JP2578942B2 - アクティブマトリクス液晶表示装置の駆動方法 - Google Patents
アクティブマトリクス液晶表示装置の駆動方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、非線形抵抗素子を用いたアクティブマトリ
クス液晶表示装置の駆動方法に関する。
クス液晶表示装置の駆動方法に関する。
〔従来の技術〕 近年、ツィスト・ネマティック型（TN型）を中心とし
た液晶表示装置（LCD）の応用が発展し、腕時計や電卓
の分野で大量に用いられている。それに加え、近年、文
字，図形等の任意の表示が可能なマトリクス型も使われ
始めている。このマトリクス型LCDの応用分野を広げる
ためには、表示容量の増大が必要である。しかし、従来
のLCDの電圧−透過率変化特性の立上りはあまり急峻で
はないので、表示容量を増加させるためにマルチプレッ
クス駆動の走査本数を増加させると、選択画素と非選択
画素との各々にかかる実効電圧比は低下するので、選択
画素の透過率増加と非選択画素素の透過率低下というク
ロストークが生じる。その結果、表示コントラストが著
しく低下し、ある程度のコントラストが得られる視野角
も著しくなる。従って、従来のLCDでは走査本数は、60
本ぐらいが限界である。このような従来のLCDを、次に
述べるアクティブマトリクスLCDと比較して、単純マト
リクスLCDと称する。
た液晶表示装置（LCD）の応用が発展し、腕時計や電卓
の分野で大量に用いられている。それに加え、近年、文
字，図形等の任意の表示が可能なマトリクス型も使われ
始めている。このマトリクス型LCDの応用分野を広げる
ためには、表示容量の増大が必要である。しかし、従来
のLCDの電圧−透過率変化特性の立上りはあまり急峻で
はないので、表示容量を増加させるためにマルチプレッ
クス駆動の走査本数を増加させると、選択画素と非選択
画素との各々にかかる実効電圧比は低下するので、選択
画素の透過率増加と非選択画素素の透過率低下というク
ロストークが生じる。その結果、表示コントラストが著
しく低下し、ある程度のコントラストが得られる視野角
も著しくなる。従って、従来のLCDでは走査本数は、60
本ぐらいが限界である。このような従来のLCDを、次に
述べるアクティブマトリクスLCDと比較して、単純マト
リクスLCDと称する。
マトリクス型LCDの表示容量を大幅に増加させるため
に、LCDの各画素にスイッチング素子を直列に配置した
アクティブマトリクスLCDが考案されている。これまで
に発表されたアクティブマトリクスLCDの試作品のスイ
ッチング素子には、アモルファスシリコンやポリシリコ
ンを半導体材料とした薄膜トランジスタ素子（TFT）が
多く用いられている。また一方では、製造法及び構造が
比較的単純であるため、製造工程が簡略化でき、高歩留
り、低コスト化が期待される薄膜二端子素子（以下TFD
と略す）を用いたアクティブマトリクスLCDも注目され
ている。
に、LCDの各画素にスイッチング素子を直列に配置した
アクティブマトリクスLCDが考案されている。これまで
に発表されたアクティブマトリクスLCDの試作品のスイ
ッチング素子には、アモルファスシリコンやポリシリコ
ンを半導体材料とした薄膜トランジスタ素子（TFT）が
多く用いられている。また一方では、製造法及び構造が
比較的単純であるため、製造工程が簡略化でき、高歩留
り、低コスト化が期待される薄膜二端子素子（以下TFD
と略す）を用いたアクティブマトリクスLCDも注目され
ている。
このような薄膜二端子素子型アクティブマトリクスLC
D（以下TFD−LCDと略す）において、一番実用化に近い
と考えられているLCDは、TFDに金属−絶縁体−金属素子
（以下MIM素子又はMIMと略す）を用いたLCDである。TFD
として、MIMの他には、アモルファスSiのpinダイオード
２個を極性逆向きに並列接続したダイオードリング、及
び、同じくpinダイオード２個を極性逆向きに直列接続
したバック・ツー・バック・ダイオードが知られてい
る。
D（以下TFD−LCDと略す）において、一番実用化に近い
