JP2003005185A - 液晶表示素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は文字・画像表示やシャッタ−などに
使用される液晶表示素子及びその製造方法に関するもの
で、良好な配向と良好なコントラスト特性を両立すると
共に工程の簡略化と材料費の低減を提供することを目的
とする。 【解決手段】 一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶
表示素子において、同一基板上に配向を制御する突起物
と光を遮光する遮光層が形成されており、前記突起物と
前記遮光層を同一材料で形成することにより、良好な配
向と良好なコントラスト特性を両立すると共に工程の簡
略化と材料費の低減を提供することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は文字・画像表示やシ
ャッタ−などに使用される液晶表示素子及びその製造方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示素子は薄型化、軽量化、低電圧
駆動可能などの長所により腕時計、電子卓上計算機、パ
−ソナルコンピュ−タ−、パ−ソナルワ−ドプロセッサ
−などに利用されている。

【０００３】液晶表示素子には通常マトリクス状に遮光
層（ブラックマトリクス）が形成されている。これはソ
−スラインやゲ−トラインと画素電極の間の横電界など
による配向不良を隠し、コントラストを向上することが
主な目的である。

【０００４】また液晶の種類によっては液晶の配向を制
御するために表示領域内に規則的に配置された突起物を
形成する構成が開示されている（特開平１０−２０２８
４、特開平１１−２４２２２５、特開２０００−３０５
０８６、特開２０００−０８１６２３、特開２０００−
３２１５７８）。

【０００５】例えば垂直配向（ＶＡ：Vertical Alignme
nt）モ−ドでは配向を制御する突起物を形成し、初期配
向における液晶分子を少し傾斜させておく方法が開示さ
れている（特開平１１−２４２２２５あるいは特開平２
０００−３０５０８６）。

【０００６】またＯＣＢ（Optically self-Compensated
Birefringence）モ−ドでは配向を制御する突起物を
形成し、スプレイ状態からベンド状態への転移を容易に
させる方法が開示されている（特開平１０−２０２８
４）。このように種々の液晶表示素子において突起物を
形成し、配向を制御させる方法が提案されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の方
法では光を遮光する遮光層と配向を制御する突起物は別
々の工程、別々の材料で形成されていた。

【０００８】本発明は前記従来課題を考慮してなされた
ものであって、工程の簡略化と材料費の低減を提供する
と共にコントラストが高く、配向が良好な液晶表示素子
を得ることを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに本発明は、一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶
表示素子において、同一基板上に配向を制御する突起物
と光を遮光する遮光層が形成されており、突起物と遮光
層は同一材料で形成されていることを特徴としている。

【００１０】前記構成にすることにより、配向を制御す
る突起物により良好な配向を形成し、遮光層により良好
なントラストの液晶表示素子を得ることができる。

【００１１】またこの突起物を同一工程で形成するこ
と、あるいは突起物を光の透過率を部分的に異ならすグ
レ−ト−ン露光により形成すること、あるいは突起物が
絶縁膜あるいは金属により形成されていること、あるい
は遮光層がスイッチング素子の上に形成されていること
を特徴としている。このように規制することにより、工
程の簡略化と材料費の低減を図ることができる。

【００１２】また本発明による液晶表示素子の製造方法
は、同一基板上に光の透過率が部分的に異なるグレ−ト
−ン露光により光を遮光する遮光層と配向を制御する突
起物を形成し、他方の基板と貼り合わせた後、液晶を注
入し、注入口を封口することを特徴としている。

【００１３】このような構成にすることにより、配向を
制御する突起物により良好な配向を形成し、遮光層によ
り良好なントラストの液晶表示素子を得ることができる
と共に工程の簡略化と材料費の低減を図ることができ
る。

【００１４】また本発明による他の製造方法は、一方の
基板上に光の透過率が部分的に異なるグレ−ト−ン露光
により光を遮光する遮光層と配向を制御する突起物を形
成し、一方あるいは他方の基板上に液晶を形成した後、
他方の基板と貼り合わせることを特徴としている。

【００１５】このような構成にすることにより、さらな
る工程の簡略化と材料費の低減を図ることができる。

【００１６】また本発明による他の製造方法は、同一基
板上に同一材料の絶縁膜により光を遮光する遮光層と配
向を制御する突起物を形成し、他方の基板と貼り合わせ
た後、液晶を注入し、注入口を封口することを特徴とし
ている。

