JP2871245B2 - 液晶表示パネル - Google Patents
液晶表示パネルInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非線形抵抗素子を用い
た薄膜二端子素子型アクティブマトクス液晶表示パネル
に関する。
た薄膜二端子素子型アクティブマトクス液晶表示パネル
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＣＤの各画素にスイッチング画素を直
列に配置したアクティブマトリクスＬＣＤはその表示容
量の大きさ、応答速度の速さ、コントラストの高さから
急激な進歩がみられる。これまでに発表されたアクティ
ブマトリクスＬＣＤの試作品のスイッチング素子には、
アモルファスＳｉやポリＳｉを半導体材料とした薄膜ト
ランジスタ素子（ＴＦＴ）が多く用いられている。また
一方では、製造及び構造が比較的簡単であるため、製造
工程が簡略化でき、高歩留り、低コスト化が期待される
薄膜二端子素子（以下ＴＦＤと略す）を用いたアクティ
ブマトリクスも注目されている。このＴＦＤは回路的に
は非線形抵抗素子である。
列に配置したアクティブマトリクスＬＣＤはその表示容
量の大きさ、応答速度の速さ、コントラストの高さから
急激な進歩がみられる。これまでに発表されたアクティ
ブマトリクスＬＣＤの試作品のスイッチング素子には、
アモルファスＳｉやポリＳｉを半導体材料とした薄膜ト
ランジスタ素子（ＴＦＴ）が多く用いられている。また
一方では、製造及び構造が比較的簡単であるため、製造
工程が簡略化でき、高歩留り、低コスト化が期待される
薄膜二端子素子（以下ＴＦＤと略す）を用いたアクティ
ブマトリクスも注目されている。このＴＦＤは回路的に
は非線形抵抗素子である。
【０００３】このような薄膜二端素子型アクティブマト
リクスＬＣＤ（以下ＴＦＤ−ＬＣＤと略す）において一
番実用化に近いと考えられているＬＣＤはＴＦＤに金属
−非線形抵抗体−金属構造を有する素子（以下ＭＩＭ素
子またはＭＩＭと略す）を用いたＬＣＤ（以下ＭＩＭ−
ＬＣＤと略す）である。ＭＩＭのようなＴＦＤを液晶と
直列に接続することにより、ＴＦＤの電圧−電流特性の
高非線形により、ＴＦＤ−液晶の電圧−透過率変化特性
の立上がりは急峻になり、液晶表示素子の走査本数を大
幅に増やすことが可能になる。
リクスＬＣＤ（以下ＴＦＤ−ＬＣＤと略す）において一
番実用化に近いと考えられているＬＣＤはＴＦＤに金属
−非線形抵抗体−金属構造を有する素子（以下ＭＩＭ素
子またはＭＩＭと略す）を用いたＬＣＤ（以下ＭＩＭ−
ＬＣＤと略す）である。ＭＩＭのようなＴＦＤを液晶と
直列に接続することにより、ＴＦＤの電圧−電流特性の
高非線形により、ＴＦＤ−液晶の電圧−透過率変化特性
の立上がりは急峻になり、液晶表示素子の走査本数を大
幅に増やすことが可能になる。
【０００４】このようなＭＩＭを用いたＬＣＤの従来例
は、論文では、例えば、Ｄ．Ｒ．Ｂａｒａｆｆ，ｅｔ
ａｌ．， ”Ｔｈｅ Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ
Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ Ｎｏ
ｎ−ｌｉｎｅａｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ ｆｏｒ Ｕｓｅ
ｉｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｙｒ
ｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ ”ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．
ＥｌｅｃｔｏｒｏｎＤｅｖｉｃｅｓ， ｖｏｌ．ＥＤ−
２８，ｐｐ７３６−７３９（１９８１），及び、両角伸
治、他、著 ２５０×２４０画素のラテラルＭＩＭ−Ｌ
ＣＤ テレビジョン学会技術報告（ＩＰＤ８３−８），
ｐ３９−４４，１９８３年１２月発行）がある。
は、論文では、例えば、Ｄ．Ｒ．Ｂａｒａｆｆ，ｅｔ
ａｌ．， ”Ｔｈｅ Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ
Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ Ｎｏ
