JP3099817B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置より詳
しくは横電界駆動型（ＩＰＳ：インプレーンスイッチン
グモードともいう）液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、液晶表示装置は、ＴＮ（Twisted
Nematic）モードに代表されるように、基板面に対して
垂直な方向に電界を作用させて、液晶分子のダイレクタ
（分子軸）の配向を変化させることにより、光の透過率
を制御して、パネルに画像を表示するタイプ（以下、縦
電界駆動型という）のものが一般的であった。しかしな
がら、この縦電界駆動型の液晶表示装置では、電界印加
時に、ダイレクタが基板表面に対して垂直に配向し、そ
の結果、視角方向により屈折率が変化するために視野角
依存性が強く、広視野角が求められる用途には適してい
ない。

【０００３】これに対して、液晶分子のダイレクタを基
板面に平行に配向し、基板面に対して平行な方向に電界
を作用させてダイレクタを基板面に平行な面内で回転さ
せることにより、光の透過率を制御して画像表示を行う
タイプ（以下、横電界駆動型という）の液晶表示装置
が、近年、研究し、開発されている。この横電界駆動型
の液晶表示装置では、視角方向による屈折率変化が著し
く小さいため、広い視野で高画質の表示性能が得られ
る。本発明では、この横電界駆動型の液晶表示装置を対
象とする。

【０００４】液晶ディスプレイにはＳＴＮのような能動
素子を持たないパッシブマトリクスディスプレイや、Ｔ
ＦＴ、ＭＩＭに代表される各表示画素に能動素子を持つ
アクティブマトリクスディスプレイが存在する。本発明
では、横電界駆動型であれば能動素子の有無は問わない
が、以下では特にＴＦＴ型のアクティブマトリクスディ
スプレイに関し説明をする。

【０００５】まず従来技術の構成を説明する。図１０に
表示画素の平面図を示す。表示画素は、外部駆動回路と
接続される走査線５０２、信号線１０３、共通電極１０
６、およびスイッチング素子である薄膜トランジスタ５
０３、および画素電極１０４から構成される。図１１に
図１０のａ−ａ’での断面図を示す。

【０００６】図１１において、ＴＦＴ側ガラス基板１０
２上には、共通電極１０６が形成され、その上にゲート
絶縁膜１３０を介し画素電極１０４、信号線１０３が形
成される。その際、画素電極１０４と共通電極１０６は
交互に配置される。これら電極は保護絶縁膜１１０で被
覆され、その上には液晶１０７を配向させるのに必要で
あるＴＦＴ側配向膜１２０が塗布されラビング処理され
る。このようにしＴＦＴ側基板１００が作成される。

【０００７】対向側ガラス基板１０１上には遮光膜２０
３がマトリクス状に設けられ、その上に色表示をするた
めに必要な色層１４２が形成される。さらにその上に対
向基板上を平坦化させるに必要な平坦化膜２０２が設け
られ、その上に液晶１０７を配向させるのに必要である
対向側配向膜１２２が塗布されラビング処理される。ラ
ビング方向はＴＦＴ側基板１００に施した方向と逆方向
である。このようにし、対向側基板２００が作成され
る。

【０００８】ＴＦＴ側基板１００と対向側基板２００の
間には、液晶１０７、スペーサ３０２が封入される。両
基板のギャップはスペーサ３０２の直径により決定され
る。最後に、ＴＦＴ側ガラス基板１０２の電極パターン
を形成しない面にはＴＦＴ側偏光板１４５がラビング方
向に透過軸が直交するよう貼りつけられ、対向側ガラス
基板１０１の各種パターンが存在しない側には対向側偏
光板１４３が、透過軸がＴＦＴ側偏光板１４５の透過軸
方向と直交するように貼りつけられる。以上により、液
晶表示パネル３００が完成する。

【０００９】図１２に液晶表示装置の構成を示す。液晶
表示パネル３００は、バックライト４００の上に設置さ
れ、駆動回路５００に接続される。

【００１０】次に動作について説明する。図１０で共通
電極１０６と同層で設けられた走査線５０２のＯＮ／Ｏ
ＦＦ信号により、薄膜トランジスタ５０３がスイッチン
グし、薄膜トランジスタ５０３がＯＮであるときは信号
線１０３から電荷が画素電極１０４に流れ込み、ＯＦＦ
した後は電荷を保持しある一定の電位を保つ。共通電極
１０６には常時一定の直流電圧が印加されている。走査
線５０２、信号線１０３、共通電極１０６への信号は図
１２における駆動回路５００より供給される。これら信
号により生ずる画素電極１０４と共通電極１０６の電位
差により、ガラス基板に平行な横電界が生じる。