【００１７】このような構成にすることにより、配向を
制御する突起物により良好な配向を形成し、遮光層によ
り良好なントラストの液晶表示素子を得ることができる
と共に工程の簡略化と材料費の低減を図ることができ
る。

【００１８】また本発明による他の製造方法は、一方の
基板上に同一材料の絶縁膜により光を遮光する遮光層と
配向を制御する突起物を形成し、一方あるいは他方の基
板上に液晶を形成した後、他方の基板と貼り合わせるこ
とを特徴としている。

【００１９】このような構成にすることにより、さらな
る工程の簡略化と材料費の低減を図ることができる。

【００２０】また本発明による他の製造方法は、同一基
板上に金属により光を遮光する遮光層と配向を制御する
突起物を形成し、他方の基板と貼り合わせた後、液晶を
注入し、注入口を封口することを特徴としている。

【００２１】このような構成にすることにより、配向を
制御する突起物により良好な配向を形成し、遮光層によ
り良好なントラストの液晶表示素子を得ることができる
と共に工程の簡略化と材料費の低減を図ることができ
る。

【００２２】また本発明による他の製造方法は、一方の
基板上に金属により光を遮光する遮光層と配向を制御す
る突起物を形成し、一方あるいは他方の基板上に液晶を
形成した後、他方の基板と貼り合わせることを特徴とし
ている。

【００２３】このような構成にすることにより、さらな
る工程の簡略化と材料費の低減を図ることができる。

【００２４】また本発明は液晶表示素子がフィ−ルドシ
−ケンシャル方式であることを特徴としている。このよ
うに規制することにより、カラ−フィルタ−が不用なの
で、さらなる工程の簡略化と材料費の低減を図ることが
できる。またフィ−ルドシ−ケンシャル方式はカラ−フ
ィルタ−（着色層）がないためにアレイ基板製造工程あ
るいは対向基板製造工程において遮光層の作製を最終工
程あるいは最終工程に近い工程にすることが容易にな
る。そのために遮光層と突起物の作製がカラ−フィルタ
−付きのパネルに比べて容易になる。

【００２５】また本発明は配向を制御する１画素に一定
数の割合で形成されていることを特徴としている。この
ように規制することにより確実な配向制御を行うことが
できる。

【００２６】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１に本発明に
よる液晶表示素子の構造法を示す。

【００２７】図１ａ）はアレイ基板の上面図、図２は遮
光層を形成した後の上面図を示している。

【００２８】以下図１、２に示す液晶表示素子の実施例
を説明する。

【００２９】アレイ基板として、ガラス基板１上に金属
配線として映像信号線（ソ−スライン）１０と走査信号
線（ゲ−トライン）１１をマトリクス状に形成し、その
交点に能動素子（スイッチング素子）１２として半導体
層（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を形成する。前
記能動素子に接続するように画素電極１３を透明導電膜
（ＩＴＯ：酸化インジュ−ム−酸化スズ）により形成す
る。

【００３０】この上に光を遮光する遮光層７と配向を制
御する突起物３０を形成する。

【００３１】突起物３０の形成場所は画素の表示部に邪
魔にならない場所に形成する。

【００３２】突起物３０及び遮光層７はグレ−ト−ン露
光により形成する。

【００３３】図３を用いてグレ−ト−ン露光について説
明する。

【００３４】基板２上に黒色に着色された感光性アクリ
ル樹脂２４をスピンコ−トにより塗布した後、８０℃で
１分間プリベ−クを行う（図３ｂ）。

【００３５】次に透過率がａ、ｂ、ｃで異なるフォトマ
スク２５を通して光を照射することで露光し、感光性ア
クリル樹脂を感光させる（図３ｃ））。

【００３６】その後現像液にて２５℃で１分間現像を行
い、流水で洗浄後、２２０℃１時間でポストベ−クを行
う（図３ｄ））。

【００３７】通常の露光方法では光が透過する箇所と透
過しない箇所で、感光性アクリル樹脂が存在する箇所と
存在しない箇所の２箇所が生じるだけであるが、グレ−
ト−ン露光として図３ｃ）に示すように透過率を変えた
フォトマスクを使用することにより図３ｄ）に示すよう
に感光性アクリル樹脂の高さを変えることができる。す
なわち感光性アクリル樹脂のない部分Ａと感光性アクリ
ル樹脂が少し残る部分Ｂと感光性アクリル樹脂が多く残
る部分Ｃの３箇所を作製することができる。フォトマス
クの透過率をさらに細かく分割すれば、さらに多くの高
さの異なる感光性アクリル樹脂を作製することができ
る。

