JP2008225337A - 液晶装置、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】電極上に設けられる液晶層に対し、広範囲に亘って電界を及ぼすことができ、高開口率が得られる液晶装置、及びこの液晶装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】液晶層５０を挟持して互いに対向配置された第１基板１０と第２基板２０と、第１基板１０の液晶層５０側に設けられた第１電極９と、絶縁膜１８を介して第１電極９上に設けられた第２電極と、を有し、第１電極９と第２電極との間に生じる電界によって液晶層５０の液晶分子を配向制御する液晶装置１００である。第２電極は線状電極部１９ａを有して構成されており、第２基板２０の液晶層５０側には、少なくとも線状電極部１９ａの側端部に対応した領域に、液晶層５０に接する表面を傾斜させた傾斜面２４が設けられている。
【選択図】図３

Description

本発明は、液晶装置、及び電子機器に関するものである。

液晶装置の一形態として、液晶層に基板面方向の電界を印加して液晶分子の配向制御を行う方式（以下、横電界方式と称する。）のものが知られており、液晶に電界を印加する電極の形態によりＩＰＳ（In-Plane Switching）方式、ＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式等と呼ばれるものが知られている。

このような横電界方式の液晶装置では、その構造上、上部電極（第２電極）の端縁部上に配置された液晶分子を良好に動作できるものの、電極の中央部上に配置された液晶分子に対し電界を十分に及ぼすことができないため、ディスクリネーションが発生してしまい、上部電極の中央部で透過率が低下するといった問題があった。そこで、ディスクリネーションが発生する領域に対応させて絶縁膜にスリットを設け、液晶層のギャップを変化させることでディスクリネーションの発生を抑制し、透過率を向上させる技術がある（例えば、特許文献１参照）。この技術では、ＩＰＳ方式の液晶装置において透過率の向上を図っている。
特開２０００−６６２２４号公報

ところで、ＦＦＳ方式の液晶装置においても同様に透過率の向上が望まれている。
しかしながら、上記従来の技術では、ＩＰＳ方式に対しては有効であるものの、ＩＰＳ方式とは電極形状の異なるＦＦＳ方式の液晶装置においては、上部電極の中央部で透過率を十分に向上させることが難しい。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、電極上に設けられる液晶層に対し、広範囲に亘って電界を及ぼすことができ、高開口率が得られる液晶装置、及びこの液晶装置を備えた電子機器を提供することを目的としている。

本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の液晶装置は、液晶層を挟持して互いに対向配置された第１基板と第２基板と、前記第１基板の前記液晶層側に設けられた第１電極と、絶縁膜を介して前記第１電極上に設けられた第２電極と、を有し、前記第１電極と前記第２電極との間に生じる電界によって前記液晶層の液晶分子を配向制御する液晶装置において、前記第２電極は線状電極部を有して構成されており、前記第２基板の前記液晶層側には、少なくとも前記線状電極部の側端部に対応した領域に、前記液晶層に接する表面を傾斜させた傾斜面が設けられていることを特徴とする。

本発明の液晶装置によれば、第２基板の液晶層側における第２電極を構成する線状電極部の側端部に対応した領域に傾斜面が設けられていることで、第１および第２電極間に生じる電界が変化し、電界の影響が及ぶ領域が拡大することで、第２電極上に配置される液晶層を良好に駆動させることができる。したがって、駆動できる液晶層が増加することで透過率が向上し、これに伴って開口率を上昇させることができる。

また、上記液晶装置においては、前記第２電極は、互いに平行に配置された複数の前記線状電極部を有して構成されており、前記第２基板の前記液晶層側には、前記線状電極部の間に対応して前記液晶層に接する表面を突出させた凸状部が形成されており、該凸状部から前記線状電極部の形成領域にわたって傾斜した前記傾斜面が形成されているのが好ましい。
このようにすれば、線状電極部の形状に合わせて凸状部を形成することで、上記傾斜面を簡便に形成できる。