と考えられているLCDは、TFDに金属−絶縁体−金属素子
（以下MIM素子又はMIMと略す）を用いたLCDである。TFD
として、MIMの他には、アモルファスSiのpinダイオード
２個を極性逆向きに並列接続したダイオードリング、及
び、同じくpinダイオード２個を極性逆向きに直列接続
したバック・ツー・バック・ダイオードが知られてい
る。
以上のTFDは、全て、回路的には非線形抵抗素子であ
り、素子両端への印加電圧の増加に伴い、電流が非線形
的に急激に増加する。このようなTFDを液晶素子と直列
に接続することにより、電圧−透過率変化特性の立上り
は急峻になり、走査本数を大幅に増やすことが可能にな
る。
り、素子両端への印加電圧の増加に伴い、電流が非線形
的に急激に増加する。このようなTFDを液晶素子と直列
に接続することにより、電圧−透過率変化特性の立上り
は急峻になり、走査本数を大幅に増やすことが可能にな
る。
このようなMIMを用いたLCDの従来例は、論文ではディ
・アールバラフ、他、著「ジ・オプティマイゼーション
・オブ・メタル・インシュレータ・メタル・ノンリニア
・デバイシズ・フォア・ユース・イン・マルチプレック
スド・リキッド・クリスタル・ディスプレイズ」、アイ
・イー・イー・イー・トランザクション・オン・エレク
トロン・デバイシーズ、28巻、頁736−739（1981年発
行）〔D.R.Baraff,et al.,“The Optimization of Meta
l−Insulator−Metal Nonlinear Devices for Use in M
ultiplexed Liquid Crystal Displays,"IEEE Trans.Ele
ctron Devices,vol.ED−28,pp.736−739（1981）〕、及
び両角伸治、他、著「250×240画素のラテラルMIM−LC
D」テレビジョン学会技術報告（IPD83−８）,pp.39−4
4,（1983年12月発行）に代表的に示され、特許公開公報
では特開昭52−149090号公報、及び特開昭55−161273号
公報中に代表的に示され、その動作原理についても詳細
に述べられている。
・アールバラフ、他、著「ジ・オプティマイゼーション
・オブ・メタル・インシュレータ・メタル・ノンリニア
・デバイシズ・フォア・ユース・イン・マルチプレック
スド・リキッド・クリスタル・ディスプレイズ」、アイ
・イー・イー・イー・トランザクション・オン・エレク
トロン・デバイシーズ、28巻、頁736−739（1981年発
行）〔D.R.Baraff,et al.,“The Optimization of Meta
l−Insulator−Metal Nonlinear Devices for Use in M
ultiplexed Liquid Crystal Displays,"IEEE Trans.Ele
ctron Devices,vol.ED−28,pp.736−739（1981）〕、及
び両角伸治、他、著「250×240画素のラテラルMIM−LC
D」テレビジョン学会技術報告（IPD83−８）,pp.39−4
4,（1983年12月発行）に代表的に示され、特許公開公報
では特開昭52−149090号公報、及び特開昭55−161273号
公報中に代表的に示され、その動作原理についても詳細
に述べられている。
MIMにおいて、最も重要な材料は、絶縁体層の材料で
ある。従来の論文、特許公開公報等に記載のMIMでは、
絶縁体層の材料にタンタル（Ta）又はシリコンの酸化物
又は窒化物が主として用いられるが、これに限定されな
い。又、金属は殆んど全ての金属を用いることが可能で
あるが、主としてクロムかタンタルが用いられる。
ある。従来の論文、特許公開公報等に記載のMIMでは、
絶縁体層の材料にタンタル（Ta）又はシリコンの酸化物
又は窒化物が主として用いられるが、これに限定されな
い。又、金属は殆んど全ての金属を用いることが可能で
あるが、主としてクロムかタンタルが用いられる。
非線形抵抗素子の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性は、種々