ｎ−ｌｉｎｅａｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ ｆｏｒ Ｕｓｅ
ｉｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｙｒ
ｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ ”ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．
ＥｌｅｃｔｏｒｏｎＤｅｖｉｃｅｓ， ｖｏｌ．ＥＤ−
２８，ｐｐ７３６−７３９（１９８１），及び、両角伸
治、他、著 ２５０×２４０画素のラテラルＭＩＭ−Ｌ
ＣＤ テレビジョン学会技術報告（ＩＰＤ８３−８），
ｐ３９−４４，１９８３年１２月発行）がある。
【０００５】また、誘電率の小さい窒化シリコンがＭＩ
Ｍ素子用非線形抵抗体として用いた文献が下記に示され
ている。例えば、Ｍ．Ｓｕｚｕｋｉ ｅｔ ａｌ ”Ａ
Ｎｅｗ Ａｃｔｉｖｅ Ｄｉｏｄｅ Ｍａｔｒｉｘ
ＬＣＤ ｕｓｉｎｇ Ｏｆｆ−ｓｔｏｉｃｈｉｏｍｅｔ
ｒｉｃ ＳｉＮｘ Ｌａｙａｒ” Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎ
ｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＳＩＤ，Ｖｏｌ．２８ ｐ１０１
−１０４，１９８７を参照。
Ｍ素子用非線形抵抗体として用いた文献が下記に示され
ている。例えば、Ｍ．Ｓｕｚｕｋｉ ｅｔ ａｌ ”Ａ
Ｎｅｗ Ａｃｔｉｖｅ Ｄｉｏｄｅ Ｍａｔｒｉｘ
ＬＣＤ ｕｓｉｎｇ Ｏｆｆ−ｓｔｏｉｃｈｉｏｍｅｔ
ｒｉｃ ＳｉＮｘ Ｌａｙａｒ” Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎ
ｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＳＩＤ，Ｖｏｌ．２８ ｐ１０１
−１０４，１９８７を参照。
【０００６】さらに、カラーＭＩＭ−ＬＣＤについての
文献では、例えば、Ｈ．Ａｒｕｇａｅｔａｌ ”Ａ １
０−ｉｎ．−Ｄｉａｇｏｎａｌ Ｆｕｌｌ−Ｃｏｌｏｒ
ＭＩＭ Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ ＬＣＤ” Ｐｒ
ｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ９ｔｈ ＩＤＲ
Ｃ，ｐ１６８−１７１，１９８９がある。
文献では、例えば、Ｈ．Ａｒｕｇａｅｔａｌ ”Ａ １
０−ｉｎ．−Ｄｉａｇｏｎａｌ Ｆｕｌｌ−Ｃｏｌｏｒ
ＭＩＭ Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ ＬＣＤ” Ｐｒ
ｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ９ｔｈ ＩＤＲ
Ｃ，ｐ１６８−１７１，１９８９がある。
【０００７】従来型のＴＦＤ−ＬＣＤの構造を次に示
す。ＴＦＤ−ＬＣＤの一部分の透視構造平面図を図７、
断面図を図８に示す。従来のＴＦＤ−ＬＣＤでは画素電
極５上の内側、数μｍまで遮光体１３が対向電極側に存
在している。
す。ＴＦＤ−ＬＣＤの一部分の透視構造平面図を図７、
断面図を図８に示す。従来のＴＦＤ−ＬＣＤでは画素電
極５上の内側、数μｍまで遮光体１３が対向電極側に存
在している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のＴＦＤ−ＬＣＤ
ではコントラストを高くするために遮光体を画素電極の
内側にまで設けていたため、画素の開口率を上げること
ができない。このためバックライトの輝度を下げること
ができず、消費電極を下げることができないという問題
がある。
ではコントラストを高くするために遮光体を画素電極の
内側にまで設けていたため、画素の開口率を上げること
ができない。このためバックライトの輝度を下げること
ができず、消費電極を下げることができないという問題
がある。
【０００９】本発明の目的は、高コントラストで高開口
率の液晶画素を作り、低消費電力の薄膜二端子素子型ア
クティブマトリクス液晶表示パネルを提供することにあ
る。
率の液晶画素を作り、低消費電力の薄膜二端子素子型ア
クティブマトリクス液晶表示パネルを提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】第１の発明によれば、非