また、上記液晶装置においては、前記第２基板の前記液晶層側には、前記第２電極の前記線状電極部に対応した凹部が設けられており、前記凸部と前記凹部との間に前記傾斜面が設けられ、前記第２電極の前記線状電極部は前記凹部と前記傾斜面が設けられた領域に配置されているのが好ましい。
このようにすれば、傾斜面により線状電極部上に配置される液晶分子に対し、広範囲に亘って電界を及ぼすことできる。よって、透過率を向上させることで開口率を高めることができる。

また、上記液晶装置においては、前記第２電極に開口部が形成され、該開口部の形成領域に対応して、前記第２基板の前記液晶層側に突出した凸状部が形成されており、該凸状部の側面が前記傾斜面を構成するのが好ましい。
このようにすれば、例えば第２電極に形成される開口部の形状によらず、上述したように第２電極上に配設される電気光学層を良好に駆動でき、高開口率を実現することができる。また、凸状部を形成することで上記傾斜面を簡便に形成できる。
さらに、前記第２基板の前記液晶層側にカラーフィルタ及びオーバーコート層が順に積層して設けられ、該オーバーコート層に前記凸状部が形成されるのが望ましい。
オーバーコート層を用いることで、前記凸状部を容易に形成できる。また、高い開口率を有するフルカラー表示を行うことができる。

本発明の電子機器は、上記液晶装置を備えたことを特徴とする。

本発明の電子機器によれば、上述したように高い開口率が得られる液晶装置を備えているので、電子機器自体も、明るく、信頼性に優れたなものとなる。

以下、本発明における液晶装置の一実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするために縮尺を適宜変更している。

また、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。この際、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。例えば本実施形態においては、Ｘ軸方向を走査線の延在方向、Ｙ軸方向をデータ線の延在方向、Ｚ軸方向を観察者による液晶パネルの観察方向としている。

本実施形態では、液晶装置としてアクティブマトリクス方式の透過型液晶装置を例に挙げて説明する。また、本実施形態に係る液晶装置は、液晶に対し略基板面方向の電界を印加して配向を制御することにより画像表示を行う横電界方式のうち、ＦＦＳ方式と呼ばれる方式を採用した液晶装置である。また本実施形態の液晶装置は、基板上にカラーフィルタを具備したカラー液晶装置であり、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色光を出力する３個のサブ画素で１個の画素を構成するものである。ここで、表示を構成する最小単位となる表示領域を「サブ画素領域」、３個のサブ画素により形成される表示領域を「画素領域」と称する。

図１は、本実施形態に係る液晶装置１００の回路構成を示す図である。図１に示すように、液晶装置１００の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数のサブ画素領域には、それぞれ画素電極９と画素電極９をスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、データ線駆動回路から延びるデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線駆動回路１０１は、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎをデータ線６ａを介して各サブ画素に供給する。前記画像信号Ｓ１〜Ｓｎはこの順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

また、ＴＦＴ３０のゲートには、走査線駆動回路１０２から延びる走査線３ａが電気的に接続されており、走査線駆動回路１０２から所定のタイミングで走査線３ａにパルス的に供給される走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが、この順に線順次でＴＦＴ３０のゲートに印加されるようになっている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで画素電極９に書き込まれるようになっている。画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極９と液晶を介して対向する共通電極との間で一定期間保持される。なお、符号３ｂを付して示す配線は、各サブ画素内の共通電極間を電気的に接続する共通線である。

図２は、本実施形態の液晶装置を構成するマトリクス状に形成されたサブ画素領域の平面構成図である。液晶装置１００には、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電膜からなる平面視略矩形状の複数の画素電極９が設けられている。画素電極９はＸ軸方向及びＹ軸方向に配列されており、該画素電極９の間隙に沿ってＹ軸方向に延在する複数のデータ線６ａとＸ軸方向に延在する複数の走査線３ａとが設けられている。画素電極９の配置された領域は表示の最小単位であるサブ画素を構成し、該サブ画素がＸ軸方向及びＹ軸方向に配列することにより全体としての表示領域が形成されている。