の形で数式化されるが、代表的なものとして、次の式が
知られている。
の形で数式化されるが、代表的なものとして、次の式が
知られている。
Ｉ＝Ａ・Ｖα ここで、Ｉは電流、Ｖは電圧、αは非線形系数、Ａは比
例定数である。既に述べたMIM素子等においては、αは
６以上の値をもつ。
例定数である。既に述べたMIM素子等においては、αは
６以上の値をもつ。
以上述べたTFD−LCDにおいて、従来は、TN型単純マト
リクスLCDに用いられている駆動法と実質的には同一の
駆動方法が用いられている。従来の駆動方法について
は、エレクトロニクス昭和63年４月号pp42−46に詳述さ
れている。
リクスLCDに用いられている駆動法と実質的には同一の
駆動方法が用いられている。従来の駆動方法について
は、エレクトロニクス昭和63年４月号pp42−46に詳述さ
れている。
第２図は、注目している画素が選択画素であり、デー
タ信号ライン上、選択画素と非選択画素が交互に存在す
る場合の駆動信号である。走査信号（ａ）、データ信号
（ｂ）は、負・正の各フレームで第１表のような値をと
る。負・正の各１フレームで１画面の走査を行い、表示
内容を書き込む。アドレス時が各画素への書き込み区
間、非アドレス時が各画素の電荷保持区間である。VPと
VPの比（VD／VP）は通常一定であり、バイアス比とよば
れる。
タ信号ライン上、選択画素と非選択画素が交互に存在す
る場合の駆動信号である。走査信号（ａ）、データ信号
（ｂ）は、負・正の各フレームで第１表のような値をと
る。負・正の各１フレームで１画面の走査を行い、表示
内容を書き込む。アドレス時が各画素への書き込み区
間、非アドレス時が各画素の電荷保持区間である。VPと
VPの比（VD／VP）は通常一定であり、バイアス比とよば
れる。
TFD−LCDパネル１画素の等価回路は、第３図のごと
く、非線形抵抗素子13と液晶表示14とが直列に接続さ
れ、データ信号線15と走査信号線16が両端に接続され
る。これが逆でも全く問題ない。
く、非線形抵抗素子13と液晶表示14とが直列に接続さ
れ、データ信号線15と走査信号線16が両端に接続され
る。これが逆でも全く問題ない。
画素印加信号は、（データ信号）−（走査信号）であ
り、第２表の値をとる。それに対応して、液晶電圧が変
化し、表示コントラストとなる。理想的には、非線形素
子のＩ−Ｖ特性は、電圧の正負に対して対称のはずであ
るが、実際のMIM素子は非対称性が大きい。即ち、
（１）式でαは同じでもＶ＞０の時のＡの値A+とＶ＜０
の時のＡの値A-とは異なる。A-＞A+の時、液晶電圧は負
フレームの方が絶対値が大きくなる。液晶のコントラス
トは、液晶電圧の実効値で決まるため、このような場合
は、画面のチラツキ、即ち、フリッカが目につきやすく
なる。
り、第２表の値をとる。それに対応して、液晶電圧が変
化し、表示コントラストとなる。理想的には、非線形素
子のＩ−Ｖ特性は、電圧の正負に対して対称のはずであ
るが、実際のMIM素子は非対称性が大きい。即ち、
（１）式でαは同じでもＶ＞０の時のＡの値A+とＶ＜０
の時のＡの値A-とは異なる。A-＞A+の時、液晶電圧は負
フレームの方が絶対値が大きくなる。液晶のコントラス
トは、液晶電圧の実効値で決まるため、このような場合
は、画面のチラツキ、即ち、フリッカが目につきやすく
なる。
このようなフリッカを抑えるために、１〜２走査線ご
とに信号の極性を反転させる方法が既に提案されてい
る。これは、走査線１〜２本ごとに、第１表の駆動電圧
と第３表の駆動電圧とを交互に用いるものであり、画素
印加電圧は第２表と第４表のようになり、数画素のエリ
アでフリッカが相殺され、擬似的にフリッカが抑えられ
たようにみえるものである。しかし、この方法によるフ
リッカの抑制は不完全であり、フリッカが残る。
とに信号の極性を反転させる方法が既に提案されてい
る。これは、走査線１〜２本ごとに、第１表の駆動電圧
と第３表の駆動電圧とを交互に用いるものであり、画素
印加電圧は第２表と第４表のようになり、数画素のエリ
アでフリッカが相殺され、擬似的にフリッカが抑えられ
