JP2745880B2 - カラー液晶表示パネル - Google Patents
カラー液晶表示パネルInfo
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非線形抵抗素子を用い
た薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示パネ
ルに関する。
た薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示パネ
ルに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＣＤの各画素にスイッチング画素を直
列に配置したアクティブマトリクスＬＣＤは、その表示
容量の大きさ、応答速度の速さ、コントラストの高さか
ら急激な進歩がみられる。これまでに発表されたアクテ
ィブマトリクスＬＣＤの試作品のスイッチング素子に
は、アモルファスＳｉやポリＳｉを半導体材料とした薄
膜トランジスタ素子（ＴＦＴ）が多く用いられている。
また一方では、製造および構造が比較的簡単であるた
め、製造工程が簡略化でき、高歩留り、低コスト化が期
待される薄膜二端子素子（以下ＴＦＤと略す）を用いた
アクティブマトリクスも注目されている。このＴＦＤは
回路的には非線形抵抗素子である。
列に配置したアクティブマトリクスＬＣＤは、その表示
容量の大きさ、応答速度の速さ、コントラストの高さか
ら急激な進歩がみられる。これまでに発表されたアクテ
ィブマトリクスＬＣＤの試作品のスイッチング素子に
は、アモルファスＳｉやポリＳｉを半導体材料とした薄
膜トランジスタ素子（ＴＦＴ）が多く用いられている。
また一方では、製造および構造が比較的簡単であるた
め、製造工程が簡略化でき、高歩留り、低コスト化が期
待される薄膜二端子素子（以下ＴＦＤと略す）を用いた
アクティブマトリクスも注目されている。このＴＦＤは
回路的には非線形抵抗素子である。
【０００３】このような薄膜二端子素子型アクティブマ
トリクスＬＣＤ（以下ＴＦＤ−ＬＣＤと略す）において
一番実用化に近いと考えられているＬＣＤはＴＦＤに金
属−非線形抵抗体−金属構造を有する素子（以下ＭＩＭ
素子またはＭＩＭと略す）を用いたＬＣＤ（以下ＭＩＭ
−ＬＣＤと略す）である。ＭＩＭのようなＴＦＤを液晶
と直列に接続することにより、ＴＦＤの電圧−電流特性
の高非線形により、ＴＦＤ−液晶の電圧−透過率変化特
性の立上がりは急峻になり、液晶表示素子の走査本数を
大幅に増やすことが可能になる。このＴＦＤ−ＬＣＤの
等価回路を図５に示す。この等価回路は、走査電極とデ
ータ電極との間の、非線形抵抗素子３と液晶層９の直列
回路で表される。
トリクスＬＣＤ（以下ＴＦＤ−ＬＣＤと略す）において
一番実用化に近いと考えられているＬＣＤはＴＦＤに金
属−非線形抵抗体−金属構造を有する素子（以下ＭＩＭ
素子またはＭＩＭと略す）を用いたＬＣＤ（以下ＭＩＭ
−ＬＣＤと略す）である。ＭＩＭのようなＴＦＤを液晶
と直列に接続することにより、ＴＦＤの電圧−電流特性
の高非線形により、ＴＦＤ−液晶の電圧−透過率変化特
性の立上がりは急峻になり、液晶表示素子の走査本数を
大幅に増やすことが可能になる。このＴＦＤ−ＬＣＤの
等価回路を図５に示す。この等価回路は、走査電極とデ
ータ電極との間の、非線形抵抗素子３と液晶層９の直列
回路で表される。
【０００４】このようなＭＩＭを用いたＬＣＤの従来例
は、論文では、例えば、Ｄ．Ｒ．Ｂａｒａｆｆ，ｅｔ．
ａｌ．，“Ｔｈｅ Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ
Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ Ｎｏｎ
−ｌｉｎｅａｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ ｆｏｒ Ｕｓｅ ｉ
ｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓ
ｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ”ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｅｌ
ｅｃｔｏｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，ｖｏｌ．ＥＤ−２
８，ｐｐ７３６−７３９（１９８１），および、両角伸
治、他、著２５０×２４０画素のラテラルＭＩＭ−ＬＣ
Ｄ テレビジョン学会技術報告（ＩＰＤ８３−８），ｐ
３９−４４，１９８３年１２月発行）がある。
は、論文では、例えば、Ｄ．Ｒ．Ｂａｒａｆｆ，ｅｔ．
ａｌ．，“Ｔｈｅ Ｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ
Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ Ｎｏｎ
−ｌｉｎｅａｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ ｆｏｒ Ｕｓｅ ｉ
ｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓ
ｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ”ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｅｌ
ｅｃｔｏｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ，ｖｏｌ．ＥＤ−２
８，ｐｐ７３６−７３９（１９８１），および、両角伸
治、他、著２５０×２４０画素のラテラルＭＩＭ−ＬＣ
Ｄ テレビジョン学会技術報告（ＩＰＤ８３−８），ｐ
３９−４４，１９８３年１２月発行）がある。
【０００５】また、誘電率の小さい窒化シリコンがＭＩ
Ｍ素子用非線形抵抗体として用いた技術は、例えば、
Ｍ．Ｓｕｚｕｋｉ ｅｔ ａｌ“Ａ Ｎｅｗ Ａｃｔｉ
ｖｅＤｉｏｄｅ Ｍａｔｒｉｘ ＬＣＤ ｕｓｉｎｇ
Ｏｆｆ−ｓｔｏｉｃｈｉｏｍｅｔｒｉｃ ＳｉＮｘ Ｌ
ａｙｅｒ” Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆｔｈｅＳＩ
Ｄ，Ｖｏｌ．２８ ｐ１０１−１０４，１９８７に開示
されている。
Ｍ素子用非線形抵抗体として用いた技術は、例えば、
Ｍ．Ｓｕｚｕｋｉ ｅｔ ａｌ“Ａ Ｎｅｗ Ａｃｔｉ
ｖｅＤｉｏｄｅ Ｍａｔｒｉｘ ＬＣＤ ｕｓｉｎｇ
Ｏｆｆ−ｓｔｏｉｃｈｉｏｍｅｔｒｉｃ ＳｉＮｘ Ｌ
ａｙｅｒ” Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆｔｈｅＳＩ
Ｄ，Ｖｏｌ．２８ ｐ１０１−１０４，１９８７に開示
されている。
【０００６】さらに、カラーＭＩＭ−ＬＣＤについて
は、例えば、Ｈ．Ａｒｕｇａ ｅｔａｌ“Ａ １０−ｉ
ｎ．−Ｄｉａｇｏｎａｌ Ｆｕｌｌ−Ｃｏｌｏｒ ＭＩ
ＭＡｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ ＬＣＤ” Ｐｒｏｃｅ
ｅｄｉｎｇｓ ｏｆｔｈｅ ９ｔｈ ＩＤＲＣ，ｐ１６
８−１７１，１９８９に開示されている。
は、例えば、Ｈ．Ａｒｕｇａ ｅｔａｌ“Ａ １０−ｉ
ｎ．−Ｄｉａｇｏｎａｌ Ｆｕｌｌ−Ｃｏｌｏｒ ＭＩ
ＭＡｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ ＬＣＤ” Ｐｒｏｃｅ
ｅｄｉｎｇｓ ｏｆｔｈｅ ９ｔｈ ＩＤＲＣ，ｐ１６
８−１７１，１９８９に開示されている。
【０００７】従来型のカラーＭＩＭ−ＬＣＤの構造を次
に示す。カラーＭＩＭ−ＬＣＤの一部分の透視構造平面
図を図３に示す。図３に示すカラーパネルはデータ信号
を分割してＲＧＢのデータ信号を入力することによりカ
ラー表示を行っている。下部基板上に非線形抵抗素子３
およびデータ電極７が設けられており、対向側の上部基
板には対向透明走査電極８が設けられている。
に示す。カラーＭＩＭ−ＬＣＤの一部分の透視構造平面
図を図３に示す。図３に示すカラーパネルはデータ信号
を分割してＲＧＢのデータ信号を入力することによりカ
ラー表示を行っている。下部基板上に非線形抵抗素子３
およびデータ電極７が設けられており、対向側の上部基
板には対向透明走査電極８が設けられている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のＴＦＤ−ＬＣＤ
では非線形抵抗素子作製基板側の配線が１画素中にしめ
る面積の割合が多く、画素の開口率を上げることができ
ない。このためバックライトの輝度を下げることができ
ず、消費電力を下げることができないという解決すべき
課題がある。
では非線形抵抗素子作製基板側の配線が１画素中にしめ
る面積の割合が多く、画素の開口率を上げることができ
ない。このためバックライトの輝度を下げることができ
ず、消費電力を下げることができないという解決すべき
課題がある。
【０００９】本発明の目的は、高開口率の液晶画素を作
り、低消費電力のカラー薄膜二端子素子型アクティブマ
トリクス液晶表示パネルを提供することにある。
り、低消費電力のカラー薄膜二端子素子型アクティブマ
トリクス液晶表示パネルを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】第１の発明によれば、非
線形抵抗素子を介してリード電極と画素電極とが接続さ
れてなる下部基板と、前記画素電極と対応して対向透明
電極を設けた上部基板と、この上下基板に挟まれた液晶
とからなり、ＲＧＢのデータ信号を３本のデータ電極に
分割して入力することによりカラー表示を行うカラー液
晶表示パネルにおいて、前記リード電極を走査電極と
し、かつ、前記対向透明電極を前記データ電極として設
けたことを特徴とするカラー液晶表示パネルが得られ
る。ここでいうリード電極とは、カラー液晶表示パネル
内の配線であって、駆動用の電気信号等を信号入力する
ために、基板周辺に引き出されて外部機器に電気的に接
続する電極である。
線形抵抗素子を介してリード電極と画素電極とが接続さ
れてなる下部基板と、前記画素電極と対応して対向透明