走査線３ａとデータ線６ａとの交差部近傍には、画素スイッチング素子であるＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、平面視略Ｌ字状のポリシリコン膜からなる半導体層３５を備えている。半導体層３５の一端側はデータ線６ａと交差しており、半導体層３５とデータ線６ａとが平面的に重なる位置にソースコンタクトホール４４が設けられている。そして、このソースコンタクトホール４４を介して半導体層３５とデータ線６ａとが電気的に接続されている。一方、半導体層３５の他端側は画素電極９と平面的に重なるように配置されており、半導体層３５と画素電極９とが平面的に重なる位置にドレインコンタクトホール４５及び画素コンタクトホール４７が設けられている。ドレインコンタクトホール４５と画素コンタクトホール４７とは互いに連通しており、このドレインコンタクトホール４５及び画素コンタクトホール４７を介して半導体層３５と画素電極９とが電気的に接続されている。さらに、半導体層３５の中央部は走査線３ａと交差しており、半導体層３５の走査線３ａと平面的に重なる部分がＴＦＴ３０のチャネル領域とされ、該チャネル領域と対向する部分の走査線３ａがＴＦＴ３０のゲート電極３３となっている。

画素電極９の上層側には、画素電極９と対向してＩＴＯ等の透明導電膜からなる平面視ベタ状の共通電極１９が設けられている。共通電極１９は複数のサブ画素領域に跨って設けられている。画素電極９と共通電極１９とが平面視で重なる領域は、当該サブ画素領域の容量として機能する。また、共通電極１９と画素電極９とが対向する対向領域には、共通電極１９を部分的に除去して形成された複数のスリット（開口部）１９ｓが設けられている。共通電極１９はスリット１９ｓが形成されることで、複数の線状電極１９ａを有して構成されたものとなっている。また、スリット１９ｓは走査線３ａと略平行な方向（Ｘ軸方向）に延在しており、複数のスリット１９ｓ（線状電極１９ａ）が互いに均等な間隔でデータ線６ａの延在方向（Ｙ軸方向）に沿って配列している。そして、スリット１９ｓを介して画素電極９と共通電極１９との間に走査線３ａと略直交する方向（Ｙ軸方向）の横電界が発生するようになっている。

図３は、図２のＡ−Ａ’線に沿う断面構成図である。液晶装置１００は、互いに対向するＴＦＴアレイ基板（第１基板）１０及び対向基板（第２基板）２０と、該ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０との間に挟持された液晶層５０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向する対向領域の周縁部には図示略のシール材が設けられており、該シール材とＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０との間に形成された空間（セルギャップ）に、液晶層５０が封止されている。ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０とは反対側には偏光板１４が設けられ、対向基板２０の液晶層５０とは反対側には偏光板２９が設けられている。ＴＦＴアレイ基板１０の背面側（偏光板１４の基板本端１０Ａとは反対側）には、光源と導光板９１と反射板９２とを具備したバックライト（照明装置）９０が設けられている。

ＴＦＴアレイ基板１０は、ガラスや石英、プラスチック等の透光性の基板本体１０Ａを基体として備えている。基板本体１０Ａの液晶層５０側には半導体層３５が形成されており、半導体層３５を覆ってシリコン酸化物等の透明絶縁膜からなるゲート絶縁膜１１が形成されている。ゲート絶縁膜１１上には走査線３ａが形成されている。そして、走査線３ａと対向する部分の半導体層３５がＴＦＴ３０のチャネル領域３５ｃとなり、半導体層３５と対向する部分の走査線３ａがゲート電極３３となっている。また、半導体層３５のチャネル領域３５ｃを挟んだ両側には、それぞれソース領域３５ｓとドレイン領域３５ｄとが形成されている。

