JPH02168239A - 薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置 - Google Patents
薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置Info
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- JPH02168239A JPH02168239A JP63325208A JP32520888A JPH02168239A JP H02168239 A JPH02168239 A JP H02168239A JP 63325208 A JP63325208 A JP 63325208A JP 32520888 A JP32520888 A JP 32520888A JP H02168239 A JPH02168239 A JP H02168239A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、金属−絶縁体−金属からなる薄膜二端子素子
を用いたアクティブマトリクス液晶表示装置に関する。
を用いたアクティブマトリクス液晶表示装置に関する。
近年ツィスティッド・ネマチック型を中心とした液晶表
示装置（ＬＣＤ）の応用が発展し、腕時計や電卓の分野
で大量に用いられている。それに加え、近年、画素をマ
トリクス状に配し、文字・図形等の任意の表示が可能な
マトリクス型も使われ始めている。このマトリクス型Ｌ
ＣＤの応用分野を広げるためには、表示容量の増大が必
要である。しかし、従来のＬＣＤの電圧−透過率変化特
性の立ち上がりはあまり急峻ではないので、表示容量を
増加させるためにマルチプレックス駆動の走査本数を増
加させると、選択画素と非選択画素との各々にかかる実
効電圧比は低下し、選択画素の透過率低下と非選択画素
の透過率増加というクロストークが生じる。その結果、
表示コントラストが著しく低下し、ある程度満足できる
コントラストが得られる視野角も狭くなり、従来のＬＣ
Ｄでは、走査本数は６０本ぐらいが限界である。
示装置（ＬＣＤ）の応用が発展し、腕時計や電卓の分野
で大量に用いられている。それに加え、近年、画素をマ
トリクス状に配し、文字・図形等の任意の表示が可能な
マトリクス型も使われ始めている。このマトリクス型Ｌ
ＣＤの応用分野を広げるためには、表示容量の増大が必
要である。しかし、従来のＬＣＤの電圧−透過率変化特
性の立ち上がりはあまり急峻ではないので、表示容量を
増加させるためにマルチプレックス駆動の走査本数を増
加させると、選択画素と非選択画素との各々にかかる実
効電圧比は低下し、選択画素の透過率低下と非選択画素
の透過率増加というクロストークが生じる。その結果、
表示コントラストが著しく低下し、ある程度満足できる
コントラストが得られる視野角も狭くなり、従来のＬＣ
Ｄでは、走査本数は６０本ぐらいが限界である。
このマトリクス型ＬＣＤの表示容量を大幅に増加させる
ために、ＬＣＤの各画素にスイッチング素子を直列に配
置したアクティブマトリクスＬＣＤが考案されている。
ために、ＬＣＤの各画素にスイッチング素子を直列に配
置したアクティブマトリクスＬＣＤが考案されている。
これまでに発表されたアクティブマトリクスＬＣＤの試
作品のスイッチング素子には、アモルファスＳｉや多結
晶Ｓｉを半導体材「Ｉとした薄膜トランジスタ素子（Ｔ
ＰＴ）が多く用いられている。また一方では、製造及び
構造が比較的簡単であるため、製造工程が簡略化でき、
高歩留まり、低コスト化が期待される薄膜二端子素子（
以下ＴＦＤと略す）を用いたアクティブマトリクスＬＣ
Ｄも注目されている。
作品のスイッチング素子には、アモルファスＳｉや多結
晶Ｓｉを半導体材「Ｉとした薄膜トランジスタ素子（Ｔ
ＰＴ）が多く用いられている。また一方では、製造及び
構造が比較的簡単であるため、製造工程が簡略化でき、
高歩留まり、低コスト化が期待される薄膜二端子素子（
以下ＴＦＤと略す）を用いたアクティブマトリクスＬＣ
Ｄも注目されている。
このような薄膜二端子素子型アクティブマトリクスＬＣ
Ｄ（以下ＴＦＤ−ＬＣＤと略す）において−香臭用化に
近いと考えられているＬＣＤはＴＦＤに金属−絶縁体−
金属構造の素子（以下ＭＩＭ素子またはＭＩＭと略す）
を用いたＬＣＤである。ＭＩＭのようなＴＦＤを各画素
の液晶と直列に接続することにより、Ｔ” Ｆ” Ｄの