電極を設けた上部基板と、この上下基板に挟まれた液晶
とからなり、ＲＧＢのデータ信号を３本のデータ電極に
分割して入力することによりカラー表示を行うカラー液
晶表示パネルにおいて、前記リード電極を走査電極と
し、かつ、前記対向透明電極を前記データ電極として設
けたことを特徴とするカラー液晶表示パネルが得られ
る。ここでいうリード電極とは、カラー液晶表示パネル
内の配線であって、駆動用の電気信号等を信号入力する
ために、基板周辺に引き出されて外部機器に電気的に接
続する電極である。
【００１１】第２の発明によれば、非線形抵抗素子を介
してリード電極と画素電極とが接続されてなる下部基板
と、前記画素電極と対応して対向透明電極を設けた上部
基板と、この上下基板に挟まれた液晶とからなり、ＲＧ
Ｂの走査信号を３本の走査電極に分割して入力すること
によりカラー表示を行うカラー液晶表示パネルにおい
て、前記リード電極をデータ電極とし、かつ、前記対向
透明電極を前記走査電極として設けたことを特徴とする
カラー液晶表示パネルが得られる。
してリード電極と画素電極とが接続されてなる下部基板
と、前記画素電極と対応して対向透明電極を設けた上部
基板と、この上下基板に挟まれた液晶とからなり、ＲＧ
Ｂの走査信号を３本の走査電極に分割して入力すること
によりカラー表示を行うカラー液晶表示パネルにおい
て、前記リード電極をデータ電極とし、かつ、前記対向
透明電極を前記走査電極として設けたことを特徴とする
カラー液晶表示パネルが得られる。
【００１２】
【作用】本発明におけるカラー薄膜二端子素子型アクテ
ィブマトリクス液晶表示パネルを、図３に示した従来の
薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示パネル
と比較して説明する。
ィブマトリクス液晶表示パネルを、図３に示した従来の
薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示パネル
と比較して説明する。
【００１３】図３に示すカラーパネルは、前述したよう
に、データ信号を分割してＲＧＢのデータ信号を入力す
ることによりカラー表示を行っている。データ電極７は
非線形抵抗素子３の作製基板側に設け、走査電極８は非
線形抵抗基板の対向側に透明電極として設けられてい
る。
に、データ信号を分割してＲＧＢのデータ信号を入力す
ることによりカラー表示を行っている。データ電極７は
非線形抵抗素子３の作製基板側に設け、走査電極８は非
線形抵抗基板の対向側に透明電極として設けられてい
る。
【００１４】一方、本発明のカラー薄膜二端子素子型ア
クティブマトリクス液晶パネルの一部分の透視平面図を
図１に示す。図１に示すカラーパネルも図３に示すカラ
ーパネル同様、データ信号を分割してＲＧＢのデータ信
号を入力することによりカラー表示を行っている。しか
し、従来のカラーパネルと違い走査電極２は非線形抵抗
素子３の作製基板側に設け、データ電極１は非線形抵抗
素子作製基板の対向側に透明電極として設けられてい
る。したがって、ＲＧＢ３画素に対して非線形抵抗素子
作製基板側に１本の信号線しかない。
クティブマトリクス液晶パネルの一部分の透視平面図を
図１に示す。図１に示すカラーパネルも図３に示すカラ
ーパネル同様、データ信号を分割してＲＧＢのデータ信
号を入力することによりカラー表示を行っている。しか
し、従来のカラーパネルと違い走査電極２は非線形抵抗
素子３の作製基板側に設け、データ電極１は非線形抵抗
素子作製基板の対向側に透明電極として設けられてい
る。したがって、ＲＧＢ３画素に対して非線形抵抗素子
作製基板側に１本の信号線しかない。
【００１５】それに対し図３に示す従来のカラーパネル
ではＲＧＢ３画素に対して非線形抵抗素子作製基板側に
３本の信号線が必要である。このため、本発明による薄
膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示パネル
は、従来の薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶
表示パネルよりも１画素の面積の中で画素電極４を大き
くとることができる。したがって、高開口率の薄膜二端
子素子型アクティブマトリクス液晶表示パネルを作製す
ることができ、バックライトの消費電力を下げることが
できる。実際にＲＧＢ３画素で３１２×３１２μｍの大
きさの画素において、従来構造と第１および第２の発明
による構造の画素の開口率の違いを図４に示す。横軸は
ブラックマトリクスと画素の重なり幅である。同じ重な
り幅で開口率が約９％違うことが分かる。また、従来構
造と第１および２の発明による構造の１画素の等価回路
は図５に示す通り、走査電極とデータ電極との間に液晶
層９と非線形抵抗素子３が直列につながった構造になっ
ている。
ではＲＧＢ３画素に対して非線形抵抗素子作製基板側に
３本の信号線が必要である。このため、本発明による薄
膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示パネル