【００１１】それにより、図１３に示すように液晶分子
３０３は液晶のもつ誘電率異方性と周囲電界のガラス基
板に平行な成分との作用により回転することにより（図
１３は液晶の誘電率異方性が正の場合、負の場合は逆回
転）液晶層のリターデーションが変化し、遮光膜２０
３、画素電極１０４、共通電極１０６、走査線５０２、
薄膜トランジスタ５０３が設置されていない部位で、図
１３でのバックライト４００から出射された光のパネル
透過量が変化する。光のパネル透過量の変化は、式
（１）のように近似的に表現できる。

【００１２】

【数１】 Ψ ：平均的な液晶配向方向と初期配向方向のなす角 Δｎ：液晶の屈折率異方性 ｄ ：セルギャップ λ ：透過光波長 ここで、角度Ψは共通電極１０６、画素電極１０４の電
極間電圧に依存する関数である。電極間電圧と光透過量
の関係を測定した結果の一例を図１４に示す。ここで、
最大透過率をピーク透過率と呼ぶことにする。以上が従
来技術の構成、動作である。従来の技術の主な欠点は次
のようである。

【００１３】高開口率を得るために画素電極幅を狭くし
た場合に、電極脇の開口部にリバースチルトモードのデ
ィスクリネーションが出現し以下の不具合が発生する。

【００１４】透過率の低下 輝度むら 残像感 上記欠点を生じる理由として以下のように考えられる。
横電界型液晶表示装置の共通電極１０６、画素電極１０
４（以下この２電極を単に電極と称する）近傍の液晶配
向を考察する。ＴＦＴ側配向膜１２０に図１５に示す方
向でラビング処理を施し、液晶１０７をＴＦＴ側基板１
００と対向側基板２００の間に注入すると、ＴＦＴ側基
板１００上で液晶１０７は、プレチルト角と呼ばれる液
晶材料と配向膜材料で定まる一定角度θ⁰でＴＦＴ側基
板１００上に配列する。一例を挙げると、θ＝３〜４°
程度である。電極に電圧を印加すると、電極近傍および
電極上には放射状の電界が形成されるため、液晶分子に
はｘ-ｙ平面での回転するトルクと同時にｚ軸方向へ立
ち上がろうとするトルクが生じる。図１６での液晶のダ
イレクタ方向と電界の方向のなす角をαとし、発生する
トルクの大きさをＴとするとＴとαの関係は近似的に
（２）式のように表される。

【００１５】

【数２】 ここで、△εは液晶の誘電率異方性、Ｅは液晶の電界強
度である。電極に電圧を印加した時の電極近傍の電界お
よび液晶がｚ軸方向に立ち上がろうとする際の回転トル
クの方向を図１６に示す。ただし図１６はダイレクタを
ｙｚ平面に射影して描いてある。図１６において電極よ
り発する電界により電極近傍の液晶のうちラビング上流
側に存在する液晶は紙面に向かって右回りのトルクを受
け、ラビング下流側に存在する液晶は左回りのトルクを
受ける。受けるトルクの大きさは式（２）に従う。トル
クの均衡点はプレチルト角の影響により電極中央部より
ラビング上流側に位置している（Ａ点）。この点では電
界が液晶のダイレクタに対しほぼ垂直入射し、液晶は初
期のチルト角（プレチルト角）をほぼ維持する（（２）
式でα＝９０°）。一般的に、このような液晶の配向ベ
クトルの不連続面をディスクリネーションと呼んでい
る。特にこの場合は、液晶のチルト角の不連続変化であ
るのでリバースチルト系のディスクリネーションと呼ば
れる。液晶は誘電率に異方性をもつので、この電極近傍
の液晶の立ち上がりにより電界分布は変化する。誘電体
中の電界の大きさＥは、真空中での電界をＥ₀としたと
き（３）式のように記述できる。