電圧−電流特性の高非線形性により、ＴＦＤ−液晶素子
の電圧−透過率変化特性の立ち上がりは急峻になり、液
晶表示装置の走査本数を大幅に増やすことが可能になる
。
Ｄ（以下ＴＦＤ−ＬＣＤと略す）において−香臭用化に
近いと考えられているＬＣＤはＴＦＤに金属−絶縁体−
金属構造の素子（以下ＭＩＭ素子またはＭＩＭと略す）
を用いたＬＣＤである。ＭＩＭのようなＴＦＤを各画素
の液晶と直列に接続することにより、Ｔ” Ｆ” Ｄの
電圧−電流特性の高非線形性により、ＴＦＤ−液晶素子
の電圧−透過率変化特性の立ち上がりは急峻になり、液
晶表示装置の走査本数を大幅に増やすことが可能になる
。
このようなＭＩＭをもちいたＬＣＤの従来例は論文では
デイ・アールバラフ他著（ジ・オフチマイゼイション・
オフ・メタル・インシュレータ・メタル・ノンリニア・
デバイシズ・フォア・ユース・イン・マルチプレクスド
・リキッド・クリスタル・デイスプレィズ）、アイ・イ
ー・イー・イー・トランザクション・オン・エレクトロ
ン・デバイシズ、２８巻、６号９頁７３６−７３９゜１
９８１年発行） （Ｄ、Ｒ，ＢａｒａＮ、ｅｔ ａｔ、
、 ”ＴｈｅＯｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ Ｍｅ
ｔａｌ−１ｎｓｈｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ Ｎｏｎ目ｎ
ｅ３ｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ ｆｏｒ Ｕｓｅ ｉ
ｎ 帽＋１ｔｉｐｌｅｘｅｄ ＬｉｑｕｉｄＣｒｙ
ｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙｓ ” ＩＥＥＥ Ｔｒａｎ
ｓ、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅ−ｖｉｃｃｓ、ｖｏＩＥロ
ー２８．ｐｐ７３６−７３９（１９８１））に代表的に
表示される。
デイ・アールバラフ他著（ジ・オフチマイゼイション・
オフ・メタル・インシュレータ・メタル・ノンリニア・
デバイシズ・フォア・ユース・イン・マルチプレクスド
・リキッド・クリスタル・デイスプレィズ）、アイ・イ
ー・イー・イー・トランザクション・オン・エレクトロ
ン・デバイシズ、２８巻、６号９頁７３６−７３９゜１
９８１年発行） （Ｄ、Ｒ，ＢａｒａＮ、ｅｔ ａｔ、
、 ”ＴｈｅＯｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ Ｍｅ
ｔａｌ−１ｎｓｈｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ Ｎｏｎ目ｎ
ｅ３ｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ ｆｏｒ Ｕｓｅ ｉ
ｎ 帽＋１ｔｉｐｌｅｘｅｄ ＬｉｑｕｉｄＣｒｙ
ｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙｓ ” ＩＥＥＥ Ｔｒａｎ
ｓ、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅ−ｖｉｃｃｓ、ｖｏＩＥロ
ー２８．ｐｐ７３６−７３９（１９８１））に代表的に
表示される。
ＭＴＭ素子において、最も重要な材料は絶縁体層の材料
である。最も知られている絶縁体材料としては酸化タン
タルがある（例えば、両角伸冶。
である。最も知られている絶縁体材料としては酸化タン
タルがある（例えば、両角伸冶。
他、著２５０ｘ２４０画素のラテラルＭ Ｉ Ｍ −Ｌ
ＣＤ テレビジョン学会技術報告（ＩＰＤ８３−８＞
、ｐ３９−４４．１９８３年１２月発行）。
ＣＤ テレビジョン学会技術報告（ＩＰＤ８３−８＞
、ｐ３９−４４．１９８３年１２月発行）。
このようなＭＩＭ素子を大容量のデイスプレィに適用す
るときに要求される特性は、素子を流れる電流（Ｉ）と
印加電圧（Ｖ）をＩ ＝ ａ Ｖ’ と表わしたときの
非線形係数αが太きこと、電流−電圧特性が印加電圧の
極性に無関係に正負対称であること、及びＭＩＭ素子の
容量が小さいことである。ところが、酸化タンタルを用
いたＭＩＭ素子は対称性はよいが非線形係数が５〜６と
それほど大きくなく、また誘電率も大きいため素子容置
が大きい等の欠点を有している。そこで、誘電率の小さ