たようにみえるものである。しかし、この方法によるフ
リッカの抑制は不完全であり、フリッカが残る。
〔発明が解決しようとする課題〕 以上述べたように、従来のTFD−LCDにはフリッカが起
こりやすいという欠点があった。
こりやすいという欠点があった。
また、これを解決する方法として、画素に印加する電
圧を非線形素子の非対称特性に合わせてシフトさせる方
法が、特開昭58−14891号公報、特開昭61−256325号公
報に記載されている。しかし、この方法ではコントラス
ト調整のためには、画素印加電圧調整と同時にバイアス
電圧も変える必要があるため、駆動回路は複雑になり、
コントラスト調整は非常に困難である。
圧を非線形素子の非対称特性に合わせてシフトさせる方
法が、特開昭58−14891号公報、特開昭61−256325号公
報に記載されている。しかし、この方法ではコントラス
ト調整のためには、画素印加電圧調整と同時にバイアス
電圧も変える必要があるため、駆動回路は複雑になり、
コントラスト調整は非常に困難である。
本発明の目的は、フリッカが生じないTFD−LCDの駆動
方法を提供すると同時に、容易にコントラスト調整ので
きる駆動方法を提供することにある。
方法を提供すると同時に、容易にコントラスト調整ので
きる駆動方法を提供することにある。
本発明によれば、非線形抵抗素子を用いたアクティブ
マトリクス液晶表示の駆動方法において、画素印加電圧
を、１又は２走査線ごとに極性を反転させ、且つ、バイ
アス比を一定に保ちつつその絶対値の比を表示最適比値
に設定したことを特徴とするアクティブマトリクス液晶
表示装置の駆動方法が得られる。
マトリクス液晶表示の駆動方法において、画素印加電圧
を、１又は２走査線ごとに極性を反転させ、且つ、バイ
アス比を一定に保ちつつその絶対値の比を表示最適比値
に設定したことを特徴とするアクティブマトリクス液晶
表示装置の駆動方法が得られる。
本発明による駆動方法を第１図に示す。基本的には、
第２図の従来例と同じであるが、負フレームと正フレー
ムとで走査信号とデータ信号の差である画素印加電圧の
絶対値を変えた点が特徴である。即ち、VPの値は正フレ
ームと負フレームでVPとVP′とになり、VDの値はVDと
VD′になる。A-＞A+を仮定すると、VP＞VP′，VD＞VD′
と設定すると、正・負フレーム間の液晶電圧の絶対値は
等しくすることが可能になる。これらの値は、第５表に
まとめてある。
第２図の従来例と同じであるが、負フレームと正フレー
ムとで走査信号とデータ信号の差である画素印加電圧の
絶対値を変えた点が特徴である。即ち、VPの値は正フレ
ームと負フレームでVPとVP′とになり、VDの値はVDと
VD′になる。A-＞A+を仮定すると、VP＞VP′，VD＞VD′
と設定すると、正・負フレーム間の液晶電圧の絶対値は
等しくすることが可能になる。これらの値は、第５表に
まとめてある。
バイアス比は正・負フレームで一定にする（VD／VP＝
VD′／VP′）。
VD′／VP′）。
正負フレーム間の画素印加電圧の絶対値の比であるVP
／VP′，（VP−２VD）／（VP′−２VD′）を各々調整す
ることにより、フリッカが無くなる比がみつけられる。
この比を表示最適比とよぶ。バイアス比が一定の場合
は、VP／VP′を表示最適値に設定すればよい。
／VP′，（VP−２VD）／（VP′−２VD′）を各々調整す
ることにより、フリッカが無くなる比がみつけられる。
この比を表示最適比とよぶ。バイアス比が一定の場合
は、VP／VP′を表示最適値に設定すればよい。
本発明による駆動方法は、１又は２走査線ごとに極性
を反転させる。即ち、第５表と第７表の駆動電圧を１又
は２走査線ごとに交互に印加する。
を反転させる。即ち、第５表と第７表の駆動電圧を１又
は２走査線ごとに交互に印加する。
第５表及び第７表の駆動電圧により、画素印加電圧
は、各々第６表及び第８表になる。
は、各々第６表及び第８表になる。
〔実施例〕 以下、実施例に基づいて説明する。
代表的なMIM−LCDの構造、作製法は以下のとうりであ
る。
る。
まず、下部ガラス基板１上の膜形成、MIM素子の製作