【００１６】

【数３】 （ここでε₀は真空中の誘電率である。） △ε＞０である液晶ではダイレクタの方向が誘電率が大
きくなるため、電界のダイレクタ方向成分は（３）式よ
り小さくなる。すると、等電位面は図１７（ｂ）のよう
になるため、電極近傍でｚ軸方向に平行な電界すなわち
電界のｘｙ成分が０となるような位置は、電極中央から
ややラビング上流側に位置する。液晶がプレチルト角を
もたない場合は図１７（ａ）のように、等電位面は電極
に対し対称となるが、ラビング法によって作成された液
晶パネルでは、プレチルト角が発現するため図（ｂ）の
ような電界分布になる。このとき、上記、電界のｘ，ｙ
成分が０となる位置では、図１８示すように液晶分子３
０３がｘ，ｙ平面で回転をしないため、液晶分子は初期
配向方位をほぼ維持しており光の透過率は低い。以上に
より横電界方式の液晶表示装置において電極上のリバー
スチルトのディスクリネーションの位置では、液晶分子
が初期配向方位をほぼ維持している。ディスクリネーシ
ョンの位置は、電極近傍の電界分布とプレチルト角によ
り決定される。電極幅が狭い場合に代表されるような電
極エッジ付近でｚ軸方向の電界成分が多く発生する構造
であるとディスクリネーションの位置は開口部に近くな
るといえる。開口部に、このディスクリネーションの影
響が現れると、当然開口部の透過率は低下することにな
る。

【００１７】以上が簡易的な電極近傍の液晶のダイレク
タ分布の考察であるが、電界分布と液晶の配向方位の決
定は同時に起こる現象であり、解析的手法で詳細な考察
をするのは困難である。そこで、以下では数値計算の手
法により実際にダイレクタ分布を計算した。

【００１８】電極幅が４μmの場合と２μmの場合の各々
について液晶のダイレクタ分布と透過率を数値計算した
結果を図１９、２０にそれぞれ示す。図１９、２０の読
みとり方について以下説明する。上図（ａ）は液晶のダ
イレクタ分布を下図（ｂ）は液晶セルの透過率分布を表
している。上図（ａ）で四角で囲まれた領域は液晶が封
入されている部分であり、短い線分は液晶分子のダイレ
クタをｙ、ｚ平面に射影したものである。液晶層の上側
は、ＴＦＴ側基板、下側は対向側基板である。計算速度
の都合で共通電極、画素電極（電極と総称）は同層の形
状である。下図（ｂ）では、素子内電極付近の各位置で
の透過率の分布を数種の電極間電圧毎に描いたものであ
る。電極は長方形で描いてある。図１９、図２０で、以
下のことが分かる。

【００１９】電極幅２μmの場合には、ディスクリネー
ションが開口部に出現しており、その部位を中心に透過
率が低下している。電極幅４μmの場合には、ディスク
リネーションが電極上に隠れており、開口部での透過率
への影響は少ない。

【００２０】一般的に開口部にディスクリネーションが
発生すると透過率が低下するだけでなく、開口部にディ
スクリネーションが発生する場合にはディスクリネーシ
ョン形成の過渡状態が目に見えることによりユーザーの
目には残像として感じる。さらに面内でのディスクリネ
ーションの発生位置にばらつきがある場合には、面内で
の透過率不均一性、いわゆる表示ムラが発生する。

【００２１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は横電界駆動型
の液晶表示装置において、電極上のディスクリネーショ
ンの影響が開口部に出現する現象を抑制し、パネル透過
率の向上、残像、表示むらの低減を図ることを目的とす
る。