は、従来の薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶
表示パネルよりも１画素の面積の中で画素電極４を大き
くとることができる。したがって、高開口率の薄膜二端
子素子型アクティブマトリクス液晶表示パネルを作製す
ることができ、バックライトの消費電力を下げることが
できる。実際にＲＧＢ３画素で３１２×３１２μｍの大
きさの画素において、従来構造と第１および第２の発明
による構造の画素の開口率の違いを図４に示す。横軸は
ブラックマトリクスと画素の重なり幅である。同じ重な
り幅で開口率が約９％違うことが分かる。また、従来構
造と第１および２の発明による構造の１画素の等価回路
は図５に示す通り、走査電極とデータ電極との間に液晶
層９と非線形抵抗素子３が直列につながった構造になっ
ている。
【００１６】
【実施例】以下に本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１７】実施例１ 図１は、第１の発明により得られる薄膜二端子素子型ア
クティブマトリクス液晶表示パネルの一部分の透視平面
図である。下部ガラス基板をＳｉＯ2 等のガラス保護層
で被覆することも多いが、不可欠なものではないので省
略することもでき、本実施例では省略している。まず下
部ガラス基板に、下部電極としてＣｒを３００から６０
０オングストローム程度形成し、通常のフォトリソグラ
フィ法により、薄膜二端子素子の下部電極となる画素接
続電極６を形成する。次に、非線形抵抗体５として、Ｓ
ｉＨ4 ガスとＮ2 ガスを用いてグロー放電分解法により
窒化シリコン層の非線形抵抗体を８００から２０００オ
ングストローム程度形成し、フォトリソグラフィ法によ
りパターン化する。続いて上部電極としてＣｒを１００
０オングストローム形成し、フォトリソグラフィ法によ
りパターン化し、走査電極２とする。画素電極４として
酸化インジウム−スズ（通常ＩＴＯとよばれている）を
形成し、パターン化する。
クティブマトリクス液晶表示パネルの一部分の透視平面
図である。下部ガラス基板をＳｉＯ2 等のガラス保護層
で被覆することも多いが、不可欠なものではないので省
略することもでき、本実施例では省略している。まず下
部ガラス基板に、下部電極としてＣｒを３００から６０
０オングストローム程度形成し、通常のフォトリソグラ
フィ法により、薄膜二端子素子の下部電極となる画素接
続電極６を形成する。次に、非線形抵抗体５として、Ｓ
ｉＨ4 ガスとＮ2 ガスを用いてグロー放電分解法により
窒化シリコン層の非線形抵抗体を８００から２０００オ
ングストローム程度形成し、フォトリソグラフィ法によ
りパターン化する。続いて上部電極としてＣｒを１００
０オングストローム形成し、フォトリソグラフィ法によ
りパターン化し、走査電極２とする。画素電極４として
酸化インジウム−スズ（通常ＩＴＯとよばれている）を
形成し、パターン化する。
【００１８】上部ガラス基板にＩＴＯ膜を形成、パター
ン化し、対向透明データ電極１とする。下部ガラス基板
と上部ガラス基板とは、非線形抵抗素子３面および対向
透明データ電極１面を配向処理を施した後、配向処理を
施した面を向き合わせてガラスファイバ等のスペーサを
介して貼り合わせ、通常のエポキシ系接着剤によりシー
ルする。セル厚は５μｍとする。
ン化し、対向透明データ電極１とする。下部ガラス基板
と上部ガラス基板とは、非線形抵抗素子３面および対向
透明データ電極１面を配向処理を施した後、配向処理を
施した面を向き合わせてガラスファイバ等のスペーサを
介して貼り合わせ、通常のエポキシ系接着剤によりシー
ルする。セル厚は５μｍとする。
【００１９】その後ＴＮ型液晶を注入し液晶層とする。
これを封止して薄膜二端子素子型アクティブマトリクス
液晶表示パネルを完成する。
これを封止して薄膜二端子素子型アクティブマトリクス
液晶表示パネルを完成する。
【００２０】実施例２ 図２は、第２の発明により得られる薄膜二端子素子型ア
クティブマトリクス液晶表示パネルの一部分の透視平面
図である。下部ガラス基板をＳｉＯ2 等のガラス保護層
で被覆することも多いが、不可欠なものではないので省
略することもでき、本実施例では省略している。まず下
部ガラス基板に、下部電極としてＣｒを３００から６０
０オングストローム程度形成し、通常のフォトリソグラ
フィ法により、薄膜二端子素子の下部電極となる画素接
続電極６を形成する。次に、非線形抵抗体５として、Ｓ
ｉＨ4 ガスとＮ2 ガスを用いてグロー放電分解法により
窒化シリコン層の非線形抵抗体を８００から２０００オ
ングストローム程度形成し、フォトリソグラフィ法によ
りパターン化する。続いて上部電極としてＣｒを１００
０オングストローム形成し、フォトリソグラフィ法によ
りパターン化し、データ電極７とする。画素電極４とし
て酸化インジウム−スズ（通常ＩＴＯとよばれている）
を形成し、パターン化する。
クティブマトリクス液晶表示パネルの一部分の透視平面
図である。下部ガラス基板をＳｉＯ2 等のガラス保護層
で被覆することも多いが、不可欠なものではないので省
略することもでき、本実施例では省略している。まず下
部ガラス基板に、下部電極としてＣｒを３００から６０