【００３８】このようにして遮光層７と突起物３０を作
製する。

【００３９】遮光層７は図１、２に示すように画素の周
辺に形成する。すなわち、画素電極１３の内部の領域２
２を残してそれ以外の部分を遮光層７で埋める。

【００４０】突起物３０は配向を制御するために２．０
μｍの高さで、１画素につき一定数の割合で作製する。
図１では１画素につき１個の割合で形成している。

【００４１】突起物の断面形状は台形形状とする（図
１）。台形状にすることにより、安定した突起物が形成
でき、良好な配向特性を得ることができる。

【００４２】その後ガラス基板１、２上に配向膜６とし
てＡＬ５４１７（ＪＳＲ製）を印刷法により形成し、２
００℃で１時間熱硬化する。

【００４３】その後基板１、２にラビング処理を施す。
ラビングの方向は基板１と基板２で同一方向になるよう
にする。

【００４４】次にガラス基板２上の縁部にシ−ル樹脂８
（ストラクトボンドＸＮ−２１−Ｓ：三井東圧製）を印
刷する。

【００４５】またアレイ基板１と対向基板２との導通を
とるために基板端に導電ペ−スト１６を塗布しておく。

【００４６】その後基板１及び対向基板２を貼り合わ
せ、１５０℃で２時間加熱することでシ−ル樹脂８を硬
化させる（図４ｂ））。

【００４７】以上のようにして作製した空パネルに液晶
（ＭＴ５０８７：チッソ社製）を真空注入法（空パネル
を減圧した槽内に設置し、パネル内を真空にした後、注
入口を液晶に接触させ、槽内を常圧に戻すことにより、
液晶をパネル内に注入する方法）にて注入する（図４
ｃ））。

【００４８】その後、液晶パネルの注入口に封口樹脂１
５として光硬化性樹脂（ロックタイト３５２Ａ：日本ロ
ックタイト製）を注入口全体に塗布し、光を１０ｍＷ／
ｃｍ ²で５分間照射して封口樹脂を硬化する（図４
ｄ））。

【００４９】このようにして作製した液晶表示素子の上
下（ガラス基板の外側）に偏光板（ＮＰＦ−ＨＥＧ１４
２５ＤＵ：日東電工製）を貼付（図示せず）して液晶表
示素子が完成する。

【００５０】ラビング方向を上下基板で同一方向にして
いることにより、電圧印加前は液晶分子は上下方向で同
方向に配向している（スプレイ配向：図５ａ））。

【００５１】このパネルにＤＣ電圧を印加することによ
りパネル中央の液晶分子を曲がった状態にし（ベンド状
態：図５ｂ））、その後駆動させる（図５ｃ））。

【００５２】突起物３０を形成しておくことにより、突
起物３０により異なる方位角をもった液晶分子がぶつか
る領域ができ、このことにより、スプレイ配向からベン
ド配向になりやすくなる。

【００５３】比較例として図６に示すように突起物３０
を形成しない液晶表示素子を作製した。本発明と比較例
を比べると、１５Ｖを印加した際に本発明ではスプレイ
状態からベンド状態に転移するのに１分かかったが、比
較例では１０分かかり、それでも転移しない箇所が残っ
た。

【００５４】すなわち突起物３０によりスプレイ配向か
らベンド配向への転移が起こりやすくなり、良好なベン
ド配向を得ることができる。

【００５５】このような液晶モ−ドはＯＣＢ（Opticall
y self−Compensated Birefringence）方式と呼ばれ
ており、高速応答が可能である。

【００５６】このような高速液晶を用いることにより、
フィ−ルドシ−ケンシャル方式が可能となる。フィ−ル
ドシ−ケンシャル方式は１画素で３色の画像を順次表示
する方式である（液晶ディスプレイ技術ｐ５０、産業図
書）。

【００５７】フィ−ルドシ−ケンシャル方式はカラ−フ
ィルタ−が不要なので、遮光層と配向を制御する突起物
を容易に形成できる。

【００５８】本発明のようにして液晶表示素子を形成す
ることにより、配向を制御する突起物３０と光を遮光す
る遮光層７を同時に形成することができるので、良好な
配向と良好なコントラストが得られると共に工程の簡略
化と材料費の低減を図ることができる。