【００２２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は次のようである。 １ 第１の透明基板と、前記第１の透明基板上に延在す
る共通電極、走査信号線、並びに、ゲート絶縁膜を介し
てそれぞれ前記共通電極と平行にかつ相互に離隔して延
在する画素電極および信号線を有し、最上層が保護絶縁
膜により被覆され、マトリクス状に配置された複数個の
画素毎に設けられた電極構造およびアクティブ素子、前
記電極構造上に設けられラビング法による配向処理を施
された第１の配向膜とを備える第１の基板と、第２の透
明基板と、前記第２の透明基板上に遮光膜及び配向処理
を施された第２の配向膜を順次に備え、前記第１の基板
の第１の配向膜に前記第２の配向膜が対向させて設置さ
れ、かつ画素毎に少なくとも前記画素電極の一部を露出
する開口領域を前記遮光膜に有する第２の基板と、前記
第１の基板上の第１の配向巻くと前記第２の基板上の第
２の配向膜との間に収容された正の誘電率異方性を有す
る液晶組成物の層とを有する横電界駆動型のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置において、前記共電極と画素
電極の隣接して左右に存在する領域のうち液晶のダイレ
クタの第一の基板から液晶に向かう方向が前記共通電
極、画素電極に近づく方向である側の領域を他の領域と
比較した場合に実効的なパネルギャップを厚くしてなる
ことを特徴とする液晶表示装置。 ２ 前記、実効的なパネルギャップを厚くしてなる構造
が電極の長手方向と平行に延在するスリットをゲート絶
縁膜、保護絶縁膜の少なくとも一方に設けることである
上記１に記載の液晶表示装置。 ３ 前記、実効的なパネルギャップを厚くしてなる構造
が、スリットをゲート絶縁膜、保護絶縁膜の少なくとも
一方に部分的に設けることである上記１に記載の液晶表
示装置。 ４ 前記、実効的なパネルギャップを厚くしてなる構造
が、電極の長手方向と平行に延在するスリットを一部電
極とオーバーラップする形でゲート絶縁膜、保護絶縁膜
の少なくとも一方に設けることである上記記載１に記載
の液晶表示装置。 ５ 前記、実効的なパネルギャップを厚くする構造が、
電極の長手方向と平行に延在するスリットと一部電極と
オーバーラップする形でゲート絶縁膜、保護絶縁膜の少
なくとも一方に部分的に設けることである上記１に記載
の液晶表示装置。 ６ 前記第一の透明基板と、第２の透明基板が、ともに
ガラス基板であることを特徴とする上記１ないし５に記
載の液晶表示装置。 ７ 上記１に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
ゲート絶縁膜および保護絶縁膜の少なくとも一方に、電
極の長手方向に平行なスリットを少なくとも部分的に形
成することを特徴とする製造方法。 ８ 前記、スリットを、電極と一部オーバーラップする
形で形成することを特徴とする上記７に記載の製造方
法。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例により具体
的に説明をする。図示はＴＦＴ駆動のアクティブマトリ
クス型を代表として描いてあるが、横電界駆動型の液晶
表示装置であれば他の方式にも適用できる。また、以下
はラビング法によるプレチルト発現を代表して議論して
いるが、本発明はプレチルト角を光配向法、斜方蒸着法
などの手段により発現させたものに対しても適用でき、
発現手段は問わない。座標系は、ガラス基板平面上で電
極の長手方向にｘ軸、長手方向と垂直な方向にｙ軸、ガ
ラス基板と垂直なセル厚方向にｚ軸をとることにする。

【００２４】

【実施例】実施例１ 実施例１の構造を図を用いて説明する。平面図を図１
に、ｂ−ｂ’のＴＦＴ側基板の断面図を図２に示す。従
来技術との構造の違いは共通電極１０６、画素電極１０
４のラビング上流側の脇の保護絶縁膜あるいはゲート絶
縁膜に，電極に接し電極と平行な絶縁膜スリット２１０
が形成されている点である。その他の構成は従来技術と
同様である。

【００２５】電極近傍の電界および液晶の配向方向の模
式図を図３に示す。

【００２６】一般的にしきい値電圧はパネルギャップの
大きさの逆数に比例するため、絶縁膜スリット２１０が
形成されている部分では実効的なパネルギャップが大き
く、電界のｚ軸方向成分によるチルト角の増加、および
ｘ，ｙ方向の電界によるツイスト角の増加は、絶縁膜ス
リット２１０の無い部位と比較して大きくなる。このチ
ルト角、ツイスト角がラビング上流側で大きくなる効果
により、チルト角、ツイスト角が初期配向方位と変化し
ない部分、すなわち光が透過しない領域は従来技術と比
較して電極中央部に寄ることになる。ツイスト角分布の
従来技術との比較図を図４に示す。ただし、ラビング上
流側の電極近傍の束縛力をある値以上弱くすると、今度
はラビング下流側にディスクリネーションの影響が現れ
るため、スリット幅は適切に設定する必要がある。

【００２７】液晶シミュレーションにて、本発明の構造
でのダイレクタ分布、透過率分布を計算した結果を図５
に示す。図の読み方は、前述の図１９、２０と同様であ
る。ただし、計算速度の都合で電極は同層に形成してい
る。絶縁膜スリット２１０の形状はテーパー幅１μm、
平坦部１μm、深さ０．５μmである。

【００２８】従来技術と異なり、ディスクリネーション
が電極に隠れているため開口部での透過率も向上してい
る。動作の項で述べたように、リバースチルトのディス
クリネーションを電極上に留めるために、絶縁膜スリッ
ト２１０の形状は適切な大きさに設定する必要がある。
電極間スペース１０μm、電極幅２μmの場合に、絶縁膜
スリット２１０の深さを一定（＝０．５μm）、テーパ
ー幅も一定（１μm）にし、スリットの幅（テーパー幅
＋平坦部の幅）を変化させ開口部の平均の透過率を計算
した結果を図６示す。なお、電極間の電圧はピーク透過
率を与える電圧に設定してある。この場合では、スリッ
トの幅が３μmである場合が最適であることが分かる。