０オングストローム程度形成し、通常のフォトリソグラ
フィ法により、薄膜二端子素子の下部電極となる画素接
続電極６を形成する。次に、非線形抵抗体５として、Ｓ
ｉＨ4 ガスとＮ2 ガスを用いてグロー放電分解法により
窒化シリコン層の非線形抵抗体を８００から２０００オ
ングストローム程度形成し、フォトリソグラフィ法によ
りパターン化する。続いて上部電極としてＣｒを１００
０オングストローム形成し、フォトリソグラフィ法によ
りパターン化し、データ電極７とする。画素電極４とし
て酸化インジウム−スズ（通常ＩＴＯとよばれている）
を形成し、パターン化する。
【００２１】上部ガラス基板にＩＴＯ膜を形成、パター
ン化し、対向透明走査電極８とする。下部ガラス基板と
上部ガラス基板とは、非線形抵抗素子３面および対向透
明走査電極８面を配向処理を施した後、配向処理を施し
た面を向き合わせてガラスファイバ等のスペーサを介し
て貼り合わせ、通常のエポキシ系接着剤によりシールす
る。セル厚は５μｍとする。
ン化し、対向透明走査電極８とする。下部ガラス基板と
上部ガラス基板とは、非線形抵抗素子３面および対向透
明走査電極８面を配向処理を施した後、配向処理を施し
た面を向き合わせてガラスファイバ等のスペーサを介し
て貼り合わせ、通常のエポキシ系接着剤によりシールす
る。セル厚は５μｍとする。
【００２２】その後ＴＮ型液晶を注入し液晶層とする。
これを封止して薄膜二端子素子型アクティブマトリクス
液晶表示パネルを完成する。
これを封止して薄膜二端子素子型アクティブマトリクス
液晶表示パネルを完成する。
【００２３】実施例では非線形抵抗体を窒化シリコンに
限ったが、この他シリコンカーバイド，酸化シリコン，
酸化タンタルなどでも同様な効果が得られた。
限ったが、この他シリコンカーバイド，酸化シリコン，
酸化タンタルなどでも同様な効果が得られた。
【００２４】
【発明の効果】本発明を適用するならば１画素の開口率
を上げることができ、低消費電力のディスプレイを実現
することができる。
を上げることができ、低消費電力のディスプレイを実現
することができる。
【図１】第１の発明の薄膜二端子素子型アクティブマト
リクス液晶パネルの一部の透視平面図である。
リクス液晶パネルの一部の透視平面図である。
【図２】第２の発明の薄膜二端子素子型アクティブマト
リクス液晶パネルの一部の透視平面図である。
リクス液晶パネルの一部の透視平面図である。
【図３】本発明を使用しない従来の薄膜二端子素子型ア
クティブマトリクス液晶パネルの一部の透視平面図であ
る。
クティブマトリクス液晶パネルの一部の透視平面図であ
る。
【図４】第１の発明と本発明を使用しない従来の薄膜二
端子素子型アクティブマトリクス液晶パネルの開口率の
違いを示した図である。
端子素子型アクティブマトリクス液晶パネルの開口率の
違いを示した図である。
【図５】薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶パ
ネルの１画素の等価回路を示した図である。
ネルの１画素の等価回路を示した図である。
１ 対向透明データ電極 ２ 走査電極 ３ 非線形抵抗素子 ４ 画素電極 ５ 非線形抵抗体 ６ 画素接続電極 ７ データ電極 ８ 対向透明走査電極 ９ 液晶層
Claims (2)
- 【請求項１】非線形抵抗素子を介してリード電極と画素
電極とが接続されてなる下部基板と、前記画素電極と対
応して対向透明電極を設けた上部基板と、この上下基板
に挟まれた液晶とからなり、ＲＧＢのデータ信号を３本
のデータ電極に分割して入力することによりカラー表示
を行うカラー液晶表示パネルにおいて、前記リード電極
を走査電極とし、かつ、前記対向透明電極を前記データ
電極として設けたことを特徴とするカラー液晶表示パネ
ル。 - 【請求項２】非線形抵抗素子を介してリード電極と画素
電極とが接続されてなる下部基板と、前記画素電極と対
応して対向透明電極を設けた上部基板と、この上下基板
に挟まれた液晶とからなり、ＲＧＢの走査信号を３本の
走査電極に分割して入力することによりカラー表示を行
うカラー液晶表示パネルにおいて、前記リード電極をデ
ータ電極とし、かつ、前記対向透明電極を前記走査電極
として設けたことを特徴とするカラー液晶表示パネル。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19691091A JP2745880B2 (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | カラー液晶表示パネル |
| US07/926,157 US5295008A (en) | 1991-08-07 | 1992-08-06 | Color LCD panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19691091A JP2745880B2 (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | カラー液晶表示パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0540280A JPH0540280A (ja) | 1993-02-19 |