について述べる。第４図において、下部ガラス基板１を
Ta2O5，SiO2等のガラス保護膜２で被覆する。この保護
膜２は、不可欠なものではないので、被覆を省略するこ
ともできる。次にこの上にリード電極３、絶縁体層４を
形成する。
について述べる。第４図において、下部ガラス基板１を
Ta2O5，SiO2等のガラス保護膜２で被覆する。この保護
膜２は、不可欠なものではないので、被覆を省略するこ
ともできる。次にこの上にリード電極３、絶縁体層４を
形成する。
絶縁体層４は、種々の方法で形成することが可能であ
るが、本実施例においては、窒素ガス，シランガス，水
素ガスなどの混合ガスによるプラズマCVD法を用いて約1
000Åに形成した。
るが、本実施例においては、窒素ガス，シランガス，水
素ガスなどの混合ガスによるプラズマCVD法を用いて約1
000Åに形成した。
上部電極５はCrとし、抵抗加熱法により形成し、通常
のフォトリングラフィによりパターン化した。下部透明
電極６は、酸化インジウム−酸化スズ（通称ITO）と
し、マグネティック・スパッタリングにより形成し、通
常のフォトリングラフィ法によりパターン化した。
のフォトリングラフィによりパターン化した。下部透明
電極６は、酸化インジウム−酸化スズ（通称ITO）と
し、マグネティック・スパッタリングにより形成し、通
常のフォトリングラフィ法によりパターン化した。
上部ガラス基板７上の膜形成、パターン化は通常の単
純マルチプレックスLCDとほとんど同一である。上部ガ
ラス基板７は、SiO2等のガラス保護膜８で被覆されてい
るが、この保護膜８は不可欠ではない。上部透明電極９
も、下部透明電極６と同じく酸化インジウム−酸化スズ
であり、マグネティック・スパッタリングにより形成し
通常のフォトリングラフィ法によりパターン化した。
純マルチプレックスLCDとほとんど同一である。上部ガ
ラス基板７は、SiO2等のガラス保護膜８で被覆されてい
るが、この保護膜８は不可欠ではない。上部透明電極９
も、下部透明電極６と同じく酸化インジウム−酸化スズ
であり、マグネティック・スパッタリングにより形成し
通常のフォトリングラフィ法によりパターン化した。
下部ガラス基板１と上部ガラス基板７とは、ガラスフ
ァイバー等のスペーサを介して張り合わせれ、通常のエ
ポキシ系接着剤によりシールした。セル厚は８μｍとし
た。
ァイバー等のスペーサを介して張り合わせれ、通常のエ
ポキシ系接着剤によりシールした。セル厚は８μｍとし
た。
両ガラス基板1,7はラビングにより配向処理をした。
この場合、ポリイミド等の配向処理膜を塗布することが
多いが不可欠ではないので、第１図では省略した。
この場合、ポリイミド等の配向処理膜を塗布することが
多いが不可欠ではないので、第１図では省略した。
上記のセルに、ツィスト・ネマティック型液晶である
ZLI−1565（メルク製）を注入孔より注入して、液晶層1
0とした。注入孔を接着剤で封止することによりTFD−LC
Dを完成した。
ZLI−1565（メルク製）を注入孔より注入して、液晶層1
0とした。注入孔を接着剤で封止することによりTFD−LC
Dを完成した。
第５図に、下部ガラス基板１上の１画素の素子パター
ンを示す。このように下部透明電極６は、１画素毎に分
離されている。リード電極３は陽極酸化により前面が絶
縁体層４で覆われており、又、リード電極３からは各画
素に対応して小さな突起がでている。この突起状の電極
11は、上部電極５と交差しており、この交差部がMIM素
子になっている。
ンを示す。このように下部透明電極６は、１画素毎に分
離されている。リード電極３は陽極酸化により前面が絶
縁体層４で覆われており、又、リード電極３からは各画
素に対応して小さな突起がでている。この突起状の電極
11は、上部電極５と交差しており、この交差部がMIM素
子になっている。
第６図に、本実施例TFD−LCDの構造の一部を示す。こ
のように、第２図に示した下部ガラス基板１上の各画素
が格子状に並び、リード電極３は横につながり、端部で
端子部12を構成している。第１図における上部ガラス基
板７上の上部透明電極９は、図示のように各画素を縦に