線形抵抗素子を介してデータ電極と画素電極とが接続さ
れてなる下部基板と、前記画素電極と対応して対向透明
走査電極を設けた上部基板と、この上下部基板に挟まれ
た液晶とならなる液晶表示パネルにおいて、電圧無印加
状態で黒表示となるノーマリブラック表示を用い、か
つ、前記データ電極上と、前記画素電極と前記データ電
極間上、及び、前記非線形抵抗素子上と、前記画素電極
と前記非線形抵抗素子間上にのみ対向基板側に光を遮断
する遮光体を設けたことを特徴とする液晶表示パネルが
得られる。
線形抵抗素子を介してデータ電極と画素電極とが接続さ
れてなる下部基板と、前記画素電極と対応して対向透明
走査電極を設けた上部基板と、この上下部基板に挟まれ
た液晶とならなる液晶表示パネルにおいて、電圧無印加
状態で黒表示となるノーマリブラック表示を用い、か
つ、前記データ電極上と、前記画素電極と前記データ電
極間上、及び、前記非線形抵抗素子上と、前記画素電極
と前記非線形抵抗素子間上にのみ対向基板側に光を遮断
する遮光体を設けたことを特徴とする液晶表示パネルが
得られる。
【００１１】第２の発明によれば、非線形抵抗素子を介
して走査電極と画素電極とが接続されてなる下部基板
と、前記画素電極と対応して対向透明データ電極を設け
た上部基板と、この上下部基板に挟まれた液晶とならな
る液晶表示パネルにおいて、電圧無印加状態で黒表示と
なるノーマリブラック表示を用い、かつ、前記走査電極
上と、前記画素電極と前記走査電極間上、及び、前記非
線形抵抗素子上と、前記画素電極と前記非線形抵抗素子
間上にのみ対向基板側に光を遮断する遮光体を設けたこ
とを特徴とする液晶表示パネルが得られる。
して走査電極と画素電極とが接続されてなる下部基板
と、前記画素電極と対応して対向透明データ電極を設け
た上部基板と、この上下部基板に挟まれた液晶とならな
る液晶表示パネルにおいて、電圧無印加状態で黒表示と
なるノーマリブラック表示を用い、かつ、前記走査電極
上と、前記画素電極と前記走査電極間上、及び、前記非
線形抵抗素子上と、前記画素電極と前記非線形抵抗素子
間上にのみ対向基板側に光を遮断する遮光体を設けたこ
とを特徴とする液晶表示パネルが得られる。
【００１２】第３の発明によれば、非線形抵抗素子を介
してデータ電極と画素電極とが接続されてなる下部基板
と、前記画素電極と対応して対向透明走査電極を設けた
上部基板と、この上下部基板に挟まれた液晶とからなる
液晶表示パネルにおいて、電圧無印加状態で黒表示とな
るノーマリブラック表示を用い、かつ、前記画素電極上
以外のみ対向基板側に光を遮断する遮光体を設けたこと
を特徴とする液晶表示パネルが得られる。
してデータ電極と画素電極とが接続されてなる下部基板
と、前記画素電極と対応して対向透明走査電極を設けた
上部基板と、この上下部基板に挟まれた液晶とからなる
液晶表示パネルにおいて、電圧無印加状態で黒表示とな
るノーマリブラック表示を用い、かつ、前記画素電極上
以外のみ対向基板側に光を遮断する遮光体を設けたこと
を特徴とする液晶表示パネルが得られる。
【００１３】第４の発明によれば、非線形抵抗素子を介
して走査電極と画素電極とが接続されてなる下部基板
と、前記画素電極と対応して対向透明データ電極を設け
た上部基板と、この上下部基板に挟まれた液晶とからな
る液晶表示パネルにおいて、電圧無印加状態で黒表示と
なるノーマリブラック表示を用い、かつ、前記画素電極
上以外のみ対向基板側に光を遮断する遮光体を設けたこ
とを特徴とする液晶表示パネルが得られる。
して走査電極と画素電極とが接続されてなる下部基板
と、前記画素電極と対応して対向透明データ電極を設け
た上部基板と、この上下部基板に挟まれた液晶とからな
る液晶表示パネルにおいて、電圧無印加状態で黒表示と
なるノーマリブラック表示を用い、かつ、前記画素電極
上以外のみ対向基板側に光を遮断する遮光体を設けたこ
とを特徴とする液晶表示パネルが得られる。
【００１４】
【作用】本発明におけるカラー薄膜二端子素子型アクテ
ィブマトリクス液晶表示パネルを、従来の薄膜二端子素
子型アクティブマトリクス液晶表示パネルと比較し説明
する。
ィブマトリクス液晶表示パネルを、従来の薄膜二端子素
子型アクティブマトリクス液晶表示パネルと比較し説明
する。
【００１５】本発明を使用しない従来の薄膜二端子素子
型アクティブマトリクス液晶表示パネルの一部分の透視
平面図を図７、断面図を図８に示す。電圧を印加しない
状態で白表示となるノーマリホワイトモードでは、画素