【００２９】実際に、図２（ａ）の断面形状の液晶パネ
ルを作成し透過率を測定して従来技術と比較しピーク透
過率が１０％向上したのが確認できた。ここで、各パラ
メータの値は電極幅２μm、電極間スペース１５μm、ス
リット幅４μm、スリットの深さ０．３μmである。ただ
し、コントラストに５％の低下が見られ、これは液晶の
初期配向が絶縁膜スリット２１０の段差で乱される影
響、及び絶縁膜スリット２１０の底で実質的にラビング
強度が低下しているために液晶の初期配向方位が従来技
術に比べ乱れ、黒表示での透過率が上がることが原因と
考えられる。

【００３０】実施例２ 図７に本発明実施例２の平面図を示す。実施例１との差
異は絶縁膜スリット２１０を電極脇に部分的に形成して
いる点であり、断面形状、その他構成は実施例１と同様
である。

【００３１】基本的な動作は実施例１と同様であるが、
部分的に設けてある絶縁膜スリット２１０で実施例１と
同様な効果を発生させ、他の部位にはネマチック液晶の
分子間相互作用（ダイレクタが同一方向を向こうとする
性質）を利用しスリット部での効果を波及させている。

【００３２】実際に平面形状が図７、断面形状が図２
（ａ）である液晶パネルを作成し透過率を測定すると従
来技術と比較しピーク透過率が３％程度向上した。ここ
で、各パラメータの値は電極幅２μm、電極間スペース
１５μm、スリット幅はｘ軸方向に４μm、ｙ軸方向に１
０μm、スリットの深さは０．３μmである。透過率の向
上値は実施例１と比較し低いがコントラストの低下が
０．５％以下に抑えられた。スリット面積が小さいため
スリット境界部、及びスリット底部での弱ラビングによ
る液晶の配向乱れが無視できるためと考えられる。

【００３３】実施例３ 本実施例３の構造を図を用いて説明する。平面図を図８
に、ｄ−ｄ’の断面図を図９に示す。

【００３４】従来技術との構造の違いは共通電極１０
６、画素電極１０４のラビング上流側の脇以外にも電極
上の一部の保護絶縁膜、あるいはゲート絶縁膜に絶縁膜
スリット２１０を形成している点である。その他の構成
は従来技術と同様である。実施例２と同様に部分的にス
リットを形成してもよい。

【００３５】基本的な動作は実施例１、２と同様であ
り、ラビング上流側の電極のエッジが配向膜と接してい
ることで実施例１、２の効果が強調される。本例の液晶
パネルの性能試験の結果実施例１、２と比較し同一のピ
ーク透過率が得られ、さらに高コントラスト（実施例
１、２比で３％の向上）が実現できた。ただし、電極幅
が２〜４μm程度であるためスリット形成の際にファイ
ンプロセスが要求される。

【００３６】

【発明の効果】本発明によれば横電界駆動型の液晶表示
装置において、画素電極または共通電極のラビング上流
側の領域に他領域と比較ししきい値電圧の低い部分を形
成することにより、電極上のディスクリネーションの影
響が開口部に出現する現象を抑制し、パネル透過率の向
上、残像、表示むらの低減を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１の単位画素の平面図である。