ゲート絶縁膜１１、走査線３ａ（ゲート電極３３）及びゲート絶縁膜１１を覆って酸化シリコン膜等の透明絶縁膜からなる第１層間絶縁膜１２が形成されている。第１層間絶縁膜１２及びゲート絶縁膜１１のドレイン領域３５ｄに対向する部分には、第１層間絶縁膜１２及びゲート絶縁膜１１を貫通するドレインコンタクトホール４５が形成されている。
第１層間絶縁膜１２上にはドレイン電極３２が形成されている。ドレイン電極３２はドレインコンタクトホール４５を介してドレイン領域３５ｄと電気的に接続されている。図示は省略したが、第１層間絶縁膜１２及びゲート絶縁膜１１のソース領域３５ｓに対向する部分には、第１層間絶縁膜１２及びゲート絶縁膜１１を貫通するソースコンタクトホール４４が形成されている（図２参照）。第１層間絶縁膜１２上にはデータ線６ａが形成されている。データ線６ａはソースコンタクトホール４４を介してソース領域３５ｓと電気的に接続されている。

第１層間絶縁膜１２、データ線６ａ及びドレイン電極３２を覆ってシリコン窒化膜等からなる第２層間絶縁膜１３が形成されている。また、第２層間絶縁膜１３を覆って、アクリル等の樹脂膜からなる第３層間絶縁膜１３が形成されている。第３層間絶縁膜１３は、基板本体１０Ａ上にＴＦＴ３０等を形成することにより生じた凹凸を平坦化する平坦化膜として機能するものである。第３層間絶縁膜１３のドレイン電極３２に対向する部分には画素コンタクトホール４７が形成されている。この画素コンタクトホール４７は、前記第１層間絶縁膜１２およびゲート絶縁膜１１を貫通し、内部に前記ドレイン電極３２を臨むドレインコンタクトホール４５の直上に形成される。

また、画素コンタクトホール４７はドレインコンタクトホール４５よりも大きな面積で形成されており、画素コンタクトホール４７の底部には、ドレインコンタクトホール４５の内壁面を覆って第１層間絶縁膜１２の上面に配置されたドレイン電極３２の一部が露出している。第３層間絶縁膜１３上には、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる平面視略矩形状の画素電極９が形成されており、画素コンタクトホール４７の内壁面を覆って形成された導電膜を介して、画素コンタクトホール４７の底部に露出したドレイン電極３２と電気的に接続されている。

第３層間絶縁膜１３上には、画素電極９を覆ってシリコン窒化膜等からなる電極部絶縁膜（絶縁膜）１８が形成されている。電極部絶縁膜１８上には、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる平面視ベタ状の共通電極１９が形成されている。共通電極１９には、画素電極９と対向する部分に複数のスリット１９ｓが形成され、これにより複数の線状電極１９ａを構成している。また、共通電極１９及び電極部絶縁膜１８を覆って、ポリイミド等の配向膜１６が形成されている。配向膜１６はラビング処理等を施されて液晶を所定方向に配向させるようになっている。配向膜１６による配向規制方向は、例えば走査線３ａの延在方向（Ｘ軸方向）と平行であり、共通電極１９のスリット１９ｓの延在方向とは交差する方向である。

対向基板２０は、ガラスや石英、プラスチック等の透光性の基板本体２０Ａを基体として備えている。基板本体２０Ａの液晶層５０側には、カラーフィルタ２２が設けられている。カラーフィルタ２２は、各サブ画素領域に対応して設けられた色材層を具備している。このカラーフィルタ２２を覆ってアクリル樹脂等の透明有機絶縁膜からなるオーバーコート層２３が形成されている。オーバーコート層２３を覆って配向膜２８が設けられている。この配向膜２８は、ＴＦＴアレイ基板１０側の配向膜１６と同様の構成であり、配向膜２８による配向規制方向は、配向膜１６の配向規制方向と略平行であり、したがって液晶層５０は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で、水平配向の初期配向状態を呈するものとなっている。