電極５とデータ電極３の間や、画素電極５どうしの間の
ように電圧が常にかからない部分が光を常に透過してし
まい、黒表示の輝度が下がらずコントラストが低くな
る。この常に透過している光を遮光するために遮光体１
３である遮光体を図７のように設けている。図７におい
て画素電極５上にも遮光体がかかっているのは斜めから
の漏れ光を遮光するためである。このため画素の開口部
分が画素電極よりも狭い範囲となり、開口率を下げてい
る。
型アクティブマトリクス液晶表示パネルの一部分の透視
平面図を図７、断面図を図８に示す。電圧を印加しない
状態で白表示となるノーマリホワイトモードでは、画素
電極５とデータ電極３の間や、画素電極５どうしの間の
ように電圧が常にかからない部分が光を常に透過してし
まい、黒表示の輝度が下がらずコントラストが低くな
る。この常に透過している光を遮光するために遮光体１
３である遮光体を図７のように設けている。図７におい
て画素電極５上にも遮光体がかかっているのは斜めから
の漏れ光を遮光するためである。このため画素の開口部
分が画素電極よりも狭い範囲となり、開口率を下げてい
る。
【００１６】一方、第１の発明から第４の発明までの薄
膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示パネルの
一部分の透視平面図をそれぞれ図１，図３，図５，図６
に示し、断面図を図２，図４に示す。第１から第４の発
明ではともに電圧を印加しない状態で黒表示となるノー
マリブラックモードを使用しており、電圧が常にかから
ない、画素電極５とデータ電極３または走査電極１６の
間や、画素電極５どうしの間は常に光を通さない。しか
しデータ電極３と対向透明走査電極１０の交差部分、ま
たは、走査電極１６と対向透明データ電極１７の交差部
分だけは常に電圧が印加されており、光が透過すること
になる。また非線形抵抗素子１５は光感度があるため遮
光する必要がある。このため第１の発明ではデータ電極
３上と、画素電極５とデータ電極３間上、及び、非線形
抵抗素子１５上と、画素電極５と非線形抵抗素子１５間
上にのみ対向基板側に光を遮断する遮光体を設けた。第
２の発明では走査電極１６上と、画素電極５と走査電極
１６間上、及び、非線形抵抗素子１５上と、画素電極５
と非線形抵抗素子１５間上にのみ対向基板側に光を遮断
する遮光体１３を設けた。このとき斜めからの漏れ光は
画素電極５とデータ電極３または走査電極１６間上の遮
光体で遮光することができ、画素電極５上にまで遮光体
をかぶせる必要はない。したがって、画素電極５部分を
全て開口部分とすることができ開口率を高くすることが
できる。さらに第３の発明及び第４の発明では画素電極
５部分以外を全て遮光しており、ノーマリブラックで無
電圧印加部分の僅かな透過光をも遮断し、高コントラス
トを得ている。このように、本発明を用いると高開口率
の薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示パネ
ルを作製することができ、バックライトの消費電力を下
げることができる。
膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示パネルの
一部分の透視平面図をそれぞれ図１，図３，図５，図６
に示し、断面図を図２，図４に示す。第１から第４の発
明ではともに電圧を印加しない状態で黒表示となるノー
マリブラックモードを使用しており、電圧が常にかから
ない、画素電極５とデータ電極３または走査電極１６の
間や、画素電極５どうしの間は常に光を通さない。しか
しデータ電極３と対向透明走査電極１０の交差部分、ま
たは、走査電極１６と対向透明データ電極１７の交差部
分だけは常に電圧が印加されており、光が透過すること
になる。また非線形抵抗素子１５は光感度があるため遮
光する必要がある。このため第１の発明ではデータ電極
３上と、画素電極５とデータ電極３間上、及び、非線形
抵抗素子１５上と、画素電極５と非線形抵抗素子１５間
上にのみ対向基板側に光を遮断する遮光体を設けた。第
２の発明では走査電極１６上と、画素電極５と走査電極
１６間上、及び、非線形抵抗素子１５上と、画素電極５
と非線形抵抗素子１５間上にのみ対向基板側に光を遮断
する遮光体１３を設けた。このとき斜めからの漏れ光は
画素電極５とデータ電極３または走査電極１６間上の遮
光体で遮光することができ、画素電極５上にまで遮光体
をかぶせる必要はない。したがって、画素電極５部分を