つなげた形で帯状に形成されている。この上部透明電極
９の形状は、単純マルチプレックス駆動のLCDの電極形
状とほぼ同一である。
のように、第２図に示した下部ガラス基板１上の各画素
が格子状に並び、リード電極３は横につながり、端部で
端子部12を構成している。第１図における上部ガラス基
板７上の上部透明電極９は、図示のように各画素を縦に
つなげた形で帯状に形成されている。この上部透明電極
９の形状は、単純マルチプレックス駆動のLCDの電極形
状とほぼ同一である。
第６図の構造のパネルに、第３図の電圧印加方法をと
る場合、上部透明電極が走査信号線であり、リード電極
がデータ信号線である。
る場合、上部透明電極が走査信号線であり、リード電極
がデータ信号線である。
第１図に示された本発明の駆動法において、VP＝16V,
VP′＝19V,バイアス比＝９とした駆動波形を、上記パネ
ルに印加することによりコントラスト比20以上で、クロ
ストークが無く、フリッカも全く無い高コントラストの
表示が得られた。
VP′＝19V,バイアス比＝９とした駆動波形を、上記パネ
ルに印加することによりコントラスト比20以上で、クロ
ストークが無く、フリッカも全く無い高コントラストの
表示が得られた。
尚、VP／VP′の値はTFD−LCDの画面を見ながらフリッ
カが無くなるよう調整して定めた。
カが無くなるよう調整して定めた。
本発明の駆動法を用いれば、非対称Ｉ−Ｖ特性の非線
形抵抗素子を用いたTFD−LCDパネルにおいてもフリッカ
の全く無い、高コントラストの表示が得られる。
形抵抗素子を用いたTFD−LCDパネルにおいてもフリッカ
の全く無い、高コントラストの表示が得られる。
また、本発明の駆動方法は、極性の異なる画素印加電
圧の絶対値の比を、フリッカがなくなるように調整、固
定してあるので、印加電圧を変えてもフリッカは発生し
ない。従って、印加電圧を調整することで容易に各使用
者にあったコントラスト特性にすることができる。これ
に対し、従来からある画素電圧にオフセット電圧を加え
てフリッカ発生を抑制する方法では、画素印加電圧を変
えると同時にバイアス電圧も変える必要があるため、こ
のようなコントラスト調整は困難である。
圧の絶対値の比を、フリッカがなくなるように調整、固
定してあるので、印加電圧を変えてもフリッカは発生し
ない。従って、印加電圧を調整することで容易に各使用
者にあったコントラスト特性にすることができる。これ
に対し、従来からある画素電圧にオフセット電圧を加え
てフリッカ発生を抑制する方法では、画素印加電圧を変
えると同時にバイアス電圧も変える必要があるため、こ
のようなコントラスト調整は困難である。
第１図は本発明による駆動法の一実施例の波形図、第２
図は従来の駆動法の例を示す図、第３図は１画素の等価
回路を示す図、第４図は実施例に用いたMIM−LCDパネル
の断面図、第５図は実施例に用いたパネルの１画素の構
造の平面図、第６図は実施例に用いたパネル一部分の透
視構造平面図である。 １……下部ガラス基板、2,8……ガラス保護膜、３……
リード電極、４……絶縁体層、５……上部電極、６……
下部透明電極、７……上部ガラス基板、９……上部透明
電極、10……液晶層、11……突起状の電極、12……端子
部、13……非線形抵抗素子、14……液晶素子、15……デ
ータ信号線、16……走査信号線。
図は従来の駆動法の例を示す図、第３図は１画素の等価
回路を示す図、第４図は実施例に用いたMIM−LCDパネル
の断面図、第５図は実施例に用いたパネルの１画素の構
造の平面図、第６図は実施例に用いたパネル一部分の透
視構造平面図である。 １……下部ガラス基板、2,8……ガラス保護膜、３……
リード電極、４……絶縁体層、５……上部電極、６……
下部透明電極、７……上部ガラス基板、９……上部透明
電極、10……液晶層、11……突起状の電極、12……端子
部、13……非線形抵抗素子、14……液晶素子、15……デ
ータ信号線、16……走査信号線。
Claims (1)
- 【請求項１】液晶素子から成る各画素に非線形抵抗素子
から成るスイッチング素子が直列に接続されたアクティ