このような構成の基に本実施形態に係る液晶装置１００は、走査線３ａ及びデータ線６ａを介した信号入力により、画素電極９と共通電極（線状電極１９ａ）１９との間に電界を発生させて液晶を駆動し、所望のカラー表示を行うようになっている。

一般に、ＦＦＳ方式の液晶装置は構造上、共通電極（線状電極）における側端部側の液晶分子が動き易く、中央部側では電界の影響が小さくなるため、液晶分子の配向を十分に変化させることができない。その結果、共通電極（線状電極）の上部における透過率が低下してしまう。

そこで、本実施形態に係る液晶装置１００は、図４に示すように、断面視した状態で、対向基板２０の液晶層５０側に線状電極１９ａの側端部に対応した領域にテーパー状の傾斜面２４が形成されたものとなっている。なお、図４中では説明の都合上、配向膜１６，２８の図示を省略している。

本実施形態に係る液晶装置１００では、オーバーコート層２３は、表面に前記スリット１９ｓの形成領域に対応して形成された複数の凸状部２３ａを含んで構成されている。この凸状部２３ａは、その高さを０．３μｍ程度に設定するのが好ましく、この凸状部２３ａはスリット１９ｓの形成領域に対応する液晶層厚を、スリット１９ｓの非形成領域に対応する液晶層厚に比べて大きくしている。オーバーコート層２３に前記傾斜面２４が形成されており、具体的には前記凸状部２３ａの側面が上述したようなテーパー状の傾斜面２４を構成している。ここで、テーパー状とは対向基板２０の内面（液晶層５０側の面）に対して鋭角をなす状態を言う。対向基板２０の液晶層５０側は、上記の凸状部２３ａ及び傾斜面２４が設けられることで、前記線状電極１９ａに対応した凹部２５が設けられたものとなっている。すなわち、本実施形態では凹部２５と傾斜面２４とが形成された領域に、線状電極１９ａが配置されたものとなっている。
このようにスリット１９ｓの形成領域に対応させて凸状部を用いることで、上記傾斜面２４を簡便に形成することができる。しかも、オーバーコート層２３を用いたことで、前記凸状部２３ａの形成を容易にしている。

ところで、一般にＦＦＳ方式による液晶装置では、その構造上、共通電極（線状電極）の中央上に配置された液晶分子に対し、十分に電界を及ぼすことができない。そのため、共通電極（線状電極）の中央部上に配置された液晶分子を駆動されることが難しく、さらなる透過率の向上が望まれる。

一方、本実施形態に係る液晶装置１００では、上述したテーパー状の傾斜面２４を備えたことで、後述するように共通電極（線状電極１９ａ）１９の中央上に配置される液晶分子に対しても電極９，１９間に生じた電界の影響を及ぼすことができる。したがって、電極９，１９間に生じた電界により液晶層５０が駆動される線状電極１９ａ上の領域が拡大することで、共通電極（線状電極１９ａ）１９上の透過率が向上し、これに伴って高い開口率を得ることができる。

次に、上記傾斜面２４を設けたことで透過率（開口率）を向上できる点について説明する。図５は傾斜面２４が設けられた液晶装置（上記液晶装置１００）、及び傾斜面２４を有しない従来構成の液晶装置それぞれにおける透過率を示す図である。図５中、破線（菱点プロット）で示されるのは、上記傾斜面２４を有しない液晶装置の透過率を示し、同図中、直線（丸点プロット）で示されるのは、上記液晶装置１００の透過率を示している。

図５に示されるように、線状電極１９ａの側端部近傍には電界が多く生じるため、液晶分子が十分に駆動され、液晶装置１００および比較例に係る液晶装置は、それぞれ同等の透過率を得ることができる。一方、共通電極（線状電極１９ａ）１９の中央部上は電界が生じ難く、上述したように透過率の低下が確認できる。しかしながら、本実施形態に係る液晶装置１００によれば、上述したようにテーパー状の傾斜面２４を備えたことで共通電極（線状電極１９ａ）１９の中央部上に配される液晶層５０に対して電界の影響を及ぼすことができる。これにより、図５に示されるように、共通電極（線状電極１９ａ）１９上の中央部における透過率を向上させることができる。したがって、液晶装置１００は開口率が向上されたものであることが示された。