【００５９】また本実施例ではアレイ基板１側に遮光層
７と突起物３０を形成したが、図７、図８のように対向
基板２側に形成しても良い。

【００６０】また本発明ではカラ−フィルタ−を形成し
ない場合を示したが、カラ−フィルタ−を形成しても良
く、また液晶モ−ドもフィ−ルドシ−ケンシャル方式や
ＯＣＢ液晶でなくても良い。

【００６１】（実施の形態２）実施の形態１では液晶を
注入する方法として空パネルを作製した後に液晶を注入
した（真空注入法）が、本発明では一方の基板上に液晶
を形成した後に他方の基板と貼り合わせる。

【００６２】図９は本発明による液晶表示素子の製造方
法を示す上面図である。

【００６３】対向基板２及びアレイ基板１は実施の形態
１と同様の方法で作製する（図９ａ））。次にどちらか
一方の基板にシ−ル樹脂８を形成し、基板間の導通をと
るために基板端に導電ペ−スト１６を形成しておく。た
だしシ−ル樹脂は熱硬化性樹脂ではなく、光硬化性樹脂
を用いる。またシ−ルには注入口は必要ない。

【００６４】次にアレイ基板１あるいは対向基板２のど
ちらか一方の基板（図９では対向基板２）に液晶２３を
基板間に含まれる量だけ滴下する（図９ｂ））。その後
基板１及び対向基板２を低真空中で貼り合わせ、シ−ル
樹脂にＵＶ光を１５００ｍＪ照射してシ−ル樹脂を硬化
させる。その後１００℃で１時間熱処理を行い、滴下さ
れた液晶がパネルの隅々まで広がるようにする（図９
ｃ））。

【００６５】このようにして作製した液晶表示素子の上
下（ガラス基板の外側）に偏光板（ＮＰＦ−ＨＥＧ１４
２５ＤＵ：日東電工製）を貼付（図示せず）して液晶表
示素子が完成する。

【００６６】本発明のようにして液晶表示素子を形成す
ることにより、配向を制御する突起物３０と光を遮光す
る遮光層７を同時に形成することができるので、良好な
配向と良好なコントラスト特性を両立すると共に工程の
簡略化と材料費の低減を図ることができる。

【００６７】また本発明のように液晶を滴下して液晶表
示素子を作製することにより、真空注入法に比べて更に
工程の簡略化を図ることができる。

【００６８】また真空注入に比べて液晶パネル（空パネ
ル）を真空に引く時間が少なくてすむので大型基板でも
作製が容易になる。また真空注入では無駄になる液晶が
多いが、本発明では液晶の量がパネル内に封入される量
程度ですむので、無駄になる液晶がほとんどない。

【００６９】（実施の形態３）実施の形態１ではグレ−
ト−ン露光により遮光層７と突起物３０を形成したが、
本発明ではインクジェット法により絶縁膜層を形成する
ことにより遮光層７と突起物３０を形成した。

【００７０】本発明のようにして液晶表示素子を形成す
ることにより、遮光層７と配向を制御する突起物を同工
程で形成することができるので、良好なコントラストと
良好な配向特性を両立すると共に工程の簡略化と材料費
の低減を図ることができる。

【００７１】（実施の形態４）実施の形態３では液晶を
注入する方法として空パネルを作製した後に液晶を注入
した（真空注入法）が、本発明では実施の形態２と同様
に一方の基板上に液晶を形成した後に他方の基板と貼り
合わせる方法で液晶表示素子を作製する。その他は実施
の形態３と同様である。

【００７２】本発明のようにして液晶表示素子を形成す
ることにより、遮光層７と配向を制御する突起物３０を
同工程で形成することができるので、良好なコントラス
トと良好な配向を両立すると共に工程の簡略化と材料費
の低減を図ることができる。また本発明のように液晶を
滴下して液晶表示素子を作製することにより、真空注入
法に比べて更に工程の簡略化を図ることができる。

【００７３】また真空注入法に比べて液晶パネル（空パ
ネル）を真空に引く時間が少なくてすむので大型基板で
も作製が容易になる。また真空注入では無駄になる液晶
が多いが、本発明では液晶の量がパネル内に封入される
量程度ですむので、無駄になる液晶がほとんどない。