い窒化シリコンがＭＩＭ素子用絶縁材料として開発され
ている（例えば エム スズキ 他（ア ニ二一 アク
ティブ ダイオード マトリクス エルシープイー ユ
ージング オフ ストイキオメトリツク ５ＩＮｘ
レイヤー プロシーデインダス オフ ザ ニスアイデ
イ−２８巻 １０１−１０４頁、１９８７年発行）（Ｍ
、５ｕｚｕｋｉ ｅｔ ａｌ ” ＾ Ｎｅｗ
Ａｃｔｉｖｅ Ｄｉｏｄｅ ＭａｔｒｉｘＬＣ
Ｄ ｕｓｉｎｇ ０ｆｆ−ｓｔｏｉｃ１口ｏｍｅｔ
ｒｉｃ ＳｉＮｘ ＬａｙｅｒＰｒｏｃｅｅｄｉｎ
ｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＳＩＤ、Ｖｏｌ、２１１
ｐｌｏｌ−１０４，１９８７）。
るときに要求される特性は、素子を流れる電流（Ｉ）と
印加電圧（Ｖ）をＩ ＝ ａ Ｖ’ と表わしたときの
非線形係数αが太きこと、電流−電圧特性が印加電圧の
極性に無関係に正負対称であること、及びＭＩＭ素子の
容量が小さいことである。ところが、酸化タンタルを用
いたＭＩＭ素子は対称性はよいが非線形係数が５〜６と
それほど大きくなく、また誘電率も大きいため素子容置
が大きい等の欠点を有している。そこで、誘電率の小さ
い窒化シリコンがＭＩＭ素子用絶縁材料として開発され
ている（例えば エム スズキ 他（ア ニ二一 アク
ティブ ダイオード マトリクス エルシープイー ユ
ージング オフ ストイキオメトリツク ５ＩＮｘ
レイヤー プロシーデインダス オフ ザ ニスアイデ
イ−２８巻 １０１−１０４頁、１９８７年発行）（Ｍ
、５ｕｚｕｋｉ ｅｔ ａｌ ” ＾ Ｎｅｗ
Ａｃｔｉｖｅ Ｄｉｏｄｅ ＭａｔｒｉｘＬＣ
Ｄ ｕｓｉｎｇ ０ｆｆ−ｓｔｏｉｃ１口ｏｍｅｔ
ｒｉｃ ＳｉＮｘ ＬａｙｅｒＰｒｏｃｅｅｄｉｎ
ｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ＳＩＤ、Ｖｏｌ、２１１
ｐｌｏｌ−１０４，１９８７）。
この窒化シリコンを用いたＭＩＭ素子は非線形係数が７
〜９と酸化タンタルに比べて大きいものの、第２図の破
線で示されるように電圧−電流特性が印加電圧の極性に
より非対称になることが多い。このためこのＭＩＭ素子
を液晶表示装置に利用した場合にはフリッカ−が生じて
しまい、画像品質の低下をもとらしていた。
〜９と酸化タンタルに比べて大きいものの、第２図の破
線で示されるように電圧−電流特性が印加電圧の極性に
より非対称になることが多い。このためこのＭＩＭ素子
を液晶表示装置に利用した場合にはフリッカ−が生じて
しまい、画像品質の低下をもとらしていた。
本発明の目的は、このような画像品質の低下をもたらす
ＭＩＭ素子特性の電圧−電流特性の非対称性を改善し、
高画質の大容量液晶表示装置を提供することにある。
ＭＩＭ素子特性の電圧−電流特性の非対称性を改善し、
高画質の大容量液晶表示装置を提供することにある。
本発明は、透明電極が形成されている基板と、窒化シリ
コン膜を絶縁体として用いた金属−絶縁体−金属構造を
有する薄膜二端子素子がマトリクス状に形成されている
基板との間に液晶を挟持して成る薄膜二端子素子型アク
ティブマトリクス液晶表示装置において、前記金属と絶
縁体の間に燐または砒素をドープした窒化シリコン層ま
たは炭化シリコン層をはさんだことを特徴とする薄膜二
端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置である。
コン膜を絶縁体として用いた金属−絶縁体−金属構造を
有する薄膜二端子素子がマトリクス状に形成されている
基板との間に液晶を挟持して成る薄膜二端子素子型アク
ティブマトリクス液晶表示装置において、前記金属と絶
縁体の間に燐または砒素をドープした窒化シリコン層ま
たは炭化シリコン層をはさんだことを特徴とする薄膜二
端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置である。
本発明においては金属電極と窒化シリコン層との間に燐
または砒素を含んだｎ型窒化シリコン層または炭化シリ
コン層をはさむことにより電子の電極からの注入を阻害
する障壁を小さくでき、正電圧および負電圧印加時のそ
れぞれの電極からの電子の注入に対する障壁の違いによ
る電流値の非対称性がなくなる。この結果、フリッカ−
がない良画質の液晶表示装置が実現できる。
または砒素を含んだｎ型窒化シリコン層または炭化シリ
コン層をはさむことにより電子の電極からの注入を阻害