（電子機器）
次に、図６を用いて、本発明の液晶装置を備えた電子機器の実施形態について説明する。図６は、本発明の液晶装置の一例である図１の液晶装置を携帯電話の表示部に適用した例についての概略構成図である。同図に示す携帯電話１３００は、上記実施形態の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。上記各実施の形態の液晶装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、プロジェクタ、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、かかる構成とすることで、開口率が高く、明るく、信頼性に優れた液晶表示部を備えた電子機器を提供できる。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
上記実施形態に係る液晶装置では、画素電極をスイッチング制御する駆動素子としてＴＦＴ素子を用いているが、ＴＦＴ素子に限らず、ＴＦＤ（Thin Film Diode：薄膜ダイオード）素子など、他の駆動素子を用いてもよい。また、上記液晶装置では、透過型の表示装置としているが、半透過反射型の液晶装置や反射型の液晶装置であってもよい。
さらに、上記液晶装置では、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色表示を行うカラー液晶装置としているが、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかまたは他の１色の色表示を行う単色の表示装置や、２色や４色以上の色表示を行う表示装置であってもよい。ここで、対向基板にカラーフィルタ層を設けずに、ＴＦＴアレイ基板にカラーフィルタ層を設けてもよい。

液晶装置の回路構成を示す図である。 液晶装置を構成するサブ画素領域の平面構成図である。 図２のＡ−Ａ’線に沿う断面構成図である。 基板内部の構造を示す拡大図である。 傾斜面の有無による液晶装置の透過率の変化を示す図である。 電子機器の一実施形態としての携帯電話の概略構成を示す図である。

符号の説明

９…画素電極（第１電極）、１０…ＴＦＴアレイ基板（第１基板）、１８…電極部絶縁膜（絶縁膜）、１９…共通電極（第２電極）、１９ａ、線状電極（線状電極部）、１９ｓ…スリット（開口部）、２０…対向基板（第２基板）、２２…カラーフィルタ、２３…オーバーコート層、２３ａ…凸状部、２４…傾斜面、５０…液晶層、１００…液晶装置、１３００…携帯電話（電子機器）

Claims (6)

1. 液晶層を挟持して互いに対向配置された第１基板と第２基板と、前記第１基板の前記液晶層側に設けられた第１電極と、絶縁膜を介して前記第１電極上に設けられた第２電極と、を有し、前記第１電極と前記第２電極との間に生じる電界によって前記液晶層の液晶分子を配向制御する液晶装置において、
   前記第２電極は線状電極部を有して構成されており、前記第２基板の前記液晶層側には、少なくとも前記線状電極部の側端部に対応した領域に、前記液晶層に接する表面を傾斜させた傾斜面が設けられていることを特徴とする液晶装置。
2. 前記第２電極は、互いに平行に配置された複数の前記線状電極部を有して構成されており、前記第２基板の前記液晶層側には、前記線状電極部の間に対応して前記液晶層に接する表面を突出させた凸状部が形成されており、該凸状部から前記線状電極部の形成領域にわたって傾斜した前記傾斜面が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
3. 前記第２基板の前記液晶層側には、前記第２電極の前記線状電極部に対応した凹部が設けられており、前記凸状部と前記凹部との間に前記傾斜面が設けられ、前記第２電極の前記線状電極部は前記凹部と前記傾斜面が設けられた領域に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
4. 前記第２電極に開口部が形成され、該開口部の形成領域に対応して、前記第２基板の前記液晶層側に突出した凸状部が形成されており、該凸状部の側面が前記傾斜面を構成することを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
5. 前記第２基板の前記液晶層側にカラーフィルタ及びオーバーコート層が順に積層して設けられ、該オーバーコート層に前記凸状部が形成されることを特徴とする請求項４に記載の液晶装置。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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