【図２】実施例１の構造の断面図である。

【図３】実施例１の電極近傍の電界とチルト角の関係を
示す模式図である。

【図４】実施例１の電極近傍の液晶のツイスト角の分布
を示す模式図である。

【図５】実施例１のダイレクタ分布および透過率分布を
計算した結果である。

【図６】実施例１の電極脇スリット幅とピーク透過率の
関係を計算した結果である。

【図７】実施例２の単位画素の平面図である。

【図８】実施例３の単位画素の平面図である。

【図９】実施例３の単位画素の断面図である。

【図１０】従来技術の単位画素の平面図であ。

【図１１】従来技術の構造の断面図である。

【図１２】一般的な透過型液晶表示装置の構成図であ
る。

【図１３】横電界駆動型の液晶表示装置の光学的動作を
示す模式図である。

【図１４】従来技術の動作（電圧輝度特性）を示す図で
ある。

【図１５】ラビング方向とプレチルト角の形成の関係を
示す模式図である。

【図１６】従来技術の電極近傍の液晶の立ち上がりの方
向を示す模式図である。

【図１７】従来技術の電極近傍の電位分布の模式図であ
る。

【図１８】従来技術の電極近傍の液晶のねじれ方向の配
向方位を示す模式図である。

【図１９】従来技術（電極幅４μm）のチルト角、透過
率分布を計算した結果を示す図である。

【図２０】従来技術（電極幅２μm）のチルト角、透過
率分布を計算した結果を示す図である。

【符号の説明】

１００：ＴＦＴ側基板 １０１：対向側ガラス基板 １０２：ＴＦＴ側ガラス基板 １０３：信号線 １０４：画素電極 １０６：共通電極 １０７：液晶 １１０：保護絶縁膜 １２０：ＴＦＴ側配向膜 １２２：対向側配向膜 １３０：ゲート絶縁膜 １４２：色層 １４３：対向側偏光板 １４５：ＴＦＴ側偏光板 ２００：対向側基板 ２０２：平坦化膜 ２０３：遮光膜 ２１０：絶縁膜スリット ３００：液晶表示パネル ３０２：スペーサ ３０３：液晶分子 ４００：バックライト ５００：駆動回路 ５０２：走査線 ５０３：薄膜トランジスタ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1343 G02F 1/1368

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の透明基板と、前記第１の透明基板
   上に延在する共通電極、走査信号線、並びに、ゲート絶
   縁膜を介してそれぞれ前記共通電極と平行にかつ相互に
   離隔して延在する画素電極及び映像信号線を有し、最上
   層が保護絶縁膜により被覆され、マトリクス状に配置さ
   れた複数個の画素毎に設けられた電極構造およびアクテ
   ィブ素子、前記電極構造上に設けられラビング法による
   配向処理を施された第１の配向膜とを備える第１の基板
   と、 第２の透明基板と、前記第２の透明基板上に遮光膜及び
   配向処理を施された第２の配向膜を順次に備え、前記第
   １の基板の第１の配向膜に前記第２の配向膜が対向させ
   て設置され、かつ画素毎に少なくとも前記画素電極の一
   部を露出する開口領域を前記遮光膜に有する第２の基板
   と、 前記第１の基板上の第１の配向膜と前記第２の基板上の
   第２の配向膜との間に収容された正の誘電率異方性を有
   する液晶組成物の層とを有する横電界駆動型のアクティ
   ブマトリクス型液晶表示装置において、前記共通電極と
   画素電極の隣接して左右に存在する領域のうち、液晶の
   ダイレクタの第一の基板から液晶に向かう方向が前記共
   通電極、画素電極に近づく方向である側の領域を他の領
   域と比較した場合に、実効的なパネルギャップを厚くし
   てなることを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記、実効的なパネルギャップを厚くし
   てなる構造が、電極の長手方向と平行に延在するスリッ
   トをゲート絶縁膜、保護絶縁膜の少なくとも一方に設け
   ることである請求項１記載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記、実効的なパネルギャップを厚くし
   てなる構造が、スリットをゲート絶縁膜、保護絶縁膜の
   少なくとも一方に部分的に設けることである請求項１記
   載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 前記、実効的なパネルギャップを厚くし
   てなる構造が、電極の長手方向と平行に延在するスリッ
   トを一部電極とオーバーラップする形でゲート絶縁膜、
   保護絶縁膜の少なくとも一方に設けることである請求項
   １記載の液晶表示装置。
5. 【請求項５】 前記、実効的なパネルギャップを厚くす
   る構造が、電極の長手方向と平行に延在するスリットを
   一部電極とオーバーラップする形でゲート絶縁膜、保護
   絶縁膜の少なくとも一方に部分的に設けることである請
   求項１記載の液晶表示装置。
6. 【請求項６】 前記第１の透明基板と、第２の透明基板
   が、ともにガラス基板であることを特徴とする請求項１
   ないし５記載の液晶表示装置。
7. 【請求項７】 請求項１に記載の液晶表示装置の製造方
   法であって、ゲート絶縁膜および保護絶縁膜の少なくと
   も一方に、電極の長手方向に平行なスリットを少なくと
   も部分的に形成することを特徴とする該製造方法。
8. 【請求項８】 前記スリットを、電極と一部オーバーラ
   ップする形で形成することを特徴とする請求項７に記載
   の製造方法。