| JP2745880B2 true JP2745880B2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=16365692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19691091A Expired - Lifetime JP2745880B2 (ja) | 1991-08-07 | 1991-08-07 | カラー液晶表示パネル |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5295008A (ja) |
| JP (1) | JP2745880B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5491347A (en) * | 1994-04-28 | 1996-02-13 | Xerox Corporation | Thin-film structure with dense array of binary control units for presenting images |
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| US6849935B2 (en) | 2002-05-10 | 2005-02-01 | Sarnoff Corporation | Low-cost circuit board materials and processes for area array electrical interconnections over a large area between a device and the circuit board |
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| US20130076720A1 (en) * | 2011-09-23 | 2013-03-28 | Ahmad Al-Dahle | Pixel guard lines and multi-gate line configuration |
| CN103268178B (zh) * | 2012-12-31 | 2017-06-16 | 上海天马微电子有限公司 | 水平电场驱动模式的阵列基板及触摸屏 |
| CN107703673B (zh) * | 2017-11-28 | 2020-09-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
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|---|---|---|---|---|
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| CS246212B1 (en) * | 1984-06-18 | 1986-10-16 | Otto Wichterle | Toric contact lens with centre of gravity shifted towards its border,mould for its production and method of moulds production |
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| JPH02266326A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-10-31 | Citizen Watch Co Ltd | ２端子型アクティブマトリクス液晶表示素子 |
| JPH0311318A (ja) * | 1989-06-08 | 1991-01-18 | Nec Corp | 液晶表示素子 |
| US5164850A (en) * | 1990-01-29 | 1992-11-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Liquid crystal device including tantalum nitride with specific nitriding ratio |
-
1991
- 1991-08-07 JP JP19691091A patent/JP2745880B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-08-06 US US07/926,157 patent/US5295008A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5295008A (en) | 1994-03-15 |
| JPH0540280A (ja) | 1993-02-19 |
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