ブマトリクス液晶表示装置の各画素に印加する画素印加
電圧を、１又は２走査線ごとに極性を反転する駆動方法
において、バイアス比を一定に保ち、極性の異なる画素
印加電圧の絶縁値の比を液晶素子に加わる電圧の絶対値
が各フレーム間で等しくなるように設定されたことを特
徴とするアクティブマトリクス液晶表示装置の駆動方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63237035A JP2578942B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | アクティブマトリクス液晶表示装置の駆動方法 |
| US07/407,429 US5117298A (en) | 1988-09-20 | 1989-09-14 | Active matrix liquid crystal display with reduced flickers |
| DE68920935T DE68920935T2 (de) | 1988-09-20 | 1989-09-18 | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix mit reduziertem Flimmern. |
| EP89309439A EP0360523B1 (en) | 1988-09-20 | 1989-09-18 | Active matrix liquid crystal display with reduced flicker |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63237035A JP2578942B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | アクティブマトリクス液晶表示装置の駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0283527A JPH0283527A (ja) | 1990-03-23 |
| JP2578942B2 true JP2578942B2 (ja) | 1997-02-05 |
Family
ID=17009433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63237035A Expired - Lifetime JP2578942B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | アクティブマトリクス液晶表示装置の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2578942B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008076416A (ja) | 2004-12-27 | 2008-04-03 | Sharp Corp | 表示パネルの駆動装置、表示パネル及びそれを備えた表示装置並びに表示パネルの駆動方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814891A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-27 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置の駆動方法 |
| JP2583211B2 (ja) * | 1985-05-10 | 1997-02-19 | シチズン時計株式会社 | 液晶表示装置 |
-
1988
- 1988-09-20 JP JP63237035A patent/JP2578942B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0283527A (ja) | 1990-03-23 |
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