【００７４】（実施の形態５）実施の形態１ではグレ−
ト−ン露光により遮光層７と突起物３０を形成したが、
本発明では金属を積層することにより遮光層７と突起物
３０を形成した。

【００７５】金属を積層した上に樹脂を形成して上下基
板間のショ−トを防ぐようにする。

【００７６】本発明のようにして液晶表示素子を形成す
ることにより、遮光層７と配向を制御する突起物を同工
程で形成することができるので、良好なコントラストと
良好な配向を両立すると共に工程の簡略化と材料費の低
減を図ることができる。

【００７７】アレイが形成される基板１側はＡｌあるい
はＣｒなどの配線金属が使用されているので、それらの
金属により突起物や遮光層を形成することができる。

【００７８】（実施の形態６）実施の形態５では液晶を
注入する方法として空パネルを作製した後に液晶を注入
した（真空注入法）が、本発明では実施の形態２と同様
に一方の基板上に液晶を形成した後に他方の基板と貼り
合わせる方法で液晶表示素子を作製する。その他は実施
の形態５と同様である。

【００７９】本発明のようにして液晶表示素子を形成す
ることにより、遮光層７と配向を制御する突起物３０を
同工程で形成することができるので、良好なコントラス
トと良好な配向を両立すると共に工程の簡略化と材料費
の低減を図ることができる。また本発明のように液晶を
滴下して液晶表示素子を作製することにより、真空注入
法に比べて更に工程の簡略化、材料費の低減を図ること
ができる。

【００８０】また本実施例では両基板をガラス基板で形
成したが、一方あるいは両方の基板をフィルムやプラス
チックなどで形成しても良い。

【００８１】また絶縁膜あるいは配向膜として着色され
たものを用いても良い。

【００８２】また配向方法としてラビングを用いない配
向（例えば光により配向させる方法）でも可能である。

【００８３】また液晶モ−ドもＯＣＢ方式に限らず、Ｔ
Ｎ（ツイストネマティック）液晶、ＩＰＳ（In−Plane
−Switching）液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶、
垂直配向（ＶＡ）液晶、高分子分散型液晶、ゲストホス
ト型液晶など、どのような種類、方式でも良い。

【００８４】また本発明では能動素子として３端子素子
のＴＦＴを用いたが、２端子素子のＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ
−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）、ＺnＯバリスタ
やＳiＮxダイオ−ド、ａ-Ｓiダイオ−ドなどでも良く、
また能動素子が形成されていないＴＮやＳＴＮなどのパ
ッシブ型のパネルでも良い。

【００８５】また本実施例では液晶表示素子を例にと
り、説明したが、プラズマアドレス式液晶ディスプレイ
などに利用される遮光層に適用することも可能である。

【００８６】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、一対の基
板間に液晶を挟持してなる液晶表示素子において、同一
基板上に配向を制御する突起物と光を遮光する遮光層が
形成されており、前記突起物と前記遮光層は同一材料で
形成されていることにより、良好な配向と良好なコント
ラストを両立すると共に工程の簡略化と材料費の低減を
図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ａ）本実施の形態１における液晶表示素子の画
素部の構造を模式的に示す上面図 ｂ）本実施の形態１における液晶表示素子の画素部の構
造を模式的に示す断面図

【図２】本実施の形態１における液晶表示素子の遮光層
を形成した後の構造を模式的に示す上面図

【図３】本実施の形態１におけるグレ−ト−ン露光の製
造工程を示す図

【図４】本実施の形態１における液晶表示素子の製造方
法を示す図

【図５】ａ）本発明のＯＣＢ液晶の構造を模式的に示す
断面図（スプレイ状態） ｂ）本発明のＯＣＢ液晶の構造を模式的に示す断面図
（ベンド状態） ｃ）本発明のＯＣＢ液晶の構造を模式的に示す断面図
（駆動状態）

【図６】ａ）従来のＯＣＢ液晶の構造を模式的に示す断
面図（スプレイ状態） ｂ）従来のＯＣＢ液晶の構造を模式的に示す断面図（ベ
ンド状態） ｃ）従来のＯＣＢ液晶の構造を模式的に示す断面図（駆
動状態）