全て開口部分とすることができ開口率を高くすることが
できる。さらに第３の発明及び第４の発明では画素電極
５部分以外を全て遮光しており、ノーマリブラックで無
電圧印加部分の僅かな透過光をも遮断し、高コントラス
トを得ている。このように、本発明を用いると高開口率
の薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示パネ
ルを作製することができ、バックライトの消費電力を下
げることができる。
【００１７】
【実施例】以下に本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１８】図１は、第１の発明により得られる薄膜二
端子素子型アクティブマトリクス液晶表示パネルの一部
分の透視平面図であり、図２はその断面図である。
端子素子型アクティブマトリクス液晶表示パネルの一部
分の透視平面図であり、図２はその断面図である。
【００１９】下部ガラス基板６には、下部電極としてＣ
ｒを３０ｎｍ〜６０ｎｍ程度の厚さにスパッタ法により
形成し、通常のフォトリソグラフィ法により、薄膜二端
子素子の下部電極となる非線形抵抗素子接続電極１が形
成される。次に非線形抵抗体２としてＳｉＨ4 ガスとＮ
2 ガスを用いてグロー放電分解法により窒化シリコン層
の非線形抵抗体２を８０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の厚さに
形成し、フォトリソグラフィ法によりパターン化する。
続いて上部電極としてＣｒをスパッタ法により１００ｎ
ｍ形成し、フォトリソグラフィ法によりパターン化し、
データ電極３及び画素接続電極４となる。画素電極５と
して酸化インジウム−スズ（通常ＩＴＯとよばれてい
る）をスパッタ法により３０ｎｍ〜５０ｎｍ程度の厚さ
に形成し、パターン化する。
ｒを３０ｎｍ〜６０ｎｍ程度の厚さにスパッタ法により
形成し、通常のフォトリソグラフィ法により、薄膜二端
子素子の下部電極となる非線形抵抗素子接続電極１が形
成される。次に非線形抵抗体２としてＳｉＨ4 ガスとＮ
2 ガスを用いてグロー放電分解法により窒化シリコン層
の非線形抵抗体２を８０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の厚さに
形成し、フォトリソグラフィ法によりパターン化する。
続いて上部電極としてＣｒをスパッタ法により１００ｎ
ｍ形成し、フォトリソグラフィ法によりパターン化し、
データ電極３及び画素接続電極４となる。画素電極５と
して酸化インジウム−スズ（通常ＩＴＯとよばれてい
る）をスパッタ法により３０ｎｍ〜５０ｎｍ程度の厚さ
に形成し、パターン化する。
【００２０】上部ガラス基板１４には、Ｃｒを１００ｎ
ｍ〜１５０ｎｍ程度の厚さに形成しパターン化し、デー
タ電極３上と、画素電極５とデータ電極３間上、及び、
非線形抵抗体１５上と、画素電極５と非線形抵抗素子１
５間上にのみに遮光体１３を形成する。この後、カラー
フィルタ１２を画素電極５に合わせて、通常の顔料分散
法や染色法等を用いて形成する。モノクロパネルではカ
ラーフィルタ１２は形成しない。オーバーコート材１１
を塗布した後、ＩＴＯ膜を形成、パターン化し、対向透
明走査電極１０とする。
ｍ〜１５０ｎｍ程度の厚さに形成しパターン化し、デー
タ電極３上と、画素電極５とデータ電極３間上、及び、
非線形抵抗体１５上と、画素電極５と非線形抵抗素子１
５間上にのみに遮光体１３を形成する。この後、カラー
フィルタ１２を画素電極５に合わせて、通常の顔料分散
法や染色法等を用いて形成する。モノクロパネルではカ
ラーフィルタ１２は形成しない。オーバーコート材１１
を塗布した後、ＩＴＯ膜を形成、パターン化し、対向透
明走査電極１０とする。
【００２１】下部ガラス基板６と上部ガラス基板１４と
は非線形抵抗素子１５面及び対向透明走査電極１０面に
配向膜７を形成して配向処理をほどこした後、前記配向
処理を施した面を向き合わせてガラスファイバ等のスペ
ーサを介して張合わされ、通常のエポキシ系接着剤によ
りシールする。セル厚は５μｍとする。その後ＴＮ型液
晶を注入し液晶層９とし、これを封止する。この張り合
わせたガラス基板の外側に偏光板８を偏光面が同じにな
るようにし、電圧無印加時に透過光が最小になるように
ガラスの両側に張り合わせて薄膜二端子素子型アクティ
ブマトリクス液晶表示パネルを完成する。これにより、
画素ピッチ３１２μｍのカラーパネルを作製したとこ