する障壁を小さくでき、正電圧および負電圧印加時のそ
れぞれの電極からの電子の注入に対する障壁の違いによ
る電流値の非対称性がなくなる。この結果、フリッカ−
がない良画質の液晶表示装置が実現できる。
以下に本発明の実施例を示す。
本実施例によりえられるＴＦＤ素子の代表例の断面図を
第１図に示す。まず下部ガラス基板１をＳｉＯ□等のガ
ラス保護層２で被覆する。この保護層２は不可欠なもの
ではないので省略することもできる４次にこの上に金属
電極としてＣ「を１０００人形成しフォトリソグラフィ
法により島状にパターン化しリード電極３を形成する。
第１図に示す。まず下部ガラス基板１をＳｉＯ□等のガ
ラス保護層２で被覆する。この保護層２は不可欠なもの
ではないので省略することもできる４次にこの上に金属
電極としてＣ「を１０００人形成しフォトリソグラフィ
法により島状にパターン化しリード電極３を形成する。
つずいてＳｉＨ４ガスとＮ２ガスの混合ガスにＰＨ，ガ
スまたはＡ ｓ ＩＩ ３ガスを０．５％混合したガス
を用いてグロー放電分解法によりガラス基板上に燐（ま
たは砒素）をドープした第１の窒化シリコン層４を形成
したのち、５ｉｌ１４とＮ２の混合ガスから窒化シリコ
ン層５を１２００人、 ＳｉＨ４とＮ２混合ガスにＰＨ
，ガスまたはＡｓＨ３ガスを０．３％混合したガスを用
いて燐または砒素をドープした第２の窒化シリコン層６
を２００人形成することにより３層構造を形成する。こ
のとき窒化シリコン層を形成するときのガス混合比５ｉ
１１４／Ｎ２は０．０＆、また燐または砒素をドープし
た第１及び第２の窒化シリコン層を形成するときのガス
混合比ＳｉＨ４／Ｎ２は０．２であった。その後上部電
極７としてＣ「を１０００人形成しフォトリングラフィ
法によりパターン化し、ＭＩＭ素子アレイを形成する。
スまたはＡ ｓ ＩＩ ３ガスを０．５％混合したガス
を用いてグロー放電分解法によりガラス基板上に燐（ま
たは砒素）をドープした第１の窒化シリコン層４を形成
したのち、５ｉｌ１４とＮ２の混合ガスから窒化シリコ
ン層５を１２００人、 ＳｉＨ４とＮ２混合ガスにＰＨ
，ガスまたはＡｓＨ３ガスを０．３％混合したガスを用
いて燐または砒素をドープした第２の窒化シリコン層６
を２００人形成することにより３層構造を形成する。こ
のとき窒化シリコン層を形成するときのガス混合比５ｉ
１１４／Ｎ２は０．０＆、また燐または砒素をドープし
た第１及び第２の窒化シリコン層を形成するときのガス
混合比ＳｉＨ４／Ｎ２は０．２であった。その後上部電
極７としてＣ「を１０００人形成しフォトリングラフィ
法によりパターン化し、ＭＩＭ素子アレイを形成する。
その後、画素電極としてＩＴＯをパターン化形成する。
上部ガラス基板上の保護層９、上部透明電極１０の膜形
成、パターン化は通常の単純マルチプレックスＬＣＤと
殆んど同一である。下部ガラス基板１と上部ガラス基板
８とは配向処理を施し・たのちガラスファイバ等のスペ
ーサを介して張り合わせ、通常のエポキシ系接着剤によ
りシールした。セル厚は５ミクロンとした。その後ＴＮ
形液晶１１であるＺＬＩ−１５６５（メルク社製）を基
板間に注入しＴＦＤ−ＬＣＤを完成した。
成、パターン化は通常の単純マルチプレックスＬＣＤと
殆んど同一である。下部ガラス基板１と上部ガラス基板
８とは配向処理を施し・たのちガラスファイバ等のスペ
ーサを介して張り合わせ、通常のエポキシ系接着剤によ
りシールした。セル厚は５ミクロンとした。その後ＴＮ
形液晶１１であるＺＬＩ−１５６５（メルク社製）を基
板間に注入しＴＦＤ−ＬＣＤを完成した。
本′発明により形成した二端子素子の電圧−電流特性を
測定したところ第２図の実線で示されるように電圧の極
性に対して対称であり、従来の窒化シリコンの単層構造
より得られた二端子素子の電圧−電流特性（破線）に比
べて対称性、電流ともに改善されていることがわかった
。また、非線形係数６８と太き（１０００本以上の高走
査線を有するＴＦＤ−ＬＣＤへの適応も可能なことがわ
かった。
測定したところ第２図の実線で示されるように電圧の極
性に対して対称であり、従来の窒化シリコンの単層構造
より得られた二端子素子の電圧−電流特性（破線）に比
べて対称性、電流ともに改善されていることがわかった
。また、非線形係数６８と太き（１０００本以上の高走
査線を有するＴＦＤ−ＬＣＤへの適応も可能なことがわ
かった。
この二端子素子の窒化シリコン層を形成するときのガス