【図７】ａ）本実施の形態１における液晶表示素子の画
素部の構造を模式的に示す上面図 ｂ）本実施の形態１における液晶表示素子の画素部の構
造を模式的に示す断面図

【図８】本実施の形態１における液晶表示素子の対向基
板側の遮光層の構造を模式的に示す上面図

【図９】本実施の形態２における液晶表示素子の製造方
法を示す図

【符号の説明】

１，２ ガラス基板 ５ 対向電極 ６ 配向膜 ７ 遮光膜 ８ シ−ル樹脂 ９ 液晶分子 １０ 映像信号線（ソ−ス線） １１ 走査信号線（ゲ−ト線） １２ 能動素子 １３ 画素電極 １５ 封口樹脂 １６ 導電ペ−スト ２２ 遮光層が形成されない領域 ２３ 液晶 ２４ 感光性樹脂 ２５ フォトマスク ３０ 配向を制御する機能を有する突起物

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石原 將市 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 田中 好紀 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 佐藤 一郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H088 FA01 FA09 FA10 HA03 HA04 HA08 HA14 MA02 MA16 MA18 2H089 NA22 NA24 QA13 QA15 TA04 TA07 TA13 2H090 HA16 HC10 HD14 HD17 MB11 2H091 FA34Y FB02 FB08 FC10 FD04 GA06 GA07 GA11 LA13 LA17 2H093 NA43 NA63 ND04 ND17

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶
   表示素子において、同一基板上に配向を制御する突起物
   と光を遮光する遮光層が形成されており、前記突起物と
   前記遮光層は同一材料で形成されていることを特徴とす
   る液晶表示素子。
2. 【請求項２】 前記突起物と前記遮光層が同一工程で形
   成されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示
   素子。
3. 【請求項３】 前記突起物と前記遮光層がグレ−ト−ン
   露光により形成されていることを特徴とする請求項１記
   載の液晶表示素子。
4. 【請求項４】 前記突起物と前記遮光層が絶縁膜により
   形成されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表
   示素子。
5. 【請求項５】 前記突起物と前記遮光層が金属により形
   成されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示
   素子。
6. 【請求項６】 前記遮光層がスイッチング素子の上に形
   成されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示
   素子。
7. 【請求項７】 第一の基板上に配向を制御する突起物と
   光を遮光する遮光層をグレ−ト−ン露光により形成し、
   前記第一の基板と第二の基板とを貼り合わせた後、液晶
   を注入し、注入口を封口することを特徴とする液晶表示
   素子の製造方法。
8. 【請求項８】 第一の基板上に配向を制御する突起物と
   光を遮光する遮光層をグレ−ト−ン露光により形成し、
   前記第一の基板上あるいは第二の基板上に液晶を形成し
   た後、前記第一の基板と第二の基板とを貼り合わせるこ
   とを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
9. 【請求項９】 第一の基板上に配向を制御する突起物と
   光を遮光する遮光層を同一材料の絶縁膜により形成し、
   第二の基板と貼り合わせた後、液晶を注入し、注入口を
   封口することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
10. 【請求項１０】 第一の基板上に配向を制御する突起物
    と光を遮光する遮光層を同一材料の絶縁膜により形成
    し、前記第一の基板上あるいは第二の基板上に液晶を形
    成した後、前記第一の基板と第二の基板とを貼り合わせ
    ることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
11. 【請求項１１】 第一の基板上に配向を制御する突起物
    と光を遮光する遮光層を金属により形成し、前記第一の
    基板と第二の基板とを貼り合わせた後、液晶を注入し、
    注入口を封口することを特徴とする液晶表示素子の製造
    方法。
12. 【請求項１２】 第一の基板上に配向を制御する突起物
    と光を遮光する遮光層を金属により形成し、前記第一の
    基板上あるいは第二の基板上に液晶を形成した後、前記
    第一の基板と第二の基板とを貼り合わせることを特徴と
    する液晶表示素子の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記配向を制御する突起物及び光を遮
    光する遮光層が同一工程で形成されていることを特徴と
    する請求項７〜１２のいずれかに記載の液晶表示素子の
    製造方法。
14. 【請求項１４】 前記液晶表示素子がフィ−ルドシ−ケ
    ンシャル方式であることを特徴とする請求項１に記載の
    液晶表示素子。
15. 【請求項１５】 前記配向を制御する突起物が１画素に
    一定数の割合で形成されていることを特徴とする請求項
    １に記載の液晶表示素子。