ろ、開口率は従来の５４％から７１％まで向上すること
ができた。
は非線形抵抗素子１５面及び対向透明走査電極１０面に
配向膜７を形成して配向処理をほどこした後、前記配向
処理を施した面を向き合わせてガラスファイバ等のスペ
ーサを介して張合わされ、通常のエポキシ系接着剤によ
りシールする。セル厚は５μｍとする。その後ＴＮ型液
晶を注入し液晶層９とし、これを封止する。この張り合
わせたガラス基板の外側に偏光板８を偏光面が同じにな
るようにし、電圧無印加時に透過光が最小になるように
ガラスの両側に張り合わせて薄膜二端子素子型アクティ
ブマトリクス液晶表示パネルを完成する。これにより、
画素ピッチ３１２μｍのカラーパネルを作製したとこ
ろ、開口率は従来の５４％から７１％まで向上すること
ができた。
【００２２】図３は、第２の発明により得られる薄膜二
端子素子型アクティブマトリクス液晶表示パネルの一部
分の透視平面図であり、図４はその断面図である。
端子素子型アクティブマトリクス液晶表示パネルの一部
分の透視平面図であり、図４はその断面図である。
【００２３】下部ガラス基板６には、下部電極としてＣ
ｒを３０ｎｍ〜６０ｎｍ程度の厚さにスパッタ法により
形成し、通常のフォトリソグラフィ法により、薄膜二端
子素子の下部電極となる非線形抵抗素子接続電極１が形
成される。次に非線形抵抗体２としてＳｉＨ4 ガスとＮ
2 ガスを用いてグロー放電分解法により窒化シリコン層
の非線形抵抗体２を８０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の厚さに
形成し、フォトリソグラフィ法によりパターン化する。
続いて上部電極としてＣｒをスパッタ法により１００ｎ
ｍの厚さに形成し、フォトリソグラフィ法によりパター
ン化し、走査電極１６となる。画素電極５として酸化イ
ンジウム−スズ（通常ＩＴＯとよばれている）をスパッ
タ法により３０ｎｍ〜５０ｎｍ程度の厚さに形成し、パ
ターン化する。
ｒを３０ｎｍ〜６０ｎｍ程度の厚さにスパッタ法により
形成し、通常のフォトリソグラフィ法により、薄膜二端
子素子の下部電極となる非線形抵抗素子接続電極１が形
成される。次に非線形抵抗体２としてＳｉＨ4 ガスとＮ
2 ガスを用いてグロー放電分解法により窒化シリコン層
の非線形抵抗体２を８０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の厚さに
形成し、フォトリソグラフィ法によりパターン化する。
続いて上部電極としてＣｒをスパッタ法により１００ｎ
ｍの厚さに形成し、フォトリソグラフィ法によりパター
ン化し、走査電極１６となる。画素電極５として酸化イ
ンジウム−スズ（通常ＩＴＯとよばれている）をスパッ
タ法により３０ｎｍ〜５０ｎｍ程度の厚さに形成し、パ
ターン化する。
【００２４】上部ガラス基板１４には、Ｃｒを１００ｎ
ｍ〜１５０ｎｍ程度の厚さに形成しパターン化し、走査
電極１６と、画素電極５と走査電極１６間上、及び、非
線形抵抗素子１５上と、画素電極５と非線形抵抗素子１
５間上にのみに遮光体１３を形成する。この後、カラー
フィルタ１２を画素電極５に合わせて、通常の顔料分散
法や染色法等を用いて形成する、モノクロパネルではこ
のカラーフィルタ１２は形成しない。オーバーコート材
１１を塗布した後、ＩＴＯ膜を形成、パターン化し、対
向透明データ電極１７とする。
ｍ〜１５０ｎｍ程度の厚さに形成しパターン化し、走査
電極１６と、画素電極５と走査電極１６間上、及び、非
線形抵抗素子１５上と、画素電極５と非線形抵抗素子１
５間上にのみに遮光体１３を形成する。この後、カラー
フィルタ１２を画素電極５に合わせて、通常の顔料分散
法や染色法等を用いて形成する、モノクロパネルではこ
のカラーフィルタ１２は形成しない。オーバーコート材
１１を塗布した後、ＩＴＯ膜を形成、パターン化し、対
向透明データ電極１７とする。
【００２５】下部ガラス基板６と上部ガラス基板１４と
は非線形抵抗素子１５面及び対向透明データ電極１７面
に配向処理をほどこした後、前記配向処理を施した面を
向き合わせてガラスファイバ等のスペーサを介して張合
わされ、通常のエポキシ系接着剤によりシールする。セ
ル厚は５μｍとする。その後ＴＮ型液晶を注入し液晶層
９とし、これを封止する。この張り合わせたガラス基板
の外側に偏光板８を偏光面が同じになるようにし、電圧
無印加時に透過光が最小になるようにガラスの両側に張
り合わせて薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶
