、絶縁膜１３の面上にシリコンなど
によりオーバーレイヤー層１５が設けられている。オーバーレイヤー層１５の面上には、
平坦な画素電極９が設けられている。画素電極９の面上には、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）
などで形成された絶縁膜１６が設けられ、当該絶縁膜１６の面上に、共通電極３が設けら
れている。つまり、変形例に係る液晶装置では、上述の各実施形態に係る液晶装置と異な
り、共通電極３と画素電極９との間の積層関係が逆転しており、共通電極３側にスリット
２４が設けられた構造となっている。

この変形例に係る液晶装置においても、サブ画素領域ＳＧのスリット２４が設けられた
領域において、共通電極３に対向して画素電極９が形成されない非形成領域を設けるとす
ることにより、即ち、画素電極９において、スリット２４の端部又は中央部に対応する領
域に開口が形成されるとすることにより、上述の各実施形態と同様の効果を得ることがで
きる。

［電子機器］
次に、本発明の各実施形態に係る液晶装置を適用可能な電子機器の具体例について図１
１を参照して説明する。

まず、本発明の各実施形態に係る液晶装置を、可搬型のパーソナルコンピュータ（いわ
ゆるノート型パソコン）の表示部に適用した例について説明する。図１１（ａ）は、この
パーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図に示すように、パーソナルコン
ピュータ７１０は、キーボード７１１を備えた本体部７１２と、本発明の各実施形態に係
る液晶装置をパネルとして適用した表示部７１３とを備えている。

続いて、本発明の各実施形態に係る液晶装置を、携帯電話機の表示部に適用した例につ
いて説明する。図１１（ｂ）は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示す
ように、携帯電話機７２０は、複数の操作ボタン７２１のほか、受話口７２２、送話口７
２３とともに、本発明の各実施形態に係る液晶装置を適用した表示部７２４を備える。

なお、本発明の実施形態に係る液晶装置を適用可能な電子機器としては、図１１（ａ）
に示したパーソナルコンピュータや図１１（ｂ）に示した携帯電話機の他にも、液晶テレ
ビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装
置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、
ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。

第１実施形態に係る液晶装置の平面図である。 第１実施形態に係るサブ画素領域の平面図である。 第１実施形態に係るサブ画素領域の断面図である。 比較例に係る共通電極におけるスリットの拡大平面図である。 第１実施形態に係る共通電極におけるスリットの拡大平面図である。 第１実施形態に係るサブ画素領域の平面図である。 第２実施形態に係るサブ画素領域の平面図である。 第２実施形態に係るサブ画素領域の平面図である。 第２実施形態に係るサブ画素領域の平面図である。 変形例に係るサブ画素領域の断面図である。 本発明の液晶装置を適用した電子機器の斜視図。

符号の説明

１ 上側基板、 ２ 下側基板、 ３ 共通電極、 ４ 着色層、 ５ 液晶層、 ９
画素電極、 ２１ スリット、 ２２ 電極非形成領域、 ２２ ＴＦＴ素子、 ３１
共通配線、 ３２ ソース線、 ３３ ゲート線、 ９０ 液晶パネル、 ９１ アレ
イ基板、 ９２ カラーフィルタ基板、 １００ 液晶装置

Claims (6)

1. 第１の基板と、
   前記第１の基板に対向配置される第２の基板と、
   前記第１の基板と前記第２の基板とに挟持された液晶層と、
   前記第１の基板の前記液晶層側の面にサブ画素領域毎に配置されるとともに、複数のスリットが設けられた第１の電極と、
   前記第１の基板と前記第１の電極との間に、絶縁層を介して前記第１の電極に対向するように配置され、前記スリットを介して前記第１の電極との間に電界を発生させるための第２の電極と、を備え、
   前記サブ画素領域における前記スリット長手方向の周辺部または中央部のうち、少なくとも一方が位置する領域の一部には、前記第１の電極に対向して前記第２の電極が形成されない電極非形成領域が設けられている、液晶装置。
2. 前記液晶層の液晶分子の初期配向方向と、前記初期配向方向と直交する方向と、によって規定される座標系において、前記初期配向方向と前記液晶分子にかかる前記電界の方向とのなす鋭角が同一象限に位置するように前記電極非形成領域が設けられる、請求項１に記載の液晶装置。
3. 前記電極非形成領域は、前記スリットの端部に対応する領域に設けられている、請求項１または２に記載の液晶装置。
4. 前記スリットの前記中央部は屈曲されている、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置。
5. 前記スリットの前記中央部の屈曲部に対応する領域に、前記電極非形成領域が設けられている、請求項４に記載の液晶装置。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部として備える、電子機器。