混合比５ｉｌ１４／Ｎ２は０．０２以上０．６以下が非
線形性の大きい二端子素子をつくるために必要である。
混合比５ｉｌ１４／Ｎ２は０．０２以上０．６以下が非
線形性の大きい二端子素子をつくるために必要である。
また燐または砒素をドープした第１及び第２の窒化シリ
コン層を形成するときのガス混合比ＳｉＨ４／Ｎ２は０
．０１以上であり、燐あるいは砒素の混合比は１０ｐｐ
ｍ以上であれば電圧−電流特性の対称性に効果があった
。本実施例においてはＳ ｉ ｔｌ ４とＮ２の混合ガ
スを用いて窒化シリコン層を成膜しているが、５ｉｔ１
４とＮ１１３の混合ガス、 ５ｉ２１１６とＮ２の混合
ガス等を用いても良好なダイオード特性が得られた。
コン層を形成するときのガス混合比ＳｉＨ４／Ｎ２は０
．０１以上であり、燐あるいは砒素の混合比は１０ｐｐ
ｍ以上であれば電圧−電流特性の対称性に効果があった
。本実施例においてはＳ ｉ ｔｌ ４とＮ２の混合ガ
スを用いて窒化シリコン層を成膜しているが、５ｉｔ１
４とＮ１１３の混合ガス、 ５ｉ２１１６とＮ２の混合
ガス等を用いても良好なダイオード特性が得られた。
本実施例においては燐または砒素をドープした窒化シリ
コン層を用いているが、燐または砒素をドープした炭化
シリコン層を窒化シリコン層の両側にはさんだ３層ｌｌ
３ａでも対称性の良い電圧−電流特性が得られた。この
場合、炭化シリコン層の形成にはガス混合比５ｉｎ４７
ＣＨ４が０．１以上のカスをグロー放電分解した。
コン層を用いているが、燐または砒素をドープした炭化
シリコン層を窒化シリコン層の両側にはさんだ３層ｌｌ
３ａでも対称性の良い電圧−電流特性が得られた。この
場合、炭化シリコン層の形成にはガス混合比５ｉｎ４７
ＣＨ４が０．１以上のカスをグロー放電分解した。
また、本実施例においては、グロー放電分解法を用いて
３層構゛造を形成しているが、スパッタ法、ＣＶＤ法等
の他の成膜方法においても本発明は有効である。
３層構゛造を形成しているが、スパッタ法、ＣＶＤ法等
の他の成膜方法においても本発明は有効である。
本実施例においては電極としてクロム電極を用いている
が、＾ｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ等他の金属及びシリ等地ドを
上部及びリード電極に用いても本発明は有効である。ま
た、画素電極として使用しているＩＴＯ等の透明電極を
二端子素子の上部及び下部電極と兼ねても本発明は有効
である。
が、＾ｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ等他の金属及びシリ等地ドを
上部及びリード電極に用いても本発明は有効である。ま
た、画素電極として使用しているＩＴＯ等の透明電極を
二端子素子の上部及び下部電極と兼ねても本発明は有効
である。
本実施例を用いて形成された６４０Ｘ４００素子のＴＦ
Ｄ−ＬＣＤの画像評価を行なったところコントラスト２
０：１以上、フリッカー−３９ｄＢと従来の窒化シリコ
ンの単層構造のＴＦＤ−ＬＣＤの一２５ｄＢに比べて大
幅に改善されていることが明らかになった。
Ｄ−ＬＣＤの画像評価を行なったところコントラスト２
０：１以上、フリッカー−３９ｄＢと従来の窒化シリコ
ンの単層構造のＴＦＤ−ＬＣＤの一２５ｄＢに比べて大
幅に改善されていることが明らかになった。
以上説明したように、本発明によれば対称性が良く、非
線形性の高い薄膜二端子素子特性が得られるので大容量
でフリッカ−の少ない液晶表示装置を提供することがで
きる。
線形性の高い薄膜二端子素子特性が得られるので大容量
でフリッカ−の少ない液晶表示装置を提供することがで
きる。
第１図は本発明によるＴＦＤ−ＬＣＤの１実施例の断面
図、第２図は本発明による薄膜二端子素子と従来例によ
る薄膜二端子素子の電圧−電流特性を示した図である９ １・・・下部ガラス基板、２，９・・・ガラス保護膜、
３・・・リード電極、４・・・燐又は砒素がドープされ
た第１の窒化シリコン層、５・・・窒化シリコン層、６
・・・燐又は砒素がドープされた第２の窒化シリコン層
、７・・・上部電極、８・・・上部ガラス電極、１０・
・・上部透明電極、１１・・・液晶。 代理人 弁理士 内 原 晋 δ上４斤Ｕ７ス辿塵呪辷 ７上デ′一つ 、ｌ 〒 １ ！ −２０−１５−７’：’ ”ＳＯｓ、’０ 、’Ｔ
２０電王（Ｖ） 声 ２ ｙ
図、第２図は本発明による薄膜二端子素子と従来例によ