表示パネルを完成する。これにより、画素ピッチ３１２
μｍのカラーパネルを作製したところ、開口率は７８％
まで向上することができた。
は非線形抵抗素子１５面及び対向透明データ電極１７面
に配向処理をほどこした後、前記配向処理を施した面を
向き合わせてガラスファイバ等のスペーサを介して張合
わされ、通常のエポキシ系接着剤によりシールする。セ
ル厚は５μｍとする。その後ＴＮ型液晶を注入し液晶層
９とし、これを封止する。この張り合わせたガラス基板
の外側に偏光板８を偏光面が同じになるようにし、電圧
無印加時に透過光が最小になるようにガラスの両側に張
り合わせて薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶
表示パネルを完成する。これにより、画素ピッチ３１２
μｍのカラーパネルを作製したところ、開口率は７８％
まで向上することができた。
【００２６】図５は、第３の発明により得られる薄膜二
端子素子型アクティブマトリクス液晶表示パネルの一部
分の透視平面図であり、図２はその断面図である。遮光
体１３を図５に示したように画素電極５上以外すべてに
形成した以外は実施例１と同様に試作した。これによ
り、画素ピッチ３１２μｍのカラーパネルを作製したと
ころ、開口率は７１％まで向上することができた。
端子素子型アクティブマトリクス液晶表示パネルの一部
分の透視平面図であり、図２はその断面図である。遮光
体１３を図５に示したように画素電極５上以外すべてに
形成した以外は実施例１と同様に試作した。これによ
り、画素ピッチ３１２μｍのカラーパネルを作製したと
ころ、開口率は７１％まで向上することができた。
【００２７】図６は、第４の発明により得られる薄膜二
端子素子型アクティブマトリクス液晶表示パネルの一部
分の透視平面図であり、図４はその断面図である。遮光
体１３を図６に示したように画素電極５上以外すべてに
形成した以外は実施例２と同様に試作した。これによ
り、画素ピッチ３１２μｍのカラーパネルを作製したと
ころ、開口率は７１％まで向上することができた。
端子素子型アクティブマトリクス液晶表示パネルの一部
分の透視平面図であり、図４はその断面図である。遮光
体１３を図６に示したように画素電極５上以外すべてに
形成した以外は実施例２と同様に試作した。これによ
り、画素ピッチ３１２μｍのカラーパネルを作製したと
ころ、開口率は７１％まで向上することができた。
【００２８】実施例では非線形抵抗体を窒化シリコンに
限ったが、この他シリコンカーバイド、酸化シリコン、
窒化タンタルなどでも同様な効果が得られた。
限ったが、この他シリコンカーバイド、酸化シリコン、
窒化タンタルなどでも同様な効果が得られた。
【００２９】
【発明の効果】本発明を適用するならば１画素の開口率
を上げることができ、高コントラストで低消費電力のデ
ィスプレイを実現することができる。
を上げることができ、高コントラストで低消費電力のデ
ィスプレイを実現することができる。
【図１】第１の発明の薄膜二端子素子型アクティブマト
リクス液晶パネルの一部の透過平面図である。
リクス液晶パネルの一部の透過平面図である。
【図２】第１及び第３の発明の薄膜二端子素子型アクテ
ィブマトリクス液晶パネルの一部の断面図である。
ィブマトリクス液晶パネルの一部の断面図である。
【図３】第２の発明の薄膜二端子素子型アクティブマト
リクス液晶パネルの一部の透過平面図である。
リクス液晶パネルの一部の透過平面図である。
【図４】第２及び第４の発明の薄膜二端子素子型アクテ
ィブマトリクス液晶パネルの一部の断面図である。
ィブマトリクス液晶パネルの一部の断面図である。
【図５】第３の発明の薄膜二端子素子型アクティブマト
リクス液晶パネルの一部の透過平面図である。
リクス液晶パネルの一部の透過平面図である。
【図６】第４の発明の薄膜二端子素子型アクティブマト
リクス液晶パネルの一部の透過平面図である。
リクス液晶パネルの一部の透過平面図である。
【図７】従来の薄膜二端子素子型アクティブマトリクス
液晶パネルの一部の透過平面図である。
液晶パネルの一部の透過平面図である。
【図８】従来の薄膜二端子素子型アクティブマトリクス
液晶パネルの一部の断面図である。
液晶パネルの一部の断面図である。