る薄膜二端子素子の電圧−電流特性を示した図である９ １・・・下部ガラス基板、２，９・・・ガラス保護膜、
３・・・リード電極、４・・・燐又は砒素がドープされ
た第１の窒化シリコン層、５・・・窒化シリコン層、６
・・・燐又は砒素がドープされた第２の窒化シリコン層
、７・・・上部電極、８・・・上部ガラス電極、１０・
・・上部透明電極、１１・・・液晶。 代理人 弁理士 内 原 晋 δ上４斤Ｕ７ス辿塵呪辷 ７上デ′一つ 、ｌ 〒 １ ！ −２０−１５−７’：’ ”ＳＯｓ、’０ 、’Ｔ
２０電王（Ｖ） 声 ２ ｙ
Claims (1)
- 透明電極が形成されている基板と、窒化シリコン膜を絶
縁体として用いた金属−絶縁体−金属構造を有する薄膜
二端子素子がマトリクス状に形成されている基板との間
に液晶を挟持して成る薄膜二端子素子型アクティブマト
リクス液晶表示装置において、前記金属と絶縁体の間に
燐または砒素をドープした窒化シリコン層または炭化シ
リコン層をはさんだことを特徴とする薄膜二端子素子型
アクティブマトリクス液晶表示装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63325208A JPH02168239A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置 |
| US07/455,259 US5122889A (en) | 1988-12-22 | 1989-12-22 | Active matrix liquid crystal display using mim diodes having symmetrical voltage-current characteristics as switching elements |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63325208A JPH02168239A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02168239A true JPH02168239A (ja) | 1990-06-28 |
Family
ID=18174234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63325208A Pending JPH02168239A (ja) | 1988-12-22 | 1988-12-22 | 薄膜二端子素子型アクティブマトリクス液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02168239A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0534716A (ja) * | 1991-02-06 | 1993-02-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
| US8295123B2 (en) | 2007-07-18 | 2012-10-23 | Panasonic Corporation | Current rectifying element, memory device incorporating current rectifying element, and fabrication method thereof |
-
1988
- 1988-12-22 JP JP63325208A patent/JPH02168239A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0534716A (ja) * | 1991-02-06 | 1993-02-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶電気光学装置 |
| US8295123B2 (en) | 2007-07-18 | 2012-10-23 | Panasonic Corporation | Current rectifying element, memory device incorporating current rectifying element, and fabrication method thereof |
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