１ 非線形抵抗素子接続電極 ２ 非線形抵抗体 ３ データ電極 ４ 画素接続電極 ５ 画素電極 ６ 下部ガラス基板 ７ 配向膜 ８ 偏光板 ９ 液晶層 １０ 対向透明走査電極 １１ オーバーコート材 １２ カラーフィルタ １３ 遮光体 １４ 上部ガラス基板 １５ 非線形抵抗素子 １６ 走査電極 １７ 対向透明データ電極
Claims (2)
- 【請求項１】 非線形抵抗素子を介してデータ電極と画
素電極とが接続されてなる下部基板と、前記画素電極と
対応して対向透明走査電極を設けた上部基板と、この上
下部基板に挟まれた液晶とからなる液晶表示パネルにお
いて、電圧無印加状態で黒表示となるノーマリブラック
表示を用い、かつ、前記データ電極上と、前記画素電極
と前記データ電極間上、及び、前記非線形抵抗素子上
と、前記画素電極と前記非線形抵抗素子間上にのみ対向
基板側に光を遮断する遮光体を設けたことを特徴とする
液晶表示パネル。 - 【請求項２】 非線形抵抗素子を介して走査電極と画素
電極とが接続されてなる下部基板と、前記画素電極と対
応して対向透明データ電極を設けた上部基板と、この上
下部基板に挟まれた液晶とならなる液晶表示パネルにお
いて、電圧無印加状態で黒表示となるノーマリブラック
表示を用い、かつ、前記走査電極上と、前記画素電極と
前記走査電極間上、及び、前記非線形抵抗素子上と、前
記画素電極と前記非線形抵抗素子間上にのみ対向基板側
に光を遮断する遮光体を設けたことを特徴とする液晶表
示パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31586291A JP2871245B2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 液晶表示パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31586291A JP2871245B2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 液晶表示パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05224240A JPH05224240A (ja) | 1993-09-03 |
| JP2871245B2 true JP2871245B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=18070489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31586291A Expired - Lifetime JP2871245B2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 液晶表示パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2871245B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3685869B2 (ja) * | 1996-05-08 | 2005-08-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01147524A (ja) * | 1987-12-04 | 1989-06-09 | Seiko Instr & Electron Ltd | 電気光学装置 |
| JP2828990B2 (ja) * | 1988-04-19 | 1998-11-25 | 株式会社東芝 | 液晶表示素子 |
| JPH02201317A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-09 | Fuji Electric Co Ltd | 表示装置 |
| JP2713475B2 (ja) * | 1989-10-13 | 1998-02-16 | 松下電器産業株式会社 | ２端子アクティブマトリクス基板の製造方法 |
-
1991
- 1991-11-29 JP JP31586291A patent/JP2871245B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05224240A (ja) | 1993-09-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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